KR20060047994A - 플라즈마 처리장치용의 샤워플레이트 및 플라즈마 처리장치 - Google Patents

플라즈마 처리장치용의 샤워플레이트 및 플라즈마 처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20060047994A
KR20060047994A KR1020050041519A KR20050041519A KR20060047994A KR 20060047994 A KR20060047994 A KR 20060047994A KR 1020050041519 A KR1020050041519 A KR 1020050041519A KR 20050041519 A KR20050041519 A KR 20050041519A KR 20060047994 A KR20060047994 A KR 20060047994A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
shower plate
hole
fastening member
head
support member
Prior art date
Application number
KR1020050041519A
Other languages
English (en)
Inventor
케이이치 고토
마코토 카와이
켄지 사토
Original Assignee
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Publication of KR20060047994A publication Critical patent/KR20060047994A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/14—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with multiple outlet openings; with strainers in or outside the outlet opening
    • B05B1/18—Roses; Shower heads
    • B05B1/185—Roses; Shower heads characterised by their outlet element; Mounting arrangements therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/36—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases using ionised gases, e.g. ionitriding

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

유효지름이 크고, 피처리 기판의 오염을 방지할 수 있는 것 외에, 제조가 용이하며, 또한 지지부재에 용이하게 부착할 수 있는 플라즈마 처리장치용의 샤워플레이트를 제공한다.
지지부재에 접하는 측에 있어서, 가스 공급구멍(2)보다 외측영역의 동심원상에, 체결부재의 머리부를 삽입하기 위한 복수의 구멍(3)과, 상기 삽입용의 각 구멍으로부터 상기 동심원상의 일방향으로 연장되는 끼워넣기용의 구멍(4)이 각각 일체적으로 형성되어 있고, 끼워넣기용의 구멍은, 체결부재의 축부가 통과하는 홈부(4b)와, 상기 홈부보다 폭이 넓고, 체결부재의 머리부가 끼워넣어지는 끼워넣기부(4a)를 갖는 것이며, 지지부재에 고정된 체결부재의 머리부를 샤워플레이트의 삽입용의 구멍에서 삽입함과 아울러 상기 샤워플레이트를 회전시킴으로써, 체결부재의 머리부가 상기 끼워넣기부에 끼워넣어짐으로써 체결부재를 노출시키지 않고, 지지부재에 지지되는 샤워플레이트(1).

Description

플라즈마 처리장치용의 샤워플레이트 및 플라즈마 처리장치{SHOWER PLATE AND PLASMA POLYMERIZATION EQUIPMENT FOR PLASMA POLYMERIZATION EQUIPMENT}
도 1은 본 발명에 관한 샤워플레이트의 일례를 나타낸 개략평면도이다.
도 2는 본 발명에 관한 샤워플레이트의 지지부재에서 지지된 상태를 나타내는 개략도이다.
도 3은 부착용의 구멍(삽입용의 구멍과 끼워넣기용의 구멍)을 확대한 개략도이다. (A) 평면도 (B) 단면도
도 4는 종래의 플라즈마 에칭 장치의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 5는 커버링을 구비한 플라즈마 에칭 장치의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 6은 커버링을 부착한 순서를 나타내는 개략도이다.
[부호의 설명]
1…샤워플레이트 2…가스공급 구멍
3…삽입용 구멍 4…끼워넣기용 구멍
4a…끼워넣기부 4b…홈부
5…부착용 구멍 6…단차
8…체결부재 8a…머리부
8b…축부 9…지지부재
10…지지부재에 접하는 측 20…플라즈마 처리용 장치
27…피처리 기판(실리콘 웨이퍼)
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판에 대하여 플라즈마 드라이 에칭을 행할시에 사용하는 플라즈마 처리장치용의 샤워플레이트 및 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.
종래, 반도체 디바이스를 제조할 시에 사용하는 장치로서는, 플라즈마 드라이 에칭장치로 대표되는 평행 평판형의 플라즈마 처리장치가 알려져 있다. 예를 들면, 도4에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 처리장치(20)의 챔버(26)내에 있어서, 하부 전극(23)과 대향하는 위치에 상부 전극 유닛(24)이 설치되어 있다.
상부 전극 유닛(24)은, 주로 알루미늄 등으로 이루어진 지지부재(21)와 샤워플레이트(22)로 구성되어 있다. 샤워플레이트(22)에는 처리가스를 공급하기 위한 관통구멍(가스 공급구멍)(25)이 다수개 형성되고, 그 외측의 영역에는 지지부재(21)에 고정하기 위한 구멍(도시 생략)이 관통가공되어 있다. 그리고, 상부 전극 유닛(24)을 구성할 시에는, 예를 들면, 알마이트 처리를 한 알루미늄제의 나사를 이용하고, 샤워플레이트(22)의 고정용의 구멍에 피처리 기판(실리콘 웨이퍼 등)(27)과 대향하는 면측으로부터 삽입하여 조임부착함으로써 샤워플레이트(22)를 지 지부재(21)에 고정한다.
웨이퍼(27)를 처리할 시에는, 상부 전극 유닛(24)을 고주파 전원(도시 생략)에 접속함과 아울러, 샤워 플레이트(22)의 가스 공급구멍(25)을 통하여 웨이퍼측에 처리용의 가스를 정류하여 공급함으로써 에이퍼(27) 사이에 플라즈마가 발생하고, 웨이퍼(27)에 대하여 소망의 에칭처리를 실시할 수 있다.
또한, 하부전극(23)의 외주부에는 웨이퍼(27)에 대하여 균일하게 처리를 행하기 위한 포커스링(28)이 설치되어 있다.
이러한 플라즈마 드라이 에칭 장치(20)에서는, 웨이퍼(27)와 샤워 플레이트(22)의 사이에 플라즈마를 발생시켜서 에칭처리를 행하기 때문에, 그 원리상, 웨이퍼(27) 뿐만 아니라, 샤워플레이트(22)도 에칭되어, 파티클이나 콘터미네이션(오염)을 일으킨다는 문제가 있다. 특히, 최근의 반도체 디바이스의 고집적화, 미세화에 따라, 샤워플레이트(22)에 요구되는 성능이나 품질도 한층더 엄격해지고 있다.
그래서, 콘터미네이션 등의 발생을 저감할 만한, 종래의 카본이나, 알루미늄제의 샤워플레이트 대신에, 처리하는 실리콘 웨이퍼와 동소재인 실리콘을 재료로한 샤워플레이트가 주목을 집중받고 있다. 실리콘을 재료로하여 샤워플레이트를 제작하면, 샤워플레이트가 에칭되어도 오염은 크게 저감되게 된다. 따라서, 샤워플레이트 자체에 의한 디바이스에의 악영향이 억제되고, 수율 및 생산성의 향상을 꾀할 수 있다.
그러나, 실리콘제의 샤워플레이트를 이용해도, 웨이퍼와 대향하는 면측에서는 전술한 고정용의 나사가 노출되어 있기 때문에, 이것이 콘터미네이션의 발생원 인이 되어 버린다.
이에 대하여, 콘터미네이션의 발생을 보다 효과적으로 방지하기 위해 도5에 나타낸 바와 같은 커버링(29)을 설치하는 것이 제안되고 있다. 즉, 도 6에 나타낸 바와 같이 샤워플레이트(22)의 부착용의 구멍(31)에 나사(30)를 끼워넣어서 지지부재(21)에 고정한 후, 나사(30)의 노출되어 있는 부분(머리부(30a))를 덮는 커버링(29)을 설치한다. 이것에 의해 나사(30)는 플라즈마에 노출되지 않고, 콘터미네이션을 보다 효과적으로 방지하는 것이다.
그런데 상기와 같은 커버링(29)을 설치하게 되면, 플라즈마 처리에는 종래 불필요한 부품이 증가하고, 그 부착 작업도 필요해 지기 때문에, 비용의 상승이나 작업성의 저하를 초래해 버린다. 또한, 커버링(29)에 의해 덮여지는 외측영역에서는 가스 공급구멍은 기능하지 않기 때문에, 실질적으로 샤워 플레이트(22)의 유효 지름이 작아지게 된다는 문제도 있다.
그래서, 샤워플레이트에 있어서, 지지부재에 접하는 측의 외측영역에, 관통하지 않는 구멍을 설치하고, 그 구멍에 나사 구멍을 설치한 합성수지 등으로 이루어진 소켓을 끼워넣고, 또한 소켓의 나사구멍에 대하여 지지부재측으로부터 나사를 조임부착함으로써 샤워플레이트를 부착하는 것이 제안되고 있다(특허문헌 1 참조). 이러한 샤워플레이트는 지지부재에 부착해도 나사가 노출되지 않고, 커버링도 불필요해 진다.
그러나, 소켓이나 소켓을 끼워넣는 구멍의 구조가 복잡하며, 제조비용이 높아지는 것 외에, 지지부재측의 부착용의 각 구멍과 소켓에 설치된 각 구멍을 모두 정확하게 일치시킬 필요가 있고, 그것을 확인하면서의 작업이 어렵다는 등의, 지지부재에 고정할 시의 작업이 번잡하다는 문제가 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허공개 2003-297806호 공보
상기 문제를 감안하여, 본 발명은 유효지름이 크고, 피처리 기판의 오염을 방지할 수 있는 것 외에, 제조가 용이하며, 또한 지지부재에 용이하게 부착할 수 있는 플라즈마 처리장치용의 샤워플레이트를 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 의하면, 플라즈마 처리장치에 있어서 피처리 기판에 대향하는 위치에 배치된 지지부재에 대하여, 머리부의 지름이 축부의 지름보다 큰 체결부재를 통하여 지지되는 샤워플레이트로서, 가스를 공급하기 위한 관통구멍을 갖고, 상기 지지부재에 접하는 측에 있어서, 상기 가스 공급구멍보다 외측영역의 동심원상에, 상기 체결부재의 머리부를 삽입하기 위한 복수의 구멍과, 상기 삽입용의 각 구멍으로부터 상기 동심원상의 일방향에 연장되는 끼워넣기용의 구멍과 각각 일체적으로 형성되어 있고, 상기 끼워넣기용의 구멍은, 상기 체결부재의 축부가 통과하는 홈부와, 상기 홈부보다 폭이 넓고, 상기 체결부재의 머리부가 끼워넣어지는 끼워넣기부를 갖는 것이며, 상기 지지부재에 고정된 체결부재의 머리부를 상기 샤워플레이트의 상기 삽입용의 구멍으로부터 삽입함과 아울러, 상기 샤워 플레이트를 회전시키는 것에 의해, 상기 체결부재의 머리부가 상기 끼워넣기부에 끼워넣어짐으로써 체결부재를 노출시키지 않고, 샤워플레이트가 상기 지지부재에 지지되는 것인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용의 샤워 플레이트 가 제공된다(청구항 1).
이러한 구조의 샤워플레이트라면, 제조가 용이한 것 외에, 소켓 등의 보조적인 부재를 이용하지 않고, 지지부재에 대하여 회전하는 것 만으로 용이하게 착탈할 수 있고, 작업성이 극히 우수한 것이 된다. 또한, 커버링이 불필요하며 유효지름이 크고, 나사 등의 체결부재가 노출되지 않기 때문에, 웨이퍼 등의 피처리 기판에 대한 오염을 효과적으로 방지할 수 있다.
이 경우, 상기 끼워넣기부의 폭이, 상기 홈부의 폭보다 1~20㎜의 범위내에서 크게 형성되어 있는 것이 바람직하다(청구항 2).
이러한 끼워넣기부의 폭이 홈부의 폭보다 1~20㎜의 범위내에서 크게 형성되어 있는 것이라면, 제조가 극히 용이하며, 또한, 샤워플레이트를 고정하는 유지력이 충분이 얻어지기 때문에, 샤워플레이트를 확실하게 고정할 수 있다.
또한, 상기 샤워플레이트가 직경이 300~500㎜의 범위내에 있고, 두께가 5~30㎜의 범위내에 있는 것이 바람직하다(청구항 3).
상기와 같은 크기의 샤워플레이트라면 소재를 입수하기 쉽고, 구멍의 가공도 용이하다. 또한, 전형적인 피처리기판인 실리콘 웨이퍼의 직경은 주로 200~300㎜의 범위내이기 때문에, 상기와 같은 크기의 샤워플레이트라면, 웨이퍼 전체를 균일하게 처리할 수 있는 것이 된다.
또한, 본 발명에서는, 상기의 샤워플레이트를 구비한 것인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치가 제공된다(청구항 4).
본 발명에 관한 샤워플레이트를 구비한 플라즈마 처리장치라면, 나사 등의 체결부재가 노출되어 있지 않기 때문에, 실리콘 웨이퍼 등의 피처리 기판을 오염하지 않고 처리할 수 있다. 또한, 커버링 등의 보조적인 부재도 불필요하기 때문에 염가의 것이 된다.
이하, 본 발명에 관한 샤워플레이트에 관하여, 첨부 도면에 기초하여 보다 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명에 관한 샤워플레이트의 일례의 개략을 나타내고, 도 2는 샤워플레이트(1)가 체결부재(8)를 통하여 지지부재(9)에 지지되어 있는 상태를 나타내고 있다.
이 샤워플레이트(1)는 도1에 나타낸 바와 같이 가스를 정류하여 공급하기 때문에 미소한 관통구멍(가스 공급구멍)(2)이 외측영역(바깥 둘레영역)을 제외하고 전체적으로 다수개 형성되고, 가스 공급구멍(2)의 외측영역의 동심원상에는, 체결부재(8)를 통하여 지지부재(9)에 부착되기 위한 구멍(5)이 8개소에 등간격으로 형성되어 있다.
도 3(A)(B)는 부착용의 구멍(5)을 확대하여 나타낸 것이다. 부착용의 구멍(5)은 피처리 기판에 접하는 측에는 관통하지 않고 지지부재(9)에 접하는 측(10)에만 형성되어 있고, 체결부재(나사 등)(8)의 머리부(8a)를 삽입하기 위한 구멍(3)과, 삽입용의 구멍(3)으로부터 상기 동심원상의 일방향으로 연장하는 끼워넣기용의 구멍(4)이 일체적으로 형성되어 있다.
삽입용의 구멍(3)은, 사용하는 체결부재(8)의 머리부(8a)를 삽입할 수 있는 크기로 원형상으로 형성되어 있다.
한편, 끼워넣기용의 구멍(4)은 도3(B)에서 보여지듯이, 깊이방향으로 단차(6)가 형성되어 있고, 체결부재(8)의 축부(8b)가 통과하는 홈부(4b)와 홈부(4b)보다 폭이 넓고, 체결부재(8)의 머리부(8a)가 끼워넣어지는 끼워넣기부(4a)를 갖고 있다. 또한, 끼워넣기용의 구멍(4)은 반드시 도3(B)에 나타낸 바와 같이 단차(6)가 형성되어 있을 필요는 없고, 예를 들면, 홈부(개구부)(4b)로부터 끼워넣기부(4a)에 걸쳐서 폭이 넓어지도록 경사되어 있는 것으로 하는 것도 가능하다.
이러한 샤워플레이트(1)의 제조방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면, 이하와 같은 순서에 의해 용이하게 제조할 수 있다.
우선, 실리콘 단결정 잉곳을 소정의 두께로 잘라내어 원판형으로 한다. 샤워플레이트(원판)의 크기는 피처리기판(웨이퍼)의 크기 등에 따라서 적절하게 정하면 좋지만, 가공성이나 제조비용의 면에서, 직경이 300~500㎜의 범위내로 하는 것이 바람직하다. 이 범위내의 크기의 플레이트라면 입수하기 쉽고, 가공도 용이하기 때문에, 제조비용을 낮출 수 있다. 예를 들면, 직경이 300㎜의 실리콘 단결정 잉곳은 실리콘 웨이퍼용으로서 초크라스키법에 의해 최근 양산되도록 되어 있고, 비교적 용이하게 입수할 수 있다.
또한, 플레이트(1)의 두께에 대해서는, 본 발명에 관한 샤워플레이트(1)는 지지부재(9)에 부착하기 위한 관통하지 않는 구멍(3,4)을 형성하기 때문에, 플레이트의 두께가 5㎜미만이면 이들 구멍(3,4)의 형성이 어려워질 우려가 있다. 한편 30㎜를 넘으면, 가스 공급구멍으로서의 관통구멍의 형성이 어려워질 우려가 있다. 따라서, 플레이트의 두께는 5~30㎜의 범위내로 하는 것이 바람직하다.
상기와 같이 잉곳에서 잘라낸 플레이트에 대하여, 가스 공급구(2)로서 예를 들면, 직경 0.5~5㎜의 범위내의 관통구멍(2)을 다수개 형성한다.
한편, 가스 공급구멍(2)보다 외측의 영역에는 소정의 지름의 드릴 등을 이용하여 체결부재(8)의 머리부(8a)를 삽입하기 위한 구멍(3)을 형성한다. 이 때 삽입용의 구멍(3)은 지지부재와 접하는 측(10)에서 형성하고, 관통하지 않는 것으로 한다. 삽입용의 구멍(3)의 크기는, 샤워플레이트의 크기, 체결부재의 머리부의 크기 등에도 의하지만, 플레이트의 강도나 가공성에서 예를 들면, 직경 3~30㎜, 깊이 5~20㎜의 범위내로 하는 것이 바람직하다.
또한, 부착용의 구멍(5)(삽입용의 구멍(3), 끼워넣기용의 구멍(4))의 수는 플레이트의 크기에 따라서 적절하면 결정하면 좋고, 도 1과 같이 8개로 한정되는 것이 아니다. 단, 구멍의 수가 적으면 각 구멍에 있어서의 부하가 크게되어 파손할 우려가 있기 때문에, 샤워플레이트(1)가 안정되게 지지되도록, 부착용의 구멍(5)은 3개소 이상으로 하고, 또한 등간격으로 형성하는 것이 바람직하다.
삽입용의 구멍(3)을 플레이트의 동심원상에 복수 형성한 후, 각 삽입용의 구멍(3)으로부터 동심원상의 일방향, 예를 들면 도1에 나타낸 바와 같이 반시계 방향으로 연장되도록 끼워넣기용의 구멍(4)을 일체적으로 형성한다. 이 끼워넣기용의 구멍(4)은 예를 들면, 이하와 같이 형성할 수 있다.
우선, 소정의 지름의 드릴을 이용하여 홈부(4b)를 형성한 후, 끝단에 삽입용의 구멍(3)과 같은 지름이며, 형성할만한 끼워넣기부(4a)를 따른 두께의 절삭 치구를 구비한 툴을 이용하고, 끝단의 절삭 치구를 삽입용의 구멍(3)으로부터 삽입한 후, 회전시키면서 홈부(4b)를 따라서 이동시킨다. 이것에 의해 소정의 깊이에 끼워넣기부(4a)가 형성되어, 도 3(B)에 나타낸 바와 같이 단면을 갖는 끼워넣기용의 구멍(4)을 삽입용의 구멍(3)과 일체적으로 형성할 수 있다.
또한, 끼워넣기용의 구멍(4)을 형성할 경우, 끼워넣기부(4a)의 폭은, 홈부(4b)의 폭보다 1~20㎜의 범위내에서 크게 형성되어 있는 것이 바람직하다. 끼워넣기부(4a)의 폭과 홈부(4b)의 폭의 차가 1㎜미만이면, 체결부재(8)의 머리부(8a)가 끼워넣기부(4a)로부터 빠져버릴 우려가 있고, 20㎜를 넘게 되면, 가공이 어려워질 우려가 있다. 따라서, 상기 범위내라면, 가공이 용이하며, 또한, 체결부재(8)의 머리부(8a)가 빠지기 어려워 샤워플레이트(1)를 확실하게 지지할 수 있다.
상기와 같이 외측영역에 나사 등의 체결부재의 머리부를 삽입하기 위한 구멍(3)과 끼워넣기 위한 구멍(4)이 일체적으로 형성된 샤워플레이트(1)는, 소켓과 같은 보조적인 부재를 이용하지 않고, 체결부재를 통하여 지지부재에 용이하게, 또한 확실하게 부착할 수 있다. 이하, 샤워플레이트(1)를 플라즈마 처리장치의 지지부재(9)에 부착하는 순서를 설명한다.
우선, 머리부(8a)의 지름이 축부(8b)의 지름보다 큰 나사 등의 체결부재(8)를 준비한다. 또한, 본 발명에 관한 샤워플레이트(1)는 체결부재(8)가 노출되지 않고 지지부재(9)에 부착할 수 있기 때문에, 체결부재(8)의 재질은 특별히 한정되지 않는다. 일반적으로는, 알루미늄이나 다른 금속제의 것을 적절하게 사용할 수 있지만, 높은 강도를 갖는 수지 등으로 제작한 것이라도 좋다. 또한, 본 발명의 체결부재(8)란, 머리부의 지름이 축부의 지름보다 큰 것이면 나사에 한정되지 않고, 핀이 나 볼트 등도 적절하게 이용할 수 있다.
다음으로, 지지부재(9)에 대하여, 체결부재(8)의 축부(8b)를 고정한다. 이 때 체결부재(8)의 축부 전체를 지지부재 중에 메워 넣는 것이 아닌, 샤워플레이트(1)의 홈부(4b)의 깊이와 대략 같은 길이분 이상이 돌출되도록 고정한다.
지지부재(9)에 대하여 샤워 플레이트(1)의 각 삽입용의 구멍(3)에 대응하는 위치에 체결부재(8)를 각각 고정한 후, 각 체결부재(8)의 머리부(8a)를, 샤워플레이트(1)의 삽입용의 각 구멍(3)에 삽입한다. 그리고, 모든 체결부재(8)의 머리부(8a)를 삽입용의 구멍(3)에 삽입한 상태에서, 샤워플레이트(1)를 끼워넣기용의 구멍(4)이 연장되어 있는 방향과는 역방향으로 회전시킨다. 이 때, 지지부재(9)로부터 돌출된 각 체결부재(8)의 축부(8b)는 끼워넣기용의 구멍(4)의 홈부(4b)를 통과함과 아울러, 체결부재(8)의 머리부(8a)는 끼워넣기부(4a)에 끼워넣게 된다. 이것에 의해, 도 2에 나타낸 바와 같이, 체결부재(8)가 노출되지 않고, 샤워플레이트(1)를 지지부재(9)에 용이하게 또한, 확실하게 지지할 수 있다.
또한, 이러한 샤워플레이트(1)는 커버링이 불필요하기 때문에, 유효지름이 큰 것이 되고, 또한, 소켓과 같이 복잡한 구조의 보조부재도 불필요해지기 때문에, 매우 염가의 것이된다.
그리고, 이러한 샤워플레이트(1)를 구비한 플라즈마 처리용 장치를 이용하여 실리콘 웨이퍼의 플라즈마 에칭을 행하면, 플레이트 자체가 에칭되어도 웨이퍼에 대한 오염은 극히 낮게 억제되고, 반도체 디바이스 등의 수율 및 생산성을 향상시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명한다.
(실시예)
단결정 실리콘을 모재로서, 직경 350㎜, 두께 10㎜의 플레이트를 준비했다.
플레이트의 두께 방향에 가스 공급구멍이 되는 관통구멍을 형성한 후, 그 외측의 영역에 있어서의 동심원상의 8개소에, 지지부재에 접하는 측으로부터, 체결부재의 삽입용의 구멍과 끼워넣기용의 구멍이 일체가 되도록 형성했다. 여기서 삽입용의 구멍은 직경 10㎜, 두께 8㎜의 부착구멍으로 했다. 한편, 끼워넣기용의 구멍은, 삽입용의 각 구멍이 형성된 동심원상에서 반시계 회전방향으로 5°기울어서 연장되어 나옴과 아울러, 깊이방향으로 단차를 설치함으로써, 직경 10㎜, 최대 깊이 8㎜의 끼워넣기부와, 폭 5㎜, 최대 깊이 4㎜의 홈부(개구부)를 형성했다.
체결부재로서, 머리부가 직경 약 10㎜, 높이 4㎜이며, 축부가 직경 약 5㎜, 길이가 20㎜의 알루미늄제의 나사를 8개 준비했다.
이들의 나사의 축부를 알루미늄제의 지지부재에 있어서, 샤워플레이트의 각 삽입용의 구멍에 대응하는 위치에 고정하고, 축부가 약 4㎜ 노출하도록 고정했다. 또한, 지지부재에 고정한 체결부재에 대하여, 상기 샤워플레이트의 각 구멍에는 여유가 있도록 형성되어 있다.
그리고 지지부재에 고정된 각 나사의 머리부를 삽입용이 구멍에 삽입하고, 피처리 기판에 접하는 측에서 봐서 반시계 회전으로 샤워플레이트를 회전시켰다. 이것에 의해 각 나사의 머리부가 끼워넣기용의 구멍에 끼워맞춰지고, 샤워플레이트를 지지부재에 용이하게 지지할 수 있었다.
이 플라즈마 처리장치를 이용하여, CF4를 함유하는 가스를 공급하면서, 직경 300㎜의 실리콘 웨이퍼에 대하여 플라즈마 처리를 행한 바, 콘터미네이션은 발생되지 않고, 문제 없이 처리할 수 있었다.
본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 단순한 예시이며, 본 발명의 특허청구의 범위에 기재된 기술적 사상과 실질적으로 동일한 구성을 갖고, 같은 작용효과를 나타내는 것은, 어떠한 것이라도 본 발명의 기술적 범위에 포함된다.
본 발명에 관한 샤워플레이트는 실리콘 웨이퍼의 플라즈마 에칭용에 한정되지 않고, 예를 들면 샤워플레이트의 재질에 대해서는, 피처리 기판의 재질에 따라서 같은 것, 혹은 피처리 기판에 대하여 오염을 일으키지 않는 것을 적절하게 선택하면 좋다.
본 발명에 관한 샤워플레이트는, 지지부재에 대하여 회전에 의해 용이하게 착탈할 수 있고, 작업성이 극히 우수한 것이 된다. 또한, 커버링이나 소켓 등의 보조부재가 불필요하기 때문에 염가의 것이 되고, 체결부재를 노출시키지 않고 샤워플레이트를 지지부재에 부착시킬 수 있기 때문에, 피처리 기판의 오염을 효과적으로 방지할 수 있다.

Claims (4)

  1. 플라즈마 처리장치에 있어서 피처리 기판에 대향하는 위치에 배치된 지지부재에 대하여, 머리부의 지름이 축부의 지름보다 큰 체결부재를 통하여 지지되는 샤워플레이트로서, 가스를 공급하기 위한 관통구멍을 갖고, 상기 지지부재에 접하는 측에 있어서, 상기 가스 공급구멍보다 외측영역의 동심원상에, 상기 체결부재의 머리부를 삽입하기 위한 복수의 구멍과, 상기 삽입용의 각 구멍으로부터 상기 동심원상의 일방향으로 연장되는 끼워넣기용 구멍이 각각 일체적으로 형성되어 있고, 상기 끼워넣기용 구멍은 상기 체결부재의 축부가 통과하는 홈부와, 상기 홈부보다 폭이 넓고 상기 체결부재의 머리부가 끼워넣어지는 끼워넣기부를 갖는 것이며, 상기 지지부재에 고정된 체결부재의 머리부를 상기 샤워플레이트의 상기 삽입용 구멍으로부터 삽입함과 아울러, 상기 샤워플레이트를 회전시킴으로써, 상기 체결부재의 머리부가 상기 끼워넣기부에 끼워넣어짐으로써, 체결부재를 노출시키지 않고 샤워플레이트가 상기 지지부재에 지지되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치용의 샤워플레이트.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 끼워넣기부의 폭이, 상기 홈부의 폭보다 1~20㎜의 범위내에서 크게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 샤워플레이트.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 샤워플레이트가, 직경이 300~500㎜의 범 위내에 있고, 두께가 5~30㎜의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 샤워플레이트.
  4. 상기 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 기재된 샤워플레이트를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
KR1020050041519A 2004-05-24 2005-05-18 플라즈마 처리장치용의 샤워플레이트 및 플라즈마 처리장치 KR20060047994A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004153141A JP2005340251A (ja) 2004-05-24 2004-05-24 プラズマ処理装置用のシャワープレート及びプラズマ処理装置
JPJP-P-2004-00153141 2004-05-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060047994A true KR20060047994A (ko) 2006-05-18

Family

ID=35374271

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050041519A KR20060047994A (ko) 2004-05-24 2005-05-18 플라즈마 처리장치용의 샤워플레이트 및 플라즈마 처리장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20050258280A1 (ko)
JP (1) JP2005340251A (ko)
KR (1) KR20060047994A (ko)
TW (1) TWI249203B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101686564B1 (ko) * 2015-06-17 2016-12-15 세메스 주식회사 체결 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Families Citing this family (350)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4904202B2 (ja) * 2006-05-22 2012-03-28 ジーイーエヌ カンパニー リミッテッド プラズマ反応器
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
TWI372081B (en) * 2010-02-02 2012-09-11 Hermes Epitek Corp Showerhead
US9129778B2 (en) 2011-03-18 2015-09-08 Lam Research Corporation Fluid distribution members and/or assemblies
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
USD725168S1 (en) * 2014-02-04 2015-03-24 Asm Ip Holding B.V. Heater block
USD732145S1 (en) * 2014-02-04 2015-06-16 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD724701S1 (en) * 2014-02-04 2015-03-17 ASM IP Holding, B.V. Shower plate
USD732644S1 (en) * 2014-02-04 2015-06-23 Asm Ip Holding B.V. Top plate
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
JP1551512S (ko) * 2015-06-12 2016-06-13
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
