KR20070058360A - 침지형 투영 장치 및 침지형 리소그래피 장치의 오염을방지 또는 감소시키는 방법 - Google Patents

침지형 투영 장치 및 침지형 리소그래피 장치의 오염을방지 또는 감소시키는 방법 Download PDF

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Abstract

침지형 투영 장치의 오염을 방지 또는 감소시키는 방법이 개시된다. 상기 장치는 상기 장치가 방사선의 빔을 기판 상으로 투영하는 때에 전체적으로 또는 부분적으로 액체로 채워진 1 이상의 침지 공간을 포함한다. 상기 방법은 상기 장치가 상기 방사선의 빔을 기판 상으로 투영하는데 사용되기 이전에 상기 침지 공간의 전체 또는 부분을 헹구는 단계를 포함한다.

Description

침지형 투영 장치 및 침지형 리소그래피 장치의 오염을 방지 또는 감소시키는 방법{A METHOD FOR PREVENTING OR REDUCING CONTAMINATIOIN OF AN IMMERSION TYPE PROJECTION APPARTUS AND AN IMMERSION TYPE LITHOGRAPHIC APPARATUS}
이하, 대응하는 참조 부호들이 대응하는 부분들을 나타내는 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여, 단지 예시의 방식으로만 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시하는 도면;
도 2는 도 1의 실시예의 개략적 상세도;
도 3은 상이한 침지 공간 위치(immersion space location)를 나타내는 도 1 의 실시예의 기판 및 기판 지지체의 개략적 평면도;
도 4는 대안적인 실시예의 상세도; 및
도 5는 상이한 테스트 런(test run)의 입자 카운트(particle count)에 관한 결과들을 나타내는 도면이다.
본 발명은 침지형 투영 시스템의 오염을 방지 또는 감소시키는 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 침지형 리소그래피 장치에 관한 것이다.
공지된 투영 장치는 리소그래피 장치이다. 리소그래피 장치는 기판상에, 통상적으로는 기판의 타겟부상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 상황에서, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼)상의 (예를 들어, 1개 또는 수개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는, 통상적으로 기판상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)층상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 공지된 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는, 소위 스테퍼, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝"- 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향(같은 방향으로 평행한 방향) 또는 역-평행 방향(반대 방향으로 평행한 방향)으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는, 소위 스캐너를 포함한다. 또한, 기판상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스로부터 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
예를 들어, 침지형 리소그래피 장치를 사용하여 침지 리소그래피를 이용하는 것이 제안되었다. 일 예시로서, 리소그래피 투영 장치에서 투영 렌즈의 최종 광학 요소와 기판 사이의 공간을 채우기 위해 비교적 높은 굴절률을 갖는 침지 액체(예를 들어, 물) 내에 기판을 침지(immerse)시키는 것이 제안되었다. 이것의 핵심은, 노광 방사선이 공기 또는 진공 내에서보다 액체 내에서 더 짧은 파장을 갖기 때문에 더 작은 피처들을 이미징할 수 있다는 것에 있다. (또한, 액체의 효과는 시스템의 유효 NA를 증가시키는 것으로도 간주될 수 있다.)
액체의 바스(bath)내에 기판 또는 기판과 기판 테이블을 담그는(submersing) 것(예를 들어, 미국 특허 제 4,509,852호 참조)은 스캐닝 노광 중에 가속되어야만 하는 큰 몸체의 액체가 존재한다는 것을 의미한다. 이는 추가적인 또는 보다 강력한 모터들을 필요로 하며, 액체 내에서의 난류(turbulence)는 바람직하지 않고 또한 예측할 수 없는 효과들을 초래할 수도 있다.
또한, 기판의 국부적인 영역에만 그리고 투영 시스템의 최종 요소와 기판 사이에 액체를 제공하는 액체 공급 시스템을 적용하는 것이 제안되었다(일반적으로, 기판은 투영 시스템의 최종 광학 요소보다 더 큰 표면적을 갖는다). 이렇게 배치시키기 위해서 제안된 방법들이 WO 99/49504호 및 EP 1 429 188 A2호에 개시되어 있으며, 그 전문이 본 명세서에서 인용참조되고 있다.
침지형 투영 장치에서 오염을 방지 또는 감소시키는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 침지형 투영 장치의 오염을 방지 또는 감소시키는 방법이 제공된다. 상기 장치가 방사선의 빔을 기판 상으로 투영하는 경우, 상기 장치는 전체적으로 또는 부분적으로 액체로 채워진 1 이상의 침지 공간을 포함한다. 상기 방법은 상기 장치가 상기 방사선의 빔을 상기 기판 상으로 투영하는데 사용되기 이전에 상기 침지 공간의 전체 또는 부분을 헹굼액(rinsing liquid)으 로 헹구는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에 따르면, 리소그래피 투영 장치의 오염을 방지 또는 감소시키는 방법이 제공된다. 상기 장치는 기판을 유지하도록 구성된 기판 홀더, 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 패터닝 디바이스 홀더, 투영 시스템, 및 상기 장치의 침지 공간을 전체적으로 또는 부분적으로 액체로 채우도록 구성된 침지 시스템을 포함한다. 상기 방법은, 상기 장치의 전체 또는 부분 및 상기 침지 시스템 중 1 이상을 서로에 대해 이동시키는 단계 및 상기 장치가 방사선의 패터닝된 빔을 기판의 타겟부 상으로 투영하는데 사용되기 이전에 상기 장치의 전체 또는 부분을 액체로 헹구는 단계를 포함한다.
또 다른 실시예에 따르면, 리소그래피 투영 장치의 오염을 방지 또는 감소시키는 방법이 제공된다. 상기 장치는 침지 공간을 포함한다. 상기 방법은 상기 침지 공간의 전체 또는 부분을 헹굼액으로 1 분 이상 채우는 단계를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 리소그래피 투영 장치의 오염을 방지 또는 감소시키는 방법이 제공된다. 상기 장치는 기판을 유지하도록 구성된 기판 홀더, 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 패터닝 디바이스 홀더, 투영 시스템, 및 침지 공간을 포함한다. 상기 방법은, 상기 장치의 1 이상의 후속 스타트-업 런(start-up run) 시에 기판 오염을 방지 또는 감소시키기 위해, 상기 장치의 휴지 시간(idle time) 동안에 상기 침지 공간의 전체 또는 부분을 헹굼액으로 채우는 단계를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 1 이상의 침지 공간 및 상기 침지 공간을 액체로 전체적으로 또는 부분적으로 채우도록 구성된 침지 시스템을 포함하는 침지형 리소그래 피 장치가 제공된다. 상기 장치는 상기 장치가 방사선의 패터닝된 빔을 기판 상으로 투영하는데 사용되기 이전에 상기 침지 공간의 전체 또는 부분을 헹굼액으로 헹구도록 구성된다.
일 실시예에 따르면, 1 이상의 더미(dummy) 기판 또는 기판 형상 물체를 인-시튜(in-situ)로 저장하는 1 이상의 저장 공간 또는 격실(compartment)을 포함하는 침지형 리소그래피 장치가 제공된다.
일 실시예에 따르면, 1 이상의 더미 패터닝 디바이스 또는 패터닝 디바이스 형상 물체를 인-시튜로 저장하는 1 이상의 저장 공간 또는 격실을 포함하는 침지형 리소그래피 장치가 제공된다.
일 실시예에 따르면, 컴퓨터에 의해 컴퓨터 프로그램이 실행되고 있는 때에 침지형 투영 장치의 오염을 방지 또는 감소시키는 방법을 수행하도록 구성된 기계-판독가능한 명령어들의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램이 제공된다. 상기 장치는 상기 장치가 방사선의 빔을 기판 상으로 투영하는 때에 전체적으로 또는 부분적으로 액체로 채워진 1 이상의 침지 공간을 포함한다. 상기 방법은 상기 장치가 방사선의 빔을 기판 상으로 투영하는데 사용되기 이전에 상기 침지 공간의 전체 또는 부분을 헹굼액으로 헹구는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 리소그래피 투영 장치의 오염을 방지 또는 감소시키는 방법이 제공된다. 상기 장치는 방사선의 빔이 투과될 수 있는 액체가 제공될 공간을 포함한다. 상기 방법은 리소그래피 장치를 작동시키는 단계, 및 상기 공간의 전체 또는 부분을 헹굼액으로 연속적으로(subsequently) 헹구는 단계를 포함한다.
본 출원서에서 동일하거나 유사한 특징들은 일반적으로 동일하거나 유사한 기준 부호들로 표시된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투영 장치(1)를 개략적으로 나타낸다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 장치(1)는 리소그래피 장치이며, 패터닝 디바이스(MA)로부터 기판(W) 상으로 패턴을 투영하도록 배치된다.
상기 장치는: 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 다른 타입의 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL); 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정기(PM)에 연결된 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT); 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정기(PW)에 연결된 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT); 및 기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함) 상에 패터닝 디바이스(MA)에 의하여 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)을 포함하여 이루어진다.
조명 시스템은, 방사선의 지향, 성형 또는 제어를 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 여하한의 타입의 광학 구성요소들, 또는 그 조합과 같은 다양한 타입의 광학 구성요소를 포함할 수 있다.
지지 구조체는 패터닝 디바이스의 무게를 지지, 즉 견딘다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 여타의 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 여타의 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지 구조체는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동될 수 있는 프레임 또는 테이블일 수도 있다. 지지 구조체는 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 어떠한 용어의 사용도 "패터닝 디바이스"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로도 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 의미하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이 및 프로그램가능한 LCD 패널을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상- 시프트형 및 감쇠 위상-시프트형 마스크와 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 형식도 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일례는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 여타의 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭, 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템들 또는 그 조합을 포함하는 여하한의 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"과 같은 좀 더 일반적인 용어인 동의어로도 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 상기 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이를 채택하거나, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성될 수도 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태로 구성될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(S0)로부터 방사선 빔을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선 빔은, 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더를 포함하는 빔 전달 시스템(BD)의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다. 상기 소스(SO) 및 일루미네이터(IL)는, 필요에 따라, 빔 전달 시스템(BD)과 함께 방사선 시스템이라고도 칭해질 수 있다.
일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하는 조정기(AD)를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같이 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수 있다. 일루미네이터는 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 가지기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은, 지지 구조체(예를 들어, 마스크 테이블(MT)) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크(MA))상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로질렀으면, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하여 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 포커스한다. 제 2 위치설정기(PW) 및 위치 센서(IF)(예컨대, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은, 예를 들어 방사선 빔(B)의 경 로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정기(PM) 및 또 다른 위치센서(도 1에 명확히 도시되지 않음)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 마스크(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 마스크 테이블(MT)의 이동은, 장-행정 모듈(long-stroke module)(개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module)(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정기(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정기(PW)의 일부분을 형성한다. (스캐너와는 대조적으로) 스테퍼의 경우, 마스크 테이블(MT)은 단지 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크 정렬 마크(M1, M2) 및 기판 정렬 마크(P1, P2)를 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들이 지정된 타겟부(dedicated target portion)들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다(이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)로 알려져 있다). 이와 유사하게, 마스크(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 마스크 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
서술된 장치는 다음과 같은 모드들 중 1 이상에서 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상 에 투영된다(즉, 단일 정적 노광(single static exposure)). 그런 후, 기판 테이블(WT)은 다른 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
2. 스캔 모드에서, 마스크 테이블(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다(즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)). 마스크 테이블(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 이미지 반전 특성 및 확대(축소)에 의하여 결정된다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
3. 또 다른 모드에서, 마스크 테이블(MT)은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안, 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 상기 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 상이한 사용 모드들이 채용될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 투영 장치(1)는 투영 시스템과 기판 사이의 침지 공간(10)을 채우기 위해 기판의 전체 또는 부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물 또는 여타의 적절한 액체로 덮이는 타입으로 구성되어 있다(도 2 참조). 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치(1) 내의 다른 공간(10'), 예컨대 마스크(MA)와 투영 시스템(PS) 사이에도 적용될 수 있다(도 4 참조). 이와 같은 침지 기술은 당업계에서 투영 시스템의 개구수를 증가시키는 것으로 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 한다는 것을 의미하는 것이 아니라, 일반적으로는 노광 시에 한쪽 상의 투영 시스템과 반대쪽 상의 기판 및/또는 마스크(MA) 사이에만 액체가 위치된다는 것을 의미하는 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 본 출원서에서 전문이 인용 참조된 EP 1 429 188 A2호에 개시된 장치와 유사한 구성 또는 상이한 구성을 가질 수 있다.
도 2는 도 1의 장치의 상세도이다. 도 2는 투영 시스템(PS)의 전체 또는 부분과 인접한 침지 공간(10)을 도시한다. 특히, 도 2에서 침지 공간(10)은 기판 테이블(WT) 상에 위치된 기판(W) 또는 기판 형상 물체(W) 및 투영 시스템(PS)의 최종 광학 요소(PL) 사이에서 연장된다. 도 1은 유입구/유출구 도관(duct)(13)을 포함하는 침지 시스템을 포함한다. 사용 시, 침지 시스템은 유입구/유출구 도관(13)을 통해 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체(11), 예컨대 물로 침지 공간(10)을 채운다. 이 액체는, 투영 빔의 방사선이 공기 또는 진공에서보다 액체 내에서 더 짧은 방사선 을 가짐에 따라, 더 작은 피처가 분해(resolve)되도록 하는 효과를 갖는다. 투영 시스템의 분해 한계는 특히 투영 빔의 파장 및 상기 시스템의 개구수에 의해 결정되는 것으로 잘 알려져 있다. 액체의 존재는 유효 개구수를 증가시키는 것으로도 간주될 수 있다. 더욱이, 고정된 개구수에서 액체는 초점심도(depth of field)를 증가시키는데 유효하다.
상기 장치의 구성은, 실질적으로 무접촉 시일이 최종 광학 요소(PL)의 이미지 필드 주위의 기판(W)에 대해 형성되어, 액체가 투영 시스템(PS)의 최종 광학 요소(PL)와 투영 시스템(PS)을 향하는 기판의 주 표면 사이의 공간을 채우도록 구성될 수 있다. 시일 부재(12), 예컨대 투영 시스템(PS)의 최종 광학 요소(PL)를 둘러싸며 또한 그 아래 위치된 '침지 후드(immersion hood)'에 의해 침지 공간(10)을 제공하는 저장소(reservoir)가 형성될 수 있다. 따라서, 침지 시스템은 기판(W)의 국부화된 영역 상에서만 침지 액체를 제공하도록 배치될 수 있다. 시일 부재(12)는 기판(W)과 투영 시스템(PS)의 최종 광학 요소(PL) 사이의 공간을 액체로 채우는 액체 공급 시스템의 일부분을 형성할 수 있다. 이 액체는 시일 부재(12) 내에 또한 최종 광학 요소(PL) 아래의 공간 안으로 유입된다. 시일 부재(12)는 바람직하게 투영 시스템(PS)의 최종 광학 요소(PL) 위로 약간 연장되며 액체의 버퍼가 제공되도록 액체가 최종 광학 요소(PL) 위로 상승된다. 시일 부재(12)는 그 상단부가 투영 시스템(PS) 또는 그 최종 광학 요소(PL)의 형상에 대해 꼭 맞게 되어 있는(closely conform) 내주면을 가질 수 있으며, 예를 들어 둥근 형상일 수 있다. 그 저부에서, 상기 내주면은 이미지 필드의 형상, 예컨대 직사각형에 대해 꼭 맞게 되어 있지만, 반드시 이와 같을 필요는 없다. 시일 부재(12)는 Z 방향으로(광학 축선의 방향으로) 약간의 상대 이동이 있을 수도 있지만, XY 평면에서는 투영 시스템(PS)에 대해 실질적으로 정지해 있을 수 있다. 침지 공간(10) 내의 침지 액체(11)를 한정하기 위해 기판(W)의 표면과 시일 부재(12) 사이에 시일이 형성될 수 있다. 이는 바람직하게는 무접촉 시일이며 가스 시일일 수도 있다.
또한, 기판 테이블(WT)에는 덮개 판(cover plate) 또는 에지 시일 부재(17)가 제공될 수 있다. 이러한 에지 시일 부재(17)는 기판(W)의 상부 주 표면(upper primary surface)과 실질적으로 공면인 (예시된) 상부 주 표면을 가질 수 있으며, 기판의 에지가 최종 광학 요소(PL) 아래를 이동할 때에 갑작스러운 액체의 손실이 존재하지 않도록 기판(W)의 에지에 꼭 맞게(closely) 인접해 있다. 갭 안으로의 약간의 액체 손실은 여전히 생길 수 있다.
투영 시스템을 향하고 실질적으로 공면인 기판 및 에지 시일 부재의 하부 표면들이 존재하도록 도 2에 예시된 전체 구성이 상면 하향(upside down)으로 위치되는 배치들이 존재함은 물론이다. 그러므로, 상기 표면들은 상부 표면보다는 투영 시스템(PS)을 향하는 주 표면으로도 언급된다. 본 명세서에서 상부 표면 및 하부 표면에 대한 언급은 상면-하향 구성에서 각각 하부 및 상부 표면에 대한 언급으로도 적절히 고려될 수 있다.
이러한 장치를 이용하여, 액체 공급 시스템(예컨대, 침지 공간(10))은 기판(W)의 에지 상에 위치될 수 있으며, 심지어는 기판(W)으로부터 완전히 이동될 수 있다. 이는 기판(W)의 에지 부분들이 상기 장치에 의해 수행된 디바이스 제조 방법 중에 이미징될 수 있게 한다.
에지 시일 부재(17)는 다양한 방식으로 제공될 수 있으며, 예를 들어 기판 테이블(WT)의 통합부(integral part)를 형성할 수 있거나, 예를 들어 진공 흡입의 사용에 의해 또는 전자기력의 사용을 통해 기판 테이블의 잔여부에 대해 임시로 장착될 수 있다. 또한, 에지 시일 부재(17)는 몇 개의 개별적인 세그먼트(segment)로 형성될 수 있으며, 그 각각은 기판(W)의 에지의 일부분을 둘러싼다.
일 실시예에 따르면, 투영 장치는 침지 공간(10)을 침지 액체(11)로 전체적으로 또는 부분적으로 채우도록 구성된 각각의 침지 시스템 및 1 이상의 상기 침지 공간(10)을 포함한다. 상기 장치는, 상기 장치가 방사선의 패터닝된 빔을 기판(W) 상으로 투영하는데 사용되기 이전에 침지 공간(10)의 전체 또는 부분을 헹굼액(11)으로 헹구도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 일 실시예에서 상기 장치는 상기 장치의 비교적 긴 휴지 작동 모드(idle operational mode) 동안에 침지 공간의 전체 또는 부분을 헹구도록 구성되어 있다. 상기 장치는, 상기 장치가 패터닝된 방사선 빔을 기판 상으로 투영할 때까지 침지 공간을 실질적으로 계속 헹구도록 구성될 수 있다.
이는 상기 장치가 침지 공간을 상기 침지 액체(11)로 헹구도록 구성되는 경우에 유익하다. 그 후, 침지 액체 및 헹굼액은 완전히(simply) 동일한 액체(11)이므로, 상기 장치에는 특정 세정 액체를 침지 공간으로 공급하는 특별한 세정 디바이스가 제공될 필요가 없다.
일 실시예에서, 상기 장치는 상기 침지 공간(10) 내의 및/또는 그 공간(10) 의 헹굼 시에 침지 공간(10)에 대해 인접한 위치 내의 물체를 제공하고, 상기 장치가 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부 상으로 투영하는데 사용되기 이전에 상기 물체를 제거하도록 구성될 수 있다. 상기 물체는, 예를 들어 버진(virgin)(코팅되지 않은) 웨이퍼, 더미 웨이퍼 또는 웨이퍼 형상 물체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 도 1에 도시된 바와 같이 상기 장치는, 상기 장치가 패터닝된 방사선 빔을 정상(normal)(레지스트 코팅된) 기판의 타겟부 상으로 투영하는데에 사용되는 때에 상기 물체를 저장하기 위해 1 이상의 저장 공간 또는 격실(22, H)을 포함할 수 있다. 상기 저장 공간 또는 격실(22, H)은 상기 장치의 근처에 또는 그 다양한 상이한 위치들에 제공될 수 있다. 예를 들어, 도 1의 박스(22)로 개략적으로 도시된 바와 같이, 이러한 저장 공간 또는 격실은 상기 장치의 기판 스테이지(2) 내에 또는 그 근처에 위치될 수 있다. 이러한 저장 공간 또는 격실은 다양한 방식으로 배치될 수 있으며, 폐쇄가능한 용기(closable container), 기판 저장 박스, 기판 로봇 그리퍼(substrate robot gripper) 또는 여하한의 다른 적절한 기판 홀더 또는 기판 저장 수단을 포함할 수 있다. 이러한 저장 공간 또는 격실은 바람직하게 상기 장치(1) 내에, 예컨대 상기 침지 시스템 근처에 위치된다(기판 핸들러는 이후에 설명하기로 한다).
대안적으로, 상기 저장 공간 또는 격실은 상기 장치(1)의 기판 스테이지(2) 외부에 위치된 기판 핸들러(H)를 포함하거나 그 일부분일 수 있다. 이와 같은 이러한 기판 핸들러(H)는 당업자에게 알려져 있다. 통상적으로, 이러한 기판 핸들러(H)는 1 이상의 기판을 임시로 저장하고 투영 시스템(PS)에 의해 연속적으로 조명될 1 이상의 기판을 기판 지지체(WT)로 전달하기 위해, 상기 장치(1)의 환경으로부터 1 이상의 기판을 수용하도록 구성될 수 있다. 본 실시예에서, 예를 들어 기판 핸들러(H)는 1 이상의 기판, 더미 기판 및/또는 기판 형상 물체가 헹굼 공정 시에, 예를 들어 장치(1)의 휴지 작업 주기 시에 각각의 기판 테이블(WT) 상에 위치되기 이전에, 원하는 소정 주기 동안 이러한 기판, 더미 기판 및/또는 기판 형상 물체를 유지하거나 저장하도록 구성될 수 있다.
또한, 상기 장치(1)는 이러한 저장 공간 또는 격실(22, H)로부터 기판 홀더(WT)로 또는 그 반대로 기판(W)을 전달하도록 배치되거나 구성된 기구(상세히 도시되지 않음)를 포함할 수 있다. 이러한 기구는 당업자에게 알려져 있다. 예를 들어, 기판 핸들러(H) 및 기판 지지체(WT)는 다양한 방식으로 기판을 전달하기 위해 배치되거나 구성될 수 있다. 예를 들어, 1 이상의 로봇 아암(robot arm), 컨베이어(conveyor), 운반 수단 또는 다른 전달 기구들이 기판, 더미 기판 또는 기판 형상의 물제들을 원하는 기판 위치들로부터 원하는 기판 위치들로 이동하도록 제공될 수 있다.
또한, 상기 장치는, 상기 장치가 실제로 패터닝된 방사선 빔을 정상(레지스트 코팅된) 기판 상으로 전사하는데 사용되기 이전에 침지 공간의 헹굼 시에 자외 방사선으로 침지 공간(10)을 조명하도록 1 이상의 자외 방사선 소스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기-언급된 방사선 소스(SO)는 이러한 자외 방사선 소스이도록 배치되고 구성될 수 있다. 한편, 1 이상의 상이한 방사선 소스는 헹굼 시에 자외 방사선으로 침지 공간(10)을 조명하도록 제공될 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 실시예에서, 상기 침지 공간(10)은 사용 시에 한쪽 상의 기판, 더미 기판, 기판 형상 물체(W) 및/또는 기판 테이블 또는 홀더(WT, 17) 중 전체 또는 부분과 반대쪽 상의 투영 시스템(PS) 사이에서 연장될 수 있다. 상기 더미 기판은 예를 들어 레지스트 코팅 층이 제공되지 않은 베어(bare) 실리콘 웨이퍼일 수 있다. 예를 들어, 상기에 언급된 바와 같이, 상기 장치는 상기 기판 홀더(WT) 상에 더미 기판 또는 기판 형상 물체를 배치시키고, 각각의 침지 공간(10)을 연속적으로 헹구도록 구성될 수 있다. 또한, 상기 장치는 헹굼 시에 침지 공간(10)을 상기 기판 홀더(WT)에 의해 유지되는 기판, 더미 기판 또는 기판 형상 물체(W)의 외형(outer contour)에 적어도 도달시키거나 상기 외형을 포함시키도록 구성될 수 있다. 이는 도 3에 도시되어 있다. 예를 들어, 상기 장치는 (상기 헹굼액을 사용하여) 기판 지지체(WT)의 1 이상의 영역을 헹구도록 구성될 수 있으며, 이 영역은 기판 홀더(WT)에 의해 유지되는 기판, 더미 기판 또는 기판 형상 물체를 따라 및/또는 그 주변으로 연장된다. 그 경우, 상기 장치가 리소그래피 공정의 일부분으로서 정상 기판들을 조명하기 위해 순차적으로 사용된다면, 기판 카운트(substrate count) 당 비교적 낮은 입자가 얻어질 수 있다. 예를 들어, 상기 장치는 상기 침지 공간(10) 및 상기 헹굼액을 사용하여 기판 홀더(WT)의 표면의 전체 또는 부분 및/또는 기판 홀더(WT)의 기판 에지 시일 부재(17)의 표면의 전체 또는 부분을 헹구도록 구성될 수 있다.
더욱이, 일 실시예에서 상기 장치는 헹굼 또는 세정 공정 시에 상기 투영 시스템(PS)에 대해 상기 기판 홀더(WT)를 이동시켜, 헹굼 시 침지 공간(10)의 위치가 기판 홀더에 대해 변화되도록 구성될 수 있다. 이는 도 2 및 도 3에서 화살표(Q 및 R)로 도시되어 있다. 도 2에서, 화살표(Q)는 투영 시스템(PS) 및 침지 공간(10)에 대한 기판 홀더(WT)의 가로방향 이동을 나타내었다.
도 3에서, 화살표(R)는 기판 또는 기판 형상 물체(W)에 대해 원주방향으로, 침지 공간(10)의 제 1 위치(101)로부터 제 2 위치(102)로, 기판 또는 기판 형상 물체(W)의 에지를 따른 침지 공간(10)의 스캐닝을 나타낸다. 이러한 방식으로, 상기 장치의 리소그래피 사용 시에 기판(W) 근처에서 연장되는 각각의 기판 에지 시일 부재(17) 또는 기판 홀더(WT)의 표면의 내측 부분이 헹굼액으로 헹궈질 수 있다. 또한, 이러한 방식으로 한쪽 상의 기판 또는 기판 형상 물체(W)와 반대쪽 상의 기판 홀더 또는 선택적 에지 시일 부재(17) 사이에서 연장되는 에지 슬릿(edge slit: E)으로부터 비교적 양호하게 오염이 제거될 수 있다.
더욱이, 사용 시에 기판(W)을 둘러싸는 기판 홀더(WT)의 표면은 도 3에 개략적으로 도시된 바와 같이 센서, 위치설정 디바이스, 거울 요소 및/또는 다른 구성요소와 같은 다른 구성요소들(21)을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 구성요소들(21)의 외측 표면들을 헹구기 위해 이들 구성요소들(21)이 침지 시스템에 의해 도달될 수 있도록 침지 공간의 스캐닝이 행해진다.
기판 홀더(WT)에 대해 침지 공간(10)을 스캐닝하기 위한 기판 홀더(WT)의 이동은 다양한 방향으로, 예를 들어 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같은 방향으로(Q 및 R) 및/또는 당업자가 알고 있는 다양한 다른 스캐닝 방향들로 수행될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 장치는 상기 장치의 사전설정된 양의 휴지 시간 이후에 상기 헹굼을 자동으로 시작하도록 구성된다. 또한, 상기 장치는 (패터닝된 방사선 빔이 기판 상으로 투영되고 있는 때에) 사전설정된 회수의 리소그래피 기판 노광들 이후에 상기 헹굼을 자동으로 시작하도록 구성될 수 있다. 더욱이, 일 실시예에서 상기 장치는 상기 장치의 전체 또는 부분이 소정의 오염 임계량에 도달했는지를 결정하거나 추정하고, 장치의 일부분이 그 오염 임계량에 도달한 것이 결정되거나 추정된 경우 상기 장치의 일부분을 헹구도록 구성될 수 있다. 더욱이, 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 상기 장치는 상기 장치를 제어하거나 적어도 상기 헹굼을 제어하는 컴퓨터 제어부(CC)를 포함할 수 있다. 이러한 컴퓨터 제어부(CC)는 예를 들어, 헹굼 공정을 시작하고 및/또는 소정의 장치의 일부분이 상기 오염 임계량에 도달한 때를 결정하거나 추정하도록 기판 노광의 회수를 카운트하기 위해, 헹굼 공정의 시작 타이밍을 제어하도록 구성될 수 있다. 컴퓨터 제어는 적절한 컴퓨터 소프트웨어에 의해 제공될 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예는, 컴퓨터 프로그램이 컴퓨터에 의해 수행되고 있는 때에, 본 특허 출원서에 개시된 바와 같은 방법을 수행하도록 구성된 기계-판독가능한 명령어들의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램을 제공한다.
도 4에 개략적으로 도시된 대안적인 실시예에서, 침지 공간(10')은 한쪽 상의 패터닝 디바이스(MA) 및/또는 패터닝 디바이스 홀더(MT)와 반대쪽 상의 투영 시스템 사이에서 전체적으로 또는 부분적으로 연장될 수 있다. 그 경우, 예를 들어 상기 장치는 상기 패터닝 디바이스 홀더 상의 더미 패터닝 디바이스 또는 패터닝 디바이스 형상 물체를 배치시키고, 각각의 침지 공간을 연속적으로 헹구도록 구성될 수 있다. 또한, 상기 장치가 예를 들어 도 2 및 도 4의 실시예들을 조합함으로써 웨이퍼 스테이지에서의 침지 공간 및 패터닝 디바이스 스테이지에서의 침지 스테이지를 포함할 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.
또한, 일 실시예에서 상기 장치는 2 이상의 기판 홀더(WT)를 포함할 수 있다. 그 후, 상기 장치는 각각의 기판 홀더(WT)를 적어도 제 1 위치로 이동하도록 구성될 수 있으며, 상기 침지 공간은 한쪽 상의 기판 홀더(WT)의 전체 또는 부분과 반대쪽 상의 투영 시스템(PS) 사이로 또한 상기 투영 시스템(PS)으로부터 멀리 있는 각각의 제 2 위치로 연장된다. 상기 제 2 위치는 예를 들어 각각의 기판 홀더와 기판 핸들러(H) 사이로 기판을 전달하기 위해 상기 기판 핸들러(H) 근처에 존재할 수 있다(도 1 참조). 또 다른 실시예에 따르면, 상기 장치는 상기 제 1 위치 내에서 또는 그 근처에서 상기 헹굼액에 의해 전체적으로 또는 부분적으로 헹궈지도록 하기 위해 상기 다양한 기판 홀더(WT)를 연속적으로 상기 제 1 위치로 이동시키도록 구성될 수 있다. 대안적으로, 상기 장치는 기판 홀더가 상기 제 2 위치에 있는 때에 기판 홀더를 전체적으로 또는 부분적으로 세정하도록 구성된 1 이상의 세정 디바이스를 포함할 수 있다. 이러한 세정 디바이스(20)는 도 1에 개략적으로 도시되어 있으며, 예를 들어 기판 홀더가 상기 제 2 위치 내에 또는 그 근처에 존재하는 경우 기판 홀더를 헹굼 유체로 헹구도록 배치될 수 있다. 이러한 세정 디바이스(20)는 각각의 침지 공간을 생성하고 적용시킴으로써 상기 침지 시스템과 유사하게 또는 상이한 방식으로 기능할 수 있다. 더욱이, 이러한 세정 디바이스(20)는 적 절한 세정액으로 각각의 기판 홀더를 완전히 침지시키도록 배치될 수도 있다.
더욱이, 상기 장치는 상기 다양한 기판 홀더들 중 어느 것이 가장 오염되기 쉽고 먼저 헹궈지거나 세정되어야 하는지를 결정하도록 구성될 수 있으며, 상기 장치는 가장 오염되기 쉽다고 판정된 기판 홀더를 먼저 헹구거나 세정하도록 구성된다.
사용 시, 도 1 내지 도 3에 도시된 침지형 투영 장치는 오염을 방지 또는 감소시키는 방법을 수행할 수 있다. 그 목적을 위해, 상기 상치가 방사선의 패터닝된 빔을 레지스트 코팅된 기판 상으로 투영하는데 사용되기 이전에, 침지 공간(10)의 전체 또는 부분이 헹굼액으로, 바람직하게는 상기 침지 액체로 헹궈진다. 상기로부터 다음과 같이, 상기 장치가 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부 상으로 전사하는 리소그래피 공정을 수행하는데 사용될 때까지, 침지 공간(10)은 단순히 상기 장치의 휴지 작동 모드 시에 실질적으로 계속 헹궈질 수 있다. 선택적으로, 침지 공간의 전체 또는 부분 및/또는 헹굼액은 예를 들어 박테리아를 무능(disable)하게 하거나 죽이는 자외 방사선에 의해 조명된다. 일 실시예에서, 침지 액체는 초음파 세정 바스(ultrasonic cleaning bath)로 변형(transform)될 수 있다. 다른 실시예에서, 즉 침지 액체가 초음파 세정액으로 변화되도록 구성된 초음파 전송기를 포함하지 않는 실시예에서는 침지 액체가 초음파 세정 바스로 변형되지 않는다.
상기 장치(1)의 상기 휴지 작동 모드는 다양한 휴지 시간을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 장치는 플랜트(plant)의 순간적 기판 스루풋(instantaneous substrate throughput), 상기 장치(1)로의 기판의 공급에 있어서의 일시적 중 지(temporary halt), 플랜트의 다운타임(downtime), 상기 장치의 소정 유지보수 주기 및/또는 상이한 주기와 같은 다양한 환경들로 인한 디바이스 제조 플랜트에서의 휴지가 존재할 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 침지 공간이 상기 헹굼액으로 세정되고 있는 때에, 예를 들어 기판 홀더(WT)의 전체 또는 부분을 헹구기 위해 더미 기판 또는 기판 형상 물체(W)가 상기 기판 홀더(WT) 상에 제공될 수 있다. 예를 들어, 사용 시에, 헹굼을 시작하기 이전에, 상기 더미 기판 또는 기판 형상 물체(W)가 인-시튜 격실(22)로부터, 또는 대안적으로 기판 핸들러(H)로부터 기판 홀더(WT)로 전달될 수 있다.
또한, 기판 홀더(WT)에는 상기 에지 시일 부재(17)가 제공될 수 있다. 그 경우, 기판 홀더(WT)의 에지 시일 부재(17)의 상부 표면 또는 그 부분이 침지 시스템에 의해 헹궈질 수 있다.
이러한 헹굼 이후에, 더미 기판 또는 기판 형상 물체는 리소그래피 제조 방법에서 투영 시스템(PS)에 의해 조명되어야 할 진짜(true) 기판으로 교체될 수 있다. 예를 들어, 더미 기판 또는 기판 형상 물체(W)는 상기 리소그래피 제조 방법 시 적절한 저장 격실, 예를 들어 상기 인-시튜 격실(22) 또는 상기 기판 핸들러(H)에 저장될 수 있다. 리소그래피 제조 방법 이후에, 예를 들어 상기 장치가 비교적 긴 휴지 작동 모드에 들어가 있는 때에, 더미 기판 또는 기판 형상 물체는 기판 홀더(WT) 상에 또다시 배치될 수 있으며, 실질적으로 계속적인 헹굼이 반복될 수 있다.
또한, 침지 공간(10)의 위치는 헹굼 처리 시에 변화될 수 있다. 예를 들어, 상기 장치는 오염을 제거하기 위해 침지 공간(10)이 기판 홀더(및/또는 기판 에지 시일(17) 또는 다른 구성요소(21))의 상이한 위치들에 연속적으로 도달할 수 있도록 투영 시스템(PS) 및/또는 침지 시스템에 대해 기판 홀더(WT)를 이동시킬 수 있다. 이러한 방식으로, 바람직하게는 상기 장치의 리소그래피 이용 시에도 사용되는 침지 액체를 사용하여, 상기 장치의 전체 또는 부분이 침지 시스템에 의해 씻겨지거나 헹궈질 수 있다. 상기로부터 다음과 같이, 일 실시예에서 침지 시스템은 기판 홀더(WT) 내에서 또는 그 근처에서 연장되는 1 이상의 슬릿 또는 어퍼처(E), 특히 한쪽 상의 기판 또는 기판 형상 물체(W)와 반대쪽 상의 기판 홀더 또는 선택적 에지 시일 부재(17) 사이에서 연장되는 상기 에지 슬릿(E)을 비교적 양호하게 씻거나 헹굴 수 있다.
일 실시예에서, 침지 공간은 예를 들어 1 분 이상, 1 시간 이상 또는 상이한 시간 주기 동안에 헹굼액, 바람직하게는 상기 침지 액체로 전체적으로 또는 부분적으로 채워지거나 플러시(flush)된다. 예를 들어, 침지 공간(10)은 1 이상의 휴지 작업 주기 또는 그 일부분을 포함하여 1 일 이상 실질적으로 계속 헹굼액으로 전체적으로 또는 부분적으로 채워지거나 플러시될 수 있다. 또한, 원한다면 상이한 헹굼 주기들이 이용될 수 있다. 또한, 침지 공간(10)은 상기 장치의 1 이상의 후속 스타트-업 런(start-up run) 동안에 기판 오염을 방지 또는 감소시키기 위해 상기 장치의 휴지 시간 동안에 헹굼액으로 전체적으로 또는 부분적으로 채워지거나 플러시될 수 있다. 더욱이, 상기 방법은 상기 장치의 침지 공간을 통해 침지 액체를 순 환시키는 단계를 포함할 수 있다. 실질적으로 오염 없는 침지 액체를 제공하기 위해서, 당업자에게 알려진 바와 같이 적절한 방식으로 필터링되고 및/또는 처리될 수 있다.
상기 장치가 2 이상의 기판 홀더(WT)를 포함하는 경우(예를 들어, 유럽 특허 출원 제 03257072.3호를 참조), 기판 홀더(WT)들은 연속적으로 침지 시스템에 의해 세정되어야 하는 상기 제 1 위치로 이동될 것이다. 대안적으로, 기판 홀더가 상기 제 2 위치에 있는 경우, 이러한 기판 홀더들 중 1 이상은 상기 선택적 세정 디바이스(20)에 의해 세정될 것이다. 또한, 휴지 시간 동안에 1 이상의 기판 홀더들 중 1 이상은 홀더를 세정하고 및/또는 오염되지 않은 홀더를 유지하기 위해서 적절한 액체 내에 완전히 담가질 것이다. 더욱이, 컴퓨터 제어부(CC) 및/또는 소프트웨어는 상기 다양한 기판 홀더들 중 어느 것이 오염되기 가장 쉬우며 또한 어느 것이 먼저 헹궈지거나 세정되며, 또는 담가져야 하는지를 결정할 수 있다.
