JPH08134644A - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置Info
- Publication number
- JPH08134644A JPH08134644A JP27642694A JP27642694A JPH08134644A JP H08134644 A JPH08134644 A JP H08134644A JP 27642694 A JP27642694 A JP 27642694A JP 27642694 A JP27642694 A JP 27642694A JP H08134644 A JPH08134644 A JP H08134644A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 蒸着源を備えた成膜装置であって、蒸着源の
状態を目視で監視しつつ、蒸着源等の制御、真空状態の
監視制御等を同時的に容易に行うことができ、それだけ
成膜制御を的確に行うことができる成膜装置を提供す
る。 【構成】 蒸着源３を備えた成膜装置において、蒸着源
３を監視するＣＣＤカメラ６と、カメラ６からの蒸着源
画像を目視するモニター６１とを備え、モニター６１を
成膜装置制御盤３１の操作位置からモニター画像監視可
能の範囲内に設置したことを特徴とする成膜装置。
状態を目視で監視しつつ、蒸着源等の制御、真空状態の
監視制御等を同時的に容易に行うことができ、それだけ
成膜制御を的確に行うことができる成膜装置を提供す
る。 【構成】 蒸着源３を備えた成膜装置において、蒸着源
３を監視するＣＣＤカメラ６と、カメラ６からの蒸着源
画像を目視するモニター６１とを備え、モニター６１を
成膜装置制御盤３１の操作位置からモニター画像監視可
能の範囲内に設置したことを特徴とする成膜装置。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、真空蒸着成膜装置や、
真空蒸着とイオンビーム照射とを併用する成膜装置等の
蒸着源を備えた成膜装置に関する。
真空蒸着とイオンビーム照射とを併用する成膜装置等の
蒸着源を備えた成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から様々の目的、用途のために各種
の成膜装置を用いて被成膜基体上に膜形成が行われてい
る。かかる成膜装置の代表的なものの一つに物質の真空
蒸着を利用した成膜装置がある。この種の成膜装置では
物質を蒸発させ被成膜基体に蒸着させるための蒸着源が
設けられている。
の成膜装置を用いて被成膜基体上に膜形成が行われてい
る。かかる成膜装置の代表的なものの一つに物質の真空
蒸着を利用した成膜装置がある。この種の成膜装置では
物質を蒸発させ被成膜基体に蒸着させるための蒸着源が
設けられている。
【０００３】このように蒸着源を備えた成膜装置とし
て、図２に示す装置を例示することができる。この装置
はチャンバ１を有し、チャンバ１内には被成膜基体Ｓを
支持するホルダ２及びこれに対向する位置に電子ビーム
蒸着源３が設置されている。基体ホルダ２付近には膜厚
モニター４が配置されている。チャンバ１には排気装置
５が付設されてチャンバ１内を所定の真空度にすること
ができる。また、チャンバ１壁には蒸着源３が見える位
置にのぞき窓１１が設けられている。また、チャンバ１
外には、蒸着源３に接続されて蒸着源３の制御操作を行
うための制御盤３１が設置されている。
て、図２に示す装置を例示することができる。この装置
はチャンバ１を有し、チャンバ１内には被成膜基体Ｓを
支持するホルダ２及びこれに対向する位置に電子ビーム
蒸着源３が設置されている。基体ホルダ２付近には膜厚
モニター４が配置されている。チャンバ１には排気装置
５が付設されてチャンバ１内を所定の真空度にすること
ができる。また、チャンバ１壁には蒸着源３が見える位
置にのぞき窓１１が設けられている。また、チャンバ１
外には、蒸着源３に接続されて蒸着源３の制御操作を行
うための制御盤３１が設置されている。
【０００４】この成膜装置によると、被成膜基体Ｓがホ
ルダ２に支持された後、チャンバ１内が排気装置５によ
り所定の真空度とされる。次いで、電子ビーム蒸着源３
より被処理基体Ｓに向けて物質蒸着が行われる。この
間、電子ビーム蒸着源３では、蒸発物質３ａの量及び形
状等に応じて該蒸発物質３ａに対して電子ビームを走査
させることで物質３ａを蒸発させるが、のぞき窓１１か
ら目視により蒸着源３を観察して、電子ビームによる走
査位置や幅を確認すると共に、蒸発物質３ａの残存量や
溶融状態を確認する。また、膜厚モニター４により基体
Ｓ上への物質３ａの蒸着量をモニターする。そしてこれ
らの状態に応じて制御盤３１の操作により、電子ビーム
による走査位置や幅を制御したり、蒸着源３のフィラメ
ントに流す電流量を調整して物質３ａの溶融状態を制御
したりする。
ルダ２に支持された後、チャンバ１内が排気装置５によ
り所定の真空度とされる。次いで、電子ビーム蒸着源３
より被処理基体Ｓに向けて物質蒸着が行われる。この
間、電子ビーム蒸着源３では、蒸発物質３ａの量及び形
状等に応じて該蒸発物質３ａに対して電子ビームを走査
させることで物質３ａを蒸発させるが、のぞき窓１１か
ら目視により蒸着源３を観察して、電子ビームによる走
査位置や幅を確認すると共に、蒸発物質３ａの残存量や
溶融状態を確認する。また、膜厚モニター４により基体
Ｓ上への物質３ａの蒸着量をモニターする。そしてこれ
らの状態に応じて制御盤３１の操作により、電子ビーム
による走査位置や幅を制御したり、蒸着源３のフィラメ
ントに流す電流量を調整して物質３ａの溶融状態を制御
したりする。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに蒸着源を備えた成膜装置を用いて、被成膜基体上に
真空蒸着を行うに当たっては、のぞき窓からの蒸着源の
状態監視だけでなく、膜厚モニターの監視、蒸着源の制
御操作、圧力計の監視と排気装置の制御操作等を並行し
て行わなければならない。さらに、蒸着源以外にイオン
源を備え、基体上への蒸着とイオン照射とを併用して成
膜する場合には、イオン源の制御操作等をも併せて行わ
なければならない。しかしこれらを一人の作業者が並行
して行うことは困難であるか、又はできない。何故な
ら、のぞき窓から蒸着源の状態を監視している間は、他
の監視や制御操作をし難い、或いは行えないからであ
る。特に、蒸着源やイオン源等の制御操作を行う制御盤
とチャンバ壁に設けられたのぞき窓との距離が大きい場
合には、この問題が顕著となり、蒸着源状態の目視によ
る監視と、蒸着源等の制御操作、真空状態等の監視と制
御などを同時的に、且つ、容易に行うことはできない。
うに蒸着源を備えた成膜装置を用いて、被成膜基体上に
真空蒸着を行うに当たっては、のぞき窓からの蒸着源の
状態監視だけでなく、膜厚モニターの監視、蒸着源の制
御操作、圧力計の監視と排気装置の制御操作等を並行し
て行わなければならない。さらに、蒸着源以外にイオン
源を備え、基体上への蒸着とイオン照射とを併用して成
膜する場合には、イオン源の制御操作等をも併せて行わ
なければならない。しかしこれらを一人の作業者が並行
して行うことは困難であるか、又はできない。何故な
ら、のぞき窓から蒸着源の状態を監視している間は、他
の監視や制御操作をし難い、或いは行えないからであ
る。特に、蒸着源やイオン源等の制御操作を行う制御盤
とチャンバ壁に設けられたのぞき窓との距離が大きい場
合には、この問題が顕著となり、蒸着源状態の目視によ
る監視と、蒸着源等の制御操作、真空状態等の監視と制
御などを同時的に、且つ、容易に行うことはできない。
【０００６】そこで本発明は、蒸着源を備えた成膜装置
であって、蒸着源の状態を目視で監視しつつ、蒸着源等
の制御、真空状態の監視制御等を同時的に容易に行うこ
とができ、それだけ成膜制御を的確に行うことができる
成膜装置を提供することを課題とする。
であって、蒸着源の状態を目視で監視しつつ、蒸着源等
の制御、真空状態の監視制御等を同時的に容易に行うこ
とができ、それだけ成膜制御を的確に行うことができる
成膜装置を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の蒸着源を備えた成膜装置は、該蒸着源を監視するＣ
ＣＤカメラ（電荷結合素子利用のカメラ）と、該カメラ
からの蒸着源画像を目視するモニターとを備え、該モニ
ターを成膜装置制御盤の操作位置からモニター画像監視
可能の範囲内に設置したことを特徴とする。
明の蒸着源を備えた成膜装置は、該蒸着源を監視するＣ
ＣＤカメラ（電荷結合素子利用のカメラ）と、該カメラ
からの蒸着源画像を目視するモニターとを備え、該モニ
ターを成膜装置制御盤の操作位置からモニター画像監視
可能の範囲内に設置したことを特徴とする。
【０００８】本発明における蒸着源を備えた成膜装置に
は真空蒸着による成膜装置、真空蒸着とイオン照射とを
併用する成膜装置（ＩＶＤ装置）等が含まれる。前記Ｃ
ＣＤカメラは、蒸着源を監視できるように蒸着源の近傍
（蒸着源が設置されている成膜チャンバ内でも、その外
側でもよい。）に配置することが考えられるが、成膜チ
ャンバ内に配置するようなときは、監視を行わないとき
に蒸発粒子から該カメラを保護するために、蒸着源とカ
メラとの間に開閉可能な遮蔽板（シャッター）を設ける
ことができる。
は真空蒸着による成膜装置、真空蒸着とイオン照射とを
併用する成膜装置（ＩＶＤ装置）等が含まれる。前記Ｃ
ＣＤカメラは、蒸着源を監視できるように蒸着源の近傍
（蒸着源が設置されている成膜チャンバ内でも、その外
側でもよい。）に配置することが考えられるが、成膜チ
ャンバ内に配置するようなときは、監視を行わないとき
に蒸発粒子から該カメラを保護するために、蒸着源とカ
メラとの間に開閉可能な遮蔽板（シャッター）を設ける
ことができる。
【０００９】前記ＣＣＤカメラにより得られる画像を写
すモニターは、代表的には成膜装置の制御盤に組み込ま
れていることが考えられる。
すモニターは、代表的には成膜装置の制御盤に組み込ま
れていることが考えられる。
【００１０】
【作用】本発明の成膜装置によると、蒸着源状態を監視
するＣＣＤカメラが設けられ、該カメラからの画像を目
視するモニターが成膜装置制御盤操作位置からモニター
画像監視可能の範囲内に配置されているから、たとえ一
人の作業者でも、蒸着源状態を監視しつつ、蒸着源等の
制御等を容易に行える。
するＣＣＤカメラが設けられ、該カメラからの画像を目
視するモニターが成膜装置制御盤操作位置からモニター
画像監視可能の範囲内に配置されているから、たとえ一
人の作業者でも、蒸着源状態を監視しつつ、蒸着源等の
制御等を容易に行える。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。図１は本発明の１実施例である真空蒸着成膜装置
であり、図２に示す従来装置において、電子ビーム蒸着
源３付近にＣＣＤカメラ６が設置され、ＣＣＤカメラ６
と蒸着源３の間にＣＣＤカメラ６を覆うだけの大きさを
有する遮蔽板７が設けられているものである。遮蔽板７
は、回転軸７１に連結支持されており、軸７１を図示し
ない駆動手段で回すことにより遮蔽板７を回動させてＣ
ＣＤカメラを露出させたり、覆ったりすることができ
る。また、ＣＣＤカメラ６のモニター６１は、蒸着源３
等を制御操作でき、チャンバ内圧を監視する圧力計等が
付設された成膜装置の制御盤３１に組み込まれている。
チャンバ１壁にはのぞき窓は設けられていない。その他
の構成は図２の装置と同様であり、同じ部品には同じ参
照符号を付してある。
する。図１は本発明の１実施例である真空蒸着成膜装置
であり、図２に示す従来装置において、電子ビーム蒸着
源３付近にＣＣＤカメラ６が設置され、ＣＣＤカメラ６
と蒸着源３の間にＣＣＤカメラ６を覆うだけの大きさを
有する遮蔽板７が設けられているものである。遮蔽板７
は、回転軸７１に連結支持されており、軸７１を図示し
ない駆動手段で回すことにより遮蔽板７を回動させてＣ
ＣＤカメラを露出させたり、覆ったりすることができ
る。また、ＣＣＤカメラ６のモニター６１は、蒸着源３
等を制御操作でき、チャンバ内圧を監視する圧力計等が
付設された成膜装置の制御盤３１に組み込まれている。
チャンバ１壁にはのぞき窓は設けられていない。その他
の構成は図２の装置と同様であり、同じ部品には同じ参
照符号を付してある。
【００１２】この成膜装置によると、被成膜基体Ｓがホ
ルダ２に支持された後、チャンバ１内が排気装置５によ
り所定の真空度とされる。次いで、電子ビーム蒸着源３
より基体Ｓに向けて物質３ａの蒸着が行われる。この
間、必要に応じて、遮蔽板７を軸７１を中心として回動
回転させることでＣＣＤカメラ６を露出して蒸着源３を
撮影し、制御盤３１に組み込まれたモニター６１で電子
ビームによる走査位置や幅、蒸発物質３ａの残存量や溶
融状態等を観察する。蒸着源３を監視しないときには遮
蔽板７によりＣＣＤカメラ６を覆っておく。このように
して蒸着源３の状態を監視しつつ、蒸着源３の状態に応
じて制御盤３１を操作して、蒸着源３の電子ビームによ
る走査位置や幅を制御したり、蒸着源３のフィラメント
に流す電流量を調整して物質３ａの溶融状態を制御した
りする。
ルダ２に支持された後、チャンバ１内が排気装置５によ
り所定の真空度とされる。次いで、電子ビーム蒸着源３
より基体Ｓに向けて物質３ａの蒸着が行われる。この
間、必要に応じて、遮蔽板７を軸７１を中心として回動
回転させることでＣＣＤカメラ６を露出して蒸着源３を
撮影し、制御盤３１に組み込まれたモニター６１で電子
ビームによる走査位置や幅、蒸発物質３ａの残存量や溶
融状態等を観察する。蒸着源３を監視しないときには遮
蔽板７によりＣＣＤカメラ６を覆っておく。このように
して蒸着源３の状態を監視しつつ、蒸着源３の状態に応
じて制御盤３１を操作して、蒸着源３の電子ビームによ
る走査位置や幅を制御したり、蒸着源３のフィラメント
に流す電流量を調整して物質３ａの溶融状態を制御した
りする。
【００１３】これにより作業者は、制御盤３１の前で蒸
着源３の監視とその制御を容易に並行して行うことがで
き、その結果、基体Ｓ上への物質蒸着を的確に行うこと
ができる。また、チャンバ１と制御盤３１とを大きく離
して配置することもでき、設備配置の自由度が広がる。
なお、ここではチャンバ１内にＣＣＤカメラ６を設置し
たが、のぞき窓を設けたチャンバ１外にＣＣＤカメラ６
を設置し、該のぞき窓から蒸着源３を撮影してもよい。
着源３の監視とその制御を容易に並行して行うことがで
き、その結果、基体Ｓ上への物質蒸着を的確に行うこと
ができる。また、チャンバ１と制御盤３１とを大きく離
して配置することもでき、設備配置の自由度が広がる。
なお、ここではチャンバ１内にＣＣＤカメラ６を設置し
たが、のぞき窓を設けたチャンバ１外にＣＣＤカメラ６
を設置し、該のぞき窓から蒸着源３を撮影してもよい。
【００１４】また、ここでは真空蒸着成膜装置について
説明したが、真空蒸着とイオン源によるイオン照射とを
併用する成膜装置（ＩＶＤ装置）にも本発明を適用で
き、蒸着源状態を監視しつつ、蒸着源、イオン源等の制
御操作を行える。本発明は蒸着源を備えた各種成膜装置
に適用できる。
説明したが、真空蒸着とイオン源によるイオン照射とを
併用する成膜装置（ＩＶＤ装置）にも本発明を適用で
き、蒸着源状態を監視しつつ、蒸着源、イオン源等の制
御操作を行える。本発明は蒸着源を備えた各種成膜装置
に適用できる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によると、蒸着源を備えた成膜装
置であって、蒸着源の状態を目視で監視しつつ、蒸着源
等の制御、真空状態の監視制御等を同時的に容易に行う
ことができ、それだけ成膜制御を的確に行うことができ
る成膜装置を提供することができる。
置であって、蒸着源の状態を目視で監視しつつ、蒸着源
等の制御、真空状態の監視制御等を同時的に容易に行う
ことができ、それだけ成膜制御を的確に行うことができ
る成膜装置を提供することができる。
【００１６】また本発明によると、蒸着源状態の監視
と、蒸着源の制御等とを共に成膜チャンバから離れた位
置からでも行えるので、それだけ設備配置の自由度が広
がる。
と、蒸着源の制御等とを共に成膜チャンバから離れた位
置からでも行えるので、それだけ設備配置の自由度が広
がる。
【図１】本発明の１実施例である成膜装置の概略構成を
示す図である。
示す図である。
【図２】従来の成膜装置例の概略構成を示す図である。
１ チャンバ １１ のぞき窓 ２ 基体ホルダ ３ 蒸着源 ３１ 蒸着源３の制御盤 ３ａ 蒸発物質 ４ 膜厚モニター ５ 排気装置 ６ ＣＣＤカメラ ６１ ＣＣＤカメラ６のモニター ７ シャッター ７１ 回転軸 Ｓ 被成膜基体
Claims (1)
- 【請求項１】 蒸着源を備えた成膜装置において、該蒸
着源を監視するＣＣＤカメラと、該カメラからの蒸着源
画像を目視するモニターとを備え、該モニターを成膜装
置制御盤の操作位置からモニター画像監視可能の範囲内
に設置したことを特徴とする成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27642694A JPH08134644A (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27642694A JPH08134644A (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | 成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08134644A true JPH08134644A (ja) | 1996-05-28 |
Family
ID=17569252
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27642694A Withdrawn JPH08134644A (ja) | 1994-11-10 | 1994-11-10 | 成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08134644A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6535628B2 (en) * | 1998-10-15 | 2003-03-18 | Applied Materials, Inc. | Detection of wafer fragments in a wafer processing apparatus |
| JP2009275244A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Ulvac Japan Ltd | 金属酸化膜の蒸着方法及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP2012207310A (ja) * | 2012-07-13 | 2012-10-25 | Ulvac Japan Ltd | 金属酸化膜の蒸着方法及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP2013204139A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Nec Corp | 真空蒸着装置および真空蒸着方法 |
| KR101530033B1 (ko) * | 2013-12-05 | 2015-06-19 | 주식회사 에스에프에이 | 박막 증착 장치 |
| CN108431294A (zh) * | 2016-12-12 | 2018-08-21 | 应用材料公司 | 用于在基板上沉积材料的设备、用于在基板上沉积一个或多个层的系统和用于监视真空沉积系统的方法 |
| KR20220080811A (ko) * | 2020-12-07 | 2022-06-15 | (주)씨엠디엘 | 열안정성 평가 장치용 카메라 셔터 유닛 및 이를 갖는 열안정성 평가 장치 |
-
1994
- 1994-11-10 JP JP27642694A patent/JPH08134644A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6535628B2 (en) * | 1998-10-15 | 2003-03-18 | Applied Materials, Inc. | Detection of wafer fragments in a wafer processing apparatus |
| JP2009275244A (ja) * | 2008-05-13 | 2009-11-26 | Ulvac Japan Ltd | 金属酸化膜の蒸着方法及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| JP2013204139A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Nec Corp | 真空蒸着装置および真空蒸着方法 |
| JP2012207310A (ja) * | 2012-07-13 | 2012-10-25 | Ulvac Japan Ltd | 金属酸化膜の蒸着方法及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| KR101530033B1 (ko) * | 2013-12-05 | 2015-06-19 | 주식회사 에스에프에이 | 박막 증착 장치 |
| CN108431294A (zh) * | 2016-12-12 | 2018-08-21 | 应用材料公司 | 用于在基板上沉积材料的设备、用于在基板上沉积一个或多个层的系统和用于监视真空沉积系统的方法 |
| JP2019503431A (ja) * | 2016-12-12 | 2019-02-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 基板上に材料を堆積する装置、基板上に１つ以上の層を堆積するシステム、及び真空堆積システムをモニタする方法 |
| KR20220080811A (ko) * | 2020-12-07 | 2022-06-15 | (주)씨엠디엘 | 열안정성 평가 장치용 카메라 셔터 유닛 및 이를 갖는 열안정성 평가 장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |