JP6597917B2 - 3レベル・インバータ - Google Patents
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Description
Vcep=(Ed/2)+L×|di/dt|
として示される。
直流高電位端子と交流出力端子との間に設けられて正電圧出力モード時にオン・オフされる第1の半導体スイッチング素子、並びにこの第1の半導体スイッチング素子に逆並列に設けられた第1の還流ダイオードと、
直流高電位端子と対をなす直流低電位端子と前記交流出力端子との間に設けられて負電圧出力モード時にオン・オフされる第2の半導体スイッチング素子、並びにこの第2の半導体スイッチング素子に逆並列に設けられた第2の還流ダイオードと、
前記直流高電位端子と前記直流低電位端子との間に印加される直流電圧を分圧した直流中間電圧に応じて前記交流出力端子の電位を変化させて前記第1および第2の半導体スイッチング素子のゲート電圧を制御する半導体回路と、
前記第1および第2の還流ダイオードにそれぞれ直列に接続された第1および第2のインダクタンス素子と
を備えたことを特徴としている。
T1 第1の半導体スイッチング素子
T2 第2の半導体スイッチング素子
T3 第3の半導体スイッチング素子
T4 第4の半導体スイッチング素子
T5 第5の半導体スイッチング素子
T6 第6の半導体スイッチング素子
D1 第1の還流ダイオード(ワイドバンドギャップ半導体のダイオード)
D2 第2の還流ダイオード(ワイドバンドギャップ半導体のダイオード)
D5 第5の還流ダイオード(ワイドバンドギャップ半導体のダイオード)
D6 第6の還流ダイオード(ワイドバンドギャップ半導体のダイオード)
D7,D8,D9,D10 ダイオード
BSW 双方向スイッチ回路(半導体回路)
L1,L2,L3,L4 インダクタンス素子
C1,C2 コンデンサ
Claims (7)
- 直流高電位端子と交流出力端子との間に設けられて正電圧出力モード時にオン・オフされる第1の半導体スイッチング素子、並びにこの第1の半導体スイッチング素子に逆並列に設けられた第1の還流ダイオードと、
直流高電位端子と対をなす直流低電位端子と前記交流出力端子との間に設けられて負電圧出力モード時にオン・オフされる第2の半導体スイッチング素子、並びにこの第2の半導体スイッチング素子に逆並列に設けられた第2の還流ダイオードと、
前記直流高電位端子と前記直流低電位端子との間に印加される直流電圧を分圧した直流中間電圧に応じて前記交流出力端子の電位を変化させて前記第1および第2の半導体スイッチング素子のゲート電圧を制御する半導体回路と、
前記第1および第2の還流ダイオードにそれぞれ直列に接続された第1および第2のインダクタンス素子と
を具備したことを特徴とする3レベル・インバータ。 - 前記第1および第2の半導体スイッチング素子のそれぞれは絶縁ゲート型半導体素子であって、前記第1および第2の還流ダイオードのそれぞれはユニポーラ型半導体のダイオードである請求項1に記載の3レベル・インバータ。
- 前記ユニポーラ型の第1および第2の還流ダイオードのそれぞれは、ワイドバンドギャップ半導体のダイオードである請求項2に記載の3レベル・インバータ。
- 前記半導体回路は、第3および第4の半導体スイッチング素子を逆並列に接続して構成され、前記直流中間電圧が印加される直流中間電位端子と前記交流出力端子との間に設けられた双方向スイッチング回路からなる請求項1に記載の3レベル・インバータ。
- 前記半導体回路は、通電方向を逆向きにして直列に接続した第3の半導体スイッチング素子と第4の半導体スイッチング素子と、これらの第3および第4の半導体スイッチング素子にそれぞれ逆並列に接続した第3および第4のダイオードとを備えて構成され、前記直流中間電圧が印加される直流中間電位端子と前記交流出力端子との間に設けられた双方向スイッチング回路からなる請求項1に記載の3レベル・インバータ。
- 前記半導体回路は、前記第1の半導体スイッチング素子と前記交流出力端子との間に設けられた第5の半導体スイッチング素子、および前記第2の半導体スイッチング素子と前記交流出力端子との間に設けられた第6の半導体スイッチング素子とからなる補助スイッチング回路と、
この補助スイッチング回路の両端間に前記直流中間電圧を選択的に印加するダイオード回路とからなる請求項1に記載の3レベル・インバータ。 - 前記直流中間電圧は、前記直流高電位端子と前記直流低電位端子との間に設けられた第1および第2のコンデンサにより容量分圧して前記直流高電位端子と前記直流低電位端子との間に印加される直流電圧の[1/2]倍の直流電圧として生成されるものである請求項1に記載の3レベル・インバータ。
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