USD785766S1 (en) 2016-06-15 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
USD829306S1 (en) 2016-07-06 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
USD799646S1 (en) 2016-08-30 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Heater block
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
JP1584146S (ko) * 2017-01-31 2017-08-21
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10529543B2 (en) * 2017-11-15 2020-01-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Etch process with rotatable shower head
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
JP7224175B2 (ja) * 2018-12-26 2023-02-17 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び方法
CN111383880B (zh) * 2018-12-27 2023-03-31 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子体处理器的安装结构及相应的等离子体处理器
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
USD948658S1 (en) * 2020-08-03 2022-04-12 Lam Research Corporation High density hole pattern dual plenum hole showerhead assembly
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1005445S1 (en) * 2021-06-03 2023-11-21 PTP Turbo Solutions, LLC Inlet shield
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
CN115488798A (zh) * 2022-09-29 2022-12-20 拓荆科技股份有限公司 一种喷淋板的辅助拆装装置及喷淋板安装方法
CN115799061B (zh) * 2023-01-09 2023-09-05 浙江大学杭州国际科创中心 SiC晶圆切割片加工方法及SiC晶圆切割片加工装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2986340A (en) * 1959-05-04 1961-05-30 Ernest C Webb Device for supporting and positioning a water conditioning pellet
US5676539A (en) * 1996-04-22 1997-10-14 Harper-Wyman Company Gas burner mounting
FR2796996B1 (fr) * 1999-07-27 2001-10-12 Plastic Omnium Cie Fixation glissante fusible d'une piece en matiere plastique sur un support

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101686564B1 (ko) * 2015-06-17 2016-12-15 세메스 주식회사 체결 어셈블리 및 이를 가지는 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20050258280A1 (en) 2005-11-24
JP2005340251A (ja) 2005-12-08
TW200539348A (en) 2005-12-01
TWI249203B (en) 2006-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20060047994A (ko) 플라즈마 처리장치용의 샤워플레이트 및 플라즈마 처리장치
JP3189241U (ja) シャワーヘッド電極およびガスケット
KR200476554Y1 (ko) 경사진 상부면을 가진 고온 에지 링
KR100625928B1 (ko) 반도체기판의 처리장치 및 처리방법
US20230032767A1 (en) Interlocking fastening upper electrode assembly having improved fastening force, and plasma device including same
JP2007067150A (ja) プラズマ処理装置用のシャワープレート及びプラズマ処理装置
JP2011185344A (ja) 金属部品の締結構造
JP2007067208A (ja) プラズマ処理装置用のシャワープレート及びプラズマ処理装置
JP4540250B2 (ja) プラズマ装置用電極板
CN101669198A (zh) 在工艺室中对准电极以保护晶片的边缘附近区域内的禁止区的方法和装置
KR20050062739A (ko) 웨이퍼를 냉각하기 위한 냉각 유로를 가지는 척 베이스
US20110120651A1 (en) Showerhead assembly with improved impact protection
KR102464460B1 (ko) 반도체 식각장치의 플라즈마 쉬라우드 링 및 그 체결방법
JPH09283493A (ja) プラズマエッチング用電極及びプラズマエッチング装置
JP3479201B2 (ja) 組立式ウエハ用ボート及びその取付治具
KR20050038898A (ko) 반도체 기판의 건식 식각 장치
KR102420516B1 (ko) 캐소드 전극판용 일체형 조립체
KR102464459B1 (ko) 캐소드 전극판용 조립체 및 그 체결방법
KR102363315B1 (ko) 캐소드 전극판용 부시 조립체
KR100787384B1 (ko) 정전척
KR200171679Y1 (ko) 반도체웨이퍼척
KR20230166499A (ko) 반도체 웨이퍼 고정 장치
JP3295398B2 (ja) 半導体工程においてプラズマのウエハークランプに対するエッチングを予防する装置
KR20000019291A (ko) 반도체소자의 제조장치
KR20130114145A (ko) 실리콘 전극용 어댑터 링

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid