JPH0665722A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
- Publication number
- JPH0665722A JPH0665722A JP24568492A JP24568492A JPH0665722A JP H0665722 A JPH0665722 A JP H0665722A JP 24568492 A JP24568492 A JP 24568492A JP 24568492 A JP24568492 A JP 24568492A JP H0665722 A JPH0665722 A JP H0665722A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shutter
- vapor deposition
- evaporation source
- film thickness
- evaporation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 蒸着工程の開始時の、蒸発速度の乱れが無い
ようにできる真空蒸着装置を提供する。 【構成】 真空室１０内に蒸発源１１、基板ホルダー１
２およびシャッター１８が設置してある。蒸発源１１に
立てた法線１５の近傍に、膜厚計センサー１６が設置し
てある。シャッター１８は、２枚のシャッター板１８
ａ、１８ｂが互いに離接する構造で、シャッター板１８
ａ、１８ｂの互いに離接する側縁に切欠部１９ａ、１９
ｂが形成してある。蒸発粒子は開口部２０、１３を通っ
て膜厚計センサー１６に、常時、入射する。
ようにできる真空蒸着装置を提供する。 【構成】 真空室１０内に蒸発源１１、基板ホルダー１
２およびシャッター１８が設置してある。蒸発源１１に
立てた法線１５の近傍に、膜厚計センサー１６が設置し
てある。シャッター１８は、２枚のシャッター板１８
ａ、１８ｂが互いに離接する構造で、シャッター板１８
ａ、１８ｂの互いに離接する側縁に切欠部１９ａ、１９
ｂが形成してある。蒸発粒子は開口部２０、１３を通っ
て膜厚計センサー１６に、常時、入射する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、真空室に蒸発源、基
板ホルダーおよびシャッターを備えてなる真空蒸着装置
に関する。
板ホルダーおよびシャッターを備えてなる真空蒸着装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、前記の如くの真空蒸着装置におい
て、蒸着工程を自動制御するには、蒸発源と対向する位
置に、水晶振動子などで構成された膜厚計センサーを設
置し、膜厚計センサーに入射する蒸発粒子の量をモニタ
ーすることにより、蒸発源のフィードバック制御および
シャッターの動作制御を行なっている。
て、蒸着工程を自動制御するには、蒸発源と対向する位
置に、水晶振動子などで構成された膜厚計センサーを設
置し、膜厚計センサーに入射する蒸発粒子の量をモニタ
ーすることにより、蒸発源のフィードバック制御および
シャッターの動作制御を行なっている。
【０００３】前記シャッターの開により被蒸着基板への
蒸着を開始すると同時に、前記膜厚計センサーにも蒸発
粒子が入射するような構成にすると、シャッター開の時
に蒸発源に投入される電力の変動が大きくなり、蒸発源
の蒸発速度が変動するばかりでなく、投入電力が増大し
た時に、蒸発源から蒸着試料の飛沫が放出されるなどの
問題があり、一般的には、図３または図４に示したよう
な装置構成としていた（例えば、東京大学出版会発行、
金原粲著「薄膜の基本技術」（第２版）第４１頁および
第１１３頁参照）。
蒸着を開始すると同時に、前記膜厚計センサーにも蒸発
粒子が入射するような構成にすると、シャッター開の時
に蒸発源に投入される電力の変動が大きくなり、蒸発源
の蒸発速度が変動するばかりでなく、投入電力が増大し
た時に、蒸発源から蒸着試料の飛沫が放出されるなどの
問題があり、一般的には、図３または図４に示したよう
な装置構成としていた（例えば、東京大学出版会発行、
金原粲著「薄膜の基本技術」（第２版）第４１頁および
第１１３頁参照）。
【０００４】即ち、図３は、真空室１の内部に、蒸発源
２、シャッター３および被蒸着基板４を支持する為の基
板ホルダー５を設置すると共に、膜厚計センサー６を蒸
発源２の上部外側に設置し、膜厚計センサー６がシャッ
ター３の開閉と無関係に、常時、蒸発源２に対して露出
するようにしたものである。
２、シャッター３および被蒸着基板４を支持する為の基
板ホルダー５を設置すると共に、膜厚計センサー６を蒸
発源２の上部外側に設置し、膜厚計センサー６がシャッ
ター３の開閉と無関係に、常時、蒸発源２に対して露出
するようにしたものである。
【０００５】又、図４は、真空室１の内部に蒸発源２、
および基板ホルダー５を設置すると共に、２つのシャッ
ター３ａ、３ｂを蒸発源２の直上および基板ホルダー５
の直下に設置し、膜厚計センサー６を前記２つのシャッ
ター３ａ、３ｂの中間部に設置し、蒸着の開始前にも蒸
発源２から蒸発した粒子が膜厚計センサー６に入射し得
るようにしたものである。
および基板ホルダー５を設置すると共に、２つのシャッ
ター３ａ、３ｂを蒸発源２の直上および基板ホルダー５
の直下に設置し、膜厚計センサー６を前記２つのシャッ
ター３ａ、３ｂの中間部に設置し、蒸着の開始前にも蒸
発源２から蒸発した粒子が膜厚計センサー６に入射し得
るようにしたものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記のような従来の真
空蒸着装置において、図３のように、膜厚計センサー６
を蒸発源２の上部外側に設置した真空蒸着装置では、膜
厚計センサー６が蒸発源２に立てた法線から大きく外れ
た位置にある為、蒸着中に変動する蒸着試料の表面形状
によって、膜厚計センサー６に入射する粒子も大きく変
動する。
空蒸着装置において、図３のように、膜厚計センサー６
を蒸発源２の上部外側に設置した真空蒸着装置では、膜
厚計センサー６が蒸発源２に立てた法線から大きく外れ
た位置にある為、蒸着中に変動する蒸着試料の表面形状
によって、膜厚計センサー６に入射する粒子も大きく変
動する。
【０００７】この結果、蒸着工程中の蒸発速度が変動す
ると共に、膜厚計センサー６を介して行なわれる蒸着膜
厚の制御にも再現性が得られないなどの問題点があっ
た。
ると共に、膜厚計センサー６を介して行なわれる蒸着膜
厚の制御にも再現性が得られないなどの問題点があっ
た。
【０００８】また、図４に示した真空蒸着装置では、膜
厚計センサー６が蒸発源２に立てた法線に近づく為に、
図３の装置における問題点を解決できるものではあった
が、基板ホルダー５の直下に設置されるシャッター３ｂ
は、被蒸着基板４の増加に伴なって、大型化する基板ホ
ルダー５に追従して大きなシャッターとしなければなら
ず、開閉の動作を確保する上で限界があった。
厚計センサー６が蒸発源２に立てた法線に近づく為に、
図３の装置における問題点を解決できるものではあった
が、基板ホルダー５の直下に設置されるシャッター３ｂ
は、被蒸着基板４の増加に伴なって、大型化する基板ホ
ルダー５に追従して大きなシャッターとしなければなら
ず、開閉の動作を確保する上で限界があった。
【０００９】
【課題を解決する為の手段】この発明は、前記のような
問題点に鑑みてなされたもので、蒸着工程の開始時の蒸
発速度の乱れが無いようにできる真空蒸着装置を提供す
ることを目的としている。
問題点に鑑みてなされたもので、蒸着工程の開始時の蒸
発速度の乱れが無いようにできる真空蒸着装置を提供す
ることを目的としている。
【００１０】斯る目的を解決するこの発明の真空蒸着装
置は、真空室内に、蒸発源、基板ホルダーおよびシャッ
ターを備えてなる真空蒸着装置において、前記蒸発源に
立てた法線の近傍に、シャッターの動作位置と無関係
に、常時、蒸発源に対して露出している膜厚計センサー
が設置してあることを特徴としている。
置は、真空室内に、蒸発源、基板ホルダーおよびシャッ
ターを備えてなる真空蒸着装置において、前記蒸発源に
立てた法線の近傍に、シャッターの動作位置と無関係
に、常時、蒸発源に対して露出している膜厚計センサー
が設置してあることを特徴としている。
【００１１】また、この発明の真空蒸着装置は、蒸発
源、基板ホルダーおよびシャッターを備えてなる真空蒸
着装置において、前記蒸発源に立てた法線の近傍に、膜
厚計センサーが設置してあると共に、前記蒸発源の直上
に、互いに離接する２枚のシャッター板でなるシャッタ
ーが設置してあり、前記シャッター板の互いに離接する
側縁に、前記膜厚計センサーを、蒸発源に対して常時露
出させる為の切欠部が形成してあることを特徴としてい
る。
源、基板ホルダーおよびシャッターを備えてなる真空蒸
着装置において、前記蒸発源に立てた法線の近傍に、膜
