JP2018088558A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
比較例に係るパワーモジュール20aの模式的断面構造は、図1に示すように表される。図1に示すように、まず、リードフレーム1にはんだ2を用いて半導体チップ3を接合する。この後、半導体チップ3とリードフレーム5とをアルミワイヤ4を用いて電気的に接続する。この後、リードフレーム1とリードフレーム5とを図示しない金型に配置し、リードフレーム1及びリードフレーム5の半導体チップ3が搭載されている面とは逆の面(以下、「下面」という場合がある。)に絶縁層7を配置する。この後、金型を閉めてモールド樹脂6を流し込むと、モールド樹脂6によってモールドされたパワーモジュール20aが形成される。
実施の形態に係るパワーモジュール20は、図5に示すように、絶縁層と、絶縁層上に配置されたリードフレーム(金属層)1,5と、リードフレーム1上に配置された半導体チップ3とを備え、絶縁層は、リードフレーム1,5側に配置される硬質絶縁層7aと、リードフレーム1,5とは反対の側に配置される軟質絶縁層7bとを有する。
以下、図5を用いて、実施の形態に係るパワーモジュール20の構成を更に詳しく説明する。すなわち、実施の形態に係るパワーモジュール20では、ヒートシンク(冷却体)10と対峙する面に有機材料からなる熱伝導性樹脂を塗布して硬化させる。この後、熱伝導性樹脂が塗布されたパワーモジュール20をヒートシンク10に締結する。このとき、比較例のように、絶縁層7とヒートシンク10との間に隙間充填用のサーマルコンパウンド9は塗布しない。すなわち、本実施の形態では、モジュール取り扱いの際のスクラッチに対して傷が付かないように、デュロメータ硬さでA40以上の熱伝導性樹脂(硬質絶縁層7a)を用いる。
実施の形態に係るパワーモジュール20の使用例を示す模式的平面構造は、図6に示すように表される。図6に示すように、リードフレーム1,5は、ネジ61,62によりヒートシンク10にネジ留めされる。もちろん、ネジ留めする位置やネジの数は、適宜変更することが可能である。このような構成によれば、軟質絶縁層7bに柔軟性のある樹脂を用いても、パワーモジュール20をヒートシンク10に強固に接合することができる。
実施の形態に係るパワーモジュール20の製造方法を示す工程は、図7に示すように表される。図7では、リードフレーム1側の一部分だけを示しているが、その他の部分は、図5に示した通りである。
実施の形態に係るパワーモジュール20の別の製造方法を示す工程は、図8に示すように表される。製造方法1(図7)と異なる点は、モールドする工程と硬質絶縁層7a及び軟質絶縁層7bを形成する工程とが逆になっている点である。
実施の形態に係るパワーモジュール20の更に別の製造方法を示す工程は、図9に示すように表される。製造方法1(図7)と異なる点は、軟質絶縁層7bを形成する領域だけである。すなわち、図9(e)に示すように、軟質絶縁層7bは、硬質絶縁層7aの下面だけに形成されている。この場合でも、リードフレーム1,5の角部Pは硬質絶縁層7aに覆われているため、角部Pにおいて短絡する可能性を低減することができる。
実施の形態に係るパワーモジュール20の更に別の製造方法を示す工程は、図10に示すように表される。製造方法3(図9)と異なる点は、モールドする工程と軟質絶縁層7bを形成する工程とが逆になっている点である。これらの工程を逆にすることができる点は、製造方法2(図8)で説明した通りである。このような製造方法でも、リードフレーム1,5の角部Pは硬質絶縁層7aに覆われているため、角部Pにおいて短絡する可能性を低減することができる。
実施の形態に係るパワーモジュールの変形例を示す模式的断面構造は、図11に示すように表わされる。図11に示すように、硬質絶縁層7aと対峙するリードフレーム1,5の面に硬質絶縁層7aの一部が入り込む溝11が形成されていても良い。このような構成によれば、溝11中に硬質絶縁層7aが隙間なく入り込むため、熱抵抗を上昇させることなく、硬質絶縁層7aをリードフレーム1及びリードフレーム5と強固に接合することができる(アンカー効果)。
以下、実施の形態に係るパワーモジュール20の具体例を説明する。もちろん、以下に説明するパワーモジュール20でも、絶縁層として硬質絶縁層7aと軟質絶縁層7bとを積層することができる。これら絶縁層の材料や形状、その他の細部の構成は上記した通りである。
実施の形態に係るパワーモジュール20に適用する半導体デバイス100(Q)の例として、SiC MOSFETの模式的断面構造は、図16に示すように、n-高抵抗層からなる半導体基板26と、半導体基板26の表面側に形成されたpベース領域28と、pベース領域28の表面に形成されたソース領域30と、pベース領域28間の半導体基板26の表面上に配置されたゲート絶縁膜32と、ゲート絶縁膜32上に配置されたゲート電極38と、ソース領域30およびpベース領域28に接続されたソース電極34と、半導体基板26の表面と反対側の裏面に配置されたn+ドレイン領域24と、n+ドレイン領域24に接続されたドレインパッド電極36とを備える。
次に、図19を参照して、実施の形態に係るパワーモジュール20を用いて構成した3相交流インバータ40について説明する。
上記のように、本発明を実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
3…半導体チップ
6…モールド樹脂
7a…硬質絶縁層
7b…軟質絶縁層
10…冷却体(ヒートシンク)
11…溝
20…パワーモジュール
Claims (21)
- 絶縁層と、
前記絶縁層上に配置された金属層と、
前記金属層上に配置された半導体チップと
を備え、
前記絶縁層は、前記金属層側に配置される硬質絶縁層と、前記金属層とは反対の側に配置される軟質絶縁層とを有することを特徴とするパワーモジュール。 - 冷却体を備え、
前記軟質絶縁層は、前記冷却体側に配置されることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール。 - 前記軟質絶縁層の硬さは、デュロメータ硬さでA40よりも軟らかいことを特徴とする請求項1または2に記載のパワーモジュール。
- 前記軟質絶縁層は、有機材料で構成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のパワーモジュール。
- 前記軟質絶縁層は、シリコーン系樹脂で構成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のパワーモジュール。
- 前記軟質絶縁層には、熱伝導率の高い充填材が充填されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載のパワーモジュール。
- 前記充填材は、酸化アルミ、酸化ケイ素、窒化アルミ、窒化珪素、窒化ホウ素、ベリリア、マグネシアのうちの少なくとも1つであることを特徴とする請求項6に記載のパワーモジュール。
- 前記硬質絶縁層の硬さは、デュロメータ硬さでA40よりも硬いことを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載のパワーモジュール。
- 前記硬質絶縁層は、有機材料で構成されていることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載のパワーモジュール。
- 前記硬質絶縁層は、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂のうちの少なくとも1つで構成されていることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載のパワーモジュール。
- 前記硬質絶縁層には、熱伝導率の高い充填材が充填されていることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載のパワーモジュール。
- 前記充填材は、酸化アルミ、酸化ケイ素、窒化アルミ、窒化珪素、窒化ホウ素、ベリリア、マグネシアのうちの少なくとも1つであることを特徴とする請求項11に記載のパワーモジュール。
- 前記硬質絶縁層と対峙する前記金属層の面に前記硬質絶縁層の一部が入り込む溝が形成されていることを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載のパワーモジュール。
- 前記半導体チップがモールド樹脂でモールドされる前に前記軟質絶縁層及び前記硬質絶縁層が形成されることを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載のパワーモジュール。
- 前記モールド樹脂と前記金属層との間に前記軟質絶縁層及び前記硬質絶縁層の端部が介在していることを特徴とする請求項14に記載のパワーモジュール。
- 前記半導体チップがモールド樹脂でモールドされた後に前記軟質絶縁層及び前記硬質絶縁層が形成されることを特徴とする請求項1から13のいずれか1項に記載のパワーモジュール。
- 前記モールド樹脂と前記金属層とが面一に形成されていることを特徴とする請求項16に記載のパワーモジュール。
- 前記パワーモジュールは、ワンインワン、ツーインワン、フォーインワンもしくはシックスインワン型のいずれかに形成されることを特徴とする請求項1〜17のいずれか1項に記載のパワーモジュール。
- リードフレームにはんだを用いて半導体チップを接合する工程と、
前記半導体チップと前記リードフレームとを電気的に接続するため、アルミワイヤを用いて超音波接合を行う工程と、
前記リードフレームを金型に配置し、前記リードフレームの角部が覆われるように前記リードフレームの下面に硬質絶縁層を形成する工程と、
前記硬質絶縁層を硬化させた後、前記角部が覆われるように前記硬質絶縁層の表面に軟質絶縁層を形成する工程と、
前記軟質絶縁層を硬化させた後、前記金型を閉めてモールド樹脂を流し込み、前記リードフレーム、前記はんだ、前記半導体チップ、前記アルミワイヤ、前記リードフレームをモールディングする工程と
を有することを特徴とするパワーモジュールの製造方法。 - リードフレームにはんだを用いて半導体チップを接合する工程と、
前記半導体チップと前記リードフレームとを電気的に接続するため、アルミワイヤを用いて超音波接合を行う工程と、
前記リードフレームを金型に配置し、前記金型を閉めてモールド樹脂を流し込み、前記モールド樹脂と前記リードフレームとが角部において面一になるように、前記リードフレーム、前記はんだ、前記半導体チップ、前記アルミワイヤ、前記リードフレームをモールディングする工程と、
面一になった前記モールド樹脂と前記リードフレームとの面に硬質絶縁層を形成する工程と、
前記硬質絶縁層の表面に軟質絶縁層を形成する工程と
を有することを特徴とするパワーモジュールの製造方法。 - 前記軟質絶縁層は、前記硬質絶縁層の下面に形成されることを特徴とする請求項19または20に記載のパワーモジュールの製造方法。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020050325A1 (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-12 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10125826A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製法 |
JP2000031338A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製法 |
JP2000260918A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Toshiba Corp | ヒートシンク付半導体装置およびその製造方法 |
JP2003309224A (ja) * | 2002-04-18 | 2003-10-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2005005638A (ja) * | 2003-04-15 | 2005-01-06 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
JP2008243877A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | パワーモジュールおよびその製造方法 |
JP2008244365A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | 熱接続構造、およびこれを備えた電子機器 |
JP2009212269A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Denso Corp | モールドパッケージおよびその製造方法 |
JP2013070026A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-04-18 | Rohm Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の実装構造、およびパワー用半導体装置 |
-
2018
- 2018-03-01 JP JP2018036131A patent/JP6660412B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10125826A (ja) * | 1996-10-24 | 1998-05-15 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製法 |
JP2000031338A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-01-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製法 |
JP2000260918A (ja) * | 1999-03-05 | 2000-09-22 | Toshiba Corp | ヒートシンク付半導体装置およびその製造方法 |
JP2003309224A (ja) * | 2002-04-18 | 2003-10-31 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2005005638A (ja) * | 2003-04-15 | 2005-01-06 | Fuji Electric Fa Components & Systems Co Ltd | 半導体モジュールおよびその製造方法 |
JP2008243877A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | パワーモジュールおよびその製造方法 |
JP2008244365A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Toshiba Corp | 熱接続構造、およびこれを備えた電子機器 |
JP2009212269A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Denso Corp | モールドパッケージおよびその製造方法 |
JP2013070026A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-04-18 | Rohm Co Ltd | 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の実装構造、およびパワー用半導体装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020050325A1 (ja) * | 2018-09-06 | 2020-03-12 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 |
JPWO2020050325A1 (ja) * | 2018-09-06 | 2021-08-30 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 |
JP7241763B2 (ja) | 2018-09-06 | 2023-03-17 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置およびその製造方法、ならびに電力変換装置 |
US11631623B2 (en) | 2018-09-06 | 2023-04-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor device and method of manufacturing the same, and power conversion device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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