KR20050074491A - 에이씨 동작용 발광 다이오드 어셈블리 및 그 제조 방법 - Google Patents

에이씨 동작용 발광 다이오드 어셈블리 및 그 제조 방법 Download PDF

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KR20050074491A
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Abstract

광엔진은 제 1 및 제 2 터미널들을 갖는 공통 헤더(header) 상에 탑재된 한 쌍의 LED 활성소자들을 포함한다. 제 1 터미널은 제 1 LED 활성소자의 음극 및 제 2 LED 활성소자의 양극에 연결되고, 반면 제 2 터미널은 제 1 LED 활성소자의 양극 및 제 2 LED 활성소자의 음극에 연결되어, LED들을 반대-병렬(anti-parallel) 배열로 연결한다. 각각의 음극 및 양극 형성을 위한 p형 및 n형 콘택들을 갖는 복수의 LED 활성소자들이 그 위에 형성된, 단일 절연 또는 반-절연 기판을 포함하는 광엔진이 또한 제공된다. LED 활성소자들은 복수의 리드들을 갖는 헤더 상에 플립-칩 배치로 탑재될 수 있다. 헤더는, 한 쌍의 리드들을 포함하고, 두 LED들이 그 위에 플립-탑재될 수 있도록 적응되고, 제 1 LED의 양극과 제 2 LED의 음극이 하나의 리드에 접촉하고, 제 1 LED의 음극과 제 2 LED의 양극이 다른 리드에 접촉되도록 적응된다. 게다가, 헤더는 그 위에 복수의 활성소자들이 탑재될 수 있는 기판을 허용하도록 적응된다.

Description

에이씨 동작용 발광 다이오드 어셈블리 및 그 제조 방법{Light emitting diode assembly for AC operation and methods of fabricating same}
본 발명은 마이크로전자 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 특히 발광 다이오드(light emitting diodes; LED)들 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 소비자와 상업적인 장치들에 널리 사용되고 있다. 해당 기술분야에 통상의 지식을 가진 자에게 알려진 바와 같이, LED는 일반적으로 마이크로전자 기판 상의 다이오드 영역을 포함한다. 마이크로전자 기판은 예컨대, 실리콘, 갈륨 아세나이드(gallium arsenide), 갈륨 포스파이드(gallium phosphide), 그것들의 합금들, 실리콘 카바이드(silicon carbide) 및/또는 사파이어(sapphire)를 포함한다. LED에서 계속적인 개발의 결과로서, 매우 효율적이며 기계적으로 강하고, 가시광선 및 그 이상을 포괄하는 광소스가 만들어졌다. 이러한 특성들은, 고체 소자의 잠재적으로 긴 수명, 낮은 동작 비용, 낮은 열 발생, 증가된 효율 및 다른 장점들과 결합되어, 다양한 새로운 디스플레이 장치들을 가능하게 하고, LED를 확고한 위치를 갖고 있는 백열 및 형광 램프들과 경쟁할 수 있는 위치에 서게 만들 수 있다.
어떤 장치들에 있어서, 고체광은 이미 전통적인 백열광을 대체하기 시작했다. 가장 유명하게는, 미국의 많은 자치단체들 및 해외 지역이 전통적인 백열 교통 신호등을 고체 광엔진으로 교체하기 시작했다. 초기 설치비용이 비교적 높음에도 불구하고, LED에 기초한 교통 신호는 일반적으로 전통적인 백열등보다, 실질적으로 루멘(lumen)당 보다 긴 동작 수명과 훨씬 낮은 비용을 갖는다.
LED에 기초한 교통 신호로의 이동(특히, 적색광)은 전통적인 백열 및 형광 시장으로의 고체 광소스에 의한 침투의 자연적인 시작이었다. 고도로 밝은 적색, 황색 및 가장 최근의 녹색 LED들은 지난 10년 안에 합리적인 비용으로 시장에서 이용 가능하게 되었다. 최근, 고체 백색 광엔진들은 자동차 및 휴대 전화 산업에서 계기 패널, 스위치 및 LCD 디스플레이용 백라이트(backlight)로서 응용 분야를 찾고 있다. 비록 기술이 아직 초기 단계이지만, 고체 백색 LED들은 지금 상업적으로 이용 가능하다. 고체 백색 LED들은 여러 가지 방법으로 제조될 수 있다. 고체 백색광을 제공하는 현재 기술은 다음의 세 가지로 분류될 수 있다: 컬러 혼합(color mixing), 파장 변환(wavelength conversion) 및 컬러 혼합과 파장 변화의 측면들을 조합한 하이브리드 방법.
컬러 혼합은, 백색광을 만들기 위해 조합되는 상보적인 컬러들(예를 들어, 적색, 녹색 및 파랑 LED들 또는 파랑 및 황색 LED들)을 방출하는 광소스들로부터 백색광을 조합하는 것을 포함한다. 컬러 혼합의 예들은 예컨대, 미국특허번호 6,132,072호 및 그 인용번호들에서 찾을 수 있다. 파장 변환은 제 1 파장의 광을 제 2 파장의 광방출을 초래하는(보통 인광(phosphorescent) 또는 형광 물질에 의하여) 여기 신호로 이용하는 것에 관한 것이다. 예를 들어, UV 광소스가 적색, 녹색 및 파랑색 광을 방출할 수 있는 인광체(phosphor)를 여기시키기 위해 사용될 수 있다. 인광체의 결과적인 출력광은, 세 컬러의 조합, 만일 적절하게 균형이 맞다면 하얀색이다. 예를 들어, 미국특허번호 6,084,250호를 보라.
