JP2007158326A - 液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法および液浸型リソグラフィ装置 - Google Patents
液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法および液浸型リソグラフィ装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007158326A JP2007158326A JP2006316939A JP2006316939A JP2007158326A JP 2007158326 A JP2007158326 A JP 2007158326A JP 2006316939 A JP2006316939 A JP 2006316939A JP 2006316939 A JP2006316939 A JP 2006316939A JP 2007158326 A JP2007158326 A JP 2007158326A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- immersion space
- immersion
- liquid
- patterning device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
- G03F7/70925—Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
Abstract
【解決手段】投影装置は、少なくとも1つの液浸スペース10と、その液浸スペース10を少なくとも部分的に浸液11で充たすよう構成されているそれぞれの液浸システムとを備える。基板Wに放射のパターンの付いたビームを投影するために使用される前に、リンス液11で液浸スペース10の少なくとも一部をリンスするよう構成することができる。この装置が比較的長いアイドル動作モードにある間、液浸スペース10の少なくとも一部をリンスするよう構成されている。基板に対してパターンの付いた放射ビームを投影するまで実質的に継続して液浸スペース10をリンスするよう構成することができる。
【選択図】図2
Description
Claims (49)
- 放射ビームを基板に投影するときに少なくとも部分的に液体で充填されている少なくとも1つの液浸スペースを備える液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法であって、
前記装置を使用して前記放射ビームを基板に投影する前に前記液浸スペースの少なくとも一部をリンス液でリンスする、
ことを含む方法。 - 前記液浸スペースのリンスが前記装置のアイドル動作モード中に行われる、
請求項1に記載の方法。 - 前記液体およびリンス液が同じ液体である、請求項1に記載の方法。
- 前記装置を使用して基板に前記放射ビームを投影するまで実質的に継続して前記液浸スペースのリンスが行われる、請求項1に記載の方法。
- 前記液浸スペースおよび/または前記リンス液の少なくとも一部を紫外線で照射することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記液浸スペースが少なくとも、一方の側の基板、ダミー基板もしくは基板状オブジェクトおよび/または基板保持体の少なくとも一部とその反対側の投影システムとの間に延在している、請求項1に記載の方法。
- 前記基板保持体上に前記ダミー基板または前記基板状オブジェクトを配置することと、
前記リンスの完了後に、前記ダミー基板または前記基板状オブジェクトを前記投影システムにより照射される基板に差し替えることと、
を含む、請求項6に記載の方法。 - 前記液浸スペースは少なくとも、一方の側のパターニングデバイス、ダミーパターニングデバイスもしくはパターニングデバイス状オブジェクトおよび/またはパターニングデバイス保持体とその反対側の投影システムとの間に延在している、請求項1に記載の方法。
- 前記パターニングデバイス保持体上に前記ダミーパターニングデバイスまたは前記パターニングデバイス状オブジェクトを配置することと、
前記放射ビームが前記投影システムに入射する前に、前記ダミーパターニングデバイスまたは前記パターニングデバイス状オブジェクトを、前記放射ビームにパターンを付けるために使用されるパターニングデバイスと差し替えることと、
を含む、請求項8に記載の方法。 - 前記装置がリソグラフィ投影装置である、請求項1に記載の方法。
- 前記装置の複数の部分および/または領域を洗浄するために、前記液浸スペースのリンス中に、該液浸スペースの位置を変えることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法であって、該装置が、基板を保持するよう構成された基板保持体と、パターニングデバイスを保持するよう構成されたパターニングデバイス保持体と、投影システムと、該装置の液浸スペースの少なくとも一部を液体で充填するように構成される液浸システムと、を備える方法であって、
前記液浸スペースおよび前記装置の少なくとも一部の少なくとも一方を他方に対して移動させることと、
前記装置を使用して基板のターゲット部分にパターンの付いた放射ビームを投影する前に、液体で該装置の少なくとも一部をリンスすることと、
を含む方法。 - 前記装置の少なくとも一部が前記基板保持体の一部を備える、請求項12に記載の方法。
- 前記装置の少なくとも一部が、前記基板保持体またはその付近に延在する少なくとも1つのスリットまたは開口部を備える、請求項12に記載の方法。
- 前記装置の少なくとも一部が前記パターニングデバイス保持体の少なくとも一部を備える、請求項12に記載の方法。
- 前記装置の少なくとも一部が、前記パターニングデバイス保持体またはその付近に延在する少なくとも1つのスリットまたは開口部を備える、請求項12に記載の方法。
- 液浸スペースを備えるリソグラフィ投影装置の汚染を防止または低減する方法であって、
前記液浸スペースの少なくとも一部を少なくとも1分間リンス液で充填すること、
を含む方法。 - 前記充填が、前記装置またはその一部の少なくとも1回のアイドル動作期間を含む少なくとも1日間実質的に継続して行われる、請求項17に記載の方法。
- リソグラフィ投影装置の汚染を防止または低減する方法であって、該装置が、基板を保持するよう構成された基板保持体と、パターニングデバイスを保持するよう構成されたパターニングデバイス保持体と、投影システムと、液浸スペースと、を備える方法であって、
前記装置のアイドル時間中、前記液浸スペースの少なくとも一部をリンス液で充填し、該装置の少なくとも1回のその後の起動運転中の基板の汚染を防止または低減することを含む、方法。 - 前記リンス液が純水からなる、請求項19に記載の方法。
- 液浸型リソグラフィ装置であって、
少なくとも1つの液浸スペースと、
前記液浸スペースの少なくとも一部を液体で充填するよう構成された液浸システムと、を備え、
当該装置が、該装置を使用して基板にパターンの付いた放射ビームを投影する前に、リンス液で前記液浸スペースの少なくとも一部をリンスするよう構成されている、
液浸型リソグラフィ装置。 - 当該装置が、該装置のアイドル動作モード中に前記液浸スペースの少なくとも一部をリンスするよう構成されている、請求項21に記載の装置。
- 当該装置が、前記液浸スペースのリンス中に、該液浸スペースおよび/または該液浸スペースの隣接位置にオブジェクトを供給し、かつ、該装置を使用して基板のターゲット部分に前記放射ビームを投影する前に該オブジェクトを除去するよう構成されている、請求項21に記載の装置。
- 当該装置を使用して基板のターゲット部分に前記放射ビームを投影するときに前記オブジェクトを保存するための少なくとも1つの保存スペースまたはコンパートメントをさらに備える、請求項23に記載の装置。
- 当該装置が前記液浸スペースを液体でリンスするよう構成されている、請求項21に記載の装置。
- 当該装置が、該装置が基板に前記放射ビームを投影するまで実質的に継続して前記液浸スペースをリンスするよう構成されている、請求項21に記載の方法。
- 当該装置を使用して前記放射ビームを基板のターゲット部分に投影する前に、前記液浸スペースのリンスを行っている間、紫外線で該液浸スペースを照射するように構成されている少なくとも1つの紫外線源をさらに備える、請求項21に記載の方法。
- 前記液浸スペースが、一方の側の基板、ダミー基板、基板状オブジェクトおよび/または基板保持体の少なくとも一部と、その反対側の該装置の前記投影システムの一部との間に延在している、請求項21に記載の装置。
- 当該装置が、前記ダミー基板または前記基板状オブジェクトを前記基板保持体に配置し、その後、前記液浸スペースをリンスするようするよう構成されている、請求項28に記載の装置。
- 当該装置は、前記リンスを行っている間、前記液浸スペースが、前記基板保持体によって保持されている前記基板、前記ダミー基板または前記基板状オブジェクトの外周に少なくとも達するかまたはこれを含むように構成されている、請求項28に記載の装置。
- 当該装置が、前記液浸スペースおよび前記リンス液を使用して、少なくとも、基板保持体により保持されている基板、ダミー基板または基板状オブジェクトのエッジ部に沿って延在している領域をリンスするよう構成されている、請求項21に記載の装置。
- 当該装置が、前記液浸スペースおよび前記リンス液を使用して、基板保持体の表面および/または該表面に配置された1つ以上の構成部品の少なくとも一部をリンスするよう構成されている、請求項21に記載の装置。
- 前記構成部品がエッジシール部材、センサ、位置決め装置およびミラー素子からなる一群から選択される、請求項32に記載の装置。
- 少なくとも2つの基板保持体をさらに備え、液浸スペースが、一方の側の基板保持体のうちの少なくとも1つの少なくとも一部とその反対側の投影システムとの間に延在し、当該装置が、第1の位置、および、投影システムから離れたそれぞれの第2の位置に各基板保持体を移動させるよう構成されている、請求項21に記載の装置。
- 当該装置が、その後、前記第1の位置に前記基板保持体を移動させ、リンス液で該位置またはその付近の少なくとも一部をリンスするよう構成されている、請求項34に記載の装置。
- 前記基板保持体の少なくとも1つが前記第2の位置にあるときに該基板保持体の少なくとも一部を洗浄するよう構成されている少なくとも1つの洗浄装置をさらに備える、請求項34に記載の装置。
- 当該装置が、いずれの前記基板保持体が汚染される可能性が最も高いかを判定し、該汚染される可能性が最も高いと判定された基板保持体を最初にリンスまたは洗浄するよう構成されている、請求項34に記載の装置。
- 前記液浸スペースが、少なくとも、一方の側のパターニングデバイスおよびパターニングデバイス保持体とその反対側の投射システムとの間に延在している、請求項21に記載の装置。
- 当該装置が、ダミーパターニングデバイスまたはパターニングデバイス状オブジェクトを前記パターニングデバイス保持体上に配置し、その後、前記液浸スペースをリンスするよう構成されている、請求項38に記載の装置。
- 当該装置が、リンス中に、リンス中の前記基板保持体に対して前記液浸スペースの位置を変えるように前記投影システムに対して該基板保持体を移動させるよう構成されている、請求項28に記載の装置。
- 当該装置が、該装置の所定量のアイドル時間の後自動的にリンスを開始するよう構成されている、請求項21に記載の装置。
- 当該装置が、所定回数の基板露光の後自動的にリンスを開始するよう構成されている、請求項21に記載の装置。
- 当該装置が、該装置の少なくとも一部が一定の閾量の汚染に達したか否かを判定または推測し、該閾量の汚染に達したと判定または推測された場合に該装置部分をリンスするよう構成されている、請求項21に記載の装置。
- リンスを制御するコンピュータ制御をさらに備える、請求項21に記載の装置。
- 少なくとも1つのダミー基板または基板状オブジェクトを原位置(in-situ)で保存する少なくとも1つの保存スペースまたはコンパートメントを含む、液浸型リソグラフィ装置。
- 少なくとも1つのダミーパターニングデバイスまたはパターニングデバイス状オブジェクトを原位置(in-situ)で保存する少なくとも1つの保存スペースまたはコンパートメントを含む、液浸型リソグラフィ装置。
- コンピュータプログラムであって、該コンピュータプログラムがコンピュータにより実行されているときに液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法を実行するよう構成されている、機械読み取り可能な指示の1つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラムであって、
前記装置は、該装置が放射ビームを基板上に投影するときに少なくとも部分的に液体で充填されている少なくとも1つの液浸スペースを備え、該方法が、該装置を使用して放射ビームを基板に投影する前に液浸スペースの少なくとも一部をリンス液でリンスすることを含む、コンピュータプログラム。 - 液体が供給される空間であって、該空間を経由して放射ビームが透過されうる空間を備えるリソグラフィ投影装置の汚染を防止または低減する方法であって、
リソグラフィ装置を動作させることと、
その後にリンス液で前記空間の少なくとも一部をリンスすることと、
を含む方法。 - 前記液体とリンス液が同じ液体である、請求項48に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/292,311 | 2005-12-02 | ||
US11/292,311 US8125610B2 (en) | 2005-12-02 | 2005-12-02 | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010006646A Division JP5237309B2 (ja) | 2005-12-02 | 2010-01-15 | 液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法および液浸型リソグラフィ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007158326A true JP2007158326A (ja) | 2007-06-21 |
JP4938424B2 JP4938424B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=37806788
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006316939A Expired - Fee Related JP4938424B2 (ja) | 2005-12-02 | 2006-11-24 | 液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法および液浸型リソグラフィ装置 |
JP2010006646A Active JP5237309B2 (ja) | 2005-12-02 | 2010-01-15 | 液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法および液浸型リソグラフィ装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010006646A Active JP5237309B2 (ja) | 2005-12-02 | 2010-01-15 | 液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法および液浸型リソグラフィ装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US8125610B2 (ja) |
EP (1) | EP1793276A3 (ja) |
JP (2) | JP4938424B2 (ja) |
KR (3) | KR100826992B1 (ja) |
CN (1) | CN1983034B (ja) |
SG (1) | SG132660A1 (ja) |
TW (2) | TWI447530B (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294817A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Sokudo:Kk | 基板処理方法、基板処理システムおよび基板処理装置 |
JP2008283156A (ja) * | 2006-05-18 | 2008-11-20 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2009033042A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Toshiba Corp | パターン形成方法及び洗浄装置 |
JP2010118558A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101324818B1 (ko) | 2003-04-11 | 2013-11-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
TW201806001A (zh) | 2003-05-23 | 2018-02-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置及元件製造方法 |
EP2261741A3 (en) * | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101421915B1 (ko) * | 2004-06-09 | 2014-07-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8698998B2 (en) | 2004-06-21 | 2014-04-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device |
EP3462241A1 (en) * | 2004-06-21 | 2019-04-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device |
US7385670B2 (en) * | 2004-10-05 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus |
CN101044594B (zh) * | 2004-10-26 | 2010-05-12 | 株式会社尼康 | 衬底处理方法、曝光装置及器件制造方法 |
US20070242248A1 (en) * | 2004-10-26 | 2007-10-18 | Nikon Corporation | Substrate processing method, exposure apparatus, and method for producing device |
US7362412B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system |
US7880860B2 (en) | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1909310A4 (en) * | 2005-07-11 | 2010-10-06 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS |
US8125610B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-02-28 | ASML Metherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
JP2007173732A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Sokudo:Kk | 基板処理装置 |
JP2007173695A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Sokudo:Kk | 基板処理方法、基板処理システムおよび基板処理装置 |
JP4704221B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2011-06-15 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2007266074A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び液浸リソグラフィーシステム |
US7969548B2 (en) * | 2006-05-22 | 2011-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method |
SG172607A1 (en) * | 2006-05-22 | 2011-07-28 | Nikon Corp | Exposure method and apparatus, maintenance method, and device manufacturing method |
EP2034515A4 (en) * | 2006-05-23 | 2012-01-18 | Nikon Corp | MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
JP2007317987A (ja) * | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Sokudo:Kk | 基板処理装置および基板処理方法 |
EP2043134A4 (en) * | 2006-06-30 | 2012-01-25 | Nikon Corp | MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
WO2008029884A1 (fr) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Nikon Corporation | Dispositif et procédé de nettoyage, et procédé de fabrication du dispositif |
US8654305B2 (en) * | 2007-02-15 | 2014-02-18 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography |
US8817226B2 (en) | 2007-02-15 | 2014-08-26 | Asml Holding N.V. | Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography |
US8947629B2 (en) * | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US7866330B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-01-11 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US9013672B2 (en) * | 2007-05-04 | 2015-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US8011377B2 (en) | 2007-05-04 | 2011-09-06 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device and a lithographic apparatus cleaning method |
US7916269B2 (en) * | 2007-07-24 | 2011-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method |
US20090025753A1 (en) * | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic Apparatus And Contamination Removal Or Prevention Method |
NL1035942A1 (nl) * | 2007-09-27 | 2009-03-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Method of Cleaning a Lithographic Apparatus. |
SG151198A1 (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-30 | Asml Netherlands Bv | Methods relating to immersion lithography and an immersion lithographic apparatus |
JP5017232B2 (ja) * | 2007-10-31 | 2012-09-05 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置 |
NL1036273A1 (nl) * | 2007-12-18 | 2009-06-19 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and method of cleaning a surface of an immersion lithographic apparatus. |
NL1036306A1 (nl) * | 2007-12-20 | 2009-06-23 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and in-line cleaning apparatus. |
US8339572B2 (en) | 2008-01-25 | 2012-12-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL1036571A1 (nl) * | 2008-03-07 | 2009-09-08 | Asml Netherlands Bv | Lithographic Apparatus and Methods. |
