KR20050031877A - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
반도체 장치 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050031877A KR20050031877A KR1020040072392A KR20040072392A KR20050031877A KR 20050031877 A KR20050031877 A KR 20050031877A KR 1020040072392 A KR1020040072392 A KR 1020040072392A KR 20040072392 A KR20040072392 A KR 20040072392A KR 20050031877 A KR20050031877 A KR 20050031877A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- resin
- resin sheet
- semiconductor device
- mold
- die pad
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 63
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 161
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 161
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 24
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 23
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 14
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 241000135309 Processus Species 0.000 claims 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 abstract description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49575—Assemblies of semiconductor devices on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
방열 특성이 우수하고, 또한 절연성이 높으며, 또한 소형화가 가능한 전력용의 반도체 장치를 제공한다.
칩이 수지 몰드된 반도체 장치가 표면과 이면을 구비하는 다이패드를 포함하는 프레임과, 다이패드의 표면에 재치된 파워 칩과, 대향하는 제 1 면과 제 2 면을 구비하는 다이패드의 이면이 그 제 1 면과 접하도록 배치된 절연성의 수지 시트와, 수지 시트의 제 1 면상에 파워 칩을 봉지하도록 마련된 몰드 수지를 포함한다. 수지 시트의 열전도율은 몰드 수지의 열전도율보다 크다.
Description
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히, 파워 칩을 포함하는 전력용 반도체 장치에 관한 것이다.
종래의 전력용 반도체 장치에서는, 파워 칩이나 IC 칩이 각각 프레임상에 다이본드(die bond)되고, 또한, 이들 칩은 수지에 의해 봉지(封止)되어 있다. 파워 칩은 방열량이 크기 때문에, 예를 들면 반도체 장치의 이면에 냉각 팬을 부착하여 방열 효율을 높이고 있다. 파워 칩을 재치(載置)하는 프레임은 수지로 덮여지고, 이면에 부착되는 냉각 팬으로부터 절연된다(예를 들면, 특허 문헌 1).
또한, 반도체 장치의 방열 특성을 향상시키기 위해서, 반도체 장치의 이면에 알루미나 등으로 이루어지는 박판의 절연체를 부착한 반도체 장치도 제안되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 2).
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 제2000-138343호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제2001-156253호 공보
그러나, 전자의 반도체 장치에서는 방열 특성을 향상시키기 위해서는, 파워 칩을 재치한 프레임을 덮는 수지, 구체적으로는 파워 칩을 재치한 프레임의 이면과 반도체 장치의 이면 사이의 수지를 얇게 할 필요가 있지만, 이 부분의 수지를 얇게 하면 절연 특성이 반대로 저하한다고 하는 문제가 있었다.
한편, 후자의 반도체 장치에서는 절연체와 수지의 열팽창 계수가 크게 상이하기 때문에, 파워 칩의 발열에 의해 수지로부터 절연체가 박리(剝離)한다고 하는 문제가 있었다. 또한, 절연체와 수지 사이에 계면이 생기기 때문에, 이러한 계면에서의 연면(沿面) 절연을 확보하기 위해서는 연면 절연 거리를 확보해야 되고, 반도체 장치가 대형화한다고 하는 문제도 있었다.
그래서, 본 발명은 방열 특성이 우수하고, 또한 절연성이 높으며, 또한 소형화가 가능한 반도체 장치의 제공을 목적으로 한다.
본 발명은 칩이 수지 몰드된 반도체 장치에서 표면과 이면을 구비하는 다이패드를 포함하는 프레임과, 다이패드의 표면에 재치된 파워 칩과, 대향하는 제 1 면과 제 2 면을 구비하는 다이패드의 이면이 그 제 1 면과 접하도록 배치된 절연성의 수지 시트와, 수지 시트의 제 1 면상에 파워 칩을 봉지하도록 마련된 몰드 수지를 포함하는 것이다. 이러한 반도체 장치에서 수지 시트의 열전도율은 몰드 수지의 열전도율보다 크다.
또한, 본 발명은 칩을 수지 몰드한 반도체 장치의 제조 방법으로서, 표면과 이면을 구비하고 다이패드를 갖는 프레임을 준비하는 프레임 준비 공정과, 제 1 면과 제 2 면을 갖는 절연성의 수지 시트를 준비하는 공정과, 다이패드의 표면상에 파워 칩을 재치하는 공정과, 다이패드의 이면이 수지 시트의 제 1 면에 접하도록 수지 시트의 제 1 면상에 프레임을 배치하는 공정과, 수지 시트의 제 1 면상에 파워 칩을 매립하도록 봉지용 수지를 충전하는 수지 몰드 공정을 포함한다. 수지 시트에는 봉지용 수지보다 열전도율이 큰 수지를 이용한다.
(실시예 1)
도 1은 전체가 100으로 표시되는 본 실시예에 따른 반도체 장치의 사시도이다. 또한, 도 2는 도 1의 반도체 장치(100)의 이면도, 도 3은 도 1의 반도체 장치(100)의 I-I 방향에서 본 단면도이다. 또한, 도 4는 도 1의 반도체 장치(100)의 내부의 일부분을 나타내는 사시도이다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 반도체 장치(100)는 수지 몰드형 패키지 구조로 이루어지며, 복수의 금속제의 프레임(1)이 양측에 마련된 몰드 수지(2)를 포함한다. 몰드 수지(2)는 적합하게는 에폭시 수지로 이루어진다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 몰드 수지(2)의 이면에는, 예를 들면 동으로 이루어지는 금속박(4)이 이면에 부착된 절연성의 수지 시트(3)가 마련되어 있다. 수지 시트(3)는 적합하게는 충전재를 포함하는 에폭시 수지로 이루어진다. 충전재는 적합하게는 SiO2, Al2O3, AlN, Si3N4, 및 BN으로부터 선택되는 하나 또는 복수의 재료로 이루어진다. 수지 시트(3)의 열전도율은 몰드 수지(2)의 열전도율보다 크게 되어 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 반도체 장치(100)는 복수의 프레임(1)을 포함한다. 도 4에 더 자세하게 나타내는 바와 같이, 하나의 프레임(1)에는 로직 칩과 같은 IC 칩(7)이 재치되어 있다. 또한, 다른 쪽의 프레임(1)은 다이패드부(1a)와 단차부(1b)를 포함하고, 다이패드부(1a)상에 IGBT(5a)나 FW Diode(5b)와 같은 파워 칩(5)이 재치되어 있다. 파워 칩(5), IC 칩(7), 및 프레임(1) 사이는, 예를 들면 금이나 알루미늄으로 이루어지는 본딩 와이어(6, 8)로 접속되어, IC 칩(7)에 의해 파워 칩(5)의 동작이 제어된다.
일반적으로, 파워 칩(5)이나 IC 칩(7)은 땜납이나 은 페이스트를 이용하여 프레임(1)에 고정된다. 또한, 파워 칩(5)의 접속에는 알루미늄 본딩 와이어(8)가 이용되고, IC 칩(7)의 접속에는 이보다 직경이 작은 금 본딩 와이어(6)가 이용된다.
또한, 파워 칩(5)이나 IC 칩(7)은 반도체 장치(100)의 기능에 따라 복수개 마련해도 상관없다.
상술한 바와 같이, 몰드 수지(2)는 금속박(4)이 부착된 절연성의 수지 시트(3)를 포함하고, 몰드 수지(2)의 이면으로부터 금속박(4)이 노출되어 있다. 이러한 금속박(4)은 수지 시트(3)를 데미지로부터 보호하기 때문에, 수지 시트(3)는 높은 절연성을 유지할 수 있다. 이러한 데미지로서는, 예를 들면 반도체 장치(100)를 외부 히트싱크(도시하지 않음)에 나사로 고정할 때에, 반도체 장치(100)와 외부 히트싱크 사이에 이물을 맞물린 채로 나사로 고정을 실행한 경우에 발생하는 데미지를 생각할 수 있다. 또한, 데미지가 발생하기 어려운 경우는, 금속박(4)을 마련하지 않는 구조를 채용해도 무방하다. 이 경우, 몰드 수지(2)의 이면으로부터는 수지 시트(3)가 노출하게 된다.
수지 시트(3)상에는 다이패드부(1a)의 이면이 직접 접하도록 프레임(1)이 재치되어 있다. 수지 시트(3)의 면적은 다이패드부(1a)의 면적보다도 크게 되어 있다. 또한, 파워 칩(5), IC 칩(7) 등은 몰드 수지(2)로 봉지되어 있다.
수지 시트(3)와 몰드 수지(2)가 접촉하는 영역에는, 양쪽의 수지가 혼합된 혼합층(9)이 형성되어 있다. 이와 같이, 혼합층(9)을 거쳐서 수지 시트(3)와 몰드 수지(2)가 접속되기 때문에, 혼합층(9)이 없는 경우와 비교하여 수지 시트(3)와 몰드 수지(2) 사이의 열전도성이 높아져, 방열 특성이 향상된다. 혼합층(9)의 형성 방법에 대해서는 후술한다.
수지 시트(3)의 열전도율은 몰드 수지(2)의 열전도율보다 크고, 특히, 2배 이상인 것이 바람직하다. 이에 따라, 방열 특성이 우수한 반도체 장치(100)를 얻을 수 있다.
다음에, 도 5, 6을 참조하면서, 반도체 장치(100)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 이러한 제조 방법은 이하의 공정 1~8을 포함한다. 또한, 도 5, 6은 도 1의 I-I와 동일한 방향에서 본 단면도이다.
공정 1: 도 5(a)에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 동으로 이루어지는 프레임(1)을 준비한다. 계속해서, 하나의 프레임(1)상에 IC 칩(7)을, 다른 쪽의 프레임(1)의 다이패드부(1a)상에 파워 칩(5)을 각각 땜납이나 은 페이스트 등을 이용하여 고정한다.
공정 2: 도 5(b)에 나타내는 바와 같이, 알루미늄 본딩 와이어(8)를 이용하여 파워 칩(5)끼리, 파워 칩(5)과 프레임(1), 프레임(1)끼리를 접속한다(알루미늄 와이어 본드 공정). 또한, 본딩 와이어(8)에는 알루미늄을 주성분으로 하는 합금이나, 다른 금속을 이용해도 상관없다.
공정 3: 도 5(c)에 나타내는 바와 같이, 금 본딩 와이어(6)를 이용하여, IC 칩(7)과 프레임(1)을 접속한다(금 와이어 본드 공정). 또한, 본딩 와이어(6)에는 금을 주성분으로 하는 합금이나, 다른 금속을 이용해도 상관없다.
공정 4: 도 5(d)에 나타내는 바와 같이, 수지 봉지용 금형(20)을 준비한다. 수지 봉지용 금형(20)은 상부 금형(21)과 하부 금형(22)으로 분리되도록 되어 있다. 계속해서, 이면에 금속박(4)을 부착한 절연성의 수지 시트(3)를 준비하여, 수지 봉지용 금형(20)의 내부의 소정의 위치에 배치한다. 이 경우, 금속박(4)의 이면이 하부 금형(22)의 내부 저면에 접하도록 수지 시트(3)가 배치된다. 여기서, 수지 시트(3)에는 반경화 상태의 수지가 이용된다. 수지 시트(3)는, 예를 들면 에폭시 수지로 이루어지고, 상술한 바와 같이 충전재를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 반경화 상태의 수지란, 상온에서는 고체이지만 고온에서는 일단 용융한 후에 완전 경화를 향하는 경화가 미완전 상태인 열경화 수지를 말한다.
공정 5: 도 6(e)에 나타내는 바와 같이, 파워 칩(5) 등을 실장한 프레임(1)을 수지 봉지용 금형(20)내의 소정의 위치에 배치한다. 이 경우, 프레임(1)의 다이패드부의 이면이 수지 시트(3)의 상면에 접하도록 프레임(1)을 배치한다.
공정 6: 도 6(f)에 나타내는 바와 같이, 하부 금형(22)에 상부 금형(21)을 부착하여 고정한다. 계속해서, 트랜스퍼 몰드 성형법에 의해, 예를 들면 에폭시 수지로 이루어지는 봉지용 수지(12)를 수지 봉지용 금형(20)내에 충전한다. 도 6(f)에서는 왼쪽으로부터 충전한다.
이러한 공정에서, 수지 봉지용 금형(20)내에 설치된 반경화 상태의 수지 시트(3)는, 먼저, 고온의 수지 봉지용 금형(20)으로부터 열을 받아, 일단 용융한다. 또한, 용융한 수지 시트(3)와 다이패드(1a)가 가압 상태에서 주입되는 봉지용 수지(12)에 의해 가압되어, 고착된다.
공정 7: 도 6(g)에 나타내는 바와 같이, 봉지용 수지(2), 수지 시트(3)를 가열 경화시킨다. 이러한 공정에서 수지 시트(3)와 봉지용 수지(12)는 모두 용융한 상태로 접촉하기 때문에, 혼합하여 그 접점 부분에 혼합층(9)이 형성된다.
공정 4~7은 이른바 트랜스퍼 몰드 공정으로 된다. 이러한 공정에서는 수지 시트(3)가 용융시에 가압되지만, 수지 봉지용 금형(20)내 전체가 봉지용 수지(12)에 의해 가압되고 있기 때문에, 수지 시트(3)의 두께는 거의 변화되지 않는다. 한편, 수지 봉지용 금형(20)내의 각 부가 봉지용 수지(12)에 의해 동시에 충전되는 것은 아니고, 각 부에 압력이 균등하게 될 때까지의 시간에는 근소하지만 시간의 차이가 발생한다. 따라서, 수지 시트(3)의 특성으로서는 용융시 유동성이 작은 쪽이 바람직하다.
공정 8: 수지 봉지용 금형(20)으로부터 취출한 후, 몰드 수지를 완전 경화시키기 위한 포스트큐어(post cure), 타이바(tie bar) 등의 프레임 여분부의 절단 등을 실행한다. 또한, 프레임(외부 단자)(1)의 성형을 실행하는 것에 의해, 도 1에 나타내는 반도체 장치(100)가 완성된다.
또한, 수지 시트(3)는 에폭시 수지를 주성분으로 하여, 주로 열전도성을 높이는 목적이므로, 상술한 바와 같이 SiO2 등의 절연성의 충전재가 충전되어 있는 것이 바람직하다. 이들 충전재는, 또한 절연 시트(3)의 선팽창 계수를 작게 하는 효과를 가지기 때문에, 다이패드(1a)나 금속박(4)의 열팽창 계수의 차가 작아진다. 이 때문에, 온도 변화에 기인하는 박리가 발생하기 어려워, 신뢰성이 우수한 것으로 할 수 있다.
또한, 봉지용 수지(12)도 수지 시트(3)와 마찬가지로, 에폭시 수지를 주성분으로 하는 재료로 하면, 혼합층(9)을 안정하게 형성할 수 있다. 이러한 경우, 봉지용 수지(12)와 수지 시트(3)의 명확한 계면이 없어지고, 그 사이에서의 연면 절연을 고려할 필요가 없어져, 결과적으로 반도체 장치의 소형화가 가능해진다.
또한, 수지 시트(3)에서는 충전재의 형상을 비늘 조각 형상으로 함으로써, 입상으로 하는 경우에 비하여 절연성을 안정적으로 확보할 수 있는 것이 후술하는 바와 같이 실험에 의해 명백해지고 있다.
이러한 실험에서는 비늘 조각 형상 충전재를 충전한 수지 시트와, 동량의 입상 충전재를 충전한 수지 시트를 이용해 반도체 장치(100)를 제작하여, 절연 시험을 실행했다. 절연 시험의 결과를 표 1에 나타낸다.
(표 1)
비늘 조각 형상 r/N=0/10
입상 r/N=3/10
여기서, r은 불합격으로 된 샘플의 수량, N은 시험에 투입한 샘플의 수량을 나타낸다.
또한, 비늘 조각 형상 충전재에서는, 입상 충전재에 비하여 충전재의 비표면적이 크기 때문에, 시트 수지와의 접촉 면적도 커져, 용융시의 유동성을 작게 할 수 있다.
또한, 충전재의 사이즈에 대해서는 큰 사이즈의 (최대 직경이 큰) 충전재와, 작은 사이즈의 (최대 직경이 작은) 충전재를 혼용해도 무방하다. 도 7은 2가지 사이즈의 충전재를 포함하는 수지 시트(3)의 단면의 확대도이다. 수지 시트(3)는 큰 사이즈의 충전재(31)와 작은 사이즈의 충전재(32)가 에폭시 수지 등의 수지층(33)에 포함된 구조로 되어 있다.
도 7과 같이, 큰 사이즈의 충전재(31) 사이의 간극에 작은 사이즈의 충전재(32)를 충전할 수 있기 때문에, 수지 시트(3)의 열전도성을 더욱 향상할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시예에 따른 반도체 장치(100)에서는 절연층의 두께를 미리 규정할 수 있는 절연성의 수지 시트(3)를 이용한다. 이 때문에, 수지 시트(3)의 막두께를 조정하는 것에 의해, 절연 특성과 방열 특성이 양립하도록 제어할 수 있다.
또한, 필요한 영역에만 수지 시트(3)를 마련하기 때문에, 쓸데없는 비용의 삭감이 가능해진다.
또한, 반도체 장치(100)에서는 수지 시트(3)와 몰드 수지(2)의 계면에 혼합층(9)이 형성되기 때문에, 연면 절연을 고려할 필요가 없어져, 결과적으로 반도체 장치의 소형화가 가능해진다.
또한, 본 실시예 1에서는 IC 칩(7) 등을 본딩 와이어로 접속하고 있지만, 예를 들면, 금속 박판 등의 다른 부재를 이용해도 무방하다. 또한, IC 칩(7)과 파워 칩(5) 사이의 접속은 일단 중계 프레임을 거쳐서 접속하는 예를 나타냈지만, 직접 접속해도 상관없다.
(실시예 2)
도 8은 전체가 200으로 표시되는 본 실시예에 따른 반도체 장치의 단면도이다. 도 8은 도 1의 I-I와 동일한 방향에서 본 단면도이다. 도 8 중, 도 1~3과 동일 부호는 동일 또는 상당 개소를 나타낸다.
본 실시예 2에 따른 반도체 장치(200)에서는 금속박(4)이 부착된 수지 시트(3)가 몰드 수지(2)의 이면 전면을 덮는 크기로 되어 있다. 다른 구조는 상술한 반도체 장치(100)와 동일하다.
반도체 장치(200)에서는 방열 특성이 향상하고, 또한, 제조 공정(상술한 공정 4)에서 수지 시트(3)의 배치 결정이 불필요해진다. 즉, 수지 시트(3)는 수지 봉지용 금형(20)의 내부 저면의 크기와 동등하기 때문에, 배치 위치를 정확하게 제어할 필요가 없어진다. 이에 따라, 제조 공정이 간략화된다.
(실시예 3)
도 9는 전체가 300으로 표시되는 본 실시예에 따른 반도체 장치의 이면도이다. 또한, 도 10은 도 9를 IIIV-IIIV 방향에서 본 단면도이다. 도 9, 10 중, 도 1~3과 동일 부호는 동일 또는 상당 개소를 나타낸다.
반도체 장치(300)는 시트 수지(3)의 주위에 따라 복수의 오목부(40)를 갖는다. 또한, 냉각용 팬(도시하지 않음)을 부착하기 위한 나사 구멍(35)을 구비한다.
이러한 오목부(40)는 상술한 공정 4(도 5(d))에서, 수지 시트(3)에 위치 맞춤을 용이하게 하기 위해서, 수지 봉지용 금형(20)의 내부 저면에 복수의 돌기부(도시하지 않음)를 마련했기 때문에 형성된 것이다. 수지 봉지용 금형(20)의 내부 저면에는 수지 시트(3)의 배치 영역에 따라 돌기부가 마련되어 있다.
이와 같이, 수지 봉지용 금형(20)의 내부 저면에 돌기부를 마련하는 것에 의해, 수지 시트(3)의 위치 맞춤이 용이해져, 제조 공정의 간략화가 가능해진다.
또한, 도 9, 10에서는 오목부(40)의 형상을 대략 원주 형상으로 했지만, 이러한 기능을 갖는 형상이라면 다른 형상이어도 상관없다. 또한, 오목부(40)의 수도 이러한 기능을 갖는 한, 몇 개이어도 상관없다.
또한, 오목부(40)의 깊이는 금속박(4)의 두께보다도 얇은 것이 바람직하다. 이것은 오목부(40)가 잘못하여 금속박(4)에 겹쳐도, 그 선단은 수지 시트(3)에는 도달하지 않아 수지 시트(3)가 손상을 받지 않기 때문이다.
본 발명에 따른 반도체 장치에서는 수지 시트를 이용하는 것에 의해, 방열 특성이 우수하고, 또한, 절연성을 높게 할 수 있다. 또한, 반도체 장치의 소형화도 가능해진다.
도 1은 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 장치의 사시도,
도 2는 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 장치의 이면도,
도 3은 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 장치의 단면도,
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치의 내부의 일부분을 나타내는 사시도,
도 5는 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 장치의 제조 공정의 단면도,
도 6은 본 발명의 실시예 1에 따른 반도체 장치의 제조 공정의 단면도,
도 7은 수지 시트의 확대 단면도,
도 8은 본 발명의 실시예 2에 따른 반도체 장치의 단면도,
도 9는 본 발명의 실시예 3에 따른 반도체 장치의 이면도,
도 10은 본 발명의 실시예3에 따른 반도체 장치의 단면도이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1 : 프레임 2 : 몰드 수지
3 : 수지 시트 4 : 금속박
5 : 파워 칩 6, 8 : 본딩 와이어
7 : IC 칩 9 : 혼합층
100 : 반도체 장치
Claims (15)
- 칩이 수지 몰드된 반도체 장치로서,표면과 이면을 구비하는 다이패드를 포함하는 프레임과,해당 다이패드의 해당 표면에 재치(載置)된 파워 칩과,대향하는 제 1 면과 제 2 면을 구비하고, 해당 다이패드의 해당 이면이 그 제 1 면과 접하도록 배치된 절연성의 수지 시트와,해당 수지 시트의 해당 제 1 면상에 해당 파워 칩을 봉지(封止)하도록 마련된 몰드 수지를 포함하고,해당 수지 시트의 열전도율이 해당 몰드 수지의 열전도율보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 수지 시트와 상기 몰드 수지가 모두 에폭시 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 수지 시트와 상기 몰드 수지의 사이에 이들을 구성하는 수지가 혼합된 혼합층을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 수지 시트의 면적이 그 위에 배치된 상기 다이패드의 면적보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 수지 시트와 상기 다이패드가 직접 접하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 프레임이 상기 다이패드와, 해당 다이패드와 대략 평행하게 마련된 리드부와, 해당 다이패드와 해당 리드부를 단차(段差)가 생기도록 접속하는 단차부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 수지 시트의 열전도율이 상기 몰드 수지의 열전도율의 2배 또는 그 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 수지 시트가 SiO2, Al2O3, AlN, Si3N4, 및 BN으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 하나의 충전재를 포함하는 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 8 항에 있어서,상기 충전재가 비늘 조각 형상의 형상인 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 충전재가 최대 입경이 상이한 2종류 이상의 충전재로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 수지 시트의 상기 제 2 면상에 금속박이 마련된 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 칩을 수지 몰드한 반도체 장치의 제조 방법으로서,표면과 이면을 구비하고 다이패드를 갖는 프레임을 준비하는 프레임 준비 공정과,제 1 면과 제 2 면을 갖는 절연성의 수지 시트를 준비하는 공정과,해당 다이패드의 해당 표면상에 파워 칩을 재치하는 공정과,해당 다이패드의 해당 이면이 해당 수지 시트의 해당 제 1 면에 접하도록 해당 수지 시트의 해당 제 1 면상에 해당 프레임을 배치하는 공정과,해당 수지 시트의 해당 제 1 면상에 해당 파워 칩을 매립하도록 봉지용 수지를 충전하는 수지 몰드 공정을 포함하고,해당 수지 시트에 해당 봉지용 수지보다 열전도율이 큰 수지를 이용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,수지 봉지용 금형을 준비하는 공정과,해당 수지 봉지용 금형의 내부 저면에 상기 수지 시트의 제 2 면이 접하도록 해당 수지 봉지용 금형내에 해당 수지 시트를 재치하는 공정을 더 포함하되,상기 수지 몰드 공정이,해당 수지 봉지용 금형내에 상기 봉지용 수지를 충전하여 경화시키는 공정과,해당 수지 봉지용 금형으로부터 상기 파워 칩이 해당 봉지용 수지로 몰드된 반도체 장치를 취출하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 12 항에 있어서,프레임 준비 공정에 앞서서 상기 절연 시트의 상기 제 2 면을 금속박으로 덮는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
- 제 13 항에 있어서,상기 수지 봉지용 금형의 상기 내부 저면이 상기 수지 시트의 배치 위치에 따라 마련된 복수의 돌기부를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2003-00339730 | 2003-09-30 | ||
JP2003339730A JP2005109100A (ja) | 2003-09-30 | 2003-09-30 | 半導体装置およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060085906A Division KR100806479B1 (ko) | 2003-09-30 | 2006-09-06 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050031877A true KR20050031877A (ko) | 2005-04-06 |
Family
ID=34373366
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040072392A KR20050031877A (ko) | 2003-09-30 | 2004-09-10 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR1020060085906A KR100806479B1 (ko) | 2003-09-30 | 2006-09-06 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR1020070098008A KR20070104497A (ko) | 2003-09-30 | 2007-09-28 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020060085906A KR100806479B1 (ko) | 2003-09-30 | 2006-09-06 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
KR1020070098008A KR20070104497A (ko) | 2003-09-30 | 2007-09-28 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7671453B2 (ko) |
JP (1) | JP2005109100A (ko) |
KR (3) | KR20050031877A (ko) |
CN (1) | CN100446246C (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100850147B1 (ko) * | 2005-12-12 | 2008-08-04 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 수지 밀봉용 금형 |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3854957B2 (ja) * | 2003-10-20 | 2006-12-06 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP4645832B2 (ja) * | 2005-08-02 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4650630B2 (ja) * | 2005-10-07 | 2011-03-16 | Jsr株式会社 | スペーサー用感放射線性樹脂組成物、スペーサー、およびその形成方法 |
JP2007165426A (ja) * | 2005-12-12 | 2007-06-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP4973033B2 (ja) * | 2006-07-03 | 2012-07-11 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュールの製造方法 |
JP4904104B2 (ja) * | 2006-07-19 | 2012-03-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4737138B2 (ja) * | 2007-05-14 | 2011-07-27 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
CN101809734B (zh) * | 2007-09-26 | 2012-01-25 | 三菱电机株式会社 | 导热性片材及其制造方法和功率模块 |
US7875962B2 (en) * | 2007-10-15 | 2011-01-25 | Power Integrations, Inc. | Package for a power semiconductor device |
JP5163055B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2013-03-13 | 三菱電機株式会社 | 電力半導体モジュール |
JP2009170476A (ja) * | 2008-01-11 | 2009-07-30 | Panasonic Corp | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
DE102008009510B3 (de) * | 2008-02-15 | 2009-07-16 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern |
DE102008029829B4 (de) | 2008-06-25 | 2012-10-11 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Vertikal nach oben kontaktierender Halbleiter und Verfahren zu dessen Herstellung |
US8664038B2 (en) * | 2008-12-04 | 2014-03-04 | Stats Chippac Ltd. | Integrated circuit packaging system with stacked paddle and method of manufacture thereof |
US8018051B2 (en) * | 2009-02-02 | 2011-09-13 | Maxim Integrated Products, Inc. | Thermally enhanced semiconductor package |
JP4947135B2 (ja) * | 2009-12-04 | 2012-06-06 | 株式会社デンソー | 半導体パッケージおよびその製造方法 |
JP5563918B2 (ja) | 2010-07-22 | 2014-07-30 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 回路装置の製造方法 |
JP5607447B2 (ja) * | 2010-07-22 | 2014-10-15 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 回路装置 |
JP5563917B2 (ja) * | 2010-07-22 | 2014-07-30 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 回路装置及びその製造方法 |
JP5598189B2 (ja) * | 2010-09-08 | 2014-10-01 | 株式会社デンソー | 半導体装置の製造方法 |
EP2597675B1 (en) | 2011-04-05 | 2015-10-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Encapsulated semiconductor device and method for producing same |
JP5660990B2 (ja) * | 2011-07-29 | 2015-01-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
WO2013061981A1 (ja) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | 積水化学工業株式会社 | 積層体及びパワー半導体モジュール用部品の製造方法 |
CN102757712B (zh) * | 2012-08-09 | 2014-05-28 | 天津经纬电材股份有限公司 | 高导热绝缘漆的制备方法 |
JP5983249B2 (ja) * | 2012-09-28 | 2016-08-31 | サンケン電気株式会社 | 半導体モジュールの製造方法 |
JP2014090103A (ja) * | 2012-10-31 | 2014-05-15 | Denso Corp | モールドパッケージおよびその製造方法 |
JP2014107519A (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US9230889B2 (en) | 2013-01-16 | 2016-01-05 | Infineon Technologies Ag | Chip arrangement with low temperature co-fired ceramic and a method for forming a chip arrangement with low temperature co-fired ceramic |
US9397018B2 (en) | 2013-01-16 | 2016-07-19 | Infineon Technologies Ag | Chip arrangement, a method for manufacturing a chip arrangement, integrated circuits and a method for manufacturing an integrated circuit |
US9373577B2 (en) * | 2013-05-21 | 2016-06-21 | Infineon Technologies Ag | Hybrid semiconductor package |
JP6301602B2 (ja) | 2013-07-22 | 2018-03-28 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
JP2015023211A (ja) | 2013-07-22 | 2015-02-02 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
JP2015076442A (ja) | 2013-10-07 | 2015-04-20 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
DE102013223430A1 (de) * | 2013-11-18 | 2015-05-21 | BSH Hausgeräte GmbH | Vorrichtung mit einem Leistungselektronikmodul zum Versorgen eines elektrischen Verbrauchers eines Haushaltsgeräts mit elektrischer Versorgungsspannung, Haushaltsgerät und Verfahren zum Herstellen einer derartigen Vorrichtung |
JP6261309B2 (ja) * | 2013-12-02 | 2018-01-17 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
US9716072B2 (en) * | 2014-05-12 | 2017-07-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP6338937B2 (ja) | 2014-06-13 | 2018-06-06 | ローム株式会社 | パワーモジュールおよびその製造方法 |
JP2016012709A (ja) * | 2014-06-30 | 2016-01-21 | サンケン電気株式会社 | 半導体装置 |
JP6092833B2 (ja) * | 2014-10-30 | 2017-03-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
US10217690B2 (en) * | 2015-11-30 | 2019-02-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor module that have multiple paths for heat dissipation |
DE112016005528T5 (de) * | 2015-12-04 | 2018-08-30 | Rohm Co., Ltd. | Leistungsmodulvorrichtung, Kühlstruktur und elektrisches Fahrzeug oder elektrisches Hybridfahrzeug |
WO2017138092A1 (ja) * | 2016-02-09 | 2017-08-17 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置及びその製造方法 |
JP6749262B2 (ja) * | 2016-02-17 | 2020-09-02 | 株式会社有沢製作所 | 放熱板 |
CN107093591B (zh) * | 2016-02-17 | 2022-07-29 | 株式会社有泽制作所 | 散热板 |
JP6472568B2 (ja) | 2016-03-07 | 2019-02-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6099784B2 (ja) * | 2016-03-11 | 2017-03-22 | 三菱電機株式会社 | 電力半導体装置 |
CN106887391A (zh) * | 2017-04-12 | 2017-06-23 | 上海长园维安微电子有限公司 | 适用于功率mos的新型塑封结构 |
JP2019012767A (ja) | 2017-06-30 | 2019-01-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体モジュールの製造方法および半導体モジュール |
CN109637983B (zh) | 2017-10-06 | 2021-10-08 | 财团法人工业技术研究院 | 芯片封装 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0521492A (ja) | 1991-07-10 | 1993-01-29 | Mitsubishi Kasei Corp | 電気・電子部品の樹脂封止成形方法及びそれに用いる金型 |
JPH0766361A (ja) * | 1993-08-30 | 1995-03-10 | Hitachi Cable Ltd | 電源装置 |
JPH08298299A (ja) * | 1995-04-27 | 1996-11-12 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH10125826A (ja) | 1996-10-24 | 1998-05-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製法 |
JPH11243166A (ja) | 1998-02-24 | 1999-09-07 | Fuji Electric Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
JP4073559B2 (ja) | 1998-10-30 | 2008-04-09 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP3581268B2 (ja) * | 1999-03-05 | 2004-10-27 | 株式会社東芝 | ヒートシンク付半導体装置およびその製造方法 |
JP3558548B2 (ja) | 1999-04-02 | 2004-08-25 | 電気化学工業株式会社 | 樹脂成形体とその製造方法、及びそれを用いた電子部品の放熱部材 |
KR100342589B1 (ko) | 1999-10-01 | 2002-07-04 | 김덕중 | 반도체 전력 모듈 및 그 제조 방법 |
JP4286465B2 (ja) * | 2001-02-09 | 2009-07-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
US7061080B2 (en) * | 2001-06-11 | 2006-06-13 | Fairchild Korea Semiconductor Ltd. | Power module package having improved heat dissipating capability |
JP3784684B2 (ja) * | 2001-10-04 | 2006-06-14 | 三菱電機株式会社 | 樹脂パッケージ型半導体装置の製造方法 |
JP3846699B2 (ja) | 2001-10-10 | 2006-11-15 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 半導体パワーモジュールおよびその製造方法 |
US6791839B2 (en) * | 2002-06-25 | 2004-09-14 | Dow Corning Corporation | Thermal interface materials and methods for their preparation and use |
JP3740116B2 (ja) * | 2002-11-11 | 2006-02-01 | 三菱電機株式会社 | モールド樹脂封止型パワー半導体装置及びその製造方法 |
US6919504B2 (en) * | 2002-12-19 | 2005-07-19 | 3M Innovative Properties Company | Flexible heat sink |
US6908170B2 (en) * | 2003-06-23 | 2005-06-21 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Devices for dissipating heat in a fluid ejector head and methods for making such devices |
-
2003
- 2003-09-30 JP JP2003339730A patent/JP2005109100A/ja active Pending
-
2004
- 2004-09-10 KR KR1020040072392A patent/KR20050031877A/ko not_active Application Discontinuation
- 2004-09-22 US US10/946,470 patent/US7671453B2/en active Active
- 2004-09-27 CN CNB2004100120014A patent/CN100446246C/zh active Active
-
2006
- 2006-09-06 KR KR1020060085906A patent/KR100806479B1/ko active IP Right Grant
-
2007
- 2007-09-28 KR KR1020070098008A patent/KR20070104497A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100850147B1 (ko) * | 2005-12-12 | 2008-08-04 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 수지 밀봉용 금형 |
US7808085B2 (en) | 2005-12-12 | 2010-10-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and mold for resin-molding semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100446246C (zh) | 2008-12-24 |
KR100806479B1 (ko) | 2008-02-21 |
US20050067719A1 (en) | 2005-03-31 |
JP2005109100A (ja) | 2005-04-21 |
KR20070104497A (ko) | 2007-10-26 |
US7671453B2 (en) | 2010-03-02 |
CN1604324A (zh) | 2005-04-06 |
KR20060104964A (ko) | 2006-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100806479B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR950009624B1 (ko) | 방열부를 갖는 반도체장치 및 그 제조방법 | |
US7582958B2 (en) | Semiconductor package | |
US6432750B2 (en) | Power module package having insulator type heat sink attached to rear surface of lead frame and manufacturing method thereof | |
US5958100A (en) | Process of making a glass semiconductor package | |
US6574107B2 (en) | Stacked intelligent power module package | |
US7061080B2 (en) | Power module package having improved heat dissipating capability | |
KR100889422B1 (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 장치 | |
US8624408B2 (en) | Circuit device and method of manufacturing the same | |
US20090115038A1 (en) | Semiconductor Packages and Methods of Fabricating the Same | |
US20140353812A1 (en) | Semiconductor device | |
US7221042B2 (en) | Leadframe designs for integrated circuit plastic packages | |
US20080315405A1 (en) | Heat spreader in a flip chip package | |
CN111834346A (zh) | 晶体管功率模块封装结构及其封装方法 | |
JP2001144230A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
KR101490751B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
US6696750B1 (en) | Semiconductor package with heat dissipating structure | |
EP2545584B1 (en) | Package having spaced apart heat sink | |
EP3428962B1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device | |
US7821141B2 (en) | Semiconductor device | |
CN111668197B (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
US9230874B1 (en) | Integrated circuit package with a heat conductor | |
JPH10112519A (ja) | 熱放散手段を有する集積回路装置及びその製造方法 | |
EP4075484A1 (en) | Power semiconductor module comprising molded body and method for producing a power semiconductor module | |
JP2008004971A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
AMND | Amendment | ||
E801 | Decision on dismissal of amendment | ||
B601 | Maintenance of original decision after re-examination before a trial | ||
J301 | Trial decision |
Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20060807 Effective date: 20070724 |
|
WITB | Written withdrawal of application |