KR20080027263A - 점착제 조성물, 점착 시트 및 표면 보호 필름 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 단량체 성분으로서 탄소수 1 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 50 내지 99.9 중량％ 함유하는 수분산형 (메트)아크릴계 중합체 및 이온성 액체를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 점착제 조성물에 관한 것이다. 본 발명을 이용함으로써, 점착제층 및 대전 방지되어 있지 않은 피착체의 박리시의 대전 방지가 도모되고, 피착체에의 오염이 감소된 점착제 조성물 및 이것을 이용한 대전 방지성 점착 시트 및 표면 보호 필름을 제공한다.
점착제 조성물, (메트)아크릴레이트, 수분산형 (메트)아크릴계 중합체, 이온성 액체

Description

점착제 조성물, 점착 시트 및 표면 보호 필름 {Pressure Sensitive Adhesive Composition, Pressure Sensitive Adhesive Sheet and Surface Protective Film}
본 발명은 대전 방지성을 갖는 점착제 조성물 및 이것을 이용하여 시트상이나 테이프상 등의 형태로 한 대전 방지성 점착 시트 및 표면 보호 필름에 관한 것이다.
본 발명의 대전 방지성 점착제 조성물을 포함하는 점착 시트는, 정전기가 발생하기 쉬운 플라스틱 제품 등에 바람직하게 사용된다. 그 중에서도, 특히 전자 기기 등 정전기를 피하는 용도로 이용되는 대전 방지성 점착 시트 및 표면 보호 필름으로서 유용하다.
표면 보호 필름은, 일반적으로 보호 필름측에 도포된 점착제를 통해 피보호체에 접합하고, 피보호체의 가공, 반송시에 생기는 흠집이나 오염을 방지할 목적으로 사용된다. 예를 들면, 액정 디스플레이의 패널은, 액정 셀에 점착제를 통해 편광판이나 파장판 등의 광학 부재를 접합시킴으로써 형성되어 있다. 액정 셀에 접합시키는 이들 광학 부재는, 흠집이나 오염 등을 방지할 목적으로 보호 필름이 점착제를 통해 접합되어 있다.
또한, 상기 광학 부재가 액정 셀에 접합되는 등으로 하여, 보호 필름이 불필 요해진 단계에서 보호 필름은 박리하여 제거된다. 일반적으로 보호 필름이나 광학 부재는 플라스틱 재료에 의해 구성되어 있기 때문에, 전기 절연성이 높고, 마찰이나 박리시에 정전기를 발생한다. 따라서, 보호 필름을 피보호체로부터 박리할 때에도 정전기가 발생하며, 작업성의 저하나 피보호체 손상의 원인이 된다. 따라서, 이러한 결점을 방지하기 위해, 표면 보호 필름에는 각종 대전 방지 처리가 실시되어 있다.
예를 들면, 점착제에 1종 이상의 계면활성제를 첨가하고, 점착제 중으로부터 계면활성제를 피착체에 전사시켜 대전 방지하는 방법이 개시되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조). 그러나, 이러한 발명은 계면활성제를 점착제 표면에 블리딩하기 쉽고, 보호 필름에 적용했을 경우, 피착체에의 오염이 염려된다.
또한, 폴리에테르 폴리올과 알칼리 금속염을 포함하는 대전 방지제를 아크릴 점착제에 첨가하고, 점착제 표면에 대전 방지제가 블리딩되는 것을 억제하는 방법이 개시되어 있다(예를 들면, 특허 문헌 2 참조). 그러나, 이 방법에 있어서도 대전 방지제의 블리딩은 피할 수 없으며, 그 결과, 실제로 표면 보호 필름에 적용했을 경우, 경시나 고온하의 처리를 실시하면, 블리딩 현상에 의해 피착체에의 오염이 발생하는 것으로 판명되었다.
한편, 최근, 환경 대책, 자원 절약, 안전성 등의 관점에서, 유기 용제를 사용하지 않는 점착제가 요구되고 있다.
특허 문헌 1: 일본 특허 공개 (평)9-165460호 공보
특허 문헌 2: 일본 특허 공개 (평)6-128539호 공보
<발명이 해결하고자 하는 과제>
본 발명은 이러한 사정에 비추어, 점착제층 및 대전 방지되어 있지 않은 피착체의 박리시의 대전 방지가 도모되고, 피착체에의 오염이 감소된 점착제 조성물 및 이것을 이용한 대전 방지성 점착 시트 및 표면 보호 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.
<발명을 해결하기 위한 수단>
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 이하에 나타내는 점착제 조성물에 의해 상기 목적을 달성할 수 있다는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 본 발명의 점착제 조성물은, 단량체 성분으로서 탄소수 1 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 50 내지 99.9 중량％ 함유하는 수분산형 (메트)아크릴계 중합체 및 이온성 액체를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서의 이온성 액체란, 실온(25 ℃)에서 액상을 나타내는 용융염(이온성 화합물)을 가리킨다.
본 발명의 점착제 조성물에 따르면, 실시예의 결과에 나타낸 바와 같이, 단량체 성분으로서 탄소수 1 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 50 내지 99.9 중량％ 함유하는 수분산형 (메트)아크릴계 중합체를 기재 중합체로 하고, 또한 이온성 액체를 함유하기 때문에, 이것을 가교한 점착제층은 피보호체(피착체)에의 오염성이 감소되고, 박리했을 때의 점착제층 및 대전 방지되어 있지 않은 피착체의 대전 방지성이 우수해진다. 상기 수분산형 (메트)아크릴계 중합체와 이온성 액체의 가교물이 이러한 특성을 발현하는 상세한 이유는 명확하지 않지만, 이온성 액체는 그 자체로 우수한 도전성을 나타내기 때문에, 미량이라도 충분한 대전 방지능이 얻어지고, 오염이 감소되는 것으로 추측된다.
또한, 상기 이온성 액체는 실온에서 액상이기 때문에, 고체의 염과 비교하여 점착제에의 첨가 및 분산 또는 용해를 쉽게 행할 수 있다. 또한, 이온성 액체는 증기압이 없기 때문에(비휘발성), 경시적으로 소실되지도 않으며, 대전 방지 특성이 계속 얻어지게 된다.
본 발명의 점착제 조성물에 있어서는, 단량체 성분으로서 탄소수 1 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 50 내지 99.9 중량％ 함유하는 수분산형 (메트)아크릴계 중합체를 기재 중합체로서 사용한다.
또한, 본 발명에서의 (메트)아크릴계 중합체란, 아크릴계 중합체 및/또는 메타크릴계 중합체를 말한다. 또한, (메트)아크릴산 알킬이란 아크릴산 알킬 및/또는 메타크릴산 알킬을 말하며, (메트)아크릴레이트란 아크릴레이트 및/또는 메타크릴레이트를 말한다.
또한, 본 발명에서의 수분산형 (메트)아크릴계 중합체란, 단량체 성분으로서 탄소수 1 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 50 내지 99.9 중량％ 갖는 단량체 배합물을 유화 중합함으로써 얻어지는 수분산체(분산액)의 (메트)아크릴계 중합체를 말한다. 이들 (메트)아크릴계 중합체를 기재 중합체로서 사용함으로써, 이온성 액체와 기재 중합체와의 상용성의 균형이 양호해지고, 점착 특성을 충분히 유지할 수 있으며, 또한 수분산형 점착제 조성물을 얻을 수 있다.
또한, 유기 용제를 사용하지 않기 때문에, 통상의 건조 중합체 피막 상에 도포해도 건조 중합체 피막이 팽윤이나 용해되지 않는다는 이점이 있고, 나아가 최근의 환경에의 배려 움직임으로부터, 유기 용제를 사용하지 않는 점착제 조성물이 바람직하게 사용되는 요구에도 대응할 수 있다.
상기에 있어서, 상기 이온성 액체가, 질소 함유 오늄염, 황 함유 오늄염, 또는 인 함유 오늄염 중 어느 1종 이상인 것이 바람직하다. 특히, 상기 이온성 액체가, 하기 화학식 A 내지 D로 표시되는 1종 이상의 양이온을 포함하는 것이 바람직하다. 이들 양이온을 갖는 이온성 액체에 의해, 대전 방지능이 더 우수한 것을 얻을 수 있다.
Figure 112007091015748-PCT00001
식 중, Ra는 탄소수 4 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있으며, Rb 및 Rc는 동일하거나 또는 상이하며, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있되, 단 질소 원자가 이중 결합을 포함하는 경우, Rc는 없다.
Figure 112007091015748-PCT00002
식 중, Rd는 탄소수 2 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있으며, Re, Rf 및 Rg는 동일하거나 또는 상이하며, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있다.
Figure 112007091015748-PCT00003
식 중, Rh는 탄소수 2 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있으며, Ri, Rj 및 Rk는 동일하거나 또는 상이하며, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있다.
Figure 112007091015748-PCT00004
식 중, Z는 질소, 황, 또는 인 원자를 나타내고, Rl, Rm, Rn 및 Ro는 동일하 거나 또는 상이하며, 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있되, 단 Z가 황 원자인 경우, Ro는 없다.
또한, 상기 이온성 액체가 수용성 이온성 액체인 것이 바람직하다. 수용성 이온성 액체를 사용함으로써, 상기 수분산형 (메트)아크릴계 중합체와의 더 양호한 상용성을 실현할 수 있다.
한편, 본 발명의 점착제층은, 상기와 같이 기재된 점착제 조성물을 가교하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 상기 (메트)아크릴계 중합체의 구성 단위, 구성 비율, 가교제의 선택 및 첨가 비율 등을 적절하게 조절하여 가교함으로써, 보다 내열성ㆍ내후성 등이 우수한 점착 시트를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 점착 시트는, 상기 어느 하나에 기재된 점착제 조성물을 가교하여 이루어지는 점착제층을 지지체 상에 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 점착 시트에 따르면, 상기와 같은 작용 효과를 발휘하는 점착제 조성물을 가교하여 이루어지는 점착제층을 구비하기 때문에, 박리했을 때 점착제층 및 대전 방지되어 있지 않은 피착체에의 대전 방지가 도모되고, 피착체에의 오염성이 감소된 점착 시트가 된다. 또한, 본 발명에서의 점착 시트란, 점착 테이프나 점착 필름 등을 포함하는 것이다.
또한, 본 발명의 점착제 조성물을 표면 보호 필름에 적용하는 경우에는, 보호 필름에 사용되는 플라스틱 기재는 대전 방지 처리되어 이루어지는 것이 보다 바람직하다. 플라스틱 기재에 대전 방지 처리를 실시함으로써, 피착체에의 박리 대 전압을 보다 효과적으로 감소시킬 수 있고, 대전 방지능이 더 우수한 것을 얻을 수 있다.
도 1은 실시예에서 박리 대전압의 측정에 사용한 전위 측정부의 개략적인 구성도이다.
도 2는 실시예에서 박리 대전압의 측정에 사용한 전위 측정부의 개략적인 구성도이다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여 상세하게 설명한다.
본 발명의 점착제 조성물은, 단량체 성분으로서 탄소수 1 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 50 내지 99.9 중량％ 함유하는 수분산형 (메트)아크릴계 중합체 및 이온성 액체를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에서의 이온성 액체란, 실온(25 ℃)에서 액상을 나타내는 용융염(이온성 화합물)을 가리킨다.
이온성 액체로서는 질소 함유 오늄염, 황 함유 오늄염, 또는 인 함유 오늄염이 바람직하게 사용되며, 특히 우수한 대전 방지능이 얻어진다는 이유로부터 하기 화학식 A 내지 D로 표시되는 유기 양이온 성분과, 음이온 성분을 포함하는 것이 바람직하게 사용된다.
<화학식 A>
Figure 112007091015748-PCT00005
식 중, Ra는 탄소수 4 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있으며, Rb 및 Rc는 동일하거나 또는 상이하며, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있되, 단 질소 원자가 이중 결합을 포함하는 경우, Rc는 없다.
<화학식 B>
Figure 112007091015748-PCT00006
식 중, Rd는 탄소수 2 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있으며, Re, Rf 및 Rg는 동일하거나 또는 상이하며, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있다.
<화학식 C>
Figure 112007091015748-PCT00007
식 중, Rh는 탄소수 2 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있으며, Ri, Rj 및 Rk는 동일하거나 또는 상이하며, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있다.
<화학식 D>
Figure 112007091015748-PCT00008
식 중, Z는 질소, 황, 또는 인 원자를 나타내고, Rl, Rm, Rn 및 Ro는 동일하거나 또는 상이하며, 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있되, 단 Z가 황 원자인 경우, Ro는 없다.
화학식 A로 표시되는 양이온으로서는, 예를 들면 피리디늄 양이온, 피페리디늄 양이온, 피롤리디늄 양이온, 피롤린 골격을 갖는 양이온, 피롤 골격을 갖는 양이온 등을 들 수 있다.
구체예로서는, 예를 들면 1-에틸피리디늄 양이온, 1-부틸피리디늄 양이온, 1-헥실피리디늄 양이온, 1-부틸-3-메틸피리디늄 양이온, 1-부틸-4-메틸피리디늄 양이온, 1-헥실-3-메틸피리디늄 양이온, 1-부틸-3,4-디메틸피리디늄 양이온, 1,1-디메틸피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-에틸피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-프로필피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-부틸피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-펜틸피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-헥실피롤리디늄 양이온, 1-메틸-1-헵틸피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-프로 필피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-부틸피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-펜틸피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-헥실피롤리디늄 양이온, 1-에틸-1-헵틸피롤리디늄 양이온, 1,1-디프로필피롤리디늄 양이온, 1-프로필-1-부틸피롤리디늄 양이온, 1,1-디부틸피롤리디늄 양이온, 1-프로필피페리디늄 양이온, 1-펜틸피페리디늄 양이온, 1,1-디메틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-에틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-프로필피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-부틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-펜틸피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-헥실피페리디늄 양이온, 1-메틸-1-헵틸피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-프로필피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-부틸피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-펜틸피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-헥실피페리디늄 양이온, 1-에틸-1-헵틸피페리디늄 양이온, 1,1-디프로필피페리디늄 양이온, 1-프로필-1-부틸피페리디늄 양이온, 1-부틸-1-펜틸피페리디늄 양이온, 1-부틸-1-헥실피페리디늄 양이온, 1-부틸-1-헵틸피페리디늄 양이온, 1,1-디부틸피페리디늄 양이온, 2-메틸-1-피롤린 양이온, 1-에틸-2-페닐인돌 양이온, 1,2-디메틸인돌 양이온, 1-에틸카르바졸 양이온 등을 들 수 있다.
화학식 B로 표시되는 양이온으로서는, 예를 들면 이미다졸륨 양이온, 테트라히드로피리미디늄 양이온, 디히드로피리미디늄 양이온 등을 들 수 있다.
구체예로서는, 예를 들면 1,3-디메틸이미다졸륨 양이온, 1,3-디에틸이미다졸륨 양이온, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-옥틸-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-데실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-도데실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-테트라데실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-헥사데실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1-옥타데실-3-메틸이미다졸륨 양이온, 1,2-디메틸-3-프로필이미다졸륨 양이온, 1-에틸-2,3-디메틸이미다졸륨 양이온, 1-부틸-2,3-디메틸이미다졸륨 양이온, 1-헥실-2,3-디메틸이미다졸륨 양이온, 1,3-디메틸-1,4,5,6-테트라히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3-트리메틸-1,4,5,6-테트라히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3,4-테트라메틸-1,4,5,6-테트라히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3,5-테트라메틸-1,4,5,6-테트라히드로피리미디늄 양이온, 1,3-디메틸-1,4-디히드로피리미디늄 양이온, 1,3-디메틸-1,6-디히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3-트리메틸-1,4-디히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3-트리메틸-1,6-디히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3,4-테트라메틸-1,4-디히드로피리미디늄 양이온, 1,2,3,4-테트라메틸-1,6-디히드로피리미디늄 양이온 등을 들 수 있다.
화학식 C로 표시되는 양이온으로서는, 예를 들면 피라졸륨 양이온, 피라졸리늄 양이온 등을 들 수 있다.
구체예로서는, 예를 들면 1-메틸피라졸륨 양이온, 3-메틸피라졸륨 양이온, 1-에틸-2,3,5-트리메틸피라졸륨 양이온, 1-프로필-2,3,5-트리메틸피라졸륨 양이온, 1-부틸-2,3,5-트리메틸피라졸륨 양이온, 1-에틸-2-메틸피라졸륨 양이온 등을 들 수 있다.
화학식 D로 표시되는 양이온으로서는, 예를 들면 테트라알킬암모늄 양이온, 트리알킬술포늄 양이온, 테트라알킬포스포늄 양이온이나, 상기 알킬기의 일부가 알케닐기나 알콕실기, 나아가 에폭시기로 치환된 것 등을 들 수 있다.
구체예로서는, 예를 들면 테트라메틸암모늄 양이온, 테트라에틸암모늄 양이온, 테트라프로필암모늄 양이온, 테트라부틸암모늄 양이온, 테트라펜틸암모늄 양이 온, 테트라헥실암모늄 양이온, 테트라헵틸암모늄 양이온, 트리에틸메틸암모늄 양이온, 트리부틸에틸암모늄 양이온, 트리메틸데실암모늄 양이온, 트리옥틸메틸암모늄 양이온, 트리펜틸부틸암모늄 양이온, 트리헥실메틸암모늄 양이온, 트리헥실펜틸암모늄 양이온, 트리헵틸메틸암모늄 양이온, 트리헵틸헥실암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 양이온, 글리시딜 트리메틸암모늄 양이온, 디알릴디메틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디프로필암모늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디헥실암모늄 양이온, N,N-디프로필-N,N-디헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-프로필암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-부틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-노닐암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-부틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-부틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-부틸-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-펜틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-헥실-N-헵틸암모늄 양이온, 트리메틸헵틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-프로필암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 양이온, 트리에틸메틸암모늄 양이온, 트리에틸프로필암모늄 양이온, 트리에틸펜틸암모늄 양이온, 트리에틸헵틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N-메틸-N-에틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N-메틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N-부틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디부틸-N-메틸-N-펜틸암모늄 양이 온, N,N-디부틸-N-메틸-N-헥실암모늄 양이온, 트리옥틸메틸암모늄 양이온, N-메틸-N-에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 양이온, 트리메틸술포늄 양이온, 트리에틸술포늄 양이온, 트리부틸술포늄 양이온, 트리헥실술포늄 양이온, 디에틸메틸술포늄 양이온, 디부틸에틸술포늄 양이온, 디메틸데실술포늄 양이온, 테트라메틸포스포늄 양이온, 테트라에틸포스포늄 양이온, 테트라부틸포스포늄 양이온, 테트라펜틸포스포늄 양이온, 테트라헥실포스포늄 양이온, 테트라헵틸포스포늄 양이온, 테트라옥틸포스포늄 양이온, 트리에틸메틸포스포늄 양이온, 트리부틸에틸포스포늄 양이온, 트리메틸데실포스포늄 양이온 등을 들 수 있다.
그 중에서도 트리에틸메틸암모늄 양이온, 트리부틸에틸암모늄 양이온, 트리메틸데실암모늄 양이온, 트리옥틸메틸암모늄 양이온, 트리펜틸부틸암모늄 양이온, 트리헥실메틸암모늄 양이온, 트리헥실펜틸암모늄 양이온, 트리헵틸메틸암모늄 양이온, 트리헵틸헥실암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 양이온, 글리시딜 트리메틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-프로필암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-부틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-에틸-N-노닐암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-부틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-프로필-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-부틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-부틸-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-펜틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디메틸-N-헥실-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디메틸-N,N-디헥실암모 늄 양이온, 트리메틸헵틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-프로필암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-메틸-N-헵틸암모늄 양이온, N,N-디에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 양이온, 트리에틸프로필암모늄 양이온, 트리에틸펜틸암모늄 양이온, 트리에틸헵틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N-메틸-N-에틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N-메틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디프로필-N-부틸-N-헥실암모늄 양이온, N,N-디프로필-N,N-디헥실암모늄 양이온, N,N-디부틸-N-메틸-N-펜틸암모늄 양이온, N,N-디부틸-N-메틸-N-헥실암모늄 양이온, 트리옥틸메틸암모늄 양이온, N-메틸-N-에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 양이온 등의 테트라알킬암모늄 양이온, 트리메틸술포늄 양이온, 트리에틸술포늄 양이온, 트리부틸술포늄 양이온, 트리헥실술포늄 양이온, 디에틸메틸술포늄 양이온, 디부틸에틸술포늄 양이온, 디메틸데실술포늄 양이온 등의 트리알킬술포늄 양이온, 테트라메틸포스포늄 양이온, 테트라에틸포스포늄 양이온, 테트라부틸포스포늄 양이온, 테트라펜틸포스포늄 양이온, 테트라헥실포스포늄 양이온, 테트라헵틸포스포늄 양이온, 테트라옥틸포스포늄 양이온, 트리에틸메틸포스포늄 양이온, 트리부틸에틸포스포늄 양이온, 트리메틸데실포스포늄 양이온 등의 테트라알킬포스포늄 양이온 등이 바람직하게 사용된다.
한편, 음이온 성분으로서는, 이온성 액체가 되는 것을 만족하는 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 예를 들면 Cl-, Br-, I-, AlCl4 -, Al2Cl7 -, BF4 -, PF6 -, ClO4 -, NO3 -, CH3COO-, CF3COO-, CH3SO3 -, CF3SO3 -, (CF3SO2)2N-, (CF3SO2)3C-, AsF6 -, SbF6 -, NbF6 -, TaF6 -, F(HF)n -, (CN)2N-, C4F9SO3 -, (C2F5SO2)2N-, C3F7COO-, (CF3SO2)(CF3CO)N-등이 사용된다. 그 중에서도, 특히 불소 원자를 포함하는 음이온 성분은 저융점의 이온성 화합물이 얻어진다는 점에서 바람직하게 사용된다.
본 발명에 사용되는 이온성 액체의 구체예로서는, 상기 양이온 성분과 음이온 성분의 조합으로부터 적절하게 선택하여 사용된다.
구체예로서는, 예를 들면 1-부틸피리디늄 테트라플루오로보레이트, 1-부틸피리디늄 헥사플루오로포스페이트, 1-부틸-3-메틸피리디늄 테트라플루오로보레이트, 1-부틸-3-메틸피리디늄 트리플루오로메탄술포네이트, 1-부틸-3-메틸피리디늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-부틸-3-메틸피리디늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-헥실피리디늄 테트라플루오로보레이트, 2-메틸-1-피롤린 테트라플루오로보레이트, 1-에틸-2-페닐인돌 테트라플루오로보레이트, 1,2-디메틸인돌 테트라플루오로보레이트, 1-에틸카르바졸 테트라플루오로보레이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 아세테이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트리플루오로아세테이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 헵타플루오로부틸레이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트리플루오로메탄술포네이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 퍼플루오로부탄술포네이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 디시안아미드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트리스(트리플 루오로메탄술포닐)메티드, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 트리플루오로아세테이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 헵타플루오로부틸레이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 트리플루오로메탄술포네이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 퍼플루오로부탄술포네이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 브로마이드, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 트리플루오로메탄술포네이트, 1-옥틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트, 1-옥틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트, 1-헥실-2,3-디메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트, 1,2-디메틸-3-프로필이미다졸륨 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 1-메틸피라졸륨 테트라플루오로보레이트, 3-메틸피라졸륨 테트라플루오로보레이트, 테트라헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 디알릴디메틸암모늄 테트라플루오로보레이트, 디알릴디메틸암모늄 트리플루오로메탄술포네이트, 디알릴디메틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 디알릴디메틸암모늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 테트라플루오로보레이트, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 트리플루오로메탄술포네이트, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 글리시딜 트리메틸암모늄 트리플루오로메탄술포네이트, 글리시딜 트리메틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포 닐)이미드, 글리시딜 트리메틸암모늄 비스(펜타플루오로에탄술포닐)이미드, 1-부틸피리디늄 (트리플루오로메탄술포닐)트리플루오로아세트아미드, 1-부틸-3-메틸피리디늄 (트리플루오로메탄술포닐)트리플루오로아세트아미드, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 (트리플루오로메탄술포닐)트리플루오로아세트아미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-(2-메톡시에틸)암모늄 (트리플루오로메탄술포닐)트리플루오로아세트아미드, 디알릴디메틸암모늄 (트리플루오로메탄술포닐)트리플루오로아세트아미드, 글리시딜 트리메틸암모늄 (트리플루오로메탄술포닐)트리플루오로아세트아미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-프로필암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-부틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-헵틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-에틸-N-노닐암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N,N-디프로필암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-프로필-N-부틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-프로필-N-헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-프로필-N-헵틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-부틸-N-헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-부틸-N-헵틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N-펜틸-N-헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디메틸-N,N-디헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 트리메틸헵틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-프로필암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-메틸-N-헵틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 트리에틸프로필암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 트리에틸펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 트리에틸헵틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디프로필-N-메틸-N-에틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디프로필-N-메틸-N-펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디프로필-N-부틸-N-헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디프로필-N,N-디헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디부틸-N-메틸-N-펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N,N-디부틸-N-메틸-N-헥실암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, 트리옥틸메틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드, N-메틸-N-에틸-N-프로필-N-펜틸암모늄 비스(트리플루오로메탄술포닐)이미드 등을 들 수 있다.
본 발명에 사용되는 이온성 액체는, 상기 양이온 성분과 음이온 성분의 조합으로부터 적절하게 선택하여 사용되는데, 수용성인 것이 바람직하다.
수용성의 이온성 액체의 구체예로서는, 예를 들면 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 헥사플루오로포스페이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트리플루오로메탄술포네이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 테트라플루오로보레이트, 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 트리플루오로메탄술포네이트, 1-헥 실-3-메틸이미다졸륨 브로마이드, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-옥틸-3-메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-데실-3-메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-도데실-3-메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-테트라데실-3-메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-헥사데실-3-메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-헥실-2,3-디메틸이미다졸륨 브로마이드, 1-헥실-2,3-디메틸이미다졸륨 클로라이드, 1-부틸피리디늄 트리플루오로메탄술포네이트, 1-헥실피리디늄 브로마이드, 1-헥실피리디늄 클로라이드, 1-부틸-3-메틸피리디늄 트리플루오로메탄술포네이트 등을 들 수 있다.
상기와 같은 이온성 액체는 시판 중인 것을 사용할 수도 있지만, 하기와 같이 하여 합성할 수도 있다.
이온성 액체의 합성 방법으로서는, 목적으로 하는 이온성 액체가 얻어진다면 특별히 한정되지 않지만, 일반적으로는 문헌 ["이온성 액체 -개발의 최전선과 미래-"(CMC 출판 발행)]에 기재되어 있는 바와 같은 할로겐화물법, 수산화물법, 산 에스테르법, 착 형성법 및 중화법 등이 이용된다.
하기에 할로겐화물법, 수산화물법, 산 에스테르법, 착 형성법 및 중화법에 대하여 질소 함유 오늄염을 예로서 그 합성 방법에 대하여 나타내지만, 그 밖의 황 함유 오늄염, 인 함유 오늄염 등 그 밖의 이온성 액체에 대해서도 동일한 수법에 의해 얻을 수 있다.
할로겐화물법은, 반응식 (1) 내지 (3)에 나타낸 바와 같은 반응에 의해 행해지는 방법이다. 우선, 3급 아민과 할로겐화 알킬을 반응시켜 할로겐화물을 얻는다(반응식 (1), 할로겐으로서는 염소, 브롬, 요오드가 사용됨).
얻어진 할로겐화물을 목적으로 하는 이온성 액체의 음이온 구조(A-)를 갖는 산(HA) 또는 염(MA, M은 암모늄, 리튬, 나트륨, 칼륨 등 목적으로 하는 음이온과 염을 형성하는 양이온임)과 반응시켜, 목적으로 하는 이온성 액체(R4NA)가 얻어진다.
Figure 112007091015748-PCT00009
수산화물법은, 반응식 (4) 내지 (8)에 나타낸 바와 같은 반응에 의해 행해지는 방법이다. 우선, 할로겐화물(R4NX)을 이온 교환막법 전해(반응식 (4)), OH형 이온 교환 수지법(반응식 (5)) 또는 산화은(Ag2O)과의 반응(반응식 (6))으로 수산화물(R4NOH)을 얻는다(할로겐으로서는 염소, 브롬, 요오드가 사용됨).
얻어진 수산화물을 상기 할로겐화법과 마찬가지로 반응식 (7) 내지 (8)의 반응을 이용하여, 목적으로 하는 이온성 액체(R4NA)를 얻을 수 있다.
Figure 112007091015748-PCT00010
산 에스테르법은, 반응식 (9) 내지 (11)에 나타낸 바와 같은 반응에 의해 행해지는 방법이다. 우선, 3급 아민(R3N)을 산 에스테르와 반응시켜 산 에스테르물을 얻는다(반응식 (9), 산 에스테르로서는 황산, 아황산, 인산, 아인산, 탄산 등의 무 기산의 에스테르나 메탄술폰산, 메틸포스폰산, 포름산 등의 유기산의 에스테르 등이 사용됨).
얻어진 산 에스테르물을 상기 할로겐화법과 마찬가지로 반응식 (10) 내지 (11)의 반응을 이용하여, 목적으로 하는 이온성 액체(R4NA)를 얻을 수 있다. 또한, 산 에스테르로서 메틸트리플루오로메탄술포네이트, 메틸트리플루오로아세테이트 등을 사용함으로써, 직접 이온성 액체를 얻을 수도 있다.
Figure 112007091015748-PCT00011
착 형성법은, 반응식 (12) 내지 (15)에 나타낸 바와 같은 반응에 의해 행해지는 방법이다. 우선, 4급 암모늄의 할로겐화물(R4NX), 4급 암모늄의 수산화물(R4NOH), 4급 암모늄의 탄산에스테르화물(R4NOCO2CH3) 등을 불화수소(HF)나 불화암모늄(NH4F)과 반응시켜 불화 4급 암모늄염을 얻는다(반응식 (12) 내지 (14)).
얻어진 불화 4급 암모늄염을 BF3, AlF3, PF5, ASF5, SbF5, NbF5, TaF5 등의 불화물과 착 형성 반응에 의해 이온성 액체를 얻을 수 있다(반응식 (15)).
Figure 112007091015748-PCT00012
중화법은, 반응식 (16)에 나타낸 바와 같은 반응에 의해 행해지는 방법이다. 3급 아민과 HBF4, HPF6, CH3COOH, CF3COOH, CF3SO3H, (CF3SO2)2NH, (CF3SO2)3CH, (C2F5SO2)2NH 등의 유기산을 반응시킴으로써 얻을 수 있다.
Figure 112007091015748-PCT00013
상기 반응식 (1) 내지 (16)에 기재된 R은, 수소 또는 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있다.
이온성 액체의 배합량으로서는, 사용하는 중합체와 이온성 액체의 상용성에 따라 변하기 때문에 일률적으로 정의할 수는 없지만, 일반적으로는 기재 중합체 100 중량부에 대하여 0.01 내지 40 중량부가 바람직하고, 0.03 내지 20 중량부가 보다 바람직하고, 0.05 내지 10 중량부가 가장 바람직하다. 0.01 중량부 미만이면 충분한 대전 방지 특성이 얻어지지 않고, 40 중량부를 초과하면 피착체에의 오염이 증가하는 경향이 있다.
본 발명에 있어서는, 단량체 성분으로서 탄소수 1 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 50 내지 99.9 중량％ 함유하는 수분산형 (메트)아크릴계 중합체를 기재 중합체로서 사용한다. 이들 (메트)아크릴계 중합체를 기재 중합체로 서 사용함으로써, 이온성 액체와 기재 중합체의 상용성의 균형이 양호해지고, 점착 특성을 충분히 유지할 수 있다.
본 발명에 사용되는 (메트)아크릴계 중합체로서는, 상술한 것에 해당하는 점착성을 갖는 (메트)아크릴계 중합체라면 특별히 한정되지 않는다.
탄소수 1 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트의 구체예로서는, 예를 들면 메틸 (메트)아크릴레이트, 에틸 (메트)아크릴레이트, n-부틸 (메트)아크릴레이트, s-부틸 (메트)아크릴레이트, t-부틸 (메트)아크릴레이트, 이소부틸 (메트)아크릴레이트, 헥실 (메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트, n-옥틸 (메트)아크릴레이트, 이소옥틸 (메트)아크릴레이트, n-노닐 (메트)아크릴레이트, 이소노닐 (메트)아크릴레이트, n-데실 (메트)아크릴레이트, 이소데실 (메트)아크릴레이트, n-도데실 (메트)아크릴레이트, n-트리데실 (메트)아크릴레이트, n-테트라데실 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.
그 중에서도, 본 발명의 표면 보호 필름에 사용하는 경우에는 헥실 (메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실 (메트)아크릴레이트, n-옥틸 (메트)아크릴레이트, 이소옥틸 (메트)아크릴레이트, n-노닐 (메트)아크릴레이트, 이소노닐 (메트)아크릴레이트, n-데실 (메트)아크릴레이트, 이소데실 (메트)아크릴레이트, n-도데실 (메트)아크릴레이트, n-트리데실 (메트)아크릴레이트, n-테트라데실 (메트)아크릴레이트 등이 바람직하게 사용된다. 이들 탄소수 6 내지 14의 알킬기를 주성분으로 하는 (메트)아크릴레이트를 포함하는 (메트)아크릴계 중합체를 사용함으로써, 피착체에의 점착력을 낮게 제어하는 것이 용이해지고, 재박리성이 우수한 것이 된다.
상술한 탄소수 1 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트는 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있지만, (메트)아크릴계 중합체의 전체 단량체 성분 중 50 내지 99.9 중량％인 것이 바람직하고, 60 내지 99.5 중량％인 것이 보다 바람직하고, 70 내지 99 중량％인 것이 더욱 바람직하다. 상술한 탄소수 1 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 주성분으로 하는 (메트)아크릴계 중합체를 사용함으로써, 이온성 액체와 기재 중합체의 상용성의 균형이 양호해지고, 점착 특성을 충분히 유지할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서는, 상술한 탄소수 1 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트 외에, 가교제와 반응할 수 있는 관능기 함유 단량체나 (메트)아크릴계 중합체의 유리 전이점이나 박리성을 조정하기 위한 그 밖의 중합성 단량체 성분을 사용할 수 있다.
단, 카르복실기, 술폰산기 등의 산 관능기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 사용하는 경우에는, (메트)아크릴계 중합체의 산가가 40 이하가 되도록 조정하는 것이 바람직하다. (메트)아크릴계 중합체의 산가가 40을 초과하면, 대전 방지 특성이 불량해지는 경향이 있다. 바람직하게는 29 이하이다.
산가의 조정은, 산 관능기를 갖는 (메트)아크릴레이트의 배합량에 따라 조정할 수 있으며, 예를 들면 카르복실기를 갖는 (메트)아크릴계 중합체로서 2-에틸헥실아크릴레이트와 아크릴산을 공중합한 (메트)아크릴계 중합체를 들 수 있는데, 이 경우, 2-에틸헥실아크릴레이트와 아크릴산의 합계량 100 중량부에 대하여, 아크릴산을 5.1 중량부 이하로 조정함으로써, 상기 산가를 40 이하의 값으로 할 수 있다. 또한, 아크릴산을 3.7 중량부 이하로 조정함으로써, 상기 산가를 29 이하의 값으로 할 수 있다.
상기 관능기 함유 단량체로서는, 예를 들면 카르복실기 함유 단량체, 산 무수물기 함유 단량체, 히드록실기 함유 단량체, 아미노기 함유 단량체, 에폭시기 함유 단량체, 이소시아네이트기 함유 단량체, 아지리딘기 함유 단량체 등의 가교화 기점으로서 기능하는 관능기를 갖는 성분을 적절하게 사용할 수 있다.
카르복실기 함유 단량체로서는, 예를 들면 (메트)아크릴산, 카르복시에틸 (메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸 (메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이소크로톤산 등을 들 수 있다.
산 무수물기 함유 단량체로서는, 예를 들면 무수 말레산, 무수 이타콘산, 상기 카르복실기 함유 단량체의 산 무수물체 등을 들 수 있다.
히드록실기 함유 단량체로서는, 예를 들면 2-히드록시에틸 (메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필 (메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸 (메트)아크릴레이트, 6-히드록시헥실 (메트)아크릴레이트, 8-히드록시옥틸 (메트)아크릴레이트, 10-히드록시데실 (메트)아크릴레이트, 12-히드록시라우릴 (메트)아크릴레이트, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸아크릴레이트, N-메틸올 (메트)아크릴아미드, 비닐 알코올, 알릴 알코올, 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜 모노비닐에테르 등을 들 수 있다.
아미노기 함유 단량체로서는, 예를 들면 아미노에틸 (메트)아크릴레이트, N,N-디메틸아미노에틸 (메트)아크릴레이트, N,N-디메틸아미노프로필 (메트)아크릴 레이트 등을 들 수 있다.
에폭시기 함유 단량체로서는, 예를 들면 글리시딜 (메트)아크릴레이트, 메틸글리시딜 (메트)아크릴레이트, 알릴글리시딜에테르 등을 들 수 있다.
이소시아네이트기 함유 단량체로서는, 예를 들면 2-메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트 등을 들 수 있다.
상술한 관능기 함유 (메트)아크릴레이트는 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있지만, 전체로서의 함유량은 (메트)아크릴계 중합체의 전체 단량체 성분 중 0.1 내지 15 중량％인 것이 바람직하고, 0.2 내지 12 중량％인 것이 보다 바람직하고, 0.3 내지 10 중량％인 것이 특히 바람직하다. 상기 관능기 함유 (메트)아크릴레이트의 함유량이 0.1 중량％보다 적어지면, 가교제에 의한 가교 형성이 불충분해지고, 점착제 조성물의 응집력이 작아져 점착물 잔여의 원인이 되는 경향이 있다. 한편, 상기 관능기 함유 (메트)아크릴레이트의 함유량이 15 중량％를 초과하면, 점착제 조성물의 응집력이 지나치게 커져 유동성이 저하되고, 피착체의 습윤성이 불충분해져 박리의 원인이 되는 경향이 있다.
또한, 그 밖의 중합성 단량체 성분으로서, (메트)아크릴계 중합체의 유리 전이점이나 박리성을 조정하기 위한 중합성 단량체 등을 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에서 사용할 수 있다.
그 밖의 중합성 단량체 성분으로서는, 예를 들면 술폰산기 함유 단량체, 인산기 함유 단량체, 시아노기 함유 단량체, 비닐 에스테르류, 방향족 비닐 화합물 등의 응집력ㆍ내열성 향상 성분이나, 아미드기 함유 단량체, 이미드기 함유 단량 체, N-(메트)아크릴로일 모르폴린, 비닐 에테르류 등의 접착력 향상이나 가교화 기점으로서 기능하는 관능기를 갖는 성분을 적절하게 사용할 수 있다.
술폰산기 함유 단량체로서는, 예를 들면 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미도-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산, 비닐술폰산나트륨 등을 들 수 있다.
인산기 함유 단량체로서는, 예를 들면 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트를 들 수 있다.
시아노기 함유 단량체로서는, 예를 들면 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴을 들 수 있다.
비닐 에스테르류로서는, 예를 들면 아세트산 비닐, 프로피온산 비닐, 라우르산 비닐 등을 들 수 있다.
방향족 비닐 화합물로서는, 예를 들면 스티렌, 클로로스티렌, 클로로메틸스티렌, α-메틸스티렌, 그 밖의 치환 스티렌 등을 들 수 있다.
아미드기 함유 단량체로서는, 예를 들면 아크릴아미드, 메타크릴아미드, 디에틸아크릴아미드, N-비닐피롤리돈, N,N-디메틸아크릴아미드, N,N-디메틸메타크릴아미드, N,N-디에틸아크릴아미드, N,N-디에틸메타크릴아미드, N,N'-메틸렌비스아크릴아미드, N,N-디메틸아미노프로필아크릴아미드, N,N-디메틸아미노프로필메타크릴아미드, 디아세톤아크릴아미드 등을 들 수 있다.
이미드기 함유 단량체로서는, 예를 들면 시클로헥실말레이미드, 이소프로필 말레이미드, N-시클로헥실말레이미드, 이타콘이미드 등을 들 수 있다.
비닐 에테르류로서는, 예를 들면 메틸비닐에테르, 에틸비닐에테르, 이소부틸비닐에테르 등을 들 수 있다.
상술한 그 밖의 중합성 단량체 성분은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있지만, 전체로서의 함유량은 (메트)아크릴계 중합체의 전체 단량체 성분 중 0 내지 35 중량％인 것이 바람직하고, 0 내지 30 중량％인 것이 보다 바람직하고, 0 내지 25 중량％인 것이 특히 바람직하다. 상술한 그 밖의 중합성 단량체 성분을 사용함으로써, 이온성 액체와의 양호한 상호 작용 및 양호한 접착성을 적절하게 조절할 수 있다.
또한, 기재 중합체로서 상기 (메트)아크릴계 중합체의 유리 전이 온도(Tg)가 통상적으로 -100 ℃ 내지 0 ℃인 것이 바람직하고, -80 ℃ 내지 -10 ℃인 것이 보다 바람직하다. 유리 전이 온도가 0 ℃보다 높아지면, 충분한 점착력을 얻는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 또한, (메트)아크릴계 중합체의 유리 전이 온도(Tg)는, 사용하는 단량체 성분이나 이들의 조성비를 적절하게 변경함으로써 상기 범위 내로 조정할 수 있다.
본 발명의 (메트)아크릴계 중합체로서는, 상술한 바와 같은 단량체 성분(단량체) 배합물을, 유화제의 존재하에서 유화 중합함으로써 얻어진 수분산형 (메트)아크릴계 중합체가 사용된다. 또한, 얻어지는 중합체는 랜덤 공중합체, 블럭 공중합체, 그래프트 공중합체 등 중 어느 하나일 수 있다.
본 발명에 있어서, 유화 중합에 사용하는 유화제, 중합 개시제 등은 특별히 한정되지 않으며, 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.
본 발명에 사용되는 유화제로서는, 예를 들면 알킬황산에스테르류, 알킬벤젠술폰산염류, 알킬술포숙신산염류, 폴리옥시에틸렌알킬황산염류, 폴리옥시에틸렌알킬인산에스테르류 등의 음이온계 유화제, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 알킬페닐에테르류, 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 블럭 중합체류, 소르비탄 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌 지방산 에스테르류 등의 비이온계 유화제 등을 들 수 있다.
또한, 유화제로서, 프로페닐기, 알릴기, (메트)아크릴로일기, 알릴에테르기 등의 라디칼 중합성 관능기(반응성 관능기)가 도입된 반응성 유화제를 사용할 수도 있다. 라디칼 중합성 관능기를 가짐으로써, 반응에 따라 기재 중합체쇄에 취입되기 때문에, 피착체에의 유화제의 블리딩을 방지할 수 있다.
또한, 반응성 유화제로서, 알킬렌옥시드기를 갖는 반응성 유화제를 사용할 수도 있다. 알킬렌옥시드기를 갖는 반응성 유화제를 사용함으로써, 반응하여 알킬렌옥시드기가 기재 중합체쇄에 취입됨으로써, 기재 중합체와 이온성 액체의 상용성이 향상되고, 피착체에의 이온성 액체의 블리딩이 바람직하게 억제되며, 저오염성의 점착제 조성물을 얻을 수 있다.
상기 알킬렌옥시드기를 갖는 반응성 유화제로서는, 예를 들면 아쿠알론 HS-10, HS-20, KH-10, BC-05, BC-10, BC-20, BC-2020(이상, 모두 다이이찌 고교 세야꾸사 제조), 아데카 리아소프 SE-10N(아사히 덴까 고교사 제조), 라테무르 PD-104(카오사 제조) 등을 들 수 있다.
상기 유화제는 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있지만, 중합 안정성이나 기계적 안정성으로부터, 전체적인 함유량은 단량체 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부인 것이 바람직하고, 0.3 내지 5 중량부인 것이 보다 바람직하다.
중합 조작례로서는, 예를 들면 우선 상기 단량체나 공중합 단량체를 혼합하고, 여기에 유화제 및 물을 배합한 후, 유화하여 에멀젼을 제조한다. 이 때의 단량체는 사용하는 전체량의 전부 또는 일부를 배합하고, 나머지는 중합 도중에 적하할 수도 있다. 이어서, 상기 에멀젼에 중합 개시제 및 필요에 따라 물을 첨가하여 에멀젼 중합(유화 중합)한다.
또한, 물은 에멀젼의 제조시에만 배합할 수도 있고, 또는 그 후에 더 배합할 수도 있으며, 후술하는 중합 방법에 따라 적절하게 선택할 수 있다. 또한, 물의 배합량은 특별히 한정되는 것이 아니지만, 에멀젼 중합(유화 중합) 후의 (메트)아크릴계 중합체의 고형분 농도가 30 내지 75 중량％, 바람직하게는 35 내지 70 중량％가 되도록 제조한다.
에멀젼 중합(유화 중합)의 방법은 특별히 한정되지 않으며, 일괄 중합법(일괄 투입법), 연속 적하법(단량체 적하법, 단량체 에멀젼 적하법), 이들을 조합한 중합법 등으로부터 적절하게 선택할 수 있다.
일괄 중합법에서는, 예를 들면 반응 용기에 단량체 혼합물, 유화제 및 물을 넣고, 교반 혼합에 의해 유화시켜 에멀젼을 제조한 후, 또한 이 반응 용기에 중합 개시제 및 필요에 따라 물을 첨가하여 에멀젼 중합(유화 중합)한다.
또한, 연속 적하법에서는, 예를 들면 우선 단량체 혼합물, 유화제 및 물을 첨가하고, 교반 혼합에 의해 유화시켜 적하액을 제조함과 동시에, 반응 용기에 중합 개시제 및 물을 넣고, 이어서 적하액을 반응 용기 내에 적하하여 에멀젼 중합(유화 중합)한다.
에멀젼 중합 후의 첨가제로서는, 예를 들면 pH 완충제, 중화제, 발포 방지제, 안정제 등 공지된 것을 적절하게 사용할 수 있다.
본 발명에 사용되는 중합 개시제로서는, 예를 들면 2,2'-아조비스이소부티로니트릴, 2,2'-아조비스[2-(5-메틸-2-이미다졸린-2-일)프로판]디히드로클로라이드, 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온아미딘)이황산염, 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온아미딘)디히드로클로라이드, 2,2'-아조비스(N,N'-디메틸렌이소부틸아미딘)디히드로클로라이드, 2,2'-아조비스[N-(2-카르복시에틸)-2-메틸프로피온아미딘]히드레이트 등의 아조계 개시제, 과황산칼륨, 과황산암모늄 등의 과황산염, 디(2-에틸헥실)퍼옥시 디카르보네이트, 디(4-t-부틸시클로헥실)퍼옥시 디카르보네이트, 디-sec-부틸퍼옥시 디카르보네이트, t-부틸퍼옥시네오데카노에이트, t-헥실퍼옥시피발레이트, t-부틸퍼옥시피발레이트, 디라우로일퍼옥시드, 디-n-옥타노일퍼옥시드, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸헥사노에이트, 디(4-메틸벤조일)퍼옥시드, 벤조일퍼옥시드, t-부틸퍼옥시이소부틸레이트, 1,1-디(t-헥실퍼옥시)시클로헥산, t-부틸히드로퍼옥시드, 과산화수소 등의 과산화물계 개시제, 과황산염과 아황산수소나트륨의 조합, 과산화물과 아스코르브산나트륨의 조합 등의 과산화물과 환원제를 조합한 산화 환원계 개시제 등을 들 수 있지만, 이것들로 한정되는 것이 아니다.
상기 중합 개시제는 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있지만, 전체로서의 함유량은 단량체 100 중량부에 대하여 통상 0.001 내지 0.1 중량부가 바람직하고, 0.002 내지 0.05 중량부가 보다 바람직하다.
또한, 본 발명에 있어서는, 중합에 있어서 연쇄 이동제를 사용할 수도 있다. 이들 연쇄 이동제를 사용함으로써, (메트)아크릴계 중합체의 분자량 등을 조정할 수 있다.
연쇄 이동제로서는, 예를 들면 라우릴머캅탄, 글리시딜머캅탄, 머캅토아세트산, 2-머캅토에탄올, 티오글리콜산, 티오글리콜산 2-에틸헥실, 2,3-디머캅토-1-프로판올 등을 들 수 있다.
이들 연쇄 이동제는 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있지만, 전체로서의 함유량은 단량체 100 중량부에 대하여 0.01 내지 1 중량부인 것이 바람직하다.
본 발명의 점착제 조성물은, (메트)아크릴계 중합체를 적절하게 가교함으로써, 내열성이 더 우수한 점착 시트를 얻을 수 있다. 가교 방법의 구체적인 수단으로서는 이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 멜라민계 수지, 아지리딘 화합물, 카르보디이미드 화합물, 금속 킬레이트 화합물 등, (메트)아크릴계 중합체에 적절하게 가교화기점으로서 포함시킨 카르복실기, 히드록실기, 아미노기, 아미드기 등과 반응할 수 있는 기를 갖는 화합물을 첨가하여 반응시키는, 이른바 가교제를 사용하는 방법이 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
또한, 본 발명의 점착제 조성물에 있어서는 수분산형 (메트)아크릴계 중합체를 기재 중합체로 한다는 점에서, 수용성 가교제를 사용하는 것이 바람직하다.
수용성 가교로서는, 예를 들면 폴리에틸렌글리콜 글리시딜에테르 등의 에폭시 화합물, 수분산형 이소시아네이트 화합물, 옥사졸린 화합물, 아지리딘 화합물, 친수화 처리 카르보디이미드 화합물, 활성 메틸올 화합물, 활성 알콕시메틸 화합물, 금속 킬레이트 화합물 등을 들 수 있다.
이들 가교제의 사용량은, 가교해야 할 (메트)아크릴계 중합체와의 균형에 따라, 또한 점착 시트로서의 사용 용도에 따라 적절하게 선택된다. 아크릴 점착제의 응집력에 의해 충분한 내열성을 얻기 위해서는, 일반적으로는 상기 (메트)아크릴계 중합체 100 중량부에 대하여 0.01 내지 15 중량부 함유되어 있는 것이 바람직하며, 0.5 내지 10 중량부 함유되어 있는 것이 보다 바람직하다. 함유량이 0.01 중량부보다 적은 경우, 가교제에 의한 가교 형성이 불충분해지고, 점착제 조성물의 응집력이 작아져 충분한 내열성을 얻지 못하는 경우도 있고, 또한 점착물 잔여의 원인이 되는 경향이 있다. 한편, 함유량이 15 중량부를 초과하는 경우, 중합체의 응집력이 크고, 유동성이 저하되며, 피착체에의 습윤성이 불충분해져 박리의 원인이 되는 경향이 있다.
또한, 본 발명의 점착 시트에 사용되는 점착제 조성물에는, 종래 공지된 각종 점착 부여제나 표면 윤활제, 계면활성제, 레벨링제, 산화 방지제, 부식 방지제, 광 안정제, 자외선 흡수제, 중합 금지제, 실란 커플링제, 무기 또는 유기의 충전제, 금속분, 안료 등의 분체, 입자상, 박상물 등의 종래 공지된 각종 첨가제를 사 용하는 용도에 따라 적절하게 첨가할 수 있다.
한편, 본 발명의 점착제층은, 이상과 같은 점착제 조성물을 가교하여 이루어지는 것이다. 또한, 본 발명의 점착 시트는, 이러한 점착제층을 지지 필름 상에 형성하여 이루어지는 것이다. 이 때, 점착제 조성물의 가교는, 점착제 조성물의 도포 후에 행하는 것이 일반적이지만, 가교 후의 점착제 조성물을 포함하는 점착제층을 지지 필름 등에 전사하는 것도 가능하다.
필름 상에 점착제층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 상기 점착제 조성물을 지지 필름에 도포하고, 중합 용제(물 또는 수용액) 등을 건조 제거하여 점착제층을 지지 필름 상에 형성함으로써 제조된다. 그 후, 점착제층의 성분 이행의 조정이나 가교 반응의 조정 등을 목적으로서 양생을 행할 수도 있다. 또한, 점착제 조성물을 지지 필름 상에 도포하여 점착 시트를 제조할 때에는, 지지 필름 상에 균일하게 도포할 수 있도록, 상기 조성물 중에 중합 용제 이외의 1종 이상의 용제를 새롭게 첨가할 수도 있다.
또한, 본 발명의 점착제층의 형성 방법으로서는, 점착 시트의 제조에 사용되는 공지된 방법이 이용된다. 구체적으로는, 예를 들면 롤 코팅, 그라비아 코팅, 리버스 코팅, 롤 브러시, 분무 코팅, 에어 나이프 코팅법, 함침 및 커튼 코팅법, 다이 코터 등에 의한 압출 코팅법을 들 수 있다.
본 발명의 점착 시트는, 상기 점착제층을 통상 두께 3 내지 100 ㎛, 바람직하게는 5 내지 50 ㎛ 정도가 되도록 폴리에스테르 필름 등의 플라스틱 필름이나, 종이, 부직포 등의 다공질 재료 등을 포함하는 각종 지지체의 한쪽면 또는 양면에 도포 형성하고, 시트상이나 테이프상 등의 형태로 한 것이다. 특히 표면 보호 필름의 경우에는, 지지체로서 플라스틱 기재를 사용하는 것이 바람직하다.
플라스틱 기재로서는, 시트상이나 필름상으로 형성할 수 있는 것이라면 특별히 한정되는 것이 아니며, 예를 들면 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리-1-부텐, 폴리-4-메틸-1-펜텐, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 에틸렌ㆍ프로필렌 공중합체, 에틸렌ㆍ1-부텐 공중합체, 에틸렌ㆍ아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌ㆍ에틸아크릴레이트 공중합체, 에틸렌ㆍ비닐알코올 공중합체 등의 폴리올레핀 필름, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 폴리아크릴레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 폴리스티렌 필름, 나일론 6, 나일론 6,6, 부분 방향족 폴리아미드 등의 폴리아미드 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 폴리카르보네이트 필름 등을 들 수 있다.
상기 필름의 두께는, 통상 5 내지 200 ㎛, 바람직하게는 10 내지 100 ㎛ 정도이다.
또한, 플라스틱 기재로서 편광판, 위상차판, 휘도 향상판, 방현 시트 등, 플라스틱 기재를 적층하여 이루어지는 다층 필름을 사용할 수도 있다.
플라스틱 기재에는, 필요에 따라 실리콘계, 불소계, 장쇄 알킬계 또는 지방산 아미드계의 이형제, 실리카분 등에 의한 이형 및 방오 처리나 산 처리, 알칼리 처리, 프라이머 처리, 코로나 처리, 플라즈마 처리, 자외선 처리 등의 접착 용이 처리, 도포형, 삽입형, 증착형 등의 정전 방지 처리를 행할 수도 있다.
또한, 본 발명의 표면 보호 필름에 사용하는 플라스틱 기재는, 대전 방지 처리된 것이 보다 바람직하다.
플라스틱 기재에 실시되는 대전 방지 처리로서는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 일반적으로 사용되는 필름의 적어도 한쪽면에 대전 방지층을 설치하는 방법이나 플라스틱 필름에 삽입형 대전 방지제를 삽입하는 방법이 이용된다.
필름의 적어도 한쪽면에 대전 방지층을 설치하는 방법으로서는, 예를 들면 대전 방지제와 수지 성분을 포함하는 대전 방지성 수지나 도전성 중합체, 도전성 물질을 함유하는 도전성 수지를 도포하는 방법이나 도전성 물질을 증착 또는 도금하는 방법을 들 수 있다.
대전 방지성 수지에 함유되는 대전 방지제로서는, 예를 들면 4급 암모늄염, 피리디늄염, 제1, 제2, 제3 아미노기 등의 양이온성 관능기를 갖는 양이온형 대전 방지제, 술폰산염이나 황산에스테르염, 포스폰산염, 인산에스테르염 등의 음이온성 관능기를 갖는 음이온형 대전 방지제, 알킬베타인 및 그의 유도체, 이미다졸린 및 그의 유도체, 알라닌 및 그의 유도체 등의 양쪽성형 대전 방지제, 아미노알코올 및 그의 유도체, 글리세린 및 그의 유도체, 폴리에틸렌글리콜 및 그의 유도체 등의 비이온형 대전 방지제, 나아가 상기 양이온형, 음이온형, 양쪽성 이온형의 이온 도전성기를 갖는 단량체를 중합 또는 공중합하여 얻어진 이온 도전성 중합체를 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
구체적으로는 양이온형의 대전 방지제로서, 예를 들면 알킬트리메틸암모늄 염, 아실로일아미도프로필 트리메틸암모늄 메트술페이트, 알킬벤질메틸암모늄염, 아실염화콜린, 폴리디메틸아미노에틸 메타크릴레이트 등의 4급 암모늄기를 갖는 (메트)아크릴레이트 공중합체, 폴리비닐벤질트리메틸암모늄 클로라이드 등의 4급 암모늄기를 갖는 스티렌 공중합체, 폴리디알릴디메틸암모늄 클로라이드 등의 4급 암모늄기를 갖는 디알릴아민 공중합체 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
음이온형의 대전 방지제로서, 예를 들면 알킬술폰산염, 알킬벤젠술폰산염, 알킬황산에스테르염, 알킬에톡시황산에스테르염, 알킬인산에스테르염, 술폰산기 함유 스티렌 공중합체를 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
양쪽성 이온형의 대전 방지제로서, 예를 들면 알킬베타인, 알킬이미다졸륨베타인, 카르보베타인 그래프트 공중합을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
비이온형의 대전 방지제로서, 예를 들면 지방산 알킬올아미드, 디(2-히드록시에틸)알킬아민, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 지방산 글리세린 에스테르, 폴리옥시에틸렌글리콜 지방산 에스테르, 소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌 알킬페닐에테르, 폴리옥시에틸렌 알킬에테르, 폴리에틸렌글리콜, 폴리옥시에틸렌디아민, 폴리에테르와 폴리에스테르와 폴리아미드를 포함하는 공중합체, 메톡시폴리에틸렌글리콜 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 화합물은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
도전성 중합체로서는, 예를 들면 폴리아닐린, 폴리피롤, 폴리티오펜 등을 들 수 있다. 이들 도전성 중합체는 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
도전성 물질로서는, 예를 들면 산화주석, 산화안티몬, 산화인듐, 산화카드뮴, 산화티탄, 산화아연, 인듐, 주석, 안티몬, 금, 은, 구리, 알루미늄, 니켈, 크롬, 티탄, 철, 코발트, 요오드화 구리 및 이들의 합금 또는 혼합물을 들 수 있다. 이들 도전성 물질은 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
대전 방지성 수지 및 도전성 수지에 사용되는 수지 성분으로서는, 예를 들면 폴리에스테르, 아크릴, 폴리비닐, 우레탄, 멜라민, 에폭시 등의 범용 수지가 사용된다. 또한, 고분자형 대전 방지제의 경우에는, 수지 성분을 함유시키지 않을 수도 있다. 또한, 대전 방지 수지 성분에 가교제로서 메틸올화 또는 알킬올화한 멜라민계, 요소계, 글리옥살계, 아크릴아미드계 등의 화합물, 에폭시 화합물, 이소시아네이트 화합물을 함유시킬 수도 있다.
대전 방지층의 형성 방법으로서는, 예를 들면 상기 대전 방지성 수지, 도전성 중합체, 도전성 수지를 유기 용제 또는 물 등의 용매로 희석하고, 이 용액을 플라스틱 필름에 도포, 건조함으로써 형성된다.
상기 대전 방지층의 형성에 사용하는 유기 용제로서는, 예를 들면 메틸에틸케톤, 아세톤, 아세트산 에틸, 테트라히드로푸란, 디옥산, 시클로헥사논, n-헥산, 톨루엔, 크실렌, 메탄올, 에탄올, n-프로판올, 이소프로판올 등을 들 수 있다. 이들 용제는 단독으로 사용할 수도 있고, 또한 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
상기 대전 방지층의 형성에서의 도포 방법에 대해서는 공지된 도포 방법이 적절하게 이용되며, 구체적으로는 예를 들면 롤 코팅, 그라비아 코팅, 리버스 코팅, 롤 브러시, 분무 코팅, 에어나이프 코팅법, 함침 및 커튼 코팅법, 다이 코터 등에 의한 압출 코팅법을 들 수 있다.
상기 대전 방지성 수지층, 도전성 중합체, 도전성 수지의 두께로서는, 통상 0.01 내지 5 ㎛, 바람직하게는 0.03 내지 1 ㎛ 정도이다.
도전성 물질의 증착 또는 도금 방법으로서는, 예를 들면 진공 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅, 화학 증착, 분무 열 분해, 화학 도금, 전기 도금법 등을 들 수 있다.
상기 도전성 물질층의 두께로서는 통상 20 내지 10000 Å이고, 바람직하게는 50 내지 5000 Å이다.
또한, 삽입형 대전 방지제로서는, 상기 대전 방지제가 적절하게 사용된다.
삽입형 대전 방지제의 배합량으로서는, 플라스틱 필름의 총 중량에 대하여 20 중량％ 이하, 바람직하게는 0.05 내지 10 중량％의 범위에서 사용된다. 삽입 방법으로서는, 상기 대전 방지제가 플라스틱 필름에 사용되는 수지에 균일하게 혼합될 수 있는 방법이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 가열 롤, 벤버리 믹서, 가압 니이더, 이축 혼련기 등이 이용된다.
본 발명의 점착 시트는 필요에 따라 점착면을 보호할 목적으로 점착제 표면에 세퍼레이터(또는 박리 라이너, 박리 시트 등)를 접합시키는 것이 가능하다. 세퍼레이터를 구성하는 기재로서는 종이나 플라스틱 필름이 있지만, 표면 평활성이 우수하다는 점에서 플라스틱 필름이 바람직하게 사용된다.
그 필름으로서는, 상기 점착제층을 보호할 수 있는 필름이라면 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리-1-부텐, 폴리-4-메틸-1-펜텐, 에틸렌ㆍ프로필렌 공중합체, 에틸렌ㆍ1-부텐 공중합체, 에틸렌ㆍ아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌ㆍ에틸아크릴레이트 공중합체, 에틸렌ㆍ비닐알코올 공중합체 등의 폴리올레핀 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르 필름, 폴리아크릴레이트 필름, 폴리스티렌 필름, 나일론 6, 나일론 6,6, 부분 방향족 폴리아미드 등의 폴리아미드 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리염화비닐리덴 필름, 폴리카르보네이트 필름 등을 들 수 있다.
상기 필름의 두께는, 통상적으로 5 내지 200 ㎛, 바람직하게는 10 내지 100 ㎛ 정도이다. 상기 필름의 점착제층 접합면에는 실리콘계, 불소계, 장쇄 알킬계 또는 지방산 아미드계의 이형제, 실리카분 등에 의해 적절하게 이형제 처리가 실시되어 있다.
본 발명을 이용한 점착제 조성물, 점착제층 및 점착 시트는, 특히 정전기가 발생하기 쉬운 플라스틱 제품 등에 사용되며, 그 중에서도 특히 전자 기기 등에서 정전기를 피하는 용도로 이용되는 대전 방지성 점착 시트 및 표면 보호 필름으로서 유용하다.
이하, 본 발명의 구성과 효과를 구체적으로 나타내는 실시예 등에 대하여 설명한다. 또한, 실시예 등에서의 평가 항목은 하기와 같이 하여 측정을 행하였다.
<산가의 측정>
산가는 자동 적정 장치(히라누마 산교사 제조, COM-550)를 이용하여 측정을 행하고, 하기 수학식으로부터 구하였다.
A={(Y-X)×f×5.611}/M
식 중, A는 산가, Y는 샘플 용액의 적정량(㎖), X는 혼합 용매 50 g만의 용액의 적정량(㎖), f는 적정 용액의 요인, M은 중합체 샘플의 중량(g)이다.
측정 조건은 하기와 같다.
샘플 용액: 중합체 샘플 약 0.5 g을 혼합 용매(톨루엔/2-프로판올/증류수= 50/49.5/0.5, 중량비) 50 g에 용해하여 샘플 용액으로 하였다.
적정 용액: 0.1 N, 2-프로판올성 수산화칼륨 용액(와꼬 쥰야꾸 고교사 제조, 석유 제품 중화가 시험용)
전극: 유리 전극; GE-101, 비교 전극; RE-201
측정 모드: 석유 제품 중화가 시험 1
<유리 전이 온도(Tg)의 측정>
유리 전이 온도 Tg(℃)는, 각 단량체에 의한 단독중합체의 유리 전이 온도 Tgn(℃)으로서 하기의 문헌치를 이용하여, 하기 수학식에 의해 구하였다.
1/(Tg+273)=Σ[Wn/(Tgn+ 273)]
식 중, Tg(℃)는 공중합체의 유리 전이 온도, Wn(-)는 각 단량체의 중량분율, Tgn(℃)는 각 단량체에 의한 단독중합체의 유리 전이 온도, n은 각 단량체의 종류를 나타낸다.
문헌치:
2-에틸헥실아크릴레이트: -70 ℃
n-부틸아크릴레이트: -55 ℃
n-부틸메타크릴레이트: 20 ℃
아크릴산: 106 ℃
<아크릴계 중합체의 제조>
(아크릴계 중합체 (A))
교반 날개, 온도계, 질소 가스 도입관, 냉각기, 적하 깔때기를 구비한 반응 용기에 n-부틸아크릴레이트 59 중량부, n-부틸메타크릴레이트 40 중량부, 아크릴산 1 중량부, 유화제로서 음이온계 반응성 유화제(다이이치 고교 세야꾸사 제조, 아쿠알론 BC2020) 2 중량부와 폴리옥시에틸렌알킬인산에스테르형 유화제(도호 가가꾸 고교사 제조, 포스파놀 RE-410) 0.6 중량부를 넣고, 물 150 중량부에 유화하여 2 시간 질소 치환하였다. 이어서, 55 ℃로 승온한 후, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온아미딘)디히드로클로라이드 0.03 중량부를 넣고, 완만히 교반하면서 질소 가스를 도입하고, 플라스크 내의 액체 온도를 55 ℃로 유지하여 8 시간 중합 반응을 행하였다. 그 후, 실온까지 냉각하고, 10 중량％ 암모니아수로 중화 하여 수분산형의 아크릴계 중합체 (A) 용액을 제조하였다. 이 아크릴계 중합체 (A)는 Tg=-29 ℃, 산가 7.5였다.
(아크릴계 중합체 (B))
교반 날개, 온도계, 질소 가스 도입관, 냉각기, 적하 깔때기를 구비한 반응 용기에 2-에틸헥실아크릴레이트 49.5 중량부, n-부틸메타크릴레이트 49.5 중량부, 아크릴산 1 중량부, 유화제로서 음이온계 반응성 유화제(다이이치 고교 세야꾸사 제조, 아쿠알론 BC2020) 2 중량부를 넣고, 물 150 중량부에 유화하여 2 시간 질소 치환하였다. 이어서, 55 ℃로 승온한 후, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온아미딘)디히드로클로라이드 0.03 중량부를 넣고, 완만히 교반하면서 질소 가스를 도입하고, 플라스크 내의 액체 온도를 55 ℃로 유지하여 8 시간 중합 반응을 행하였다. 그 후, 실온까지 냉각하고, 10 중량％ 암모니아수로 중화하여 수분산형의 아크릴계 중합체 (B) 용액을 제조하였다. 이 아크릴계 중합체 (B)는 Tg=-32 ℃, 산가 7.6이었다.
(아크릴계 중합체 (C))
교반 날개, 온도계, 질소 가스 도입관, 냉각기, 적하 깔때기를 구비한 반응 용기에 2-에틸헥실아크릴레이트 96 중량부, 아크릴산 4 중량부, 유화제로서 음이온계 유화제(다이이치 고교 세야꾸사 제조, 하이테놀 N-17) 3 중량부를 넣고, 물 153 중량부에 유화하여 2 시간 질소 치환하였다. 이어서, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온아미딘)디히드로클로라이드 0.03 중량부를 넣고, 완만히 교반하면서 질소 가스를 도입하고, 플라스크 내의 액체 온도를 55 ℃로 유지하여 7 시 간 중합 반응을 행하였다. 그 후, 실온까지 냉각하고, 10 중량％ 암모니아수로 중화하여 수분산형의 아크릴계 중합체 (C) 용액을 제조하였다. 이 아크릴계 중합체 (C)는 Tg=-66 ℃, 산가 30이었다.
(아크릴계 중합체 (D))
교반 날개, 온도계, 질소 가스 도입관, 냉각기, 적하 깔때기를 구비한 반응 용기에 n-부틸아크릴레이트 96 중량부, 아크릴산 4 중량부, 유화제로서 음이온계 유화제(다이이치 고교 세야꾸사 제조, 하이테놀 N-17) 3 중량부를 넣고, 물 153 중량부에 유화하여 2 시간 질소 치환하였다. 이어서, 중합 개시제로서 2,2'-아조비스(2-메틸프로피온아미딘)디히드로클로라이드 0.03 중량부를 넣고, 완만히 교반하면서 질소 가스를 도입하고, 플라스크 내의 액체 온도를 55 ℃로 유지하여 7 시간 중합 반응을 행하였다. 그 후, 실온까지 냉각하고, 10 중량％ 암모니아수로 중화하여 수분산형의 아크릴계 중합체 (D) 용액을 제조하였다. 이 아크릴계 중합체 (D)는 Tg=-51 ℃, 산가 31이었다.
<대전 방지 처리 필름의 제조>
대전 방지제(솔벡스사 제조, 마이크로 솔바 RMd-142, 산화주석과 폴리에스테르 수지를 주성분으로 함) 10 중량부를, 물 30 중량부와 메탄올 70 중량부를 포함하는 혼합 용매로 희석함으로써 대전 방지제 용액을 제조하였다.
얻어진 대전 방지제 용액을 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름(두께 38 ㎛) 상에 마이어 바를 이용하여 도포하고, 130 ℃에서 1 분간 건조함으로써 용제를 제거하여 대전 방지층(두께 0.2 ㎛)을 형성하여, 대전 방지 처리 필름을 제조하였 다.
<실시예 1>
(점착제 조성물의 제조)
상기 아크릴계 중합체 (A) 용액의 고형분 100 중량부에 대하여, 대전 방지제로서 1-부틸-3-메틸피리디늄 트리플루오로메탄술포네이트(닛본 카리트사 제조, BMP-Trf, 수용성, 25 ℃하에서 액상) 5 중량부, 가교제로서 옥사졸린기 함유 수용성 가교제(닛본 쇼꾸바이사 제조, 에포크로스 WS-500, 40 중량％) 10 중량부를 첨가하여 25 ℃하에서 약 1 분간 혼합 교반을 행하여 수분산형의 아크릴 점착제 용액 (1)을 제조하였다. 또한, BMP-Trf의 10 중량％ 수용액을 제조하여 수용성인 것을 확인하였다.
(점착 시트의 제조)
상기 아크릴 점착제 용액 (1)을, 상기 대전 방지 처리 필름의 대전 방지 처리면과는 반대면에 도포하고, 110 ℃에서 3 분간 가열하여 두께 15 ㎛의 점착제층을 형성하였다. 이어서, 상기 점착제층의 표면에, 한쪽면에 실리콘 처리를 실시한 두께 25 ㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 실리콘 처리면을 접합시켜 점착 시트를 제조하였다.
<실시예 2>
(점착제 조성물의 제조)
상기 아크릴계 중합체 (A) 대신에 상기 아크릴계 중합체 (B)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 수분산형의 아크릴 점착제 용액 (2)를 제조하였 다.
(점착 시트의 제조)
상기 아크릴 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴 점착제 용액 (2)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 점착 시트를 제조하였다.
<비교예 1>
(점착제 조성물의 제조)
상기 1-부틸-3-메틸피리디늄 트리플루오로메탄술포네이트(닛본 카리트사 제조, BMP-Trf, 25 ℃하에서 액상)를 사용하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 수분산형의 아크릴 점착제 용액 (3)을 제조하였다.
(점착 시트의 제조)
상기 아크릴 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴 점착제 용액 (3)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 점착 시트를 제조하였다.
<비교예 2>
(점착제 조성물의 제조)
상기 1-부틸-3-메틸피리디늄 트리플루오로메탄술포네이트(닛본 카리트사 제조, BMP-Trf, 25 ℃하에서 액상)를 사용하지 않은 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여 수분산형의 아크릴 점착제 용액 (4)를 제조하였다.
(점착 시트의 제조)
상기 아크릴 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴 점착제 용액 (4)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 점착 시트를 제조하였다.
<비교예 3>
(점착제 조성물의 제조)
상기 1-부틸-3-메틸피리디늄 트리플루오로메탄술포네이트(닛본 카리트사 제조, 25 ℃하에서 액상) 5 중량부 대신에 n-라우릴트리메틸암모늄 클로라이드(도꾜 가세이 고교사 제조, 80 ℃하에서 고형상) 5 중량부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 수분산형의 아크릴 점착제 용액 (5)의 제조를 시도했지만, 상기 아크릴 점착제 용액 (5)에서는 응집이 발생해 버렸다.
(점착 시트의 제조)
상기 아크릴 점착제 용액 (5)에서는 응집이 발생했기 때문에, 점착 시트를 제조할 수 없었다.
<실시예 3>
(점착제 조성물의 제조)
상기 아크릴계 중합체 (A) 대신에 상기 아크릴계 중합체 (C)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 수분산형의 아크릴 점착제 용액 (6)을 제조하였다.
(점착 시트의 제조)
상기 아크릴 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴 점착제 용액 (6)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 점착 시트를 제조하였다.
<실시예 4>
(점착제 조성물의 제조)
상기 아크릴계 중합체 (A) 대신에 상기 아크릴계 중합체 (D) 용액의 고형분 100 중량부에 대하여, 대전 방지제로서 1-부틸-3-메틸피리디늄 트리플루오로메탄술포네이트(닛본 카리트사 제조, BMP-Trf, 수용성, 25 ℃하에서 액상) 4 중량부, 가교제로서 옥사졸린기 함유 수용성 가교제(닛본 쇼꾸바이사 제조, 에포크로스 WS-500, 40 중량％) 5 중량부를 첨가한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 수분산형의 아크릴 점착제 용액 (7)을 제조하였다.
(점착 시트의 제조)
상기 아크릴 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴 점착제 용액 (7)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 점착 시트를 제조하였다.
<실시예 5>
(점착제 조성물의 제조)
상기 아크릴계 중합체 (A) 대신에 상기 아크릴계 중합체 (C)를 사용하고, 대전 방지제로서 상기 1-부틸-3-메틸피리디늄 트리플루오로메탄술포네이트(닛본 카리트사 제조, BMP-Trf, 수용성, 25 ℃하에서 액상) 5 중량부 대신에 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트리플루오로메탄술포네이트(도꾜 가세이 고교사 제조, 수용성, 25 ℃하에서 액상) 5 중량부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 수분산형의 아크릴 점착제 용액 (8)을 제조하였다. 또한, 1-에틸-3-메틸이미다졸륨 트리플루오로메탄술포네이트의 10 중량％ 수용액을 제조하여 수용성인 것을 확인하였다.
(점착 시트의 제조)
상기 아크릴 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴 점착제 용액 (8)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 점착 시트를 제조하였다.
<실시예 6>
(점착제 조성물의 제조)
상기 아크릴계 중합체 (A) 대신에 상기 아크릴계 중합체 (C) 용액의 고형분 100 중량부에 대하여, 대전 방지제로서 상기 1-부틸-3-메틸피리디늄 트리플루오로메탄술포네이트(닛본 카리트사 제조, BMP-Trf, 수용성, 25 ℃하에서 액상) 5 중량부 대신에 1-부틸-3-메틸이미다졸륨 트리플루오로메탄술포네이트(아크로스 오가닉스(Acros Organics)사 제조, 수용성, 25 ℃하에서 액상) 2.5 중량부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 수분산형의 아크릴 점착제 용액 (9)를 제조하였다. 또한, 1-부틸-3메틸이미다졸륨 트리플루오로메탄술포네이트의 10 중량％ 수용액을 제조하여 수용성인 것을 확인하였다.
(점착 시트의 제조)
상기 아크릴 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴 점착제 용액 (9)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 점착 시트를 제조하였다.
<실시예 7>
(점착제 조성물의 제조)
상기 아크릴계 중합체 (A) 대신에 상기 아크릴계 중합체 (C) 용액의 고형분 100 중량부에 대하여, 대전 방지제로서 상기 1-부틸-3-메틸피리디늄 트리플루오로메탄술포네이트(닛본 카리트사 제조, BMP-Trf, 수용성, 25 ℃하에서 액상) 5 중량부 대신에 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 브로마이드(아크로스 오가닉스사 제조, 수용 성, 25 ℃하에서 액상) 9 중량부를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 수분산형의 아크릴 점착제 용액 (10)을 제조하였다. 또한, 1-헥실-3-메틸이미다졸륨 브로마이드의 10 중량％ 수용액을 제조하여 수용성인 것을 확인하였다.
(점착 시트의 제조)
상기 아크릴 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴 점착제 용액 (10)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 점착 시트를 제조하였다.
<비교예 4>
(점착제 조성물의 제조)
상기 1-부틸-3-메틸피리디늄 트리플루오로메탄술포네이트(닛본 카리트사 제조, BMP-Trf, 25 ℃하에서 액상)를 사용하지 않은 것 이외에는, 실시예 3과 동일하게 하여 수분산형의 아크릴 점착제 용액 (11)을 제조하였다.
(점착 시트의 제조)
상기 아크릴 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴 점착제 용액 (11)을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 점착 시트를 제조하였다.
<비교예 5>
(점착제 조성물의 제조)
상기 1-부틸-3-메틸피리디늄 트리플루오로메탄술포네이트(닛본 카리트사 제조, BMP-Trf, 25 ℃하에서 액상)를 사용하지 않은 것 이외에는, 실시예 4와 동일하게 하여 수분산형의 아크릴 점착제 용액 (12)를 제조하였다.
(점착 시트의 제조)
상기 아크릴 점착제 용액 (1) 대신에 상기 아크릴 점착제 용액 (12)를 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 점착 시트를 제조하였다.
상기한 실시예, 비교예에서 얻어진 점착 시트에 대하여, 하기의 요령으로 박리 대전압, 오염성, 점착력 및 응집 발생을 평가하였다.
<박리 대전압의 측정>
제조한 점착 시트를 폭 70 mm, 길이 130 mm의 크기로 절단하고, 세퍼레이터를 박리한 후, 미리 제전해 둔 아크릴판(미쯔비시 레이온사 제조, 아크릴라이트, 두께: 1 mm, 폭: 70 mm, 길이: 100 mm) 표면, 또는 미리 제전해 둔 아크릴판(미쯔비시 레이온사 제조, 아크릴라이트, 두께: 1 mm, 폭: 70 mm, 길이: 100 mm)에 접합시킨 편광판(닛또 덴꼬사 제조, SEG1425DU, 폭: 70 mm, 길이: 100 mm) 표면에, 한 쪽의 단부가 30 mm 비어나오도록 핸드 롤러로 압착하였다.
23 ℃×50 ％RH의 환경하에 하루 방치한 후, 도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이 소정의 위치에 샘플을 세팅하였다. 30 mm 비어나온 한쪽 단부를 자동 권취기에 고정하고, 박리 각도 150°, 박리 속도 10 m/분이 되도록 박리하였다. 이 때 발생하는 아크릴판 표면 또는 편광판 표면의 전위 및 점착 시트 표면의 전위를 샘플 길이 방향의 중앙 위치에 고정되어 있는 전위 측정기(가스가 덴끼사 제조, KSD-0103)로 측정하였다. 샘플과 전위 측정기와의 거리는 아크릴판 표면 또는 편광판 표면 측정시 100 mm, 점착 시트 표면 측정시 50 mm로 하였다. 또한, 측정은 23 ℃×50 ％RH의 환경하에서 행하였다.
<오염성의 평가>
제조한 점착 시트를 폭 50 mm, 길이 80 mm의 크기로 절단하고, 세퍼레이터를 박리한 후, 아크릴판(미쯔비시 레이온사 제조, 아크릴라이트, 두께: 1 mm, 폭: 70 mm, 길이: 100 mm) 표면에 핸드 롤러로 압착하여 평가 샘플을 제조하였다.
상기 평가 샘플을 23 ℃×50 ％RH의 환경하에 24 시간 방치한 후, 점착 시트를 피착체로부터 손으로 박리하고, 이 때의 피착체 표면의 오염 상태를 육안으로 관찰ㆍ평가하였다. 평가 기준은 이하와 같다.
오염이 확인되지 않은 경우: ○
오염이 확인된 경우: ×
<점착력 측정>
제조한 점착 시트를 폭 25 mm, 길이 100 mm의 크기로 절단하고, 세퍼레이터를 박리한 후, 편광판(닛또 덴꼬사 제조, SEG1425DU, 폭: 70 mm, 길이: 100 mm)에 0.25 MPa의 압력으로 적층하여 평가 샘플을 제조하였다.
적층 후, 23 ℃×50 ％RH의 환경하에 30 분간 방치한 후, 만능 인장 시험기로 박리 속도 10 m/분, 박리 각도 180°로 박리했을 때의 점착력을 측정하였다. 측정은 23 ℃×50 ％RH의 환경하에서 행하였다.
<응집성의 평가>
제조한 아크릴 점착제 용액의 응집성 유무를 육안으로 관찰ㆍ평가하였다. 평가 기준은 이하와 같다.
응집이 확인되지 않은 경우: ○
응집이 확인된 경우: ×
상기의 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
Figure 112007091015748-PCT00014
상기 표 1의 결과에 의해, 본 발명에 따라 제조된 점착제 조성물을 사용했을 경우(실시예 1 내지 7), 어느 실시예에 있어서나 점착 시트 박리 후의 점착 시트 자체의 박리 대전압, 및 아크릴판, 편광판의 박리 대전압이 억제되고, 오염의 발생도 없으며, 또한 응집의 발생이 없고, 접착 신뢰성이 우수하다는 것이 밝혀졌다.
이에 대하여, 대전 방지제로서 이온성 액체를 사용하지 않은 경우(비교예 1 내지 2, 4 내지 5)에서는, 어느 경우에나 아크릴판 및 편광판의 박리 대전압이 높은 결과가 되었다. 또한, 대전 방지제로서 계면활성제를 사용한 경우(비교예 3)에는, 아크릴 점착제 용액에서 응집이 발생하여 점착 시트를 제조할 수 없다는 것이 판명되었다. 따라서, 비교예에서는 모두 점착 시트 및 아크릴판, 편광판의 박리 대전압의 억제 및 응집의 발생 억제를 병립시킬 수 없는 결과가 되어, 점착 시트용 대전 방지성 점착제 조성물로는 적합하지 않다는 것이 밝혀졌다.

Claims (7)

  1. 단량체 성분으로서 탄소수 1 내지 14의 알킬기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 50 내지 99.9 중량％ 함유하는 수분산형 (메트)아크릴계 중합체 및 이온성 액체를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 점착제 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 이온성 액체가 질소 함유 오늄염, 황 함유 오늄염, 또는 인 함유 오늄염 중 1종 이상인 점착제 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 이온성 액체가 하기 화학식 A 내지 D로 표시되는 1종 이상의 양이온을 포함하는 점착제 조성물.
    <화학식 A>
    Figure 112007091015748-PCT00015
    식 중, Ra는 탄소수 4 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있으며, Rb 및 Rc는 동일하거나 또는 상이하며, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있되, 단 질소 원자가 이중 결합을 포함하는 경우, Rc는 없다.
    <화학식 B>
    Figure 112007091015748-PCT00016
    식 중, Rd는 탄소수 2 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있으며, Re, Rf 및 Rg는 동일하거나 또는 상이하며, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있다.
    <화학식 C>
    Figure 112007091015748-PCT00017
    식 중, Rh는 탄소수 2 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있으며, Ri, Rj 및 Rk는 동일하거나 또는 상이하며, 수소 또는 탄소수 1 내지 16의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있다.
    <화학식 D>
    Figure 112007091015748-PCT00018
    식 중, Z는 질소, 황, 또는 인 원자를 나타내고, Rl, Rm, Rn 및 Ro는 동일하 거나 또는 상이하며, 탄소수 1 내지 20의 탄화수소기를 나타내고, 헤테로 원자를 포함할 수도 있되, 단 Z가 황 원자인 경우, Ro는 없다.
  4. 제1항에 있어서, 상기 이온성 액체가 수용성 이온성 액체인 점착제 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 점착제 조성물을 가교하여 이루어지는 점착제층.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 점착제 조성물을 가교하여 이루어지는 점착제층을, 지지체의 한쪽면 또는 양면에 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 점착 시트.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 점착제 조성물을 가교하여 이루어지는 점착제층을, 플라스틱 기재로 이루어지는 지지체 상의 한쪽면 또는 양면에 형성하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 표면 보호 필름.
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