KR20100059753A - 발광장치의 제조방법 - Google Patents

발광장치의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20100059753A
KR20100059753A KR1020100037908A KR20100037908A KR20100059753A KR 20100059753 A KR20100059753 A KR 20100059753A KR 1020100037908 A KR1020100037908 A KR 1020100037908A KR 20100037908 A KR20100037908 A KR 20100037908A KR 20100059753 A KR20100059753 A KR 20100059753A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
substrate
film
organic compound
conveying
Prior art date
Application number
KR1020100037908A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100991445B1 (ko
Inventor
순페이 야마자키
마사카즈 무라카미
Original Assignee
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 filed Critical 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Publication of KR20100059753A publication Critical patent/KR20100059753A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100991445B1 publication Critical patent/KR100991445B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67236—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations the substrates being processed being not semiconductor wafers, e.g. leadframes or chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing

Abstract

본 발명은, EL 재료의 이용효율을 높이고, 또한, EL층 막형성의 균일성과 스루풋이 뛰어난 막형성장치의 하나인 증착장치 및 증착방법을 제공한다. 본 발명은, 증착 동안에, 증착재료가 봉입된 용기를 설치한 증착원 홀더가, 기판에 대하여 소정 피치로 이동하는 것을 특징으로 한다. 또한, 막두께 모니터도 증착원 홀더와 일체화되어 이동한다. 또한, 막두께 모니터로 측정된 값에 따라서 증착원 홀더의 이동속도도 조절함으로써, 막두께를 균일하게 한다.

Description

발광장치의 제조방법{MANUFACTURING METHOD OF A LIGHT EMITTING DEVICE}
본 발명은 증착에 의해 막형성 가능한 재료(이하, 증착재료라 함)의 막형성에 이용되는 막형성장치를 구비한 제조장치 및 그 제조장치를 사용한 유기 화합물을 함유한 층을 발광층으로 하는 발광장치의 제조방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 기판에 대향하여 설치된 복수의 증착원으로부터 증착재료를 증발시켜 막형성을 하는 진공 증착방법 및 증착장치에 관한 것이다.
최근, 자발광형 발광소자로서 EL 소자를 갖는 발광장치의 연구가 활발화되고 있다. 이 발광장치는, EL 디스플레이 또는 발광 다이오드(LED)라고도 불린다. 이 발광장치들은, 동작 화상표시에 적합한 빠른 응답속도, 저전압, 저소비 전력 구동 등의 특징을 갖기 때문에, 신세대의 휴대전화나 휴대정보단말(PDA)을 비롯하여, 차세대 디스플레이로서 크게 주목받고 있다.
유기 화합물을 함유한 층을 발광층으로 하는 EL 소자는, 유기 화합물을 함유한 층(이하, EL 층이라고 적음)이, 양극과 음극 사이에 끼워진 구조를 갖고, 양극과 음극에 전계를 가함으로써, EL 층으로부터 전계 발광(Electro Luminescence)이 발광한다. 또한, EL 소자로부터의 발광은, 단일항 여기상태로부터 기저상태로 되돌아갈 때의 발광(형광)과 3중항 여기상태로부터 기저상태로 되돌아갈 때의 발광(인광)이 있다.
상기한 EL 층은, 코닥·이스트만·컴퍼니의 Tang 등이 제안한 "정공수송층/발광층/전자수송층"으로 대표되는 적층 구조를 갖는다. 또한, EL 층을 형성하는 EL 재료는 저분자계(모노머계)재료와 고분자계(폴리머계)재료로 대별되고, 그 저분자계재료는, 증착장치를 사용하여 막형성된다.
종래의 증착장치는 기판 홀더에 기판을 설치하고, EL재료, 요컨대 증착재료를 봉입한 도가니와, 승화하는 EL 재료의 상승을 방지하는 셔터와, 도가니 안의 EL 재료를 가열하는 히터를 갖는다. 그리고, 히터에 의해 가열된 EL 재료가 승화하여, 회전하는 기판에 막형성된다. 이때, 균일하게 막형성을 하기 위해서, 기판과 도가니 사이의 거리는 적어도 1m 떼어야 한다.
상술한 증착장치와 진공 증착방법에서는, 증착에 의해 EL 층을 형성하는 경우, 승화한 EL 재료의 거의가 증착장치의 막형성실 내의 내벽, 셔터 또는 방착쉴드(증착재료가 막형성실의 내벽에 부착되는 것을 막기 위한 보호판)에 부착되었다. 그 때문에, EL 층의 막형성시에 있어서, 비싼 EL 재료의 이용효율이 약 1% 이하로 매우 낮고, 발광장치의 제조비용은 대단히 고가였다.
또한, 종래의 증착장치는, 균일한 막을 얻기 위해서, 기판과 증착원의 간격을 1m 이상 떼어야 했다. 그 때문에, 증착장치 자체가 대형화하고, 증착장치의 각 막형성실의 배기에 요하는 시간도 장시간이 되기 때문에 막형성 속도가 지연되어, 스루풋이 저하하였다. 또한, 대면적 기판이 되면, 기판의 중앙부와 주연부에서 막두께가 불균일해지기 쉬운 문제가 생긴다. 또한, 증착장치는 기판을 회전시키는 구조이기 때문에, 대면적 기판을 목적으로 하는 증착장치에는 한계가 있었다.
또한, EL 재료는, 산소와 물의 존재에 의해 용이하게 산화해 열화하여 버리는 문제가 있다. 그러나, 증착법에 의해 막형성을 할 때는, 용기(유리병)에 넣어진 증착재료를 소정량 추출하여, 증착장치 내에서의 피막형성물에 대향시킨 위치에 설치된 용기(대표적으로는, 도가니, 증착 보트)로 전송하고, 이 전송작업에 있어서 증착재료에, 산소 또는 물, 또는 불순물이 혼입할 우려가 있었다.
또한, 유리병으로부터 용기로 전송할 때에, 예를 들면, 글로브(glove) 등이 구비된 막형성실의 전처리실 내에서 인간의 손으로 하였다. 그러나, 전처리실에 글로브를 구비한 경우, 진공으로 할 수 없고, 대기압에서 작업을 하게 되어, 불순물이 혼입할 가능성이 높았다. 설령 질소분위기로 된 전처리실 내에서 전송을 한다고 하여도, 수분 또는 산소를 크게 감소하는 것은 곤란하였다. 또한, 로봇을 사용하는 것도 생각할 수 있지만, 증발재료는 가루형이기 때문에, 전송작업을 하는 로봇의 제조는 대단히 곤란하다. 그 때문에, EL 소자의 형성, 즉 하부전극 상에 EL 층을 형성하는 공정부터 상부전극형성공정까지의 공정을, 불순물 혼입을 피하는 것이 가능한 일관한 일관된 폐쇄 시스템으로 하는 것은 곤란하였다.
그래서, 본 발명은, EL 재료의 이용효율을 높이고, EL층 막형성의 균일성 또는 스루풋이 뛰어난 제조장치의 하나인 증착장치 및 증착방법을 제공하는데 있다. 또한, 본 발명의 증착장치 및 증착방법에 의해 제조되는 발광장치 및 그 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은, 예를 들면, 기판사이즈가, 320mm×400mm, 370mm×470mm, 550mm×650mm, 600mm×720mm, 680mm×880mm, 1000mm×1200mm, 1100mm×1250mm 또는 1150mm×1300mm와 같은 대면적 기판에 대하여, 효율적으로 EL 재료를 증착하는 제조장치를 제공한다. 또한, 본 발명은, 대면적 기판에 대해서도 기판 전체면에서 균일한 막두께를 얻을 수 있는 증착장치를 제공한다.
또한, 본 발명은, EL 재료에의 불순물 혼입을 피할 수 있는 제조장치를 제공한다.
상기 목적을 달성하기 위해서 본 발명은, 기판과 증착원이 상대적으로 이동하는 것을 특징으로 하는 증착장치를 제공한다. 즉, 본 발명은, 증착 동안에, 증착재료가 봉입된 용기(501)를 설치한 증착원 홀더가, 증착장치에서, 기판에 대하여 소정 피치로 이동하는 것을 특징으로 한다. 또한, 막두께 모니터도 증착원 홀더와 일체화되어 이동한다. 또한, 막두께 모니터로 측정된 값에 따라서 증착원 홀더의 이동속도를 조절함으로써 막두께를 균일하게 한다.
또한, 도 3에 그 일례를 나타낸 것처럼, 셔터(503)에 미소한 구멍을 설치하고, 그 구멍(개구부 S2)으로부터 비스듬하게 방출되는 증착재료가 막두께 모니터에 대응하도록 함으로써, 셔터가 닫힌 상태에서도 항상 증착 속도를 측정할 수 있다. 또한 셔터의 개폐는 특별히 한정되지 않고, 활주식 셔터를 사용하여도 된다. 증착시에는, 증착재료가 봉입된 용기(501)를 가열시킨 대로의 상태로 하고 있기 때문에, 이동하여 증착원 홀더(502) 위쪽으로 기판이 없는 장소에서도 가열되고, 셔터(503)를 사용함으로써 증착재료의 낭비를 없앤다. 또한, 셔터에 미소한 구멍을 설치함으로써 용기 내의 압력이 고압이 되지 않도록 누설시킬 수 있다. 이때, 구멍의 개구면적 S2는 용기의 개구부 면적 S1보다도 미소하다.
이때, 막두께를 균일하게 하기 위해서, 기판 주연부에서 증착원 홀더를 회전시키는 것이 바람직하다. 도 2c에 증착원 홀더가 1 회전한 예를 나타낸다. 또한, 도 2d에 나타낸 것처럼 반회전을 반복하여도 된다. 또한, 승화한 증착재료의 끝(가장자리)이 겹친(오버랩시킨) 것처럼, 증착원 홀더를 소정 피치로 이동시키는 것이 바람직하다.
또한, 비발광영역이 확대하는 수축(shrinkage)의 주원인이, 흡착수분도 함유된 미량의 수분이 유기 화합물을 함유한 층에 달하는 것이기 때문에, TFT를 구비한 액티브 매트릭스 기판 상에 유기 화합물을 함유한 층을 형성하기 직전에, 액티브 매트릭스 기판에 내재하는 수분(흡착수분을 함유함)을 제거하는 것이 바람직하다.
본 발명은, 평판 히터(대표적으로는, 시스(sheath) 히터)를 사용하여, 복수의 기판을 균일하게 가열하는 가열실을 설치하고, 유기 화합물을 함유한 층을 형성하기 전에 100℃∼250℃의 진공가열을 함으로써, 축소의 발생을 방지 또는 감소할 수 있다. 특히, 층간절연막 또는 격벽의 재료로서 유기수지막을 사용한 경우, 유기수지재료에 의해서는 수분을 흡착하기 쉽고, 탈가스가 발생할 우려가 있기 때문에, 유기 화합물을 함유한 층을 형성하기 전에 100℃∼250℃의 진공가열을 하는 것이 효과적이다.
또한, 본 발명은, 유기 화합물을 함유한 층에 수분이 침입하는 것을 막기 위해서, 대기에 닿지 않고, 유기 화합물을 함유한 층의 형성으로부터 밀봉하기까지의 공정을 하는 것이 바람직하다.
본 명세서에서 개시한 본 발명의 일 국면은,
전극이 형성된 기판을 제 1 반송실에 연결된 처리실로 반송하는 스텝과,
상기 처리실 내의 수분 및 가스를 제거하기 위해서 진공에서 상기 기판을 어닐링하는 스텝과,
상기 어닐링된 기판을, 제 2 반송실에 연결된 제 1 막형성실로, 상기 제 1 및 제 2 반송실 사이에 설치된 제 1 수도실을 통해서 반송하는 스텝과,
상기 제 1 막형성실 내에서 상기 전극 위에 유기 화합물층을 형성하는 스텝과,
상기 유기 화합물층이 형성된 기판을, 제 3 반송실에 연결된 제 2 막형성실로 상기 제 2 및 제 3 반송실 사이에 설치된 제 2 수도실을 통해서 반송하는 스텝과,
상기 제 2 막형성실 내에서 상기 유기 화합물층 위에 금속막을 형성하는 스텝을 포함한 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법을 제공한다.
또한, 유기물 및 수분을 제거하기 위해서, 유기 화합물을 함유한 층의 증착전에 플라즈마처리를 하는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 국면은,
전극이 형성된 기판을 제 1 반송실에 연결된 처리실로 반송하는 스텝과,
상기 처리실 내의 수분 및 가스를 제거하기 위해서 5×10-3Torr 이하의 압력에서 상기 기판을 어닐링하는 스텝과,
상기 어닐링된 기판을, 제 2 반송실에 연결된 제 1 막형성실로, 상기 제 1 및 제 2 반송실 사이에 설치된 제 1 수도실을 통해서 반송하는 스텝과,
상기 제 1 막형성실 내에서 상기 전극 위에 유기 화합물층을 형성하는 스텝과,
상기 유기 화합물층이 형성된 기판을, 제 3 반송실에 연결된 제 2 막형성실로 상기 제 2 및 제 3 반송실 사이에 설치된 제 2 수도실을 통해서 반송하는 스텝과,
상기 제 2 막형성실 내에서 상기 유기 화합물층 위에 금속막을 형성하는 스텝을 포함한 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 또 다른 국면은,
로드실과, 그 로드실에 연결된 반송실과, 그 반송실에 연결된 복수의 막형성실과, 상기 반송실에 연결된 처리실을 구비하는 제조장치로서, 상기 복수의 막형성실 각각이, 상기 막형성실 내를 진공으로 하는 진공 배기 처리실과 연결되고, 상기 복수의 막형성실 각각이, 마스크와 기판의 위치 정렬을 행하는 얼라인먼트수단과, 기판보유수단과, 증착원 홀더와, 상기 증착원 홀더를 이동시키는 수단을 갖고, 상기 증착원 홀더가, 증착재료를 봉입한 용기와, 상기 용기를 가열하는 수단과, 상기 용기 상에 설치된 셔터를 가지며, 상기 처리실은, 진공 상태를 제공하는 진공 배기 처리실과 연결되고, 복수의 평판 히터는, 그 처리실에 설치되어 그 사이에 간격을 두고 겹치고, 상기 처리실은 복수의 기판을 진공 가열할 수 있고, 상기 증착원 홀더를 이동시키는 수단은, 상기 증착원 홀더를 소정 피치로 X축 방향으로 이동시키고, 소정 피치로 Y축 방향으로 이동시키는 기능을 갖는 것에 의해, 상기 증착재료의 끝이 겹치도록 하는 것을 특징으로 하는 제조장치이다.
본 발명의 더욱 또 다른 국면은,
로드실과, 그 로드실에 연결된 반송실과, 그 반송실에 연결된 복수의 막형성실과, 그 반송실에 연결된 처리실을 구비하는 제조장치로서, 상기 복수의 막형성실 각각이, 상기 막형성실 내를 진공으로 하는 진공 배기 처리실과 연결되고, 상기 복수의 막형성실 각각이, 마스크와 기판의 위치 정렬을 행하는 얼라인먼트수단과, 기판보유수단과, 증착원 홀더와, 상기 증착원 홀더를 이동시키는 수단을 갖고, 상기 증착원 홀더가, 증착재료가 봉입된 용기와, 상기 용기를 가열하는 수단과, 상기 용기 상에 설치된 셔터를 갖고, 상기 처리실은, 진공 상태를 제공하는 진공 배기 처리실과 연결되고, 수소가스, 산소가스 또는 불활성 가스를 처리실에 도입하여 플라즈마를 발생시키고, 상기 증착원 홀더를 이동시키는 수단은, 상기 증착원 홀더를 소정 피치로 X축 방향으로 이동시키고, 소정 피치로 Y축 방향으로 이동시키는 기능을 갖는 것에 의해, 상기 증착재료의 끝이 겹치도록 하는 것을 특징으로 하는 제조장치이다.
상기 구성에서, 상기 반송실에는, 복수의 평판 히터가 간격을 두고 겹쳐서 배치되어, 복수의 기판을 진공 가열할 수 있는 처리실이 연결되어 있는 것을 특징으로 한다. 평판 히터에 의해서 균일하게 기판을 진공가열하여 기판에 흡착하고 있는 수분을 제거함으로써, 수축의 발생을 방지 또는 감소할 수 있다.
또한, 상기 증착원 홀더를 이동시키는 수단은, 상기 증착원 홀더를 소정 피치로 X축 방향으로 이동시키고, 소정 피치로 Y축 방향으로 이동시키는 기능을 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 증착방법에서, 기판을 회전시킬 필요가 없기 때문에, 대면적 기판에 대응 가능한 증착장치를 제공할 수 있다. 또한, 증착원 홀더가 기판에 대하여 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동하는 본 발명에 의해 증착막을 균일하게 형성하는 것이 가능해진다.
본 발명의 증착장치에서는, 증착시 기판과 증착원 홀더의 간격거리 d를 대표적으로는 30cm 이하, 바람직하게는 20cm 이하, 더욱 바람직하게는 5cm∼15cm로 좁혀, 증착재료의 이용효율 및 스루풋을 더욱 향상시킨다.
상기 증착장치에서, 증착원 홀더는, 용기(대표적으로는, 도가니)와, 용기의 외측에 균열부재를 개재하여 배치된 히터와, 이 히터의 외측에 설치된 단열층과, 이들을 수납한 외통과, 외통의 외측으로 선회된 냉각 파이프와, 도가니의 개구부를 포함하는 외통의 개구부를 개폐하는 증착셔터와, 막두께 센서로 구성되어 있다. 이때, 그 히터가 용기에 고정된 상태로 반송할 수 있는 용기이어도 된다. 또한, 용기란, BN(Boron Nitride)의 소결체, BN과 AlN(aluminum nitride)의 복합 소결체, 석영, 또는 흑연 등의 재료로 형성된 고온, 고압, 감압에 견딜 수 있는 것으로 되어 있다.
또한, 증착원 홀더는, 수평을 유지한 채로, 막형성실 내를 X방향 또는 Y방향으로 이동가능한 기구가 설치된다. 여기서는, 증착원 홀더를 이차원 평면에서 도 2a 및 도 2b에 도시한 것처럼, 증착원 홀더를 지그재그로 이동시킨다. 또한, 증착원 홀더의 이동피치도 격벽의 간격에 적절히 맞추면 된다.
이때, 도 2a 및 도 2b에서, 증착원 홀더 A, B, C, D가 이동을 시작하는 타이밍은, 이전의 증착원 홀더가 정지한 후이어도 되고, 정지하기 전이어도 된다. 예를 들면, 증착원 홀더 A에 정공수송성을 갖는 유기재료를 세트하고, 증착원 홀더 B에 발광층이 되는 유기재료를 세트하고, 증착원 홀더 C에 전자수송성을 갖는 유기재료를 세트하고, 증착원 홀더 D에 음극버퍼가 되는 재료를 세트하면, 동일 쳄버 내에서 이것들의 재료층을 연속적으로 적층할 수 있다. 또한, 현재 증착된 막이 고화하기 전에, 다음 증착원 홀더의 이동을 개시하는 경우, 적층구조를 갖는 EL 층에서, 각 막과의 계면에 증착재료가 혼합된 영역(혼합영역)을 형성할 수 있다.
