JP6328002B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
このように、従来の電力変換装置においては、スイッチング素子4がターンオンする際に電流波形に高周波振動が発生し、ノイズ源となっていた。
[第1の実施の形態]
まず、第1の実施の形態による電力変換装置について説明する。第1の実施の形態は、入力電圧が直流であって、電力変換後の出力電圧が直流となる電力変換装置に関する。
次に、第2の実施の形態による電力変換装置について説明する。
この実施の形態の電力変換装置は、還流ダイオードにワイドバンドギャップ半導体製ショットキーバリアダイオードを使用した電力変換装置において、ショットキーバリアダイオードを2チップ以上の複数チップの並列接続で構成してショットキーバリアダイオードが含まれる回路ループを複数存在させている。そして、それぞれの回路ループのショットキーバリアダイオードのチップサイズを異なるようにすることにより、ショットキーバリアダイオードの接合容量と寄生インダクタンスによるそれぞれの回路ループのLC共振周波数が異なる値となる。それぞれのLC共振周波数が重ね合わさることによりLC共振を抑えることで、高周波振動を低減することができる。
次に、第3の実施の形態による電力変換装置について説明する。
この実施の形態の電力変換装置は、還流ダイオードにワイドバンドギャップ半導体製ショットキーバリアダイオードを使用した電力変換装置において、ショットキーバリアダイオードを2チップ以上の複数チップの並列接続で構成してショットキーバリアダイオードが含まれる回路ループを複数存在させている。そして、それぞれの回路ループの寄生インダクタンスの値を異なる値し、かつ、ショットキーバリアダイオードのチップサイズを異なるようにすることにより、ショットキーバリアダイオードの接合容量と寄生インダクタンスによるそれぞれの回路ループのLC共振周波数が異なる値となる。それぞれのLC共振周波数が重ね合わさることによりLC共振を抑えることで、高周波振動を低減することができる。
第4の実施の形態では、入力電圧が直流であって、出力電圧が交流となる電力変換装置、又は、入力電圧が交流であって、出力電圧が直流となる電力変換装置に関する。図5は、本実施の形態に係わる三相インバータの等価回路である。第4の実施の形態として、図5の等価回路を用いて、入力電圧が直流であって、出力電圧が交流となる電力変換装置について例に取り説明する。入力電源1、コンデンサ12、第1の寄生インダクタンス2、第1の還流ダイオード4、第1の還流ダイオード4に直列に接続される第2の寄生インダクタンス3、第2の還流ダイオード6、第2の還流ダイオード6に直列に接続される第3の寄生インダクタンス5、スイッチング素子7、ゲート回路8、負荷に接続されるインバータの出力端子13で構成される。
2…第1の寄生インダクタンス
3…第2の寄生インダクタンス
4…第1の還流ダイオード
5…第3の寄生インダクタンス
6…第2の還流ダイオード
7…スイッチング素子
8…ゲート回路
9…負荷
10…第1の回路ループ
11…第2の回路ループ
12…コンデンサ
13…負荷に接続されるインバータの出力端子
14…第3の回路ループ
15…第4の回路ループ
Claims (13)
- 電源と、
第1の寄生インダクタンスと、
第1のダイオードと、前記第1のダイオードに直列に接続される第2の寄生インダクタンスと、
前記第1のダイオードと並列に接続された第2のダイオードと、
前記第2のダイオードに直列に接続される第3の寄生インダクタンスと、
スイッチング素子と、
ゲート回路と、
負荷とを有する等価回路で表され、
前記等価回路において、前記電源と、前記第1の寄生インダクタンスと、前記第1のダイオードと、前記第2の寄生インダクタンスと、前記スイッチング素子と、前記ゲート回路とが第1の回路ループを構成し、
前記等価回路において、前記電源と、前記第1の寄生インダクタンスと、前記第2のダイオードと、前記第3の寄生インダクタンスと、前記スイッチング素子と、前記ゲート回路とが第2の回路ループを構成し、
前記第1の回路ループの第1の寄生インダクタンスと第2の寄生インダクタンスと第1のダイオードの接合容量とのLC共振周波数をf1とし、
前記第2の回路ループの第1の寄生インダクタンスと第3の寄生インダクタンスと第2のダイオードの接合容量とのLC共振周波数をf2とし、
前記f1とf2は異なる周波数であり、
前記第1のダイオードと前記第2のダイオードは、ショットキーバリアダイオードである電力変換装置。 - 前記等価回路において、前記第1のダイオードと並列に接続した第3のダイオードと、前記第3のダイオードと直列に接続した第4の寄生インダクタンスを更に有し、
前記等価回路において、前記電源と、前記第1の寄生インダクタンスと、前記第3のダイオードと、前記第4の寄生インダクタンスと、前記スイッチング素子と、前記ゲート回路とが第3の回路ループを構成し、
前記第3の回路ループの第1の寄生インダクタンスと第4の寄生インダクタンスと第3のダイオードの接合容量とのLC共振周波数をf3とし、
前記f3は、前記f1及びf2とは異なる周波数であり、
前記第3のダイオードは、ショットキーバリアダイオードである請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記第1のダイオードの接合容量と、前記第2のダイオードの接合容量とが異なる値である、又は、
前記第1のダイオードの接合容量と、前記第2のダイオードの接合容量と、前記第3のダイオードの接合容量のすべてが異なる値である請求項2に記載の電力変換装置。 - 前記第2の寄生インダクタンスと、前記第3の寄生インダクタンスは異なる値である、又は、
前記第2の寄生インダクタンスと、前記第3の寄生インダクタンスと、前記第4の寄生インダクタンスはすべてが異なる値である請求項2又は3のいずれか1項に記載の電力変換装置。 - 前記複数ある回路ループのうち、少なくとも1つの回路ループのLC共振周波数が残りの回路ループのうちのいずれかの回路ループのLC共振周波数の2n倍(nは1以上の整数である)である請求項1乃至4のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 前記複数ある回路ループのうち、少なくとも1つの回路ループの寄生インダクタンスによって発生する誘導電圧(L x di/dt)が電力変換装置の入力直流電圧以下となる請求項1乃至5のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 前記複数あるダイオードは、実回路において複数のショットキーバリアダイオードチップを一つのパッケージに収めた請求項1乃至6のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 前記スイッチング素子は、MOSFET又はIGBTであり、
実回路において、前記MOSFET又はIGBTと前記ショットキーバリアダイオードチップを同一のパッケージに収めた請求項7に記載の電力変換装置。 - 前記ショットキーバリアダイオードチップは、SiC、窒化物半導体または、ダイヤモンド半導体を用いた請求項7又は8に記載の電力変換装置。
- 入力電圧は直流であって電力変換後の出力電圧は直流である請求項1乃至9のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 電力変換器の入力電圧は交流であって電力変換後の出力電圧は直流である請求項1乃至10のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 電力変換器の入力電圧は直流であって電力変換後の出力電圧は交流である請求項1乃至11のいずれか1項に記載の電力変換装置。
- 前記スイッチング素子のスイッチング周波数は、10kHz以上1000kHz以下である請求項1乃至12のいずれか1項に記載の電力変換装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014162766A JP6328002B2 (ja) | 2013-09-20 | 2014-08-08 | 電力変換装置 |
EP14183572.8A EP2852041B1 (en) | 2013-09-20 | 2014-09-04 | Electric power conversion device |
US14/478,445 US9564802B2 (en) | 2013-09-20 | 2014-09-05 | Electric power conversion device |
CN201410460826.6A CN104467400B (zh) | 2013-09-20 | 2014-09-11 | 电力转换装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013195790 | 2013-09-20 | ||
JP2013195790 | 2013-09-20 | ||
JP2014162766A JP6328002B2 (ja) | 2013-09-20 | 2014-08-08 | 電力変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015084636A JP2015084636A (ja) | 2015-04-30 |
JP6328002B2 true JP6328002B2 (ja) | 2018-05-23 |
Family
ID=51483307
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014162766A Active JP6328002B2 (ja) | 2013-09-20 | 2014-08-08 | 電力変換装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9564802B2 (ja) |
EP (1) | EP2852041B1 (ja) |
JP (1) | JP6328002B2 (ja) |
CN (1) | CN104467400B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106469976B (zh) * | 2015-08-20 | 2019-03-15 | 台达电子工业股份有限公司 | 变换器及电压箝位单元 |
JP2017045901A (ja) * | 2015-08-27 | 2017-03-02 | トヨタ自動車株式会社 | 還流ダイオードと車載用電源装置 |
JP6541564B2 (ja) * | 2015-12-18 | 2019-07-10 | 株式会社Soken | 電力変換装置 |
WO2018135159A1 (ja) * | 2017-01-18 | 2018-07-26 | 富士電機株式会社 | 3レベル・インバータ |
JP6852445B2 (ja) * | 2017-02-16 | 2021-03-31 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
CN111082652B (zh) * | 2019-12-30 | 2021-05-04 | 深圳市永联科技股份有限公司 | 电源、电源控制方法、装置以及功率校正电路 |
US20220140748A1 (en) * | 2020-11-05 | 2022-05-05 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and inverter device |
CN116131581B (zh) * | 2023-04-17 | 2023-07-04 | 湖南大学 | 集成振荡抑制电路的功率模块及方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2821996B1 (fr) * | 2001-03-09 | 2003-06-13 | St Microelectronics Sa | Circuit a la commutation d'un convertisseur a decoupage |
JP4156258B2 (ja) | 2002-03-28 | 2008-09-24 | 本田技研工業株式会社 | 共振型インバータ |
US7009199B2 (en) | 2002-10-22 | 2006-03-07 | Cree, Inc. | Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current |
US7023186B2 (en) * | 2004-08-05 | 2006-04-04 | Astec International Limited | Two stage boost converter topology |
DE102004050060B4 (de) * | 2004-10-13 | 2018-02-08 | Osram Gmbh | Tiefsetzerschaltung |
JP4991446B2 (ja) | 2007-08-23 | 2012-08-01 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 電力変換装置 |
JP2009159707A (ja) | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | ワイドバンドギャップショットキバリアダイオードを用いたスイッチング回路 |
JP2009159184A (ja) | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Hitachi Ltd | フリーホイールダイオードとを有する回路装置、及び、ダイオードを用いた回路装置とそれを用いた電力変換器 |
JP4557015B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2010-10-06 | 株式会社デンソー | パワースイッチング回路 |
JP2010200585A (ja) | 2009-02-27 | 2010-09-09 | Nissan Motor Co Ltd | スイッチング回路 |
EP2230754B1 (fr) * | 2009-03-18 | 2015-04-29 | STMicroelectronics (Tours) SAS | Alimentation à découpage |
JP2011082764A (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | パワーデバイス制御回路およびそれを用いたipm |
JP5444142B2 (ja) * | 2010-07-06 | 2014-03-19 | 株式会社日立製作所 | 電力変換器、及びこれを用いたモータ駆動装置 |
JP5440438B2 (ja) | 2010-08-04 | 2014-03-12 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
US20120114009A1 (en) * | 2010-11-04 | 2012-05-10 | Jeffrey Melvin | Forward-flyback power supply using an inductor in the transformer primary and method of using same |
JP5052705B2 (ja) | 2011-01-17 | 2012-10-17 | 三菱電機株式会社 | スイッチング電源装置 |
US8860398B2 (en) * | 2011-02-11 | 2014-10-14 | Fairchild Semiconductor Corporation | Edge rate control gate driver for switching power converters |
JP5447603B2 (ja) * | 2011-08-27 | 2014-03-19 | 株式会社デンソー | 電力変換装置 |
JP2013118540A (ja) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Denso Corp | 誘導性負荷の駆動回路 |
-
2014
- 2014-08-08 JP JP2014162766A patent/JP6328002B2/ja active Active
- 2014-09-04 EP EP14183572.8A patent/EP2852041B1/en active Active
- 2014-09-05 US US14/478,445 patent/US9564802B2/en active Active
- 2014-09-11 CN CN201410460826.6A patent/CN104467400B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9564802B2 (en) | 2017-02-07 |
EP2852041A3 (en) | 2015-04-15 |
CN104467400B (zh) | 2017-08-08 |
CN104467400A (zh) | 2015-03-25 |
US20150085548A1 (en) | 2015-03-26 |
JP2015084636A (ja) | 2015-04-30 |
EP2852041A2 (en) | 2015-03-25 |
EP2852041B1 (en) | 2019-10-23 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160908 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170720 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170725 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170920 |
|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180221 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20180227 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180320 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180417 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6328002 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |