JP2009275244A - 金属酸化膜の蒸着方法及びプラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属酸化物を蒸発材料とする蒸着方法において、前記蒸発材料の加熱手段として電子銃を使用し、該電子銃からの電子ビームを絞り、該電子ビームの直径をもとに蒸発材料への電子ビームの照射面積に合わせて、電子ビームの揺動波形を制御することを特徴とする金属酸化膜の蒸着方法であり、走査電極、維持電極、誘電体層及び保護膜から成る前面基板とアドレス電極、バリアリブ及び蛍光体からなる背面基板から構成されているプラズマディスプレイの保護膜であるMgO膜の成膜速度が速くなり、かつ良好なパネル特性が得られた。
【選択図】図1
Description
これに伴い、金属酸化物であるMgOの蒸発速度を早くする必要がある。また、不純物のコンタミネーションを少なくし、パネル特性を向上させるためにもMgOの蒸発速度を早くすることは有効である。
(1)短時間に連続的に高い密度の電子ビームが照射され、MgOの温度が高くなりすぎスプラッシュが発生する。
(2)電子ビームが、断続的に照射されることによる温度変化によりスプラッシュが発生しやすくなる。
(1)MgOの形状により照射する電子ビームの密度を最適化する。
(2)MgOに連続して電子ビームを照射する時間を照射部に対して均一になるように電子ビームの揺動波形を決定する。
(3)このとき、各照射ポイントに対する総照射時間が均一となるように電子ビームの揺動波形を決定する。
(1)電子ビームの直径をもとにMgO面に照射する電子ビームの滞在時間または照射エネルギーが均一になるように揺動パターンを決定する。
(2)少なくとも電子ビームを照射している全てのMgO面において、電子ビームの滞在時間の最長時間と最短時間の差、または照射エネルギーの最大値と最小値の差を30%以内とする。
図2Aは、後述する揺動条件で0.02秒間電子ビームを照射した際の、MgO表面における照射時間の合計を100mm2ごとに相対的に面内分布として確認したものである。また、図2Bは従来の揺動条件で電子ビームが連続して照射される時間を確認した結果である。この時の電子ビームの揺動条件としては、電子ビームの直径をφ30mm、X−Sweepは単純な三角波で、周波数500Hz、Sweep幅は±60mmとした。Y−Sweepも単純な三角波で、周波数222Hz、Sweep幅は±90mmとした。
図3Aのように、電子ビームの揺動を模式化して考えた。電子ビームが当たっている部分を実線の円形で示す。蒸発材料の照射領域を実線の四角形で示す。図3Aのように、照射領域の端で電子ビームの当たっている部分は折り返すので、端では電子ビームの当たり続ける時間が長くなってしまい、そこだけ瞬間的に温度が上昇する。
この時の電子ビームの揺動条件としては、電子ビーム直径をφ30mm、X−Sweepは周波数984Hz、幅±60mmでSweepし、端の10mmは1.8倍早く動かす。一方、Y−Sweepは周披数444Hz、幅±90mmでSweepし、端の10mmは1.8倍早く動かした。すなわち、本実施の形態の電子ビームの揺動条件は、電子ビームの折り返し領域のスキャン速度を電子ビームの一方向への直線的スキャン速度よりも速く設定している。
これを結晶配向性強度に換算すると、従来は2300cpsから1500cpsへ約800cpsの変動があったが、2300cpsから2000cpsへと300cps程度の変動まで制御性が向上した(図19)。つまり、制御性は2.7倍向上した。図19は、基板加熱温度と<111>配向強度との関係を示すグラフである。
スブラシュ無しでダイナミックレート約8000Å・m/minを得ようとした場合、従来は、図21に示すように、ガラス基板の搬送方向に複数の蒸発点(電子ビーム照射点)が配置された。そのため、蒸着開始時、基板へのMgOは入射角30°と60°で蒸着される。また、蒸着終了時は入射角60°と30°で蒸着される。MgO膜の屈折率(密度)と入射角は図22のような関係にあり、入射角による膜密度(屈折率)が変動することが確認されている。
成膜中のプロセス室にはプロセスガスの酸素に加え、水素、ヘリウム、水、窒素、一酸化炭素、二酸化炭素及びアルゴン等が存在する。特に一酸化炭素、二酸化炭素はパネルの放電特性を悪くする。ハイレートで成膜することにより、膜中に取り込む不純物の量を減らすことが出来る。
ガラス基板上への不純物の入射頻度は次のように求められる。
Γ:入射頻度(個/(s・m2))
P:圧力(Pa)
T:温度(K)
結果として成膜速度を早くしたため、相対的に不純物の量が減少した。
スプラッシュ無しでのレートが約3倍になったため、電子銃、電子銃電源及びハース等の必要数が1/2〜1/3になった。
Claims (10)
- 金属酸化物でなる蒸発材料の加熱手段として電子銃を使用し、
前記電子銃からの電子ビームを絞り、
前記電子ビームの直径をもとに、前記蒸発材料への前記電子ビームの照射面積に合わせて、前記電子ビームの揺動波形を制御する
金属酸化膜の蒸着方法。 - 請求項1に記載の金属酸化膜の蒸着方法であって、
前記揺動波形の制御は、前記電子ビームの直径をもとに前記蒸発材料の形状に合わせて制御する
金属酸化膜の蒸着方法。 - 請求項2に記載の金属酸化膜の蒸着方法であって、
前記揺動波形の制御は、前記電子ビームの直径をもとに、前記蒸発材料の面に照射する前記電子ビームの滞在時間が均一になるように前記電子ビームの揺動パターンを決定する
金属酸化膜の蒸着方法。 - 請求項3に記載の金属酸化膜の蒸着方法であって、
前記蒸発材料の面に照射される前記電子ビームの滞在時間の均一度は、全ての前記蒸発材料の面において、最長時間と最短時間の差が30%以内である
金属酸化膜の蒸着方法。 - 請求項2に記載の金属酸化膜の蒸着方法であって、
前記揺動波形の制御は、前記電子ビームの直径をもとに、前記蒸発材料の面に照射する前記電子ビームの照射エネルギーが均一になるように前記電子ビームの揺動パターンを決定する
金属酸化膜の蒸着方法。 - 請求項5に記載の金属酸化膜の蒸着方法であって、
前記蒸発材料の面に照射される前記電子ビームの照射エネルギーの均一度は、全ての前記蒸発材料の面において、最大値と最小値の差が30%以内である
金属酸化膜の蒸着方法。 - 請求項1に記載の金属酸化膜の蒸着方法であって、
前記揺動波形の制御は、
前記蒸発材料の表面温度をCCDカメラでモニタリングし、
そのモニタ結果によって前記電子ビームの揺動波形を制御する
金属酸化膜の蒸着方法。 - 請求項1に記載の金属酸化膜の蒸着方法であって、
前記揺動波形の制御は、
前記蒸発材料の表面温度をCCDカメラでモニタリングし、
そのモニタ結果によって前記電子銃のパワーを制御する
金属酸化膜の蒸着方法。 - 請求項1に記載の金属酸化膜の蒸着方法であって、
前記金属酸化物は、MgO、SiO2、Al2O3、SrO、SiO、CaO、ZnO、ZnS、ITO,SnO2、WO3のいずれかである
金属酸化膜の蒸着方法。 - 金属酸化物でなる保護膜を有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
金属酸化物でなる蒸発材料の加熱手段として電子銃を使用し、
前記電子銃からの電子を絞り、
前記電子ビームの直径をもとに、前記蒸発材料への前記電子ビームの照射面積に合わせて、前記電子ビームの揺動波形を制御する
プラズマディスプレイパネルの製造方法。
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