JPWO2010050240A1 (ja) * | 2008-10-31 | 2012-03-29 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
MX2012007581A (es) * | 2009-12-28 | 2012-07-30 | Pioneer Hi Bred Int | Genotipos restauradores de la fertilidad de sorgo y metodos de seleccion asistida por marcadores. |
TW201229673A (en) * | 2011-01-03 | 2012-07-16 | Inotera Memories Inc | Immersion exposure apparatus and method of utilizing thereof |
NL2009284A (en) * | 2011-09-22 | 2013-10-31 | Asml Netherlands Bv | A cleaning substrate for a lithography apparatus, a cleaning method for a lithography apparatus and a lithography apparatus. |
US9020633B1 (en) * | 2013-11-29 | 2015-04-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Automating storage, retrieval, and routine for process flow |
JP6313591B2 (ja) * | 2013-12-20 | 2018-04-18 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、異物除去方法及び物品の製造方法 |
US11358172B2 (en) * | 2015-09-24 | 2022-06-14 | Suss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg | Method for treating substrates with an aqueous liquid medium exposed to UV-radiation |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005071717A1 (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005236047A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
JP2005277363A (ja) * | 2003-05-23 | 2005-10-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006156974A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-06-15 | Nikon Corp | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
Family Cites Families (166)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPH0782981B2 (ja) | 1986-02-07 | 1995-09-06 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
JP2644912B2 (ja) | 1990-08-29 | 1997-08-25 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置及びその運転方法 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH10189526A (ja) * | 1996-12-20 | 1998-07-21 | Sony Corp | レチクルの洗浄方法及びその装置 |
EP0890136B9 (en) | 1996-12-24 | 2003-12-10 | ASML Netherlands B.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
US6268904B1 (en) | 1997-04-23 | 2001-07-31 | Nikon Corporation | Optical exposure apparatus and photo-cleaning method |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
WO1999027568A1 (fr) | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Nikon Corporation | Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection |
JPH11283903A (ja) | 1998-03-30 | 1999-10-15 | Nikon Corp | 投影光学系検査装置及び同装置を備えた投影露光装置 |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
US7116401B2 (en) * | 1999-03-08 | 2006-10-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus using catoptrics in an optical sensor system, optical arrangement, method of measuring, and device manufacturing method |
TW446858B (en) * | 1999-04-21 | 2001-07-21 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using such a lithographic projection apparatus, and device made by such a method of manufacturing |
JP2000323396A (ja) | 1999-05-13 | 2000-11-24 | Canon Inc | 露光方法、露光装置、およびデイバイス製造方法 |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
JP2001319849A (ja) | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
US6827814B2 (en) | 2000-05-08 | 2004-12-07 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus, processing system and processing method |
JP4015823B2 (ja) | 2001-05-14 | 2007-11-28 | 株式会社東芝 | アルカリ現像液の製造方法,アルカリ現像液,パターン形成方法,レジスト膜の剥離方法,及び薬液塗布装置 |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
JP2003124089A (ja) | 2001-10-09 | 2003-04-25 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置及び露光方法 |
EP1313337A1 (de) | 2001-11-15 | 2003-05-21 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Übertragung von Informationen in einem zellularen Funkkommunikationssystem mit Funksektoren |
KR20050035890A (ko) | 2002-08-23 | 2005-04-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 포토리소그래피 방법, 노광 장치 및 그 이용방법 |
SG121819A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101470360B (zh) | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
EP1429188B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-06-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus |
DE60335595D1 (de) * | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW200412617A (en) | 2002-12-03 | 2004-07-16 | Nikon Corp | Optical illumination device, method for adjusting optical illumination device, exposure device and exposure method |
JP4423559B2 (ja) | 2002-12-03 | 2010-03-03 | 株式会社ニコン | 汚染物質除去方法 |
SG171468A1 (en) | 2002-12-10 | 2011-06-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and method for producing device |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4525062B2 (ja) | 2002-12-10 | 2010-08-18 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、露光システム |
CN100446179C (zh) | 2002-12-10 | 2008-12-24 | 株式会社尼康 | 曝光设备和器件制造法 |
KR101697896B1 (ko) * | 2003-04-11 | 2017-01-18 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
KR101324818B1 (ko) | 2003-04-11 | 2013-11-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피에 의한 광학기기의 세정방법 |
JP4497831B2 (ja) * | 2003-04-15 | 2010-07-07 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイスの製造方法 |
EP1477856A1 (en) | 2003-05-13 | 2004-11-17 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4552853B2 (ja) * | 2003-05-15 | 2010-09-29 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
TW201806001A (zh) | 2003-05-23 | 2018-02-16 | 尼康股份有限公司 | 曝光裝置及元件製造方法 |
EP2261741A3 (en) * | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7317504B2 (en) * | 2004-04-08 | 2008-01-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4245418B2 (ja) * | 2003-06-25 | 2009-03-25 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 斜め方向配線を有する半導体集積回路装置及びそのレイアウト方法 |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7248339B2 (en) * | 2003-07-04 | 2007-07-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4697138B2 (ja) * | 2003-07-08 | 2011-06-08 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置、液浸リソグラフィ方法、デバイス製造方法 |
US7932020B2 (en) | 2003-07-10 | 2011-04-26 | Takumi Technology Corporation | Contact or proximity printing using a magnified mask image |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7145643B2 (en) * | 2003-08-07 | 2006-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Interface unit, lithographic projection apparatus comprising such an interface unit and a device manufacturing method |
US8549078B2 (en) | 2003-08-08 | 2013-10-01 | Teamon Systems, Inc. | Communications system providing load balancing based upon connectivity disruptions and related methods |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
JP2005072404A (ja) | 2003-08-27 | 2005-03-17 | Sony Corp | 露光装置および半導体装置の製造方法 |
JP4305095B2 (ja) | 2003-08-29 | 2009-07-29 | 株式会社ニコン | 光学部品の洗浄機構を搭載した液浸投影露光装置及び液浸光学部品洗浄方法 |
TWI245163B (en) * | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101477850B1 (ko) | 2003-08-29 | 2014-12-30 | 가부시키가이샤 니콘 | 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법 |
JP3870182B2 (ja) | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4438747B2 (ja) | 2003-09-26 | 2010-03-24 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光装置の洗浄方法、メンテナンス方法並びにデバイスの製造方法 |
US7123344B2 (en) * | 2003-09-29 | 2006-10-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR20060126949A (ko) * | 2003-10-08 | 2006-12-11 | 가부시키가이샤 니콘 | 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법 |
TW201738932A (zh) | 2003-10-09 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光裝置及曝光方法、元件製造方法 |
EP1524558A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7352433B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1531362A3 (en) | 2003-11-13 | 2007-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
US7528929B2 (en) * | 2003-11-14 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100555083C (zh) | 2003-12-23 | 2009-10-28 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于浸入式光刻的可除去薄膜 |
US7145641B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-12-05 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US7050146B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101166007B1 (ko) | 2004-02-10 | 2012-07-17 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 메인터넌스 방법 및노광 방법 |
CN100524616C (zh) | 2004-02-19 | 2009-08-05 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法 |
US20050205108A1 (en) | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
JP4220423B2 (ja) | 2004-03-24 | 2009-02-04 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
JP4535489B2 (ja) | 2004-03-31 | 2010-09-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布・現像装置 |
US7091502B2 (en) | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
JP4759311B2 (ja) | 2004-05-17 | 2011-08-31 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
JP2005353763A (ja) | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置及びパターン形成方法 |
KR101421915B1 (ko) | 2004-06-09 | 2014-07-22 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
KR101505756B1 (ko) * | 2004-06-10 | 2015-03-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
EP3462241A1 (en) | 2004-06-21 | 2019-04-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and method for producing a device |
US8698998B2 (en) | 2004-06-21 | 2014-04-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, method for cleaning member thereof, maintenance method for exposure apparatus, maintenance device, and method for producing device |
KR101378688B1 (ko) * | 2004-06-21 | 2014-03-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US7057702B2 (en) | 2004-06-23 | 2006-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE102004033208B4 (de) | 2004-07-09 | 2010-04-01 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Vorrichtung zur Inspektion eines mikroskopischen Bauteils mit einem Immersionsobjektiv |
US7307263B2 (en) | 2004-07-14 | 2007-12-11 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, radiation system, contaminant trap, device manufacturing method, and method for trapping contaminants in a contaminant trap |
US7224427B2 (en) | 2004-08-03 | 2007-05-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Megasonic immersion lithography exposure apparatus and method |
JP4983257B2 (ja) * | 2004-08-18 | 2012-07-25 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法、計測部材、及び計測方法 |
JP4772306B2 (ja) | 2004-09-06 | 2011-09-14 | 株式会社東芝 | 液浸光学装置及び洗浄方法 |
US7385670B2 (en) | 2004-10-05 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus |
TW200628995A (en) | 2004-10-13 | 2006-08-16 | Nikon Corp | Exposure device, exposure method, and device manufacturing method |
JP2006120674A (ja) | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Canon Inc | 露光装置及び方法、デバイス製造方法 |
JP2006134999A (ja) | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Sony Corp | 液浸型露光装置、及び、液浸型露光装置における保持台の洗浄方法 |
JP2006133661A (ja) | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Minebea Co Ltd | カラーホイールおよびその製造方法と製造用治具 |
US7362412B2 (en) * | 2004-11-18 | 2008-04-22 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate in an immersion lithography system |
JP4784513B2 (ja) | 2004-12-06 | 2011-10-05 | 株式会社ニコン | メンテナンス方法、メンテナンス機器、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US7196770B2 (en) | 2004-12-07 | 2007-03-27 | Asml Netherlands B.V. | Prewetting of substrate before immersion exposure |
US7880860B2 (en) | 2004-12-20 | 2011-02-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7450217B2 (en) | 2005-01-12 | 2008-11-11 | Asml Netherlands B.V. | Exposure apparatus, coatings for exposure apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
US20070258068A1 (en) | 2005-02-17 | 2007-11-08 | Hiroto Horikawa | Exposure Apparatus, Exposure Method, and Device Fabricating Method |
JP2006310706A (ja) | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Nikon Corp | 光学部品の洗浄方法、液浸投影露光装置および露光方法 |
US20060250588A1 (en) | 2005-05-03 | 2006-11-09 | Stefan Brandl | Immersion exposure tool cleaning system and method |
US7315033B1 (en) | 2005-05-04 | 2008-01-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for reducing biological contamination in an immersion lithography system |
WO2006122578A1 (en) | 2005-05-17 | 2006-11-23 | Freescale Semiconductor, Inc. | Contaminant removal apparatus and method therefor |
EP1895571A4 (en) * | 2005-06-21 | 2011-04-27 | Nikon Corp | EXPOSURE DEVICE, EXPOSURE METHOD, MAINTENANCE METHOD AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
US20070085989A1 (en) | 2005-06-21 | 2007-04-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, maintenance method, and device manufacturing method |
US20070002296A1 (en) | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography defect reduction |
US7262422B2 (en) * | 2005-07-01 | 2007-08-28 | Spansion Llc | Use of supercritical fluid to dry wafer and clean lens in immersion lithography |
DE102005031792A1 (de) | 2005-07-07 | 2007-01-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Entfernung von Kontamination von optischen Elementen, insbesondere von Oberflächen optischer Elemente sowie ein optisches System oder Teilsystem hierfür |
JP2007029973A (ja) | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Sony Corp | レーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収装置とその回収方法 |
JP2007088328A (ja) | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Toshiba Corp | 液浸型露光装置の洗浄方法 |
JP2007103658A (ja) | 2005-10-04 | 2007-04-19 | Canon Inc | 露光方法および装置ならびにデバイス製造方法 |
US7986395B2 (en) | 2005-10-24 | 2011-07-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography apparatus and methods |
CN1963673A (zh) | 2005-11-11 | 2007-05-16 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 浸润式微影曝光设备及方法 |
JP2007142217A (ja) | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co Ltd | イマージョン式リソグラフィ露光装置およびその方法 |
JP2007150102A (ja) | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Fujitsu Ltd | 露光装置及び光学素子の洗浄方法 |
US8125610B2 (en) * | 2005-12-02 | 2012-02-28 | ASML Metherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
US7462850B2 (en) | 2005-12-08 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Radical cleaning arrangement for a lithographic apparatus |
US7405417B2 (en) | 2005-12-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus having a monitoring device for detecting contamination |
US7522263B2 (en) | 2005-12-27 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
US20070146658A1 (en) | 2005-12-27 | 2007-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
JP4704221B2 (ja) | 2006-01-26 | 2011-06-15 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2007227543A (ja) | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Toshiba Corp | 液浸光学装置、洗浄方法及び液浸露光方法 |
JP2007227580A (ja) | 2006-02-23 | 2007-09-06 | Sony Corp | 液浸型露光装置および液浸型露光方法 |
JP2007266074A (ja) | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法及び液浸リソグラフィーシステム |
JP2007294817A (ja) | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Sokudo:Kk | 基板処理方法、基板処理システムおよび基板処理装置 |
US7628865B2 (en) | 2006-04-28 | 2009-12-08 | Asml Netherlands B.V. | Methods to clean a surface, a device manufacturing method, a cleaning assembly, cleaning apparatus, and lithographic apparatus |
WO2007135990A1 (ja) | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Nikon Corporation | 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
US7969548B2 (en) | 2006-05-22 | 2011-06-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and lithographic apparatus cleaning method |
EP2034515A4 (en) | 2006-05-23 | 2012-01-18 | Nikon Corp | MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD AND DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD |
JP2007317987A (ja) | 2006-05-29 | 2007-12-06 | Sokudo:Kk | 基板処理装置および基板処理方法 |
EP2043134A4 (en) | 2006-06-30 | 2012-01-25 | Nikon Corp | MAINTENANCE METHOD, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE AND DEVICE MANUFACTURING METHOD |
US9013672B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US8947629B2 (en) | 2007-05-04 | 2015-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method |
US7916269B2 (en) | 2007-07-24 | 2011-03-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and contamination removal or prevention method |
US20090025753A1 (en) | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic Apparatus And Contamination Removal Or Prevention Method |
-
2005
- 2005-12-02 US US11/292,311 patent/US8125610B2/en active Active
-
2006
- 2006-11-17 EP EP06077040A patent/EP1793276A3/en not_active Withdrawn
- 2006-11-20 TW TW100118723A patent/TWI447530B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-11-20 TW TW095142866A patent/TWI397777B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-11-24 JP JP2006316939A patent/JP4938424B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-29 SG SG200608341-4A patent/SG132660A1/en unknown
- 2006-12-01 CN CN2006100639504A patent/CN1983034B/zh active Active
- 2006-12-01 KR KR1020060120806A patent/KR100826992B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-02-26 KR KR1020080017291A patent/KR100876379B1/ko active IP Right Grant
- 2008-07-03 KR KR1020080064262A patent/KR101173967B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-01-15 JP JP2010006646A patent/JP5237309B2/ja active Active
-
2011
- 2011-07-21 US US13/188,148 patent/US20110281039A1/en not_active Abandoned
-
2015
- 2015-06-22 US US14/746,605 patent/US10061207B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-08-24 US US16/111,313 patent/US20180364585A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005277363A (ja) * | 2003-05-23 | 2005-10-06 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2005071717A1 (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2005236047A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-02 | Canon Inc | 露光装置及び方法 |
JP2006156974A (ja) * | 2004-10-26 | 2006-06-15 | Nikon Corp | 基板処理方法、露光装置及びデバイス製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007294817A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Sokudo:Kk | 基板処理方法、基板処理システムおよび基板処理装置 |
JP2008283156A (ja) * | 2006-05-18 | 2008-11-20 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、メンテナンス方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2009033042A (ja) * | 2007-07-30 | 2009-02-12 | Toshiba Corp | パターン形成方法及び洗浄装置 |
JP2010118558A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10061207B2 (en) | 2018-08-28 |
US20150286152A1 (en) | 2015-10-08 |
KR100876379B1 (ko) | 2008-12-29 |
TWI397777B (zh) | 2013-06-01 |
JP5237309B2 (ja) | 2013-07-17 |
US20070127001A1 (en) | 2007-06-07 |
EP1793276A3 (en) | 2007-10-03 |
US8125610B2 (en) | 2012-02-28 |
US20110281039A1 (en) | 2011-11-17 |
US20180364585A1 (en) | 2018-12-20 |
JP2010087535A (ja) | 2010-04-15 |
KR20080033912A (ko) | 2008-04-17 |
KR101173967B1 (ko) | 2012-08-16 |
TWI447530B (zh) | 2014-08-01 |
TW201142544A (en) | 2011-12-01 |
KR20070058360A (ko) | 2007-06-08 |
CN1983034A (zh) | 2007-06-20 |
CN1983034B (zh) | 2012-09-05 |
EP1793276A2 (en) | 2007-06-06 |
TW200725193A (en) | 2007-07-01 |
KR100826992B1 (ko) | 2008-05-02 |
KR20080075815A (ko) | 2008-08-19 |
JP4938424B2 (ja) | 2012-05-23 |
SG132660A1 (en) | 2007-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4938424B2 (ja) | 液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法および液浸型リソグラフィ装置 | |
US10509326B2 (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
JP6469761B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP4431634B2 (ja) | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 | |
JP2009246375A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091015 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100115 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101029 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110602 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110830 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120127 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120223 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150302 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4938424 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |