JP2013204139A - 真空蒸着装置および真空蒸着方法 - Google Patents

真空蒸着装置および真空蒸着方法 Download PDF

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Abstract

【課題】半導体ウェハなどの蒸着ターゲットの表面に、金属材料などの蒸着材を略過不足なく蒸着することができる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供する。
【解決手段】真空蒸着装置による真空蒸着方法では、加熱された液状の蒸着材MTを略水平方向に回転させて液面MSを所定の放物面状とし、蒸着材MTの減少に対応して回転速度を低下させることで、蒸着ターゲットSBの下面に分子線を経時的に均等に飛翔させる。
【選択図】図1

Description

本発明は、平面形状が円形の半導体ウェハなどの蒸着ターゲットの表面に、金属材料などの蒸着材を蒸着する真空蒸着装置および真空蒸着方法に関する。
平面形状が円形の半導体ウェハなどの蒸着ターゲットの表面に、金属材料などの蒸着材を蒸着する場合、真空蒸着装置が利用されている。一般的な真空蒸着装置は、真空チャンバ、ターゲット保持機構、材料収容容器であるルツボ、材料加熱手段であるヒータ、を有する。
真空チャンバは、蒸着ターゲットと蒸着材とが位置する内部空間を真空とする。ターゲット保持機構は、下面が蒸着されるシリコンウェハなどの蒸着ターゲットを保持する。ルツボは、上面開口の材料収容凹部が形成されており、そこに金属などの蒸着材を収容する。ヒータは、収容された蒸着材を液状に加熱することで液面から略直角に分子線を飛翔させる。
このような真空蒸着装置による真空蒸着方法では、真空チャンバの真空の内部空間で、ルツボに収容された蒸着材が材料加熱手段で加熱されて液状とされる。この加熱されて液状となった蒸着材の液面から略直角に分子線が飛翔するので、この飛翔する分子線で蒸着ターゲットが蒸着される(例えば、特許文献1〜4参照)。
上述のような真空蒸着装置では、真空チャンバの内部上方に蒸着ターゲットを保持し、その下方にルツボが上面開口の状態で設置されている。図7に示すように、そのルツボに収容された蒸着材は、水平な液面から直角に分子線を飛翔させる。
特開平03−240948号公報 実開平02−115560号公報 特開昭60−135566号公報 特開昭60−092470号公報
上述のような真空蒸着装置による真空蒸着方法では、平面形状が円形の半導体ウェハなどの蒸着ターゲットの表面に、金属材料などの蒸着材を蒸着することができる。しかし、実際に上述のような真空蒸着装置による真空蒸着方法では、蒸着ターゲットの周囲の真空チャンバの内面にも蒸着材が付着する。
これは、加熱されて液状となった蒸着材の液面から飛翔する分子線が、液面と直角な方向だけでなく周囲にも飛散することに起因する。このため、蒸着ターゲットの下面に衝突する分子線の密度は、図8に示すように、中央ほど高いガウス分布状となる。従って、蒸着材が無駄に消費されることになり、蒸着に必要な時間も増大する。
例えば、特許文献1〜4に記載されている真空蒸着装置では、ルツボを回転させて液面を放物面状にする。このため、飛翔する分子線を蒸着ターゲットの下面に集中させることができる。
しかし、特許文献1〜4に記載されている真空蒸着装置では、ルツボに収容されている蒸着材が消費されると液面が低下するため、蒸着ターゲットの下面に分子線を経時的に均等に飛翔させることが困難となる。
本発明は上述のような課題に鑑みてなされたものであり、半導体ウェハなどの蒸着ターゲットの表面に、金属材料などの蒸着材を経時的に均等に飛翔させることができる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供するものである。
本発明の真空蒸着装置は、蒸着材と蒸着ターゲットとが位置する内部空間を真空とする真空チャンバと、上記真空チャンバの上方に上記蒸着ターゲットの蒸着される下面を位置させるターゲット保持機構と、上記蒸着ターゲットの下方で上面開口の材料収容凹部に上記蒸着材を収容する材料収容容器と、上記材料収容容器の外面と対向する位置に固定されていて上記蒸着材を液状に加熱することで液面から略直角に分子線を飛翔させる材料加熱手段と、加熱された液状の上記蒸着材を略水平方向に回転させて上記液面を所定の放物面状にすることで上記蒸着ターゲットの下面に上記分子線を円錐状に略過不足なく飛翔させる材料回転手段と、を有し、上記材料回転手段は、収容されている上記蒸着材の減少に対応して上記材料収容容器の回転速度を低下させる。
本発明の真空蒸着方法は、蒸着材と蒸着ターゲットとが位置する真空チャンバの内部空間を真空とし、材料収容容器の上面開口の材料収容凹部に上記蒸着材を収容し、材料加熱手段の外面に対向する位置に固定されている材料加熱手段で上記蒸着材を液状に加熱することで液面から略直角に分子線を飛翔させ、加熱された液状の上記蒸着材を材料回転手段で略水平方向に回転させて上記液面を所定の放物面状とし、飛翔する上記分子線で形成される円錐状の範囲にターゲット保持機構で上記蒸着ターゲットの蒸着される下面を位置させ、収容されている上記蒸着材の減少に対応して上記材料収容容器の回転速度を低下させる。
なお、本発明の各種の構成要素は、必ずしも個々に独立した存在である必要はなく、複数の構成要素が一個の部材として形成されていること、一つの構成要素が複数の部材で形成されていること、ある構成要素が他の構成要素の一部であること、ある構成要素の一部と他の構成要素の一部とが重複していること、等でもよい。
また、本発明の真空蒸着方法は、複数の動作を順番に記載してあるが、その記載の順番は複数の動作を実行する順番を限定するものではない。このため、本発明の真空蒸着方法を実施するときには、その複数の動作の順番は内容的に支障しない範囲で変更することができる。
さらに、本発明の真空蒸着方法は、複数の動作が個々に相違するタイミングで実行されることに限定されない。このため、ある動作の実行中に他の動作が発生すること、ある動作の実行タイミングと他の動作の実行タイミングとの一部ないし全部が重複していること、等でもよい。
本発明の真空蒸着装置による真空蒸着方法では、加熱された液状の蒸着材を略水平方向に回転させて液面を所定の放物面状にし、収容されている蒸着材の減少に対応して材料収容容器の回転速度を低下させることで、蒸着ターゲットの下面に分子線を円錐状に略過不足なく経時的に均等に飛翔させる。このため、半導体ウェハなどの蒸着ターゲットの表面に、金属材料などの蒸着材を略過不足なく蒸着することができる。
本発明の実施の形態の真空蒸着装置による真空蒸着方法を示す模式図である。 真空蒸着装置の内部構造を示す模式的な縦断正面図である。 真空蒸着装置の内部構造を示す模式的な縦断正面図である。 真空蒸着装置の内部構造を示す模式的な縦断正面図である。 真空蒸着装置の内部構造を示す模式的な縦断正面図である。 一変形例の真空蒸着装置の内部構造を示す模式的な縦断正面図である。 現在の真空蒸着装置による真空蒸着方法を示す模式図である。 ルツボ半径と分子線密度との関係を示す特性図である。
本発明の実施の一形態に関して図1ないし図4を参照して以下に説明する。本実施の形態の真空蒸着装置100は、図2ないし図4に示すように、真空チャンバ110と、ターゲット保持機構120と、材料収容容器であるルツボ130と、材料加熱手段である円筒ヒータ140と、材料回転機構150と、を有する。
より詳細には、真空チャンバ110は、例えば、真空ポンプ(図示せず)が配管された密閉容器からなり、蒸着材MTと蒸着ターゲットSBとが位置する内部空間ISを真空とする。ターゲット保持機構120は、真空チャンバ110の上方に蒸着ターゲットSBを着脱自在に保持するチャック機構などからなり、蒸着ターゲットSBの蒸着される円状の下面を所定位置に配置する。
ルツボ130は、円筒状に形成されており、蒸着ターゲットSBの下方で平面形状が円状の上面開口の材料収容凹部131に金属材料などの蒸着材MTを収容する。円筒ヒータ140は、円筒状のルツボ130の外周面と対向する円筒形に形成されて固定されており、伝熱器の輻射熱によりルツボ130とともに蒸着材MTを加熱する。
図1に示すように、この加熱により液状となった蒸着材MTの液面MSから略直角に分子線が飛翔する。材料回転機構150は、電動モータなどの駆動源(図示せず)、駆動軸151、シール軸支機構152、回転ステージ153、等を有している。
駆動源は真空チャンバ110の外部に配置されており、その駆動軸151が真空チャンバ110の底板を貫通している。ただし、この真空チャンバ110の底板にはシール軸支機構152が装着されており、このシール軸支機構152で軸支されることで駆動軸151は真空チャンバ110の真空を阻害することなく回転自在となっている。
回転ステージ153は、外周部が上方に立設した円盤状に形成されており、真空チャンバ110の内部下方で駆動軸151の上端に支持されている。回転ステージ153は、ルツボ130を着脱自在に支持する。
このため、材料回転機構150は、図3に示すように、ルツボ130とともに加熱された液状の蒸着材MTを水平方向に回転させて液面MSを所定の放物面状にすることで、図1に示すように、蒸着ターゲットSBの下面に分子線を円錐状に略過不足なく飛翔させる。
さらに、本実施の形態の真空蒸着装置100では、材料回転機構150は、収容されている蒸着材MTの減少に対応してルツボ130の回転速度を低下させる。このため、ルツボ130に収容されている蒸着材MTの残量を検出する残量検出手段として、ルツボ130に収容されている蒸着材MTの重量から残量を検出する重量計(図示せず)も有する。
さらに、本実施の形態の真空蒸着装置100は、図2ないし図4に示すように、ルツボカバー160と、カバー変位機構161と、も有する。ルツボカバー160は、円盤状に形成されており、ルツボ130の上面開口を閉止する。
カバー変位機構161は、ルツボカバー160を水平方向に回動自在に支持しており、図2および図4に示すように、ルツボ130の上面開口を閉止する位置と開放する位置とにルツボカバー160を変位させる。
上述のような構成において、本実施の形態の真空蒸着装置100による真空蒸着方法では、真空チャンバ110を開放するとともにルツボカバー160も開放させ、ルツボ130に蒸着材MTを収容するとともに、ターゲット保持機構120に蒸着ターゲットSBを保持させる(図示せず)。
つぎに、図2に示すように、ルツボ130の上面開口をルツボカバー160に閉止させ、真空チャンバ110を密閉して内部空間ISを真空とする。このとき、真空チャンバ110の上方には蒸着ターゲットSBが位置することになり、この蒸着ターゲットSBの蒸着される下面の下方にルツボ130が位置することになる。
このような状態で、ルツボ130の外面に対向する位置に固定されている円筒ヒータ140で蒸着材MTを加熱して液状とする。このとき、加熱により液状となった蒸着材MTの液面MSから略直角に分子線が飛翔するが、これはルツボカバー160に遮断されて蒸着ターゲットSBまで到達することはない。
このような状態で、材料回転機構150でルツボ130とともに液状の蒸着材MTを水平方向に回転させることで、図1および図3に示すように、その液面MSを所定の放物面状とする。このような状態で、図4に示すように、ルツボカバー160を変位させてルツボ130の上面開口を開放する。
すると、このルツボ130に収容されている液状の蒸着材MTの液面MSが所定の放物面状となっているので、図1に示すように、蒸着ターゲットSBの下面に分子線が円錐状に略過不足なく飛翔する。
このため、本実施の形態の真空蒸着装置100では、平面形状が円形の半導体ウェハなどの蒸着ターゲットSBの表面に、金属材料などの蒸着材MTを略過不足なく均一な膜厚に蒸着することができる。従って、蒸着材MTが無駄に消費されることがなく、蒸着の所用時間を短縮することができる。
上述のように液状の蒸着材MTを水平方向に回転させて液面MSを所定の放物面状とすることは、
Y={(X×ω)/2g}+C
と表現される。
さらに、液面MSの任意の半径位置は、
θ=tan−1{(X×ω)/g}
と表現される。
蒸着ターゲットSBの蒸着材MTが蒸着される範囲は、液面MSと蒸着ターゲットSBの下面との距離Ltと、蒸着材MTの回転速度と、に比例し、
rt=X−(Lt−Y)×tanθ
と表現される。
なお、前記の各式の、Yは液面MSの高度、Xは液面MSの半径、ωは蒸着材MTの角速度、gは重力加速度、Cは液面MSの中心の高度、θは液面MSの角度、Ltは液面MSと蒸着ターゲットSBの下面との距離、rtは蒸着ターゲットSBでの蒸着範囲、である。
このため、本実施の形態の真空蒸着装置100では、材料回転機構150は、ルツボ130の回転速度を変化させることができ、ターゲット保持機構120は、各種直径の蒸着ターゲットSBを着脱自在に保持できるように形成されている。
そこで、材料回転機構150は、蒸着ターゲットSBの直径の拡大に対応して蒸着材MTの回転速度を低下させる。従って、図1(b)に示すように、蒸着材MTの液面MSの放物面の曲率を低下させることにより、蒸着ターゲットSBの直径が拡大しても、その下面に蒸着材MTの分子線を略過不足なく円錐状に飛翔させて蒸着することができる。
なお、このような真空蒸着装置100は、例えば、ターゲット保持機構120の位置を検出して材料回転機構150の回転速度を制御することや、蒸着ターゲットSBの直径の入力操作に対応して材料回転機構150の回転速度を制御することなどで実現される。
さらに、本実施の形態の真空蒸着装置100は、ルツボ130に収容されている蒸着材MTの残量を重量で測定し、この蒸着材MTの減少による液面MSの低下に対応して回転速度を低下させる。
従って、図1(b)に示すように、蒸着材MTの減少により液面MSが低下しても、蒸着材MTの液面MSの放物面の曲率を低下させることにより、蒸着ターゲットSBの下面に蒸着材MTの分子線を略過不足なく円錐状に飛翔させて経時的に均等に蒸着することができる。
なお、このような真空蒸着装置100は、例えば、ルツボ130に投入する蒸着材MTの容量の入力操作に対応して材料回転機構150の回転速度を初期設定することや、ルツボ130に収容されている蒸着材MTの重量を検出して材料回転機構150の回転速度を制御することや、ルツボ130に収容されている蒸着材MTの液面MSの位置を検出して材料回転機構150の回転速度を制御することなどで実現される。
なお、前述した特許文献3,4にも、ルツボを回転させて蒸着材の液面を変形させることが開示されている。しかし、本実施の形態の真空蒸着装置100のように、液状の蒸着材MTを水平方向に回転させて液面MSを所定の放物面状とし、この放物面状の液面MSから略直角に飛翔する分子線を円錐状として円状の蒸着ターゲットSBに略過不足なく蒸着させることは、前述した特許文献3,4には示唆すら記載されていない。
しかも、本実施の形態の真空蒸着装置100では、ルツボ130の上面開口をルツボカバー160で閉止し、ルツボ130の上面開口を閉止する位置と開放する位置とにルツボカバー160をカバー変位機構161で変位させる。
その場合、加熱された液状の蒸着材MTの液面MSが所定の放物面状となってから、カバー変位機構161がルツボカバー160を閉止位置から開放位置に変位させる。このため、蒸着材MTの液面MSが所定の放物面状となっていない状態で分子線が蒸着ターゲットSBに飛翔することを防止できる。従って、蒸着ターゲットSBの下面に蒸着材MTの分子線を略過不足なく円錐状に飛翔させて蒸着することができる。
さらに、材料回転機構150は、ルツボ130が載置される回転ステージ153を回転駆動する。このため、複数種類の蒸着材MTごとに複数のルツボ130を個々に用意しておいて交換することができ、複数種類の蒸着材MTの混入を防止することができる。
しかも、伝熱器の輻射熱で蒸着材MTを加熱する円筒ヒータ140が、円筒形のルツボ130の外周面と対向する位置に固定されている。このため、ルツボ130とともに円筒ヒータ140を回転駆動する必要がない。
さらに、円筒ヒータ140が回転ステージ153を介してルツボ130の底部を加熱することもない。従って、ルツボ130に収容された蒸着材MTを、簡単な構造の円筒ヒータ140で効率的に加熱することができる。
また、本実施の形態の真空蒸着装置100では、円筒ヒータ140による加熱により液状となってから、材料回転機構150がルツボ130とともに蒸着材MTを回転させる。このため、分子線を飛翔しない固形の蒸着材MTを無駄に回転させることがなく、真空蒸着装置100の消費電力を低減することができる。
さらに、本実施の形態の真空蒸着装置100では、蒸着ターゲットSB、ルツボ130、円筒ヒータ140、等の平面形状が円形なので、蒸着材MTを最良の効率で使用することができる。
なお、本発明は本実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。例えば、重量計でルツボ130に収容されている蒸着材MTの重量から残量を検出し、この検出された蒸着材MTの残量に対応してルツボ130の回転速度を低下させることを例示した。
しかし、ルツボ130に収容されている蒸着材MTの液面の位置から残量を検出し、この検出された蒸着材MTの残量に対応してルツボ130の回転速度を低下させてもよい。この場合、例えば、レーザ測距計(図示せず)などにより蒸着材MTの液面の位置を非接触に検出すればよい。
また、上記形態では円筒形の回転するルツボ130の外周面と対向する位置に、蒸着材MTを輻射熱で加熱する伝熱器の円筒ヒータ140が固定されていることを例示した。しかし、図6に例示する真空蒸着装置200のように、ルツボ130に収容されている蒸着材MTにレーザ光を照射して加熱するレーザ光源210を材料加熱手段としてもよい。この場合、やはりレーザ光源210を固定してルツボ130と回転させる必要がないので構造が簡単である。
なお、真空蒸着装置100と同様にルツボ130の上面開口をルツボカバー160で閉止する場合には、図示するように、ルツボカバー160にレーザ光を通過させる窓部162を形成しておくとよい。
また、ルツボ130または蒸着材MTを高周波で加熱する高周波熱源を材料加熱手段としてもよい(図示せず)。さらに、伝熱器や高周波熱源からなる材料加熱手段を回転ステージ153やルツボ130と一体に形成してもよい。
また、上記形態の真空蒸着装置100では、加熱された液状の蒸着材MTの液面MSが所定の放物面状となってから、カバー変位機構161がルツボカバー160を閉止位置から開放位置に変位させることを例示した。
しかし、円筒ヒータ140による加熱とともに材料回転機構150が蒸着材MTを回転させてもよい。この場合、加熱される蒸着材MTが撹拌されて迅速に液状となるので、蒸着の所用時間を短縮することができる。
さらに、上記形態の真空蒸着装置100では、ルツボ130の上面開口をルツボカバー160で開閉することを例示したが、このようなルツボカバー160を省略してもよい。また、ルツボカバー160を加熱するカバー加熱機構(図示せず)を有してもよい。この場合、ルツボカバー160の下面に蒸着材MTが蒸着されることを抑制できるので、蒸着材MTが無駄に消費されることを削減することができる。
また、上記形態の真空蒸着装置100では、蒸着ターゲットSB、ルツボ130、円筒ヒータ140、等の平面形状が円形なので、蒸着材MTを最良の効率で使用することを例示した。しかし、蒸着ターゲット、ルツボ、ヒータ、等の平面形状が円形でなくともよい(図示せず)。
100 真空蒸着装置
110 真空チャンバ
120 ターゲット保持機構
130 材料収容容器であるルツボ
131 材料収容凹部
140 材料加熱手段である円筒ヒータ
150 材料回転機構
151 回転ステージ
160 ルツボカバー
161 カバー変位機構
162 カバー加熱機構
IS 内部空間
MS 液面
MT 蒸着材
SB 蒸着ターゲット

Claims (6)

  1. 蒸着材と蒸着ターゲットとが位置する内部空間を真空とする真空チャンバと、
    前記真空チャンバの上方に前記蒸着ターゲットの蒸着される下面を位置させるターゲット保持機構と、
    前記蒸着ターゲットの下方で上面開口の材料収容凹部に前記蒸着材を収容する材料収容容器と、
    前記材料収容容器の外面と対向する位置に固定されていて前記蒸着材を液状に加熱することで液面から略直角に分子線を飛翔させる材料加熱手段と、
    加熱された液状の前記蒸着材を略水平方向に回転させて前記液面を所定の放物面状にすることで前記蒸着ターゲットの下面に前記分子線を円錐状に略過不足なく飛翔させる材料回転手段と、を有し、
    前記材料回転手段は、収容されている前記蒸着材の減少に対応して前記材料収容容器の回転速度を低下させる、
    真空蒸着装置。
  2. 前記材料収容容器に収容されている前記蒸着材の残量を検出する残量検出手段も有し、
    前記材料回転手段は、検出された前記蒸着材の残量に対応して回転速度を低下させる、請求項1に記載の真空蒸着装置。
  3. 前記残量検出手段は、前記材料収容容器に収容されている前記蒸着材の重量から残量を検出する、請求項2に記載の真空蒸着装置。
  4. 前記残量検出手段は、前記材料収容容器に収容されている前記蒸着材の液面の位置から残量を検出する、請求項2に記載の真空蒸着装置。
  5. 前記材料回転手段は、前記蒸着ターゲットの拡大に対応して前記蒸着材の回転速度を低下させる、請求項1ないし4の何れか一項に記載の真空蒸着装置。
  6. 蒸着材と蒸着ターゲットとが位置する真空チャンバの内部空間を真空とし、
    材料収容容器の上面開口の材料収容凹部に前記蒸着材を収容し、
    材料加熱手段の外面に対向する位置に固定されている材料加熱手段で前記蒸着材を液状に加熱することで液面から略直角に分子線を飛翔させ、
    加熱された液状の前記蒸着材を材料回転手段で略水平方向に回転させて前記液面を所定の放物面状とし、
    飛翔する前記分子線で形成される円錐状の範囲にターゲット保持機構で前記蒸着ターゲットの蒸着される下面を位置させ、
    収容されている前記蒸着材の減少に対応して前記材料収容容器の回転速度を低下させる、真空蒸着方法。
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