JPH073440A - 電子銃およびその電子銃を用いた薄膜付き基体の製造方法並びに薄膜付き基体 - Google Patents
電子銃およびその電子銃を用いた薄膜付き基体の製造方法並びに薄膜付き基体Info
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- JPH073440A JPH073440A JP16953393A JP16953393A JPH073440A JP H073440 A JPH073440 A JP H073440A JP 16953393 A JP16953393 A JP 16953393A JP 16953393 A JP16953393 A JP 16953393A JP H073440 A JPH073440 A JP H073440A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】電子ビーム発生部Ａがタングステンのブロック
カソード８を有する電子銃および該電子銃を用いた薄膜
付き基体の製造方法並びにその製造方法による薄膜付き
基体。 【効果】各種薄膜光学フィルターガラスの製造におい
て、成膜速度を著しく増加するとともに、大面積均一膜
厚を可能にする。
カソード８を有する電子銃および該電子銃を用いた薄膜
付き基体の製造方法並びにその製造方法による薄膜付き
基体。 【効果】各種薄膜光学フィルターガラスの製造におい
て、成膜速度を著しく増加するとともに、大面積均一膜
厚を可能にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子ビーム蒸着に用い
る電子銃およびその電子銃を用いた薄膜付き基体の製造
方法並びに薄膜付き基体に関するものである。
る電子銃およびその電子銃を用いた薄膜付き基体の製造
方法並びに薄膜付き基体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来薄膜光学フィルターガラスを製造す
る際、タングステンフィラメントを有する電子ビーム
（ＥＢ）蒸着成膜法やスパッター成膜法はよく知られて
いるが、これらはいずれも成膜速度が低く（１０Å／ｓ
ｅｃ程度）、大面積基板への成膜が困難であるという欠
点を有していた。通常のＥＢ蒸着では、電子銃における
電子ビーム発生部には、タングステンのフィラメントの
みしかないために大電流がとれず、成膜速度が低かっ
た。また、電子ビーム収束部が短いため広い範囲での電
子ビーム走査が困難であった。また、スパッター法では
投入電力を上げるとアーキングを起こしやすいという欠
点を有していた。
る際、タングステンフィラメントを有する電子ビーム
（ＥＢ）蒸着成膜法やスパッター成膜法はよく知られて
いるが、これらはいずれも成膜速度が低く（１０Å／ｓ
ｅｃ程度）、大面積基板への成膜が困難であるという欠
点を有していた。通常のＥＢ蒸着では、電子銃における
電子ビーム発生部には、タングステンのフィラメントの
みしかないために大電流がとれず、成膜速度が低かっ
た。また、電子ビーム収束部が短いため広い範囲での電
子ビーム走査が困難であった。また、スパッター法では
投入電力を上げるとアーキングを起こしやすいという欠
点を有していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術が有していた前述の欠点を解消しようとするもので
ある。
技術が有していた前述の欠点を解消しようとするもので
ある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、前述の問題点
を解決すべくなされたものであり、電子ビーム蒸着に用
いる電子銃において、電子銃が、電子ビーム発生部、電
子ビーム収束部および電子ビーム走査部を有しており、
かつ、該電子ビーム発生部がタングステンのブロックカ
ソードを有することを特徴とする電子銃を提供するもの
である。
を解決すべくなされたものであり、電子ビーム蒸着に用
いる電子銃において、電子銃が、電子ビーム発生部、電
子ビーム収束部および電子ビーム走査部を有しており、
かつ、該電子ビーム発生部がタングステンのブロックカ
ソードを有することを特徴とする電子銃を提供するもの
である。
【０００５】また、本発明は、電子ビーム発生部、電子
ビーム収束部および電子ビーム走査部を有しており、か