厚計センサーが設置してあると共に、前記蒸発源の直上
に、互いに離接する２枚のシャッター板でなるシャッタ
ーが設置してあり、前記シャッター板の互いに離接する
側縁に、前記膜厚計センサーを、蒸発源に対して常時露
出させる為の切欠部が形成してあることを特徴としてい
る。
【００１２】前記シャッターを構成したシャッター板
は、３枚またはそれ以上の複数枚で構成することもでき
る。膜厚計センサーは、水晶振動子の他、蒸発粒子を電
離してイオン電流を検出するものなど、他の形式のもの
でも良い。また蒸発源には、電子ビーム加熱方式、抵抗
加熱方式、誘導加熱方式などの蒸発源を用いることがで
きる。
は、３枚またはそれ以上の複数枚で構成することもでき
る。膜厚計センサーは、水晶振動子の他、蒸発粒子を電
離してイオン電流を検出するものなど、他の形式のもの
でも良い。また蒸発源には、電子ビーム加熱方式、抵抗
加熱方式、誘導加熱方式などの蒸発源を用いることがで
きる。
【００１３】
【作用】この発明の真空蒸着装置によれば、シャッター
の開閉位置に拘らず、蒸発源から放出される蒸発粒子
を、蒸発源に立てた法線の近傍で常時、膜厚計センサー
に入射させることができる。この結果、シャッターの開
閉による蒸発速度の乱れを無くすることができる。又、
基板ホルダーの大型化にも対応することができる。
の開閉位置に拘らず、蒸発源から放出される蒸発粒子
を、蒸発源に立てた法線の近傍で常時、膜厚計センサー
に入射させることができる。この結果、シャッターの開
閉による蒸発速度の乱れを無くすることができる。又、
基板ホルダーの大型化にも対応することができる。
【００１４】
【実施例】以下、この発明の実施例を図１および図２を
参照して説明する。図示した真空蒸着装置は、真空室１
０の内側下部に蒸発源１１が設置してあると共に、上部
には、蒸発源１１と対向させて、基板ホルダー１２が設
置してある。基板ホルダー１２は、中心部に開口部１３
が形成してあり、開口部１３の周囲下面に、被蒸着基板
１４、１４が支持できるようになっている。前記開口部
１３は、蒸発源１１に立てた法線１５が通過するよう
に、基板ホルダー１２の位置が設定してある。
参照して説明する。図示した真空蒸着装置は、真空室１
０の内側下部に蒸発源１１が設置してあると共に、上部
には、蒸発源１１と対向させて、基板ホルダー１２が設
置してある。基板ホルダー１２は、中心部に開口部１３
が形成してあり、開口部１３の周囲下面に、被蒸着基板
１４、１４が支持できるようになっている。前記開口部
１３は、蒸発源１１に立てた法線１５が通過するよう
に、基板ホルダー１２の位置が設定してある。
【００１５】前記基板ホルダー１２の上側には、開口部
１３と対応させて膜厚計センサー１６が設置してある。
また蒸発源１１の直上には、矢示１７のように互いに離
接する２枚のシャッター板１８ａ、１８ｂでなるシャッ
ター１８が設置してある。
１３と対応させて膜厚計センサー１６が設置してある。
また蒸発源１１の直上には、矢示１７のように互いに離
接する２枚のシャッター板１８ａ、１８ｂでなるシャッ
ター１８が設置してある。
【００１６】前記シャッター１８は、図２に示したよう
に、各シャッター板１８ａ、１８ｂの互いに離接する側
縁の中央部に半円状の切欠部１９ａ、１９ｂが形成して
あり、図示した閉の状態においても、シャッター１８
に、切欠部１９ａ、１９ｂによる開口部２０が形成され
るようになっている。この開口部２０は、蒸発源１１の
蒸発試料２１に対応するように位置設定されている。
に、各シャッター板１８ａ、１８ｂの互いに離接する側
縁の中央部に半円状の切欠部１９ａ、１９ｂが形成して
あり、図示した閉の状態においても、シャッター１８
に、切欠部１９ａ、１９ｂによる開口部２０が形成され
るようになっている。この開口部２０は、蒸発源１１の
蒸発試料２１に対応するように位置設定されている。
【００１７】上記実施例の真空蒸着装置によれば、シャ
ッター１８を閉の状態で、蒸発源１１を動作させて蒸発
試料２１の蒸発を開始すると蒸発粒子の一部が、シャッ
ター１８に形成される開口部２０および基板ホルダー１
２の開口部１３を通して膜厚計センサー１６に入射す
る。この間、基板ホルダー１２に支持された被蒸着基板
１４には、シャッター１８で遮られて蒸発粒子は入射し
ない。
ッター１８を閉の状態で、蒸発源１１を動作させて蒸発
試料２１の蒸発を開始すると蒸発粒子の一部が、シャッ
ター１８に形成される開口部２０および基板ホルダー１
２の開口部１３を通して膜厚計センサー１６に入射す
る。この間、基板ホルダー１２に支持された被蒸着基板
１４には、シャッター１８で遮られて蒸発粒子は入射し
ない。
【００１８】膜厚計センサー１６の出力から、蒸発源１
１の蒸発動作が安定したことを確かめた後、２枚のシャ
ッター板１８ａ、１８ｂを、互いに離隔するように動作
させてシャッター１８を開の状態とすると、被蒸着基板
１４にも、蒸発粒子が入射するようになり、被蒸着基板
１４の表面に、蒸発試料２１の薄膜を付着させることが
できる。膜厚計センサー１６の出力から、被蒸着基板１
４に付着する薄膜の膜厚が所定の値になったことをモニ
ターした時に、シャッター１８を閉の状態に復帰させる
と共に、蒸発源１１の動作を停止する。
１の蒸発動作が安定したことを確かめた後、２枚のシャ
ッター板１８ａ、１８ｂを、互いに離隔するように動作
させてシャッター１８を開の状態とすると、被蒸着基板
１４にも、蒸発粒子が入射するようになり、被蒸着基板
１４の表面に、蒸発試料２１の薄膜を付着させることが
できる。膜厚計センサー１６の出力から、被蒸着基板１
４に付着する薄膜の膜厚が所定の値になったことをモニ
ターした時に、シャッター１８を閉の状態に復帰させる
と共に、蒸発源１１の動作を停止する。
【００１９】上記のように行なわれる蒸着工程は、膜厚
計センサー１６の出力を介して、蒸発源１１の制御電源
（図示していない）およびシャッター１８の駆動装置
（図示していない）を自動制御することができる。この
場合、膜厚計センサー１６は、蒸発源１１に対して、常
時露出しているので、蒸発源１１から蒸発した粒子を膜
厚計センサー１６に常時入射させることができ、シャッ
ター１８を閉の状態から開の状態に移行する時も、蒸発
速度の乱れが生じないようにでき、蒸発源１１へ投入さ
れる電力の大幅な変動による飛沫の放出などを無くする
ことができる。
計センサー１６の出力を介して、蒸発源１１の制御電源
（図示していない）およびシャッター１８の駆動装置
（図示していない）を自動制御することができる。この
場合、膜厚計センサー１６は、蒸発源１１に対して、常
時露出しているので、蒸発源１１から蒸発した粒子を膜
厚計センサー１６に常時入射させることができ、シャッ
ター１８を閉の状態から開の状態に移行する時も、蒸発
速度の乱れが生じないようにでき、蒸発源１１へ投入さ
れる電力の大幅な変動による飛沫の放出などを無くする
ことができる。
【００２０】また、膜厚計センサー１６は、蒸発源１１
に立てた法線１５の近傍であるので、膜厚計センサー１
６に入射する粒子と被蒸着基板１４に入射する粒子の対
応関係を略一定の関係に維持でき、蒸着試料２１の表面
形状の変動による影響を受けないようにできる。従っ
て、被蒸着基板１４に蒸着される薄膜の膜厚制御を正確
にでき、１００オングストローム以下の薄い膜の蒸着に
も対応できるばかりでなく、繰り返し蒸着を行う場合の
再現性も向上することができる。
に立てた法線１５の近傍であるので、膜厚計センサー１
６に入射する粒子と被蒸着基板１４に入射する粒子の対
応関係を略一定の関係に維持でき、蒸着試料２１の表面
形状の変動による影響を受けないようにできる。従っ
て、被蒸着基板１４に蒸着される薄膜の膜厚制御を正確
にでき、１００オングストローム以下の薄い膜の蒸着に
も対応できるばかりでなく、繰り返し蒸着を行う場合の
再現性も向上することができる。
【００２１】シャッター１８は蒸発源１１の直上に設置
した構成であるので、基板ホルダー１２を大型化して、
被蒸着基板１４の枚数を増大する場合も、制約を受ける
ことが無い。尚、シャッター１８を構成したシャッター
板１８ａ、１８ｂに形成する切欠部１９ａ、１９ｂは半
円形に限られるものではなく、矩形とするなど蒸発粒子
を通過させる開口部２０が形成できる形状であれば良い
ものである。
した構成であるので、基板ホルダー１２を大型化して、
被蒸着基板１４の枚数を増大する場合も、制約を受ける
ことが無い。尚、シャッター１８を構成したシャッター
板１８ａ、１８ｂに形成する切欠部１９ａ、１９ｂは半
円形に限られるものではなく、矩形とするなど蒸発粒子
を通過させる開口部２０が形成できる形状であれば良い
ものである。
【００２２】膜厚計センサー１６の設置位置は、基板ホ
ルダー１２の上側に限られるものではなく、下側でも可
能である。又、蒸発源１１に立てた法線１５に一致して
いなくても、近傍であれば、蒸発粒子の入射量にそれ程
の差は無いので、結局図１に示した線２２で構成される
円錐状の空間内であれば良いものである。
ルダー１２の上側に限られるものではなく、下側でも可
能である。又、蒸発源１１に立てた法線１５に一致して
いなくても、近傍であれば、蒸発粒子の入射量にそれ程
の差は無いので、結局図１に示した線２２で構成される
円錐状の空間内であれば良いものである。
【００２３】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、膜厚計センサーに常時、蒸発粒子が入射するように
したので、シャッターの開閉動作時の蒸発速度の乱れを
無くすることができる効果がある。
ば、膜厚計センサーに常時、蒸発粒子が入射するように
したので、シャッターの開閉動作時の蒸発速度の乱れを
無くすることができる効果がある。
【００２４】又、膜厚計センサーを、蒸発源に立てた法
線の近傍としたので、蒸着試料表面の変動による影響を
なくし、かつ被蒸着基板に入射する粒子の量と膜厚計セ
ンサーに入射する粒子との対応関係を略一定に維持し、
被蒸着基板に蒸着される薄膜の膜厚を正確にモニターで
きる効果があり、再現性も得られる効果がある。
線の近傍としたので、蒸着試料表面の変動による影響を
なくし、かつ被蒸着基板に入射する粒子の量と膜厚計セ
ンサーに入射する粒子との対応関係を略一定に維持し、
被蒸着基板に蒸着される薄膜の膜厚を正確にモニターで
きる効果があり、再現性も得られる効果がある。
【図１】この発明の実施例の構成図である。
【図２】同じく実施例のシャッターの部分の斜視図であ
る。
る。
【図３】従来の真空蒸着装置の構成図である。
【図４】従来の別の真空蒸着装置の構成図である。
１０ 真空室 １１ 蒸発源 １２ 基板ホルダー １３ 開口部 １４ 被蒸着基板 １５ 法線 １６ 膜厚計センサー １８ シャッター １８ａ、１８ｂ シャッター板 １９ａ、１９ｂ 切欠部 ２０ 開口部 ２１ 蒸発試料
Claims (2)
- 【請求項１】 真空室内に、蒸発源、基板ホルダーおよ
びシャッターを備えてなる真空蒸着装置において、前記
蒸発源に立てた法線の近傍に、シャッターの動作位置と
無関係に、常時蒸発源に対して露出している膜厚計セン
サーが設置してあることを特徴とする真空蒸着装置。 - 【請求項２】 真空室内に、蒸発源、基板ホルダーおよ
びシャッターを備えてなる真空蒸着装置において、前記
蒸発源に立てた法線の近傍に、膜厚計センサーが設置し
てあると共に、前記蒸発源の直上に、互いに離接する２
枚のシャッター板でなるシャッターが設置してあり、前
記シャッター板の互いに離接する側縁に、前記膜厚計セ
ンサーを蒸発源に対して、常時露出させる為の切欠部が
形成してあることを特徴とする真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24568492A JPH0665722A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24568492A JPH0665722A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0665722A true JPH0665722A (ja) | 1994-03-08 |
Family
ID=17137280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24568492A Pending JPH0665722A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0665722A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000178728A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-27 | Olympus Optical Co Ltd | 光学薄膜の製造装置及び光学薄膜の製造方法 |
| US7820231B2 (en) | 2002-08-01 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus |
| WO2019149382A1 (en) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | Applied Materials, Inc. | Deposition apparatus for depositing evaporated material and methods therefor |
| JP2020164920A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
-
1992
- 1992-08-21 JP JP24568492A patent/JPH0665722A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000178728A (ja) * | 1998-12-18 | 2000-06-27 | Olympus Optical Co Ltd | 光学薄膜の製造装置及び光学薄膜の製造方法 |
| US7820231B2 (en) | 2002-08-01 | 2010-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus |
| WO2019149382A1 (en) * | 2018-02-05 | 2019-08-08 | Applied Materials, Inc. | Deposition apparatus for depositing evaporated material and methods therefor |
| JP2020164920A (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | キヤノントッキ株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6316343B1 (en) | Method of forming transparent conductive film and transparent conductive film formed by the method | |
| US5065697A (en) | Laser sputtering apparatus | |
| US4525381A (en) | Photochemical vapor deposition apparatus | |
| JPH0665722A (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPH0813143A (ja) | プラズマ処理方法及び処理装置 | |
| JPH10195639A (ja) | 有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機薄膜形成装置 | |
| JPH11222670A (ja) | 膜厚モニター及びこれを用いた成膜装置 | |
| JPH04228562A (ja) | 薄膜形成装置 | |
| KR100684739B1 (ko) | 유기물 증착장치 | |
| JP2004300495A (ja) | 蒸着マスク及びこれを用いた蒸着方法 | |
| JPH08134644A (ja) | 成膜装置 | |
| JP2004232050A (ja) | 蒸着用治具 | |
| JPH11279751A (ja) | イオンプレーティング装置およびその運転方法 | |
| JPH1150239A (ja) | Ｐｖｄ装置 | |
| KR20070051602A (ko) | 유기물 진공 증착 장치 | |
| JPH11279748A (ja) | イオンプレーティング装置 | |
| JP2625760B2 (ja) | 真空蒸着装置 | |
| US4187800A (en) | Device for manufacturing photosensitive screen | |
| JPH05295541A (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPH08165559A (ja) | 機能性フィルムの成膜装置及び成膜方法 | |
| JP2595805Y2 (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPS60162774A (ja) | 膜厚制御方法 | |
| JP2595804Y2 (ja) | 真空蒸着装置 | |
| JPS60187675A (ja) | 高周波プラズマ発生装置 | |
| JPH0532468B2 (ja) |