JP6630762B2 - パワーモジュール - Google Patents
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Description
比較例に係るパワーモジュール20Aの模式的断面構造は、図1に示すように、セラミックス基板8と、セラミックス基板8上に配置された銅箔(金属フレーム)3と、金属フレーム3上にチップ下接合層2を介して配置された半導体デバイス1と、半導体デバイス1および金属フレーム3上に配置され、半導体デバイス1を封止する樹脂層14Aとを備える。セラミックス基板8の裏面には、銅箔9が配置されている。
第1の実施の形態に係るパワーモジュール20の模式的平面パターン構成は、図3(a)に示すように表され、図3(a)のI−I線に沿う模式的断面構造は、図3(b)に示すように表される。
第1の実施の形態に係るパワーモジュール20の製造方法は、金属フレーム3を形成する工程と、金属フレーム3上に半導体デバイス1を形成する工程と、金属フレーム3の表面上に半導体デバイス1を取り囲むフレーム穴3Hを形成する工程と、フレーム穴3H上に半導体デバイス1を取り囲む器部材10Mを形成する工程と、半導体デバイス1および金属フレーム3上に半導体デバイス1を封止する樹脂層14を形成する工程とを有する。フレーム穴3Hは、チップの周囲全体を囲むように形成する。樹脂層14を形成する工程は、モールド成型によって形成されていても良い。
器部材を形成する工程は、金属リブ10Mをフレーム穴3H上に半田層11を介して接続する工程を有していても良い。
第1の実施の形態の変形例1に係るパワーモジュールにおいて、金属フレーム3上に配置される金属リブ10Mの模式的平面パターン構成は、図5(a)に示すように表され、図5(a)のII−II線に沿う模式的断面構造は、図5(b)に示すように表される。また、第1の実施の形態に係るパワーモジュールであって、変形例1に係るパワーモジュールの模式的断面構造は、図6(a)に示すように表される。
第1の実施の形態の変形例2に係るパワーモジュールにおいて、金属フレーム上に配置される金属リブ10Mの模式的断面構造は、図5(c)に示すように表される。また、第1の実施の形態に係るパワーモジュールであって、変形例2に係るパワーモジュールの模式的断面構造は、図6(b)に示すように表される。
第1の実施の形態の変形例3に係るパワーモジュールにおいて、金属フレーム上に配置される金属リブ10Mの模式的断面構造は、図5(d)に示すように表される。また、第1の実施の形態に係るパワーモジュールであって、変形例3に係るパワーモジュールの模式的断面構造は、図6(c)に示すように表される。
第1の実施の形態の変形例4に係るパワーモジュールの模式的平面パターン構成は、図7に示すように表される。
第1の実施の形態に係るパワーモジュールにおいて、金属リブ10Mの表面は、粗面化処理されていても良い。
第1の実施の形態の変形例6に係るパワーモジュールにおいて、金属フレーム上に配置される金属リブ10Mの模式的断面構造は、図8(b)に示すように表される。
第1の実施の形態の変形例7に係るパワーモジュールにおいて、金属フレーム上に配置される金属リブ10Mの模式的断面構造は、図8(c)に示すように表される。
第1の実施の形態の変形例8に係るパワーモジュールにおいて、金属フレーム上に配置される金属リブ10Mの模式的断面構造は、図8(d)に示すように表される。
第1の実施の形態に係るパワーモジュール20の主要部の模式的断面構造は、図9に示すように表される。また、セラミックス基板8上の金属フレーム3上に金属リブ10Mを配置した構成の模式的鳥瞰構成は、図10に示すように表される。
第1の実施の形態に係るパワーモジュール20の製造方法は、図11〜図14に示すように、金属フレーム3上に金属リブ10Mを形成する工程と、金属リブ10Mの内側の金属フレーム3上に半導体デバイス1を配置する工程と、金属リブ10Mの内側に半導体デバイス1を封止する樹脂層14を形成する工程と、金属リブ10Mの外側および樹脂層14上に樹脂層14・金属フレーム3および基板8を封止する樹脂層15を形成する工程とを有する。
(a)まず、図11(a)に示すように、基板として、セラミックス基板8の表面・裏面に銅箔を形成したDBC基板を準備し、セラミックス基板8の表面上にパターニングされた銅箔3・5・7を形成後、金属フレーム3上に、フレーム穴3Hを形成する。セラミックス基板8の裏面上には、銅箔9が形成されている。尚、基板としては、DBA基板若しくはAMB基板も適用可能である。
(b)次に、図11(b)に示すように、フレーム穴3Hに器部材下接合層11を介して金属リブ10Mを形成する。器部材下接合層11には、例えば、半田層を適用可能である。
(c)次に、図12(a)に示すように、金属リブ10Mの内側の金属フレーム3上に、チップ下接合層2を介して、半導体デバイス1をダイボンディングにより形成する。チップ下接合層2としては、半田層を適用可能である。尚、チップ下接合層2としては、半導体デバイス1の裏面に予め形成されたAgナノ粒子層などを用いても良い。
(d)次に、図12(b)に示すように、半導体デバイス1のゲート電極・ソース電極に対してボンディングワイヤ4・6をボンディングする。ここで、ボンディングワイヤ4・6は、パターニングされた銅箔5・7上にボンディング接続されていても良い。ボンディングワイヤ4・6は、例えば、Al、AlCuなどで形成可能である。
(e)次に、図13(a)に示すように、セラミックス基板8の表面上にパターニングされた銅箔5・7上に半田層(図示省略)を介してブロック端子電極12・13を接続する。ブロック端子電極12・13は、Cu、CuMoなどで形成されていても良い。
(f)次に、図13(b)に示すように、金属リブ10Mの内側に樹脂層14を形成し、半導体デバイス1を封止する。ここで、樹脂層14の形成工程では、ポッティング工程などを適用可能である。
(g)次に、図14(a)に示すように、金属リブ10Mの外側および樹脂層14上に樹脂層15を形成し、パワーモジュール全体を封止する。ここで、樹脂層15の形成工程では、トランスファーモールド成型工程などを適用可能である。
(h)次に、図14(b)に示すように、セラミックス基板8の裏面の銅箔9をヒートシンク100上に基板下半田層16を介して接続する。ここで、ヒートシンク100は、例えば、放熱用Cuベースで形成される。
第2の実施の形態に係るパワーモジュール20の模式的平面パターン構成は、図15(a)に示すように表され、図15(a)のIII−III線に沿う模式的断面構造は、図15(b)に示すように表される。
第2の実施の形態に係るパワーモジュール20の製造方法は、金属フレーム3を形成する工程と、金属フレーム3上に半導体デバイス1を形成する工程と、金属フレーム3の表面上に半導体デバイス1を取り囲むフレーム穴3Hを形成する工程と、フレーム穴3H上に半導体デバイス1を取り囲む樹脂リブ10Pを形成する工程と、半導体デバイス1および金属フレーム3上に半導体デバイス1を封止する樹脂層14を形成する工程とを有する。フレーム穴3Hは、半導体デバイス1の周囲全体を囲むように形成する。樹脂層14を形成する工程は、モールド成型によって形成されていても良い。
ここで、樹脂リブ10Pを形成する工程は、樹脂リブ10Pをフレーム穴3Hに挿入して接続する工程を有していても良い。
第2の実施の形態に係るパワーモジュールであって、変形例1に係るパワーモジュールの模式的断面構造は、図17(a)に示すように表される。
第2の実施の形態に係るパワーモジュールであって、変形例2に係るパワーモジュールの模式的断面構造は、図17(b)に示すように表される。
第2の実施の形態に係るパワーモジュールであって、変形例3に係るパワーモジュールの模式的断面構造は、図17(c)に示すように表される。
第2の実施の形態の変形例4に係るパワーモジュールの模式的平面パターン構成は、図18に示すように表される。
第3の実施の形態に係るパワーモジュール20の模式的平面パターン構成は、図19に示すように表され、セラミックス基板8上の金属フレーム3上に半導体デバイス1を囲む金属リブ10Mを配置した構成の模式的鳥瞰図は、図20に示すように表される。
第4の実施の形態に係るパワーモジュール20の模式的平面パターン構成は、図21に示すように表され、第4の実施の形態に係るパワーモジュールにおいて、セラミックス基板8上の金属フレーム3上に半導体デバイス1を囲む樹脂リブ10Pを配置した構成の模式的鳥瞰図は、図22に示すように表される。
(パワーモジュール)
第5の実施の形態に係るパワーモジュール20は、図23(a)および図23(b)に示すように、ボンディングワイヤ4・6の代わりにブロック端子電極17を備える。
第5の実施の形態に係るパワーモジュールの製造方法は、図23(a)・図23(b)に示すように、金属フレーム3上に樹脂リブ10Pを形成する工程と、樹脂リブ10Pの内側の金属フレーム3上に半導体デバイス1を配置する工程と、樹脂リブ10Pの内側に配置され、半導体デバイス1を封止する樹脂層14を形成する工程と、樹脂リブ10Pの外側および樹脂層14上に配置され、樹脂層14および基板8を封止する樹脂層15を形成する工程とを有する。
(a)まず、基板として、セラミックス基板8の表面・裏面に銅箔を形成したDBC基板を準備し、セラミックス基板8の表面上にパターニングされた銅箔3・5・7を形成後、金属フレーム3の表面上に半導体デバイス1を取り囲むフレーム穴3Hを形成する。セラミックス基板8の裏面上には、銅箔9が形成されている。尚、基板としては、DBA基板若しくはAMB基板も適用可能である。
(b)次に、フレーム穴3Hに樹脂リブ10Pを挿入して接続する。
(c)次に、樹脂リブ10Pの内側の金属フレーム3上に、チップ下接合層2を介して、半導体デバイス1をダイボンディングにより形成する。チップ下接合層2としては、半田層を適用可能である。尚、チップ下接合層2としては、半導体デバイス1の裏面に予め形成されたAgナノ粒子層などを用いても良い。
(d)次に、図23(a)に示すように、セラミックス基板8の表面上にパターニングされた銅箔5・7上に半田層(図示省略)を介してブロック端子電極12・13を接続する。また、半導体デバイス1の表面上のゲート電極若しくはソース電極上に半田層(図示省略)を介してブロック端子電極17を接続する。
(e)次に、図23(a)に示すように、樹脂リブ10Pの内側に樹脂層14を形成し、半導体デバイス1を封止する。ここで、樹脂層14の形成工程では、ポッティング工程などを適用可能である。
(f)次に、図23(a)に示すように、樹脂リブ10Pの外側および樹脂層14上に樹脂層14およびセラミックス基板8を封止する樹脂層15を形成し、パワーモジュール全体を封止する。ここで、樹脂層15の形成工程では、トランスファーモールド成型工程などを適用可能である。
(g)次に、図23(b)に示すように、セラミックス基板8の裏面の銅箔9をヒートシンク100上に基板下半田層16を介して接続する。ここで、ヒートシンク100は、例えば、放熱用Cuベースで形成される。
(パワーモジュール)
第6の実施の形態に係るパワーモジュール20は、図24(a)および図24(b)に示すように、樹脂リブ10Pの内側の金属フレーム3上に、ボンディングワイヤ19とブロック端子電極23とを切り替える中継用基板18を備える。
第6の実施の形態に係るパワーモジュールの製造方法は、図24(a)・図24(b)に示すように、金属フレーム3上に樹脂リブ10Pを形成する工程と、樹脂リブ10Pの内側の金属フレーム3上に半導体デバイス1を配置する工程と、樹脂リブ10Pの内側に半導体デバイス1を封止する樹脂層14を形成する工程と、樹脂リブ10Pの外側および第1樹脂層14上に樹脂層14および基板8を封止する樹脂層15を形成する工程とを有する。
(a)まず、基板として、セラミックス基板8の表面・裏面に銅箔を形成したDBC基板を準備し、セラミックス基板8の表面上にパターニングされた銅箔3・5・7を形成後、金属フレーム3の表面上に半導体デバイス1を取り囲む位置にフレーム穴3Hを形成する。
セラミックス基板8の裏面上には、銅箔9が形成されている。尚、基板としては、DBA基板若しくはAMB基板も適用可能である。
(b)次に、フレーム穴3Hに樹脂リブ10Pを挿入して接続する。
(c)次に、図24(a)に示すように、樹脂リブ10Pの内側の金属フレーム3上に、半田層(図示省略)を介して、中継用基板18をダイボンディングにより形成する。
(d)次に、図24(a)に示すように、樹脂リブ10Pの内側の金属フレーム3上に、チップ下接合層2を介して、半導体デバイス1をダイボンディングにより形成する。チップ下接合層2としては、半田層を適用可能である。尚、チップ下接合層2としては、半導体デバイス1の裏面に予め形成されたAgナノ粒子層などを用いても良い。
(e)次に、図24(a)に示すように、半導体デバイス1上のゲート電極と中継用基板18上の銅箔との間をボンディングワイヤ19を用いてボンディング接続する。
(f)次に、図24(a)に示すように、セラミックス基板8の表面上のパターニングされた銅箔5上に半田層(図示省略)を介してブロック端子電極12を接続する。また、半導体デバイス1上のソース電極とセラミックス基板8上の銅箔7との間を半田層(図示省略)を介してブロック端子電極21により接続する。また、中継用基板18上の銅箔とセラミックス基板8上の銅箔5との間を半田層(図示省略)を介してブロック端子電極23により接続する。
(g)次に、図24(a)に示すように、樹脂リブ10Pの内側に樹脂層14を形成し、半導体デバイス1を封止する。ここで、樹脂層14の形成工程では、ポッティング工程などを適用可能である。
(h)次に、図24(a)に示すように、樹脂リブ10Pの外側および樹脂層14上に樹脂層14およびセラミックス基板8を封止する樹脂層15を形成し、パワーモジュール全体を封止する。ここで、樹脂層15の形成工程では、トランスファーモールド成型工程などを適用可能である。
(i)次に、図24(b)に示すように、セラミックス基板8の裏面の銅箔9をヒートシンク100上に基板下半田層16を介して接続する。ここで、ヒートシンク100は、例えば、放熱用Cuベースで形成される。
第7の実施の形態に係るパワーモジュール200であって、ツーインワンモジュール(2 in 1 Module:ハーフブリッジ内蔵モジュール)において、樹脂層15を形成前の模式的平面パターン構成は図25に示すように表され、樹脂層15を形成後の模式的鳥瞰構成は図27に示すように表される。また、第7の実施の形態に係るパワーモジュールであって、半導体デバイスとしてSiC MISFETを適用した図25に対応したツーインワンモジュール(ハーフブリッジ内蔵モジュール)の回路構成は、図26に示すように表される。
以下、実施の形態に係るパワーモジュールの具体例を説明する。もちろん、以下に説明するパワーモジュールにおいても、金属フレームにフレーム穴および器部材を形成し、器部材の内部と外側で封止材を変える構成を採用している。例えば、器部材の内側はソフトレジンを封止、器部材の外側は、ハードレジンを封止する。信頼性は器部材内側のソフトレジンで保持し、耐振動性・耐湿性は器部材外側のハードレジンで保持する。ケース付け無しでモジュール作製が可能となり、モジュール作製プロセスの簡略化、モジュールの小型化を図ることができ、ケースなどの部材が不要となり、低コスト化可能である。
また、実施の形態に係るパワーモジュール20であって、ワンインワンモジュールのSiC MISFETの詳細回路表現は、図30に示すように表される。
実施の形態に係るパワーモジュールに適用可能な半導体デバイスの例であって、SiC MISFETの模式的断面構造は、図32(a)に示すように表され、IGBTの模式的断面構造は、図32(b)に示すように表される。
実施の形態に係るパワーモジュールに適用可能な半導体デバイス110の例であって、SiC DIMISFETの模式的断面構造は、図35に示すように表される。
実施の形態に係るパワーモジュールに適用可能な半導体デバイス110の例であって、SiC TMISFETの模式的断面構造は、図36に示すように表される。
実施の形態に係るパワーモジュールを電源Eと接続する際、接続ラインの有するインダクタンスLによって、SiC MISFETやIGBTのスイッチング速度が速いため、大きなサージ電圧Ldi/dtを生ずる。例えば、電流変化di=300A、スイッチングに伴う時間変化dt=100nsecとすると、di/dt=3×109(A/s)となる。インダクタンスLの値により、サージ電圧Ldi/dtの値は変化するが、電源Vにこのサージ電圧Ldi/dtが重畳される。電源端子PLと接地端子NL間に接続されるスナバコンデンサCによって、このサージ電圧Ldi/dtを吸収することができる。
次に、図38を参照して、半導体デバイスとしてSiC MISFETを適用した実施の形態に係るパワーモジュールを用いて構成した3相交流インバータ140について説明する。
上記のように、本発明を実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
2…チップ下接合層(チップ下半田層)
3、321、324、32n…金属フレーム(銅箔)
5、7、9…銅箔
3H…フレーム穴
4、6、19…ボンディングワイヤ
8…セラミックス基板
10、10M、10P、101、104…リブ(器部材)
11…器部材下接合層(半田層)
12、13、21、23…ブロック端子電極
14、141、144…第1樹脂層(ソフトレジン)
15…第2樹脂層(ハードレジン)
16…基板下接合層(半田層)
18…中継用基板
20、20A、20T、200…パワーモジュール
221、224…上面板電極
241、244…信号基板
251、254…柱状電極
100…ヒートシンク
Claims (9)
- セラミックス基板上に形成されている第1金属フレームと、
前記第1金属フレーム上に配置された第1半導体デバイスと、
平面視において、前記第1金属フレームの表面に、前記第1半導体デバイスの第1辺と平行になるように所定間隔をあけて複数形成されたフレーム穴と、
前記第1金属フレームおよび前記第1半導体デバイスを覆うように形成された第1樹脂層と、
前記セラミックス基板上に形成された第2金属フレームと、
前記セラミックス基板の第1辺において、前記第2金属フレームの長手方向に向かって延びるように構成された第1リード端子と、
前記セラミックス基板の第1辺と対向する第3辺において、長手方向に向かって延びるように構成された第2リード端子と、
前記第1半導体デバイス上に形成された第1ブロック端子電極と、
前記第1ブロック端子電極と前記第1リード端子を接続するように構成された第1上面板電極と、
前記第2金属フレーム上に配置された第2半導体デバイスと、
前記第2半導体デバイス上に形成された第2ブロック端子電極と、
前記第2ブロック端子電極と前記第2リード端子を接続するように構成された第2上面板電極と、
前記第1半導体デバイスおよび前記第2半導体デバイスを接続するように構成されたブロック端子電極と
を備え、
平面視において、前記第1リード端子および前記第2リード端子は、それぞれ前記セラミックス基板の対角線上に配置され、平面視において、前記第1リード端子および前記第2リード端子は、それぞれ円形状の穴が形成されており、
前記第1ブロック端子電極の他端は、前記第1樹脂層から一面が露出した前記第1上面板電極に直接接続され、前記第2ブロック端子電極の他端は、前記第1樹脂層から一面が露出した前記第2上面板電極に直接接続され、
前記ブロック端子電極は、前記フレーム穴を跨ぐように形成されていることを特徴とするパワーモジュール。 - 平面視において、前記フレーム穴は、前記第1半導体デバイスの第1辺、第2辺、第3辺および第4辺に沿って、それぞれと平行になるように前記第1金属フレームの表面に形成されていることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール。
- 前記フレーム穴は、前記第1金属フレームの裏面に到達しないように形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載のパワーモジュール。
- 前記セラミックス基板の前記第1辺と直交する第2辺において、前記第1リード端子および前記第2リード端子と直交する方向に向かって延びるように構成された第1制御端子と、
前記セラミックス基板の第2辺と対向する第4辺において、前記第1リード端子および前記第2リード端子と直交する方向に向かって延びるように構成された第2制御端子と
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール。 - セラミックス基板上に形成されている第1金属フレームと、
前記第1金属フレーム上に配置された第1半導体デバイスと、
平面視において、前記第1金属フレームの表面に、前記第1半導体デバイスの第1辺と平行になるように所定間隔をあけて複数形成されたフレーム穴と、
前記第1金属フレームおよび前記第1半導体デバイスを覆うように形成された第1樹脂層と、
前記第1半導体デバイス上に形成された第1ブロック端子電極と、
前記第1ブロック端子電極上に形成された上面板電極と
を備え、
前記第1ブロック端子電極の他端は、前記第1樹脂層から一面が露出した前記上面板電極に直接接続されているとともに、前記第1ブロック端子電極は、前記フレーム穴を跨ぐように形成されたことを特徴とするパワーモジュール。 - 前記第1金属フレーム上に配置された第3半導体デバイスと、
前記第3半導体デバイス上に形成され、前記上面板電極と直接接続されるように形成された第2ブロック端子電極と
をさらに備えることを特徴とする請求項5に記載のパワーモジュール。 - 前記第1半導体デバイスは、
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成された制御電極と、
前記制御電極と接続されないように前記半導体基板上に形成された出力電極と
を備えることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール。 - 前記半導体基板は第1導電型を有し、
前記半導体基板の表面付近に第2導電型を有するように形成された第1不純物領域と、
第1導電型を有し、前記第1不純物領域に含まれるように形成された第2不純物領域と
をさらに備えることを特徴とする請求項7に記載のパワーモジュール。 - 前記第1導電型はn型であり、前記第2導電型はp型であることを特徴とする請求項8に記載のパワーモジュール。
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