つ、該電子ビーム発生部がタングステンのブロックカソ
ードを有する電子銃を用いて電子ビーム蒸着により基体
上に薄膜を蒸着することを特徴とする薄膜付き基体の製
造方法並びにこの製造方法による薄膜付き基体を提供す
るものである。
ビーム収束部および電子ビーム走査部を有しており、か
つ、該電子ビーム発生部がタングステンのブロックカソ
ードを有する電子銃を用いて電子ビーム蒸着により基体
上に薄膜を蒸着することを特徴とする薄膜付き基体の製
造方法並びにこの製造方法による薄膜付き基体を提供す
るものである。
【０００６】本発明における薄膜付き基体については、
例えば、熱線反射性能、紫外線遮蔽性能、およびエレク
トロクロミズムによる調光性能の群から選ばれる少なく
とも１つの性能を持つものなどが挙げられる。
例えば、熱線反射性能、紫外線遮蔽性能、およびエレク
トロクロミズムによる調光性能の群から選ばれる少なく
とも１つの性能を持つものなどが挙げられる。
【０００７】前記の熱線反射性能は、例えば、基体／透
明電導膜の構成、基体／誘電体／金属／誘電体の構成、
または基体上に高屈折率体と低屈折率体とが順に繰り返
し積層され、かつ、基体ともっとも離れた層が高屈折率
体である構成、によって得られる。
明電導膜の構成、基体／誘電体／金属／誘電体の構成、
または基体上に高屈折率体と低屈折率体とが順に繰り返
し積層され、かつ、基体ともっとも離れた層が高屈折率
体である構成、によって得られる。
【０００８】前記の紫外線遮蔽性能は、例えば、基体／
紫外線吸収性を有する薄膜の構成、または基体上に高屈
折率体と低屈折率体とが順に繰り返し積層され、かつ、
基体ともっとも離れた層が高屈折率体である構成、によ
って得られる。
紫外線吸収性を有する薄膜の構成、または基体上に高屈
折率体と低屈折率体とが順に繰り返し積層され、かつ、
基体ともっとも離れた層が高屈折率体である構成、によ
って得られる。
【０００９】前記のエレクトロクロミズムによる調光性
能は、例えば、基体／透明電導膜／酸化発色層／電解質
層／還元発色層／透明電導膜の構成、または透明電導膜
／酸化発色層／電解質層／還元発色層／透明電導膜／基
体の構成、によって得られる。
能は、例えば、基体／透明電導膜／酸化発色層／電解質
層／還元発色層／透明電導膜の構成、または透明電導膜
／酸化発色層／電解質層／還元発色層／透明電導膜／基
体の構成、によって得られる。
【００１０】本発明において使用できる電子ビーム蒸着
の蒸発源材料は、特に限定されないが、Ｂｅ、Ｂ、Ｍ
ｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、およびＢａの群から選ばれる少なくとも１種の金
属、該金属の酸化物、窒化物、フッ化物、またはそれら
の混合物などを挙げることができる。
の蒸発源材料は、特に限定されないが、Ｂｅ、Ｂ、Ｍ
ｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、
Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、
Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、およびＢａの群から選ばれる少なくとも１種の金
属、該金属の酸化物、窒化物、フッ化物、またはそれら
の混合物などを挙げることができる。
【００１１】本発明における電子銃（ＥＢガン）は、電
子ビーム発生部、電子ビーム収束部および電子ビーム走
査部を有し、電子ビーム発生部がタングステンのブロッ
クカソードからなるため、大電力をとることができる。
子ビーム発生部、電子ビーム収束部および電子ビーム走
査部を有し、電子ビーム発生部がタングステンのブロッ
クカソードからなるため、大電力をとることができる。
【００１２】図１はその断面図を示す。１は輻射防止
板、２は蒸発源容器、３は９０°偏向コイル、４はＸ方
向偏向コイル、５はＹ方向偏向コイル、６は第２レン
ズ、７は第１レンズ、８はタングステンブロックカソー
ド、９はタングステンフィラメントを示す。図２はＥＢ
ガンを用いた成膜装置の概略を示す。１１は基板、１２
は蒸発物、１３は電子ビーム、１４は偏向コイル、１５
は蒸発源、１６はＥＢガンを示す。図１で電子ビーム発
生部Ａで発生した電子ビームは電子ビーム収束部Ｂで第
１レンズ７および第２レンズ６で収束され、電子ビーム
走査部Ｃで左右上下に偏向される。図１でＩｅはこのエ
ミッション電流を示す。ＥＢガンから出た電子は蒸発源
容器２へと向かい、９０°偏向コイル３にて蒸発源表面
に照射され、蒸発源１５はこれにより加熱され、蒸発粒
子を生成し、図２のように基板１１に蒸着膜が形成され
る。
板、２は蒸発源容器、３は９０°偏向コイル、４はＸ方
向偏向コイル、５はＹ方向偏向コイル、６は第２レン
ズ、７は第１レンズ、８はタングステンブロックカソー
ド、９はタングステンフィラメントを示す。図２はＥＢ
ガンを用いた成膜装置の概略を示す。１１は基板、１２
は蒸発物、１３は電子ビーム、１４は偏向コイル、１５
は蒸発源、１６はＥＢガンを示す。図１で電子ビーム発
生部Ａで発生した電子ビームは電子ビーム収束部Ｂで第
１レンズ７および第２レンズ６で収束され、電子ビーム
走査部Ｃで左右上下に偏向される。図１でＩｅはこのエ
ミッション電流を示す。ＥＢガンから出た電子は蒸発源
容器２へと向かい、９０°偏向コイル３にて蒸発源表面
に照射され、蒸発源１５はこれにより加熱され、蒸発粒
子を生成し、図２のように基板１１に蒸着膜が形成され
る。
【００１３】図２において示されるように、大電力のＥ
Ｂガンを用いることに加え、大きな蒸発源１５の表面で
電子ビームをＸおよびＹ方向に大きく振ることができる
こと、および蒸発源１５表面各位置での滞在時間をビー
ム走査部で制御できることにより、大面積、均一膜厚の
達成が容易となる。
Ｂガンを用いることに加え、大きな蒸発源１５の表面で
電子ビームをＸおよびＹ方向に大きく振ることができる
こと、および蒸発源１５表面各位置での滞在時間をビー
ム走査部で制御できることにより、大面積、均一膜厚の
達成が容易となる。
【００１４】成膜時雰囲気ガスとしては種々のものが使
用できるが、中でも、アルゴン、ヘリウム、窒素、酸素
などが好ましく、水分を含むこともできる。雰囲気圧力
としては、ＥＢガンに差動排気をつけることにより１×
１０-5〜１×１０-2Ｔｏｒｒが可能であり、好ましく
は、１×１０-4〜１×１０-3Ｔｏｒｒである。本発明の
ＥＢガンの一例としては、電子ビーム出力が５０ｋＷ、
電子ビーム偏向角±２５°、電子ビーム走査幅±２００
ｍｍ、走査周波数１００Ｈｚなどを挙げることができ、
基板サイズ４００×６００ｍｍに好適である。
用できるが、中でも、アルゴン、ヘリウム、窒素、酸素
などが好ましく、水分を含むこともできる。雰囲気圧力
としては、ＥＢガンに差動排気をつけることにより１×
１０-5〜１×１０-2Ｔｏｒｒが可能であり、好ましく
は、１×１０-4〜１×１０-3Ｔｏｒｒである。本発明の
ＥＢガンの一例としては、電子ビーム出力が５０ｋＷ、
電子ビーム偏向角±２５°、電子ビーム走査幅±２００
ｍｍ、走査周波数１００Ｈｚなどを挙げることができ、
基板サイズ４００×６００ｍｍに好適である。
【００１５】
実施例１ 表１に示した原料および成膜条件を用いて、ガラス上に
ＷＯ3 、Ａｇ、ＷＯ3膜を順次積層して得られるＷＯ3
／Ａｇ／ＷＯ3 ／ガラス（２ｍｍ厚）系の熱線反射ガラ
スを作製した。表１において、成膜時真空度は酸素分圧
（ＰＯ2 ）で示した。この時の可視・近赤外光学特性の
スペクトルを図３に、また、可視光透過率、可視光反射
率、太陽光透過率、太陽光反射率の値を表２に示す。表
２より明らかなように、可視光の透過率が高く、太陽光
反射率の高い良好な熱線反射ガラスが作製できた。
ＷＯ3 、Ａｇ、ＷＯ3膜を順次積層して得られるＷＯ3
／Ａｇ／ＷＯ3 ／ガラス（２ｍｍ厚）系の熱線反射ガラ
スを作製した。表１において、成膜時真空度は酸素分圧
（ＰＯ2 ）で示した。この時の可視・近赤外光学特性の
スペクトルを図３に、また、可視光透過率、可視光反射
率、太陽光透過率、太陽光反射率の値を表２に示す。表
２より明らかなように、可視光の透過率が高く、太陽光
反射率の高い良好な熱線反射ガラスが作製できた。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】実施例２ 表３に示した原料および成膜条件を用いて、ガラス上に
Ｓｎ含有Ｉｎ2 Ｏ3 膜を成膜し、Ｓｎ含有Ｉｎ2 Ｏ3 ／
ガラス（２ｍｍ厚）系の熱線反射ガラスを作製した。得
られたＳｎ含有Ｉｎ2 Ｏ3 膜の電気的特性を表４に示
す。この時の可視・近赤外光学特性のスペクトルを図４
に、また、可視光透過率、可視光反射率、太陽光透過
率、太陽光反射率の値を表５に示す。表５より明らかな
ように、単層膜系ではあるが可視光の透過率が高く、太
陽光反射率の高い良好な熱線反射ガラスが作製できた。
Ｓｎ含有Ｉｎ2 Ｏ3 膜を成膜し、Ｓｎ含有Ｉｎ2 Ｏ3 ／
ガラス（２ｍｍ厚）系の熱線反射ガラスを作製した。得
られたＳｎ含有Ｉｎ2 Ｏ3 膜の電気的特性を表４に示
す。この時の可視・近赤外光学特性のスペクトルを図４
に、また、可視光透過率、可視光反射率、太陽光透過
率、太陽光反射率の値を表５に示す。表５より明らかな
ように、単層膜系ではあるが可視光の透過率が高く、太
陽光反射率の高い良好な熱線反射ガラスが作製できた。
【００１９】
【表３】
【００２０】
【表４】
【００２１】
【表５】
【００２２】実施例３ 表６に示した原料および成膜条件を用いて、ガラス上に
ＴｉＯ2 およびＳｉＯ2 を順次成膜し、ＴｉＯ2 ／Ｓｉ
Ｏ2 ／ＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 ／Ｔｉ
Ｏ2 ／ガラスの７層膜系の熱線反射ガラスを作製した。
得られた多層膜系の光学特性のスペクトルを図５に、ま
た、可視光透過率、可視光反射率、太陽光透過率、太陽
光反射率の値を表７に示す。表７より明らかなように、
可視光の透過率が高く、太陽光反射率の高い良好な熱線
反射ガラスが作製できた。
ＴｉＯ2 およびＳｉＯ2 を順次成膜し、ＴｉＯ2 ／Ｓｉ
Ｏ2 ／ＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 ／ＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 ／Ｔｉ
Ｏ2 ／ガラスの７層膜系の熱線反射ガラスを作製した。
得られた多層膜系の光学特性のスペクトルを図５に、ま
た、可視光透過率、可視光反射率、太陽光透過率、太陽
光反射率の値を表７に示す。表７より明らかなように、
可視光の透過率が高く、太陽光反射率の高い良好な熱線
反射ガラスが作製できた。
【００２３】
【表６】
【００２４】
【表７】
【００２５】実施例４ 蒸発源としてＺｎＯ粉末を用い、真空度が酸素分圧５×
１０-4Ｔｏｒｒで、ガン電流４００ｍＡ、パワー１５ｋ
Ｗでガラス上にＺｎＯを２０００Åの膜厚で成膜した。
このときの成膜速度は、約３００Å／ｓｅｃであり、図
６中の（Ａ）は基板温度が室温の場合、（Ｂ）は基板温
度が２００℃の場合のときの紫外線透過率スペクトルを
示す。紫外線カットオフ波長については（Ａ）で３８０
ｎｍ、（Ｂ）は３７０ｎｍであり、良好な紫外線カット
特性を示す。なお、従来法であるＥＢやスパッター法で
も同様な光学特性が得られるが、成膜速度は最大でも２
０Å／ｓｅｃであり、本発明における成膜方法が優れて
いることが分かる。
１０-4Ｔｏｒｒで、ガン電流４００ｍＡ、パワー１５ｋ
Ｗでガラス上にＺｎＯを２０００Åの膜厚で成膜した。
このときの成膜速度は、約３００Å／ｓｅｃであり、図
６中の（Ａ）は基板温度が室温の場合、（Ｂ）は基板温
度が２００℃の場合のときの紫外線透過率スペクトルを
示す。紫外線カットオフ波長については（Ａ）で３８０
ｎｍ、（Ｂ）は３７０ｎｍであり、良好な紫外線カット
特性を示す。なお、従来法であるＥＢやスパッター法で
も同様な光学特性が得られるが、成膜速度は最大でも２
０Å／ｓｅｃであり、本発明における成膜方法が優れて
いることが分かる。
【００２６】実施例５ 表８に示した原料および成膜条件を用いて、ガラス上に
ＩＴＯ、ＮｉＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、ＷＯ3 、ＩＴＯを順次成
膜し、ガラス／ＩＴＯ／ＮｉＯ／Ｔａ2 Ｏ5 ／ＷＯ3 ／
ＩＴＯの５層膜系エレクトロクロミック素子を作製し
た。ただし、この場合において、ＩＴＯは、Ｉｎ2 Ｏ3
＋８ｍｏｌ％ＳｎＯ2 の混合体のものを用いた。下地Ｉ
ＴＯを正極に最上部ＩＴＯを負極として１．５Ｖ印加し
たときのスペクトル変化を図７に示す。図７中の（ａ）
は印加時間が０分後の場合について、（ｂ）は印加時間
が１分後の場合について、（ｃ）は印加時間が３分後の
場合について示している。図７より明らかなように、得
られたエレクトロクロミック素子は、良好な可視光およ
び太陽光入射制御特性を示す。
ＩＴＯ、ＮｉＯ、Ｔａ2 Ｏ5 、ＷＯ3 、ＩＴＯを順次成
膜し、ガラス／ＩＴＯ／ＮｉＯ／Ｔａ2 Ｏ5 ／ＷＯ3 ／
ＩＴＯの５層膜系エレクトロクロミック素子を作製し
た。ただし、この場合において、ＩＴＯは、Ｉｎ2 Ｏ3
＋８ｍｏｌ％ＳｎＯ2 の混合体のものを用いた。下地Ｉ
ＴＯを正極に最上部ＩＴＯを負極として１．５Ｖ印加し
たときのスペクトル変化を図７に示す。図７中の（ａ）
は印加時間が０分後の場合について、（ｂ）は印加時間
が１分後の場合について、（ｃ）は印加時間が３分後の
場合について示している。図７より明らかなように、得
られたエレクトロクロミック素子は、良好な可視光およ
び太陽光入射制御特性を示す。
【００２７】
【表８】
【００２８】
【発明の効果】本発明の電子ビーム蒸着に用いる電子銃
は、建物、車両等の窓における太陽エネルギー入射量制
御、紫外線防止等の省エネルギー効果、アメニティ向上
を目的とする各種薄膜光学フィルターガラスの製造にお
いて成膜速度を著しく増加する、大面積均一膜厚を可能
にするという優れた効果を有する。
は、建物、車両等の窓における太陽エネルギー入射量制
御、紫外線防止等の省エネルギー効果、アメニティ向上
を目的とする各種薄膜光学フィルターガラスの製造にお
いて成膜速度を著しく増加する、大面積均一膜厚を可能
にするという優れた効果を有する。
【図１】本発明に係るＥＢガンを用いた成膜装置の断面
図
図
【図２】本発明に係るＥＢガンを用いた成膜装置の概略
図
図
【図３】実施例１の熱線反射ガラスの可視・近赤外光学
特性を示す分光特性図
特性を示す分光特性図
【図４】実施例２の熱線反射ガラスの可視・近赤外光学
特性を示す分光特性図
特性を示す分光特性図
【図５】実施例３の熱線反射ガラスの可視・近赤外光学
特性を示す分光特性図
特性を示す分光特性図
【図６】（Ａ）実施例４において、基板温度が室温の場
合の紫外線カットガラスの紫外線透過率スペクトルを示
す分光特性図、（Ｂ）実施例４において、基板温度が室
温の場合の紫外線カットガラスの紫外線透過率スペクト
ルを示す分光特性図
合の紫外線カットガラスの紫外線透過率スペクトルを示
す分光特性図、（Ｂ）実施例４において、基板温度が室
温の場合の紫外線カットガラスの紫外線透過率スペクト
ルを示す分光特性図
【図７】（ａ）実施例５において、印加時間が０分後の
場合についてスペクトル変化を示す分光特性図、（ｂ）
実施例５において、印加時間が１分後の場合についてス
ペクトル変化を示す分光特性図、（ｃ）実施例５におい
て、印加時間が３分後の場合についてスペクトル変化を
示す分光特性図
場合についてスペクトル変化を示す分光特性図、（ｂ）
実施例５において、印加時間が１分後の場合についてス
ペクトル変化を示す分光特性図、（ｃ）実施例５におい
て、印加時間が３分後の場合についてスペクトル変化を
示す分光特性図
１：輻射防止板 ２：蒸発源容器 ３：９０°偏向コイル ４：Ｘ方向偏向コイル ５：Ｙ方向偏向コイル ６：第２レンズ ７：第１レンズ ８：タングステンブロックカソード ９：タングステンフィラメント １１：基板 １２：蒸発物 １３：電子ビーム １４：偏向コイル １５：蒸発源 １６：ＥＢガン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 納富 由美子 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】電子ビーム蒸着に用いる電子銃において、
電子銃が、電子ビーム発生部、電子ビーム収束部および
電子ビーム走査部を有しており、かつ、該電子ビーム発
生部がタングステンのブロックカソードを有することを
特徴とする電子銃。 - 【請求項２】電子ビーム発生部、電子ビーム収束部およ
び電子ビーム走査部を有しており、かつ、該電子ビーム
発生部がタングステンのブロックカソードを有する電子
銃を用いて電子ビーム蒸着により基体上に薄膜を蒸着す
ることを特徴とする薄膜付き基体の製造方法。 - 【請求項３】請求項２の方法により基体上に薄膜を形成
してなる薄膜付き基体。 - 【請求項４】前記薄膜付き基体が、熱線反射性能、紫外
線遮蔽性能、およびエレクトロクロミズムによる調光性
能の群から選ばれる少なくとも１つの性能を持つことを
特徴とする請求項３記載の薄膜付き基体。 - 【請求項５】前記熱線反射性能が、基体／透明電導膜の
構成、基体／誘電体／金属／誘電体の構成、または基体
上に高屈折率体と低屈折率体とが順に繰り返し積層さ
れ、かつ、基体ともっとも離れた層が高屈折率体である
構成、により得られるものであることを特徴とする請求
項４記載の薄膜付き基体。 - 【請求項６】前記紫外線遮蔽性能が、基体／紫外線吸収
性を有する薄膜の構成、または基体上に高屈折率体と低
屈折率体とが順に繰り返し積層され、かつ、基体ともっ
とも離れた層が高屈折率体である構成、により得られる
ものであることを特徴とする請求項４記載の薄膜付き基
体。 - 【請求項７】前記エレクトロクロミズムによる調光性能
が、基体／透明電導膜／酸化発色層／電解質層／還元発
色層／透明電導膜の構成、または透明電導膜／酸化発色
層／電解質層／還元発色層／透明電導膜／基体の構成、
により得られるものであることを特徴とする請求項４記
載の薄膜付き基体。 - 【請求項８】電子ビーム蒸着における蒸発源が、Ｂｅ、
Ｂ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｐ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓ
ｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、Ｐｂ、
Ｂｉ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、およびＢａの群から選ばれる少なくとも１種
の金属、該金属の酸化物、窒化物、フッ化物、またはそ
れらの混合物であることを特徴とする請求項２記載の薄
膜付き基体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16953393A JPH073440A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 電子銃およびその電子銃を用いた薄膜付き基体の製造方法並びに薄膜付き基体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16953393A JPH073440A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 電子銃およびその電子銃を用いた薄膜付き基体の製造方法並びに薄膜付き基体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH073440A true JPH073440A (ja) | 1995-01-06 |
Family
ID=15888264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16953393A Pending JPH073440A (ja) | 1993-06-16 | 1993-06-16 | 電子銃およびその電子銃を用いた薄膜付き基体の製造方法並びに薄膜付き基体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH073440A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008059580A1 (fr) * | 2006-11-17 | 2008-05-22 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Film mince utilisé comme film réfléchissant ou film réfléchissant à transmission partielle, cible de pulvérisation et support d'enregistrement optique |
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| JP2016089266A (ja) * | 2014-11-06 | 2016-05-23 | 現代自動車株式会社Ｈｙｕｎｄａｉ Ｍｏｔｏｒ Ｃｏｍｐａｎｙ | 電波透過型多層光学コーティング |
-
1993
- 1993-06-16 JP JP16953393A patent/JPH073440A/ja active Pending
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