JP2959023B2 - イオンビームスパッタ装置 - Google Patents
イオンビームスパッタ装置Info
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- JP2959023B2 JP2959023B2 JP4283690A JP4283690A JP2959023B2 JP 2959023 B2 JP2959023 B2 JP 2959023B2 JP 4283690 A JP4283690 A JP 4283690A JP 4283690 A JP4283690 A JP 4283690A JP 2959023 B2 JP2959023 B2 JP 2959023B2
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- Japan
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- substrate
- vacuum chamber
- top plate
- ion beam
- beam sputtering
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はイオンビームスパッタ装置に関する。
基板上に原子層オーダーの膜厚制御を行いながらイオ
ンビームスパッタ法により物質を積層させて薄膜を形成
するにあたっては、スパッタ粒子の経路の開閉をシャッ
ターにより行う必要がある。また、試料作製中もしくは
作製後、真空を破らずに試料の結晶性を見るのに有効な
方法としてRHEED（反射高速電子線回折）があり、最近
盛んに用いられている。試料作製の際にはシャッターを
経由せずに基板上にスパッタ粒子が付着すること、ま
た、スパッタ粒子以外のアルゴンやスパッタされた真空
槽内壁からの粒子等が基板上に付着することを防ぐ必要
がある。
ンビームスパッタ法により物質を積層させて薄膜を形成
するにあたっては、スパッタ粒子の経路の開閉をシャッ
ターにより行う必要がある。また、試料作製中もしくは
作製後、真空を破らずに試料の結晶性を見るのに有効な
方法としてRHEED（反射高速電子線回折）があり、最近
盛んに用いられている。試料作製の際にはシャッターを
経由せずに基板上にスパッタ粒子が付着すること、ま
た、スパッタ粒子以外のアルゴンやスパッタされた真空
槽内壁からの粒子等が基板上に付着することを防ぐ必要
がある。
従来のこの種のイオンビームスパッタ装置について図
面を参照して説明する。第３図において真空槽１はカウ
フマン型イオン源４を装備しており、イオン源４により
ターゲット７をスパッタする。スパッタされた粒子7aは
天板13で発散視野が制限され、シャッター８および水晶
振動子膜厚計９により膜厚をモニターしながらシャッタ
ー８の開閉により基板２上に薄膜が形成される。３はヒ
ータ、10は電子銃、11はスクリーン、５は真空ポンプ、
６はゲートバルブである。この種のイオンビームスパッ
タ装置においては天板13と真空槽１の間に隙間があるた
めに漏洩する粒子7bが基板上に飛来する。
面を参照して説明する。第３図において真空槽１はカウ
フマン型イオン源４を装備しており、イオン源４により
ターゲット７をスパッタする。スパッタされた粒子7aは
天板13で発散視野が制限され、シャッター８および水晶
振動子膜厚計９により膜厚をモニターしながらシャッタ
ー８の開閉により基板２上に薄膜が形成される。３はヒ
ータ、10は電子銃、11はスクリーン、５は真空ポンプ、
６はゲートバルブである。この種のイオンビームスパッ
タ装置においては天板13と真空槽１の間に隙間があるた
めに漏洩する粒子7bが基板上に飛来する。
従来のイオンビームスパッタ装置は真空槽と天板との
間に隙間があり、そこからスパッタ粒子、アルゴン等が
漏洩して基板上に付着するのを防ぐことができず、基板
上の薄膜品質を低下させるという欠点があった。
間に隙間があり、そこからスパッタ粒子、アルゴン等が
漏洩して基板上に付着するのを防ぐことができず、基板
上の薄膜品質を低下させるという欠点があった。
本発明の目的は前記天板と真空槽との間の隙間から漏
洩するスパッタ粒子等が前記基板上に付着するのを防
ぎ、また、それと同時にRHEED観察を可能とするイオン
ビームスパッタ装置を提供することにある。
洩するスパッタ粒子等が前記基板上に付着するのを防
ぎ、また、それと同時にRHEED観察を可能とするイオン
ビームスパッタ装置を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明に係るイオンビーム
スパッタ装置は、真空槽内に設けられたターゲットにイ
オンを照射しスパッタリングを行うイオン源と、 所定の基板上に積層されるスパッタ粒子の厚さを制御
する天板およびシャッターと、 前記天板と真空槽との間の隙間から漏洩するスパッタ
粒子等が前記基板上に付着するのを防ぐ基板カバーとを
有し、 前記基板カバーは、基板側面部を覆っているものであ
る。
スパッタ装置は、真空槽内に設けられたターゲットにイ
オンを照射しスパッタリングを行うイオン源と、 所定の基板上に積層されるスパッタ粒子の厚さを制御
する天板およびシャッターと、 前記天板と真空槽との間の隙間から漏洩するスパッタ
粒子等が前記基板上に付着するのを防ぐ基板カバーとを
有し、 前記基板カバーは、基板側面部を覆っているものであ
る。
以下、本発明の実施例を図により説明する。
（実施例１） 第１図は本発明の実施例１を示す構成図である。
図において、真空槽１はカウフマン型イオン源４を備
えている。イオン源４は、真空槽１内に設けられたター
ゲット７にイオンを照射しスパッタリングを行う。ま
た、ターゲット７の設置位置上方には、スパッタされた
粒子7aの分散視野を制限する天板13が設置され、天板13
の中央部にシャッター８が設けられている。９は水晶振
動子膜厚計である。３はヒータ、５は真空ポンプ、６は
ゲートバルブである。
えている。イオン源４は、真空槽１内に設けられたター
ゲット７にイオンを照射しスパッタリングを行う。ま
た、ターゲット７の設置位置上方には、スパッタされた
粒子7aの分散視野を制限する天板13が設置され、天板13
の中央部にシャッター８が設けられている。９は水晶振
動子膜厚計である。３はヒータ、５は真空ポンプ、６は
ゲートバルブである。
本発明は、真空槽１内に設置される基板２の周囲を円
筒状の金属製基板カバー12で包囲し、円筒状基板カバー
12の下端開口部を天板13のシャッター８付近まで延在さ
せたものである。したがって天板13の外周縁と真空槽１
の内壁との隙間から漏出したスパッタ粒子7b又は真空槽
１の内壁から漏出したスパッタ粒子7bは天板13のシャッ
ター８付近まで延びた基板カバー12により基板２との接
触が遮断される。
筒状の金属製基板カバー12で包囲し、円筒状基板カバー
12の下端開口部を天板13のシャッター８付近まで延在さ
せたものである。したがって天板13の外周縁と真空槽１
の内壁との隙間から漏出したスパッタ粒子7b又は真空槽
１の内壁から漏出したスパッタ粒子7bは天板13のシャッ
ター８付近まで延びた基板カバー12により基板２との接
触が遮断される。
（実施例２） 第２図は本発明の実施例２を示す構成図である。
本実施例は反射高速電子線回折（RHEED）法のイオン
ビームスパッタ装置に適用したものであり、円筒状基板
カバー12はその上部対向側壁にRHEEDを観察する透過窓1
2a,12aを有しており、基板カバー12の透過窓12aを電子
銃10とスクリーン11との間に位置させて基板カバー12に
より基板を包囲し、この下部開口を天板13のシャッター
８付近まで延在させたものである。
ビームスパッタ装置に適用したものであり、円筒状基板
カバー12はその上部対向側壁にRHEEDを観察する透過窓1
2a,12aを有しており、基板カバー12の透過窓12aを電子
銃10とスクリーン11との間に位置させて基板カバー12に
より基板を包囲し、この下部開口を天板13のシャッター
８付近まで延在させたものである。
これにより、天板13と真空槽１の内壁との間から漏出
するスパッタ粒子7b又は真空槽１の内壁から生じたスパ
ッタ粒子7bは基板カバー12により基板２との接触が遮断
され、ターゲット７より生じたスパッタ粒子7aのみが基
板２に付着することとなり、さらに、電子銃10からのビ
ームを基板２に基板カバー12の窓12aを通して照射し、
その反射ビームを基板カバー12の窓12aを通してスクリ
ーン11に映出してRHEEDの観察を行うことができるとい
う利点を有する。
するスパッタ粒子7b又は真空槽１の内壁から生じたスパ
ッタ粒子7bは基板カバー12により基板２との接触が遮断
され、ターゲット７より生じたスパッタ粒子7aのみが基
板２に付着することとなり、さらに、電子銃10からのビ
ームを基板２に基板カバー12の窓12aを通して照射し、
その反射ビームを基板カバー12の窓12aを通してスクリ
ーン11に映出してRHEEDの観察を行うことができるとい
う利点を有する。
以上説明したように、本発明によれば、シャッターを
経由せずに基板上にスパッタ粒子が付着することを防止
できるとともに、スパッタ粒子以外のアルゴンやスパッ
タされた真空槽内壁からの粒子等が基板上に付着するこ
とを防止でき、基板上の薄膜品質を向上できる効果を有
する。
経由せずに基板上にスパッタ粒子が付着することを防止
できるとともに、スパッタ粒子以外のアルゴンやスパッ
タされた真空槽内壁からの粒子等が基板上に付着するこ
とを防止でき、基板上の薄膜品質を向上できる効果を有
する。
第１図は本発明の実施例１を示す構成図、第２図は本発
明の実施例２を示す構成図、第３図は従来のイオンビー
ムスパッタ装置を示す構成図である。 １……真空槽、２……基板 ４……イオン源、７……ターゲット ８……シャッター、10……RHEED用電子銃 12……基板カバー、13……天板
明の実施例２を示す構成図、第３図は従来のイオンビー
ムスパッタ装置を示す構成図である。 １……真空槽、２……基板 ４……イオン源、７……ターゲット ８……シャッター、10……RHEED用電子銃 12……基板カバー、13……天板
Claims (1)
- 【請求項１】真空槽内に設けられたターゲットにイオン
を照射しスパッタリングを行うイオン源と、 所定の基板上に積層されるスパッタ粒子の厚さを制御す
る天板およびシャッターと、 前記天板と真空槽との間の隙間から漏洩するスパッタ粒
子等が前記基板上に付着するのを防ぐ基板カバーとを有
し、 前記基板カバーは、基板側面部を覆っているものである
ことを特徴とするイオンビームスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4283690A JP2959023B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | イオンビームスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4283690A JP2959023B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | イオンビームスパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03247762A JPH03247762A (ja) | 1991-11-05 |
| JP2959023B2 true JP2959023B2 (ja) | 1999-10-06 |
Family
ID=12647060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4283690A Expired - Lifetime JP2959023B2 (ja) | 1990-02-23 | 1990-02-23 | イオンビームスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2959023B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU2001273260A1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-01-21 | Opnetics Corporation | Dual-scan thin film processing system |
| DK1630260T3 (da) * | 2004-08-20 | 2011-10-31 | Jds Uniphase Inc | Magnetisk holdemekanisme til et dampudfældningssystem |
-
1990
- 1990-02-23 JP JP4283690A patent/JP2959023B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03247762A (ja) | 1991-11-05 |
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