이러한, 기판과 증착원 홀더 A, B, C, D가 상대적으로 이동하는 본 발명에 의해, 기판과 증착원 홀더의 거리를 길게 설치할 필요가 없이 장치의 소형화를 달성할 수 있다. 또한, 증착장치가 소형으로 되기 때문에, 승화한 증착재료가 막형성실 내의 내벽 또는 방착쉴드에 부착되는 것이 감소되어, 증착재료를 낭비 없이 이용할 수 있다. 또한, 본 발명의 증착방법에서, 기판을 회전시킬 필요가 없기 때문에, 대면적 기판에 대응 가능한 증착장치를 제공할 수 있다. 또한, 증착원 홀더가 기판에 대하여 X축 방향 및 Y축 방향으로 이동하는 본 발명에 의해, 증착막을 균일하게 막형성하는 것이 가능해진다.
또한, 증착원 홀더에 구비된 유기 화합물은, 반드시 하나 또는 일종일 필요는 없고, 복수를 사용하여도 된다. 예를 들면, 증착원 홀더에 발광성의 유기 화합물로서 구비되어 있는 일종류의 재료 외에, 도펀트가 될 수 있는 별도의 유기 화합물(도펀트 재료)을 함께 구비하여도 된다. 증착시키는 유기 화합물층으로서, 호스트재료와, 호스트재료보다도 여기에너지가 낮은 발광재료(도펀트 재료)로 구성하고, 도펀트의 여기에너지가, 정공수송성 영역의 여기에너지 및 전자수송층의 여기에너지보다도 낮게 되도록 설계하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 도펀트의 분자여기자의 확산을 막아, 효과적으로 도펀트를 발광시킬 수 있다. 또한, 도펀트가 캐리어 트랩형 재료이면, 캐리어의 재결합 효율도 높일 수 있다. 또한, 3중항 여기에너지를 발광으로 변환할 수 있는 재료를 도펀트로 하여서 혼합영역에 첨가한 경우도 본 발명의 범위에 포함시킨다. 또한, 혼합영역의 형성에서는, 혼합영역이 농도 경사를 가져도 된다.
또한, 하나의 증착원 홀더에 구비되는 유기 화합물을 복수로 하는 경우, 서로의 유기 화합물이 혼합하도록 증발하는 방향을 피증착물의 위치에서 교차하도록 비스듬히 하는 것이 바람직하다. 또한, 공증착을 하기 위해서, 증착원 홀더에, 4종의 증착재료(예를 들면, 증착재료 a로서 호스트재료 2종류, 증착재료 b로서 도펀트재료 2종류)를 구비하여도 된다. 또한, 화소사이즈가 작은 경우(또는, 각 절연물간의 간격이 좁은 경우)에는, 용기 내부를 4분할하여, 각각을 적절히 증착시키는 공증착을 행함으로써, 정밀하게 막형성할 수 있다.
또한, 기판과 증착원 홀더의 간격거리 d를 대표적으로는, 30cm이하, 바람직하게는 5cm∼15cm로 좁히기 때문에, 증착 마스크도 가열될 우려가 있다. 따라서, 증착 마스크는, 열에 의해서 변형되기 어려운 저열팽창률을 갖는 금속재료(예를 들면, 텅스텐, 탄탈, 크롬, 니켈 또는 몰리브덴이라고 하는 고융점 금속 또는 이것들의 원소를 포함하는 합금, 스테인레스, 인코넬, 하스텔로이라고 하는 재료)를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들면, 니켈 42%, 철 58%의 저열팽창 합금 등을 들 수 있다. 또한, 가열되는 증착 마스크를 냉각하기 위해서, 증착 마스크에 냉각매체(냉각수, 냉각가스)를 순환시키는 기구를 구비하여도 된다.
또한, 마스크에 부착된 증착물을 클리닝하기 위해서, 플라즈마 발생수단에 의해, 막형성실 내에 플라즈마를 발생시키고, 마스크에 부착된 증착물을 기화시켜 막형성실 바깥으로 배기하는 것이 바람직하다. 그 때문에, 마스크에 별도의 전극을 설치하고, 그 전극의 어느 한쪽에 고주파전원이 접속되어 있다. 이상으로부터, 마스크는 도전성재료로 형성되는 것이 바람직하다.
이때, 증착 마스크는 제 1 전극(음극 또는 양극)상에 증착막을 선택적으로 형성할 때에 사용하는 것으로, 전체면에 증착막을 형성하는 경우에는 특별히 필요하지는 않다.
또한, 막형성실은 Ar, H, F, NF3 또는 O로부터 선택된 일종 또는 복수종의 가스를 도입하는 가스도입수단과, 기화시킨 증착물을 배기하는 수단을 갖는다. 상기 구성에 의해, 유지보수시에 막형성실 내를 대기에 노출시키지 않고 클리닝하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 증착원 홀더는 X축 방향과 Y축 방향 사이에서 전환할 때, 회전하는 것을 특징으로 한다. 증착원 홀더를 회전시킴으로써, 막두께를 균일하게 할 수 있다.
또한, 상기 셔터에는, 용기의 개구면적 S1보다도 작은 개구면적 S2가 구멍이 뚫려 있는 것을 특징으로 한다. 셔터에 미소한 구멍을 설치함으로써, 용기내의 압력이 고압이 되지 않도록 누설시킨다.
또한, 상기 증착원 홀더에는 막두께 모니터가 설치된 것을 특징으로 한다. 막두께 모니터에서 측정된 값에 따라서 증착원 홀더의 이동속도도 조절함으로써 막두께를 균일하게 한다.
또한, 상기 희가스 원소는, He, Ne, Ar, Kr, Xe으로 이루어진 군으로부터 선택된 일종 또는 복수종인 것을 특징으로 한다. 그 중에서도 Ar가 염가인 것이 바람직하다.
또한, 증착시키는 EL 재료와 금속재료에 대하여, 산소와 물 등의 불순물이 혼입할 우려가 있는 주된 과정을 예로 든 경우, 증착 전에 EL 재료를 막형성실에 세트하는 과정, 증착과정 등을 생각할 수 있다.
그래서, 막형성실에 연결한 전처리실에 글로브를 구비하고, 증착원마다 막형성실로부터 전처리실로 이동시켜, 전처리실에서 증착원에 증착재료를 세트하는 것이 바람직하다. 즉, 증착원이 전처리실까지 이동하는 제조장치로 한다. 이렇게 함으로써, 막형성실의 세정도를 유지한 채, 증착원을 세트할 수 있다.
또한, 통상, EL 재료를 저장하는 용기는, 갈색의 유리병에 넣어져, 플라스틱 캡으로 닫힌다. 이 EL 재료를 저장하는 용기의 밀폐도가 불충분하다고도 생각된다.
종래, 증착법에 의해 막형성을 할 때는, 용기(유리병)에 넣어진 증발재료를 소정량 추출하여, 증착장치 내에서의 피막형성물에 대향시킨 위치에 설치된 용기(대표적으로는, 도가니 또는 증착 보트)로 전송하였지만, 이 전송 작업에서 불순물이 혼입할 우려가 있다. 즉, EL 소자의 열화원인의 하나인 산소 또는 물 및 그 밖의 불순물이 혼입할 가능성이 있다.
유리병으로부터 용기로 전송할 때는, 예를 들면, 증착장치에 글로브 등이 구비된 전처리실 내에서 인간의 손으로 하는 것을 생각할 수 있다. 그러나, 전처리실에 글로브를 구비한 경우, 진공으로 할 수 없어, 대기압에서 작업을 하게 되어, 가령 질소분위기에서 행한다고 하여도 전처리실 내의 수분과 산소를 크게 감소하는 것은 곤란하였다. 로봇을 사용하는 것도 생각할 수 있지만, 증발재료는 가루형이기 때문에, 전송하는 로봇을 제조하는 것은 곤란하다. 따라서, 하부전극 상에 EL 층을 형성하는 공정에서 상부전극형성공정까지의 공정을 전자동화하여, 불순물 혼입을 피하는 것이 가능한 일관된 폐쇄 시스템으로 하는 것이 곤란하였다.
그래서, 본 발명은, EL 재료를 저장하는 용기로서 종래의 용기, 대표적으로는 갈색의 유리병 등을 사용하지 않고, 증착장치에 설치될 예정인 용기에 EL 재료와 금속재료를 직접 수납하고, 반송 후에 증착을 행하는 제조시스템으로 하여, 고순도의 증착재료로의 불순물 혼입 방지를 실현한다. 또한, EL 재료의 증착재료를 직접 수납할 때, 얻어진 증착재료를 나눠 수납하는 것이 아니라, 증착장치에 설치될 예정인 용기에 직접 승화 정제를 행하여도 된다. 본 발명에 의해, 금후의 다른 증착재료의 초고순도화로의 대응을 가능하게 한다. 또한, 증착장치에 설치될 예정인 용기에 금속재료를 직접 수납하여, 가열저항에 의해 증착을 하여도 된다.
또한, 그 밖의 부품, 예를 들면, 막두께 모니터(수정 진동자 등), 셔터 등도 마찬가지로 하여 대기에 닿지 않고 반송하고, 증착장치 내에 설치하는 것이 바람직하다.
상기 증착장치에 설치하는 용기에 증착재료를 직접 수납하는 작업은, 증착장치를 사용하는 발광장치 메이커가 증착재료를 제조, 또는 판매하고 있는 재료 메이커에게 의뢰하는 것이 바람직하다.
또한, 아무리 고순도의 EL 재료가 재료 메이커로 제공되어도, 발광장치 메이커로 종래의 전송작업이 있는 한 불순물이 혼입할 우려가 존재하여, EL 재료의 순도를 유지할 수 없고, 순도에 한계가 있었다. 본 발명에 의해 발광장치 메이커와 재료 메이커가 연휴하여 불순물 혼입의 감소에 노력함으로써, 재료 메이커에서 얻어지는 매우 높은 순도의 EL 재료를 유지하고, 그대로 순도를 떨어뜨리지 않고 발광장치 메이커가 증착을 할 수 있다.
반송 용기의 실시예에 관해서 도 6을 사용하여 구체적으로 설명한다. 반송에 사용하는 상부(621a)와 하부(621b)로 분리되는 제 2 용기는, 제 2 용기의 상부에 설치된 제 1 용기를 고정하기 위한 고정수단(706)과, 고정수단에 가압하기 위한 스프링(705)과, 제 2 용기의 하부에 설치된 제 2 용기를 감압 유지하기 위해서 가스경로가 되는 가스 도입구(708)와, 상부용기(621a)와 하부용기(621b)를 고정하는 ○ 링(707)과, 파스너(fastener)(702)를 갖고 있다. 이 제 2 용기 내에는, 정제된 증착재료가 봉입된 제 1 용기(701)가 설치되어 있다. 이때, 제 2 용기는, 스테인레스를 포함하는 재료로 형성되고, 제 1 용기는 티타늄을 갖는 재료로 형성하면 된다.
재료 메이커에서, 제 1 용기(701)에 정제한 증착재료를 봉입한다. 그리고, ○링(707)을 개재하여 제 2 용기의 상부(621a)와 하부(621b)를 맞추고, 파스너(702)로 상부용기(621a)와 하부용기(621b)를 고정하여, 제 2 용기 내에 제 1 용기(701)를 밀폐한다. 그 후, 가스 도입구(708)를 통해 제 2 용기 안을 감압하고, 또한 질소분위기로 치환하여, 스프링(705)을 조절하여 고정수단(706)에 의해 제 1 용기(701)를 고정한다. 이때, 제 2 용기 내에 건조제를 설치하여도 된다. 이와 같이 제 2 용기 내를 진공이나 감압과 질소분위기로 유지하면, 증착재료에의 약간의 산소와 물의 부착이라도 방지할 수 있다.
이 상태에서, 발광장치 메이커로 용기들이 반송되고, 제 1 용기(701)를 직접 처리실에 설치한다. 그 후, 가열처리에 의해 증착재료는 승화하여, 증착막(616)의 막형성이 행하여진다.
다음에, 도 4a 및 도 4b와, 도 5a 및 도 5b를 사용하여, 제 2 용기에 밀폐되어 반송되는 제 1 용기를 막형성실에 설치하는 기구를 설명한다. 이때, 도 4a 및 도 4b와, 도 5a 및 도 5b는 제 1 용기의 반송도중을 나타낸 것이다.
도 4a는 제 1 용기(701) 또는 제 2 용기를 설치한 테이블(804)과, 증착원 홀더(803)와, 제 1 용기를 반송하기 위한 반송수단(802)을 구비한 설치실(805)의 평면도이다. 도 4b는 설치실의 사시도가 도시되어 있다. 또한, 설치실(805)은 막형성실(806)과 인접하도록 배치되어, 가스 도입구를 통해 분위기를 제어하는 수단에 의해 설치실의 분위기를 제어하는 것이 가능하다. 이때, 본 발명의 반송수단은, 도 4a 및 도 4b에 도시된 것처럼, 제 1 용기의 측면을 끼워 반송하는 구성으로 한정되는 것이 아니라, 제 1 용기의 위쪽으로부터 그 제 1 용기를 끼워(픽업하여서) 반송하는 구성이어도 된다.
이러한 설치실(805)에, 파스너(702)를 뗀 상태에서 제 2 용기를 테이블(804)상에 배치한다. 이어서, 분위기를 제어하는 수단에 의해, 설치실(805)내를 감압상태로 한다. 설치실내의 압력과 제 2 용기내의 압력이 같게 될 때, 용이하게 제 2 용기는 개봉할 수 있는 상태가 된다. 그리고, 반송수단(802)에 의해, 제 2 용기의 상부(621a)를 떼고, 제 1 용기(701)는 증착원 홀더(803)에 설치된다. 이때, 도면에 도시하지 않았지만, 떼어낸 상부(621a)를 배치한 위치는 적절히 설치된다. 그리고, 증착원 홀더(803)는, 설치실(805)로부터 막형성실(806)로 이동한다.
그 후, 증착원 홀더(803)에 설치된 가열수단에 의해, 증착재료는 승화되어 막형성이 시작된다. 이 막형성시에, 증착원 홀더(803)에 설치된 셔터(도시하지 않음)가 열리면, 승화한 증착재료는 기판의 방향으로 비산하여, 기판에 증착되고, 발광층(정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 전자주입층을 포함함)이 형성된다.
그리고, 증착이 완료한 후, 증착원 홀더(803)는 설치실(805)로 되돌아가, 반송수단(802)에 의해 증착원 홀더(803)에 설치된 제 1 용기(701)는, 테이블(804)에 설치된 제 2 용기의 하부용기(도시하지 않음)로 옮겨지고, 상부용기(621a)에 의해 밀폐된다. 이때, 제 1 용기, 상부용기(621a) 및 하부용기는, 반송시에 그들을 조합하여 밀폐하는 것이 바람직하다. 이 상태에서, 설치실(805)을 대기압으로 하고, 제 2 용기를 설치실로부터 추출하고, 파스너(702)를 고정하여 이 조립체를 재료 메이커(618)로 반송한다.
다음에, 도 4a 및 도 4b와는 다른 제 2 용기에 밀폐되어 반송되는 복수의 제 1 용기를 복수의 증착원 홀더에 설치하는 기구를, 도 5a 및 도 5b를 사용하여 설명한다.
도 5a는 제 1 용기 또는 제 2 용기를 싣는 테이블(904)과, 복수의 증착원 홀더(903)와, 제 1 용기를 반송하기 위한 복수의 반송수단(902)과, 회전 테이블(907)을 갖는 설치실(905)의 평면도이고, 도 5b는 설치실(905)의 사시도이다. 또한, 설치실(905)은, 막형성실(906)과 인접하도록 배치되고, 가스 도입구를 통해 분위기를 제어하는 수단에 의해 설치실의 분위기를 제어하는 것이 가능하다.
이러한 회전 테이블(907)과 복수의 반송수단(902)에 의해, 복수의 제 1 용기(701)를 복수의 증착원 홀더(905)에 설치하고, 막형성이 완료한 복수의 증착원 홀더로부터 복수의 제 1 용기를 테이블(904)로 전송하는 작업을 효율적으로 행할 수 있다. 이때, 제 1 용기는 반송되어 온 제 2 용기에 설치되는 것이 바람직하다.
이때, 상기 회전 테이블(907)은, 증착이 시작할 때의 증착원 홀더와, 증착이 종료할 때의 증착원 홀더를 전송하는 효율을 증가시키기 위해 회전 기능을 가져도 된다. 상기 회전 테이블(907)은, 상술한 구조로 한정되지 않고, 수평방향으로 이동하는 기능을 가져도 되며, 막형성실(906)에 설치된 상기 증착원 홀더가 근접하는 단게에서 이동수단(902)을 사용하여 상기 증착원 홀더에는 상기 복수의 제 1 용기를 설치하여도 된다.
이상과 같은 증착장치로 형성된 증착막은, 불순물을 극한까지 낮게 할 수 있고, 이 증착막을 사용하여 발광소자를 완성시킨 경우, 높은 신뢰성과 휘도를 실현할 수 있다. 또한, 이러한 제조시스템에 의해, 재료 메이커에서 봉입된 용기를 직접 증착장치에 설치할 수 있기 때문에, 증착재료가 산소와 물의 부착을 방지할 수 있고, 금후의 다른 발광소자의 초고순도화에의 대응이 가능해진다. 또한, 증착재료가 잔류하는 용기를 재차 정제함으로써, 재료의 낭비를 없앨 수 있다. 또한, 제 1 용기 및 제 2 용기는 재이용할 수 있어, 저비용화를 실현할 수 있다.
또한, 본 발명은, 도 10에 나타낸 것처럼, 복수의 막형성실을 구비한 멀티쳄버형 제조장치에서, 제 1 기판에 증착하는 제 1 막형성실과, 제 2 기판에 증착하는 제 2 막형성실을 갖고, 각각의 막형성실에서는 복수의 유기 화합물층을 병행(병렬)하여 적층함으로써, 기판 1장당 처리시간을 단축하여도 된다. 즉, 반송실로부터 제 1 기판을 제 1 막형성실로 반입한 후, 제 1 기판 상에 증착을 하는 동안에, 반송실로부터 제 2 기판을 제 2 막형성실로 반입하여 제 2 기판 상에 증착을 행한다.
도 10에서는, 반송실(1004a)에 막형성실이 6개가 설치되기 때문에, 6장의 기판을 각각의 막형성실에 반입하고, 순차로, 병행하여 증착을 행하는 것이 가능하다. 또한, 유지보수하는 동안에도 제조라인을 일시 정지하지 않고, 다른 막형성실에서 순차로 증착을 할 수 있다.
또한, 도 10에서 풀 칼라의 발광장치를 형성하는 경우에는, 다른 막형성실에서 R, G, B에서 각각 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 연속하여 적층하여도 된다. 또한, 동일 막형성실에서 R, G, B에서 각각 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 연속하여 적층하여도 된다. 동일 막형성실에서 R, G, B에서 각각 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 연속하여 적층하는 경우, 도 2a 및 도 2b에 나타낸 것과 같은 막형성장치, 즉, 하나의 막형성실에 증착원 홀더(X방향 또는 Y방향으로 이동하는 증착원 홀더)를 복수 및 적어도 3개 이상 설치한 증착장치를 사용하면 된다. 이때, 혼합색을 피하기 위해서, R, G, B에서 서로 다른 증착 마스크를 사용하여, 마스크 얼라인먼트를 각각 증착하기 전에 행하여 소정의 영역에만 막형성하는 것이 바람직하다. 마스크 수를 감소하기 위해서, R, G, B에서 동일 증착 마스크를 사용하여, 마스크 얼라인먼트가 각각 증착전에 행하여, 색마다 마스크의 위치를 어긋나게 하여 소정의 영역에만 막형성하여도 된다.
또한, 본 발명은, 동일 쳄버에서 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 연속하여 적층하는 구성에 한정되지 않고, 연결된 복수의 쳄버에서 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 적층하여도 된다.
또한, 상기 설명에서는, 대표적인 예로서 음극과 양극 사이에 배치하는 유기 화합물을 함유한 층으로서, 정공수송층, 발광층, 전자수송층의 3층을 적층한 예를 나타내었지만, 특별히 한정되지 않고, 양극 상에 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층, 또는 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층의 순서로 적층하는 구조, 또는 2층 구조 또는 단층구조이어도 된다. 발광층에 대하여 형광성 색소 등을 도핑하여도 된다. 또한, 발광층으로서는 정공수송성을 갖는 발광층이나 전자수송성을 갖는 발광층 등도 있다. 또한, 이 층들은, 모두 저분자계의 재료를 사용하여 형성하여도 되고, 그 중의 1층 또는 몇 개의 층은 고분자계의 재료를 사용하여 형성하여도 된다. 이때, 본 명세서에서, 음극과 양극 사이에 설치된 모든 층을 총칭하여 유기 화합물을 함유한 층(EL 층)이라고 한다. 따라서, 상기 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층 및 전자주입층은, 모두 EL 층에 포함된다. 또한, 유기 화합물을 함유한 층(EL 층)은, 실리콘 등의 무기재료를 함유하여도 된다.
이때, 발광소자(EL 소자)는, 전계를 가하여 발생하는 전계 발광(Electro Luminescence)을 얻을 수 있는 유기 화합물을 함유한 층(이하, EL 층이라고 적음)과, 양극과, 음극을 갖는다. 유기 화합물에서의 전계 발광에는, 단일항 여기상태로부터 기저상태로 되돌아갈 때의 발광(형광)과 3중항 여기상태로부터 기저상태로 되돌아갈 때의 발광(인광)이 있지만, 본 발명에 의해 제조되는 발광장치는, 어느 쪽의 발광을 사용한 경우에도 적용 가능하다.
또한, 본 발명의 발광장치에서, 화면표시의 구동방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 점순차 구동방법, 선순차 구동방법 또는 면순차 구동방법 등을 사용하여도 된다. 대표적으로는, 선순차 구동방법으로 하고, 시분할 계조 구동방법이나 면적 계조 구동방법을 적절히 사용하여도 된다. 또한, 발광장치의 소스선에 입력하는 영상신호는, 아날로그신호이어도 되고, 디지털 신호이어도 되며, 적절히 영상신호에 맞추어서 구동회로 등을 설계하면 된다.
또한, 본 명세서에서는, 음극, EL층 및 양극에서 형성되는 발광소자를 EL 소자라고 하고, 이것에는, 서로 직교하도록 설치된 2 종류의 스트라이프형 전극 사이에 EL 층을 형성하는 방식(단순 매트릭스방식), 또는 TFT에 접속되어 매트릭스형으로 배열된 화소전극과 대향전극의 사이에 EL 층을 형성하는 방식(액티브 매트릭스방식)의 2 종류가 있다.
본 발명에 의하면, 기판을 회전시킬 필요가 없기 때문에, 대면적 기판에 대응 가능한 증착장치를 제공할 수 있다. 또한, 대면적 기판을 사용하여도 균일한 막두께를 얻을 수 있는 증착장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 기판과 증착원 홀더의 거리를 짧게 할 수 있어, 증착장치의 소형화를 달성할 수 있다. 그리고, 증착장치가 소형으로 되기 때문에, 승화한 증착재료가 막형성실 내의 내벽, 또는 방착쉴드에 부착되는 것이 감소되어, 증착재료를 효과적으로 이용할 수 있다.
또한, 본 발명은, 증착처리를 하는 복수의 막형성실이 연속하여 배치된 제조장치를 제공할 수 있다. 이와 같이, 복수의 막형성실에서 병렬처리를 하면, 발광장치의 스루풋이 향상된다.
아울러, 본 발명은, 증착재료가 봉입된 용기와 막두께 모니터 등을, 대기에 노출시키지 않고 증착장치에 직접 설치하는 것을 가능하게 하는 제조시스템을 제공할 수 있다. 이러한 본 발명에 의해, 증착재료의 취급이 용이해져, 증착재료에의 불순물 혼입을 피할 수 있다. 이러한 제조시스템에 의해, 재료 메이커에서 봉입된 용기를 직접 증착장치에 설치할 수 있기 때문에, 증착재료가 산소와 물의 부착을 방지할 수 있고, 금후의 다른 발광소자의 초고순도화에의 대응이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 제조장치를 도시한 도면,
도 2의 (a) 및 (b)는 본 발명의 증착원 홀더의 이동경로를 도시한 도면, (c) 및 (d)는 기판 주연부의 증착원 홀더의 이동을 나타낸 도면,
도 3은 본 발명의 증착원 홀더(셔터에 구멍을 가짐)를 도시한 도면,
도 4는 설치실에서의 증착원 홀더의 도가니 반송을 도시한 도면,
도 5는 설치실에서의 증착원 홀더의 도가니 반송을 도시한 도면,
도 6은 본 발명의 반송용기를 도시한 도면,
도 7은 본 발명의 증착원 홀더(하나의 용기)의 셔터 개폐를 도시한 도면,
도 8은 본 발명의 증착원 홀더(복수의 용기)의 셔터 개폐를 도시한 도면,
도 9는 본 발명의 제조장치의 시퀀스를 도시한 도면,
도 10은 본 발명의 제조장치를 도시한 도면(실시예 2),
도 11은 시퀀스의 일례를 도시한 도면(실시예 2),
도 12는 시퀀스의 일례를 도시한 도면(실시예 2),
도 13은 다단 진공 가열실을 나타낸 도면이다.
[발명의 실시형태]
본 발명의 실시형태에 관해서 이하에 설명한다.
여기서는, 막형성실 내를 X방향 또는 Y방향으로 이동시키는 증착원 홀더를 도 7a 및 도 7b에 설명한다.
도 7a는 활주식 셔터(306)를 연 상태에서, 전원(307)에 접속된 가열수단(303)에 의해서 가열하고, 용기(301)에 들어가 있는 증착재료(302)를 증발시킨 모습을 도시한 도면이다. 이때, 증착원 홀더(304)에는 막두께 모니터(305)가 부착되어 있고, 전원(307)으로 가열하는 온도와 증착원 홀더(304)의 이동속도를 조절함으로써, 셔터를 연 상태에서 막두께를 제어할 수 있다.
한편, 도 7b는 활주식 셔터(306)의 닫힌 상태를 나타낸다. 셔터(306)에는 구멍이 뚫려 있고, 구멍으로부터 비스듬히 방출된 재료는 막두께 모니터(305)의 방향을 향하도록 하고 있다. 이때, 도 7a 및 도 7b에서는 용기(301)와 셔터(306)의 간격이 열려 있는 예를 도시하였지만, 간격이 좁거나 간격이 없는, 즉 밀접시켜도 된다. 밀접시키더라도 미소한 구멍이 뚫려 있기 때문에, 용기 내부의 압력을 누설할 수 있다.
또한, 도 7a 및 도 7b에서는, 용기(301)가 한 개 구비된 증착원 홀더의 예를 나타내었지만, 도 8a 및 도 8b에서는 공증착 등을 하기 위해서 용기(202)를 복수개 구비한 증착원 홀더를 나타낸다.
도 8a 및 도 8b에 나타낸 것처럼, 두개의 용기(202)에 각각 막두께 모니터(201)를 설치하고, 고정 기판(200)에 대하여 한쪽의 용기를 기울여 설치한다. 가열수단으로서 히터를 사용하고, 저항 가열법으로 증착을 한다. 이때, 증착시는 도 8a에 나타낸 것처럼, 셔터가 열린 상태에서 기판의 아래쪽을 이동한다. 또한, 기판(200)의 아래쪽에 증착원 홀더가 없는 경우에는, 미소한 구멍이 뚫린 셔터(204)로 닫혀지고, 증착을 정지시킨다.
이러한 증착원 홀더를 이차원 평면에서 도 2a 및 도 2b에 도시한 것처럼, 막형성실 내를 지그재그로 이동시킨다.
상기 막형성실을 구비한 멀티쳄버방식의 제조장치(일례를 도 1에 도시함)는, 유기 화합물을 함유한 층에 수분이 침입하는 것을 막기 위해서, 대기에 닿지 않고, 유기 화합물을 함유한 층의 형성으로부터 밀봉하기까지의 공정을 행하는 것을 가능하게 할 수 있다.
이상의 구성으로 된 본 발명에 관해서, 이하에 나타낸 실시예로 더욱 상세한 설명을 하겠다.
(실시예)
[실시예 1]
본 실시예에서는, 제 1 전극으로부터 밀봉까지의 제조를 전자동화한 멀티쳄버방식의 제조장치의 예를 도 1에 나타낸다.
도 1은 게이트(100a∼100y)와, 추출실(119)과, 반송실(102, 104a, 108, 114, 118)과, 수도실(105, 107, 111)과, 저장실(stocking chamber)(로드실)(101)과, 제 1 막형성실(106H)과, 제 2 막형성실(106B)과, 제 3 막형성실(106G)과, 제 4 막형성실(106R), 제 5 막형성실(106E)과, 그 밖의 막형성실 109(ITO 또는 IZO막), 110(금속막), 112(스핀코트 또는 잉크젯), 113(SiN막 또는 SiOx막), 131(스퍼터링실), 132(스퍼터링실))와, 증착원을 설치하는 설치실(126R, 126G, 126B, 126E, 126H)과, 전처리실 103a(소성 또는 O2플라즈마, H2 플라즈마, Ar 플라즈마) 및 전처리실 103b(진공 소성)와, 밀봉실(116)과, 마스크 저장실(124)과, 밀봉기판 저장실(130)과, 카셋트실(120a, 120b)과, 트레이 장착 스테이지(121)를 갖는 멀티쳄버 제조장치이다.
이하, 미리 박막트랜지스터와, 양극(제 1 전극), 그 양극의 단부를 덮는 절연물이 설치된 기판을 도 1에 나타낸 제조장치에 반입하여, 발광장치를 제조하는 순서를 나타낸다.
우선, 카셋트실 120a 또는 카셋트실 120b에 상기 기판을 세트한다. 기판이 대형기판(예를 들면, 300mm×360mm)인 경우는 카셋트실 120a 또는 120b에 세트하고, 통상 기판(예를 들면, 127mm×127mm)인 경우에는, 트레이 장착 스테이지(121)에 반송하여, 트레이(예를 들면, 300mm×360mm)에 복수의 기판을 세트한다.
이어서, 복수의 박막트랜지스터와, 양극 및 양극의 단부를 덮는 절연물이 설치된 기판을 반송실(118)에 반송한다.
또한, 유기 화합물을 함유한 막을 형성하기 전에, 상기 기판에 포함되는 수분과 그 밖의 가스를 제거하기 위해서, 탈기를 위한 어닐링을 진공속에서 행하는 것이 바람직하고, 반송실(118)에 연결된 전처리실(123")에 반송하고, 거기서 어닐링을 하면 된다.
또한, 막형성실(112)에서는, 잉크젯법이나 스핀코트법 등으로 고분자재료로 이루어진 정공주입층을 형성하여도 된다. 제 1 전극(양극)상에, 정공주입층(양극버퍼층)으로서 작용하는 폴리(에틸렌 디옥시티오펜)/폴리(스티렌 술폰산)수용액(PEDOT/PSS), 폴리아닐린/캄파(camphor)술폰산 수용액(PANI/CSA), PTPDES, Et-PTPDEK, 또는 PPBA 등을 전체면에 도포하고 소성하여도 된다. 소성할 때에는, 베이크실(123)에서 하는 것이 바람직하다. 스핀코트 등을 사용한 도포법으로 고분자재료로 이루어진 정공주입층을 형성한 경우, 평탄성이 향상하고, 그 위에 막형성되는 막의 커버리지 및 막두께 균일성을 양호하게 할 수 있다. 특히 발광층의 막두께가 균일해지기 때문에 균일한 발광을 얻을 수 있다. 이 경우, 정공주입층을 도포법으로 형성한 후, 증착법에 의한 막형성 직전에 진공가열(100∼200℃)을 하는 것이 바람직하다. 이때, 예를 들면, 제 1 전극(양극)의 표면을 스폰지로 세정한 후, 스핀코트법으로 폴리(에틸렌 디옥시티오펜)/폴리(스티렌술폰산)수용액(PEDOT/PSS)을 전체면에 막두께 60nm, 80℃, 10분간 가소성, 200℃, 1시간 본소성하고, 또한 증착 직전에 진공가열(170℃, 가열 30분, 냉각 30분)하여 대기에 닿지 않고 증착법으로 발광층을 형성한다. 특히, ITO막 표면에 요철이나 미소한 입자가 존재하고 있는 경우, PEDOT/PSS의 막두께를 두껍게 함으로써 이들의 영향을 감소할 수 있다.
또한, PEDOT/PSS는 ITO막 상에 도포하면 습윤성이 별로 좋지 않기 때문에, PEDOT/PSS 용액을 스핀코트법으로 1회째 도포를 행한 후, 일단 순수한 물로 세정한다. 이에 따라 습윤성을 향상시키고, 재차, PEDOT/PSS 용액을 스핀코트법으로 2회째 도포를 하고, 소성을 행하여 균일성 좋게 막형성하는 것이 바람직하다. 이때, 1회째의 도포를 행한 후, 일단 순수한 물로 세정함으로써 표면을 개질함과 아울러, 미소한 입자 등도 제거할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 스핀코트법에 의해 PEDOT/PSS를 막형성한 경우, 전체면에 막형성되기 때문에, 기판의 단면이나 주연부, 단자부, 음극과 하부배선의 접속영역 등은 선택적으로 제거하는 것이 바람직하고, 전처리실(103a)에서 O2 애싱 등으로 제거하는 것이 바람직하다.
이어서, 기판 반송기구가 설치된 반송실(118)로부터 저장실(101)로 반송한다. 본 실시예의 제조장치에서는, 저장실(101)에는, 기판 반전기구가 구비되어 있어, 기판을 적절히 반전시킬 수 있다. 저장실(101)은, 진공 배기 처리실과 연결되어 있어, 진공배기한 후, 희가스를 도입하여 대기압하로 두는 것이 바람직하다.
이어서, 저장실(101)에 연결된 반송실(102)에 반송한다. 반송실(102)내에는 전혀 수분과 산소가 존재하지 않도록, 미리 진공배기하여 진공을 유지해 두는 것이 바람직하다.
또한, 상기한 진공 배기 처리실로서는, 자기부상형 터보 분자펌프, 크라이오 펌프, 또는 드라이펌프가 구비되어 있다. 이에 따라, 저장실과 연결된 반송실의 최종 압력을 10-5∼10-6Pa로 하는 것이 가능하고, 또한 펌프측 및 배기계에서의 불순물의 역확산을 제어할 수 있다. 장치 내부에 불순물이 도입되는 것을 막기 위해서, 도입하는 가스로서는, 질소 또는 불활성 가스 등의 희가스를 사용한다. 장치 내부에 도입되는 이 가스들은, 장치 내에 도입되기 전에 가스정제기에 의해 고순도화된 것을 사용한다. 따라서, 가스가 고순도화된 후에 증착장치에 도입되도록 가스정제기를 구비하여 놓아야 한다. 이에 따라, 가스중에 포함되는 산소와 물, 그 밖의 불순물을 미리 제거할 수 있으므로, 장치 내부에 이 불순물들이 도입되는 것을 막을 수 있다.
또한, 불필요한 부분에 형성된 유기 화합물을 함유한 막을 제거하고 싶은 경우에는, 전처리실(103a)로 반송하고, 유기 화합물막의 적층을 선택적으로 제거하면 좋다. 전처리실(103a)은 플라즈마 발생수단을 갖고, Ar, H, F, 및 O로 이루어진 군으로부터 선택된 일종 또는 복수 종의 가스를 여기하여 플라즈마를 발생시킴으로써, 건식식각을 한다.
또한, 수축을 없애기 위해서는, 유기 화합물을 함유한 막의 증착 직전에 진공가열을 하는 것이 바람직하고, 전처리실(103b)로 반송하고, 상기 기판에 포함되는 수분과 그 밖의 가스를 철저히 제거하기 위해서, 탈기를 위한 어닐링을 진공(5×10-3Torr(0.665Pa)이하, 바람직하게는 10-4∼10-6Pa)에서 행한다. 특히, 층간절연막 또는 격벽의 재료로서 유기수지막을 사용한 경우, 유기수지재료에 의해서는 수분을 흡착하기 쉽고, 또한 탈가스가 발생할 우려가 있기 때문에, 유기 화합물을 함유한 층을 형성하기 전에 100℃∼250℃, 바람직하게는 150℃∼200℃, 예를 들면 30분 이상을 가열한 후, 30분 동안 자연냉각을 하여 흡착수분을 제거하는 진공가열을 하는 것이 효과적이다.
또한, 도 13에 도시된 것처럼, 상기 전처리실(103b)은 다단 진공 가열실인 것이 바람직하다. 도 13에서, 도면부호 C는 진공실, 1은 항온수조, 2는 패널 히터, 3은 균일한 온도 보드(평판 히터), 4는 기판 가열용 슬롯, 5는 기판 홀더를 나타낸다. 열전도에 의해 상기 패널 히터(2)로부터 균일한 온도 보드(3)로 열이 전달되어 그 균일한 온도 보드(3)가 가열된다. 각 슬롯(4)에 보유된 피처리 기판은, 적외선 등의 열조사에 의해 균일하게 가열된다. 하나의 슬롯(4)에 하나의 기판, 즉 항온수조(1)에 7개의 기판을 설치하는 것이 가능하다.
*이어서, 상기 진공가열을 행한 후, 반송실 102로부터 기판을 막형성실(106H)(HTL 및 HIL용 EL층)에 반송하여 증착을 행한다. 이어서, 반송실 102로부터 수도실(105)에 기판을 반송한 후, 대기에 닿지 않고, 수도실(105)로부터 반송실 104a에 기판을 반송한다.
그 후, 반송실 104a에 연결된 막형성실 106R(적색용 EL층), 106G(녹색용 EL층), 106B(청색용 EL층), 106E(ETL 및 EIL용 EL층)로 기판을 적절히 반송하고, 정공주입층, 정공수송층 및 발광층이 되는 저분자량으로 이루어진 유기 화합물층을 형성한다. 여기서, 막형성실(106R, 106G, 106B, 106E, 106H)에 관해서 설명한다.
각 막형성실(106R, 106G, 106B, 106E, 106H)에는, 이동 가능한 증착원 홀더가 설치되어 있다. 이 증착원 홀더는, 복수개 준비되어 있고, 적절하게 EL 재료가 봉입된 용기(도가니)를 복수개 구비하고, 이 상태에서 막형성실에 증착원 홀더가 설치되어 있다.
이 막형성실들로 EL 재료의 설치는, 이하에 나타낸 제조시스템을 사용하는 것이 바람직하다. 즉, EL 재료가 미리 재료 메이커에 수납되어 있는 용기(대표적으로는, 도가니)를 사용하여 막형성을 하는 것이 바람직하다. 또한, 설치할 때는 대기에 닿지 않고 하는 것이 바람직하고, 재료 메이커로부터 반송할 때, 도가니는 제 2 용기에 밀폐한 상태대로 막형성실에 도입되는 것이 바람직하다. 바람직하게는, 각 막형성실(106R, 106G, 106B, 106H, 106E)에 연결한 진공배기수단을 갖는 설치실(126R, 126G, 126B, 126H, 126E)을 진공 또는 희가스 분위기로 하여, 이 속에서 제 2 용기로부터 도가니를 추출하여, 막형성실에 도가니를 설치한다. 이렇게 함으로써, 도가니 및 그 도가니에 수납된 EL 재료를 오염으로부터 막을 수 있다. 이때, 설치실(126R, 126G, 126B, 126H, 126E)에는, 금속 마스크를 저장해 두는 것도 가능하다.
막형성실(106R, 106G, 106B, 106H, 106E)에 설치한 EL 재료를 적절히 선택함으로써, 발광소자 전체적으로, 단색(구체적으로는, 백색), 혹은 풀 칼라(구체적으로는, 적색, 녹색, 청색)의 발광을 나타낸 발광소자를 형성할 수 있다.
이때, 백색의 발광을 나타낸 유기 화합물층은, 다른 발광색을 갖는 발광층을 적층하는 경우에, 적색, 녹색, 청색의 3원색을 함유하는 3파장 타입과, 청색/노란 색 또는 청녹색/오렌지색의 보색의 관계를 사용한 2파장 타입으로 대별된다. 3파장 타입을 사용하여 백색발광소자를 얻는 경우, 하나의 막형성실에 증착원 홀더를 복수개 준비하고, 제 1 증착원 홀더에는 백색발광층을 형성하는 방향족디아민(TPD),제 2 증착원 홀더에는 백색발광층을 형성하는 p-EtTAZ, 제 3 증착원 홀더에는 백색발광층을 형성하는 Alq3, 제 4 증착원 홀더에는 백색발광층을 형성하는 Alq3에 적색발광색소인 나일 레드(Nile Red)를 첨가한 EL재료, 제 5 증착원 홀더에는 Alq3이 봉입되고, 이 상태에서 각 막형성실에 설치한다. 그리고, 제 1 내지 제 5 증착원 홀더가 순차로 이동을 시작하여, 기판에 대하여 증착을 하여 적층한다. 구체적으로는, 가열에 의해 제 1 증착원 홀더로부터 TPD가 승화되어, 기판 전체면에 증착된다. 그 후, 제 2 증착원 홀더로부터 p-EtTAZ가 승화되고, 제 3 증착원 홀더로부터 Alq3이 승화되고, 제 4 증착원 홀더로부터 Alq3 : 나일레드가 승화되며, 제 5 증착원 홀더로부터 Alq3가 승화되어, 기판 전체면에 증착된다. 이 후, 음극을 형성하면 백색발광소자를 얻을 수 있다.
상기 공정에 의해서 적절하게 유기 화합물을 함유한 층을 적층한 후, 반송실104a로부터 수도실(107)에 기판을 반송한 후, 또한, 대기에 닿지 않고 수도실(107)로부터 반송실 108에 기판을 반송한다.
이어서, 반송실(108)내에 설치되어 있는 반송기구에 의해, 기판을 막형성실(110)로 반송하여 음극을 형성한다. 이 음극은, 저항가열을 사용한 증착법에 의해 형성되는 금속막(MgAg, MgIn, AlLi, CaN 등의 합금 또는 주기표의 1족 또는 2족에 속하는 원소와 알루미늄을 공증착법에 의해 형성한 막)이다. 스퍼터링법을 사용하여 막형성실(132)에서 음극을 형성하여도 된다. 또한, 스퍼터링법을 사용하여 막형성실(109)에서 투명도전막(ITO(산화인듐산화주석합금), 산화인듐산화아연합금(In2O3-ZnO), 산화아연(ZnO)등)으로 이루어진 막을 형성하여도 된다.
또한, 반송실(108)에 연결한 막형성실(113)로 반송하여 질화실리콘막, 또는 질화산화실리콘막으로 이루어진 보호막을 형성하여도 된다. 여기서는, 막형성실(113)내에는, 실리콘으로 이루어진 타깃, 또는 산화실리콘으로 이루어진 타깃, 또는 질화실리콘으로 이루어진 타깃이 구비되어 있다. 예를 들면, 실리콘으로 이루어진 타깃을 사용하여, 막형성실 분위기를 질소분위기 또는 질소와 아르곤을 포함하는 분위기로 함으로써, 질화실리콘막을 형성할 수 있다.
이상의 공정으로 적층구조의 발광소자가 형성된다.
이어서, 발광소자가 형성된 기판을 대기에 닿지 않고, 반송실 108로부터 수도실(111)로 반송하고, 그 수도실(111)로부터 반송실 114로 반송한다. 이어서, 발광소자가 형성된 기판을 반송실(114)로부터 밀봉실(116)로 반송한다.
밀봉기판은, 로드실(117)에 외부로부터 세트하여 준비된다. 이때, 수분 등의 불순물을 제거하기 위해서 미리 진공속에서 어닐링을 하는 것이 바람직하다. 그리고, 밀봉기판에 발광소자가 설치된 기판과 접착하기 위한 밀봉재를 형성하는 경우에는, 밀봉실에서 밀봉재를 형성하여, 밀봉재를 형성한 밀봉기판을 밀봉기판 저장실(130)에 반송한다. 이때, 밀봉실에서, 밀봉기판에 건조제를 설치하여도 된다. 이때, 여기서는, 밀봉기판에 밀봉재를 형성한 예를 나타내었지만, 특별히 한정되지 않고, 발광소자가 형성된 기판에 밀봉재를 형성하여도 된다.
이어서, 밀봉실(116)에서, 기판과 밀봉기판을 접착하여, 그 접착된 한 쌍의 기판을 밀봉실(116)에 설치된 자외선 조사기구에 의해서 UV 광을 조사하여 밀봉재를 경화시킨다. 이때, 여기서는 밀봉재로서 자외선 경화수지를 사용하였지만, 본 발명은 이 재료로 한정되지 않는다. 그 재료가 접착재라면, 다른 재료를 사용하여 된다.
이어서, 접착된 한 쌍의 기판을 밀봉실(116)로부터 반송실(114), 그리고 반송실(114)로부터 추출실(119)로 반송하여 추출한다. 이상의 경로를 화살표로 나타낸 도면이 도 9이다.
이상과 같이, 도 1에 나타낸 제조장치를 사용하는 것으로, 완전히 발광소자를 밀폐공간 사이에 봉입할 때까지 대기에 노출시키지 않고 처리가 끝나기 때문에, 신뢰성이 높은 발광장치를 제조하는 것이 가능해진다. 이때, 반송실 114, 118에서는, 진공과, 대기압에서의 질소분위기를 반복하지만, 반송실 102, 104a, 108은 상시, 진공이 유지되는 것이 바람직하다.
이때, 여기서는 도시하지 않았지만, 기판을 개개의 처리실에 이동시키는 경로를 제어하여 전자동화를 실현하는 제어장치를 설치하였다.
또한, 도 1에 나타낸 제조장치에서는, 양극으로서 투명도전막(또는 금속막(TiN)이 설치된 기판을 반입하여, 유기 화합물을 함유한 층을 형성한 후, 투명 또는 반투명한 음극(예를 들면, 얇은 금속막(Al, Ag)과 투명도전막의 적층)을 형성함으로써, 상방출사형(양면출사)의 발광소자를 형성하는 것도 가능하다.
또한, 도 1에 나타낸 제조장치에서는, 양극으로서 투명도전막이 설치된 기판을 반입하여, 유기 화합물을 함유한 층을 형성한 후, 금속막(Al, Ag)으로 이루어진 음극을 형성함으로써, 하방출사형 발광소자를 형성하는 것도 가능하다.
또한, 본 실시예는 실시형태와 자유롭게 조합할 수 있다.
[실시예 2]
본 실시예에서는, 실시예 1의 제조장치와 일부 다른 예, 구체적으로는 반송실(1004a)에 6개의 막형성실 1006R(적색용 EL층), 1006G(녹색용 EL층), 1006B(청색용 EL층), 1006R'(적색용 EL층), 1006G'(녹색용 EL층), 1006B'(청색용 EL층)를 구비한 제조장치의 일례를 도 10에 나타낸다.
이때, 도 10에서, 도 1과 동일한 부분에는 동일한 기호를 사용한다. 또한, 도 1과 동일한 부분의 설명은 간략화를 위해 여기서는 생략한다.
도 10에서는 풀 칼라의 발광소자를 병렬로 제조할 수 있는 장치의 예이다.
실시예 1과 마찬가지로 하여 전처리실(103)에서 진공가열을 한 기판을 수도실(105)을 경유하여 반송실(102)로부터 반송실(1004a)로 반송한 후, 제 1 기판은, 막형성실(1006R, 1006G, 1006B)을 경유하는 경로를 통해 적층시키고, 제 2 기판은 막형성실(1006R', 1006G', 1006B')를 경유하는 경로를 통해 적층시킨다. 이와 같이 병렬로 복수의 기판에 증착을 함으로써, 스루풋을 향상시킬 수 있다. 이후의 공정은, 실시예 1에 따라서, 음극의 형성 및 밀봉을 행하면 발광장치가 완성된다.
또한, 기판 반입으로부터 기판 반출까지의 시퀀스를 나타낸 도 11에 나타낸 것처럼, 서로 다른 3개의 막형성실에서 각각 R, G, B의 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 적층하여도 된다. 이때, 도 11에서, 마스크 얼라인먼트가 각각 증착전에 행해져 소정의 영역에만 막형성된다. 혼합색을 막기 위해서, 마스크는 각각 다른 마스크를 사용하는 것이 바람직하고, 도 11의 경우, 3장 필요해진다. 복수의 기판을 처리하는 경우, 예를 들면, 첫 번째의 기판을 제 1 막형성실에 반입하여, 적색발광의 유기 화합물을 함유한 층을 막형성한 후, 기판을 반출하고, 다음에 제 2 막형성실에 반입하여, 녹색발광의 유기 화합물을 함유한 층을 막형성하는 동안에, 두번째의 기판을 제 1 막형성실에 반입하여, 적색발광의 유기 화합물을 함유한 층을 막형성하여도 되고, 최후에 첫 번째의 기판을 제 3 막형성실에 반입하여, 청색발광의 유기 화합물을 함유한 층을 막형성하는 동안에, 두 번째의 기판을 제 2 막형성실에 반입한 후, 세 번째의 기판을 제 1 막형성실에 반입하여 각각 순차로 적층시켜 가면 된다.
또한, 기판 반입으로부터 기판 반출까지의 시퀀스를 나타낸 도 12a에 나타낸 것처럼, 동일한 막형성실에서 각각 R, G, B의 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 적층하여도 된다. 동일 막형성실에서 R, G, B로 각각 정공수송층, 발광층, 전자수송층을 연속하여 적층하는 경우, 도 12b에 나타낸 것처럼, 마스크 얼라인먼트시에 어긋나게 하여 마스크의 위치결정을 함으로써 RGB, 3종류의 재료층을 선택적으로 형성하여도 된다. 이때, 도 12b에서, 도면부호 10은 기판, 15는 셔터, 17은 증착원 홀더, 18은 증착재료, 19는 증착재료이고, 각각 유기 화합물을 함유한 층마다 증착 마스크(14)를 어긋나게 한 상태를 나타낸 것이다. 이 경우, 마스크는 공통이고, 1장의 마스크만을 사용하고 있다.
또한, 막형성실(도시하지 않음)에는, 기판(10)과 증착 마스크(14)가 설치되어 있다. 또한, CCD 카메라(도시하지 않음)를 사용하여 증착 마스크(14)의 얼라인먼트를 확인하여도 된다. 증착원 홀더(17)에는, 증착재료(18)가 봉입된 용기가 설치되어 있다. 이 막형성실(11)은, 진공도가 5×10-3Torr(0.665 Pa)이하, 바람직하게는 10-4∼10-6Pa까지 진공배기된다. 또한, 증착시, 저항가열에 의해, 증착재료는 미리 승화(기화)되어 있고, 증착시에 셔터(15)가 열림으로써 기판(10)의 방향으로 비산한다. 증발한 증발재료(19)는, 위쪽으로 비산하여, 증착 마스크에 설치된 개구부를 통하여 기판(10)에 선택적으로 증착된다. 이때, 마이크로컴퓨터에 의해 막형성 속도, 증착원 홀더의 이동속도 및 셔터의 개폐를 제어할 수 있도록 하여 놓아도 된다. 이 증착원 홀더의 이동속도에 의해 증착속도를 제어하는 것이 가능해진다. 또한, 도시하지 않았지만, 막형성실에 설치된 수정진동자에 의해 증착막의 막두께를 측정하면서 증착할 수 있다. 이 수정진동자를 사용하여 증착막의 막두께를 측정하는 경우, 수정진동자에 증착된 막의 질량변화를, 공진주파수의 변화로서 측정할 수 있다. 증착장치에서는, 증착시 기판(10)과 증착원 홀더(17)의 간격거리 d를, 대표적으로는 30cm이하, 바람직하게는 20cm이하, 더욱 바람직하게는 5cm∼15cm로 좁혀, 증착재료의 이용효율 및 스루풋을 크게 향상시키고 있다. 또한, 증착원 홀더(17)는, 수평을 유지한 채, 막형성실 내를 X방향 또는 Y방향으로 이동가능한 기구가 설치된다. 여기서는, 증착원 홀더(17)를 이차원평면에서 도 2a 또는 도 2b에 도시한 것처럼 증착원 홀더를 지그재그로 이동시킨다.
또한, 정공수송층과 전자수송층을 공통으로 사용할 수 있는 경우는, 정공수송층을 형성한 후, 다른 재료로 이루어진 발광층을 다른 마스크로 선택적으로 적층한 후, 전자수송층을 적층하여도 된다. 이 경우, 3장의 마스크를 사용하게 된다.
또한, 본 실시예는, 실시형태 또는 실시예 1과 자유롭게 조합할 수 있다.
200 : 기판 201 : 막두께 모니터
202 : 용기 203 : 히터
204 : 셔터

Claims (9)

  1. 전극이 형성된 기판을 제 1 반송실에 연결된 처리실로 반송하는 스텝과,
    상기 처리실 내의 수분 및 가스를 제거하기 위해서 진공에서 상기 기판을 어닐링하는 스텝과,
    상기 어닐링된 기판을, 제 2 반송실에 연결된 제 1 막형성실로, 상기 제 1 및 제 2 반송실 사이에 설치된 제 1 수도실을 통해서 반송하는 스텝과,
    상기 제 1 막형성실 내에서 상기 전극 위에 유기 화합물층을 형성하는 스텝과,
    상기 유기 화합물층이 형성된 기판을, 제 3 반송실에 연결된 제 2 막형성실로 상기 제 2 및 제 3 반송실 사이에 설치된 제 2 수도실을 통해서 반송하는 스텝과,
    상기 제 2 막형성실 내에서 상기 유기 화합물층 위에 금속막을 형성하는 스텝을 포함한 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  2. 전극이 형성된 기판을 제 1 반송실에 연결된 처리실로 반송하는 스텝과,
    상기 처리실 내의 수분 및 가스를 제거하기 위해서 5×10-3Torr 이하의 압력에서 상기 기판을 어닐링하는 스텝과,
    상기 어닐링된 기판을, 제 2 반송실에 연결된 제 1 막형성실로, 상기 제 1 및 제 2 반송실 사이에 설치된 제 1 수도실을 통해서 반송하는 스텝과,
    상기 제 1 막형성실 내에서 상기 전극 위에 유기 화합물층을 형성하는 스텝과,
    상기 유기 화합물층이 형성된 기판을, 제 3 반송실에 연결된 제 2 막형성실로 상기 제 2 및 제 3 반송실 사이에 설치된 제 2 수도실을 통해서 반송하는 스텝과,
    상기 제 2 막형성실 내에서 상기 유기 화합물층 위에 금속막을 형성하는 스텝을 포함한 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  3. 전극이 형성된 기판을 제 1 반송실에 연결된 처리실로 반송하는 스텝과,
    상기 처리실 내의 수분 및 가스를 제거하기 위해서 진공에서 상기 기판을 어닐링하는 스텝과,
    상기 어닐링된 기판을, 제 2 반송실에 연결된 제 1 막형성실로, 상기 제 1 및 제 2 반송실 사이에 설치된 제 1 수도실을 통해서 반송하는 스텝과,
    상기 제 1 막형성실 내에서 상기 전극 위에 유기 화합물층을 형성하는 스텝과,
    상기 유기 화합물층이 형성된 기판을, 제 3 반송실에 연결된 제 2 막형성실로 상기 제 2 및 제 3 반송실 사이에 설치된 제 2 수도실을 통해서 반송하는 스텝과,
    상기 제 2 막형성실 내에서 상기 유기 화합물층 위에 금속막을 형성하는 스텝과,
    상기 금속막이 형성된 기판을 제 4 반송실에 연결된 밀봉실로 상기 제 3 및 제 4 반송실 사이에 설치된 제 3 수도실을 통해서 반송하는 스텝과,
    상기 밀봉실 내에서, 상기 금속막이 형성된 기판에 밀봉 기판을 부착하는 스텝을 포함한 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  4. 전극이 형성된 기판을 제 1 반송실에 연결된 처리실로 반송하는 스텝과,
    상기 처리실 내의 수분 및 가스를 제거하기 위해서 5×10-3Torr 이하의 압력에서 상기 기판을 어닐링하는 스텝과,
    상기 어닐링된 기판을, 제 2 반송실에 연결된 제 1 막형성실로, 상기 제 1 및 제 2 반송실 사이에 설치된 제 1 수도실을 통해서 반송하는 스텝과,
    상기 제 1 막형성실 내에서 상기 전극 위에 유기 화합물층을 형성하는 스텝과,
    상기 유기 화합물층이 형성된 기판을, 제 3 반송실에 연결된 제 2 막형성실로 상기 제 2 및 제 3 반송실 사이에 설치된 제 2 수도실을 통해서 반송하는 스텝과,
    상기 제 2 막형성실 내에서 상기 유기 화합물층 위에 금속막을 형성하는 스텝과,
    상기 금속막이 형성된 기판을 제 4 반송실에 연결된 밀봉실로 상기 제 3 및 제 4 반송실 사이에 설치된 제 3 수도실을 통해서 반송하는 스텝과,
    상기 밀봉실 내에서, 상기 금속막이 형성된 기판에 밀봉 기판을 부착하는 스텝을 포함한 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 어닐링은 100℃∼250℃의 온도에서 행하여지는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 어닐링은 30분 이상 행하여지는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전극이 형성되는 상기 기판 위에 유기 수지막을 형성하는 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  8. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전극은 양극인 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
  9. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 금속막은 음극인 것을 특징으로 하는 발광장치의 제조방법.
KR1020100037908A 2002-08-01 2010-04-23 발광장치의 제조방법 KR100991445B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002224760 2002-08-01
JPJP-P-2002-224760 2002-08-01

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030050827A Division KR100995109B1 (ko) 2002-08-01 2003-07-24 제조장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100059753A true KR20100059753A (ko) 2010-06-04
KR100991445B1 KR100991445B1 (ko) 2010-11-03

Family

ID=31972372

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030050827A KR100995109B1 (ko) 2002-08-01 2003-07-24 제조장치
KR1020100037908A KR100991445B1 (ko) 2002-08-01 2010-04-23 발광장치의 제조방법

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030050827A KR100995109B1 (ko) 2002-08-01 2003-07-24 제조장치

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20040040504A1 (ko)
KR (2) KR100995109B1 (ko)
CN (1) CN100565784C (ko)
TW (1) TWI330382B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101226252B1 (ko) * 2011-06-30 2013-01-25 엘아이지에이디피 주식회사 검사유닛을 포함하는 ｏｌｅｄ 제조장치
KR101338307B1 (ko) * 2011-06-30 2013-12-09 엘아이지에이디피 주식회사 기판검사장치 및 이를 포함하는 ｏｌｅｄ 제조장치
KR20180082977A (ko) * 2017-01-11 2018-07-19 가부시키가이샤 알박 성막 방법 및 진공 처리 장치

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI277363B (en) * 2002-08-30 2007-03-21 Semiconductor Energy Lab Fabrication system, light-emitting device and fabricating method of organic compound-containing layer
US20040123804A1 (en) 2002-09-20 2004-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Fabrication system and manufacturing method of light emitting device
US7211461B2 (en) * 2003-02-14 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
US7333072B2 (en) * 2003-03-24 2008-02-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film integrated circuit device
JP4463492B2 (ja) * 2003-04-10 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
JP4493926B2 (ja) 2003-04-25 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
US7211454B2 (en) * 2003-07-25 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of a light emitting device including moving the source of the vapor deposition parallel to the substrate
US20050223986A1 (en) * 2004-04-12 2005-10-13 Choi Soo Y Gas diffusion shower head design for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
WO2005107329A1 (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. 有機ｅｌ素子およびその製造方法
US20050284373A1 (en) * 2004-06-25 2005-12-29 Lg Electronics Inc. Apparatus for manufacturing a luminescent device using a buffer cassette
US9117860B2 (en) * 2006-08-30 2015-08-25 Lam Research Corporation Controlled ambient system for interface engineering
US20090304914A1 (en) * 2006-08-30 2009-12-10 Lam Research Corporation Self assembled monolayer for improving adhesion between copper and barrier layer
JP4545504B2 (ja) * 2004-07-15 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 膜形成方法、発光装置の作製方法
KR100752681B1 (ko) * 2004-11-02 2007-08-29 두산메카텍 주식회사 증착되는 유기박막의 두께를 실시간으로 측정가능한유기박막 증착장치 및 유기박막 증착방법
KR100685431B1 (ko) * 2004-11-26 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기물 증착원
SG163544A1 (en) * 2005-03-30 2010-08-30 Panasonic Corp Impurity introducing apparatus and impurity introducing method
JP4789551B2 (ja) * 2005-09-06 2011-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 有機ｅｌ成膜装置
JP4974504B2 (ja) * 2005-10-13 2012-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜装置、発光装置の作製方法
US8916232B2 (en) * 2006-08-30 2014-12-23 Lam Research Corporation Method for barrier interface preparation of copper interconnect
WO2008027386A2 (en) * 2006-08-30 2008-03-06 Lam Research Corporation Controlled ambient system for interface engineering
KR20080045974A (ko) * 2006-11-21 2008-05-26 삼성전자주식회사 박막 증착장치 및 박막 증착방법
KR100977971B1 (ko) * 2007-06-27 2010-08-24 두산메카텍 주식회사 증착 장치
KR20100086490A (ko) * 2007-10-24 2010-07-30 오씨 외를리콘 발처스 악티엔게젤샤프트 작업편 제조방법 및 장치
CN101736293B (zh) * 2008-11-04 2013-02-13 京东方科技集团股份有限公司 用于蒸镀有机电致发光二极管电极的金属装填方法及系统
JP2012519941A (ja) * 2009-03-06 2012-08-30 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電気活性層の形成方法
US20110104398A1 (en) * 2009-10-29 2011-05-05 General Electric Company Method and system for depositing multiple materials on a substrate
JP5566669B2 (ja) * 2009-11-19 2014-08-06 昭和電工株式会社 インライン式成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法
KR20110096382A (ko) * 2010-02-22 2011-08-30 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 패널의 증착 및 검사 장치와 그것을 이용한 증착 및 검사방법
CN101882669A (zh) * 2010-03-23 2010-11-10 东莞宏威数码机械有限公司 有机发光显示器后段工艺封装组件及封装方法
CN101988190A (zh) * 2010-05-25 2011-03-23 东莞宏威数码机械有限公司 镀膜基片前置处理装置及前置处理方法
JP2012112037A (ja) * 2010-11-04 2012-06-14 Canon Inc 成膜装置及びこれを用いた成膜方法
JP2012186158A (ja) * 2011-02-14 2012-09-27 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 照明装置及び発光装置の作製方法及び製造装置
KR101810046B1 (ko) * 2012-01-19 2017-12-19 삼성디스플레이 주식회사 기상 증착 장치 및 기상 증착 방법
KR20130129728A (ko) * 2012-05-21 2013-11-29 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 승화 정제 장치 및 방법
JP6181358B2 (ja) * 2012-07-25 2017-08-16 東京エレクトロン株式会社 ベーク処理システム及び有機ｅｌ素子の有機機能膜の積層体の製造方法
CN104584188B (zh) * 2012-08-08 2017-05-31 应用材料公司 连结型真空处理工具和使用该工具的方法
US9971341B2 (en) * 2014-01-06 2018-05-15 Globalfoundries Inc. Crystal oscillator and the use thereof in semiconductor fabrication
US9916958B1 (en) * 2014-01-30 2018-03-13 Radiation Monitoring Devices, Inc. Alkali semi-metal films and method and apparatus for fabricating them
US11881391B1 (en) 2014-01-30 2024-01-23 Radiation Monitoring Devices, Inc. Alkali semi-metal films and method and apparatus for fabricating them
CN103938161A (zh) * 2014-04-29 2014-07-23 京东方科技集团股份有限公司 基板蒸镀装置和蒸镀方法
KR102231490B1 (ko) * 2014-09-02 2021-03-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자
WO2016154301A1 (en) 2015-03-24 2016-09-29 Siva Power, Inc Thermal management of evaporation sources
CN104793596B (zh) * 2015-04-16 2018-05-22 天津智通机器人有限公司 一种催化剂自动化生产线控制系统
CN104843256A (zh) * 2015-04-16 2015-08-19 天津智通机器人有限公司 一种催化剂干加工生产线
CN112011765B (zh) * 2015-06-18 2022-10-21 佳能特机株式会社 蒸镀装置及其控制方法、以及成膜方法
US10234678B1 (en) * 2016-04-26 2019-03-19 Amazon Technologies, Inc. Fluid dispensing method for electrowetting element manufacture
JP6937549B2 (ja) * 2016-06-10 2021-09-22 株式会社ジャパンディスプレイ 発光素子の製造装置
US10720633B2 (en) * 2017-09-15 2020-07-21 Dyson Technology Limited Multilayer electrochemical device
CN109449301B (zh) * 2018-09-19 2021-11-09 云谷（固安）科技有限公司 Oled显示器件的蒸镀方法、oled显示器件及蒸镀设备
CN109609922B (zh) * 2019-01-02 2021-04-20 京东方科技集团股份有限公司 薄膜制备装置、方法及系统
KR102184356B1 (ko) * 2019-02-27 2020-11-30 캐논 톡키 가부시키가이샤 성막장치, 성막방법, 및 전자 디바이스 제조방법
WO2020251696A1 (en) * 2019-06-10 2020-12-17 Applied Materials, Inc. Processing system for forming layers

Family Cites Families (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US197418A (en) * 1877-11-20 Improvement in horseshoes
US1857265A (en) * 1930-08-13 1932-05-10 Neal W Stephens Automatic adjusting attachment for concaves
US2436997A (en) * 1937-09-18 1948-03-02 Jacobsen Peter Emil Vilhelm Cardboard box for eggs
US2435997A (en) * 1943-11-06 1948-02-17 American Optical Corp Apparatus for vapor coating of large surfaces
FR2244014B1 (ko) * 1973-09-17 1976-10-08 Bosch Gmbh Robert
US4023523A (en) * 1975-04-23 1977-05-17 Xerox Corporation Coater hardware and method for obtaining uniform photoconductive layers on a xerographic photoreceptor
US4187801A (en) * 1977-12-12 1980-02-12 Commonwealth Scientific Corporation Method and apparatus for transporting workpieces
DE3330092A1 (de) * 1983-08-20 1985-03-07 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Verfahren zum einstellen der oertlichen verdampfungsleistung an verdampfern in vakuumaufdampfprozessen
US5259881A (en) * 1991-05-17 1993-11-09 Materials Research Corporation Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus
JPS61284569A (ja) 1985-06-12 1986-12-15 Koa Corp 眞空蒸着装置
US4897290A (en) * 1986-09-26 1990-01-30 Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. Method for manufacturing the substrate for liquid crystal display
JPH0362515A (ja) 1989-07-28 1991-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 真空加熱処理装置
US5258325A (en) * 1990-12-31 1993-11-02 Kopin Corporation Method for manufacturing a semiconductor device using a circuit transfer film
US5429884A (en) * 1992-01-17 1995-07-04 Pioneer Electronic Corporation Organic electroluminescent element
JPH0665722A (ja) 1992-08-21 1994-03-08 Anelva Corp 真空蒸着装置
EP0608620B1 (en) * 1993-01-28 1996-08-14 Applied Materials, Inc. Vacuum Processing apparatus having improved throughput
KR100291971B1 (ko) * 1993-10-26 2001-10-24 야마자끼 순페이 기판처리장치및방법과박막반도체디바이스제조방법
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5981735A (en) * 1996-02-12 1999-11-09 Cobra Therapeutics Limited Method of plasmid DNA production and purification
KR100245260B1 (ko) * 1996-02-16 2000-02-15 엔도 마코토 반도체 제조장치의 기판 가열장치
US5764849A (en) * 1996-03-27 1998-06-09 Micron Technology, Inc. Solid precursor injector apparatus and method
JP3539125B2 (ja) 1996-04-18 2004-07-07 東レ株式会社 有機電界発光素子の製造方法
US5817366A (en) * 1996-07-29 1998-10-06 Tdk Corporation Method for manufacturing organic electroluminescent element and apparatus therefor
JPH10124869A (ja) 1996-10-14 1998-05-15 Fuji Photo Film Co Ltd 磁気記録媒体の製造装置
JP2848371B2 (ja) * 1997-02-21 1999-01-20 日本電気株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
US5906857A (en) * 1997-05-13 1999-05-25 Ultratherm, Inc. Apparatus, system and method for controlling emission parameters attending vaporized in a HV environment
US6011904A (en) * 1997-06-10 2000-01-04 Board Of Regents, University Of Texas Molecular beam epitaxy effusion cell
JP3817037B2 (ja) * 1997-07-29 2006-08-30 株式会社アルバック 真空蒸着装置、有機ｅｌ素子の形成方法
JPH1161386A (ja) * 1997-08-22 1999-03-05 Fuji Electric Co Ltd 有機薄膜発光素子の成膜装置
JPH11229123A (ja) 1998-02-12 1999-08-24 Casio Comput Co Ltd 蒸着装置
WO1999048337A1 (en) * 1998-03-13 1999-09-23 Cambridge Display Technology Ltd. Electroluminescent devices
JP3066007B2 (ja) * 1998-06-24 2000-07-17 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
ATE409398T1 (de) * 1998-07-08 2008-10-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zur herstellung einer integrierten schaltungsanordnung umfassend einen hohlraum in einer materialschicht, sowie eine durch das verfahren erzeugte integrierte schaltungsanordnung
JP2000040591A (ja) * 1998-07-21 2000-02-08 Sony Corp 有機電界発光素子
US6284052B2 (en) * 1998-08-19 2001-09-04 Sharp Laboratories Of America, Inc. In-situ method of cleaning a metal-organic chemical vapor deposition chamber
US6132805A (en) * 1998-10-20 2000-10-17 Cvc Products, Inc. Shutter for thin-film processing equipment
JP3782245B2 (ja) * 1998-10-28 2006-06-07 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造装置及び製造方法
US6214631B1 (en) * 1998-10-30 2001-04-10 The Trustees Of Princeton University Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask
US6487252B1 (en) * 1999-01-29 2002-11-26 Motorola, Inc. Wireless communication system and method for synchronization
US6656273B1 (en) 1999-06-16 2003-12-02 Tokyo Electron Limited Film forming method and film forming system
TW504941B (en) 1999-07-23 2002-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film
JP2001081558A (ja) 1999-09-13 2001-03-27 Asahi Optical Co Ltd 成膜装置および成膜方法
JP4187367B2 (ja) 1999-09-28 2008-11-26 三洋電機株式会社 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法
JP2001102523A (ja) 1999-09-28 2001-04-13 Sony Corp 薄膜デバイスおよびその製造方法
US6830626B1 (en) * 1999-10-22 2004-12-14 Kurt J. Lesker Company Method and apparatus for coating a substrate in a vacuum
WO2001044865A1 (en) 1999-12-17 2001-06-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Improved encapsulation for organic led device
US6730929B2 (en) * 1999-12-24 2004-05-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescent device
TW490714B (en) 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US6244212B1 (en) * 1999-12-30 2001-06-12 Genvac Aerospace Corporation Electron beam evaporation assembly for high uniform thin film
US6633121B2 (en) * 2000-01-31 2003-10-14 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same
US6237529B1 (en) * 2000-03-03 2001-05-29 Eastman Kodak Company Source for thermal physical vapor deposition of organic electroluminescent layers
WO2001072091A1 (fr) 2000-03-22 2001-09-27 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Procede et appareil de fabrication d'un afficheur electroluminescent organique
JP2001279429A (ja) * 2000-03-30 2001-10-10 Idemitsu Kosan Co Ltd 素子用薄膜層の成膜方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
US20020011205A1 (en) * 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
JP4785269B2 (ja) 2000-05-02 2011-10-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法及び成膜装置のクリーニング方法
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
JP2002002778A (ja) 2000-06-14 2002-01-09 Koji Onuma カットテープにより特定の面形状に引き裂ける包装フィルムの製造方法
MY141175A (en) * 2000-09-08 2010-03-31 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus
JP5159010B2 (ja) 2000-09-08 2013-03-06 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2002175878A (ja) 2000-09-28 2002-06-21 Sanyo Electric Co Ltd 層の形成方法及びカラー発光装置の製造方法
JP4054561B2 (ja) 2000-10-26 2008-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 成膜方法
US6770562B2 (en) * 2000-10-26 2004-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Film formation apparatus and film formation method
US6641674B2 (en) * 2000-11-10 2003-11-04 Helix Technology Inc. Movable evaporation device
JP4704605B2 (ja) * 2001-05-23 2011-06-15 淳二 城戸 連続蒸着装置、蒸着装置及び蒸着方法
JP4078813B2 (ja) 2001-06-12 2008-04-23 ソニー株式会社 成膜装置および成膜方法
JP2003002778A (ja) 2001-06-26 2003-01-08 International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd 薄膜堆積用分子線セル
JP3616586B2 (ja) 2001-07-19 2005-02-02 株式会社日本ビーテック 薄膜堆積用分子線源セル
US20030101937A1 (en) * 2001-11-28 2003-06-05 Eastman Kodak Company Thermal physical vapor deposition source for making an organic light-emitting device
SG113448A1 (en) * 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
US7309269B2 (en) * 2002-04-15 2007-12-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
JP3927854B2 (ja) * 2002-04-23 2007-06-13 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッド
US20040035360A1 (en) * 2002-05-17 2004-02-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
TWI336905B (en) * 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
US20030221620A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Vapor deposition device
JP4286496B2 (ja) 2002-07-04 2009-07-01 株式会社半導体エネルギー研究所 蒸着装置及び薄膜作製方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101226252B1 (ko) * 2011-06-30 2013-01-25 엘아이지에이디피 주식회사 검사유닛을 포함하는 ｏｌｅｄ 제조장치
KR101338307B1 (ko) * 2011-06-30 2013-12-09 엘아이지에이디피 주식회사 기판검사장치 및 이를 포함하는 ｏｌｅｄ 제조장치
KR20180082977A (ko) * 2017-01-11 2018-07-19 가부시키가이샤 알박 성막 방법 및 진공 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR100991445B1 (ko) 2010-11-03
TW200402768A (en) 2004-02-16
US7820231B2 (en) 2010-10-26
US20040040504A1 (en) 2004-03-04
KR20040012492A (ko) 2004-02-11
KR100995109B1 (ko) 2010-11-18
US20070148351A1 (en) 2007-06-28
TWI330382B (en) 2010-09-11
CN100565784C (zh) 2009-12-02
CN1480984A (zh) 2004-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100991445B1 (ko) 발광장치의 제조방법
KR101003404B1 (ko) 제조 시스템 및 발광장치의 제조방법
KR101004060B1 (ko) 제조 시스템, 발광 장치, 및 유기 화합물 함유 층의 제조방법
JP5072184B2 (ja) 成膜方法
CN100468823C (zh) 制造系统、制造方法、操作制造设备的方法及发光器件
US8524313B2 (en) Method for manufacturing a device
JP4425438B2 (ja) Ｅｌ表示装置の作製方法
JP4252317B2 (ja) 蒸着装置および蒸着方法
JP4368633B2 (ja) 製造装置
JP4439827B2 (ja) 製造装置および発光装置の作製方法
JP4408019B2 (ja) Ｅｌ素子の製造方法
JP2013104117A (ja) 蒸発源及び蒸着装置
JP4494126B2 (ja) 成膜装置および製造装置
JP4515060B2 (ja) 製造装置および有機化合物を含む層の作製方法
JP4468328B2 (ja) Ｅｌ表示装置の作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130924

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140923

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151002

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160926

Year of fee payment: 7