대안적인 방법에서, 상기에 상술되고 도 4에 도시된 바와 같이, 각각의 침지 공간은 한쪽 상의 패터닝 디바이스, 더미 패터닝 디바이스 또는 패터닝 디바이스 형상 물체(MA) 및/또는 패터닝 디바이스 홀더(MT)와 반대쪽 상의 투영 시스템(PS) 사이에서 전체적으로 또는 부분적으로 연장된다. 예를 들어, 더미 패터닝 디바이스 또는 패터닝 디바이스 형상 물체(MA)는 패터닝 디바이스 홀더(MT) 상에 배치될 수 있으며, 그 후 예를 들어 상기 장치의 휴지 모드 시에 각각의 침지 공간(10')이 헹궈진다. 바람직하게, 상기 장치는 더미 패터닝 디바이스 또는 패터닝 디바이스 형상 물체가 패터닝 디바이스 홀더 상에 위치되지 않은 경우, 이러한 더미 패터닝 디 바이스 또는 패터닝 디바이스 형상 물체(MA)를 저장하는 인-시튜 공간 또는 격실(도시되지 않음)을 포함한다. 헹굼 이후에, 더미 패터닝 디바이스 또는 패터닝 디바이스 형상 물체는 방사선이 투영 시스템(PS)에 들어가기 이전에 방사선을 패터닝하는데 사용될 진짜 패터닝 디바이스로 교체될 수 있다. 예를 들어, 침지 시스템은 패터닝 디바이스 홀더의 전체 또는 부분을 씻거나 헹굴 수 있다. 또한, 침지 시스템은 패터닝 디바이스 홀더(WT) 내에서 또는 그 근처에서 연장되는 1 이상의 슬릿 또는 어퍼처(E')를 씻거나 헹굴 수 있다(도 4 참조). 상기 장치가 2 개 이상의 패터닝 디바이스 홀더를 포함하는 경우, 다양한 패터닝 디바이스 홀더들은 다수의 기판 홀더(WT)에 대해 오염을 방지 또는 감소시키는 상술된 방법과 유사하게 처리될 수 있다.
상기 장치(1)가 2 이상의 패터닝 디바이스 지지체(MT)를 포함하는 경우, 상술된 2 이상의 기판 홀더(WT)의 처리와 유사하게, 상기 지지체(MT)는 각각의 침지 시스템에 의해 세정되어야 하는 각각의 제 1 위치로 연속적으로 이동될 것이다. 또한 이러한 패터닝 디바이스 지지체(MT) 중 1 이상은 이러한 지지체(MT)들이 각각의 제 2 위치들 내에 있는 경우에 선택적 세정 디바이스(도시되지 않음)에 의해 세정될 것이다. 더욱이, 컴퓨터 제어부(CC) 및/또는 소프트웨어는 상기 다양한 패터닝 디바이스 지지체(MT) 중 어느 것이 가장 오염되기 쉬우며 또한 어는 것이 가장 만저 헹궈지거나 세정되어야 하는지를 결정할 수 있다.
본 발명은 리소그래피 장치의 스타트-업 시의 오염을 감소시키고 및/또는 기판의 뱃치(batch)의 제 1 기판(들) 상의 오염을 감소시킬 목적으로 제공될 수 있 다. 예를 들어, 기계 휴지 시간 이후에 상기 장치에 의해 처리되는 제 1 기판들은 예를 들어 입자들의 개수로 오염 피크(contamination peak)를 나타낼 수 있다. 상기 개수는 PWP(Particle per Wafer Pass) 개수로 표현될 수 있다. 더욱이, 본 발명은 잠재 박테리아 성장의 감소를 달성할 수 있다. 예를 들어, 상기 헹굼은 박테리아 성장을 방지할 수 있는 각각의 장치 부분(예컨대, 기판 홀더) 상에서의 유체의 계속적인 유동을 제공할 수 있다. 더욱이, 선택적인 인-시튜 UV-광 세정을 제공함으로써, 박테리아를 제거하는 H2O2 세정 방법의 이용이 회피될 수 있다. H2O2의 사용은 상기 장치의 소정 구성요소들에 존재할 수 있는 TiN과 양립(compatible)할 수 없다.
통상적으로, 디바이스 제조 방법에서 레지스트 코팅된 웨이퍼들은 상기 장치에 의해 조명되어야 한다. 레지스트 코팅된 웨이퍼들의 사용은, 예를 들어 레지스트 및 기판에 적용되는 방식에 따라 오염 수위(PWP)를 증가시킬 수 있다. 도 5는 침지형 장치의 기판 스테이지에 관한 상이한 실험 테스트 런의 결과들을 나타낸다. 먼저, PWP 값은 상기 장치의 기판 홀더(W)로 또한 그로부터 로딩 및 로딩되지 않은 베어 실리콘 웨이퍼를 이용하여 결정되었다. 각각의 값은 비교적 낮았으며, 도 5에 원(AA)으로 플롯되었다.
그 후 짧게, 레지스트 코팅된 웨이퍼의 뱃치(0의 도즈(dose))가 상기 장치에 의해 노출(expose)되었다. 다음, 또 다른 8 개의 베어 Si 웨이퍼를 이용하여 PWP가 다시 테스트되었다. 도 5에 다이아몬드(BB)로 도시된 각각의 8 개의 결과들은 PWP 의 증가를 나타낸다.
그 후, 침지 시스템 및 침지 액체를 이용하여 약 9½ 시간의 상기 장치의 후속 휴지 기간 동안에 침지 공간의 세정이 시작되었다. 그 후, PWP를 다시 테스트하기 위해 또 다른 5 개의 베어 웨이퍼가 사용되었다. 도 5에서 삼각형(CC)으로 도시된 그 결과들은 침지 공간(10)의 헹굼이 원하는 낮은 PWP를 유도하였다는 것을 나타내었다.
특히, 상기 장치의 작동 주기 시에 노광될 제 1 웨이퍼의 PWP는 통상적으로 여하한의 후속 노광 웨이퍼보다 훨씬 더 높을 수 있다. 본 발명에 따라, 기판 홀더(WT) 및/또는 패터닝 디바이스 홀더(MT), 및 상기 에지 시일 부재(17), 슬릿(E 및 E'), 센서 및 다른 구성요소들과 같은 그 부분들 상에서의 침지 시스템에 의한 연장되거나 실질적으로 계속적인 웨트 호버링(wet hovering)은 PWP를 감소시키는 것으로 입증되었다.
일 실시예에서, 상기 장치는 기판 홀더 또는 기판 홀더들(또는 그 부분들의 척(chuck)들) 상의 베어 실리콘 웨이퍼를 로딩하고, 기판 홀더(들) 상에서 웨트 호버링을 시작하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 이러한 헹굼은 상기 장치에 상기 침지 시스템의 유체 공급부(13)들을 폐쇄시키는 소위 폐쇄 디스크(closing disk) 또는 적절한 폐쇄 부재가 제공된 경우에 폐쇄 디스크 교환의 최소 회수로 수행될 수 있다. 헹굼 절차는 "기계 휴지"의 주어진 시간 이후에("스크린-세이버(screen-saver"와 비교), 및/또는 노광의 소정 회수 이후에 자동으로 시작될 수 있다. 예를 들어, 상이한 위치 내에 또는 웨이퍼 핸들러(H) 내의 "피자 박스 형상의 용기" 내 에 저장된 버진 웨이퍼의 개수는 이러한 세정 행위들에 사용될 수 있다.
상기 장치가 2 이상의 기판 홀더 또는 척을 포함하는 경우, 각각의 기판 홀더 또는 척은 소정 시간 프레임(time frame) 이후에 기판 홀더 또는 턱을 교환(swap)함으로써 세정될 수 있다. 또한, 상기 컴퓨터 제어부(CC) 및/또는 상기 소프트웨어는 마지막 세정된 기판 홀더 또는 척의 트랙(track)을 유지하고, 다음번에 다른 하나를 시작할 것이다.
또한, 기판 홀더 또는 척 상에서의 또는 그 근처에서의 박테리아 성장을 방지하기 위해, 바람직하게는 상기 장치의 휴지 시간 동안에 기판 홀더 또는 척이 침지 액체로, 예를 들어 초순수(ultra pure water: UPW)로 계속 플러시될 수 있다. 바람직하게도, 공기에 노출된 이동하지 않는 물(not-moving water)의 고임(puddle)이 회피된다. 또한, 상기 방사선 소스(SO)는 기판 홀더 또는 척의 UV-광 유도 오존 세정을 제공할 수 있는 물로 플러시되는 소정의 시간 주기 동안에 스위치 온(switch on)될 것이다. 이러한 오존 세정은 도포된 레지스트(spilled resist)와 같이 유기적 성질을 갖는 화학적 오염에 효과적일 수 있으며, 박테리아를 "죽이는" 데에도 효과적이다. 이러한 세정 절차 시, 바람직하게 베어 기판 또는 기판 형상 물체는 처리 중에 기판 홀더 상에 존재한다.
예를 들어, 상기 장치의 휴지 시간 동안에, 각각의 기판 홀더 또는 척은 입자 오염을 감소시키고 박테리아 성장을 회피하기 위해 UPW 물로 계속 플러싱될 수 있다. 바람직하게 침지 액체는 항상 유동한다.
또한, 휴지 시에, 방사선 소스(SO) 광은, 특히 상기 소스가 UV-광 방사선 소 스인 경우에 인-시튜 세정을 수행하는데 사용될 것이다. 물에서 생성된 오존은 유기 및 박테리아 성장을 제거하는 효과적인 수단이다.
또한, 상기 휴지 시간 세정 절차 시에 베어 가까 웨이퍼 또는 베어 웨이퍼와 유사한 지오메트리를 갖는 물체가 기판 홀더(WT) 상에 배치될 수 있다. 침지형 장치에는 더미 기판을 위한 전용 인-시튜 저장 격실(22)이 제공될 수 있다.
본 명세서에서는, IC의 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에서 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 유도 및 검출패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드의 제조와 같이 여타의 응용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"와 같은 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 여타의 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피에 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언 급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예컨대 임프린트 리소그래피(imprint lithography)에서도 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면, 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성되는 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 기판에 공급된 레지스트 층 안으로 가압될 수 있으며, 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화(cure)된다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
본 명세서에서 사용되는 "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 365, 355, 248, 193, 157 또는 126 ㎚의 파장을 갖는) 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm의 범위인 파장을 갖는) 극자외(EUV)방사선 뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔도 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다.
본 명세서가 허용하는 "렌즈"라는 용어는, 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 어느 하나 또는 그 조합을 나타낼 수 있다.
이상, 특정 실시예들이 서술되었지만, 본 발명은 서술된 것과 다르게 실시될 수도 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명은 상기에 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어들의 1 이상의 시퀀스들을 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되는 데이터 저장 매체(예컨대, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수도 있다.
본 발명의 1 이상의 실시예들은 상기 언급된 타입과 같은 여하한의 침지 리소그래피 장치에, 또한 침지 액체가 바스의 형태로 또는 기판의 국부화된 표면 영역상에만 제공되는지에 따라 적용될 수 있다. 침지 시스템은 투영 시스템과 기판 및/또는 기판 테이블 사이의 공간에 액체를 제공하는 여하한의 기구일 수 있다. 이는 1 이상의 구조체, 1 이상의 액체 유입구, 1 이상의 가스 유입구, 1 이상의 가스 유출구, 및/또는 1 이상의 액체 유출구, 상기 공간에 침지 액체를 제공하고 한정하는 그 조합을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 상기 공간의 표면은 기판 및/또는 기판 테이블의 일부분으로 제한될 수도 있고, 기판 및/또는 기판 테이블의 표면을 완전히 덮을 수도 있거나, 상기 공간은 기판 및/또는 기판 테이블을 에워쌀(envelop) 수도 있다.
또한, 침지 시스템은 투영 시스템과 패터닝 디바이스 및/또는 패터닝 디바이스 지지체 사이의 공간에 액체를 제공하는 여하한의 기구일 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면, 하기에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수도 있음을 이해할 수 있을 것이다.
본 발명에 따르면, 침지형 투영 장치 및 침지형 리소그래피 장치의 오염을 방지 또는 감소시키는 방법이 제공된다.

Claims (49)

  1. 침지형(immersion type) 투영 장치의 오염을 방지 또는 감소시키는 방법에 있어서,
    상기 장치가 방사선의 빔을 기판 상으로 투영하는 경우, 상기 장치는 전체적으로 또는 부분적으로 액체로 채워진 1 이상의 침지 공간을 포함하고,
    상기 장치가 상기 방사선의 빔을 상기 기판 상으로 투영하는데 사용되기 이전에 상기 침지 공간의 전체 또는 부분을 헹굼액(rinsing liquid)으로 헹구는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 침지 공간의 헹굼은 상기 장치의 휴지 작동 모드(idle operational mode) 시에 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 액체 및 상기 헹굼액은 동일한 액체인 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 침지 공간의 헹굼은 상기 장치가 방사선을 기판 상으로 투영하는데 사용될 때까지 실질적으로 계속 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 헹굼액 및/또는 상기 침지 공간의 전체 또는 부분을 자외 방사선으로 조명하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 침지 공간은 한쪽 상의 기판, 더미(dummy) 기판 또는 기판 형상 물체 및/또는 기판 홀더와 반대쪽 상의 투영 시스템 사이에서 전체적으로 또는 부분적으로 연장되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 기판 홀더 상에 상기 더미 기판 또는 상기 기판 형상 물체를 배치시키는 단계; 및
    상기 헹굼이 완료된 이후에는, 상기 더미 기판 또는 상기 기판 형상 물체를 상기 투영 시스템에 의해 조명될 기판으로 교체하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 침지 공간은 한쪽 상의 패터닝 디바이스, 더미 패터닝 디바이스 또는 패터닝 디바이스 형상 물체 및/또는 패터닝 디바이스 홀더와 반대쪽 상의 투영 시 스템 사이에서 전체적으로 또는 부분적으로 연장되는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 패터닝 디바이스 홀더 상에 상기 더미 패터닝 디바이스 또는 상기 패터닝 디바이스 형상 물체를 배치시키는 단계; 및
    상기 방사선이 상기 투영 시스템에 들어가기 이전에, 상기 더미 패터닝 디바이스 또는 상기 패터닝 디바이스 형상 물체를 방사선을 패터닝하는데 사용될 패터닝 디바이스로 교체하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 장치는 리소그래피 장치인 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 장치의 상이한 부분들 및/또는 영역들을 세정하기 위해, 상기 침지 공간의 헹굼 시에 상기 침지 공간의 위치를 변화시키는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 리소그래피 투영 장치의 오염을 방지 또는 감소시키는 방법에 있어서,
    상기 장치는 기판을 유지하도록 구성된 기판 홀더, 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 패터닝 디바이스 홀더, 투영 시스템, 및 상기 장치의 침지 공간을 전체적으로 또는 부분적으로 액체로 채우도록 구성된 침지 시스템을 포함하고,
    상기 장치의 전체 또는 부분 및 상기 침지 시스템 중 1 이상을 서로에 대해 이동시키는 단계; 및
    상기 장치가 방사선의 패터닝된 빔을 기판의 타겟부 상으로 투영하는데 사용되기 이전에 상기 장치의 전체 또는 부분을 액체로 헹구는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 장치의 전체 또는 부분은 상기 기판 홀더의 전체 또는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 장치의 전체 또는 부분은 상기 기판 홀더 안으로 또는 그 근처로 연장되는 1 이상의 슬릿(slit) 또는 어퍼처(aperture)를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  15. 제 12 항에 있어서,
    상기 장치의 전체 또는 부분은 상기 패터닝 디바이스 홀더의 전체 또는 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  16. 제 12 항에 있어서,
    상기 장치의 전체 또는 부분은 상기 패터닝 디바이스 홀더 안으로 또는 그 근처로 연장되는 1 이상의 슬릿 또는 어퍼처를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  17. 리소그래피 투영 장치의 오염을 방지 또는 감소시키는 방법에 있어서,
    상기 장치는 침지 공간을 포함하고,
    상기 침지 공간의 전체 또는 부분을 헹굼액으로 1 분 이상 채우는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 채우는 단계는 상기 장치의 1 이상의 휴지 작동 주기 또는 그 부분을 포함하여 1 일 이상 실질적으로 계속 행해지는 것을 특징으로 하는 방법.
  19. 리소그래피 투영 장치의 오염을 방지 또는 감소시키는 방법에 있어서,
    상기 장치는 기판을 유지하도록 구성된 기판 홀더, 패터닝 디바이스를 유지하도록 구성된 패터닝 디바이스 홀더, 투영 시스템, 및 침지 공간을 포함하고,
    상기 장치의 1 이상의 후속 스타트-업 런(start-up run) 동안에 기판 오염을 방지 또는 감소시키기 위해, 상기 장치의 휴지 시간(idle time) 동안 상기 침지 공간의 전체 또는 부분을 헹굼액으로 채우는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 헹굼액은 초순수(ultra pure water)로 구성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 침지형 리소그래피 장치에 있어서,
    1 이상의 침지 공간; 및
    상기 침지 공간을 전체적으로 또는 부분적으로 액체로 채우도록 구성된 침지 시스템을 포함하여 이루어지고,
    상기 장치가 방사선의 패터닝된 빔을 기판 상으로 투영하는데 사용되기 이전에, 상기 침지 공간의 전체 또는 부분을 헹굼액으로 헹구도록 구성되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 장치의 휴지 작동 모드 동안에 상기 침지 공간의 전체 또는 부분을 헹구도록 구성되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 침지 공간의 헹굼 시에 상기 침지 공간 내에 및/또는 상기 공간에 대해 인접한 위치 내에 물체를 제공하고, 상기 장치가 방사선 빔을 기판의 타겟부 상으 로 투영하는데 사용되기 이전에 상기 물체를 제거하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 장치가 방사선 빔을 상기 기판의 타겟부 상으로 투영하는데 사용되는 경우, 상기 물체를 저장하는 1 이상의 저장 공간 또는 격실(compartment)을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  25. 제 21 항에 있어서,
    상기 침지 공간을 상기 액체로 헹구도록 구성되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  26. 제 21 항에 있어서,
    상기 장치가 방사선 빔을 기판 상으로 투영할 때까지 실질적으로 계속 상기 침지 공간을 헹구도록 구성되는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
  27. 제 21 항에 있어서,
    상기 장치가 방사선 빔을 기판의 타겟부 상으로 투영하는데 사용되기 이전에, 상기 침지 공간의 헹굼 시에 자외 방사선으로 상기 침지 공간을 조명하도록 구성된 1 이상의 자외 방사선 소스를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 침 지형 리소그래피 장치.
  28. 제 21 항에 있어서,
    상기 침지 공간은 한쪽 상의 기판, 더미 기판, 기판 형상 물체 및/또는 기판 홀더와 반대쪽 상의 상기 장치의 투영 시스템의 부분 사이에서 연장되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 기판 홀더 상에 상기 더미 기판 또는 상기 기판 형상 물체를 배치시키고, 각각의 침지 공간을 연속적으로(subsequently) 헹구도록 구성되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 침지 공간이, 헹굼 시에 상기 기판 홀더에 의해 유지되는 상기 기판, 상기 더미 기판 또는 상기 기판 형상 물체의 외형(outer contour)에 적어도 도달하거나 상기 외형을 포함하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  31. 제 21 항에 있어서,
    상기 침지 공간 및 상기 헹굼액을 사용하여, 기판 홀더에 의해 유지되는 기 판, 더미 기판 또는 기판 형상 물체의 에지를 따라 연장되는 1 이상의 영역을 헹구도록 구성되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  32. 제 21 항에 있어서,
    상기 침지 공간 및 상기 헹굼액을 사용하여, 상기 기판 홀더의 표면 및/또는 상기 표면 상에 위치된 1 이상의 구성요소의 전체 또는 부분을 헹구도록 구성되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 구성요소는 에지 시일 부재, 센서, 위치설정 디바이스 및 거울 요소로 구성된 그룹으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  34. 제 21 항에 있어서,
    2 이상의 기판 홀더를 더 포함하여 이루어지고, 상기 침지 공간은 한쪽 상의 상기 기판 홀더 중 1 이상의 전체 또는 부분과 반대쪽 상의 투영 시스템 사이에서 연장되며, 제 1 위치 및 상기 투영 시스템으로부터 멀리 있는 각각의 제 2 위치로 각각의 기판 홀더를 이동시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  35. 제 34 항에 있어서,
    상기 제 1 위치 내에서 또는 그 근처에서 상기 헹굼액에 의해 전체적으로 또는 부분적으로 헹궈질 상기 제 1 위치로 상기 기판 홀더들을 연속적으로 이동시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  36. 제 34 항에 있어서,
    상기 기판 홀더가 상기 제 2 위치에 있는 경우, 상기 기판 홀더 중 1 이상을 전체적으로 또는 부분적으로 세정하도록 구성된 1 이상의 세정 디바이스를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  37. 제 34 항에 있어서,
    상기 기판 홀더 중 어느 것이 가장 오염되기 쉬운지를 결정하고, 가장 오염되기 쉽다고 판정된 기판 홀더를 가장 먼저 헹구거나 세정하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  38. 제 21 항에 있어서,
    상기 침지 공간은 한쪽 상의 패터닝 디바이스 및/또는 패터닝 디바이스 홀더와 반대쪽 상의 투영 시스템 사이에서 전체적으로 또는 부분적으로 연장되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  39. 제 38 항에 있어서,
    상기 패터닝 디바이스 홀더 상에 더미 패터닝 디바이스 또는 패터닝 디바이스 형상 물체를 배치시키고, 상기 침지 공간을 연속적으로 헹구도록 구성되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  40. 제 28 항에 있어서,
    헹굼 시에 상기 침지 공간의 위치가 상기 기판 홀더에 대해 변화되도록, 헹굼 시 상기 투영 시스템에 대해 상기 기판 홀더를 이동시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  41. 제 21 항에 있어서,
    상기 장치의 사전결정된 양의 휴지 시간 이후에 상기 헹굼을 자동으로 시작하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  42. 제 21 항에 있어서,
    사전결정된 회수의 기판 노광의 이후에 상기 헹굼을 자동으로 시작하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  43. 제 21 항에 있어서,
    상기 장치의 전체 또는 부분이 오염의 소정 임계량에 도달하였는지를 결정하거나 추정하고, 상기 장치의 부분이 상기 오염의 소정 임계량에 도달했다는 것이 결정되거나 추정된 경우에 상기 장치의 부분을 헹구도록 구성되는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  44. 제 21 항에 있어서,
    상기 헹굼을 제어하는 컴퓨터 제어부를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  45. 침지형 리소그래피 장치에 있어서,
    1 이상의 더미 기판 또는 기판 형상 물체를 인-시튜(in-situ)로 저장하는 1 이상의 저장 공간 또는 격실을 포함하는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  46. 침지형 리소그래피 장치에 있어서,
    1 이상의 더미 패터닝 디바이스 또는 패터닝 디바이스 형상 물체를 인-시튜로 저장하는 1 이상의 저장 공간 또는 격실을 포함하는 것을 특징으로 하는 침지형 리소그래피 장치.
  47. 컴퓨터 프로그램물에 있어서,
    컴퓨터에 의해 컴퓨터 프로그램이 실행되고 있는 때에 침지형 투영 장치의 오염을 방지 또는 감소시키는 방법을 수행하도록 구성된 기계-판독가능한 명령어들 의 1 이상의 시퀀스를 포함하고,
    상기 장치는, 상기 장치가 방사선의 빔을 기판 상으로 투영하는 때에 전체적으로 또는 부분적으로 액체로 채워진 1 이상의 침지 공간을 포함하고,
    상기 방법은, 상기 장치가 방사선의 빔을 기판 상으로 투영하는데 사용되기 이전에 상기 침지 공간의 전체 또는 부분을 헹굼액으로 헹구는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램물.
  48. 리소그래피 투영 장치의 오염을 방지 또는 감소시키는 방법에 있어서,
    상기 장치는 방사선의 빔이 투과될 수 있는 액체가 제공될 공간을 포함하고,
    상기 리소그래피 장치를 작동시키는 단계; 및
    상기 공간의 전체 또는 부분을 헹굼액으로 연속적으로 헹구는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  49. 제 48 항에 있어서,
    상기 액체 및 상기 헹굼액은 동일한 액체인 것을 특징으로 하는 방법.
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