KR20190053023A - 차량용 램프 및 차량 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 복수의 마이크로 LED(micro light emitting diode) 칩이 배치되는 어레이 모듈을 포함하는 차량용 램프에 있어서, 상기 어레이 모듈은, 복수의 마이크로 LED 페어를 포함하고, 상기 복수의 마이크로 LED 페어는, 제1 마이크로 LED 칩; 및 어느 하나의 전극이, 상기 제1 마이크로 LED 칩의 전극 중 어느 하나와 직접 접촉하는 제2 마이크로 LED 칩; 을 포함하는 차량용 램프에 관한 것이다.

Description

차량용 램프 및 차량{Lamp for vehicle and vehicle}
본 발명은 차량용 램프 및 차량에 관한 것이다.
차량은 탑승하는 사용자가 원하는 방향으로 이동시키는 장치이다. 대표적으로 자동차를 예를 들 수 있다.
차량에는 각종 램프가 구비된다. 예를 들면, 차량에는 헤드 램프(head lamp), 리어 콤비네이션 램프(rear combiantion lamp) 및 포그 램프(fog lamp)가 구비된다.
이러한 차량용 램프는, 탑승자의 가시성 확보를 위한 램프(예를 들면, 헤드 램프, 포그 램프) 및 간단한 신호를 전달하기 위한 램프(예를 들면, 리어 콤비네이션 램프)로 구분될 수 있다.
차량에 구비되는 각종 램프의 광원으로, 다양한 소자가 활용될 수 있다.
최근에는, 차량용 램프의 광원으로 복수의 마이크로 LED 칩을 활용하기 위한 연구가 활발하게 이루어지고 있다.
종래 기술에 따른 복수의 마이크로 LED 칩으로는, 차량용 램프에 적합한 광량을 확보할 수 없는 문제가 있었다.
본 발명의 실시예는 상기한 문제점을 해결하기 위하여, 복수의 마이크로 LED 칩을 이용하면서도 충분한 광량이 확보 가능한 차량용 램프를 제공하는데 목적이 있다.
또한, 본 발명의 실시예는, 차량용 램프를 포함하는 차량을 제공하는데 목적이 있다.
본 발명의 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예는, 복수의 마이크로 LED(micro light emitting diode) 칩이 배치되는 어레이 모듈을 포함하는 차량용 램프에 있어서, 상기 어레이 모듈은, 복수의 마이크로 LED 페어를 포함하고, 상기 복수의 마이크로 LED 페어는, 제1 마이크로 LED 칩; 및 어느 하나의 전극이, 상기 제1 마이크로 LED 칩의 전극 중 어느 하나와 직접 접촉하는 제2 마이크로 LED 칩; 을 포함한다.
기타 실시예들의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 다음과 같은 효과가 하나 혹은 그 이상 있다.
첫째, 복수의 마이크로 LED를 사용하면서도 충분한 광량 확보가 가능한 효과가 있다.
둘째, 복수의 마이크로 LED를 소정 단위로 개별적으로 제어할 수 있어, 다양한 광출력 효과를 연출할 수 있는 효과가 있다.
셋째, 광경로 상에서 배선에 의한 간섭을 최소화함으로써, 광효율을 높이는 효과가 있다.
본 발명의 효과들은 이상에서 언급한 효과들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 효과들은 청구범위의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 차량의 외관을 도시한 도면이다.
도 2는, 본 발명의 실시예에 따른 차량용 램프의 블럭도이다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시예에 따른 차량용 램프를 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른, 복수의 마이크로 LED 칩이 배치되는 어레이를 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른, 마이크로 LED 칩이 배치되는 어레이를 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 어레이 모듈을 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 7a는 본 발명의 실시예에 따라 위에서 본 서로 겹쳐진 상태의 어레이 모듈을 예시한다.
도 7b는 본 발명의 실시예에 따라 옆에서 본 서로 겹쳐진 상태의 어레이 모듈을 예시한다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른, 복수의 마이크로 LED 칩이 배치되는 어레이 모듈을 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 9a 내지 도 9b는 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 LED 페어를 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 LED 페어를 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 11a 내지 도 12b은 본 발명의 실시예에 따른 복수의 마이크로 LED 페어의 배치 패턴 및 배선을 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 13 내지 도 15는 본 발명의 실시예에 따른 어레이 모듈을 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따른 복수의 마이크로 LED 페어 및 복수의 마이크로 LED 칩의 전극 배치를 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 17a 내지 도 17c는 본 발명의 실시예에 따른 어레이 모듈을 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 18a 내지 도 18d는 본 발명의 실시예에 따른 어레이 모듈을 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 19a 내지 도 19d는 본 발명의 실시예에 따른 어레이 모듈을 설명하는데 참조되는 도면이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
본 명세서에서 기술되는 차량은, 자동차, 오토바이를 포함하는 개념일 수 있다. 이하에서는, 차량에 대해 자동차를 위주로 기술한다.
본 명세서에서 기술되는 차량은, 동력원으로서 엔진을 구비하는 내연기관 차량, 동력원으로서 엔진과 전기 모터를 구비하는 하이브리드 차량, 동력원으로서 전기 모터를 구비하는 전기 차량등을 모두 포함하는 개념일 수 있다.
이하의 설명에서 차량의 좌측은 차량의 주행 방향의 좌측을 의미하고, 차량의 우측은 차량의 주행 방향의 우측을 의미한다.
이하의 설명에서 어레이 모듈(200m)은 하나 이상의 어레이를 포함할 수 있다.
어레이 모듈(200m)은, 하나 이상의 레이어를 포함할 수 있으며, 하나의 레이어에는, 하나의 어레이가 배치될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 차량의 외관을 도시한 도면이다.
도 1을 참조하면, 차량(10)은, 차량용 램프(100)를 포함할 수 있다.
차량용 램프(100)는, 헤드 램프(100a), 리어 콤비네이션 램프(100b), 포그 램프(100c)를 포함할 수 있다.
차량용 램프(100)는, 룸 램프(room lamp), 턴시그널 램프(turn signal lamp), 데이타임 런닝 램프(daytime running lamp), 백 램프(bak lamp), 포지셔닝 램프(positioning lamp) 등을 더 포함할 수 있다.
한편, 전장(overall length)은 차량(10)의 앞부분에서 뒷부분까지의 길이, 전폭(width)은 차량(10)의 너비, 전고(height)는 바퀴 하부에서 루프까지의 길이를 의미한다. 이하의 설명에서, 전장 방향(L)은 차량(10)의 전장 측정의 기준이 되는 방향, 전폭 방향(W)은 차량(10)의 전폭 측정의 기준이 되는 방향, 전고 방향(H)은 차량(10)의 전고 측정의 기준이 되는 방향을 의미할 수 있다.
도 2는, 본 발명의 실시예에 따른 차량용 램프의 블럭도이다.
도 2를 참조하면, 차량용 램프(100)는, 광생성부(160), 프로세서(170) 및 전원 공급부(190)를 포함할 수 있다.
차량용 램프(100)는, 입력부(110), 센싱부(120), 인터페이스부(130), 메모리(140) 및 자세 조정부(165)를 각각 개별적으로 또는 조합하여 더 포함할 수 있다.
입력부(110)는, 차량용 램프(100) 제어를 위한 사용자 입력을 수신할 수 있다.
입력부(110)는, 하나 이상의 입력 장치를 포함할 수 있다. 예를 들면, 입력부(110)는, 터치 입력 장치, 기계식 입력 장치, 제스쳐 입력 장치 및 음성 입력 장치 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
입력부(110)는, 광생성부(160)의 동작을 제어하기 위한 사용자 입력을 수신할 수 있다.
예를 들면, 입력부(110)는, 광생성부(160)의 턴 온(turn on) 또는 턴 오프(turn off) 동작을 제어하기 위한 사용자 입력을 수신할 수 있다.
센싱부(120)는, 하나 이상의 센서를 포함할 수 있다.
예를 들면, 센싱부(120)는, 온도 센서 및 조도 센서 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
센싱부(120)는, 광생성부(160)의 온도 정보를 획득할 수 있다.
센싱부(120)는, 차량(10) 외부의 조도 정보를 획득할 수 있다.
인터페이스부(130)는, 차량(10)에 구비된 다른 장치와 정보, 신호 또는 데이터를 교환할 수 있다.
인터페이스부(130)는, 차량(10)에 구비된 다른 장치로부터 수신된 정보, 신호 및 데이터 중 적어도 어느 하나를 프로세서(170)에 전송할 수 있다.
인터페이스부(130)는, 프로세서(170)에서 생성된 정보, 신호 및 데이터 중 적어도 어느 하나를 차량(10)에 구비된 다른 장치로 전송할 수 있다.
인터페이스부(130)는, 주행 상황 정보를 수신할 수 있다.
주행 상황 정보는, 차량 외부의 오브젝트 정보, 내비게이션 정보 및 차량 상태 정보 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
차량 외부의 오브젝트 정보는, 오브젝트의 존재 유무에 대한 정보, 오브젝트의 위치 정보, 오브젝트의 움직임에 대한 정보, 차량(10)과 오브젝트와의 거리 정보 및 차량(10)과 오브젝트와의 상대 속도 정보, 오브젝트의 종류에 대한 정보를 포함할 수 있다.
오브젝트 정보는, 차량(10)에 구비된 오브젝트 검출 장치로부터 생성될 수 있다. 오브젝트 검출 장치는, 카메라, 레이다, 라이다, 초음파 센서 및 적외선 센서 중 하나 이상의 센서에서 생성된 센싱 데이터에 기초하여, 오브젝트를 검출할 수 있다.
오브젝트는, 차선, 타 차량, 보행자, 이륜차, 교통 신호, 빛, 도로, 구조물, 과속 방지턱, 지형물, 동물 등을 포함할 수 있다.
내비게이션 정보는, 맵(map) 정보, 설정된 목적지 정보, 상기 목적지 설정 따른 경로 정보, 경로 상의 다양한 오브젝트에 대한 정보, 차선 정보 및 차량의 현재 위치 정보 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
내비게이션 정보는, 차량(10)에 구비된 내비게이션 장치로부터 생성될 수 있다.
차량 상태 정보는, 차량의 자세 정보, 차량의 속도 정보, 차량의 기울기 정보, 차량의 중량 정보, 차량의 방향 정보, 차량의 배터리 정보, 차량의 연료 정보, 차량의 타이어 공기압 정보, 차량의 스티어링 정보, 차량 실내 온도 정보, 차량 실내 습도 정보, 페달 포지션 정보 및 차량 엔진 온도 정보 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
차량 상태 정보는, 차량(10)에 구비된 다양한 센서의 센싱 정보에 기초하여 생성될 수 있다.
메모리(140)는, 차량용 램프(100) 각 유닛에 대한 기본 데이터, 각 유닛의 동작 제어를 위한 제어 데이터, 차량용 램프(100)에 입출력되는 데이터를 저장할 수 있다.
메모리(140)는, 하드웨어적으로, ROM, RAM, EPROM, 플래시 드라이브, 하드 드라이브 등과 같은 다양한 저장기기 일 수 있다.
메모리(140)는, 프로세서(170)의 처리 또는 제어를 위한 프로그램 등, 차량용 램프(100) 전반의 동작을 위한 다양한 데이터를 저장할 수 있다.
메모리(140)는, 프로세서(170)의 하위 구성으로 분류될 수도 있다.
광생성부(160)는, 프로세서(170)의 제어에 따라, 전기 에너지를 광 에너지로 전환할 수 있다.
광생성부(160)는, 복수그룹의 마이크로 LED(micro light emitting diode) 칩이 배치되는 어레이 모듈(array module)(200m)을 포함할 수 있다.
어레이 모듈(200m)은, 플렉서블 하게 형성될 수 있다.
예를 들면, 어레이(200)가, 폴리이미드(PI : polyimde) 상에 유연 전도 기판(FCCL : Flexible Copper Clad Laminated)이 배치되고, 유연 전도 기판 상에 수 마이크로 미터(um) LED 칩이 전사되어 형성됨으로써, 어레이(200)는, 플렉서블하게 형성될 수 있다.
어레이 모듈(200m)은, 하나 이상의 마이크로 LED 어레이(200)를 포함할 수 있다.
실시예에 따라, 어레이 모듈(200m)은, 복수의 어레이(200)가 상호 적층되게 배치될 수 있다.
복수 그룹의 마이크로 LED 칩의 형상은 서로 다를 수 있다.
마이크로 LED 칩은, 마이크로 LED 발광 소자 패키지로 명명될 수 있다.
마이크로 LED 칩은, 내부에 발광 소자를 포함할 수 있다.
마이크로 LED 칩은, 크기가 수 마이크로 미터(um)이다. 예를 들면, 마이크로 LED 칩의 크기는, 5-15um일 수 있다.
마이크로 LED 칩의 발광 소자는, 기판에 전사될 수 있다.
어레이(200)는, 기판 및 복수의 마이크로 LED 칩이 배치되는 서브 어레이를 포함할 수 있다. 서브 어레이는 하나 이상 구비될 수 있다.
서브 어레이는, 다양한 형상을 가질 수 있다.
예를 들면, 서브 어레이는, 소정의 면적을 갖는 도형 형상을 가질 수 있다.
예를 들면, 서브 어레이는, 원, 다각형, 부채꼴 등의 형상을 가질 수 있다.
기판은, 유연 전도 기판(FCCL : Flexible Copper Clad Laminated)을 포함하는 것이 바람직하다.
예를 들면, 베이스(도 5의 911) 및 제1 전극(도 5의 912)은 기판을 구성할 수 있다.
예를 들면, 베이스(도 8의 911) 및 제2 애노드(도 8의 912b)는 기판을 구성할 수 있다.
자세 조정부(165)는, 광생성부(160) 자세를 조정할 수 있다.
자세 조정부(165)는, 광생성부(160)이 틸팅(tilting)되도록 제어할 수 있다. 광생성부(160)의 틸팅 제어에 따라, 출력되는 광은 상하 방향(예를 들면, 전고 방향)으로 조정될 수 있다.
자세 조정부(165)는, 광생성부(160)이 패닝(panning)되도록 제어할 수 있다. 광생성부(160)의 패닝 제어에 따라, 출력되는 광은 좌우 방향(예를 들면, 전폭 방향)으로 조정될 수 있다.
자세 조정부(165)는, 광생성부(160) 자세 조정에 필요한 구동력을 제공하는 구동력 생성부(예를 들면, 모터, 액추에이터, 솔레노이드)를 더 포함할 수 있다.
자세 조정부(165)는, 광생성부(160)가 로우 빔을 생성하는 경우, 하이빔을 생성하는 경우보다 아래쪽을 향해 광이 출력되도록 광생성부(160)의 자세를 조정할 수 있다.
자세 조정부(165)는, 광생성부(160)가 하이 빔을 생성하는 경우, 로우빔을 생성하는 경우보다 위쪽을 향해 광이 출력되도록 광생성부(160)의 자세를 조정할 수 있다.
프로세서(170)는, 차량용 램프(100)의 각 구성 요소와 전기적으로 연결될 수 있다. 프로세서(170)는, 차량용 램프(100)의 각 구성 요소의 전반적인 동작을 제어할 수 있다.
프로세서(170)는, 광생성부(160)를 제어할 수 있다.
프로세서(170)는, 광생성부(160)에 공급되는 전기 에너지의 양을 조정함으로써, 광생성부(160)를 제어할 수 있다.
프로세서(170)는, 어레이 모듈(200m)을 영역별로 제어할 수 있다.
예를 들면, 프로세서(170)는, 어레이 모듈(200m) 영역별로 배치된 마이크로 LED 칩에 서로 다른 양의 전기 에너지를 공급함으로써 영역별로 제어할 수 있다.
프로세서(170)는, 어레이 모듈(200m)을 레이어 별로 제어할 수 있다.
어레이 모듈(200m)의 복수의 레이어는 복수의 어레이(200)로 구성될 수 있다.
예를 들면, 프로세서(170)는, 어레이 모듈(200m)을 레이어 별로 서로 다른 양의 전기 에너지를 공급함으로써 레이어 별로 제어할 수 있다.
전원 공급부(190)는, 프로세서(170)의 제어에 의해, 차량용 램프(100) 각 유닛의 동작에 필요한 전기 에너지를 공급할 수 있다. 특히, 전원 공급부(190)는, 차량(10) 내부의 배터리 등으로부터 전원을 공급받을 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 실시예에 따른 차량용 램프를 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 3a 및 도 3b는, 차량용 램프로 헤드 램프(100a)의 단면을 예시한다.
도 3a 및 도 3b를 참조하면, 차량용 램프(100)는, 광생성부(160), 리플렉터(310) 및 렌즈(320a)를 포함할 수 있다.
리플렉터(310)는, 광생성부(160)에서 생성되는 광을 반사시킨다. 리플렉터(310)는, 광이 차량(10)의 전방 또는 후방으로 조사되도록 유도한다.
리플렉터(310)는, 반사율이 좋은 알루미늄(Al), 은(Ag)재질 등으로 제조되거나, 빛을 반사시키는 표면에 코팅될 수도 있다.
렌즈(320a)는, 광생성부(160) 및 리플렉터(310)의 전방에 배치된다. 렌즈(320a)는, 광생성부(160)에서 생성되는 광 또는 리플렉터(310)에서 반사되는 광을 굴절시키고 투과시킨다. 렌즈(320a)는 비구면 렌즈일 수 있다.
렌즈(320a)는, 광생성부(160)에서 생성된 광의 경로를 변경시킬 수 있다.
렌즈(320a)는, 투명한 합성 수지 또는 글래스로 형성될 수 있다.
도 3a에 예시된 바와 같이, 광생성부(160)는, 전고 방향으로 광을 출력할 수 있다.
도 3b에 예시된 바와 같이, 광생성부(160)는, 전장 방향으로 광을 출력할 수 있다.
도 3c는 본 발명의 실시예에 따른 차량용 램프를 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 3c는, 차량용 램프(100)로 리어 콤비네이션 램프(100b)의 단면을 예시한다.
도 3c를 참조하면, 차량용 램프(200)는, 광생성부(160) 및 렌즈(320b)를 포함할 수 있다.
렌즈(320b)는, 광생성부(160)를 커버한다. 렌즈(320b)는, 광생성부(160)에서 생성되는 광을 굴절시키고 투과시킨다. 렌즈(320b)는 비구면 렌즈일 수 있다.
렌즈(320b)는, 광생성부(160)에서 생성되는 광의 경로를 변경시킬 수 있다.
렌즈(320b)는, 투명한 합성 수지 또는 글래스로 형성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른, 복수의 마이크로 LED 칩이 배치되는 어레이를 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 4를 참조하면, 어레이(200)에는 복수의 마이크로 LED 칩(920)이 배치될 수 있다.
어레이(200)에는, 복수의 마이크로 LED 칩(920)이 전사될 수 있다.
어레이(200)는, 전사 간격에 따라, 마이크로 LED 칩(920)이 배치되는 간격, 밀도(단위 면적 당 마이크로 LED 칩의 개수) 등이 결정될 수 있다.
어레이(200)는, 복수 그룹의 마이크로 LED 칩이 각각 배치되는 복수의 서브 어레이(411)를 포함할 수 있다.
어레이(200)는, 베이스(911) 및 하나 이상의 서브 어레이(411)를 포함할 수 있다.
베이스(911)는, 폴리이미드(PI : polyimde) 등의 재질로 형성될 수 있다.
실시예에 따라, 베이스(911)는, 폴리이미드(PI : polyimde) 및 폴리이미드 상에 배치되는 유연 전도 기판을 포함하는 개념일 수 있다.
서브 어레이(411)는, 베이스 상에 배치될 수 있다.
서브 어레이(411)에는, 복수의 마이크로 LED 칩(920)이 배치될 수 있다.
유연 전도 기판 상에, 복수의 마이크로 LED 칩(920)이 배치되어, 메인 어레이를 형성한 상태에서, 어레이가 절단되어 서브 어레이(411)를 생성할 수 있다.
이경우, 절단되는 모양에 따라 서브 어레이(411)의 형상이 결정될 수 있다.
예를 들면, 서브 어레이(411)는, 2차원 도형의 형상(예를 들면, 원, 다각형, 부채꼴)을 가질 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른, 마이크로 LED 칩이 배치되는 어레이를 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 5를 참조하면, 어레이(200)는, 폴리 이미드 층(911), 유연 전도 기판(912), 반사층(913), 층간 절연막(914), 복수의 마이크로 LED 칩(920), 제2 전극(915), 광 스페이서(916), 형광층(917), 컬러 필터 필름(918) 및 커버 필름(919)을 포함할 수 있다.
폴리이미드(PI : : polyimide) 층(911)은, 플렉서블 하게 형성될 수 있다.
유연 전도 기판(FCCL : Flexible Copper Clad Laminated)(912)는, 구리로 형성될 수 있다. 유연 전도 기판(912)은, 제1 전극으로 명명될 수 있다.
실시예에 따라, 폴리이미드 층(911)은, 베이스로 명명될 수 있다.
제1 전극(912) 및 제2 전극(915)은 복수의 마이크로 LED 칩(920)과 각각 전기적으로 연결되어, 전원을 공급할 수 있다.
제1 전극(912) 및 제2 전극(915)는 투광성 전극일 수 있다.
제1 전극(912)은, 애노드(anode)일 수 있다.
제2 전극(915)은, 캐소드(cathode)일 수 있다.
제1 전극(912) 및 제2 전극(915)은, 금속 재질, 예를 들어, 니켈(Ni), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 바나듐(V), 코발트(Co), 니오브(Nb), 지르코늄(Zr), 산화인듐주석(ITO, Indium Tin Oxide), 알루미늄산화아연(AZO, aluminum zinc oxide), 인듐 아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 중 어느 하나 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
제1 전극(912)은, 폴리이미드 필름(911) 및 반사층(913) 사이에 형성될 수 있다.
제2 전극(915)은, 층간 절연막(914) 상에 형성될 수 있다.
반사층(913)은, 유연 전도 기판(912) 상에 형성될 수 있다. 반사층(913)은, 복수의 마이크로 LED 칩(920)에서 생성되는 광을 반사시킬 수 있다. 반사층(913)은, 은(Ag)으로 형성되는 것이 바람직하다.
층간 절연막(inter-layer dielectric)(914)은, 반사층(913) 상에 형성될 수 있다.
복수의 마이크로 LED 칩(920)는, 유연 전도 기판(912) 상에 형성될 수 있다. 복수의 마이크로 LED 칩(920) 각각은, 솔더(solder) 또는 도전볼(ACF : Anisotropic Conductive Film)을 통해 반사층(913) 또는 유연 전도 기판(930)에 접착될 수 있다.
한편, 마이크로 LED 칩(920)은, 칩의 사이즈가 10-100㎛인 LED 칩을 의미할 수 있다.
광 스페이서(916)는, 층간 절연막(914) 상에 형성될 수 있다. 광 스페이스(916)는, 복수의 마이크로 LED 칩(920)와 형광층(917)과 이격 거리를 유지하기 위한 것으로, 절연 물질로 구성될 수 있다.
형광층(917)은, 광 스페이서(916) 상에 형성될 수 있다. 형광층(917)은, 형광체가 골고루 분산된 레진으로 형성될 수 있다. 형광체에는 마이크로 LED 칩(920)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 적어도 하나가 적용될 수 있다.
즉, 형광체는 마이크로 LED 칩(920)에서 방출되는 제1 빛을 가지는 광에 의해 여기 되어 제2 빛을 생성할 수 있다.
컬러 필터 필름(918)은, 형광층(917) 상에 형성될 수 있다. 컬러 필터 필름(918)은, 형광층(917)을 거친 광에 소정의 색을 구현할 수 있다. 컬러 필터 필름(918)은, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 중 적어도 어느 하나 또는 이들의 조합으로 형성되는 색을 구현할 수 있다.
커버 필름(919)은, 컬러 필터 필름(918) 상에 형성될 수 있다. 커버 필름(919)은, 어레이(200)를 보호할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 어레이 모듈을 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 6을 참조하면, 광생성부(160)는, 복수의 어레이를 포함하는 어레이 모듈(200m)을 포함할 수 있다.
예를 들면, 광생성부(160)는, 제1 어레이(210) 및 제2 어레이(220)을 포함할 수 있다.
제1 어레이(210)는, 복수의 마이크로 LED 칩의 배치 간격, 복수의 마이크로 LED 칩의 배치 위치, 복수의 마이크로 LED의 밀도 중 적어도 어느 하나가 제2 어레이(220)와 상이할 수 있다.
제2 어레이(220)는, 복수의 마이크로 LED 칩의 배치 간격, 복수의 마이크로 LED 칩의 배치 위치 및 복수의 마이크로 LED의 밀도 중 적어도 어느 하나가 제1 어레이(210)와 상이할 수 있다.
여기서, 복수의 마이크로 LED 칩의 밀도는, 단위 면적당 마이크로 LED칩의 배치 갯수를 의미한다.
제1 어레이(210)는, 제1 그룹의 마이크로 LED 칩이 제1 패턴으로 배치될 수 있다.
제1 패턴은, 제1 그룹의 마이크로 LED 칩의 배치 간격, 제1 그룹의 마이크로 LED 칩의 배치 위치, 제1 그룹의 마이크로 LED의 밀도 중 적어도 어느 하나에 의해 결정될 수 있다.
제1 어레이(210)에 포함되는 복수의 마이크로 LED 칩은, 제1 간격으로 배치될 수 있다.
제1 그룹에 포함되는 복수의 마이크로 LED 칩은, 제1 간격으로 배치될 수 있다.
제2 어레이(210)는, 제2 그룹의 마이크로 LED 칩이 제1 패턴과 다른 제2 패턴으로 배치될 수 있다.
제2 패턴은, 제2 그룹의 마이크로 LED 칩의 배치 간격, 제2 그룹의 마이크로 LED 칩의 배치 위치, 제2 그룹의 마이크로 LED의 밀도 중 적어도 어느 하나에 의해 결정될 수 있다.
제2 어레이(220)에 포함되는 복수의 마이크로 LED 칩은, 제1 어레이(210)에 포함되는 복수의 마이크로 LED 칩의 배치 간격과 같은 간격으로 배치될 수 있다.
제2 그룹에 포함되는 복수의 마이크로 LED 칩은, 제1 그룹에 포함되는 복수의 마이크로 LED 칩의 배치 간격과 같은 간격으로 배치될 수 있다.
즉, 제2 그룹에 포함되는 복수의 마이크로 LED 칩은, 제1 간격으로 배치될 수 있다.
제2 그룹에 포함되는 복수의 마이크로 LED 칩은, 제1 그룹에 포함되는 복수의 마이크로 LED 칩과, 수직 방향 또는 수평 방향으로 겹쳐지지 않게 배치될 수 있다.
예를 들면, 제1 어레이(210)와 제2 어레이(220)이 겹쳐진 상태로 위에서 볼때, 제2 그룹의 마이크로 LED 칩과 겹쳐지지 않도록 제1 그룹의 마이크로 LED 칩이 제1 어레이(210)에 배치될 수 있다.
예를 들면, 제2 어레이(220)와 제1 어레이(210)이 겹쳐진 상태로 위에서 볼때, 제1 그룹의 마이크로 LED 칩과 겹쳐지지 않도록 제2 그룹의 마이크로 LED 칩이 제2 어레이(210)에 배치될 수 있다.
이와 같은 배치를 통해, 제2 그룹의 마이크로 LED 칩의 광출력에 대한 제1 그룹의 마이크로 LED 칩에 의한 간섭을 최소화할 수 있다.
실시예에 따라, 광생성부(160)는, 3개 이상의 어레이를 포함할 수도 있다.
도 7a는 본 발명의 실시예에 따라 위에서 본 서로 겹쳐진 상태의 어레이 모듈을 예시한다.
도 7b는 본 발명의 실시예에 따라 옆에서 본 서로 겹쳐진 상태의 어레이 모듈을 예시한다.
도 7a 내지 도 7b를 참조하면, 프로세서(170)는, 어레이 모듈(200m)을 영역(201 내지 209)별로 제어할 수 있다.
프로세서(170)는, 어레이 모듈(200m)을 영역 별로 제어 함으로써 배광 패턴을 조절할 수 있다.
어레이 모듈(200m)은, 복수의 영역(201 내지 209)로 구분될 수 있다.
프로세서(270)는, 복수의 영역(201 내지 209) 각각에 공급되는 전기 에너지의 양을 조절할 수 있다.
프로세서(170)는, 어레이 모듈(200m)을 레이어 별로 제어할 수 있다.
프로세서(270)는, 어레이 모듈(200m)을 레이어 별로 제어함으로써, 출력광의 광량을 조절할 수 있다.
어레이 모듈(200m)은, 복수의 레이어로 구성될 수 있다. 각각의 레이어는, 복수의 어레이 각각에 의해 구성될 수 있다.
예를 들면, 제1 어레이에 의해 어레이 모듈(200m)의 제1 레이어가 형성되고, 제2 어레이에 의해 어레이 모듈(200m)의 제2 레이어가 형성될 수 있다.
프로세서(270)는, 복수의 레이어 각각에 공급되는 전기 에너지의 양을 조절할 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른, 복수의 마이크로 LED 칩이 배치되는 어레이 모듈을 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 8에서는, 어레이 모듈(200m)에 포함된 제1 어레이(210) 및 제2 어레이(220)을 예시하나, 어레이 모듈(200m)은, 3개 이상의 어레이를 포함할 수도 있다.
도 8을 참조하면, 어레이 모듈(200m)은, 폴리 이미드 층(911), 제1 어레이(210), 제2 어레이(220)을 포함할 수 있다.
실시예에 따라, 어레이 모듈(200m)은, 형광층(917), 컬러 필터 필름(918) 및 커버 필름(919)을 각각 또는 조합하여 더 포함할 수 있다.
폴리 이미드 층(911)는, 플렉서블 하게 형성될 수 있다.
제2 어레이(220)는, 베이스(911) 상에 위치할 수 있다.
실시예에 따라, 폴리 이미드 층(911) 및 제2 애노드(912b)로 구성되는 층은 베이스로 명명될 수 있다.
실시예에 따라, 폴리이미드 층(911)은, 베이스로 명명될 수 있다.
제2 어레이(220)는, 제1 어레이(210)과 베이스(911) 사이에 위치할 수 있다.
제2 어레이(220)는, 제2 애노드(anode)(912b), 반사층(913), 제2 층간 절연막(inter-layer dielectric)(914b), 제2 그룹 마이크로 LED 칩(920b), 제2 광 스페이서(916b), 제2 캐소드(cathode)(915b)를 포함할 수 있다.
제2 애노드(912b)는, 유연 전도 기판일 수 있다. 제2 애노드(912b)는, 구리로 형성될 수 있다.
제2 애노드(912b) 및 제2 캐소드(915b)는, 투과성 전극일 수 있다.
제2 애노드(912b)는 및 제2 캐소드(915b)는 투명 전극으로 명명될 수 있다.
제2 어레이(220)은, 투명 전극을 포함할 수 있다.
제2 애노드(912b) 및 제2 캐소드(915b)는, 금속 재질, 예를 들어, 니켈(Ni), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 바나듐(V), 코발트(Co), 니오브(Nb), 지르코늄(Zr), 산화인듐주석(ITO, Indium Tin Oxide), 알루미늄산화아연(AZO, aluminum zinc oxide), 인듐 아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 중 어느 하나 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
제2 애노드(912b)는, 베이스(911) 및 반사층(913) 사이에 형성될 수 있다.
제2 캐소드(915b)는, 제2 층간 절연막(914b) 상에 형성될 수 있다.
반사층(913)은, 제2 애노드(912b) 상에 형성될 수 있다. 반사층(913)은, 복수의 마이크로 LED 칩(920)에서 생성되는 광을 반사시킬 수 있다. 반사층(913)은, 은(Ag)으로 형성되는 것이 바람직하다.
제2 층간 절연막(inter-layer dielectric)(914b)은, 반사층(913) 상에 형성될 수 있다.
제2 그룹의 마이크로 LED 칩(920b)는, 제2 애노드(912b) 상에 형성될 수 있다. 제2 그룹의 마이크로 LED 칩(920b) 각각은, 솔더(solder) 또는 도전볼(ACF : Anisotropic Conductive Film)을 통해 반사층(913) 또는 제2 애노드(912b) 상에 접착될 수 있다.
제2 광 스페이서(916b)는, 제2 층간 절연막(914b) 상에 형성될 수 있다. 광 스페이서(916b)는, 제2 그룹의 마이크로 LED 칩(920b)와 제1 어레이(210)과 이격 거리를 유지하기 위한 것으로, 절연 물질로 구성될 수 있다.
제1 어레이(210)은, 제2 어레이(220) 상에 형성될 수 있다.
제1 어레이(210)은, 제1 애노드(anode)(912a), 제1 층간 절연막(inter-layer dielectric)(914b), 제1 그룹 마이크로 LED 칩(920a), 제1 광 스페이서(916a), 제1 캐소드(cathod)(915a)를 포함할 수 있다.
제1 애노드(912a)는, 유연 전도 기판일 수 있다. 제1 애노드(912a)는, 구리로 형성될 수 있다.
제1 애노드(912a) 및 제1 캐소드(915a)는, 투과성 전극일 수 있다.
제1 애노드(912a) 및 제1 캐소드(915a)는, 투명 전극으로 명명될 수 있다.
제1 어레이(210)은 투명 전극을 포함할 수 있다.
제1 애노드(912a) 및 제1 캐소드(915a)는, 금속 재질, 예를 들어, 니켈(Ni), 백금(Pt), 루테늄(Ru), 이리듐(Ir), 로듐(Rh), 탄탈(Ta), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 은(Ag), 텅스텐(W), 구리(Cu), 크롬(Cr), 팔라듐(Pd), 바나듐(V), 코발트(Co), 니오브(Nb), 지르코늄(Zr), 산화인듐주석(ITO, Indium Tin Oxide), 알루미늄산화아연(AZO, aluminum zinc oxide), 인듐 아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 중 어느 하나 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다.
제1 애노드(912a)는, 제2 광스페이서(916b) 및 제1 층간 절연막(914a) 사이에 형성될 수 있다.
제1 캐소드(915a)는, 제1 층간 절연막(914a) 상에 형성될 수 있다.
제1 층간 절연막(inter-layer dielectric)(914a)은, 제1 애노드(912a) 상에 형성될 수 있다.
제1 그룹의 마이크로 LED 칩(920a)는, 제1 애노드(912a) 상에 형성될 수 있다. 제1 그룹의 마이크로 LED 칩(920a) 각각은, 솔더(solder) 또는 도전볼(ACF : Anisotropic Conductive Film)을 통해 제1 애노드(912a) 상에 접착될 수 있다.
제1 광 스페이서(916a)는, 제1 층간 절연막(914a) 상에 형성될 수 있다. 광 스페이서(916a)는, 제1 그룹의 마이크로 LED 칩(920a)와 형광층(917)과 이격 거리를 유지하기 위한 것으로, 절연 물질로 구성될 수 있다.
형광층(910)은, 제1 어레이(210) 및 제2 어레이(220) 상에 형성될 수 있다.
형광층(917)은, 제1 광 스페이서(916a) 상에 형성될 수 있다. 형광층(917)은, 형광체가 골고루 분산된 레진으로 형성될 수 있다. 형광체에는 제1 및 제2 그룹의 마이크로 LED 칩(920a, 920b)에서 방출되는 광의 파장에 따라 청색 발광 형광체, 청록색 발광 형광체, 녹색 발광 형광체, 황녹색 발광 형광체, 황색 발광 형광체, 황적색 발광 형광체, 오렌지색 발광 형광체, 및 적색 발광 형광체중 적어도 하나가 적용될 수 있다.
형광체(917)는 제1 및 제2 마이크로 LED 칩(920a, 920b)에서 방출되는 광의 파장을 변경시킬 수 있다.
형광체(917)는, 제1 그룹의 마이크로 LED 칩(920a)에서 생성되는 제1 광 및 제2 그룹의 마이크로 LED 칩(920b)에서 생성되는 제2 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
컬러 필터 필름(918)은, 형광층(917) 상에 형성될 수 있다. 컬러 필터 필름(918)은, 형광층(917)을 거친 광에 소정의 색을 구현할 수 있다. 컬러 필터 필름(918)은, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B) 중 적어도 어느 하나 또는 이들의 조합으로 형성되는 색을 구현할 수 있다.
커버 필름(919)은, 컬러 필터 필름(918) 상에 형성될 수 있다. 커버 필름(919)은, 어레이 모듈(200m)을 보호할 수 있다.
한편, 제2 어레이(220)에 포함되는 복수의 마이크로 LED 칩(920b)는, 제1 어레이(210)에 포함되는 복수의 마이크로 LED 칩(920a)와 수직 방향 또는 수평 방향으로, 겹쳐지지 않게 배치될 수 있다.
제2 그룹에 포함되는 복수의 마이크로 LED 칩(920b)는, 제1 그룹에 포함되는 복수의 마이크로 LED 칩(920a)와 수직 방향 또는 수평 방향으로 겹쳐지지 않게 배치될 수 있다.
수직 방향은, 어레이 모듈(200m)이 적층되는 방향일 수 있다.
제1 및 제2 그룹의 마이크로 LED 칩(920a, 920b)는, 수직 방향으로 광을 출력할 수 있다.
수평 방향은, 제1 및 제2 그룹의 마이크로 LED 칩(920a, 920b)가 배치되는 방향일 수 있다.
수평 방향은, 베이스(911), 제1 및 제2 애노드(912a, 912b) 또는 형광층(917)이 연장되는 방향일 수 있다.
한편, 차량용 램프(100)는, 어레이 모듈(200m)에 전력을 공급하는 배선을 더 포함할 수 있다.
예를 들면, 차량용 램프(100)는, 제1 배선(219) 및 제2 배선(229)을 포함할 수 있다.
제1 배선(219)은, 제1 어레이(210)에 전력을 공급할 수 있다. 제1 배선(219)은, 한쌍으로 이루어질 수 있다. 제1 배선(219)은, 제1 애노드(912a) 및/또는 제1 캐소드(915a)에 연결될 수 있다.
제2 배선(229)은, 제2 어레이(220)에 전력을 공급할 수 있다. 제2 배선(229)은, 한쌍으로 이루어질 수 있다. 제2 배선(229)은, 제2 애노드(912b) 및/또는 제2 캐소드(915b)에 연결될 수 있다.
제1 배선 및 제2 배선은, 서로 겹쳐지지 않게 배치될 수 있다.
도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 바와 같이, 차량용 램프(100)는, 복수의 마이크로 LED(micro light emitting diode) 칩이 배치되는 어레이 모듈(200m)을 포함할 수 있다.
도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 어레이 모듈(200m)은 마이크로 LED 페어(1000)를 포함할 수 있다.
이하에서, 마이크로 LED 페어(1000)에 대해 도면을 참조하여 설명한다.
도 9a 내지 도 9b는 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 LED 페어를 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 9a는 마이크로 LED 페어(1000)에 포함되는 제1 마이크로 LED 칩(1010) 및 제2 마이크로 LED 칩(1020)을 예시한다.
도 9b는 마이크로 LED 페어(1000)의 개념도이다.
도 9a 내지 도 9b를 참조하면, 복수의 마이크로 LED 페어(1000)는, 제1 마이크로 LED 칩(1010) 및 제2 마이크로 LED 칩(1020)을 포함할 수 있다.
제1 마이크로 LED 칩(1010)은, 래터럴 칩(lateral chip)으로 구성될 수 있다.
제1 마이크로 LED 칩(1010)의 어느 하나의 전극은, 제2 마이크로 LED 칩(1020)의 전극 중 어느 하나와 직접 접촉할 수 있다.
제1 마이크로 LED 칩(1010)은, 제1 양극(1011) 및 제1 음극(1012)을 포함할 수 있다.
제1 양극(1011)은, 제2 양극(1021) 및 제2 음극(1022) 중 어느 하나와 직접 접촉할 수 있다.
제1 음극(1012)은, 제2 양극(1021) 및 제2 음극(1022) 중 어느 하나와 직접 접촉할 수 있다.
제2 마이크로 LED 칩(1020)은, 플립 칩(flip chip) 또는 버티컬 칩(vertical chip)으로 구성될 수 있다.
제2 마이크로 LED 칩(1020)의 어느 하나의 전극은, 제1 마이크로 LED 칩(1010)의 전극 중 어느 하나와 직접 접촉할 수 있다.
제2 마이크로 LED 칩(1020)은, 제2 양극(1021) 및 제2 음극(1022)을 포함할 수 있다.
제2 양극(1021)은, 제1 양극(1011) 및 제1 음극(1012) 중 어느 하나와 직접 접촉할 수 있다.
제2 음극(1022)은, 제1 양극(1011) 및 제1 음극(1012) 중 어느 하나와 직접 접촉할 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 마이크로 LED 페어를 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 10을 참조하면, 제1 양극(1011)은, 제1 마이크로 LED 칩(1010)의 높이 방향을 기준으로, 제1 음극(1012)과 제1 거리(1012)만큼 단차진 위치에 배치될 수 있다.
제2 양극(1021)은, 제2 마이크로 LED 칩(1020)의 높이 방향을 기준으로 제2 음극(1022)과 제1 거리(1014)만큼 단차진 위치에 배치될 수 있다.
제1 거리(1014)는, 제1 마이크로 LED 칩(1010) 높이(1013) 및 제2 마이크로 LED 칩 높이(1020)의 절반일 수 있다.
이와 같은 구조로 인해, 마이크로 LED 페어의 윗면과 아랫면에 단차가 형성되지 않아, 복수의 레이어 배치가 유리한 장점이 있다.
도 11a 내지 도 12b은 본 발명의 실시예에 따른 복수의 마이크로 LED 페어의 배치 패턴 및 배선을 설명하는데 참조되는 도면이다.
복수의 마이크로 LED 페어(1000)의 배치 패턴은, 마이크로 LED 페어(1000)의 형상에 기초하여 결정될 수 있다.
예를 들면, 위에서 볼때, 마이크로 LED 페어(1000)는 2개의 사각형이 사선 방향으로 서로 일부 겹쳐지는 형상을 가질 수 있다. 이경우, 복수의 마이크로 LED 페어(1000)는, 위에서 볼때, 상호간 사선 방향으로 배치될 수 있다. 이와 같은 배치로 인해, 어레이 모듈(200m) 상에 배치되는 마이크로 LED 페어(1000)의 밀도가 높아져 광량 확보에 유리하게 된다.
도 11a는 본 발명의 실시예에 따라 복수의 마이크로 LED 페어에서 생성된광이 입사되는 영역에서 마이크로 LED 페어를 본 모습을 예시하고, 도 11b는, 복수의 마이크로 LED 페어 중, 제1 마이크로 LED 페어 및 제2 마이크로 LED 페어를 도 11a의 화살표 방향(1190)에서 본 모습을 예시한다.
도 11a 내지 도 11b를 참조하면, 어레에 모듈(200m)은, 베이스(911)를 더 포함할 수 있다.
베이스(911)는, 복수의 마이크로 LED 페어(1000a, 1000b)가 배치될 수 있다.
도 11a에는, 베이스(911)에 6개의 마이크로 LED 페어가 배치되는 것으로 예시되나, 베이스(911)에 배치되는 마이크로 LED 페어에 갯수는 제한되지 않는다.
복수의 마이크로 LED 페어는, 제1 마이크로 LED 페어(1000a) 및 제2 마이크로 LED 페어(1000b)를 포함할 수 있다.
제1 마이크로 LED 페어(1000a)는, 베이스(911) 상에서, 제2 마이크로 LED 페어(1000b)의 사선 방향에 배치될 수 있다.
제2 마이크로 LED 페어(1000b)는, 베이스(911) 상에서, 제1 마이크로 LED 페어(1000b)의 사선 방향(1130)에 배치될 수 있다.
어레이 모듈(200m)은, 배선(1140)을 더 포함할 수 있다.
배선(1140)은, 복수의 마이크로 LED 페어(1000a, 1000b)에 연결될 수 있다.
배선(1140)의 패턴은, 복수의 마이크로 LED 페어(1000a, 1000b)의 형상에 기초하여 결정될 수 있다.
배선(1140)의 패턴은, 복수의 마이크로 LED 페어(1000)의 배치 패턴에 기초하여 결정될 수 있다.
배선(1140)은, 서브 배선(1146) 및 메인 배선(1141)을 포함할 수 있다.
서브 배선(1146)은, 복수의 마이크로 LED 페어(1000a, 1000b)에 각각 연결될 수 있다.
서브 배선(1146)의 일단은, 복수의 마이크로 LED 페어 중 어느 하나와 연결될 수 있다.
서브 배선(1146)의 타단은, 복수의 마이크로 LED 페어 중 다른 하나와 연결되거나, 메인 배선(1141)과 연결될 수 있다.
서브 배선(1146)은, 복수의 마이크로 LED 페어(1000a, 1000b) 각각의 길이 방향 또는 폭방향으로 연장될 수 있다.
메인 배선(1141)은, 복수의 서브 배선(1146)과 연결될 수 있다.
메인 배선(1141)은, 복수의 서브 배선(1146)과 연결되어 접점을 형성할 수 있다.
메인 배선(1141)은, 전원 공급부(195)에 연결될 수 있다.
메인 배선(1141)은, 복수의 마이크로 LED 페어(1000a, 1000b) 각각의 제1 꼭지점(1150)을 연결한 가상의 선(1151)과 평행하게 연장될 수 있다.
이와 같은 배선의 패턴에 의해, 어레이 모듈(200m) 상에 배치되는 마이크로 LED 페어(1000)의 밀도가 높아져 광량 확보에 유리하게 된다.
한편, 도 11a 및 도 11b의 복수의 마이크로 LED 페어는 일괄적으로 턴오프(turn off) 또는 턴온(turn on) 될 수 있다.
도 12a는 본 발명의 실시예에 따라 복수의 마이크로 LED 페어에서 생성된광이 입사되는 영역에서 마이크로 LED 페어를 본 모습을 예시하고, 도 12b는, 복수의 마이크로 LED 페어 중, 제1 마이크로 LED 페어 및 제2 마이크로 LED 페어를 도 12a의 화살표 방향(1290)10에서 본 모습을 예시한다.
도 12a 내지 도 12b를 참조하면, 어레이 모듈(200m)은, 복수의 그룹으로 구분된 마이크로 LED 페어를 포함할 수 있다.
어레이 모듈(200m)은, 제1 그룹의 마이크로 LED 페어(1210) 및 제2 그룹의 마이크로 LED 페어(1220)를 포함할 수 있다.
제1 그룹의 마이크로 LED 페어(1000a1, 1000a2) 각각의 배치 간격(a)은, 제1 그룹의 마이크로 LED 페어(1210)와 제2 그룹의 마이크로 LED 페어(1220)간의 배치 간격(b)보다 더 좁을 수 있다.
도 12a 및 도 12b의 복수의 마이크로 LED 페어는 그룹별로 턴오프(turn off) 또는 턴온(turn on) 될 수 있다.
그룹별로 턴오프 또는 턴온되도록 제어하기 위해서, 제1 그룹의 마이크로 LED 페어(1210)와 제2 그룹의 마이크로 LED 페어(1220) 사이에 메인 배선(1141)이 배치되어야 한다.
제1 그룹의 마이크로 LED 페어(120)와 제2 그룹의 마이크로 LED 페어(1220) 사이에, 메인 배선(1141)이 배치되는 공간이 요구되기 때문에, 제1 그룹의 마이크로 LED 페어(1210)와 제2 그룹의 마이크로 LED 페어(1220)간의 배치 간격(b)이 제1 그룹의 마이크로 LED 페어(1000a1, 1000a2) 각각의 배치 간격(a)보다 더 넓다.
도 13 내지 도 15는 본 발명의 실시예에 따른 어레이 모듈을 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 13은, 하나의 레이어로 구성된 어레이 모듈의 앞에서 본 모습을 예시한다.
도 13을 참조하면, 어레이 모듈(200m)은, 베이스(911) 및 제1 어레이(1310)를 포함할 수 있다.
베이스(911)는, 폴리이미드(PI : polyimde) 등의 재질로 형성될 수 있다.
실시예에 따라, 베이스(911)는, 폴리이미드(PI : polyimde) 및 폴리이미드 상에 배치되는 유연 전도 기판을 포함하는 개념일 수 있다.
제1 어레이(1310)는, 베이스(911) 상에 배치될 수 있다.
예를 들면, 베이스(911) 상에 복수의 마이크로 LED 페어(1000)가 전사됨으로써, 제1 어레이(1310)를 구성할 수 있다.
제1 어레이(1310)는, 복수의 마이크로 LED 페어(1000)를 포함할 수 있다.
도 13에는, 개략적으로 4개의 마이크로 LED 페어(1000a, 1000b, 1000c, 1000d)를 예시하지만, 마이크로 LED 페어(1000)의 개수는 제한되지 않는다.
어레이 모듈(200m)은, 히트 싱크(1310)를 더 포함할 수 있다.
히트 싱크(1310)는, 베이스(911)의 아래에 배치될 수 있다.
히트 싱크(1310)는, 베이스(911)에 접촉되어, 복수의 마이크로 LED 페어(1000)에서 발생되는 열을 처리할 수 있다.
도 14는, 2개의 레이어로 구성된 어레이 모듈을 앞에서 본 모습을 예시한다.
도 15는, 2개의 레이어로 구성된 어레이 모듈을 위에서 본 모습을 예시한다.
도 14 내지 도 15를 참조하면, 어레이 모듈(200m)은, 베이스(911), 제1 어레이(1410), 제2 어레이(1420)를 포함할 수 있다.
베이스(911)는, 상술한 내용이 적용될 수 있다.
제1 어레이(1410)는, 제2 어레이(1420) 상에 배치될 수 있다.
제1 어레이(1410)에는, 복수의 마이크로 LED 페어(1000)가 배치될 수 있다.
제2 어레이(1420)는, 베이스(911) 상에 배치될 수 있다.
제2 어레이(1420)에는, 복수의 마이크로 LED 칩(920)이 배치될 수 있다.
제2 어레이(1420)에서 복수의 마이크로 LED 칩(920)의 배치 패턴은, 복수의 마이크로 LED 페어(1000)의 배치 패턴에 기초하여 결정될 수 있다.
예를 들면, 제2 어레이(1420)에 배치되는 복수의 마이크로 LED 칩(920)은, 제1 어레이(1410)에 배치되는 복수의 마이크로 LED 페어(1000)와 광 출력 방향으로 겹쳐지지 않게 배치될 수 있다.
광출력 방향은, 제1 어레이(1410) 및 제2 어레이(1420) 중 적어도 어느 하나에서 생성되는 광의 출력 방향을 의미한다.
한편, 실시예에 따라, 제2 어레이(1410)에는, 복수의 마이크로 LED 페어(1000)가 배치될 수도 있다.
제1 어레이(1410) 및 제2 어레이(1420)는 일괄적으로 턴 온, 턴 오프 제어될 수 있다.
제1 어레이(1410)와 제2 어레이(1420)는, 전기적으로 직렬 연결될 수 있다.
예를 들면, 제1 어레이(1410)에 배치되는 복수의 마이크로 LED 페어(1000) 중 어느 하나는, 제2 어레이(1420)에 배치되는 복수의 마이크로 LED 칩(920) 중 적어도 어느 하나와 직렬로 연결될 수 있다.
예를 들면, 제2 어레이(1420)에 배치되는 복수의 마이크로 LED 칩(920) 중 어느 하나는, 제1 어레이(1410)에 배치되는 복수의 마이크로 LED 페어(1000) 중 적어도 어느 하나와 직렬로 연결될 수 있다.
실시예에 따라, 제1 어레이(1410)와 제2 어레이(1420)는, 전기적으로 병렬 연결될 수도 있다.
제1 어레이(1410) 및 제2 어레이(1420)는 개별적으로 턴 온, 턴 오프 제어될 수 있다.
제1 어레이(1410)에 배치되는 복수의 마이크로 LED 페어(1000)는, 제1 양극 배선 및 제1 음극 배선에 전기적으로 연결되고, 제2 어레이(1420)에 배치되는 복수의 마이크로 LED 칩(920)은, 제2 양극 배선 및 제2 음극 배선에 전기적으로 연결될 수 있다.
이와 같이, 제1 어레이(1410) 및 제2 어레이(1420)가 각각 다른 양극 배선과 음극 배선에 연결됨으로써, 제1 어레이(1410) 및 제2 어레이(1420) 각각 개별적인 제어가 가능하게 된다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따른 복수의 마이크로 LED 페어 및 복수의 마이크로 LED 칩의 전극 배치를 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 16을 참조하면, 제1 어레이(1410)에 배치되는 복수의 마이크로 LED 페어(1000) 각각은, 제1a 전극(1610a) 및 제1b 전극(1610b)을 포함할 수 있다.
제1a 전극(1610a) 및 제1b 전극(1610b) 중 어느 하나는 양극 다른 하나는 음극이다.
제2 어레이(1420)에 배치되는 복수의 마이크로 LED 칩(920) 각각은, 제2a 전극(1620a) 및 제2b 전극(1620b)을 포함할 수 있다.
제2a 전극(1620a) 및 제2b 전극(1620b) 중 어느 하나는 양극 다른 하나는 음극이다.
제2b 전극은, 제2 어레이(1420)에 배치되는 마이크로 LED 칩(920)의 하단면에 위치할 수 있다.
제2b 전극은, 배선 상에 위치하여, 배선과 직접 접촉될 수 있다.
도 17a 내지 도 17c는 본 발명의 실시예에 따른 어레이 모듈을 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 17a 내지 도 17c를 참조하면, 어레이 모듈(200m)은, 제1 절연층(1710), 반사층(1715), 제2 절연층(1720) 및 제3 절연층(1730)은, 개별적으로 또는 조합하여 더 포함할 수 있다.
제1 절연층(1710)은, 광출력 방향으로, 제2a 전극(1620a)과 제2b 전극(1620b) 사이에 배치될 수 있다.
제1 절연층(1710)은, 제2a 전극(1620a)과 제2b 전극(1620b)를 절연한다.
제1 절연층(1710)은, 제2 절연층(1720) 및 제3 절연층(1730)보다 방열 특성이 더 좋은 재질로 형성될 수 있다.
실시예에 따라, 제1 절연층(1710)은, 불투명 재질로 형성될 수 있다. 예를 들면, 제1 절연층(1710)은, 흰색 재질로 형성될 수 있다. 제1 절연층(1710)이 흰색 재질로 형성되는 경우, 제1 레이어(1410)로부터 입사되는 광을 광출력 방향으로 반사시킬 수 있다.
실시예에 따라, 제1 절연층(1710)은, 투명 재질로 형성될 수 있다.
반사층(1715)은 제1 절연층(1710) 상에 배치될 수 있다.
실시예에 따라, 반사층(1715)은, 불투명 재질로 형성된 제1 절연층(1710) 상에 배치될 수 있다.
실시예에 따라, 반사층(1715)은, 투명 재질로 형성된 제1 절연층(1710) 상에 배치될 수 있다.
제2 절연층(1720)은, 광출력 방향으로, 제1 절연층(1710)과 제1b 전극(1610b) 사이에 배치될 수 있다.
제2 절연층(1720)은, 제1 어레이(1410)와 제2 어레이(1420)를 절연한다.
제2 절연층(1720)은, 투명 재질로 형성될 수 있다.
제2 절연층(1720)이 투명 재질로 형성됨으로써, 제1 절연층(1710) 또는 반사층(1715)에 의해 반사되는 광이 손실되지 않게된다.
제2 절연층(1720)은, 제1 어레이(1410)에 포함된 마이크로 LED 페어(1000)보다 아래에 배치될 수 있다.
제3 절연층(1730)은, 광출력 방향으로, 제2 절연층(1720)과 제1a 전극(1610a) 사이에 배치될 수 있다.
제3 절연층(1730)은, 제1a 전극(1610a)과 제1b 전극(1610b)을 절연한다.
제3 절연층(1730)은, 투명 재질로 형성될 수 있다.
제3 절연층(1730)이 투명 재질로 형성됨으로써, 제1 절연층(1710) 또는 반사층(1715)에 의해 반사되는 광이 손실되지 않게된다.
제3 절연층(1730)의 높이는, 제1 어레이(1410)에 포함된 마이크로 LED 페어(1000)의 높이보다 작을 수 있다.
도 18a 내지 도 18d는 본 발명의 실시예에 따른 어레이 모듈을 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 18a을 참조하면, 어레이 모듈(200m)은, 제1 마이크로 LED 페어(1000a) 및 제2 마이크로 LED 페어(1000b)를 포함할 수 있다.
제1 마이크로 LED 페어(1000a)와 제2 마이크로 LED 페어(1000b)는 서로 같은 종류의 전극이 서로 마주보게 배치될 수 있다.
한편, 서로 같은 종류의 전극이 마주보게 배치된제1 마이크로 LED 페어(1000a)와 제2 마이크로 LED 페어(1000b)는 마이크로 LED 페어 모듈(1800)로 명명될 수 있다.
예를 들면, 제1 마이크로 LED 페어(1000a)와 제2 마이크로 LED 페어(1000b)는, 양극이 서로 마주보게 배치될 수 있다. 제1 마이크로 LED 페어(1000a)의 양극과 제2 마이크로 LED 페어(1000b)의 양극은 하나의 배선으로 연결되고, 제1 마이크로 LED 페어(1000a)의 음극과 제2 마이크로 LED 페어(1000b)의 음극은 다른 배선으로 연결될 수 있다. 이경우, 제1 마이크로 LED 페어(1000a)의 음극과 제2 마이크로 LED 페어(1000b)의 음극에 흐르는 전류를 개별적으로 제어함으로써 제1 마이크로 LED 페어(1000a)와 제2 마이크로 LED 페어(1000b)를 개별적으로 턴온, 턴오프 제어할 수 있다.
예를 들면, 제1 마이크로 LED 페어(1000a)와 제2 마이크로 LED 페어(1000b)는, 음극이 서로 마주보게 배치될 수 있다. 제1 마이크로 LED 페어(1000a)의 음극과 제2 마이크로 LED 페어(1000b)의 음극은 하나의 배선으로 연결되고, 제1 마이크로 LED 페어(1000a)의 양극과 제2 마이크로 LED 페어(1000b)의 양극은 다른 배선으로 연결될 수 있다. 이경우, 제1 마이크로 LED 페어(1000a)의 양극과 제2 마이크로 LED 페어(1000b)의 양극에 흐르는 전류를 개별적으로 제어함을쏘, 제1 마이크로 LED 페어(1000a)와 제2 마이크로 LED 페어(1000b)를 개별적으로 턴온, 턴오프 제어할 수 있다.
어레이 모듈(200m)은, 하나의 어레이를 포함할 수 있다.
하나의 어레이는, 마이크로 LED 페어(1000), 마이크로 LED 페어 모듈(1800) 및 마이크로 LED 칩(250)이 각각 단일적으로 배치되거나 혼재되어 배치될 수 있다.
도 18b에 예시된 바와 같이, 어레이 모듈(200m)은 하나 이상의 마이크로 LED 페어 모듈(1800)과 하나 이상의 마이크로 LED 페어(1000)가 혼재되어 배치된 어레이를 포함할 수 있다.
도 18c에 예시된 바와 같이, 어레이 모듈(200m)은 하나 이상의 마이크로 LED 페어 모듈(1800)이 배치된 어레이를 포함할 수 있다.
실시예에 따라, 어레이 모듈(200m)은, 하나 이상의 마이크로 LED 페어 모듈(1800)과 하나 이상의 LED 칩(250)이 혼재되어 배치된 어레이를 포함할 수 있다.
실시예에 따라, 어레이 모듈(200m)은, 하나 이상의 마이크로 LED 모듈(1000)과 하나 이상의 LED 칩(250)이 혼재되어 배치된 어레이를 포함할 수 있다.
어레이 모듈(200m)은, 제1 어레이 및 제2 어레이를 포함할 수 있다.
제1 어레이는, 마이크로 LED 페어(1000), 마이크로 LED 페어 모듈(1800) 및 마이크로 LED 칩(250)이 각각 단일적으로 배치되거나 혼재되어 배치될 수 있다.
제2 어레이는, 마이크로 LED 페어(1000), 마이크로 LED 페어 모듈(1800) 및 마이크로 LED 칩(250)이 각각 단일적으로 배치되거나 혼재되어 배치될 수 있다.
도 18d에 예시된 바와 같이,, 어레이 모듈(200m)은, 하나 이상의 마이크로 LED 페어 모듈(1800)이 배치된 제1 어레이 및 하나 이상의 마이크로 LED 칩(250)이 배치된 제2 어레이를 포함할 수 있다.
실시예에 따라, 어레이 모듈(200m)은, 하나 이상의 마이크로 LED 페어 모듈(1800)이 배치된 제1 어레이 및 하나 이상의 마이크로 LED 모듈(1000)이 배치된 제2 어레이를 포함할 수 있따.
실시예에 따라, 어레이 모듈(200m)은, 하나 이상의 마이크로 LED 페어 모듈(1800)이 배치된 제1 어레이 및 하나 이상의 마이크로 LED 페어 모듈(1800)이 배치된 제2 어레이를 포함할 수 있다.
도 19a 내지 도 19d는 본 발명의 실시예에 따른 어레이 모듈을 설명하는데 참조되는 도면이다.
도 19a 내지 도 19d를 참조하면, 어레이 모듈(200m)은, 격벽 구조(1910)를 더 포함할 수 있다.
격벽 구조(1910)는, 복수의 마이크로 LED 페어(1000) 각각을 사방으로 둘러싸게 형성될 수 있다.
격벽 구조(1910)는, 복수의 마이크로 LED 페어(1000)에서 생성되는 광을 광출력 방향으로 가이드할 수 있다.
격벽 구조(1910)는, 복수의 격벽으로 이루어질 수 있다.
실시예에 따라, 격벽 구조(1910)는, 반사 재질로 형성될 수 있다.
실시예에 따라, 격벽 구조(1910)의 격벽의 내부는 반사 재질로 코팅될 수 있다.
격벽 구조(1910)는, 복수의 마이크로 LED 페어(1000)에서 생성된 광이 유도되는 공간을 외부 공간으로부터 구분할 수 있다.
한편, 격벽 구조(1910)는, 수평 방향으로 연장된 메쉬 형상을 가질 수 있다.
예를 들면, 격벽 구조(1910)는, 광 출력 방향의 단면이 메쉬 형상을 가질 수 있다.
어레이 모듈(200m)은, 형광체(1920)를 더 포함할 수 있다.
형광체(1920)는, 격벽 구조(1910)에 의해 구분된 공간에 도포될 수 있다.
예를 들면, 형광체(1920)는, 격벽 구조(1910)에 의해 구분되는 광 유도 공간에 도포될 수 있다.
어레이 모듈(200m)은, 절연체(1950)를 더 포함할 수 있다.
절연체(1950)는, 도 17a 내지 도 17c를 참조하여 설명한 제1 절연층(1710), 제2 절연층(1720) 및 제3 절연층(1730) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
절연체(1950)는, 복수의 마이크로 LED 페어(1000) 아래에 배치될 수 있다.
절연체(1950)는, 내부에 금속 재질을 수용하는 하나 이상의 홀(1960)을 포함할 수 있다.
여기서, 금속 재질은, 복수의 마이크로 LED 페어(1000)에서 발생되는 열을 외부로 방출시키는 기능을 수행할 수 있다.
상세한 설명은 모든 면에서 제한적으로 해석되어서는 아니되고 예시적인 것으로 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 첨부된 청구항의 합리적 해석에 의해 결정되어야 하고, 본 발명의 등가적 범위 내에서의 모든 변경은 본 발명의 범위에 포함된다.
10 : 차량
100 : 차량용 램프
200m : 어레이 모듈

Claims (23)

  1. 복수의 마이크로 LED(micro light emitting diode) 칩이 배치되는 어레이 모듈을 포함하는 차량용 램프에 있어서,
    상기 어레이 모듈은, 복수의 마이크로 LED 페어를 포함하고,
    상기 마이크로 LED 페어는,
    제1 마이크로 LED 칩; 및
    어느 하나의 전극이, 상기 제1 마이크로 LED 칩의 전극 중 어느 하나와 직접 접촉하는 제2 마이크로 LED 칩; 을 포함하는 차량용 램프.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 마이크로 LED 칩은,
    제1 양극 및 제1 음극을 포함하고,
    상기 제2 마이크로 LED 칩은,
    제2 양극 및 제2 음극을 포함하고,
    상기 제2 양극이 상기 제1 양극 및 상기 제1 음극 중 어느 하나와 직접 접촉하거나,
    상기 제2 음극이 상기 제1 양극 및 상기 제1 음극 중 어느 하나와 직접 접촉하는 차량용 램프.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제1 양극은,
    상기 제1 마이크로 LED 칩의 높이 방향을 기준으로, 상기 제1 음극과 제1 거리만큼 단차진 위치에 배치되고,
    상기 제2 양극은,
    상기 제2 마이크로 LED 칩의 높이 방향을 기준으로, 상기 제2 음극과 상기 제1 거리만큼 단차진 위치에 배치되고,
    상기 제1 거리는,
    상기 제1 마이크로 LED 칩 높이 및 제2 마이크로 LED 칩 높이의 절반인 차량용 램프.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 복수의 마이크로 LED 페어의 배치 패턴은,
    상기 마이크로 LED 페어의 형상에 기초하여 결정되는 차량용 램프.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 어레이 모듈은,
    상기 복수의 마이크로 LED 페어가 배치되는 베이스;를 더 포함하고,
    상기 복수의 마이크로 LED 페어는,
    제1 마이크로 LED 페어; 및
    제2 마이크로 LED 페어;를 포함하고,
    상기 제2 마이크로 LED 페어는,
    상기 베이스 상에서, 상기 제1 마이크로 LED 페어의 사선 방향에 배치되는 차량용 램프.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 어레이 모듈은,
    상기 복수의 마이크로 LED 페어에 연결되는 배선; 더 포함하고,
    상기 배선은,
    상기 복수의 마이크로 LED 페어에 각각 연결되는 서브 배선; 및
    상기 서브 배선과 연결되는 메인 배선;을 포함하는 차량용 램프.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 서브 배선은,
    상기 복수의 마이크로 LED 페어 각각의 길이 방향 또는 폭 방향으로 연장되고,
    상기 메인 배선은,
    상기 복수의 마이크로 LED 페어 각각의 제1 꼭지점을 연결한 가상의 선과 평행하게 연장되는 차량용 램프.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 어레이 모듈은,
    제1 그룹의 마이크로 LED 페어 및 제2 그룹의 마이크로 LED 페어를 포함하고,
    상기 제1 그룹의 마이크로 LED 페어 각각의 배치 간격은,
    상기 제1 그룹의 마이크로 LED 페어와 상기 제2 그룹의 마이크로 LED 페어간의 배치 간격보다 더 좁은 차량용 램프.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 어레이 모듈은,
    상기 복수의 마이크로 LED 페어가 배치되는 제1 어레이; 및
    복수의 마이크로 LED 칩이 배치되는 제2 어레이;를 포함하고,
    상기 제2 어레이에서 복수의 마이크로 LED 칩의 배치 패턴은,
    상기 복수의 마이크로 LED 페어의 배치 패턴에 기초하여 결정되는 차량용 램프.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제2 어레이에 배치되는 복수의 마이크로 LED칩은,
    상기 제1 어레이에 배치되는 복수의 마이크로 LED 페어와, 광출력 방향으로 겹쳐지지 않게 배치되는 차량용 램프.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제2 어레이에 배치되는 복수의 마이크로 LED 칩 중 어느 하나는,
    상기 제1 어레이에 배치되는 복수의 마이크로 LED 페어 중 적어도 어느 하나와 직렬로 연결되는 차량용 램프.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 제1 어레이에 배치되는 복수의 마이크로 LED 페어는, 제1 양극 배선 및 제1 음극 배선에 연결되고,
    상기 제2 어레이에 배치되는 복수의 마이크로 LED 칩은, 제2 양극 배선 및 제2 음극 배선에 연결되는 차량용 램프.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 제1 어레이에 배치되는 복수의 마이크로 LED 페어 각각은,
    제1a 전극 및 제1b 전극을 포함하고,
    상기 제2 어레이에 배치되는 복수의 마이크로 LED 칩 각각은,
    제 2a 전극 및 제2b 전극을 포함하고,
    상기 제2b 전극은, 상기 제2 어레이에 배치되는 마이크로 LED 칩의 하단면에 위치하는 차량용 램프.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 어레이 모듈은,
    광출력 방향으로, 상기 제2a 전극과 상기 제2b 전극 사이에 배치되는 제1 절연층;을 포함하는 차량용 램프.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 제1 절연층은, 불투명 재질로 형성되는 차량용 램프.
  16. 제 15항에 있어서,
    상기 어레이 모듈은,
    상기 제1 절연층 상에 배치되는 반사층;을 더 포함하는 차량용 램프.
  17. 제 14항에 있어서,
    상기 어레이 모듈은,
    상기 제1 절연층 상에 배치되는 반사층;을 더 포함하고,
    상기 제1 절연층은, 투명 재질로 형성되는 차량용 램프.
  18. 제 14항에 있어서,
    상기 어레이 모듈은,
    광출력 방향으로, 상기 제1 절연층과, 상기 제1b 전극 사이에 배치되고, 투명 재질로 형성되는 제2 절연층;을 더 포함하는 차량용 램프.
  19. 제 18항에 있어서,
    상기 어레이 모듈은,
    광출력 방향으로, 상기 제2 절연층과, 상기 제1a 전극 사이에 배치되고, 투명 재질로 형성되는 제3 절연층;을 더 포함하는 차량용 램프.
  20. 제 1항에 있어서,
    상기 어레이 모듈은,
    제1 마이크로 LED 페어 및 제2 마이크로 LED 페어를 포함하고,
    상기 제1 마이크로 LED 페어와 상기 제2 마이크로 LED 페어는, 서로 같은 종류의 전극이 마주보게 배치되는 차량용 램프.
  21. 제 1항에 있어서,
    상기 어레이 모듈은,
    상기 복수의 마이크로 LED 페어 각각을 사방으로 둘러싸고, 상기 복수의 마이크로 LED 페어에서 생성되는 광을 가이드하는 격벽 구조;를 더 포함하는 차량용 램프.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 어레이 모듈은,
    상기 격벽 구조에 의해 구분된 공간에 도포되는 형광체;를 더 포함하는 차량용 램프.
  23. 제 1항에 있어서,
    상기 어레이 모듈은,
    상기 복수의 마이크로 LED 페어 아래에 배치되는 절연체;를 더 포함하고,
    상기 절연체는,
    내부에 금속 재질을 수용하는 하나 이상의 홀을 포함하는 차량용 램프.


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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20240055412A1 (en) * 2022-08-10 2024-02-15 Lg Electronics Inc. Semiconductor light emitting device package for display pixel and display device including the same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050074491A (ko) * 2002-10-22 2005-07-18 크리 인코포레이티드 에이씨 동작용 발광 다이오드 어셈블리 및 그 제조 방법
KR101590468B1 (ko) * 2014-07-22 2016-02-02 주식회사 루멘스 적층형 발광 소자 패키지 및 이를 갖는 백라이트 유닛

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007115928A (ja) * 2005-10-20 2007-05-10 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置
TW200845423A (en) * 2006-12-04 2008-11-16 Alps Electric Co Ltd Light emitting device and projector
JP2009070900A (ja) * 2007-09-11 2009-04-02 Alps Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP4938611B2 (ja) * 2007-10-09 2012-05-23 アルプス電気株式会社 半導体発光装置
US9754926B2 (en) * 2011-01-31 2017-09-05 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) arrays including direct die attach and related assemblies
KR101332794B1 (ko) * 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
TWI523216B (zh) * 2011-07-13 2016-02-21 晶元光電股份有限公司 發光元件
CN103545337A (zh) * 2012-07-16 2014-01-29 江苏微浪电子科技有限公司 由倒装发光单元阵列组成的立体发光器件及其制造方法
JP6301097B2 (ja) * 2013-10-01 2018-03-28 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
US20160163940A1 (en) * 2014-12-05 2016-06-09 Industrial Technology Research Institute Package structure for light emitting device
KR102263041B1 (ko) * 2016-02-26 2021-06-09 삼성전자주식회사 멀티 컬러를 구현할 수 있는 발광 소자
JP6356202B2 (ja) * 2016-11-16 2018-07-11 シャープ株式会社 発光装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050074491A (ko) * 2002-10-22 2005-07-18 크리 인코포레이티드 에이씨 동작용 발광 다이오드 어셈블리 및 그 제조 방법
KR101590468B1 (ko) * 2014-07-22 2016-02-02 주식회사 루멘스 적층형 발광 소자 패키지 및 이를 갖는 백라이트 유닛

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