백색광은 또한 컬러 혼합 및 파장 변환의 하이브리드로 보일 수 있는 방법에 의해 제조될 수 있다. 예를 들어, 백색 에미터(emitter)는, 파랑색광으로 여기되면 황색광을 방출하는 인광체로, 파란색 LED를 코팅하여 제조될 수 있다. LED로부터의 파랑색광과 인광체로부터의 황색광의 조합은, 백색광을 만들어낸다. 백색광 변환을 위한 인광체의 예는, 여기에 참조로서 첨부된 미국특허번호 5,998,925, 6,066,681 및 6,013,199호에서 찾을 수 있다. 고체 백색광을 제조하는 다른 방법들도 가능하다.
고체 백색광 소스의 유용성에도 불구하고, 백색광 응용장치에 대한 다양한 시장(즉, 가정 및 사무광)은 여전히 비교적 미개발 상태이다. 이것에 대한 이유의 일부분은, LED들이 현존하는 파워분배 네트웍과 전형적으로 바로 호환가능하지 못하기 때문이다.
현존하는 파워분배 네트웍은 가정 및 사무실에 고-전압(110V 또는 220V) 저 전류 파워를 교류(AC) 형태로 공급하고 있다. "AC"는 각 사이클에 따른 공급 전류의 극성(즉, 방향)을 의미한다. 표준 60 Hz 파워 공급에 대해, 이것은 전류의 극성이 초당 120번 변한다는 것을 의미한다.
대조적으로, LED들은 저-전압, 고-전류 소자들로서, 그 특성상 한 방향으로 전류를 허용하고, 그에 따라 직류(DC) 소자로 여겨진다. 따라서, LED에 기초한 광시스템에 파워를 공급할 수 있는 효율적인 파워분배 또는 변환 시스템이, 전통적인 백색광 시장으로 침투를 위해 유리하다. 사실상, 고체 백색광에 대한 하나의 드래프트 기술 로드맵은, 높은 시장 침투를 이루기 위해 95%의 효율로 100V(AC)를 2-5V(DC)로 변환하는 파워 공급 및 드라이브 전자학이 고체 백색광 산업의 목표이어야 한다고 지시한다. J. Tsao(최종 드래프트-2002. 7. 26)의 "Light Emitting Diodes for General Illumination II"을 보라.
LED들로부터 AC 파워 소스로부터 광방출이 가능한 시스템을 디자인하기 위한 노력들이 행해져왔다. 예를 들어, 미국특허번호 5,936,599호는 많은 수의 유사장치용 선행 회로뿐만 아니라 교통신호 디스플레이로 사용되는 AC 파워 LED 어레이 회로를 개시하고 있다. 특히, 상기 '599특허는 AC 양 반 사이클에 전류를 흐르게 하기 위해 반대-병렬(anti-parallel)식으로 연결된 복수의 LED쌍들을 갖는 회로를 설명하고 있다. 반대-병렬 배치로 LED들을 연결하는 것을 잘 알려져 있다. 그러나, 이러한 배치에서, 패키지된 LED의 연결은 전형적으로 과도한 공간을 소모한다. 더욱이, 시스템 디자이너는 가능한 LED 기술을 이용하여 이러한 디자인을 루미내어(luminaire) 내에 충족시키기 위해, 복잡한 배선 연결을 디자인해야 할 수도 있다. AC 동작용 고체 광소스에 대한 보다 유연한 접근이 요구된다.
도 1은 본 발명의 어떤 실시예에 대한 측면도이다.
도 2a는 도 1의 실시예에 대한 등가 회로도이다.
도 2b 및 도 2c는 각각 본 발명의 어떤 실시예와 연결되어 사용될 수 있는 LED의 측면도 및 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 예시적인 헤더의 평면도이다.
도 4는 그 위에 탑재된 한 쌍의 LED들을 포함하는, 본 발명의 실시예에 따른 예시적인 헤더의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예를 보여주는 측면도이다.
도 6은 그 위에 탑재된 도 5의 소자를 포함하는, 본 발명의 실시예에 따른 예시적인 헤더의 평면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예의 측면도이다.
도 8은 그 위에 탑재된 네 개의 활성소자들을 갖는 LED 소자를 포함하는, 본 발명의 실시예에 따른 예시적인 헤더를 보여주는 평면도이다.
도 9는 도 8의 실시예의 등가 회로도이다.
도 10은 도 11의 실시예의 등가 회로도이다.
도 11은 그 위에 탑재된 12개의 활성소자들을 갖는 LED 소자를 포함하는, 본 발명의 실시예에 따른 예시적인 헤더를 보여주는 개략적인 부분 평면도이다.
본 발명의 실시예들은, 제 1 및 제 2 터미널들을 갖는 공통 헤더(header) 상에 탑재된 한 쌍의 LED 활성소자(active element)들을 포함하는 광엔진을 제공한다. 상기 제 1 터미널은 상기 제 1 LED 활성소자의 음극 및 상기 제 2 LED 활성소자의 양극에 연결되고, 상기 제 2 터미널은 상기 제 1 LED 활성소자의 양극 및 상기 제 2 LED 활성소자의 음극에 연결된다. 상기 LED 활성소자들은 공통 기판, 분리된 기판 및/또는 공통 및 분리된 기판의 조합 위에 제공될 수 있다. 본 발명의 다른 실시예들은, 각각의 음극 및 양극 형성을 위한 p형 및 n형 콘택(contact)들을 갖는 복수의 LED 활성소자들이 그 위에 형성된, 단일 절연(insulating) 또는 반-절연(semi-insulating) 기판을 포함하는 광엔진을 제공한다. 상기 소자는 와이어 본딩에 대한 필요를 잠재적으로 없애고, 광출력을 높이기 위해 플립-칩(flip-chip) 배치로 탑재될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서, 한 쌍의 리드(lead)들을 갖는 헤더는, 적어도 두 LED 활성소자들이 그 위에 플립-탑재될 수 있고, 상기 제 1 LED 활성소자의 양극과 상기 제 2 LED 활성소자의 음극이 하나의 상기 리드에 접촉하고, 상기 제 2 활성소자의 음극과 상기 제 2 LED 활성소자의 양극이 다른 상기 리드에 접촉되도록 적응된다. 게다가, 상기 헤더는 그 위에 복수의 활성소자들이 탑재될 수 있는 기판을 허용하도록 적응된다.
본 발명의 또 다른 실시예는 광추출(light extraction) 효율을 높이기 위해 모양지어진(shaped) 또는 직조된(textured) 특징 및 파장 변환을 수행하기 위해 인광체 코팅을 갖는 기판을 제공한다.
본 발명의 또 다른 실시예는 여기에 기술된 바와 같이, LED 광엔진의 제조방법을 제공한다.
본 발명은 실시예가 도시된 아래의 도면들을 참조하여 보다 상세하게 설명될 것이다. 본 발명은 다양한 형태로 구현될 수 있고, 여기에 제시된 실시예들에 제한되지는 않는다. 그 보다는 이러한 실시예들은 본 발명의 개시가 철저하고 완전하고 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 범위를 완전하게 전달하기 위해 제공되었다. 동일한 참조 부호들은 동일한 구성 요소를 나타낸다. 게다가, 도면에 도시된 다양한 층들 및 영역들은 개략적으로 도시되었다. 또한, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 이해될 수 있듯이, 본 발명은 반도체 웨이퍼 및 다이스 칩(diced chip)들에 대해서 설명하고 있으나, 그러한 칩들은 임의의 크기로 다이스될 수 있다. 이에 따라, 본 발명은 첨부된 도면에서 도시된 상대적인 크기 및 간격에 제한되지 않는다. 게다가, 도면의 어떤 특징들은 도면의 명확성과 설명의 편의성을 위해 과장되어 도시되었다.
본 발명의 실시예들은 일반적으로 실리콘 카바이드에 기초한 기판 상의 갈륨 질화막(gallium nitride)에 기초한 발광 다이오드를 참조하여 이제 설명될 것이다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 많은 다른 기판 및 에피택셜층(epitaxial layer)들의 조합이 적용될 수 있음을, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해될 수 있을 것이다. 예를 들어, 그 조합은 GaP 기판 상의 AlGaInP 다이오드; GaAs 기판 상의 InGaAs 다이오드들; GaAs 기판 상의 AlGaAs 다이오드들; SiC 또는 사파이어(Al2O3) 기판 상의 SiC 다이오드; 및/또는 갈륨 질화막, 실리콘 카바이드, 알루미늄 질화막, 사파이어, 아연(Zinc) 산화막 및/또는 다른 기판 상의 질화막에 기초한 다이오드들을 포함한다.
본 발명의 실시예들은, AC 파워 소스를 이용하여 효율적인 광방출이 가능한 LED 광엔진을 포함한다. 어떤 실시예에서, 상기 광엔진은 제 1 및 제 2 터미널들을 갖는 헤더 상에 탑재된 한 쌍의 LED들을 포함한다. 상기 제 1 터미널은 상기 제 1 LED의 음극 및 상기 제 2 LED의 양극에 연결되고, 상기 제 2 터미널은 상기 제 1 LED의 양극 및 상기 제 2 LED의 음극에 연결되어 있다. 상기 LED들은 에피-위쪽(epi-up) 배치 또는 기판-위쪽(플립-칩) 배치에 탑재될 수 있다.
다른 실시예에서, 상기 광엔진은 적어도 두 LED 활성소자(active element)들을 갖는 단일 기판을 포함하고, 상기 각 LED 활성 소자의 각각은 연관된 음극 및 양극을 형성하는 p형 및 n형 콘택들을 갖는다. 상기 소자는 광출력을 증가시키고 와이어 본딩을 없애기 위해 플립-칩(flip-chip) 배치로 탑재될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서, 한 쌍의 리드들을 갖는 헤더는, 적어도 두 LED 활성소자들(동일할 수 있다)이 거기에 플립-탑재될 수 있고, 상기 제 1 LED 활성소자의 양극과 상기 제 2 LED 활성소자의 음극이 하나의 상기 리드에 접촉하고, 상기 제 2 활성소자의 음극과 상기 제 2 LED 활성소자의 양극이 다른 상기 리드에 접촉되도록 적응된다. 게다가, 상기 헤더는 그 위에 복수의 활성소자들이 탑재될 수 있는 기판을 허용하도록 적응된다. 부가적인 실시예들은 단일 헤더 상에 둘 이상의 LED들 또는 LED 활성소자들이 부착되거나 배선되도록 허용한다. 외부 회로 소자들, 예컨대 EDS 보호, 파워 변환, 파워 매칭, 또는 다른 목적을 위한 회로가 보다 효율적이고 유연한 시스템 집적을 위해 상기 헤더 상에 상기 LED들을 따라서 탑재될 수 있다.
본 발명의 특정 실시예가 도 1에 도시되어 있다. 도 1은 그 위에 LED들(1, 2)이 플립-칩 배치로 탑재되는 헤더 또는 리드 프레임(lead frame, 20)을 도시하고 있다. 플립-칩 배치에서, 소자는 헤더로부터 멀리 기판이 배치되고, 헤더로부터 가까이 에피택셜 영역이 배치되도록 탑재되어 있다.
예시적인 LED 구조가 도 2b 및 도 2c에 도시되어 있다. 도 2b에 도시된 바와 같이, 본 발명과 연관되어 사용될 예시적인 LED는, 그 위에 에피택셜 영역이 형성된 기판(4)을 포함한다. 에피택셜 영역은 n형 콘택층(5), 활성영역(6) 및 p형 콘택층(7)을 포함한다. "위에 또는 상에(on)"라는 용어는 단지 직접 물리적인 접촉을 지칭하는 좁은 의미로 사용되지 않는다. 반대로, 그 용어는 여기에서 어떤 층이 물리적인 접촉을 하지 않는 다른 층위에 존재하는 경우에도 사용된다.
기판(4)은 전술한 기판 물질의 어느 것을 포함하고, 어떤 실시예에서는 6H-실리콘 카바이드를 포함한다. 상기 에피택셜 영역은 갈륨 질화막에 기초한 반도체층들을 포함한다. 활성영역(6)은 호모접합(homojunction), 단일 이종구조(heterostructure), 이중 이종구조 또는 단일 또는 복수의 양자웰(quantum well) 구조를 포함한다. 다른 층들(미도시)이 또한 소자에 있을 수 있다. 오믹 콘택들(ohmic contacts, 12, 14)은 p형 및 n형 콘택들(7, 5) 위에 형성되어, 각각 양극 및 음극 전기적 콘택을 형성한다. 도 2c는 도 2b의 예시적인 LED 칩의 평면도로서, 음극 및 양극 콘택들(12, 14)의 가능한 하나의 배치를 보여준다. 갈륨 질화막에 기초한 LED들에 대한 에피택셜층들 및 오믹 콘택들의 디자인 및 제조는 해당 기술분야에서 잘 알려져 있다. 예를 들어, 본 발명의 실시예들은, 여기에 마치 온전하게 제시된 것처럼 참조에 의해 포함된 미국특허번호들 6,201,262, 6,187,606, 6,120600, 5,912,477, 5,739,554, 5,631,190, 5,604,135, 5,523,589, 5,416,342, 5,393,993, 5,338,944, 5,210,051, 5,027,168, 5,027,168, 4,966,862 및/또는 4,918,497호에 설명된 LED 및/또는 레이저들을 갖는 용도로 적합할 수 있다. 다른 적당한 LED들 및/또는 레이저들은 여기에 마치 온전하게 제시된 것처럼 첨부되어 개시되고, 각각 2001, 5, 30일에 출원된 미국가특허출원번호 60,294,378호 "LIGHT EMITTING DIDODE STRUCTURE WITH MULTI-QUANTUM WELL AND SUPERLATTICE STRUCTURE", 미국가특허출원번호 60/294,445호 "MULTI-QUANTUM LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURE" 및 미국가특허출원번호 60,294,308호 "LIGHT EMITTING DIDODE STRUCTURE WITH SUPERLATTICE STRUCTURE"에 설명되고, 2002, 5, 7일에 출원된 미국특허출원번호 10/140,796호 "GROUP III NITRIDE BASED LIGHT EMITTING DIODE STRUCTURES WITH A QUANTUM WELL AND SUPERLATTICE, GROUP III NITRIDE BASED QUANTUMWELL STRUCTURES AND GROUP III NITRIDE BASED SUPERLATTICE STRUCTURES", 2001, 7, 23일에 출원된 미국가특허출원번호 10/057,82호 "LIGHT EMITTING DIODES INCLUDING SUBSTRATE MODIFICATIONS FOR LIGHT EXTRACTION AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR" 및 2002, 1, 25일에 출원된 미국특허출원번호 10/057,82호 "LIGHT EMITTING DIODES INCLUDING SUBSTRATE MODIFICATIONS FOR LIGHT EXTRACTION AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR"에 설명되어 있다. 게다가, 인광체(phosphor)가 코팅된 LED들, 예컨대 2002, 9, 19일에 출원되고, 마치 온전하게 제시된 것처럼 개시된 미국가특허출원번호 (대리인 도켓번호 5308-245PR), "PHOSPHOR-COATED LIGHT EMITTING DIODES INCLUDING TAPERED SIDEWALLS, AND FABRICATION METHODS THEREFOR"은 또한 본 발명의 실시예에서 용도로 적당하다.
도 1을 다시 참조하면, 헤더(20)는 도전성 리드들(leads, 24, 26,28)을 포함하고, 리드들(24, 28)은 전기적으로 서로 연결되어 있다. LED(1)는 그 음극(12A)이 리드(24)와 전기적으로 접촉되고, 그 양극(14A)이 리드(26)와 전기적으로 접촉되도록 탑재되어 있다. LED(2)는, 그 음극(12B)이 리드(26)와 전기적으로 접촉되고, 그 양극(14B)이 리드(28)와 전기적으로 접촉되도록 탑재되어 있다. 리드(28)는 리드(24)와 전기적으로 접촉되어 있기 때문에, LED(1)의 음극은 LED(2)의 양극과 전기적으로 접촉되어 있다. 리드(24)는 도 2a에 도시된 바와 같이 공통 노드(N1)가 되고, 반면 리드(26)는 노드(N2)가 된다. 여기에 사용된 "전기적인 접촉"이란 전기적인 흐름을 허용하는 직접 콘택 또는 전기적으로 도전적인 중간 개재물을 통한 간접적인 콘택을 의미한다.
LED들(1, 2)은 리드들(24, 26, 28)에 솔더링(soldering) 또는 열음파(thermosonic) 접합에 의해 부착될 수 있고, 그 예는, 각각 여기에 온전하게 제시된 것처럼 전체로서 참조에 의해 여기에 첨부된, 2002, 6, 27일에 출원된 미국특허번호 10/185,350호 "Bonding of Light Emitting Diodes Having Shaped Substrates and Collets Bonding of Light Emitting Diodes Having Shaped Substrates", 2002, 6, 27일에 출원된 미국특허출원번호 10/185,252호 "Flip-Chip Bonding of Light Emitting Devices and Light Emitting Devices Suitable for Flip-Chip Bonding" 및/또는 2002, 7, 22일에 출원된 미국특허출원번호 10/200,244호 "Light Emitting Diodes Including Modifications for Submount Bonding and Manufacturing Methods Therefor"에 제시되어 있다. LED들(1, 2)은 이 실시예에서 칩(chip)의 같은 쪽 위에 음극 및 양극 두 콘택들을 가지고 있기 때문에, 그것들은 도전성 기판 및/또는 절연성 또는 반-절연성 기판, 예컨대 반-절연 SiC 또는 사파이어 위에 제조될 수 있다.
LED들에 의해 생성된 회로의 개략도가 도 2a에 도시되어 있고, 도 2a는 반대-병렬(anti-parallel)식 두 LED들의 연결을 보여준다. LED(1)의 음극은 LED(2)의 양극과 더불어 노드(A)에 연결된다. 유사하게, LED(2)의 음극은 LED(1)의 양극과 더불어 노드(B)에 연결되어 있다. AC 전압이 노드들(N1, N2) 사이에 인가되면, LED들(1, 2)은 AC 파형의 교대 반파로 에너지를 공급받을 것이다.
LED들은 영이 아닌 지속성(persistence)을 갖기 때문에, 만일 진동 주파수가 충분히 높다면, 관찰자에게는 마치 두 LED들이 동시에 "온(on)"되는 것처럼 보일 것이다. 여기에서 LED의 "지속성"은 LED에 드라이브 전압이 제거되거나 또는 반전된 후에 LED가 발광을 계속하는 시간을 나타낸다.
도 3에 도시된 바와 같이, 헤더(20)는 한 쌍의 리드들을 갖고, 두 LED들(동일할 수 있다)은 플립 탑재되고, 제 1 LED의 양극 및 제 2 LED의 음극이 하나의 리드에 접촉되고, 반면 제 1 LED의 음극 및 제 2 LED의 양극이 다른 리드에 접촉된다. 따라서, 제 1 콘택(24) 및 제 2 콘택(26)은 맞물린 또는 연동된 콘택들을 제공하고, 각각은 LED(1)가 헤더(20)와 접촉되는 영역과 LED(2)가 헤더(20)와 접촉되는 영역에 중첩되어 그 결과 단일 콘택 영역이 조밀하게 LED(1) 및 LED(2) 둘 다에 접촉할 수 있다. 탭들(tabs, A, B)은 본딩 또는 외부 회로에 상기 소자를 전기적으로 연결하는 데에 이용될 수 있다.
게다가, ESD 보호, 파워 변환, 파워 매칭 또는 다른 목적을 위한 외부 회로 소자들(미도시)이 헤더 위에 LED들을 따라서 탑재되고, 보다 효율적이고 유연한 시스템 집적을 위해 리드들에 전기적으로 연결될 수 있다. 그러한 회로 소자들은 수동 소자들, 예컨대 저항, 인덕터 및 커패시터들 또는 트랜지스터와 같은 활성 소자들을 포함한다.
도 4는 도 3에 도시된 헤더 위에 탑재된 한 쌍의 LED들(1, 2)을 보여주는 평면도이다. 도 4는 음극들(14A, 14B)과 리드들(24, 26) 각각의 연결을 도시하고 있다.
본 발명의 또 다른 실시예가 도 5에 도시되어 있다. 도 5에 도시된 실시예에서, 복수의 활성소자들(31, 31)을 구비하는 LED(3)는, 단일 기판(15) 위에 제조된다. 기판(15)은 소자의 음극들이 단선되는 것을 막기 위하여 반-절연 또는 절연물일 수 있다. 소자들(31, 32)은, p형 및 n형 콘택층(7, 5) 각각에 대한 오믹 콘택들(12, 14) 뿐만 아니라, 각각 n형 콘택층(5), 활성영역(6) 및 p형 콘택층(7)을 포함한다. 도 6은 헤더(20) 위에 탑재된 소자(3)의 평면도를 도시하고 있다.
도 5 및 6에 도시된 실시예에서, 소자(3)는 적절한 에피택셜층들을 기판(15) 위에 증착하고, 식각 마스크(etch mask)를 이용하여 상기 층들을 패터닝하고 그리고 에피택셜층들의 일부분을 식각하여 활성소자(31, 32)들을 기판(15) 상의 분리된 메사 영역(mesa region)으로 형성함으로써 제조될 수 있다. 다른 방법들이 기판 상의 활성소자들을 분리하기 위해 사용될 수 있다. 가능한 소자 제조 공정들에 대한 부가적인 세부사항은 마치 온전히 제시된 것처럼 여기에 참조에 의해 포함되고, 2002, 1, 28일에 출원된 미국특허출원번호 10/058,369호 "CLUSTER PACKAGING OF LIGHT EMITTING DIODES" 및 2002, 7, 26일에 출원된 미국가특허출원번호 60/398,753호 "Methods, Systems and Computer Program Products for Controlling a Semiconductor Dicing Saw"(대리인 도켓번호 5308-260PR)에 설명되어 있다.
광출력을 증가시키기 위해, 기판(15)은 본 출원의 출원인에게 양수되고, 마치 온전하게 제시된 것처럼 참조에 의해 여기에 포함되고, 2002, 1, 25일에 출원된 미국특허출원번호 10/057,821호 "Light Emitting Diodes Including Substrate Modifications for Light Extraction and Manufacturing Methods Therefor"에 설명된 바에 따라서 모양 지어질 수 있다. 하나의 가능한 형상이 도 7에 도시되어 있고, 거기에서 기판(15)은, 기판 표면을 때리는 광선이 빠져나갈 수 있는 가능성을 높이기 위해 기능하는, 복수의 경사진 측벽들(18)과 페데스탈(pedestal, 19)들을 구비하고 있다. 또한, 기판의 표면은, 광추출 효율을 높이기 위해, 거칠게 되거나, 직조되거나(textured) 또는 극소-광학 특징을 갖도록 다르게 패턴될 수 있다.
게다가, 기판은 인광 물질로 인캡슐되거나(encapsuled) 또는 코팅되어서, 전술한 일반적인 방법으로 백색 또는 다른 컬러광의 생성을 촉진시키거나 또는 LED들의 지속성을 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 기판은, 마치 온전하게 여기에 제시된 것처럼 전체로서 참조에 의해 여기에 첨부되고, 2001, 10, 31일에 출원된 미국가특허출원번호 60/335,349호 "Broad Spectrum LED Devices and Methods, and Systems for Fabricating the Same"에 설명된 인광 물질로 코팅될 수 있다.
다른 실시예에서, 둘 이상의 활성소자들이 단일 기판 위에 형성되고, 도 5 및 6에 설명된 방법에 따라, 요구되는 배치를 형성하기 위해 배선 연결될 수 있다. 예를 들어, 도 8은 그 위에 콘택들(A, B, C)(빗금으로 해치)이 형성된 헤더(20)를 포함하는 소자의 평면도이다. 네 개의 활성소자들(36A, 36B, 37A, 37B)을 갖는 기판(35)을 포함하는 LED는, 헤더(20) 위에 탑재되어 있고, 소자(37A)의 음극 및 소자(37B)의 양극은 콘택(A)에 연결되고, 소자들(37A, 36B)의 양극들은 소자들(36A, 37B)의 음극들과 더불어 콘택(C)에 연결되고, 그리고 소자(37B)의 양극과 소자(36B)의 음극은 콘택(B)에 연결되어 있다. 특정 실시예에 대한 등가 회로도가 도 9에 도시되어 있다. 도 9에 도시된 바와 같이, 이 회로는 직렬로 연결된 두 쌍의 LED들을 포함하고, 각 쌍은 두 LED들을 반대-병렬식 배치로 연결한다.
다른 배치들도 용이하게 실현될 수 있다. 예를 들어, 도 10은 세 개의 반대-병렬 LED 쌍들의 두 병렬 체인들을 포함하는 보다 복잡한 회로를 도시한다. 이러한 회로는 도 11에 도시된 배치에 의해 실행될 수 있고, 그 배치는 12 개의 활성소자(41A-41F, 및 42A-42F)들을 갖는 기판(45)을 포함하는 LED가 그 위에 형성된 헤더(20)를 포함한다. 간단하게 하기 위해, 헤더(20) 상의 콘택들은 자세하게 보이지는 않지만, 개략적인 선들(46)에 의해 대표되었다.
LED 상의 활성소자들의 배선은 헤더(20) 위의 콘택들의 디자인을 통해서 달성할 수 있기 때문에, 많은 수의 배치들이 단지 헤더(20) 상의 콘택들의 디자인과 배치를 바꿈으로서 용이하게 실현될 수 있다. 이것은, 시스템 디자이너들이 요구되는 응용을 맞추기 위해 광엔진의 전기적인 특징들을 디자인하는 데 있어, 유연성을 제공한다.
본 발명에 관련된 방법은 도 5를 참조하여 이해될 수 있다. 본 발명에 따른 발광 소자를 제조하는 방법은 반-절연 또는 절연 기판(15)을 제공하는 단계; 기판 상에 에피택셜 영역(25)을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 에피택셜 영역은 적어도 기판(15) 상의 n형 콘택층(5), n형 콘택층(5) 상의 활성영역(6) 및 활성영역(6) 상의 p형 콘택층(7)을 포함한다. 제 1 식각 마스크는 에피택셜 영역(25)에 적용되고, 에피택셜 영역(25)은 선택적으로 식각되어 n형 콘택층(5) 상의 복수의 콘택 영역을 노출한다. 복수의 활성소자들(31, 32)이 에피택셜 영역(25) 내에 분리되고, 그 결과 각 활성소자는 n형 콘택층(5)의 적어도 하나의 노출된 콘택 영역(27)을 포함한다. 상기 분리는 제 2 식각 단계 또는 해당 기술분야에 알려진 다른 분리 방법에 의해 수행될 수 있다. 양극(12) 및 음극(14) 오믹 콘택들은, 활성소자들(31, 32) 각각의 p형 콘택층(7) 및 n형 콘택층(5) 상에 형성된다.
단지 두 개의 활성소자들(31, 32)을 갖는 소자가 도 5에 도시되었음에도 불구하고, 상술한 방법은 보다 많은 수의 활성소자들, 예컨대 도 11에 도시된 소자를 제조하는 데에 확장될 수 있다.
그 위에 형성된 복수의 활성소자들(31, 32)을 갖는 소자(3)는, 전술한 바와 같이, 도전성 리드들을 갖는 헤더(20) 위에 탑재될 수 있다. 여기에서 복수의 활성소자들의 양극 및 음극 콘택들의 각각이 적어도 하나의 리드에 의해 전기적으로 접촉된다. 게다가, 기판(15)은 전술한 바와 같이 광추출 특성을 개선하기 위해 모양을 갖출 수 있다. 기판(15)은, 전술한 방법에 따라 백색 또는 다른 컬러광을 생성하기 위해 파장 변환 물질로 코팅될 수 있고, 또는 전체 소자가 파장 변환 물질을 포함하는 물질로 인캡슐될 수 있다.
도면 및 명세서에서, 본 발명의 실시예들이 개시되었고, 특정한 용어들이 사용되었음에도 불구하고, 그것들은 일반적인 의미로 사용되었고 단지 설명적으로 사용되었을 뿐, 제한하려는 의도로 사용되지는 않았다.

Claims (33)

  1. 헤더(header);
    기판, 에피택셜 영역, 및 양극 및 음극 전기 콘택들을 각각 포함하고, 플립-칩(flip-chip) 배치로 상기 헤더 상에 탑재된 제 1 및 제 2 LED들;을 포함하고,
    상기 헤더는 상기 제 1 및 제 2 LED들을 반대-병렬(anti-parallel) 배열로 전기적으로 연결하도록 배치된 전자 소자.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 헤더 상에 형성된 제 1 및 제 2 도전성 리드(lead)들을 더 포함하고,
    상기 제 1 LED의 양극과 상기 제 2 LED의 음극이 상기 제 1 도전성 리드에 전기적으로 접촉하고, 상기 제 1 LED의 음극과 상기 제 2 LED의 양극이 상기 제 2 도전성 리드에 전기적으로 접촉하는 전자 소자.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 LED들은 상기 도전성 리드들에 열음파적으로(thermosonically) 본딩된 전자 소자.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 LED들은 상기 도전성 리드들에 솔더된(soldered) 전자 소자.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 LED의 상기 기판과 상기 제 2 LED의 상기 기판은 6H-SiC를 포함하는 전자 소자.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 LED의 상기 기판 및 상기 제 2 LED의 상기 기판은 절연 물질 또는 반-절연 물질의 하나를 포함하는 전자 소자.
  7. 제 2 항에 있어서, 상기 헤더 상에 배치되고 상기 제 1 도전성 리드 및/또는 상기 제 2 도전성 리드의 적어도 하나에 전기적으로 연결된, 적어도 하나의 회로 소자를 더 포함하는 전자 소자.
  8. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 LED의 상기 기판 및/또는 상기 제 2 LED의 상기 기판은 광추출을 증가시키기 위해 모양이 갖춰진 전자 소자.
  9. 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 LED의 상기 기판 및/또는 상기 제 2 LED의 상기 기판은 파장 변환(wavelength conversion) 물질로 코팅된 전자 소자.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 파장 변환 물질은 인광체(phosphor)를 포함하는 전자 소자.
  11. 제 1 및 제 2 도전성 리드들이 그 위에 형성된 헤더;
    기판 및 상기 기판 상의 제 1 및 제 2 활성소자들을 포함하는 LED를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 활성소자들의 각각은 에피택셜 영역, 및 양극 및 음극 전기적 콘택들을 각각 포함하고, 상기 LED는 상기 제 1 및 제 2 활성소자들을 반대-병렬식 배치로 전기적으로 연결하기 위해 상기 제 1 및 제 2 도전성 리드들을 접촉하도록 상기 헤더 상에 플립-칩 배치로 탑재된 전자 소자.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 LED는 상기 도전성 리드들에 열음파적으로(thermosonically) 본딩된 전자 소자.
  13. 제 11 항에 있어서, 상기 LED는 상기 도전성 리드들에 솔더된(soldered) 전자 소자.
  14. 제 11 항에 있어서, 상기 기판은 6H-SiC를 포함하는 전자 소자.
  15. 제 11 항에 있어서, 상기 기판은 절연 물질 또는 반-절연 물질의 하나를 포함하는 전자 소자.
  16. 제 11 항에 있어서, 상기 헤더 상에 배치되고 상기 제 1 도전성 리드 및/또는 상기 제 2 도전성 리드의 적어도 하나에 전기적으로 연결된, 적어도 하나의 회로 소자를 더 포함하는 전자 소자.
  17. 제 11 항에 있어서, 상기 기판은 광추출을 증가시키기 위해 모양을 갖춘 전자 소자.
  18. 제 11 항에 있어서, 상기 기판은 파장 변환 물질로 코팅된 전자 소자.
  19. 제 18 항에 있어서, 상기 파장 변환 물질은 인광체(phosphor)를 포함하는 전자 소자.
  20. 반절연 또는 절연 기판을 제공하는 단계;
    적어도 하나의 상기 기판 상의 n형 콘택층, 상기 n형 콘택층 상의 활성영역 및 상기 활성영역 상의 p형 콘택층을 포함하는 에피택셜 영역을 상기 기판 상에 형성하는 단계;
    상기 에피택셜 영역을 선택적으로 식각하여, 상기 n형 콘택층의 복수의 콘택 영역을 노출하는 단계;
    상기 에피택셜 영역 내의 복수의 활성소자들을 분리시켜, 상기 활성소자의 각각은 적어도 하나의 n형 콘택층의 노출된 콘택 영역을 포함하는 단계; 및
    상기 활성소자들의 각각 상에 양극 및 음극 오믹 콘택들을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
  21. 제 20 항에 있어서, 복수의 활성소자들을 분리하는 단계는 분리된 활성소자들을 정의하기 위하여 상기 에피택셜 영역 내에 복수의 메사들을 식각하는 단계들을 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
  22. 제 20 항에 있어서, 헤더 상에 상기 소자들을 플립-칩 배치로 탑재하는 단계를 더 포함하고, 상기 헤더는 복수의 도전성 리드들을 포함하고, 상기 활성소자들의 각각의 양극 및 음극 콘택들의 각각은 상기 복수의 도전성 리드들의 적어도 하나에 전기적으로 접촉하는 발광 소자의 제조 방법.
  23. 제 20 항에 있어서, 광추출을 개선하기 위해 상기 기판을 모양짓는(shaping) 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
  24. 제 20 항에 있어서, 상기 기판을 파장-변환 물질로 코팅하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
  25. 제 20 항에 있어서, 파장-변환 물질을 포함하는 인캡슐런트(encapsulant)로 상기 소자를 인캡슐하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
  26. 제 25 항에 있어서, 상기 파장 변환 물질은 인광체를 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
  27. 제 24 항에 있어서, 상기 파장 변환 물질은 인광체를 포함하는 발광 소자의 제조 방법.
  28. 헤더;
    플립-칩 배치로 상기 헤더 상에 탑재된 복수의 LED 활성소자들을 포함하고,
    상기 헤더는 상기 복수의 LED 활성소자들의 각 쌍들을 반대-병렬(anti-parallel) 배열로 전기적으로 연결하도록 배치된 전자 소자.
  29. 제 27 항에 있어서, 상기 복수의 LED 활성소자들은 상기 헤더 상에 플립-칩 배치로 탑재된 LED를 포함하고, 상기 LED는 기판 및 상기 기판 상의 복수의 활성소자들을 포함하고, 상기 복수의 활성소자들의 각각은 에피택셜 영역 및 양극 및 음극 전기적 콘택들을 각각 포함하는 전자 소자.
  30. 제 27 항에 있어서, 상기 복수의 LED 활성소자들은 복수의 분리된 LED들을 포함하고, 상기 복수의 분리된 LED들의 각각은 상기 헤더 상에 플립-칩 배치로 탑재된 전자 소자.
  31. 제 28 항에 있어서, 상기 헤더는 반대-병렬식으로 연결된 복수의 활성소자들의 쌍들을 직렬로 전기적으로 연결하기 위해 더 배치되는 전자 소자.
  32. 제 30 항에 있어서, 상기 헤더는 반대-병렬식으로 연결된 복수의 활성소자들의 직렬로 전기적으로 연결된 쌍들을 병렬로 전기적으로 연결하기 위해 더 배치되는 전자 소자.
  33. 제 28 항에 있어서, 상기 헤더는 상기 복수의 활성소자들의 인접한 것들에 접촉하기 위해 배치된 도전성 리드들을 포함하고, 그 결과 적어도 두 상기 도전성 리드들은 상기 복수의 활성소자들과 상기 헤더의 기판 사이에 배치되는 전자 소자.
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