KR20130114145A - 실리콘 전극용 어댑터 링 - Google Patents

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KR20130114145A
KR20130114145A KR1020137010383A KR20137010383A KR20130114145A KR 20130114145 A KR20130114145 A KR 20130114145A KR 1020137010383 A KR1020137010383 A KR 1020137010383A KR 20137010383 A KR20137010383 A KR 20137010383A KR 20130114145 A KR20130114145 A KR 20130114145A
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테리 파드
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엠이엠씨 일렉트로닉 머티리얼즈, 인크.
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Abstract

웨이퍼 에칭 시스템을 재조절하는 방법과 시스템이 제공된다. 본 방법과 시스템은 단일피스 전극이 에칭 시스템에 사용될 수 있도록 다중피스 전극들에 사용되도록 구성된 웨이퍼 에칭 시스템을 재조절하기 위해 어댑터 링(120)을 사용한다. 어댑터 링(120)의 일부는 웨이퍼 에칭 시스템의 열 결합판(110)에 형성되는 리셉터클에 배치된다. 어댑터 링의 또 다른 부분은 상부 전극(130)에 형성되는 채널에 배치된다.

Description

실리콘 전극용 어댑터 링{ADAPTER RING FOR SILICON ELECTRODE}
본 개시의 분야는 일반적으로 웨이퍼 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 웨이퍼 에칭 장치의 실리콘 전극에 사용되는 어댑터 링에 관한 것이다.
반도체와 태양 전지에 사용되는 웨이퍼는 칩 또는 여타의 구조로 최종 제작되기 앞서 다수의 처리 단계를 거친다. 이들 단계 중 하나는 에칭으로 지칭되며 웨이퍼 표면에 패턴을 에칭하기 위해 웨이퍼 에칭 장치의 사용을 수반한다. 에칭기는 웨이퍼를 에칭하는 플라즈마를 형성하기 위해 전극과 공정 가스의 흐름을 사용한다.
구형 에칭 시스템은 다중피스(multi-piece) 상부 전극(예컨대 링 전극에 의해 둘러싸이는 단결정 실리콘으로 제조되는 주 전극)을 사용했지만, 신형 시스템은 단일피스 상부 전극을 사용할 수 있다. 단일피스 전극을 시스템에 사용할 수 있도록 구형 에칭 시스템을 전환하기 위해서는 시스템 내부의 여러 구성요소(예컨대 열 결합판 또는 여타의 지지 구조물)을 제거하고 교체할 필요가 있다. 따라서 단일피스 전극을 수용하기 위해 이전의 에칭 시스템을 수정하거나 전환하는 것은 시간과 비용이 많이 드는 공정이다.
본 절은 독자에게 후술되고/되거나 청구되는 본 개시의 다양한 양태와 관련될 수 있는 다양한 기술 양태를 소개하는 것이 목적이다. 이런 논의는 본 발명의 다양한 양태를 수월하게 더 잘 이해하는 데 도움이 되는 배경 정보를 독자에게 제공하는 데 도움이 될 것이다. 따라서 당연히 본 서술 내용은 종래 기술의 승인으로서가 아니라 이런 시각에서 검토되어야 한다.
제1 양태는 웨이퍼 에칭 시스템을 재조절(retrofit)하는 방법이다. 본 방법은 웨이퍼 에칭 시스템의 구성요소에 형성되는 리셉터클에 어댑터 링을 배치하는 단계를 포함한다. 어댑터 링의 제1 섹션의 적어도 일부는 리셉터클에 배치되고 어댑터 링의 제2 섹션의 적어도 일부는 리셉터클로부터 돌출한다. 이어서 내부에 채널이 형성된 상부 전극이 시스템에 배치된다. 상부 전극은 어댑터 링의 제2 섹션의 적어도 일부가 채널 내부에 배치되도록 시스템에 배치된다.
다른 양태는 에칭 챔버와, 상부 전극과, 어댑터 링을 포함하는 웨이퍼 에칭 시스템이다. 에칭 챔버의 내부에는 적어도 하나의 리셉터클이 형성된다. 상부 전극은 에칭 챔버 내부에 배치되며 전면과, 후면과, 해당 후면에 형성되는 채널을 가진다. 어댑터 링은 적어도 제1 섹션과 제2 섹션을 가진다. 제1 섹션의 적어도 일부는 웨이퍼 에칭 장치의 적어도 하나의 리셉터클 내부에 배치되도록 구성된다. 제2 섹션의 적어도 일부는 상부 전극의 후면에 형성되는 채널 내부에 배치되도록 구성된다.
또 다른 양태는 웨이퍼 에칭 장치에 사용되는 구성요소의 시스템이다. 본 시스템은 어댑터 링과 전극을 포함한다. 어댑터 링의 적어도 일부는 웨이퍼 에칭 장치의 리셉터클 내부에 배치되도록 구성된다. 전극은 전면과, 후면과, 해당 후면에 형성되는 채널을 가진다. 채널은 어댑터 링의 제2 섹션의 적어도 일부를 수납하도록 구성된다.
상기 양태와 관련하여 언급된 특징의 다양한 개량이 존재한다. 추가적인 특징도 상기 양태에 통합될 수 있다. 이들 개량과 추가적인 특징은 독립적으로 또는 임의의 조합으로 존재할 수 있다. 예컨대 임의의 도시된 실시예에 관련하여 후술되는 다양한 특징은 단독으로 또는 임의의 조합으로 임의의 상기 양태에 통합될 수 있다.
도 1은 웨이퍼 에칭 시스템의 개략 단면도이다.
도 2는 도 1의 에칭 시스템에 사용되는 어댑터 링의 상부 평면도이다.
도 3은 선 3-3을 따라 절취한 도 2의 어댑터 링의 단면도이다.
도 4는 도 1의 에칭 시스템에 사용되는 상부 전극의 상부 평면도이다.
도 5는 선 5-5을 따라 절취한 도 4의 상부 전극의 단면도이다.
도 6은 도 1의 에칭 시스템에 사용되는 열 결합판의 저면도이다.
도 7은 선 7-7을 따라 절취한 도 6의 열 결합판의 단면도이다.
도 8은 웨이퍼 에칭 시스템을 재조절하는 방법을 도시하는 순서도이다.
도면 전체에 걸쳐 대응 참조 부호는 대응 부품을 가리킨다.
본 명세서에 설명된 실시예는 웨이퍼 처리(예컨대 에칭) 시스템의 실리콘 전극에 사용되는 어댑터 링과, 웨이퍼 처리 시스템에 어댑터 링을 설치하는 방법을 지향한다. 예컨대 본 명세서에 설명된 어댑터 링의 실시예는 반도체 웨이퍼를 에칭하는 시스템에 사용될 수 있다. 본 명세서에 명시적으로 설명되진 않지만 어댑터 링의 다른 실시예는 다른 기판이나 재료를 처리하는 공정에서 전극을 사용하는 다른 시스템에 사용될 수 있다. 또한 몇몇 실시예는 재료에 대해 수행되는 다른 공정에서 전극을 사용하는 시스템에 사용될 수 있다.
도 1은 예시적인 웨이퍼 에칭 시스템(100)의 개략적인 부분 단면도이다. 본 시스템(100)은 도 1의 실시예의 반도체 웨이퍼를 에칭하기 위해 사용된다. 다른 실시예에서, 본 시스템(100)은 다른 기판이나 구조물을 에칭하기 위해 사용될 수 있다. 본 시스템(100)의 다양한 구성요소는 명료성을 위해 도 1에서 생략된다.
본 시스템(100)은 시스템의 다른 구성요소가 배치되는 하우징(102)을 포함한다. 저압(즉 500 millitorr보다 낮은) 분위기가 하우징(102) 내부에 유지될 수 있도록 하우징(102)은 주변 환경으로부터 충분히 밀폐된다.
열 결합판(110), 어댑터 링(120), 상부 전극(130) 및 하부 전극(140)이 시스템의 하우징(102) 내부에 배치된다. 웨이퍼(W)는 하부 전극(140) 위에 배치되며 정전 척(electrostatic chuck)(미도시)에 의해 적소에 유지될 수 있다. (하우징(102)을 제외한) 이들 시스템 구성요소(100)는 본 명세서에 설명된 실시예에서 전체 형상이 일반적으로 원형인데, 시스템에서 처리되는 웨이퍼가 유사하게 성형되기 때문이다. 다른 실시예에서, 시스템(100)의 구성요소는 상이하게 성형된 웨이퍼를 처리하기 위해 상이하게 성형될 수 있다. 작동시, 시스템(100)은 일반적으로 상부 전극(130)의 개구(150)(도 5와 도 6)를 통해 가스의 흐름을 도입하고 플라즈마를 점화하거나 개시함으로써 기능한다. 이어서 플라즈마는 웨이퍼(W)의 표면을 에칭한다.
도 2와 도 3의 어댑터 링(120)은 소정 깊이(Rd)와 폭(Rw)을 가진다. 어댑터 링(120)은 도 2에 도시된 바와 같이 전체 형상이 일반적으로 원형이고 충분한 강성과 기계적 강도를 갖는 임의의 적절한 금속 또는 재료로부터 형성된다. 예시적인 재료는 알루미늄, 강과 강 합금, 티타늄, 세라믹 또는 복합재를 포함한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 어댑터 링(120)은 단면 형상이 정사각형이지만 다른 실시예에서는 직사각형이거나 길쭉할 수 있다. 또한 도면에서는 어댑터 링(120)이 연속적인 것으로서 도시되어 있긴 하지만, 다른 실시예에서는 어댑터 링(120)이 시스템(100)에 사용될 때 단절부나 여타의 불연속부를 가지거나 가질 수 없도록 어댑터 링(120)은 다수의 개별 피스로부터 형성될 수 있다.
어댑터 링(120)은 또한 제1 섹션(122)과 제2 섹션(124)을 가진다. 제1 섹션(122)은 일반적으로 어댑터 링(120)의 상부 절반부인 반면 제2 섹션(124)은 일반적으로 어댑터 링의 하부 절반부이다. 어댑터 링(120)의 전면(126)은 일반적으로 제1 섹션(122)에 인접한다. 어댑터 링(120)의 후면(128)은 일반적으로 그의 제2 섹션(124)에 인접한다. 어댑터 링(120)은 도 3의 실시예에서는 균일한 단면 형상을 가지지만, 다른 실시예에서는 단면 형상이 균일하지 않을 수 있다. 따라서 어댑터 링(120)의 제1 섹션(122)의 폭 또는 형상은 제2 섹션(124)의 폭 또는 형상과 다를 수 있다. 예컨대 제1 섹션(122)의 단면 형상은 전면(126)에 가까운 폭이 제2 섹션(124)에 가장 가까운 섹션과 후면(128)의 폭보다 크도록 테이퍼질 수 있다. 이 예에서, 제2 섹션(124)은 정사각형 단면 형상을 가질 수 있거나 테이퍼질 수 있거나 임의의 다른 적절한 형상을 가질 수 있다.
어댑터 링(120)에는 전면(126) 및/또는 후면(128)에 일반적으로 수직인 다수의 보어 개구(134)가 형성된다. 몇몇 실시예에서, 보어 개구(134)는 전면(126)과 후면(128)에 대해 소정 각도(예컨대 수직면에서 약 10도 미만의 각도)로 어댑터 링(120)에 형성될 수 있다. 이런 실시예에서, (상세히 후술되는) 열 결합판(110)에 형성되는 개구(114)도 마찬가지로 각질 수 있다.
어댑터 링(120)에 형성되는 다수의 보어 개구(134)는 열 결합판(110)에 어댑터 링(120)을 체결하거나 고정하기 위해 체결 장치(미도시)가 삽입될 수 있는 크기로 설정된다. 다른 실시예에서, 어댑터 링(120)은 열 결합판(110)의 리셉터클(112)에 접착제에 의해 또는 화학적으로 접착될 수 있으며, 보어 개구(134), 개구(114) 및 관련 체결구는 사용되거나 사용되지 않을 수 있다.
도 4와 도 5에서 가장 잘 알 수 있는 바와 같이, 상부 전극(130)은 열 결합판(110) 아래에 배치되고 그 형상은 일반적으로 원형이다. 도 1 내지 도 7의 실시예에서, 상부 전극(130)은 실리콘으로부터 형성되지만 다른 실시예에서는 다른 재료로부터 형성될 수 있다. 상부 전극(130)은 임의의 적절한 체결 장치(미도시)를 사용하여 열 결합판(110) 및/또는 어댑터 링(120)에 체결되거나 고정된다. 상부 전극은 전면(136)과 후면(138)을 가진다. 상부 전극(130)의 후면(138)에는 상부 전극의 전체 원주 둘레에 채널(132)이 형성된다. 채널(132)은 소정 깊이(Cd)와 폭(Cw)을 가진다. 도 4와 도 5에서는 상부 전극(130)이 (채널(132)을 제외하고) 실질적으로 평편한 후면(138)을 갖는 것으로 도시되어 있지만, 후면(138)에 인접한 상부 전극(130)의 상당 부분은 전극(130)이 얇아지도록 제거될 수 있다. 이 실시예에서, 상부 전극(130)은 중앙부보다 주연부를 따라 더 큰 두께를 가지도록 "접시형(dished)" 형상을 가진다.
상부 전극(130)에는 복수의 가스 분배 개구(150)도 형성된다. 가스 분배 개구(150)는 가스가 후면(138)에서 전면(136)으로 상부 전극(130)을 통해 흐를 수 있도록 한다. 도 4에 도시된 가스 분배 개구(150)의 배열은 사실상 예시적인 것이다. 다른 실시예는 본 개시의 범위를 벗어나지 않고서 상이한 개수 및/또는 배열의 가스 분배 개구(150)를 사용할 수 있다.
예시적인 가스 분배 개구(150가 도 5의 단면도에 도시되어 있는데, 그 크기는 명료성을 위해 크게 과장되어 있다. 각각의 가스 분배 개구(150)는 상부(152)와 하부(154)를 가진다. 예시적인 실시예에서, 상부 및 하부(152, 154)는 동축이다. 상부(152)는 상부 전극(130)의 후면(138)으로부터 연장되는 반면 하부(154)는 전면(136)으로부터 연장된다. 예시적인 실시예에서, 상부(152)는 테이퍼부(156)에서 하부(154)로 전이된다. 다른 실시예에서, 테이퍼부(156)는 생략될 수 있다. 예시적인 실시예에서는 부분(152, 154)의 깊이가 대략 동일하지만 다른 실시예에서는 깊이가 상이할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 상부(152)의 직경(즉, 제1 직경)은 대략(예컨대 ± 0.2 mm) 0.8 mm와 2.5 mm 사이이고 하부(154)의 직경(즉, 제2 직경)은 대략 0.5 mm이다.
예시적인 실시예에서, 가스 분배 개구(150)는 상부(152)를 형성하기 위해 상부 전극(130)의 후면(138)에 구멍을 드릴링 또는 보오링(boring)하고, 하부(154)를 형성하기 위해 전면(136)에 또 다른 구멍을 드릴링 또는 보오링함으로써 형성될 수 있다. 다른 실시예에서, 가스 분배 개구(150)는 임의의 적절한 제조 방법에 의해 형성될 수 있다.
가스 분배 개구(150)의 이원 직경 배열로 인해 개구(150)를 통한 가스 전도가 향상된다. 또한 이원 직경 배열로 인해 상부 전극(130)에 가스 분배 개구(150)를 형성하는(예컨대 드릴링 또는 보오링하는) 비용과 복잡도가 현저히 저감된다. 예시적인 실시예에서, 상부 전극(130)은 개구를 드릴링하거나 보오링하기가 어려운 두께를 가질 수 있다. 따라서 가스 분배 개구(150)의 배열로 인해 부분(152, 154)의 깊이는 상부 전극(130)의 두께의 대략 1/2이 된다. 따라서 부분(152, 154)의 배열을 사용함으로써 이런 비교적 작은 직경의 개구(예컨대 하부(154))를 형성하는 비용과 어려움이 현저히 저감된다.
다른 실시예에서, 가스 분배 개구는 테이퍼된 직경을 가질 수 있다. 이 개구는 후면(138)에서 최대인 직경을 가지며, 상부 전극(130)의 전면(136)의 소직경부까지 점차 가늘어진다.
도 6과 도 7의 열 결합판(110)은 일반적으로 원형 형상이며, 그 내부에는 역시 일반적으로 원형 형상이고 직사각형 또는 정사각형 단면 형상을 갖는 리셉터클(112)이 형성된다. 도 6과 도 7의 실시예에서, 리셉터클(112)은 소정 폭(Tw)과 깊이(Td)를 갖는 연속 환형 홈이다. 실시예의 범위를 벗어나지 않고서 열 결합판(110)의 내부에는 추가 리셉터클이 형성될 수도 있다.
리셉터클(112)에는 기계적 체결 장치를 수납하도록 크기가 설정되는 다수의 개구(114)가 형성된다. 개구(114)의 위치와 수는 어댑터 링(120)에 형성되는 보어 개구(134)의 위치와 수에 대응한다. 따라서 기계적 체결 장치는 보어 개구(134)를 통과하여 열 결합판(110)의 개구(114) 내로 이동할 수 있다. 몇몇 실시예에서는 나사식 체결구를 수납할 수 있도록 개구(114)에 나사산이 형성될 수 있다. 도 6과 도 7의 열 결합판(110)은 네 개의 이런 개구(114)를 가지지만, 다른 실시예는 임의의 개수의 개구를 사용할 수 있다.
도 7에 도시된 개구(114)는 열 결합판(110)을 완전히 관통하지 않는 반면, 다른 실시예에서는 개구가 열 결합판을 완전히 관통할 수 있다. 이들 실시예에서, 체결 장치는 개구(114)를 완전히 통과할 수 있고, 열 결합판(110)에 인접하게 배치되는 다른 구성요소(예컨대 너트)에 고정된다.
채널(132)의 폭(Cw)과 리셉터클(112)의 폭(Tw)은 어댑터 링(120)이 그 안에 배치될 수 있도록 적절히 크기가 설정된다. 도 1 내지 도 7의 실시예에서, 폭(Cw, Tw)은 어댑터 링(120)의 폭(Rw)보다 약 0.5 mm만큼 더 클 수 있다. 다른 실시예에서, 폭(Cw, Tw)은 어댑터 링(120)의 폭(Rw)보다 약 0.5 mm 내지 약 1.0 mm만큼 더 클 수 있다.
채널(132)의 깊이(Cd)와 리셉터클(112)의 깊이(Td) 또한 그 합이 어댑터 링(120)의 깊이(Rd)와 동일하거나 대략 동일하도록 적절히 크기가 설정된다. 다른 실시예에서, 깊이(Rd)는 깊이(Cd, Td)의 합보다 작거나 클 수 있다. 도 1 내지 도 7의 실시예에서, 리셉터클(112)의 깊이(Td)는 어댑터 링(120)의 제1 섹션(122)의 깊이와 동일하거나 대략 동일하다. 채널(132)의 깊이(Cd) 또한 제2 섹션(124)의 깊이와 동일하거나 대략 동일하다.
도 8은 웨이퍼 에칭 시스템을 재조절하는 방법(800)을 묘사하는 순서도이다. 시스템이 단일피스 전극을 사용할 수 있도록, 본 방법(800)은 다중피스(예컨대 2피스) 상부 전극과 함께 사용되도록 구성된 웨이퍼 에칭 시스템을 재조절하기 위해 사용될 수 있다. 상술한 어댑터 링(120)은 웨이퍼 에칭 시스템을 재조절하는 방법(800)에 사용될 수 있다.
본 방법(800)은 웨이퍼 에칭 시스템의 구성요소(예컨대 열 결합판)에 형성되는 리셉터클에 어댑터 링을 배치하는 단계인 블록 810에서 시작한다. 어댑터 링의 제1 섹션의 적어도 일부는 구성요소에 형성되는 리셉터클에 배치되고 어댑터 링의 제2 섹션의 적어도 일부는 리셉터클로부터 돌출한다. 이어서 어댑터 링은 임의의 적절한 체결 장치에 의해 웨이퍼 에칭 시스템의 구성요소에 고정될 수 있다.
블록 820에서, 상부 전극이 웨이퍼 에칭 시스템에 배치된다. 상부 전극의 내부에는 채널이 형성되며 상부 전극은 어댑터 링의 제2 섹션의 적어도 일부가 채널 내부에 배치되도록 시스템에 배치된다. 이어서 상부 전극은 임의의 적절한 체결 장치에 의해 시스템 및/또는 구성요소 내부에 고정될 수 있다. 이어서 시스템은 웨이퍼, 기판 또는 여타의 구조물을 에칭하기 위해 사용될 수 있다.
따라서 본 명세서에 설명된 시스템과 방법은 시스템이 단일피스 상부 전극을 사용할 수 있도록 다중피스 전극 웨이퍼 처리 시스템이 재조절될 수 있도록 한다. 종래에는 다중피스 전극 웨이퍼 처리 시스템을 재조절하려면 많은 고가의 시스템 구성요소를 해체하고 교체할 필요가 있었다. 그러나 본 명세서에 설명된 시스템에서는 웨이퍼 처리 시스템이 단일피스 전극과 다른 시스템 구성요소 사이에서 시스템 내부에 배치되는 어댑터 링을 사용하여 재조절될 수 있다. 따라서 본 명세서에 설명된 어댑터 링은 시스템의 많은 구성요소를 해체하고 교체할 필요 없이 단일피스 전극이 웨이퍼 처리 시스템에 사용될 수 있도록 한다.
본 발명 또는 그 실시예의 요소를 소개할 때, 하나의 요소("a", "an", "the" 및 "said")는 하나 이상의 요소가 존재한다는 것을 의미하도록 의도되어 있다. 용어 "포함", "내포" 및 "구비"는 포괄적인 용어로서 요소 이외의 추가 요소가 존재할 수 있다는 것을 의미하도록 의도되어 있다.
본 발명의 범위를 벗어나지 않고 상기 구성에 다양한 변경이 가해질 수 있기 때문에, 상기 설명에 포함되고 첨부 도면(들)에 도시된 모든 사항은 제한적인 의미가 아니라 예시적인 것으로 해석되도록 의도되어 있다.

Claims (22)

  1. 웨이퍼 에칭 시스템을 재조절(retrofit)하는 방법으로서,
    상기 웨이퍼 에칭 시스템의 구성요소에 형성되는 리셉터클에 어댑터 링을 배치하는 단계 - 상기 어댑터 링의 제1 섹션의 적어도 일부는 상기 리셉터클에 배치되고 상기 어댑터 링의 제2 섹션의 적어도 일부는 상기 리셉터클로부터 돌출됨 -; 및
    상기 시스템 내에 상부 전극을 배치하는 단계 - 상기 상부 전극은 내부에 채널이 형성되고, 상기 상부 전극은 상기 어댑터 링의 제2 섹션의 적어도 일부가 상기 채널 내부에 배치되도록 상기 시스템에 배치됨 -
    를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 하나 이상의 체결 장치(fastening device)를 사용하여 상기 리셉터클에 상기 어댑터 링을 고정하는 단계를 더 포함하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 하나 이상의 체결 장치를 사용하여 상기 시스템에 상기 상부 전극을 고정하는 단계를 더 포함하는 방법.
  4. 적어도 하나의 리셉터클이 내부에 배치되는 에칭 챔버;
    상기 에칭 챔버의 내부에 배치된 상부 전극 - 상기 상부 전극은 전면, 후면 및 상기 후면에 형성된 채널을 가짐 -;
    적어도 제1 섹션과 제2 섹션을 갖는 어댑터 링 - 상기 제1 섹션의 적어도 일부는 웨이퍼 에칭 장치의 상기 적어도 하나의 리셉터클의 내부에 배치되도록 구성되고, 상기 제2 섹션의 적어도 일부는 상기 상부 전극의 상기 후면에 형성되는 상기 채널의 내부에 배치되도록 구성됨 -
    을 포함하는 웨이퍼 에칭 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 에칭 챔버에 배치되는 열 결합판을 더 포함하고, 상기 적어도 하나의 리셉터클은 상기 열 결합판에 형성되는 웨이퍼 에칭 시스템.
  6. 제4항에 있어서, 상기 어댑터 링은 상기 제1 섹션의 적어도 일부에 인접한 전면과 상기 제2 섹션의 적어도 일부에 인접한 후면을 갖는 웨이퍼 에칭 시스템.
  7. 제6항에 있어서, 상기 어댑터 링에 형성된 하나 이상의 개구를 더 포함하고, 상기 하나 이상의 개구는 상기 어댑터 링의 상기 전면과 상기 후면 중 적어도 하나에 일반적으로 수직인 웨이퍼 에칭 시스템.
  8. 제4항에 있어서, 상기 어댑터 링은 직사각형 단면 형상을 갖는 웨이퍼 에칭 시스템.
  9. 웨이퍼 에칭 장치에 사용되는 구성요소들의 시스템으로서,
    어댑터 링 - 상기 어댑터 링의 적어도 일부는 상기 웨이퍼 에칭 장치의 리셉터클 내부에 배치되도록 구성됨 - ; 및
    전면, 후면, 및 상기 후면에 형성되는 채널을 갖는 전극 - 상기 채널은 그 내부에 상기 어댑터 링의 제2 섹션의 적어도 일부를 수납하도록 구성됨 -
    을 포함하는 시스템.
  10. 제9항에 있어서, 상기 어댑터 링과, 상기 전극의 상기 후면에 형성되는 채널은 전체 형상이 원형인 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 어댑터 링은 폭을 가지며, 상기 전극의 후면에 형성된 상기 채널은 상기 어댑터 링의 상기 폭보다 적어도 0.5 mm 큰 폭을 갖는 시스템.
  12. 제9항에 있어서, 상기 어댑터 링은 제1 섹션과 제2 섹션을 가지며, 상기 제1 섹션의 적어도 일부는 상기 웨이퍼 에칭 장치의 리셉터클에 배치되도록 구성되는 시스템.
  13. 제12항에 있어서, 상기 어댑터 링은 제1 섹션의 적어도 일부에 인접한 전면과 제2 섹션의 적어도 일부에 인접한 후면을 갖는 시스템.
  14. 제13항에 있어서, 상기 어댑터 링에 형성된 하나 이상의 개구를 더 포함하고, 상기 하나 이상의 개구는 상기 어댑터 링의 전면과 후면에 일반적으로 수직인 시스템.
  15. 제9항에 있어서, 상기 어댑터 링은 직사각형 단면 형상을 갖는 시스템.
  16. 제15항에 있어서, 상기 어댑터 링은 정사각형 단면 형상을 갖는 시스템.
  17. 제9항에 있어서, 상기 웨이퍼 에칭 장치의 리셉터클은 환형 홈(annular groove)인 시스템.
  18. 제9항에 있어서, 상기 웨이퍼 에칭 장치의 리셉터클은 직사각형 단면 형상을 갖는 시스템.
  19. 제18항에 있어서, 상기 웨이퍼 에칭 장치의 리셉터클은 정사각형 단면 형상을 갖는 시스템.
  20. 제9항에 있어서, 상기 전극에 형성된 복수의 가스 분배 개구들을 더 포함하고, 상기 개구들의 각각은 상기 전극의 후면에 인접한 큰 직경을 갖고, 상기 전극의 전면에 인접한 작은 직경을 갖는 시스템.
  21. 제20항에 있어서, 상기 개구들의 각각은 상기 전극의 후면에 일반적으로 인접한 제1 직경을 갖는 상부와, 상기 전극의 전면에 일반적으로 인접한 제2 직경을 갖는 하부를 구비하는 시스템.
  22. 제20항에 있어서, 상기 가스 분배 개구들의 상부의 제1 직경은 상기 가스 분배 개구들의 하부의 제2 직경보다 큰 시스템.
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