JP7026823B2 - 半導体装置、電力変換装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置、電力変換装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7026823B2 JP7026823B2 JP2020558350A JP2020558350A JP7026823B2 JP 7026823 B2 JP7026823 B2 JP 7026823B2 JP 2020558350 A JP2020558350 A JP 2020558350A JP 2020558350 A JP2020558350 A JP 2020558350A JP 7026823 B2 JP7026823 B2 JP 7026823B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat radiating
- frame
- radiating member
- semiconductor element
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 210
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 87
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 87
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 42
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 40
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 38
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 32
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 31
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 28
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 13
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 129
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 122
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 17
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 11
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 9
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0601—Structure
- H01L2224/0603—Bonding areas having different sizes, e.g. different heights or widths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
位置決め部は、第2の放熱面が第1の放熱面に対して傾斜する位置に第2の放熱部材を位置決めする。
第1の放熱部材及び枠部材は、無蓋箱状の形状を形成し、第2の放熱部材は、無蓋箱状の形状により定義される箱内空間の入口開口の平面形状より小さい平面形状を有する。液体封止材は、入口開口において枠部材と位置決めされた第2の放熱部材との間に形成された隙間から箱内空間に流し込まれる。
1.1 パワーモジュールの概略
図1は、実施の形態1のパワーモジュールを模式的に図示する上面図である。図2は、実施の形態1のパワーモジュールから下述する上面ヒートスプレッダ、第1の上面はんだ層、第2の上面はんだ層、第3の上面はんだ層及び封止樹脂部を除去したものを模式的に図示する上面図である。図3は、実施の形態1のパワーモジュールから下述する封止樹脂部を除去したものを模式的に図示する分解斜視図である。図4及び図5は、実施の形態1のパワーモジュールを模式的に図示する断面図である。図4及び図5は、それぞれ図1に描かれる切断線A-A及びB-Bの位置における断面を図示する。
インサートモールドフレーム1020は、図1から図5までに図示されるように、下面ヒートスプレッダ1040、信号端子1041、第1の外部端子1042、第2の外部端子1043及び枠部材1044を備える。インサートモールドフレーム1020がこれらの要素以外の要素を備えてもよい。下面ヒートスプレッダ1040、信号端子1041、第1の外部端子1042及び第2の外部端子1043は、枠部材1044に埋設されている。
第1の半導体素子1021は、図4及び図5に図示されるように、裏面電極1060を備える。第2の半導体素子1022は、図4及び図5に図示されるように、裏面電極1080を備える。
下面ヒートスプレッダ1040と上面ヒートスプレッダ1025との間には、図4及び図5に図示されるように、第1の半導体素子1021及び第2の半導体素子1022が挟まれる。第1の半導体素子1021及び第2の半導体素子1022が発した熱は、下面ヒートスプレッダ1040及び上面ヒートスプレッダ1025を通過し、下面ヒートスプレッダ1040の下面1101及び上面ヒートスプレッダ1025の上面1121から放たれる。また、下面ヒートスプレッダ1040の下面1101は、第1の方向D1を向き、上面ヒートスプレッダ1025の上面1121は、第1の方向D1とは反対の第2の方向D2を向く。これにより、下面ヒートスプレッダ1040の下面1101及び上面ヒートスプレッダ1025の上面1121が放熱面となり、下面ヒートスプレッダ1040及び上面ヒートスプレッダ1025が、それぞれ両面冷却構造を構成する第1の放熱部材及び第2の放熱部材となる。
封止樹脂部1030は、封止樹脂の硬化物からなり、図4及び図5に図示されるように、インサートモールドフレーム1020と上面ヒートスプレッダ1025との間隙1140を充填する。間隙1140の主要部分は、下面ヒートスプレッダ1040と上面ヒートスプレッダ1025との間隙、及び枠部材1044と上面ヒートスプレッダ1025との間隙からなる。これにより、下面ヒートスプレッダ1040と上面ヒートスプレッダ1025とに挟まれる第1の半導体素子1021及び第2の半導体素子1022が封止される。
枠部材1044は、図2及び図3に図示されるように、枠状部1160及び段差部1161を備える。
下面ヒートスプレッダ1040及び枠部材1044は、図3、図4及び図5に図示されるように、側壁が主に枠状部1160により構成され、底が主に下面ヒートスプレッダ1040により構成される無蓋箱状の形状を形成する。封止樹脂部1030は、当該無蓋箱状の形状により定義される箱内空間1220に収まり、箱内空間1220からはみ出さない。これにより、封止樹脂部1030の前駆体である液体封止材が上面ヒートスプレッダ1025の上面1121にかぶることをさらに抑制することができ、上面ヒートスプレッダ1025の上面1121に樹脂が付着することをさらに抑制することができる。
上面ヒートスプレッダ1025は、図1から図5までに図示されるように、箱内空間1220の入口開口の平面形状より小さい平面形状を有する。また、上面ヒートスプレッダ1025は、枠状部1160に載ることなく枠状部1160内に収容することができる形状を有する。これにより、上面ヒートスプレッダ1025と枠状部1160との間に図1、図2及び図5に図示される隙間1260が形成され、形成された隙間1260から封止樹脂部1030の前駆体である液体封止材をインサートモールドフレーム1020と上面ヒートスプレッダ1025との間隙1140に容易に注入することができる。上面ヒートスプレッダ1025の端面1122は、上面ヒートスプレッダ1025の上面1121の縁から上面ヒートスプレッダ1025の下面1120の縁まで延びる。上面ヒートスプレッダ1025の端面1122の全体は、枠状部1160から離れている。これにより、上面ヒートスプレッダ1025の端面1122の全体と枠状部1160との間に空間が形成される。当該空間には、インサートモールドフレーム1020と上面ヒートスプレッダ1025との間隙1140に液体封止材が注入される際に、液体封止材を吐出するノズルが挿入される。当該空間によれば、箱内空間1220内のガスの入れ替わりが容易になる。
封止樹脂は、ダイレクトポッティング樹脂である。ダイレクトポッティング樹脂は、エポキシ樹脂、及びシリカフィラー等のフィラーを含む。フィラーは、エポキシ樹脂に分散させられている。ダイレクトポッティング樹脂が、インサートモールドフレーム1020と上面ヒートスプレッダ1025との間隙1140に流し込むことができ、常温で、又は加熱若しくは紫外線(UV)照射により硬化させることができる他の種類の液体封止材に置き換えられてもよい。例えば、ダイレクトポッティング樹脂が液状ゲルに置き換えられてもよい。
下面ヒートスプレッダ1040及び上面ヒートスプレッダ1025は、Cuからなる。Cuが、高い放熱性、高い導電性及び高いはんだ濡れ性を有する他の種類の金属又は合金に置き換えられてもよい。例えば、CuがNi、又はNiを主成分とする合金に置き換えられてもよい。
枠部材1044は、ポリフェニレンサルファイド(PPS)樹脂の硬化物からなる。PPS樹脂が、他の種類の樹脂に置き換えられてもよい。例えば、PPS樹脂が、液晶ポリマー(LCP)樹脂に置き換えられてもよい。
第1の半導体素子1021の裏面電極1060及び表面電極1061、並びに第2の半導体素子1022の裏面電極1080及び表面電極1081は、はんだ、Ag焼結材等の接合媒体を用いて接合先に接合することができる材質からなり、望ましくはCu、Au、Ag若しくはPt、又はCu、Au、Ag若しくはPtを主成分として含む合金からなる。
ボンディングワイヤ1029は、Alワイヤである。Alワイヤが他の種類の導体ワイヤに置き換えられてもよい。例えば、Alワイヤが、Cuワイヤ、Al被覆Cuワイヤ、Auワイヤ等に置き換えられてもよい。
第1の半導体素子1021及び第2の半導体素子1022は、パワー半導体素子である。
下面ヒートスプレッダ1040は、例えば外形寸法35mm×22mm及び厚さ3mmを有する。信号端子1041は、例えば厚さ0.4mmを有する。第1の外部端子1042及び第2の外部端子1043は、例えば厚さ0.8mmを有する。枠部材1044は、例えば外形寸法48mm×28mm及び高さ6.2mmを有する。第1の半導体素子1021がIGBTである場合は、当該IGBTは、例えば外形寸法15mm×15mm及び厚さ0.3mmを有する。第2の半導体素子1022がダイオードである場合は、当該ダイオードは、例えば外形寸法15mm×15mm及び厚さ0.3mmを有する。上面ヒートスプレッダ1025は、例えば外形寸法30mm×20mm及び厚さ3mmを有する。段差部1161の段差面1180は、例えば底面からの高さ3.6mmを有する。
図6は、実施の形態1のパワーモジュールの製造の流れを示すフローチャートである。図7から図10までは、実施の形態1のパワーモジュールの製造の途上で得られる中間品を模式的に図示する断面図である。
実施の形態1によれば、下面ヒートスプレッダ1040が枠部材1044に埋設され、封止樹脂部1030が枠部材1044と上面ヒートスプレッダ1025との間隙を充填する。このため、パワーモジュール1000の製造の途上において下面ヒートスプレッダ1040の下面1101及び上面ヒートスプレッダ1025の上面1121に樹脂が付着することを抑制することができる。これにより、下面ヒートスプレッダ1040の下面1101及び上面ヒートスプレッダ1025の上面1121に付着した樹脂を除去し下面ヒートスプレッダ1040の下面1101及び上面ヒートスプレッダ1025の上面1121を露出させる研磨工程が不要になり、パワーモジュール1000の生産性及び信頼性を向上することができる。
パワーモジュール1000は、1個の第1の半導体素子1021及び1個の第2の半導体素子1022からなる合計2個の半導体素子が実装された半導体装置である。合計1個の半導体素子が実装された半導体装置であるディスクリート部品、又は合計3個以上の半導体素子が実装された半導体装置であるパワーモジュールにおいて上述した技術が採用されてもよい。3個以上の半導体素子が実装されたパワーモジュールにおいて上述した技術が採用される場合は、IGBTからなるスイッチング素子、及びダイオードからなる還流ダイオードの対が2対以上内蔵されたモジュール構成をパワーモジュールが有してもよい。例えば、パワーモジュールが、当該対が2対内蔵された2in1のモジュール構成を有してもよく、当該対が6対内蔵された6in1のモジュール構成を有してもよい。
図11は、実施の形態1の第1の別例のパワーモジュールの断面を模式的に図示する断面図である。図12は、実施の形態1の第2の別例のパワーモジュールの断面を模式的に図示する断面図である。図11及び図12は、図1に描かれた切断線A-Aの位置における断面を図示する。
2.1 実施の形態1と実施の形態2との主な相違点
図13は、実施の形態2のパワーモジュールから第1の上面はんだ層、第2の上面はんだ層、第3の上面はんだ層及び封止樹脂部を除去したものを模式的に図示する分解上面図である。図14は、実施の形態2のパワーモジュールを模式的に図示する断面図である。図14は、図13に描かれる切断線C-Cの位置における断面を図示する。
下面絶縁回路基板2040は、図14に図示されるように、ベース2400、絶縁層2401及び導体層2402を備える。下面絶縁回路基板2040は、ベース2400上に絶縁層2401及び導体層2402が積層された積層構造を有する。絶縁層2401は、ベース2400と導体層2402との間にあり、ベース2400を導体層2402から電気的に絶縁する。
下面絶縁回路基板2040は、実施の形態1のパワーモジュール1000に備えられる下面ヒートスプレッダ1040と同様に、図13及び図14に図示されるように、信号端子1041、第1の外部端子1042及び第2の外部端子1043とともに枠部材1044に埋設され、信号端子1041、第1の外部端子1042、第2の外部端子1043及び枠部材1044とともにインサートモールドフレーム1020を構成する。
第1の半導体素子1021の裏面電極1060及び第2の半導体素子1022の裏面電極1080は、図14に図示されるように、それぞれ第1の下面はんだ層1023及び第2の下面はんだ層1024を介して、下面絶縁回路基板2040の導体層2402の上面2440にはんだ接合される。これにより、第1の半導体素子1021及び第2の半導体素子1022が、下面絶縁回路基板2040にダイボンドされ、下面絶縁回路基板2040に機械的及び熱的に結合され、導体層2402に電気的に接続される。
下面絶縁回路基板2040と上面絶縁回路基板2025との間には、図13及び図14に図示されるように、第1の半導体素子1021及び第2の半導体素子1022が挟まれる。第1の半導体素子1021及び第2の半導体素子1022が発した熱は、下面絶縁回路基板2040及び上面絶縁回路基板2025を通過し、下面絶縁回路基板2040のベース2420の下面2480及び上面絶縁回路基板2025のベース2400の上面2500から放たれる。また、ベース2420の下面2480は、第1の方向D1を向き、ベース2400の上面2500は、第1の方向D1とは反対の第2の方向D2を向く。これにより、ベース2420の下面2480及びベース2400の上面2500が放熱面となり、下面絶縁回路基板2040及び上面絶縁回路基板2025が、それぞれ両面冷却構造を構成する第1の放熱部材及び第2の放熱部材となる。
上面絶縁回路基板2025は、実施の形態1のパワーモジュール1000に備えられる上面ヒートスプレッダ1025と同様に、図13に図示される段差部1161の段差面1180に当たり、段差部1161の段差面1180により位置決めされる。
下面絶縁回路基板2040のベース2400及び上面絶縁回路基板2025のベース2420は、Cuからなる。当該Cuが高い放熱性を有する他の種類の金属又は合金に置き換えられてもよい。例えば、当該CuがAlに置き換えられてもよい。
下面絶縁回路基板2040は、例えば外形寸法35mm×48mm及び厚さ3mmを有する。信号端子1041は、例えば厚さ0.4mmを有する。第1の外部端子1042及び第2の外部端子1043は、例えば厚さ0.8mmを有する。枠部材1044は、例えば外形寸法48mm×56mm及び高さ6.2mmを有する。第1の半導体素子1021がIGBTである場合は、当該IGBTは、例えば外形寸法16mm×16mm及び厚さ0.3mmを有する。第2の半導体素子1022がダイオードである場合は、当該ダイオードは、例えば外形寸法16mm×16mm及び厚さ0.3mmを有する。上面絶縁回路基板2025は、外形寸法30mm×44mm及び厚さ3mmを有する。段差部1161の段差面1180は、例え底面からの高さ3.6mmを有する。
図15は、実施の形態2のパワーモジュールの製造の流れを示すフローチャートである。
実施の形態2によれば、下面絶縁回路基板2040が枠部材1044に埋設され、封止樹脂部1030が枠部材1044と上面絶縁回路基板2025との間隙を充填する。このため、パワーモジュール2000の製造の途上において下面絶縁回路基板2040のベース2420の下面2480及び上面絶縁回路基板2025のベース2400の上面2500に樹脂が付着することを抑制することができる。これにより、ベース2420の下面2480及びベース2400の上面2500に付着した樹脂を除去しベース2420の下面2480及びベース2400の上面2500を露出させる研磨工程が不要になり、パワーモジュール2000の生産性及び信頼性を向上することができる。
図16は、実施の形態2の別例のパワーモジュールから第1の上面はんだ層、第2の上面はんだ層、第3の上面はんだ層、第4のはんだ層、第5のはんだ層及び封止樹脂部を除去したものを模式的に図示する分解上面図である。図17及び図18は、実施の形態2の別例のパワーモジュールを模式的に図示する断面図である。図17及び図18は、それぞれ図16に描かれる切断線D-D及びE-Eの位置における断面を図示する。
3.1 実施の形態1と実施の形態3との主な相違点
図19は、実施の形態3のパワーモジュールを模式的に図示する上面図である。図20は、実施の形態3のパワーモジュールを模式的に図示する断面図である。図20は、図19に描かれる切断線F-Fの位置における断面を図示する。
上面ヒートスプレッダ1025は、図20に図示されるように、第1の接合部3500、第2の接合部3501及び第3の接合部3502を備える。第1の接合部3500、第2の接合部3501及び第3の接合部3502は、それぞれ第1の上面はんだ層1026、第2の上面はんだ層1027及び第3の上面はんだ層1028を介して接合先である第1の半導体素子1021、第2の半導体素子1022及び第2の外部端子1043にはんだ接合される。
実施の形態3によれば、実施の形態1と同様に、パワーモジュール3000の生産性及び信頼性を向上することができる。また、液体封止材の漏れ出しを抑制することができる。
図21は、実施の形態4のパワーモジュールを模式的に図示する上面図である。図22は、実施の形態4のパワーモジュールから上面ヒートスプレッダ、第1の上面はんだ層、第2の上面はんだ層、第3の上面はんだ層及び封止樹脂部を除去したものを模式的に図示する上面図である。図23、図24及び図25は、実施の形態4のパワーモジュールを模式的に図示する断面図である。図23、図24及び図25は、それぞれ図21に描かれる切断線G-G、H-H及びI-Iの位置における断面を図示する。
図26は、実施の形態5のパワーモジュールを模式的に図示する断面図である。図27は、実施の形態5のパワーモジュールが冷却用の放熱部材に挿入された状態を模式的に図示する断面図である。
本実施の形態は、上述した実施の形態1-5にかかる半導体装置を電力変換装置に適用したものである。実施の形態1-5にかかる半導体装置の適用は特定の電力変換装置に限定されるものではないが、以下、実施の形態6として、三相のインバータに実施の形態1-5にかかる半導体装置を適用した場合について説明する。
Claims (18)
- 外部に露出し第1の方向を向く第1の放熱面を有する第1の放熱部材と、
前記第1の放熱部材が埋設されており、枠状部と前記枠状部の内側にある位置決め部とを備える枠部材と、
外部に露出し前記第1の方向とは反対の第2の方向を向く第2の放熱面を有し、前記位置決め部に当たり、前記位置決め部により位置決めされる第2の放熱部材と、
前記第1の放熱部材と前記第2の放熱部材とに挟まれる半導体素子と、
前記枠部材と前記第2の放熱部材との間隙を充填し、前記半導体素子を封止する封止樹脂部と、
を備え、
前記位置決め部は、前記第2の放熱面が前記第1の放熱面に対して傾斜する位置に前記第2の放熱部材を位置決めする
半導体装置。 - 外部に露出し第1の方向を向く第1の放熱面を有する第1の放熱部材と、
前記第1の放熱部材が埋設されており、枠状部と前記枠状部の内側にある位置決め部とを備える枠部材と、
外部に露出し前記第1の方向とは反対の第2の方向を向く第2の放熱面を有し、前記位置決め部に当たり、前記位置決め部により位置決めされる第2の放熱部材と、
前記第1の放熱部材と前記第2の放熱部材とに挟まれる半導体素子と、
前記枠部材と前記第2の放熱部材との間隙を充填し、前記半導体素子を封止する封止樹脂部と、
を備え、
前記枠状部は、最も前記第2の方向寄りにある端部を有し、
前記枠部材は、前記枠状部の内側にあり前記位置決め部を有し前記端部との間に段差を有する段差部を備え、
前記段差部は、半円柱状の形状を有する
半導体装置。 - 外部に露出し第1の方向を向く第1の放熱面を有する第1の放熱部材と、
前記第1の放熱部材が埋設されており、枠状部と前記枠状部の内側にある位置決め部とを備える枠部材と、
外部に露出し前記第1の方向とは反対の第2の方向を向く第2の放熱面を有し、前記位置決め部に当たり、前記位置決め部により位置決めされる第2の放熱部材と、
前記第1の放熱部材と前記第2の放熱部材とに挟まれる半導体素子と、
前記枠部材と前記第2の放熱部材との間隙を充填し、前記半導体素子を封止する封止樹脂部と、
を備え、
前記第2の放熱部材は、前記第1の方向を向く面を有し、
前記位置決め部は、互いに離れ前記第1の方向を向く面に接触し同一平面を構成する複数の部分を備える
半導体装置。 - 外部に露出し第1の方向を向く第1の放熱面を有する第1の放熱部材と、
前記第1の放熱部材が埋設されており、枠状部と前記枠状部の内側にある位置決め部とを備える枠部材と、
外部に露出し前記第1の方向とは反対の第2の方向を向く第2の放熱面を有し、前記位置決め部に当たり、前記位置決め部により位置決めされる第2の放熱部材と、
前記第1の放熱部材と前記第2の放熱部材とに挟まれる半導体素子と、
前記枠部材と前記第2の放熱部材との間隙を充填し、前記半導体素子を封止する封止樹脂部と、
を備え、
前記第2の放熱部材は、前記第2の放熱面の縁から延び前記縁から前記第1の方向に離れるにつれて内側方向に移動する端面を有する
半導体装置。 - 外部に露出し第1の方向を向く第1の放熱面を有する第1の放熱部材と、
前記第1の放熱部材が埋設されており、枠状部と前記枠状部の内側にある位置決め部とを備える枠部材と、
外部に露出し前記第1の方向とは反対の第2の方向を向く第2の放熱面を有し、前記位置決め部に当たり、前記位置決め部により位置決めされる第2の放熱部材と、
前記第1の放熱部材と前記第2の放熱部材とに挟まれる半導体素子と、
前記枠部材と前記第2の放熱部材との間隙を充填し、前記半導体素子を封止する封止樹脂部と、
を備え、
前記第2の放熱部材は、前記第1の方向を向く面を有し、
前記枠部材は、前記第1の方向に進むにつれて前記第1の方向と垂直をなす方向の幅が狭くなる間隙を挟み前記位置決め部から連続し前記位置決め部より前記第2の方向寄りにあるテーパー面を有する
半導体装置。 - 外部に露出し第1の方向を向く第1の放熱面を有する第1の放熱部材と、
前記第1の放熱部材が埋設されており、枠状部と前記枠状部の内側にある位置決め部とを備える枠部材と、
外部に露出し前記第1の方向とは反対の第2の方向を向く第2の放熱面を有し、前記位置決め部に当たり、前記位置決め部により位置決めされる第2の放熱部材と、
前記第1の放熱部材と前記第2の放熱部材とに挟まれる半導体素子と、
前記枠部材と前記第2の放熱部材との間隙を充填し、前記半導体素子を封止する封止樹脂部と、
を備え、
前記第1の放熱部材及び前記枠部材は、無蓋箱状の形状を形成し、
前記第2の放熱部材は、前記無蓋箱状の形状により定義される箱内空間の入口開口の平面形状より小さい平面形状を有する
半導体装置。 - 外部に露出し第1の方向を向く第1の放熱面を有する第1の放熱部材と、
前記第1の放熱部材が埋設されており、枠状部と前記枠状部の内側にある位置決め部とを備える枠部材と、
外部に露出し前記第1の方向とは反対の第2の方向を向く第2の放熱面を有し、前記位置決め部に当たり、前記位置決め部により位置決めされる第2の放熱部材と、
前記第1の放熱部材と前記第2の放熱部材とに挟まれる半導体素子と、
前記枠部材と前記第2の放熱部材との間隙を充填し、前記半導体素子を封止する封止樹脂部と、
を備え、
前記第1の放熱部材及び前記第2の放熱部材の少なくとも一方は、金属又は合金からなり放熱面を有するベースと、前記半導体素子に電気的に接続される導体層と、前記ベースを前記導体層から電気的に絶縁する絶縁層と、を備える絶縁回路基板を備える
半導体装置。 - 外部に露出し第1の方向を向く第1の放熱面を有する第1の放熱部材と、
前記第1の放熱部材が埋設されており、枠状部と前記枠状部の内側にある位置決め部とを備える枠部材と、
外部に露出し前記第1の方向とは反対の第2の方向を向く第2の放熱面を有し、前記位置決め部に当たり、前記位置決め部により位置決めされる第2の放熱部材と、
前記第1の放熱部材と前記第2の放熱部材とに挟まれる半導体素子と、
前記枠部材と前記第2の放熱部材との間隙を充填し、前記半導体素子を封止する封止樹脂部と、
を備え、
前記第2の放熱部材は、接合先に接合される接合部を備え、前記第2の方向に前記第2の放熱部材を貫通する開口部を前記接合部に有する
半導体装置。 - 前記位置決め部は、前記第2の放熱面が前記枠部材から前記第2の方向にはみ出す位置に前記第2の放熱部材を位置決めする
請求項1から8までのいずれかの半導体装置。 - 前記第1の放熱部材及び前記枠部材は、無蓋箱状の形状を形成し、
前記封止樹脂部は、前記無蓋箱状の形状により定義される箱内空間に収まる
請求項1から9までのいずれかの半導体装置。 - 前記第2の放熱部材は、前記第2の放熱面の縁から延びる端面を有し、
前記端面の全体は、前記枠状部から離れている
請求項6の半導体装置。 - 前記第1の放熱部材及び前記第2の放熱部材の少なくとも一方は、金属又は合金からなり放熱面を有するヒートスプレッダを備える
請求項1から11までのいずれかの半導体装置。 - 前記半導体素子は、第1の主電極と、第2の主電極と、前記第1の主電極と前記第2の主電極との間の導通状態を制御するための信号電極と、を備え、
前記絶縁回路基板は、前記信号電極に電気的に接続される信号回路をさらに備え、
前記絶縁層は、前記ベースを前記信号回路から電気的に絶縁する
請求項7の半導体装置。 - 前記接合先は、前記半導体素子を備える
請求項8の半導体装置。 - 前記半導体素子に電気的に接続され前記枠部材に埋設されている外部端子をさらに備え、
前記接合先は、前記外部端子を備える
請求項8又は14の半導体装置。 - 前記半導体素子は、第1の主電極と、第2の主電極と、前記第1の主電極と前記第2の主電極との間の導通状態を制御するための信号電極と、を備え、
前記第1の主電極に電気的に接続され前記枠部材に埋設され前記枠部材から突出する第1の外部端子と、前記第2の主電極に電気的に接続され前記枠部材に埋設され前記枠部材から前記第1の外部端子が突出する方向と同じ方向に突出する第2の外部端子と、前記信号電極に電気的に接続され前記枠部材に埋設され前記枠部材から前記第1の外部端子が突出する方向と同じ方向に突出する信号端子と、をさらに備える
請求項1から15までのいずれかの半導体装置。 - 請求項1から16までのいずれかの半導体装置を有し、入力される電力を変換して出力する主変換回路と、
前記主変換回路を制御する制御信号を前記主変換回路に出力する制御回路と、
を備える電力変換装置。 - a) 第1の放熱面を有する第1の放熱部材が埋設されており、枠状部と前記枠状部の内側にある位置決め部とを備える枠部材をインサート成形により成形する工程と、
b) 工程a)の後に、前記第1の放熱面及び第2の放熱部材の第2の放熱面が互いに反対の方向を向き前記第2の放熱部材が前記位置決め部に当たり前記第2の放熱部材が前記位置決め部により位置決めされるように前記第1の放熱部材と前記第2の放熱部材とで半導体素子を挟む工程と、
c) 工程b)の後に、前記枠部材と前記第2の放熱部材との間隙に封止樹脂からなる液体封止材を流し込み硬化させる工程と、
を備え、
前記第1の放熱部材及び前記枠部材は、無蓋箱状の形状を形成し、
前記第2の放熱部材は、前記無蓋箱状の形状により定義される箱内空間の入口開口の平面形状より小さい平面形状を有し、
前記工程c)において、前記液体封止材は、前記入口開口において前記枠部材と位置決めされた前記第2の放熱部材との間に形成された隙間から前記箱内空間に流し込まれる、
半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018218352 | 2018-11-21 | ||
JP2018218352 | 2018-11-21 | ||
PCT/JP2019/044875 WO2020105556A1 (ja) | 2018-11-21 | 2019-11-15 | 半導体装置、電力変換装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020105556A1 JPWO2020105556A1 (ja) | 2021-05-13 |
JP7026823B2 true JP7026823B2 (ja) | 2022-02-28 |
Family
ID=70773626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020558350A Active JP7026823B2 (ja) | 2018-11-21 | 2019-11-15 | 半導体装置、電力変換装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7026823B2 (ja) |
CN (1) | CN112997297B (ja) |
WO (1) | WO2020105556A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7318238B2 (ja) * | 2019-03-11 | 2023-08-01 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US20230282530A1 (en) * | 2020-07-14 | 2023-09-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and power conversion device |
JP2023064653A (ja) * | 2021-10-26 | 2023-05-11 | 日立Astemo株式会社 | 半導体モジュール |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009164156A (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Toyota Motor Corp | パワーモジュール |
JP2010287707A (ja) | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置の製造方法と半導体装置 |
JP2011029589A (ja) | 2009-06-30 | 2011-02-10 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012015224A (ja) | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Hitachi Automotive Systems Ltd | パワーモジュール及びそれを用いた電力変換装置 |
JP2012257369A (ja) | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Hitachi Automotive Systems Ltd | パワーモジュールおよびそれを用いた電力変換装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3507682B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2004-03-15 | 株式会社東芝 | 半導体モジュール |
JP5067267B2 (ja) * | 2008-06-05 | 2012-11-07 | 三菱電機株式会社 | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 |
JP2011151109A (ja) * | 2010-01-20 | 2011-08-04 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
CN103348468B (zh) * | 2011-03-04 | 2016-02-03 | 日立汽车系统株式会社 | 半导体组件及半导体组件的制造方法 |
KR20130123682A (ko) * | 2012-05-03 | 2013-11-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 |
-
2019
- 2019-11-15 CN CN201980067408.1A patent/CN112997297B/zh active Active
- 2019-11-15 WO PCT/JP2019/044875 patent/WO2020105556A1/ja active Application Filing
- 2019-11-15 JP JP2020558350A patent/JP7026823B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009164156A (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Toyota Motor Corp | パワーモジュール |
JP2010287707A (ja) | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置の製造方法と半導体装置 |
JP2011029589A (ja) | 2009-06-30 | 2011-02-10 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2012015224A (ja) | 2010-06-30 | 2012-01-19 | Hitachi Automotive Systems Ltd | パワーモジュール及びそれを用いた電力変換装置 |
JP2012257369A (ja) | 2011-06-08 | 2012-12-27 | Hitachi Automotive Systems Ltd | パワーモジュールおよびそれを用いた電力変換装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2020105556A1 (ja) | 2021-05-13 |
CN112997297B (zh) | 2024-04-02 |
WO2020105556A1 (ja) | 2020-05-28 |
CN112997297A (zh) | 2021-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5067267B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法 | |
EP3026701B1 (en) | Power module and manufacturing method thereof | |
JP7026823B2 (ja) | 半導体装置、電力変換装置及び半導体装置の製造方法 | |
US11037844B2 (en) | Power semiconductor device and method of manufacturing the same, and power conversion device | |
US9437508B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device | |
JP7491707B2 (ja) | 電気回路体、電力変換装置、および電気回路体の製造方法 | |
JP6575739B1 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法および電力変換装置 | |
KR20200068285A (ko) | 양면 냉각 파워 모듈 및 이의 제조방법 | |
WO2020157965A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法ならびに電力変換装置 | |
CN105990275A (zh) | 功率模块封装件及其制作方法 | |
JP7204919B2 (ja) | パワーモジュールおよびその製造方法 | |
US9698076B1 (en) | Metal slugs for double-sided cooling of power module | |
CN116847534A (zh) | 一种电源变换器、内埋集成器件单元、高散热高频功率模组及其制作方法 | |
US20240145332A1 (en) | Power semiconductor device and manufacturing method | |
JPWO2020148879A1 (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電力変換装置 | |
JP6698965B1 (ja) | 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法 | |
JP7019024B2 (ja) | 半導体装置及び電力変換装置 | |
CN113841235B (zh) | 半导体模块、半导体模块的制造方法以及电力变换装置 | |
CN114530435A (zh) | 功率半导体模块及电力转换装置 | |
JP7555257B2 (ja) | 電気回路体、電力変換装置、および電気回路体の製造方法 | |
WO2024009613A1 (ja) | 電気回路体および電力変換装置 | |
JP2022165251A (ja) | 電力半導体装置、電力半導体装置の製造方法及び電力変換装置 | |
CN116438655A (zh) | 功率半导体模块及其制造方法以及电力转换装置 | |
JP2022092545A (ja) | 電気回路体、電力変換装置、および電気回路体の製造方法 | |
JP2022067815A (ja) | 半導体装置、電力変換装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20201022 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211116 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220106 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220118 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220215 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7026823 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |