JP2015076442A - パワーモジュールおよびその製造方法 - Google Patents

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metal plate
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吉原　克彦
Katsuhiko Yoshihara
克彦 吉原
匡男 濟藤
Masao Saito
匡男 濟藤
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Rohm Co Ltd
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    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
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    • H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
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Abstract

【課題】コストが低減可能で、基板全体の反りが低減され、品質が安定化され信頼性の向上したパワーモジュールおよびその製造方法を提供する。【解決手段】パワーモジュール２０は、絶縁層１２と、絶縁層１２上に配置された第１金属板３と、第１金属板３上に配置された第１半導体デバイス１と、第１金属板３上に配置された第１接着絶縁層１０および第２接着絶縁層１１と、第１接着絶縁層１０上に配置された第１主電極配線用ランド５と、第２接着絶縁層１１上に配置された第１信号配線用ランド７1・７2とを備える。【選択図】図４

Description

本発明は、パワーモジュールおよびその製造方法に関し、特に、コストが低減可能で、品質が安定化され信頼性の向上したパワーモジュールおよびその製造方法に関する。
従来、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ：Insulated Gate Bipolar Transistor）のような半導体デバイスを含むパワーチップがリードフレーム上に搭載され、系全体が樹脂でモールドされたパワーモジュールが知られている（例えば、特許文献１および特許文献２参照。）。動作状態において、半導体デバイスは発熱するため、リードフレームの裏面に絶縁層を介してヒートシンクを配置し、半導体デバイスを冷却するのが一般的である。
特許３２０１２７７号公報 特開２００５−１０９１００号公報
本発明の目的は、コストが低減可能で、基板全体の反りが低減され、品質が安定化され信頼性の向上したパワーモジュールおよびその製造方法を提供することにある。
本発明の一態様によれば、絶縁層と、前記絶縁層上に配置された金属板と、前記金属板上に配置された半導体デバイスと、前記金属板上に配置された第１接着絶縁層および第２接着絶縁層と、前記第１接着絶縁層上に配置された主電極配線用ランドと、前記第２接着絶縁層上に配置された信号配線用ランドとを備えるパワーモジュールが提供される。
本発明の他の態様によれば、金属板を形成する工程と、前記金属板の表面上にはんだを介して半導体デバイスを形成する工程と、前記金属板上に第１接着絶縁層および第２接着絶縁層を形成する工程と、前記第１接着絶縁層上に主電極配線用ランドを形成し、前記第２接着絶縁層上に信号配線用ランドを形成する工程と、前記半導体デバイスと前記主電極配線用ランドとを第１ボンディングワイヤを介してボンディング接続する工程と、前記半導体デバイスと前記信号配線用ランドとを第２ボンディングワイヤとを介してボンディング接続する工程と、前記金属板、前記第１接着絶縁層および前記第２接着絶縁層、前記主電極配線用ランドおよび前記信号配線用ランド、前記半導体デバイス、前記第１ボンディングワイヤおよび前記第２ボンディングワイヤをモールド樹脂を用いてモールドする工程と、前記金属板の裏面に絶縁層を形成する工程とを有するパワーモジュールの製造方法が提供される。
本発明によれば、コストが低減可能で、基板全体の反りが低減され、品質が安定化され信頼性の向上したパワーモジュールおよびその製造方法を提供することができる。
比較例に係るパワーモジュールであって、ワンインワンモジュール（1 in 1 Module）のＩＧＢＴの模式的平面パターン構成図。 図１のＩ−Ｉ線に沿う式的断面構造図。 実施の形態に係るパワーモジュールであって、ワンインワンモジュールのＩＧＢＴの模式的平面パターン構成図。 図３のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。 実施の形態の変形例に係るパワーモジュールであって、ワンインワンモジュールのＩＧＢＴの模式的平面パターン構成図。 図５のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。 実施の形態およびその変形例に係るパワーモジュールに適用される半導体デバイスの表面部分の拡大された模式的平面パターン構成図。 実施の形態に係るパワーモジュールの製造方法を示す工程図であって、（ａ）半導体デバイス１をコレクタ接続電極３上に接合した状態を示す断面図、（ｂ）エミッタ用接着絶縁層１０・信号配線用接着絶縁層１１をコレクタ接続電極３上に配置した後の状態を示す断面図、（ｃ）エミッタ用接着絶縁層１０・信号配線用接着絶縁層１１上に、エミッタ配線用ランド５・信号配線用ランド７1・７2を搭載し、加熱・加圧工程を実施した状態の断面図、（ｄ）エミッタ用ボンディングワイヤ４・信号用ボンディングワイヤ６（６1・６2）をボンディング接続した状態を示す断面図。 実施の形態に係るパワーモジュールの製造方法を示す工程図であって、エミッタ用接着絶縁層１０・信号配線用接着絶縁層１１上に、エミッタ配線用ランド５・信号配線用ランド７1・７2を搭載した状態の模式的平面パターン構成図。 実施の形態に係るパワーモジュールの製造方法を示す工程図であって、加熱・加圧工程により、エミッタ用接着絶縁層１０・信号配線用接着絶縁層１１上に、エミッタ配線用ランド５・信号配線用ランド７1・７2を接合した状態の図９のＩＶ−ＩＶ線に沿う模式的断面構造図。 実施の形態に係るパワーモジュールの製造方法を示す工程図であって、モールド後、コレクタ接続電極３の裏面に絶縁層を形成した後、ヒートシンク上に配置した状態を示す断面図。 実施の形態に係るパワーモジュールの製造方法を示す工程図であって、モールド後、コレクタ接続電極３の裏面に硬質絶縁層・軟質絶縁層を形成した後、ヒートシンク上に配置した状態を示す断面図。 実施の形態に係るパワーモジュールであって、ツーインワンモジュール（2 in 1 Module）のＩＧＢＴの模式的平面パターン構成図。 図１３のＶ−Ｖ線に沿う模式的断面構造図。 実施の形態に係るパワーモジュールであって、図１３に対応するツーインワンモジュールのＩＧＢＴの模式的回路表現図。 実施の形態に係るパワーモジュールであって、（ａ）ワンインワンモジュールのＳｉＣ 絶縁ゲート電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）の模式的回路表現図、（ｂ）ワンインワンモジュールのＩＧＢＴの模式的回路表現図。 実施の形態に係るパワーモジュールであって、ワンインワンモジュールのＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの詳細回路表現図。 実施の形態に係るパワーモジュールであって、（ａ）ツーインワンモジュールのＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの模式的回路表現図、（ｂ）ツーインワンモジュールのＩＧＢＴの模式的回路表現図。 実施の形態に係るパワーモジュールに適用する半導体デバイスの例であって、（ａ）ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの模式的断面構造図、（ｂ）ＩＧＢＴの模式的断面構造図。 実施の形態に係るパワーモジュールに適用する半導体デバイスの例であって、ソースパッド電極ＳＰ、ゲートパッド電極ＧＰを含むＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの模式的断面構造図。 実施の形態に係るパワーモジュールに適用する半導体デバイスの例であって、エミッタパッド電極ＥＰ、ゲートパッド電極ＧＰを含むＩＧＢＴの模式的断面構造図。 実施の形態に係るパワーモジュールを用いて構成した３相交流インバータの模式的回路構成において、（ａ）半導体デバイスとしてＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴを適用し、電源端子ＰＬ、接地端子ＮＬ間にスナバコンデンサを接続した回路構成例、（ｂ）半導体デバイスとしてＩＧＢＴを適用し、電源端子ＰＬ、接地端子ＮＬ間にスナバコンデンサを接続した回路構成例。 半導体デバイスとしてＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴを適用した実施の形態に係るパワーモジュールを用いて構成した３相交流インバータの模式的回路構成図。 半導体デバイスとしてＩＧＢＴを適用した実施の形態に係るパワーモジュールを用いて構成した３相交流インバータの模式的回路構成図。
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各構成部品の厚みと平面寸法との関係等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
又、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、各構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
（比較例）
比較例に係るパワーモジュール２０Ａであって、ワンインワンモジュールのＩＧＢＴの模式的平面パターン構成は、図１に示すように表される。また、図１のＩ−Ｉ線に沿う式的断面構造は、図２に示すように表される。
比較例に係るパワーモジュール２０Ａにおいては、図１および図２に示すように、半導体チップ１が、チップ下はんだ２を介してコレクタ接続電極３に接続されている。この半導体チップ１のエミッタからの電流の取り出しのため、エミッタ用ボンディングワイヤ４が、半導体チップ１のエミッタ電極とエミッタ配線用ランド５との間に接続されている。図示は省略されているが、さらにエミッタ配線用ランド５から外部に電流を取り出すための配線がエミッタ配線用ランド５には施されている。また、半導体チップ１の電流制御のために、半導体チップ１のゲート電極・エミッタ電極と信号配線用ランド７1・７2との間に、信号用ボンディングワイヤ６1・６2が接続されている。
ここで、コレクタ接続電極３、エミッタ配線用ランド５、信号配線用ランド７1・７2、裏面銅箔９は、セラミックス基板８に接合されている。これらは、例えば、市販のＤＢＣ（Direct Bonding Copper）等の絶縁基板を加工して形成可能である。
比較例に係るパワーモジュール２０Ａにおいては、絶縁基板は、絶縁基板メーカに依頼して作製してもらうため、高コストである。また、様々な回路パターンが必要な場合、その回路パターン毎の基板型が必要となり、コストがかかる。また、セラミックス基板と銅回路パターンとの間の熱膨張係数差により、絶縁基板に反りが生じる。
（実施の形態）
―ワンインワンモジュール（1 in 1 Module）―
実施の形態に係るパワーモジュール２０であって、ワンインワンモジュールのＩＧＢＴの模式的平面パターン構成は、図３に示すように表される。また、図３のＩＩ―ＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図４に示すように表される。
実施の形態に係るパワーモジュール２０は、図３および図４に示すように、絶縁層１２と、絶縁層１２上に配置された金属板３と、金属板３上に配置された半導体デバイス１と、金属板３上に配置された第１接着絶縁層１０および第２接着絶縁層１１と、第１接着絶縁層１０上に配置された主電極配線用ランド５と、第２接着絶縁層１１上に配置された信号配線用ランド７1・７2とを備える。
実施の形態に係るパワーモジュール２０においては、図３および図４に示すように、半導体デバイス１が実装される配線パターンを有する金属板３上に、接着絶縁層（１０、１１）を介して他の配線パターンを有する主電極配線用ランド５・信号配線用ランド７1・７2が形成されている。
実施の形態に係るパワーモジュール２０においては、第１接着絶縁層１０および第２接着絶縁層１１は、無機系接着剤で形成されている。
ここで、無機系接着剤は、充填材を含有しており、充填材は、例えば、シリカ、アルミナ、ジルコニア、またはこれらの複合物であっても良い。
金属板３は、銅、アルミニウム、銅合金、およびアルミニウム合金のいずれかで形成可能である。
実施の形態に係るパワーモジュール２０においては、図３および図４に示すように、半導体デバイス１と主電極配線用ランド５とを電気的に接続する第１ボンディングワイヤ４と、半導体デバイス１と信号配線用ランド７1・７2とを電気的に接続する第２ボンディングワイヤ６と、金属板・第１接着絶縁層および第２接着絶縁層・主電極配線用ランドおよび信号配線用ランド・半導体デバイス・第１ボンディングワイヤおよび第２ボンディングワイヤとをモールドするモールド樹脂（１７：図１１、図１２参照）とを備える。
（変形例）
実施の形態の変形例に係るパワーモジュール２０であって、ワンインワンモジュールのＩＧＢＴの模式的平面パターン構成は、図５に示すように表される。また、図５のＩＩＩ―ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図６に示すように表される。
実施の形態の変形例に係るパワーモジュール２０においては、図５および図６に示すように、第１接着絶縁層１０Ａおよび第２接着絶縁層１１Ａは、耐熱絶縁シートで形成されている。
ここで、耐熱絶縁シートは、例えば、エポキシ系樹脂若しくはポリイミド系樹脂で形成されていても良い。ここで、耐熱絶縁シートの厚さは、例えば、約３０μｍ〜約１２０μｍと１層では薄い。このため、多層化形成されていても良い。
実施の形態およびその変形例に係るパワーモジュール２０に適用される半導体デバイス１の表面部分の拡大された模式的平面パターン構成は、図７に示すように表される。
半導体デバイス１の表面上には、図７に示すように、ソースパッド電極ＳＰ若しくはエミッタパッド電極ＥＰと、ゲートパッド電極ＧＰが配置されている。ソースパッド電極ＳＰ若しくはエミッタパッド電極ＥＰ上には、主電極配線用ランド５と電気的に接続される第１ボンディングワイヤ４と、信号配線用ランド７2と接続される第２ボンディングワイヤ６2が接続されている。また、ゲートパッド電極ＧＰ上には、信号配線用ランド７1と接続される第１ボンディングワイヤ６1が接続されている。ここで、半導体デバイス１がＩＧＢＴの場合には、半導体デバイス１の表面上には、エミッタパッド電極ＥＰが形成され、半導体デバイス１がＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの場合には、半導体デバイス１の表面上には、ソースパッド電極ＳＰが形成される。
（製造方法）
実施の形態に係るパワーモジュール２０の製造方法を示す工程図であって、半導体デバイス１を金属板（コレクタ接続電極）３上にチップ下はんだ２を介して接合した状態を示す断面構造は、図８（ａ）に示すように表され、エミッタ用接着絶縁層１０・信号配線用接着絶縁層１１をコレクタ接続電極３上に配置した後の状態を示す断面構造は、図８（ｂ）に示すように表され、エミッタ用接着絶縁層１０・信号配線用接着絶縁層１１上に、エミッタ配線用ランド５・信号配線用ランド７1・７2を搭載し、加熱・加圧工程を実施した状態の断面構造は、図８（ｃ）に示すように表され、半導体デバイス１とエミッタ配線用ランド５とをエミッタ用ボンディングワイヤ４を介してボンディング接続し、半導体デバイス１と信号配線用ランド７1・７2とを信号用ボンディングワイヤ６（６1・６2）を介してボンディング接続した状態を示す断面構造は、図８（ｄ）に示すように表される。
ここで、実施の形態に係るパワーモジュール２０の製造方法を示す工程図であって、エミッタ用接着絶縁層１０・信号配線用接着絶縁層１１上に、エミッタ配線用ランド５・信号配線用ランド７1・７2を搭載した状態の模式的平面パターン構成は、図９に示すように表される。
また、実施の形態に係るパワーモジュール２０の製造方法を示す工程図であって、加熱・加圧工程により、エミッタ用接着絶縁層１０・信号配線用接着絶縁層１１上に、エミッタ配線用ランド５・信号配線用ランド７1・７2を接合した状態の図９のＩＶ−ＩＶ線に沿う模式的断面構造は、図１０に示すように表される。加熱手段としては、ホットプレート１２０を適用可能である。また、恒温槽や熱風ドライヤーなどを用いても良い。加熱温度は、例えば、約１００℃〜約２００℃である。また、加圧圧力Ｐは、例えば、約２０ｋｇ／ｃｍ2である。
実施の形態に係るパワーモジュール２０の製造方法を示す工程図であって、図８（ｄ）に示されたボンディング工程後、モールド樹脂１７を用いてモールド後、コレクタ接続電極３の裏面に絶縁層１２を形成し、ヒートシンク１００上に配置した状態を示す断面構造は、図１１に示すように表される。
また、実施の形態に係るパワーモジュール２０の製造方法を示す工程図であって、図８（ｄ）に示されたボンディング工程後、モールド樹脂１７を用いてモールド後、コレクタ接続電極３の裏面に硬質絶縁層１２ａ・軟質絶縁層１２ｂを形成した後、ヒートシンク１００上に配置した状態を示す断面構造は、図１２に示すように表される。
実施の形態に係るパワーモジュール２０の製造方法は、図８（ａ）〜図８（ｄ）および図９〜図１２に示すように、金属板３を形成する工程と、金属板３の表面上にチップ下はんだ２を介して半導体デバイス１を形成する工程と、金属板３上に第１接着絶縁層１０および第２接着絶縁層１１を形成する工程と、第１接着絶縁層１０上に主電極配線用ランド５を形成し、第２接着絶縁層１１上に信号配線用ランド７1・７2を形成する工程と、半導体デバイス１と主電極配線用ランド５とを第１ボンディングワイヤ４を介してボンディング接続する工程と、半導体デバイス１と信号配線用ランドとを第２ボンディングワイヤ６（６1・６2）を介してボンディング接続する工程と、金属板３、第１接着絶縁層１０および第２接着絶縁層１１、主電極配線用ランド５および信号配線用ランド７1・７2、半導体デバイス１、第１ボンディングワイヤ４および第２ボンディングワイヤ６（６1・６2）をモールド樹脂１７を用いてモールドする工程と、金属板３の裏面に絶縁層１２を形成する工程とを有する。
ここで、金属板３の裏面に絶縁層１２を形成する工程は、金属板３の裏面に硬質絶縁層１２ａを形成する工程と、硬質絶縁層１２ａ上に軟質絶縁層１２ｂを形成する工程とを有していても良い。
また、第１接着絶縁層１０上に主電極配線用ランド５を形成し、第２接着絶縁層１１上に信号配線用ランド７1・７2を形成する工程は、加熱・加圧工程を有する。
また、第１接着絶縁層１０および第２接着絶縁層１１は、無機系接着剤で形成可能である。
また、無機系接着剤は、充填材を含有し、充填材は、シリカ、アルミナ、ジルコニア、またはこれらの複合物であっても良い。
以下に、実施の形態に係るパワーモジュール２０の製造方法を詳述する。
（ａ）まず、図８（ａ）に示すように、所望寸法の銅または銅合金からなる金属板３の表面に、半導体デバイス１をチップ下はんだ２を用いて接合する。ここで用いる金属板３の材質としては、銅または銅合金の他に、アルミニウムまたはアルミニウム合金を用いても良い。また、銅または銅合金を用いる場合は、銅または銅合金の素地のまま使用するか、あるいは酸化防止のためにニッケルめっきや銀めっき、金めっきを施しても良い。アルミニウムまたはアルミニウム合金を用いる場合、アルミニウム用はんだ材を用いれば特別なめっき処理は不要であるが、アルミニウム用はんだ材を用いない場合、ニッケルめっき、銀めっき、金めっきなどを施すことが必要である。
（ｂ）次に、図８（ｂ）に示すように、半導体デバイス１をチップ下はんだ２を用いて接合した金属板３の表面に、無機系接着剤からなる第１接着絶縁層１０および第２接着絶縁層１１を塗布する。ここで用いる無機系接着剤は、パワーモジュールの絶縁耐圧性能から体積固有抵抗が１×１０6Ω・ｃｍ以上のものを用いる。また、この無機系接着剤に含まれる無機充填材としては、シリカ、アルミナ、ジルコニアまたはこれらの充填材の複合物が好ましい。また、この無機系接着剤の厚さは、例えば、約１０μｍ〜約１ｍｍとすれば良い。約１０μｍ以下の厚さでは、絶縁耐圧を保持することが難しい。また、約１ｍｍ以上に厚さでは、無機系接着剤の硬化に時間を要するため、適用困難である。この無機系接着剤の厚さは、好ましくは、例えば、約２００μｍ〜約５００μｍとすれば良い。
ここで、無機系接着剤を形成する工程は、以下の通りである。
（ｂ−１）金属板３上に無機系接着剤を塗布し、約１日間、自然乾燥する。
（ｂ−２）次に、１日間、室温〜約４０℃に加熱する。
（ｂ−３）次に、約４時間、例えば、約１００℃程度まで加熱し、硬化処理を実施する。
以上の工程によって、無機系接着剤をボイドレス化形成することができる。
（ｃ）次に、図８（ｃ）および図９〜図１０に示すように、エミッタ用接着絶縁層１０・信号配線用接着絶縁層１１上に、所望寸法に加工したエミッタ配線用ランド５・信号配線用ランド７１・７2を搭載し、加圧・加熱硬化処理を行う。加熱手段としては、ホットプレート１２０を適用可能である。また、恒温槽や熱風ドライヤーなどを用いても良い。加熱温度は、例えば、約１００℃〜約２００℃である。また、加圧圧力Ｐは、例えば、約２０ｋｇ／ｃｍ2である。
（ｄ）次に、図８（ｄ）に示すように、半導体デバイス１・エミッタ配線用ランド５間、半導体デバイス１・信号配線用ランド７１・７2間をそれぞれアルミニウムワイヤ（エミッタ用ボンディングワイヤ４・信号用ボンディングワイヤ６1、６2）を用いて接続する。
（ｅ）次に、図１１に示すように、モールド樹脂１７を用いてモールドする。
（ｆ）次に、図１１に示すように、コレクタ接続電極３の裏面に絶縁層１２を形成し、ヒートシンク１００上に配置する。ここで、コレクタ接続電極３の裏面に硬質絶縁層１２ａ・軟質絶縁層１２ｂを形成した後、ヒートシンク１００上に配置しても良い。
以上の製造工程を経て、図１１〜図１２に示すような実施の形態に係るパワーモジュール２０が完成する。
実施の形態に係るパワーモジュール２０においては、実装する半導体デバイス１の数や配置が変化したとしても、エミッタ配線用ランド５や信号配線用ランド７１・７2の形状を適宜変更し、これらを無機系接着剤を用いて金属板（コレクタ接続電極）３に固定すれば良く、新たに絶縁基板を作製するための基板型を作製する必要は無い。
また、絶縁層１２は、有機絶縁樹脂層で形成されていても良い。
また、実施の形態に係るパワーモジュール２０は、図１１〜図１２に示すように、冷却体（ヒートシンク）１００を備え、絶縁層１２は、冷却体側に配置されていても良い。
また、実施の形態に係るパワーモジュール２０において、絶縁層１２は、図１２に示すように、金属板３側に配置される硬質絶縁層１２ａと、金属板３とは反対の側に配置される軟質絶縁層１２ｂとを有していても良い。
また、実施の形態に係るパワーモジュール２０は、図１２に示すように、冷却体（ヒートシンク）１００を備え、軟質絶縁層１２ｂは、冷却体（ヒートシンク）１００側に配置されていても良い。
ここで、軟質絶縁層１２ｂは、有機材料で構成されていても良い。
また、軟質絶縁層１２ｂは、シリコーン系樹脂で構成されていても良い。
また、軟質絶縁層１２ｂには、熱伝導率の高い充填材が充填されていても良い。
ここで、軟質絶縁層１２ｂに充填される充填材は、酸化アルミ、酸化ケイ素、窒化アルミ、窒化珪素、窒化ホウ素、ベリリア、マグネシアのうちの少なくとも１つであっても良い。
同様に、硬質絶縁層１２ａは、有機材料で構成されていても良い。
また、硬質絶縁層１２ａは、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂のうちの少なくとも１つで構成されていても良い。
また、硬質絶縁層１２ａには、熱伝導率の高い充填材が充填されていても良い。
ここで、硬質絶縁層１２ａに充填される充填材は、酸化アルミ、酸化ケイ素、窒化アルミ、窒化珪素、窒化ホウ素、ベリリア、マグネシアのうちの少なくとも１つであっても良い。
ヒートシンク１００を除くモールド樹脂１７によってモールド後の実施の形態に係るパワーモジュール２０の厚さは、約７ｍｍ程度と薄く形成可能である。
図８（ａ）〜図８（ｄ）および図９〜図１２は、いずれもワンインワン構成のパワーモジュールの製造方法に対応している。
ここで説明された実施の形態に係るパワーモジュール２０の製造方法は、後述する図１３〜図１５に示されたような複数の金属板３1・３2を備えるツーインワン構成の実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔにおいても同様に適用可能である。
―ツーインワンモジュール（2 in 1 Module）―
実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔ（半導体チップ実装後）の模式的平面構造は、図１３に示すように表される。また、図１３のＶ−Ｖ線に沿う模式的断面構造は、図１４に示すように表される。図１３〜図１４は、ツーインワン構成のパワーモジュールに対応している。
図１３および図１４に示すように、リードフレーム（上アーム）１８1（Ｏ）に接続された金属板３2上にはチップ下はんだ２を介してフリーホイールダイオード１４4およびＩＧＢＴ１３4が配置されている。また、金属板３2上には第１接着絶縁層１０および第２接着絶縁層１１が配置され、さらに第１接着絶縁層１０上には、主電極配線用ランド５が配置され、第２接着絶縁層１１上には、信号配線用ランド７1・７2が配置される。また、ボンディングワイヤ４(ＥＡ)は、ＩＧＢＴ（Ｑ４）１３4のエミッタＥ４とフリーホイールダイオード（Ｄ４）１４4のアノードＡ４との間を接続している。ボンディングワイヤ４(ＡＮ)は、フリーホイールダイオード（Ｄ４）１４4のアノードＡ４と主電極配線用ランド５との間を接続している。ボンディングワイヤ６（６1・６2)は、ＩＧＢＴ（Ｑ４）１３4のゲートＧ４・エミッタＥ４と信号配線用ランド７1・７2との間を接続している。
また、半導体デバイスとしてＩＧＢＴを適用した実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔであって、図１３に対応するツーインワンモジュールの模式的回路表現は、図１５に示すように表される。図１５に示すように、２個のＩＧＢＴＱ１・Ｑ４が１つのモジュールに内蔵されている。Ｇ１は、ＩＧＢＴＱ１のゲート信号端子であり、Ｅ１は、ＩＧＢＴＱ１のエミッタ端子である。Ｃ１は、ＩＧＢＴＱ１のコレクタ端子である。Ｇ４は、ＩＧＢＴＱ４のゲート信号端子であり、Ｅ４は、ＩＧＢＴＱ４のエミッタ端子であり、Ｃ４は、ＩＧＢＴＱ４のコレクタ端子である。ＩＧＢＴＱ１のコレクタ端子Ｃ１は、リードフレーム（上アーム）１８2（Ｐ）に接続される。ＩＧＢＴＱ１のエミッタ端子Ｅ１・ＩＧＢＴＱ４のコレクタ端子Ｃ４は、リードフレーム（下アーム）１８1（Ｏ）に接続される。ＩＧＢＴＱ４のエミッタ端子Ｅ４は、リードフレーム１９（Ｎ）に接続される。Ｐは、正側電源入力端子であり、Ｎは、負側電源入力端子であり、Ｏは、出力端子である。
ＩＧＢＴＱ１のコレクタ端子Ｃ１はコレクタ接続電極３1に接続されており、ボンディングワイヤ３４4を介して、リードフレーム（上アーム）１８2（Ｐ）に接続される。ＩＧＢＴＱ１のエミッタ端子Ｅ１・ＩＧＢＴＱ４のコレクタ端子Ｃ４はコレクタ接続電極３2に接続されており、ボンディングワイヤ３４1を介して、リードフレーム（下アーム）１８1（Ｏ）に接続される。ＩＧＢＴＱ４のエミッタ端子Ｅ４は、フリーホイールダイオードＤ４のアノード端子Ａ４とボンディングワイヤ４（ＡＮ）・３４2・３４5を介して、リードフレーム１９（Ｎ）に接続される。
実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔは、図１３〜図１５に示すように、絶縁層１２と、絶縁層１２上に配置された金属板３1・３2と、金属板３1上に配置された半導体デバイス（ＩＧＢＴ１３1・１３2およびフリーホイールダイオード１４1・１４2）と、金属板３2上に配置された半導体デバイス（ＩＧＢＴ１３3・１３4およびフリーホイールダイオード１４3・１４4）と、金属板３1・３2上に配置された第１接着絶縁層１０および第２接着絶縁層１１と、第１接着絶縁層１０上に配置された主電極配線用ランド５と、第２接着絶縁層１１上に配置された信号配線用ランド７1・７2およびパワー配線用ランド７3とを備える。
実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔにおいては、図１３〜図１５に示すように、半導体デバイス（ＩＧＢＴ１３1・１３2およびフリーホイールダイオード１４1・１４2）が実装される配線パターンを有する金属板３1上に、接着絶縁層（１０、１１）を介して他の配線パターンを有する主電極配線用ランド５・信号配線用ランド７1・７2が形成されている。同様に、半導体デバイス（ＩＧＢＴ１３3・１３4およびフリーホイールダイオード１４3・１４4）が実装される配線パターンを有する金属板３2上に、接着絶縁層（１０、１１）を介して他の配線パターンを有する主電極配線用ランド５・信号配線用ランド７1・７2が形成されている。
実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔにおいても、第１接着絶縁層１０および第２接着絶縁層１１は、無機系接着剤で形成されている。
ここで、無機系接着剤は、充填材を含有しており、充填材は、例えば、シリカ、アルミナ、ジルコニア、またはこれらの複合物であっても良い。
金属板３1・３2は、銅、アルミニウム、銅合金、およびアルミニウム合金のいずれかで形成可能である。
実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔは、図１３〜図１５に示すように、フリーホイールダイオード１４3・１４4と主電極配線用ランド５とを電気的に接続するボンディングワイヤ４（ＡＮ）と、ＩＧＢＴ１３3・１３4とフリーホイールダイオード１４3・１４4とを電気的に接続するボンディングワイヤ４（ＥＡ）と、ＩＧＢＴ１３3・１３4と信号配線用ランド７1・７2とを電気的に接続するボンディングワイヤ６と、フリーホイールダイオード１４1・１４2と主電極配線用ランド５とを電気的に接続するボンディングワイヤ４（ＡＯ）と、ＩＧＢＴ１３1・１３2とフリーホイールダイオード１４1・１４1とを電気的に接続するボンディングワイヤ４（ＥＡ）と、ＩＧＢＴ１３1・１３2と信号配線用ランド７1・７2とを電気的に接続するボンディングワイヤ６と、リードフレーム（下アーム）１８1（Ｏ）と金属板３2とを接続するボンディングワイヤ３４1と、主電極配線用ランド５とパワー配線用ランド７3とを接続するボンディングワイヤ３４2と、金属板３2と主電極配線用ランド５とを接続するボンディングワイヤ３４3と、リードフレーム（上アーム）１８2（Ｐ）と金属板３1とを接続するボンディングワイヤ３４4と、リードフレーム１９（Ｎ）とパワー配線用ランド７3とを接続するボンディングワイヤ３４5とを備える。
また、図５および図６に示された実施の形態の変形例に係るパワーモジュール２０と同様に、第１接着絶縁層１０および第２接着絶縁層１１は、耐熱絶縁シートで形成されていても良い。
ここで、耐熱絶縁シートは、例えば、エポキシ系樹脂若しくはポリイミド系樹脂で形成されていても良い。ここで、耐熱絶縁シートの厚さは、例えば、約３０μｍ〜約１２０μｍと１層では薄い。このため、多層化形成されていても良い。
実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔは、図１３に示すように、互いに分割された金属板３1・３2と、金属板３1上にチップ下はんだ２を介して配置された半導体デバイス（ＩＧＢＴ１３1・１３2およびフリーホイールダイオード１４1・１４2）と、金属板３2上にチップ下はんだ２を介して配置された半導体デバイス（ＩＧＢＴ１３3・１３4およびフリーホイールダイオード１４3・１４4）とを備える。ＩＧＢＴ１３1・１３2は、金属板３1上に２チップ並列配置され、フリーホイールダイオード１４1・１４2も金属板３1上に２チップ並列配置されている。フリーホイールダイオード１４1・１４2は、それぞれ１３1・１３2に対して逆並列接続されている。同様に、ＩＧＢＴ１３3・１３4は、金属板３2上に２チップ並列配置され、フリーホイールダイオード１４3・１４4も金属板３2上に２チップ並列配置されている。フリーホイールダイオード１４3・１４4は、それぞれＩＧＢＴ１３3・１３4に対して逆並列接続されている。
すなわち、チップ下はんだ２を介して半導体デバイス（ＩＧＢＴ１３3・１３4およびフリーホイールダイオード１４3・１４4）をリードフレーム（下アーム）１８1（Ｏ）が接続された金属板３2に接合し、同様にチップ下はんだ２を介して半導体デバイス（ＩＧＢＴ１３1・１３2およびフリーホイールダイオード１４1・１４2）をリードフレーム（上アーム）１８2（Ｐ）が接続された金属板３1に接合した後、ボンディングワイヤ３４1・３４2・３４3・３４4を用いて配線を行う。
次に、図示しないモールド金型に図１３〜図１４の状態のパワーモジュールをセットし、モールド樹脂１７を用いてモールドする。すなわち、図示は省略されているが、金属板３1・３2・第１接着絶縁層１０および第２接着絶縁層１１・主電極配線用ランド５および信号配線用ランド７1・７2・パワー配線用ランド７3・半導体デバイス（ＩＧＢＴ１３1・１３2およびフリーホイールダイオード１４1・１４2）・半導体デバイス（ＩＧＢＴ１３3・１３4およびフリーホイールダイオード１４3・１４4）・ボンディングワイヤ４（ＥＡ）・４（ＡＮ）・４（ＡＯ）およびボンディングワイヤ６・ボンディングワイヤ３４1・３４2・３４3・３４4・３４5は、図１１〜図１２と同様に、モールド樹脂１７によってモールドされる。
この後、金属板３1・３2の裏面上に、絶縁層１２を形成する。
また、実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔは、図１１と同様に、冷却体（ヒートシンク）１００を備え、絶縁層１２は、冷却体側に配置されていても良い。
また、絶縁層１２は、図１２と同様に、金属板３1・３2側に配置される硬質絶縁層１２ａと、金属板３1・３2とは反対の側に配置される軟質絶縁層１２ｂとを有していても良い。
また、図１２と同様に、冷却体（ヒートシンク）１００を備え、軟質絶縁層１２ｂは、冷却体（ヒートシンク）１００側に配置されていても良い。
実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔにおいては、金属板３1・３2は、図示は省略されているが、樹脂接続板によって、互いに接続されていても良い。半導体デバイスなどに接合したボンディングワイヤにモールド時の力が負荷されてもボンディング部にダメージが与えられることがなく、製造時の信頼性を向上可能である。また、樹脂接続板は、モールド樹脂１７の成型温度以上の耐熱性を有する。また、樹脂接続板は、金属板３1・３2間をネジを介して接続されていても良い。
また、樹脂接続板は、ポリフェニルサルファイド（ＰＳＳ）、ポリエチルエチルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリイミド（ＰＩ）のいずれかで形成されていても良い。図示しないモールド金型に図１３の状態のパワーモジュール２０Ｔをセットし、モールド樹脂１７を用いてモールドするとき、樹脂接続板もそのままの状態で、樹脂モールドを行う。
また、図示は省略されているが、樹脂接続板の金属板３1・３2に対向する面にノッチ（突起部）を設け、相対する金属板３1・３2側は、このノッチ（突起部）２９に嵌合するノッチ用穴（凹部）を形成しても良い。このような構成によって、ネジを用いたネジ止めによる回転方向の位置ズレが無くなり、より正確な回路パターンの位置決めが可能となる。
実施の形態に係るパワーモジュール２０・２０Ｔにおいては、比較例におけるセラミックス基板を用いず、銅板などの金属板上に無機系接着剤などを用いて、配線パターンを接着固定する。
実施の形態に係るパワーモジュール２０・２０Ｔにおいては、このような回路基板を用いることにより、基板メーカから購入しなければならなかった基板を自作することができ、部材コストが低減可能である。また、回路パターン毎に必要とされた基板型が不要となるため、コスト低減が可能である。また、熱膨張係数の小さな絶縁層の面積が相対的に少なくなるため、基板全体の反りが低減され、半導体チップ下はんだの厚さのバラツキが少なくなることで、品質が安定化される。
（パワーモジュールの具体例）
以下、実施の形態に係るパワーモジュール２０・２０Ｔの具体例を説明する。もちろん、以下に説明するパワーモジュール２０・２０Ｔにおいても、セラミックス基板を用いず、銅板などの金属板上に無機系接着剤などを用いて、配線パターンを接着固定可能である。
実施の形態に係るパワーモジュール２０であって、ワンインワンモジュールのＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの模式的回路表現は、図１６（ａ）に示すように表され、ワンインワンモジュールのＩＧＢＴの模式的回路表現は、図１６（ｂ）に示すように表される。
図１６（ａ）には、ＭＯＳＦＥＴＱに逆並列接続されるダイオードＤＩが示されている。ＭＯＳＦＥＴＱの主電極は、ドレイン端子ＤＴおよびソース端子ＳＴで表される。同様に、図１６（ｂ）には、ＩＧＢＴＱに逆並列接続されるダイオードＤＩが示されている。ＩＧＢＴＱの主電極は、コレクタ端子ＣＴおよびエミッタ端子ＥＴで表される。
また、実施の形態に係るパワーモジュール２０であって、ワンインワンモジュールのＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの詳細回路表現は、図１７に示すように表される。
実施の形態に係るパワーモジュール２０は、例えば、ワンインワンモジュールの構成を備える。すなわち、１個のＭＯＳＦＥＴＱが１つのモジュールに内蔵されている。一例として５チップ（ＭＯＳＦＥＴ×５）搭載可能であり、それぞれのＭＯＳＦＥＴＱは、５個まで並列接続可能である。尚、５チップの内、一部をダイオードＤＩ用として搭載することも可能である。
さらに詳細には、図１７に示すように、ＭＯＳＦＥＴＱに並列にセンス用ＭＯＳＦＥＴＱｓが接続される。センス用ＭＯＳＦＥＴＱｓは、ＭＯＳＦＥＴＱと同一チップ内に、微細トランジスタとして形成されている。図１７において、ＳＳは、ソースセンス端子、ＣＳは、電流センス端子であり、Ｇは、ゲート信号端子である。なお、実施の形態においても半導体デバイスＱには、センス用ＭＯＳＦＥＴＱｓが同一チップ内に、微細トランジスタとして形成されている。
また、実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔであって、ツーインワンモジュールのＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの模式的回路表現は、図１８（ａ）に示すように表される。
図１８（ａ）に示すように、２個のＭＯＳＦＥＴＱ１，Ｑ４が１つのモジュールに内蔵されている。Ｇ１は、ＭＯＳＦＥＴＱ１のゲート信号端子であり、Ｓ１は、ＭＯＳＦＥＴＱ１のソース端子である。Ｇ４は、ＭＯＳＦＥＴＱ４のゲート信号端子であり、Ｓ４は、ＭＯＳＦＥＴＱ４のソース端子である。Ｐは、正側電源入力端子であり、Ｎは、負側電源入力端子であり、Ｏは、出力端子である。
また、実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔであって、ツーインワンモジュールのＩＧＢＴの模式的回路表現は、図１８（ｂ）に示すように表される。図１８（ｂ）に示すように、２個のＩＧＢＴＱ１，Ｑ４が１つのモジュールに内蔵されている。Ｇ１は、ＩＧＢＴＱ１のゲート信号端子であり、Ｅ１は、ＩＧＢＴＱ１のエミッタ端子である。Ｇ４は、ＩＧＢＴＱ４のゲート信号端子であり、Ｅ４は、ＩＧＢＴＱ４のエミッタ端子である。Ｐは、正側電源入力端子であり、Ｎは、負側電源入力端子であり、Ｏは、出力端子である。
（半導体デバイスの構成例）
実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔに適用する半導体デバイスの例であって、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの模式的断面構造は、図１９（ａ）に示すように表され、ＩＧＢＴの模式的断面構造は、図１９（ｂ）に示すように表される。
実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔに適用する半導体デバイス１１０（Ｑ）の例として、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの模式的断面構造は、図１９（ａ）に示すように、ｎ-高抵抗層からなる半導体基板１２６と、半導体基板１２６の表面側に形成されたｐベース領域１２８と、ｐベース領域１２８の表面に形成されたソース領域１３０と、ｐベース領域１２８間の半導体基板１２６の表面上に配置されたゲート絶縁膜１３２と、ゲート絶縁膜１３２上に配置されたゲート電極１３８と、ソース領域１３０およびｐベース領域１２８に接続されたソース電極１３４と、半導体基板１２６の表面と反対側の裏面に配置されたｎ+ドレイン領域１２４と、ｎ+ドレイン領域１２４に接続されたドレインパッド電極１３６とを備える。
図１９（ａ）では、半導体デバイス１１０は、プレーナゲート型ｎチャネル縦型ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴで構成されているが、トレンチゲート型ｎチャネル縦型ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴなどで構成されていても良い。
また、実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔに適用する半導体デバイス１１０（Ｑ）には、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの代わりに、ＧａＮ系ＦＥＴなどを適用することもできる。
実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔに適用する半導体デバイス１１０には、ＳｉＣ系、ＧａＮ系、若しくはＡｌＮ系のいずれかのパワーデバイスを適用可能である。
更には、実施の形態に係るパワーモジュール２０に適用する半導体デバイス１１０には、バンドギャップエネルギーが、例えば、１．１ｅＶ〜８ｅＶの半導体を用いることができる。
同様に、実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔに適用する半導体デバイス１１０Ａ（Ｑ）の例として、ＩＧＢＴの模式的断面構造は、図１９（ｂ）に示すように、ｎ-高抵抗層からなる半導体基板１２６と、半導体基板１２６の表面側に形成されたｐベース領域１２８と、ｐベース領域１２８の表面に形成されたエミッタ領域１３０Ｅと、ｐベース領域１２８間の半導体基板１２６の表面上に配置されたゲート絶縁膜１３２と、ゲート絶縁膜１３２上に配置されたゲート電極１３８と、エミッタ領域１３０Ｅおよびｐベース領域１２８に接続されたエミッタ電極１３４Ｅと、半導体基板１２６の表面と反対側の裏面に配置されたｐ+コレクタ領域１２４Ｐと、ｐ+コレクタ領域１２４Ｐに接続されたコレクタパッド電極１３６Ｃとを備える。
図１９（ｂ）では、半導体デバイス１１０Ａは、プレーナゲート型のｎチャネル縦型ＩＧＢＴで構成されているが、トレンチゲート型ｎチャネル縦型ＩＧＢＴなどで構成されていても良い。
実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔに適用する半導体デバイス１１０の例であって、ソースパッド電極ＳＰ、ゲートパッド電極ＧＰを含むＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴの模式的断面構造は、図２０に示すように表される。ゲートパッド電極ＧＰは、ゲート絶縁膜１３２上に配置されたゲート電極１３８に接続され、ソースパッド電極ＳＰは、ソース領域１３０およびｐベース領域１２８に接続されたソース電極１３４に接続される。
また、ゲートパッド電極ＧＰおよびソースパッド電極ＳＰは、図２０に示すように、半導体デバイス１１０の表面を覆うパッシベーション用の層間絶縁膜１４４上に配置される。尚、ゲートパッド電極ＧＰおよびソースパッド電極ＳＰの下方の半導体基板１２６内には、図１９（ａ）或いは、図２０の中央部と同様に、微細構造のトランジスタ構造が形成されていても良い。
さらに、図２０に示すように、中央部のトランジスタ構造においても、パッシベーション用の層間絶縁膜１４４上にソースパッド電極ＳＰが延在して配置されていても良い。
実施の形態に係るパワーモジュール２０・２０Ｔに適用する半導体デバイス１１０Ａの例であって、ソースパッド電極ＳＰ、ゲートパッド電極ＧＰを含むＩＧＢＴの模式的断面構造は、図２１に示すように表される。ゲートパッド電極ＧＰは、ゲート絶縁膜１３２上に配置されたゲート電極１３８に接続され、エミッタパッド電極ＥＰは、エミッタ領域１３０Ｅおよびｐベース領域１２８に接続されたエミッタ電極１３４Ｅに接続される。
また、ゲートパッド電極ＧＰおよびエミッタパッド電極ＥＰは、図２１に示すように、半導体デバイス１１０Ａの表面を覆うパッシベーション用の層間絶縁膜１４４上に配置される。尚、ゲートパッド電極ＧＰおよびエミッタパッド電極ＥＰの下方の半導体基板１２６内には、図１９（ｂ）或いは、図２１の中央部と同様に、微細構造のＩＧＢＴ構造が形成されていても良い。
さらに、図２１に示すように、中央部のＩＧＢＴ構造においても、パッシベーション用の層間絶縁膜１４４上にエミッタパッド電極ＥＰが延在して配置されていても良い。
実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔを用いて構成した３相交流インバータ１４０の模式的回路構成において、半導体デバイスとしてＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴを適用し、電源端子ＰＬ、接地端子ＮＬ間にスナバコンデンサＣを接続した回路構成例は、図２２（ａ）に示すように表される。同様に、実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔを用いて構成した３相交流インバータ１４０Ａの模式的回路構成において、半導体デバイスとしてＩＧＢＴを適用し、電源端子ＰＬ、接地端子ＮＬ間にスナバコンデンサＣを接続した回路構成例は、図２２（ｂ）に示すように表される。
実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔを電源Ｅと接続する際、接続ラインの有するインダクタンスＬによって、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴのスイッチング速度が速いため、大きなサージ電圧Ｌｄｉ／ｄｔを生ずる。例えば、電流変化ｄｉ＝３００Ａ、スイッチングに伴う時間変化ｄｔ＝１００ｎｓｅｃとすると、ｄｉ／ｄｔ＝３×１０9(A/s)となる。インダクタンスＬの値により、サージ電圧Ｌｄｉ／ｄｔの値は変化するが、電源Ｖにこのサージ電圧Ｌｄｉ／ｄｔが重畳される。電源端子ＰＬと接地端子ＮＬ間に接続されるスナバコンデンサＣによって、このサージ電圧Ｌｄｉ／ｄｔを吸収することができる。
（パワーモジュールを適用した応用例）
次に、図２３を参照して、半導体デバイスとしてＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴを適用した実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔを用いて構成した３相交流インバータ１４０について説明する。
図２３に示すように、３相交流インバータ１４０は、ゲートドライブ部１５０と、ゲートドライブ部１５０に接続されたパワーモジュール部１５２と、３相交流モータ部１５４とを備える。パワーモジュール部１５２は、３相交流モータ部１５４のＵ相、Ｖ相、Ｗ相に対応して、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相のインバータが接続されている。ここで、ゲートドライブ部１５０は、図２３では、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴＱ１・Ｑ４に接続されているが、図示は省略するが、同様に、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴＱ２・Ｑ５、およびＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴＱ３・Ｑ６にも接続されている。
パワーモジュール部１５２は、蓄電池（Ｅ）１４６の接続されたコンバータ１４８が接続されたプラス端子（＋）とマイナス端子（−）間に、インバータ構成のＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴＱ１・Ｑ４、Ｑ２・Ｑ５、およびＱ３・Ｑ６が接続されている。さらに、ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴＱ１〜Ｑ６のソース・ドレイン間には、フリーホイールダイオードＤ１〜Ｄ６がそれぞれ逆並列に接続されている。
実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔでは、図２３のＵ相部分に対応する単相インバータの構造について説明されていたが、Ｖ相、Ｗ相に対応しても同様に形成して、３相パワーモジュール部１５２を形成することもできる。
次に、図２４を参照して、半導体デバイスとしてＩＧＢＴを適用した実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔを用いて構成した３相交流インバータ１４０Ａについて説明する。
図２４に示すように、３相交流インバータ１４０Ａは、ゲートドライブ部１５０Ａと、ゲートドライブ部１５０Ａに接続されたパワーモジュール部１５２Ａと、３相交流モータ部１５４Ａとを備える。パワーモジュール部１５２Ａは、３相交流モータ部１５４ＡのＵ相、Ｖ相、Ｗ相に対応して、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相のインバータが接続されている。ここで、ゲートドライブ部１５０Ａは、図２４では、ＩＧＢＴＱ１・Ｑ４に接続されているが、図示は省略するが、同様に、ＩＧＢＴＱ２・Ｑ５、およびＩＧＢＴＱ３・Ｑ６にも接続されている。
パワーモジュール部１５２Ａは、蓄電池（Ｅ）１４６Ａの接続されたコンバータ１４８Ａが接続されたプラス端子（＋）とマイナス端子（−）間に、インバータ構成のＩＧＢＴＱ１・Ｑ４、Ｑ２・Ｑ５、およびＱ３・Ｑ６が接続されている。さらに、ＩＧＢＴＱ１〜Ｑ６のエミッタ・コレクタ間には、フリーホイールダイオードＤ１〜Ｄ６がそれぞれ逆並列に接続されている。
実施の形態に係るパワーモジュール２０Ｔでは、図２４のＵ相部分に対応する単相インバータの構造について説明されていたが、Ｖ相、Ｗ相に対応しても同様に形成して、３相パワーモジュール部５２を形成することもできる。
本実施の形態に係るパワーモジュールは、ワンインワン、ツーインワン、フォーインワン、シックスインワンもしくはセブンインワン型のいずれにも形成可能である。
また、本実施の形態に係るパワーモジュールには、ＩＧＢＴ、ダイオード、Ｓｉ系ＭＯＳＦＥＴ、ＳｉＣ系ＭＯＳＦＥＴ、ＧａＮＦＥＴのいずれかの半導体デバイスが適用可能である。
以上説明したように、本発明によれば、コストが低減可能で、基板全体の反りが低減され、品質が安定化され信頼性の向上したパワーモジュールおよびその製造方法を提供することができる。
[その他の実施の形態]
上記のように、本発明を実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。
本発明に係るパワーモジュールは、ＩＧＢＴモジュール、ダイオードモジュール、ＭＯＳモジュール（Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＮ）等の半導体モジュールに利用することができる。また、ケース型モジュールでＤＢＣ等の絶縁基板を使用しない構造に利用することも可能である。
１、１１０、１１０Ａ…半導体デバイス（半導体チップ）
２…チップ下はんだ
３、３1、３2…金属板（金属ベース、主電極接続電極、コレクタ接続電極）
４…エミッタ用ボンディングワイヤ
５…主電極配線用ランド（エミッタ配線用ランド）
６、６1、６2…信号用ボンディングワイヤ
７、７1、７2…信号配線用ランド
７3…パワー配線用ランド
８…セラミックス基板
９…裏面銅箔
１０、１０Ａ…エミッタ用接着絶縁層
１１、１１Ａ…信号配線用接着絶縁層
１２…絶縁層（有機絶縁樹脂層）
１２ａ…硬質絶縁層
１２ｂ…軟質絶縁層
１３1、１３2、１３3、１３4…ＩＧＢＴ（Ｑ１〜Ｑ６）
１４1、１４2、１４3、１４4…フリーホイールダイオード（Ｄ１〜Ｄ６）
１７…モールド樹脂
１８1、１８2、１９…リードフレーム
２０、２０Ａ、２０Ｔ…パワーモジュール
３４1、３４2、３４3、３４4、３４5…ボンディングワイヤ
１００…冷却体（ヒートシンク）
１２０…ホットプレート
１２４…ドレイン領域
１２４Ｐ…コレクタ領域
１２６…半導体基板
１２８…ｐベース領域
１３０…ソース領域
１３０Ｅ…エミッタ領域
１３２…ゲート絶縁膜
１３４…ソース電極
１３４Ｅ…エミッタ電極
１３６…ドレインパッド電極
１３６Ｃ…コレクタパッド電極
１３８…ゲート電極
１４４…層間絶縁膜

Claims (28)

  1. 絶縁層と、
    前記絶縁層上に配置された金属板と、
    前記金属板上に配置された半導体デバイスと、
    前記金属板上に配置された第１接着絶縁層および第２接着絶縁層と、
    前記第１接着絶縁層上に配置された主電極配線用ランドと、
    前記第２接着絶縁層上に配置された信号配線用ランドと
    を備えることを特徴とするパワーモジュール。
  2. 前記第１接着絶縁層および前記第２接着絶縁層は、無機系接着剤であることを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール。
  3. 前記無機系接着剤は、充填材を含有し、
    前記充填材は、シリカ、アルミナ、ジルコニア、またはこれらの複合物であることを特徴とする請求項２に記載のパワーモジュール。
  4. 前記第１接着絶縁層および前記第２接着絶縁層は、耐熱絶縁シートであることを特徴とする請求項１に記載のパワーモジュール。
  5. 前記耐熱絶縁シートは、エポキシ系樹脂若しくはポリイミド系樹脂で形成されたことを特徴とする請求項４に記載のパワーモジュール。
  6. 前記耐熱絶縁シートは、多層化形成されていることを特徴とする請求項５に記載のパワーモジュール。
  7. 前記金属板は、銅、アルミニウム、銅合金、およびアルミニウム合金のいずれかで形成されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
  8. 前記半導体デバイスと前記主電極配線用ランドとを電気的に接続する第１ボンディングワイヤと、
    前記半導体デバイスと前記信号配線用ランドとを電気的に接続する第２ボンディングワイヤと、
    前記金属板と、前記第１接着絶縁層および前記第２接着絶縁層と、前記主電極配線用ランドおよび前記信号配線用ランドと、前記半導体デバイスと、前記第１ボンディングワイヤおよび前記第２ボンディングワイヤとをモールドするモールド樹脂と
    を備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
  9. 前記絶縁層は、前記金属板側に配置される硬質絶縁層と、前記金属板とは反対の側に配置される軟質絶縁層とを有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
  10. 冷却体を備え、
    前記軟質絶縁層は、前記冷却体側に配置されることを特徴とする請求項９に記載のパワーモジュール。
  11. 前記軟質絶縁層は、有機材料で構成されていることを特徴とする請求項９または１０に記載のパワーモジュール。
  12. 前記軟質絶縁層は、シリコーン系樹脂で構成されていることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
  13. 前記軟質絶縁層には、熱伝導率の高い充填材が充填されていることを特徴とする請求項９〜１２のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
  14. 前記充填材は、酸化アルミ、酸化ケイ素、窒化アルミ、窒化珪素、窒化ホウ素、ベリリア、マグネシアのうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１３に記載のパワーモジュール。
  15. 前記硬質絶縁層は、有機材料で構成されていることを特徴とする請求項９〜１４のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
  16. 前記硬質絶縁層は、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂のうちの少なくとも１つで構成されていることを特徴とする請求項９〜１５のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
  17. 前記硬質絶縁層には、熱伝導率の高い充填材が充填されていることを特徴とする請求項９〜１６のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
  18. 前記充填材は、酸化アルミ、酸化ケイ素、窒化アルミ、窒化珪素、窒化ホウ素、ベリリア、マグネシアのうちの少なくとも１つであることを特徴とする請求項１７に記載のパワーモジュール。
  19. 前記パワーモジュールは、ワンインワン、ツーインワン、フォーインワン、シックスインワンもしくはセブンインワン型のいずれかに形成されることを特徴とする請求項１〜１８のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
  20. 前記半導体デバイスは、ＩＧＢＴ、ダイオード、Ｓｉ系ＭＯＳＦＥＴ、ＳｉＣ系ＭＯＳＦＥＴ、ＧａＮＦＥＴのいずれかを備えることを特徴とする請求項１〜１９のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
  21. 金属板を形成する工程と、
    前記金属板の表面上にはんだを介して半導体デバイスを形成する工程と、
    前記金属板上に第１接着絶縁層および第２接着絶縁層を形成する工程と、
    前記第１接着絶縁層上に主電極配線用ランドを形成し、前記第２接着絶縁層上に信号配線用ランドを形成する工程と、
    前記半導体デバイスと前記主電極配線用ランドとを第１ボンディングワイヤを介してボンディング接続する工程と、
    前記半導体デバイスと前記信号配線用ランドとを第２ボンディングワイヤとを介してボンディング接続する工程と、
    前記金属板、前記第１接着絶縁層および前記第２接着絶縁層、前記主電極配線用ランドおよび前記信号配線用ランド、前記半導体デバイス、前記第１ボンディングワイヤおよび前記第２ボンディングワイヤをモールド樹脂を用いてモールドする工程と、
    前記金属板の裏面に絶縁層を形成する工程と
    を有することを特徴とするパワーモジュールの製造方法。
  22. 前記金属板の裏面に前記絶縁層を形成する工程は、前記金属板の裏面に硬質絶縁層を形成する工程と、前記硬質絶縁層上に軟質絶縁層を形成する工程とを有することを特徴とする請求項２１に記載のパワーモジュールの製造方法。
  23. 前記第１接着絶縁層上に主電極配線用ランドを形成し、前記第２接着絶縁層上に信号配線用ランドを形成する工程は、加熱・加圧工程を有することを特徴とする請求項２１または２２に記載のパワーモジュールの製造方法。
  24. 前記第１接着絶縁層および前記第２接着絶縁層は、無機系接着剤であることを特徴とする請求項２１〜２３のいずれか１項に記載のパワーモジュールの製造方法。
  25. 前記無機系接着剤は、充填材を含有し、
    前記充填材は、シリカ、アルミナ、ジルコニア、またはこれらの複合物であることを特徴とする請求項２４に記載のパワーモジュールの製造方法。
  26. 前記第１接着絶縁層および前記第２接着絶縁層は、耐熱絶縁シートであることを特徴とする請求項２１〜２３のいずれか１項に記載のパワーモジュールの製造方法。
  27. 前記耐熱絶縁シートは、エポキシ系樹脂若しくはポリイミド系樹脂で形成されたことを特徴とする請求項２６に記載のパワーモジュールの製造方法。
  28. 前記耐熱絶縁シートは、多層化形成されていることを特徴とする請求項２７に記載のパワーモジュールの製造方法。
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