CN101308836B - 发光二极管、发光二极管组件及发光二极管灯串 - Google Patents

发光二极管、发光二极管组件及发光二极管灯串 Download PDF

Info

Publication number
CN101308836B
CN101308836B CN2007100743733A CN200710074373A CN101308836B CN 101308836 B CN101308836 B CN 101308836B CN 2007100743733 A CN2007100743733 A CN 2007100743733A CN 200710074373 A CN200710074373 A CN 200710074373A CN 101308836 B CN101308836 B CN 101308836B
Authority
CN
China
Prior art keywords
emitting diode
light
electrode
backlight unit
electrically connected
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN2007100743733A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101308836A (zh
Inventor
郭崑生
朱源发
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Foxsemicon Integrated Technology Shanghai Inc
Foxsemicon Integrated Technology Inc
Original Assignee
Foxsemicon Integrated Technology Shanghai Inc
Foxsemicon Integrated Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Foxsemicon Integrated Technology Shanghai Inc, Foxsemicon Integrated Technology Inc filed Critical Foxsemicon Integrated Technology Shanghai Inc
Priority to CN2007100743733A priority Critical patent/CN101308836B/zh
Priority to US11/870,109 priority patent/US20080284343A1/en
Publication of CN101308836A publication Critical patent/CN101308836A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101308836B publication Critical patent/CN101308836B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21LIGHTING
    • F21KNON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)

Abstract

本发明提供一种发光二极管,其包括一基座、一封装体、一电路载板、一第一发光二极管芯片、一第二发光二极管芯片、一第一电极、及一第二电极。所述基座与封装体共同形成一收容腔。所述电路载板与第一及第二发光二极管芯片位于收容腔内。所述第一与第二发光二极管芯片反向并联且与电路载板形成电连接;所述第一及第二电极贯穿所述基座并与电路载板形成电连接以电连接至第一及第二发光二极管芯片。本发明还提供采用该种发光二极管的发光二极管组件,以及发光二极管灯串。所述第一与第二发光二极管芯片反向并联的连接方式,可使得发光二极管组件组装时无需判别第一及第二电极的正负极性而使人工成本降低,且可避免发光二极管灯串产生闪烁现象。

Description

发光二极管、发光二极管组件及发光二极管灯串
技术领域
本发明涉及半导体发光领域,尤其是发光二极管领域。
背景技术
参见图1,其示出一种典型的发光二极管组件300。该发光二极管组件300包括一发光二极管320,一塑胶座340及一固持座360。
所述发光二极管320包括一基座322、一透明封装体324、一电路载板325、一发光二极管芯片326、及一对极性相反的第一电极328及第二电极329。所述基座322与透明封装体324共同围成一收容腔323。所述发光二极管芯片326与电路载板325位于该收容腔323内,且所述发光二极管芯片326经由打线连接分别与电路载板325及贯穿基座322的第二电极329形成电连接。所述第一电极328贯穿基座322与电路载板325形成电连接以电连接至发光二极管芯片326。
所述塑胶座340包括一个基体342以及设置在该基体342上的通孔(未标示)。所述发光二极管320的第一电极328及第二电极329插设在该通孔内并在基体342的远离发光二极管320的一端反折形成反折部。该反折部贴附在基体342的外侧壁上。
所述固持座360包括一个本体362、一个定义在本体362内的容置孔364、设置在容置孔364的内侧壁上的供电电极366、以及与供电电极366电连接的电源线368。该供电电极366通过电源线368与外部电源电连接向所述发光二极管组件300供电。所述发光二极管320与塑胶座340的组合体插置于该固持座360的容置孔364内,且发光二极管320的反折部与设置在固持座360上的供电电极366贴合而形成电连接。
对于上述发光二极管组件300,由于其发光二极管320的第一电极328与第二电极329有正负极性之区分,因此操作人员在组装该发光二极管组件300时需增加电极极性判别时间,导致人工成本较高。
另外,参见图2,其示出一种采用上述发光二极管组件300的发光二极管灯串400的电路连接图。该发光二极管灯串400包括一个整流二极管D1、一个限流电阻R、及多个串接的发光二极管组件300。所述限流电阻R及整流二极管D1与所述多个串接的发光二极管组件300串联相接。该发光二极管灯串400通常由一交流电源500向其供电。其中,整流二极管D1的设置是为了将交流电转换成直流电,以满足对有极性的发光二极管组件300进行供电之需求。然而,该种发光二极管灯串400因交流电的正负半波特性而在单位时间内会有一半时间是不亮的,因而导致发光二极管灯串400的亮度会减半且会有闪烁现象的发生。
有鉴于此,有必要提供一种无需判别其正负极性的发光二极管、采用该种发光二极管的发光二极管组件以及采用该种发光二极管组件的发光二极管灯串,该发光二极管灯串可避免上述闪烁现象的发生。
发明内容
下面将以实施例说明一种发光二极管、一种采用该种发光二极管的发光二极管组件,以及一种采用该种发光二极管组件的发光二极管灯串。
一种发光二极管,其包括:一基座、一封装体、一电路载板、一第一发光二极管芯片、一第二发光二极管芯片、一第一电极、及一第二电极;所述基座与封装体共同形成一收容腔;所述电路载板与第一及第二发光二极管芯片位于所述收容腔内;所述第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片反向并联且与电路载板形成电连接;所述第一及第二电极贯穿所述基座并与电路载板形成电连接以电连接至所述第一及第二发光二极管芯片。
一种发光二极管组件,其包括:一上述发光二极管及一固持座;所述固持座包括一本体及设置在本体上的供电电极;所述发光二极管的第一及第二电极的远离电路载板的端部与所述供电电极形成电连接。以及
一种发光二极管灯串,其包括:一限流电阻,及多个串接的上述发光二极管组件,所述限流电阻与所述多个串接的发光二极管组件串联相接;所述发光二极管组件经由其供电电极形成串接。
相对于现有技术,所述发光二极管由于设置了反向并联的第一及第二发光二极管芯片,无论外加于其第一电极与第二电极之间电压的正负极性为何,均可发光,因此在将发光二极管与固持座组装成发光二极管组件的过程中无需判别其第一及第二电极的正负极性,降低了人工成本;且在将所述发光二极管组件串接成发光二极管灯串的过程中也无需判别其供电电极的正负极性。另外,采用具所述发光二极管的发光二极管组件的发光二极管灯串因其在交流电正负半波均可发光,从而可避免现有技术中的闪烁现象的产生。
附图说明
图1是一种典型的发光二极管组件的截面示意图。
图2是采用图1所示发光二极管组件的发光二极管灯串的电路连接图。
图3是本发明实施例的发光二极管组件的截面示意图。
图4是图3所示发光二极管组件的等效电路图。
图5是采用图3所示发光二极管组件的发光二极管灯串的电路连接图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。
参见图3及图4,本发明实施例提供的发光二极管组件10,其包括:一发光二极管12及一固持座16。
所述发光二极管12包括一基座122、一封装体124、一电路载板125、一第一发光二极管芯片126、一第二发光二极管芯片127、及一第一电极128及一第二电极129。
所述基座122与封装体124共同形成一收容腔123。所述封装体124的材料可选用透明塑料,如环氧树脂。
所述电路载板125与第一及第二发光二极管芯片126、127位于所述收容腔123内。所述电路载板125上设置有电气连线(图未示),其可为玻璃纤维板、柔性电路板或陶瓷板。所述第一发光二极管芯片126与第二发光二极管芯片127在电激励下可发出可见光,其反向并联且经由与电路载板125上的电气连线相连而与电路载板125形成电连接。图4中示出所述发光二极管组件10的一等效电路图,从图4中可以得知,第一发光二极管芯片126的正极与第二发光二极管芯片127的负极相连且第一发光二极管芯片126的负极与第二发光二极管芯片127的正极相连,也即反向并联。由于该第一发光二极管芯片126与第二发光二极管芯片127的反向并联设置,使得发光二极管12的第一及第二电极128、129无正负极性之别,因此可使得在将发光二极管12与固持座16组装成发光二极管组件10时无需进行正负极性的判别,可减少人工成本。
所述第一电极128及第二电极129贯穿所述基座122并与电路载板125形成电连接以电连接至所述第一及第二发光二极管芯片126、127。所述第一电极128及第二电极129的材料可为铜、铁或金属合金等导电材料
所述固持座16包括一本体162、容置孔164及供电电极166。
所述容置孔164设置在本体162上,图3中示出两个容置孔164,其分别对应发光二极管12的第一电极128及第二电极129,用以容置所述第一及第二电极128、129的远离电路载板125的端部。
所述供电电极166包括两夹持件166a及166b,以及与该两夹持件166a及166b分别电连接的电源线166c及166d;该供电电极166经由其部分暴露于本体162之外的电源线166c及166d与外部电源相连以向发光二极管12供电。该两夹持件166a及166b均可产生一弹性夹持力,用以固持并电连接插设于容置孔164内的发光二极管12的第一及第二电极128、129。如图3所示,该供电电极166一体成型于本体162内,所述供电电极166的夹持件166a及166b部分地位于容置孔164内,而其它部分则埋设于本体162内。可以理解的是,该两夹持件166a及166b也可全部嵌设于容置孔164内,其同样可实现固持并电连接插设于容置孔164内的发光二极管12的第一及第二电极128、129之目的。
该供电电极166之具弹性夹持力的两夹持件166a及166b的设置,可使发光二极管12的第一及第二电极128、129无需像现有技术中的发光二极管组件中的发光二极管进行折脚,因而第一及第二电极128、129的长度可大大缩短,从而有利于节省材料成本。
当然,在不考虑第一及第二电极128、129因需折脚而造成的材料成本之情形下,本实施例中的固持座16也可设置成与图1中的固持座360具有相似的结构。
优选的,为使发光二极管12与固持座16组装更稳固,可在发光二极管12的基座122与固持座16之间加设一防水胶圈14,所述发光二极管12的第一及第二电极128、129穿设于该防水胶圈14。该防水胶圈14的设置还可有效地防止水汽渗入所述固持座16的容置孔164内,进而可避免因水汽的影响对所述发光二极管组件10造成的损坏。
参见图5,下面将简要描述一种采用发光二极管组件10的发光二极管灯串20。
所述发光二极管灯串20包括一限流电阻R及多个串接的发光二极管组件10;每个发光二极管组件10包括一对反向并联的第一发光二极管芯片126与第二发光二极管芯片127。所述多个串接的发光二极管组件10经由其供电电极166的电源线实现串联相接。所述限流电阻R与所述多个串接的发光二极管组件10串连相接。
所述发光二极管灯串20的工作过程可为:当一交流电源30向其提供一交流电压(或交流电流)时,在交流电压的正半波时,发光二极管组件10的第一及第二发光二极管芯片126、127中的一个正偏,另一个反偏,发光二极管组件10发光;同样,在交流电压的负半波时,发光二极管组件10的第一及第二发光二极管芯片126、127仍然是一个正偏,另一个反偏,发光二极管组件10仍然发光。也就是说,无论是交流电压的正半波还是负半波,发光二极管均会发光,从而可避免闪烁现象的产生。
另外,本领域技术人员还可于本发明精神内做其它变化,如固持座16的结构,发光二极管灯串中发光二极管组件的电连接方式等以用于本发明等设计,只要其不偏离本发明的技术效果均可。这些依据本发明精神所做的变化,都应包含在本发明所要求保护的范围之内。

Claims (10)

1.一种发光二极管,其包括一基座、一封装体、一电路载板、一第一发光二极管芯片、一第一电极及一第二电极,所述基座与封装体共同形成一收容腔;其特征在于:所述发光二极管还包括一第二发光二极管芯片,所述电路载板、第一及第二发光二极管芯片位于所述收容腔内,所述第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片反向并联且与电路载板形成电连接,所述第一及第二电极贯穿所述基座并与电路载板形成电连接以电连接至所述第一及第二发光二极管芯片。
2.如权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述电路载板为玻璃纤维板、柔性电路板或陶瓷板。
3.一种发光二极管组件,其包括一发光二极管及一固持座,所述发光二极管包括一基座、一封装体、一电路载板、一第一发光二极管芯片、一第一电极及一第二电极,所述基座与封装体共同形成一收容腔;所述固持座包括一本体及设置在本体上的供电电极;其特征在于:所述发光二极管还包括一第二发光二极管芯片,所述电路载板、第一及第二发光二极管芯片位于所述收容腔内,所述第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片反向并联且与电路载板形成电连接,所述第一及第二电极贯穿所述基座并与电路载板形成电连接以电连接至所述第一及第二发光二极管芯片;所述第一及第二电极的远离电路载板的端部与所述供电电极形成电连接。
4.如权利要求3所述的发光二极管组件,其特征在于,所述固持座还包括设置在本体上的第一容置孔及第二容置孔,所述供电电极包括具弹性夹持力的第一夹持件、第二夹持件及与第一及第二夹持件电连接的电源线,所述第一夹持件及第二夹持件分别至少部分地位于所述第一容置孔及第二容置孔内,所述发光二极管的第一及第二电极插设在对应的第一及第二容置孔内且与对应的第一及第二夹持件形成电连接。
5.如权利要求4所述的发光二极管组件,其特征在于,所述第一及第二夹持件嵌设在对应的第一及第二容置孔内。
6.如权利要求3至5任意一项所述的发光二极管组件,其特征在于,所述发光二极管组件还包括一防水胶圈,所述防水胶圈设置在发光二极管的基座与固持座之间,且所述发光二极管的第一及第二电极穿设于所述防水胶圈。
7.一种发光二极管灯串,其包括一限流电阻及多个串接的发光二极管组件,所述限流电阻与所述多个串接的发光二极管组件串联相接,所述发光二极管组件包括一发光二极管及一固持座,所述发光二极管包括一基座、一封装体、一电路载板、一第一发光二极管芯片、一第一电极及一第二电极,所述基座与封装体共同形成一收容腔;所述固持座包括一本体及设置在本体上的供电电极;其特征在于:所述发光二极管还包括一第二发光二极管芯片,所述电路载板、第一及第二发光二极管芯片位于所述收容腔内,所述第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片反向并联且与电路载板形成电连接,所述第一及第二电极贯穿所述基座并与电路载板形成电连接以电连接至所述第一及第二发光二极管芯片;所述第一及第二电极的远离电路载板的端部与所述供电电极形成电连接。
8.如权利要求7所述的发光二极管灯串,其特征在于,所述固持座还包括设置在本体上的第一容置孔及第二容置孔,所述供电电极包括具弹性夹持力的第一夹持件、第二夹持件及与第一及第二夹持件电连接的电源线,所述第一夹持件及第二夹持件分别至少部分地位于所述第一容置孔及第二容置孔内,所述发光二极管的第一及第二电极插设在对应的第一及第二容置孔内且与对应的第一及第二夹持件形成电连接,所述发光二极管组件经由其电源线形成串接。
9.如权利要求8所述的发光二极管灯串,其特征在于,所述第一及第二夹持件嵌设在对应的第一及第二容置孔内。
10.如权利要求7至9任意一项所述的发光二极管灯串,其特征在于,所述发光二极管组件还包括一防水胶圈,所述防水胶圈设置在发光二极管的基座与固持座之间,且所述发光二极管的第一及第二电极穿设于所述防水胶圈。
CN2007100743733A 2007-05-18 2007-05-18 发光二极管、发光二极管组件及发光二极管灯串 Expired - Fee Related CN101308836B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007100743733A CN101308836B (zh) 2007-05-18 2007-05-18 发光二极管、发光二极管组件及发光二极管灯串
US11/870,109 US20080284343A1 (en) 2007-05-18 2007-10-10 Light emitting diode lamp, light emitting diode assembly, and light emitting diode string

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007100743733A CN101308836B (zh) 2007-05-18 2007-05-18 发光二极管、发光二极管组件及发光二极管灯串

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101308836A CN101308836A (zh) 2008-11-19
CN101308836B true CN101308836B (zh) 2011-11-02

Family

ID=40026834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007100743733A Expired - Fee Related CN101308836B (zh) 2007-05-18 2007-05-18 发光二极管、发光二极管组件及发光二极管灯串

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20080284343A1 (zh)
CN (1) CN101308836B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI497009B (zh) * 2013-05-01 2015-08-21 Lextar Electronics Corp 光源模組

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8441216B2 (en) * 2008-09-03 2013-05-14 ALVA Systems, Inc. Power supply system for a building
US20140009074A1 (en) * 2010-12-13 2014-01-09 Chef D'oeuvre Electronics (Shenzhen) Ltd. Led lamp string
CN103090233B (zh) * 2013-01-24 2015-02-04 江苏华程光电科技有限公司 Led二极管
CN104810380B (zh) * 2014-01-23 2017-10-03 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 晶圆级半导体器件及其制备方法
US10436391B2 (en) * 2014-06-05 2019-10-08 Signify Holding B.V. Lighting device, luminaire and manufacturing method
US9433057B1 (en) 2015-11-22 2016-08-30 Jlj, Inc. Resistive protection to prevent reverse voltage breakdown in anti-parallel wired LEDs
CN112635646B (zh) * 2021-01-14 2021-10-01 深圳市科润光电股份有限公司 一种应用于低热阻的晶圆级led封装结构
CN114857511B (zh) 2022-04-11 2024-02-20 厦门普为光电科技有限公司 发光二极管

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2067034U (zh) * 1989-10-18 1990-12-05 姚福来 一种新型的发光二极管
CN2125767U (zh) * 1992-05-14 1992-12-23 陶然 交流电子信号灯
CN2649937Y (zh) * 2003-10-10 2004-10-20 胡文松 一种可具有不同插头的双色灯泡组
CN2720248Y (zh) * 2004-07-02 2005-08-24 黄少敏 一种发光二极管装饰灯灯串
CN1706043A (zh) * 2002-10-22 2005-12-07 克里公司 Ac下工作的led光引擎及其制作方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4314095A (en) * 1979-04-30 1982-02-02 Mieczyslaw Mirowski Device and method for making electrical contact
JPH0416447Y2 (zh) * 1985-07-22 1992-04-13
JPH03116857A (ja) * 1989-09-29 1991-05-17 Mitsui Petrochem Ind Ltd 発光または受光装置
US6054716A (en) * 1997-01-10 2000-04-25 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having a protecting device
US6329714B1 (en) * 1999-11-01 2001-12-11 General Semiconductor, Inc. Hybrid S.C. devices and method of manufacture thereof
US7217005B2 (en) * 2005-01-25 2007-05-15 Grand Motomo Lights Co., Ltd. Light emitting diode lamp module
US7226189B2 (en) * 2005-04-15 2007-06-05 Taiwan Oasis Technology Co., Ltd. Light emitting diode illumination apparatus
US7148515B1 (en) * 2006-01-07 2006-12-12 Tyntek Corp. Light emitting device having integrated rectifier circuit in substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN2067034U (zh) * 1989-10-18 1990-12-05 姚福来 一种新型的发光二极管
CN2125767U (zh) * 1992-05-14 1992-12-23 陶然 交流电子信号灯
CN1706043A (zh) * 2002-10-22 2005-12-07 克里公司 Ac下工作的led光引擎及其制作方法
CN2649937Y (zh) * 2003-10-10 2004-10-20 胡文松 一种可具有不同插头的双色灯泡组
CN2720248Y (zh) * 2004-07-02 2005-08-24 黄少敏 一种发光二极管装饰灯灯串

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI497009B (zh) * 2013-05-01 2015-08-21 Lextar Electronics Corp 光源模組

Also Published As

Publication number Publication date
US20080284343A1 (en) 2008-11-20
CN101308836A (zh) 2008-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101308836B (zh) 发光二极管、发光二极管组件及发光二极管灯串
CN102052652A (zh) Led灯管防反接灯头
CN103348177A (zh) Led模块及照明组件
KR20110093540A (ko) Led조명장치
CN103883989A (zh) 一种具有散热装置的led灯
US20100109553A1 (en) Led bulb with zener diode, zener diode assembly or resistor connected in series
CN101956905A (zh) 灯具及其发光二极管灯管
KR200430821Y1 (ko) 발광다이오드램프 구성체 발열장치
JP3143194U (ja) 発光ダイオードユニット
CN201218489Y (zh) 散热与电性转接器
CN203608403U (zh) 一种交流电驱动led灯
CN113294697A (zh) 一种灯条、led灯及发光装置
CN110864231B (zh) Led支架灯
CN102207255A (zh) 一种用来取代紧凑式荧光灯的led灯
CN103307470B (zh) 发光装置
CN201708153U (zh) Led模块迭层封装结构
CN213213907U (zh) 一种高压免驱动的cob光源
CN214948299U (zh) 一种灯条、led灯及发光装置
CN104661353A (zh) 一种交流电驱动led灯及其制作方法
CN102454878B (zh) 发光二极管模组
CN203099420U (zh) 一种led发光模组
KR100990423B1 (ko) 표면실장 소자형태의 엘이디 모듈
CN208074897U (zh) Led光源支架
CN202403000U (zh) 无电解led驱动一体化光源模组
CN209804652U (zh) 一种g9led封装结构

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C56 Change in the name or address of the patentee
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: 201600 Shanghai city Songjiang District industrial zone of Songjiang science and Technology Park No. 500 Wen Ji Lu

Patentee after: Foxsemicon Semiconductor Precision (Shanghai) Inc.

Patentee after: Foxsemicon Integrated Technology Inc.

Address before: 201600 Shanghai city Songjiang District industrial zone of Songjiang science and Technology Park No. 500 Wen Ji Lu

Patentee before: Foxsemicon Semiconductor Precision (Shanghai) Inc.

Patentee before: Foxsemicon Integrated Technology Inc.

C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20111102

Termination date: 20130518