KR20050005499A - Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 - Google Patents
Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050005499A KR20050005499A KR10-2004-7019184A KR20047019184A KR20050005499A KR 20050005499 A KR20050005499 A KR 20050005499A KR 20047019184 A KR20047019184 A KR 20047019184A KR 20050005499 A KR20050005499 A KR 20050005499A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing
- dispersant
- cmp abrasive
- cerium oxide
- weight
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 189
- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title claims abstract description 87
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 74
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 54
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 135
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 135
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract description 99
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 70
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims abstract description 18
- -1 amine salt Chemical class 0.000 claims description 39
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 claims description 29
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 29
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 26
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 25
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 20
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims description 20
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 11
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 10
- WPKYZIPODULRBM-UHFFFAOYSA-N azane;prop-2-enoic acid Chemical compound N.OC(=O)C=C WPKYZIPODULRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims description 3
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 claims description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 abstract description 11
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 abstract description 11
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 abstract description 8
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 95
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N Methyl acrylate Chemical compound COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 20
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- KHSBAWXKALEJFR-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);tricarbonate;hydrate Chemical compound O.[Ce+3].[Ce+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O KHSBAWXKALEJFR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 125000005250 alkyl acrylate group Chemical group 0.000 description 2
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002818 (Hydroxyethyl)methacrylate Polymers 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloro-2,2-bis(chloromethyl)propane Chemical compound ClCC(CCl)(CCl)CCl KPZGRMZPZLOPBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNLDXOPTFYQILE-UHFFFAOYSA-N 2-[bis(2-hydroxyethyl)amino]tetradecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCC(CO)N(CCO)CCO DNLDXOPTFYQILE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HVYJSOSGTDINLW-UHFFFAOYSA-N 2-[dimethyl(octadecyl)azaniumyl]acetate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC([O-])=O HVYJSOSGTDINLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUHFRORXWCGZGE-KTKRTIGZSA-N 2-hydroxyethyl (z)-octadec-9-enoate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OCCO MUHFRORXWCGZGE-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- RFVNOJDQRGSOEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCO RFVNOJDQRGSOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N Betaine Natural products C[N+](C)(C)CC([O-])=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000013162 Cocos nucifera Nutrition 0.000 description 1
- 244000060011 Cocos nucifera Species 0.000 description 1
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acrylate Chemical compound CCOC(=O)C=C JIGUQPWFLRLWPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPVVYTCTZKCSOJ-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol distearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OCCOC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC FPVVYTCTZKCSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-O N,N,N-trimethylglycinium Chemical compound C[N+](C)(C)CC(O)=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001213 Polysorbate 20 Polymers 0.000 description 1
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004147 Sorbitan trioleate Substances 0.000 description 1
- PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N Sorbitan trioleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N ammonium lauryl sulfate Chemical compound [NH4+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O BTBJBAZGXNKLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940063953 ammonium lauryl sulfate Drugs 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 229960003237 betaine Drugs 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 1
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 description 1
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 description 1
- 150000001785 cerium compounds Chemical class 0.000 description 1
- GHLITDDQOMIBFS-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);tricarbonate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O GHLITDDQOMIBFS-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SYELZBGXAIXKHU-UHFFFAOYSA-N dodecyldimethylamine N-oxide Chemical compound CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)[O-] SYELZBGXAIXKHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009837 dry grinding Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 description 1
- 229940100608 glycol distearate Drugs 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N imidazoline Chemical compound C1CN=CN1 MTNDZQHUAFNZQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 229940094506 lauryl betaine Drugs 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- DVEKCXOJTLDBFE-UHFFFAOYSA-N n-dodecyl-n,n-dimethylglycinate Chemical compound CCCCCCCCCCCC[N+](C)(C)CC([O-])=O DVEKCXOJTLDBFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- UPHWVVKYDQHTCF-UHFFFAOYSA-N octadecylazanium;acetate Chemical compound CC(O)=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCCN UPHWVVKYDQHTCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002114 octoxynol-9 Polymers 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N pent‐4‐en‐2‐one Natural products CC(=O)CC=C PNJWIWWMYCMZRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 239000000256 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Substances 0.000 description 1
- 235000010486 polyoxyethylene sorbitan monolaurate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000244 polyoxyethylene sorbitan monooleate Substances 0.000 description 1
- 235000010482 polyoxyethylene sorbitan monooleate Nutrition 0.000 description 1
- 235000010483 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000249 polyoxyethylene sorbitan monopalmitate Substances 0.000 description 1
- 239000001818 polyoxyethylene sorbitan monostearate Substances 0.000 description 1
- 235000010989 polyoxyethylene sorbitan monostearate Nutrition 0.000 description 1
- 229920000053 polysorbate 80 Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 235000019337 sorbitan trioleate Nutrition 0.000 description 1
- 229960000391 sorbitan trioleate Drugs 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000001238 wet grinding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D3/00—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents
- B24D3/34—Physical features of abrasive bodies, or sheets, e.g. abrasive surfaces of special nature; Abrasive bodies or sheets characterised by their constituents characterised by additives enhancing special physical properties, e.g. wear resistance, electric conductivity, self-cleaning properties
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
Description
항목 | 실시예 1 | 실시예 2 | 실시예 3 | 실시예 4 | 실시예 5 | 실시예 6 | |
산화세륨 슬러리: 500g | 명칭 | (A-1) | (A-1) | (A-1) | (A-2) | (A-2) | (A-1) |
1차 입자경(㎚) | 10~60(다결정) | 10~60(다결정) | 10~60(다결정) | 10~60(다결정) | 10~60(다결정) | 10~60(다결정) | |
pH | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.7 | 8.7 | 8.5 | |
첨가액: 500g | 분산제 | 아크릴산/아크릴산메틸= 3/1 | 아크릴산/아크릴산메틸= 3/1 | 아크릴산/아크릴산메틸= 3/1 | 아크릴산/아크릴산메틸= 3/1 | 아크릴산/아크릴산메틸= 3/1 | 아크릴산/아크릴산메틸= 10/0 |
중량 평균분자량 | 10,000 | 10,000 | 10,000 | 10,000 | 10,000 | 10,000 | |
농도(wt%) | 1 | 2 | 6 | 2 | 2 | 3 | |
pH | 7.3 | 7.5 | 7.7 | 7.5 | 7.5 | 6.8 | |
플라즈마-CVD-TEOS-산화 규소막 연마 속도 (Å/ 분) | 2,000 | 2,000 | 1,500 | 2,000 | 2,000 | 1,800 | |
저압-CVD-질화규소막 연마 속도 (Å/분) | 40 | 20 | 20 | 20 | 20 | 20 | |
연마 속도비 (산화규소 막/질화규소막) | 50 | 100 | 75 | 100 | 100 | 90 | |
산화막 연마후 연마 긁힘 (수/㎠) | 0.05 | 0.05 | 0.05 | 0.05 | 0.05 | 0.05 | |
파임(디싱)량 (Å) | 150 | 120 | 100 | 130 | 130 | 80 |
항목 | 실시예 7 | 실시예 8 | 실시예 9 | 실시예 10 | 비교예 1 | 비교예 2 | |
산화세륨 슬러리: 500g | 명칭 | (B-1) | (A-1) | (A-1) | (A-1) | (A-1) | (A-1) |
1차 입자경(㎚) | 80~150(단결정) | 10~60(다결정) | 10~60(다결정) | 10~60(다결정) | 10~60(다결정) | 10~60(다결정) | |
pH | 8.4 | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.5 | 8.5 | |
첨가액: 500g | 분산제 | 아크릴산/아크릴산메틸= 3/1 | 아크릴산/아크릴산메틸= 10/0 | 아크릴산/아크릴산메틸= 3/1 | 아크릴산/아크릴산메틸= 10/0 | 탈이온수만 | 아크릴산/아크릴산메틸= 3/1 |
중량 평균분자량 | 10,000 | 10,000 | 10,000 | 10,000 | - | 10,000 | |
농도(wt%) | 2 | 4 | 9 | 6 | - | 1 | |
pH | 7.5 | 6.5 | 7.9 | 6.0 | 7 | 7.3 | |
플라즈마-CVD-TEOS-산화규소막 연마 속도 (Å/분) | 2,000 | 1,500 | 1,400 | 1,200 | 2,000 | 1,000 | |
저압-CVD-질화규소막 연마 속도 (Å/분) | 40 | 20 | 20 | 20 | 400 | 50 | |
연마 속도비 (산화규소 막/질화규소막) | 50 | 75 | 70 | 60 | 5 | 20 | |
산화막 연마후 연마 긁힘 (수/㎠) | 0.10 | 0.05 | 0.04 | 0.05 | 0.50 | 0.45 | |
파임(디싱)량 (Å) | 140 | 70 | 130 | 60 | 850 | 170 |
Claims (50)
- 산화세륨 입자, 분산제 및 물을 포함하는 산화세륨 슬러리, 및 분산제와 물을 포함하는 첨가액으로 이루어지는 CMP 연마제로서, 상기 산화세륨 슬러리 및 첨가액 각각에 포함되는 분산제가 고분자 분산제이고, 아크릴산암모늄염을 공중합 성분으로 하는 중합체, 폴리아크릴산암모늄염 또는 폴리아크릴산아민염이고, 상기 산화세륨 슬러리 중의 분산제 함유량이 산화세륨 입자 100 중량부에 대하여 0.01 내지 2.0 중량부이고, 산화세륨 입자 함유량이 산화세륨 슬러리에 대하여 0.3 내지 40 중량%이며, 상기 첨가액 중의 분산제의 함유량이 1 내지 10 중량%인 것인 CMP 연마제.
- 제1항에 있어서, 상기 산화세륨 슬러리 및 첨가액의 각각에 포함되는 분산제가 고분자 분산제이고, 아크릴산암모늄염을 공중합 성분으로 하는 중합체인 것인 CMP 연마제.
- 제1항에 있어서, 상기 산화세륨 슬러리 및 첨가액의 각각에 포함되는 분산제가 고분자 분산제이고, 폴리아크릴산암모늄염 또는 폴리아크릴산아민염인 것인 CMP 연마제.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, 상기 고분자 분산제의 중량 평균 분자량이 100내지 50,000인 것인 CMP 연마제.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 산화세륨 슬러리의 pH가 6 내지 10인 것인 CMP 연마제.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 산화규소막 연마 속도와 질화규소막 연마 속도의 비가 50 이상인 것인 CMP 연마제.
- 분산제 및 물을 포함하는 CMP 연마제용 첨가액으로서, 상기 분산제가 고분자 분산제이고, 아크릴산암모늄염을 공중합 성분으로 하는 중합체, 폴리아크릴산암모늄염 또는 폴리아크릴산아민염이고, 상기 첨가액 중의 분산제의 함유량이 1 내지 10 중량%이며, 상기 첨가액의 점도가 1.20 내지 2.50 mPaㆍs인 것인 CMP 연마제용 첨가액.
- 분산제 및 물을 포함하는 CMP 연마제용 첨가액으로서, 상기 분산제가 고분자 분산제이고, 아크릴산암모늄염을 공중합 성분으로 하는 중합체, 폴리아크릴산암모늄염 또는 폴리아크릴산아민염이고, 상기 첨가액 중의 분산제의 함유량이 1 내지 10 중량%이며, 상기 분산제의 중량 평균 분자량이 1,000 내지 100,000인 것인 CMP 연마제용 첨가액.
- 분산제 및 물을 포함하는 CMP 연마제용 첨가액으로서, 상기 분산제가 고분자 분산제이고, 폴리아크릴산암모늄염 또는 폴리아크릴산아민염이고, 상기 첨가액 중의 분산제의 함유량이 1 내지 10 중량%이며, 상기 분산제의 분자량 분포(중량 평균 분자량/수 평균 분자량)가 1.005 내지 1.300인 것인 CMP 연마제용 첨가액.
- 분산제 및 물을 포함하는 CMP 연마제용 첨가액으로서, 상기 분산제가 고분자 분산제이고, 폴리아크릴산암모늄염 또는 폴리아크릴산아민염이고, 상기 첨가액 중의 분산제의 함유량이 1 내지 10 중량%이며, 상기 분산제의 염을 구성하지 않은 유리 암모니아 또는 아민의 비율이 10 몰% 이하인 것인 CMP 연마제용 첨가액.
- 제7항에 있어서, 상기 첨가액의 pH가 4 내지 8인 것인 CMP 연마제용 첨가액.
- 제7항에 있어서, 상기 고분자 분산제가 폴리아크릴산암모늄염 또는 폴리아크릴산아민염인 것인 CMP 연마제용 첨가액.
- 피연마막이 형성된 기판을 연마 정반의 연마포에 눌러 가압하고, 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 기재된 CMP 연마제를 피연마막과 연마포 사이에 공급하면서 기판과 연마 정반을 움직여 피연마막을 연마하는 것을 포함하는 기판의 연마 방법.
- 제13항에 있어서, 적어도 산화규소막 또는 질화규소막이 형성된 기판을 연마하는 기판의 연마 방법.
- 제3항에 있어서, 상기 산화세륨 슬러리 및 첨가액의 각각에 포함되는 분산제의 중량 평균 분자량이 10,000 내지 40,000인 것인 CMP 연마제.
- 제3항에 있어서, 상기 산화세륨 슬러리 및 첨가액의 각각에 포함되는 분산제의 분자량 분포(중량 평균 분자량/수 평균 분자량)가 1.005 내지 1.300인 것인 CMP 연마제.
- 제1항에 있어서, 상기 산화세륨 슬러리 및 첨가액의 각각에 포함되는 분산제의 염을 구성하지 않은 유리 암모니아 또는 아민의 비율이 10 몰% 이하인 것인 CMP 연마제.
- 제1항에 있어서, 상기 첨가액의 pH가 4 내지 8인 것인 CMP 연마제.
- 제1항에 있어서, 상기 첨가액의 점도가 1.20 내지 2.50 mPaㆍs인 것인 CMP 연마제.
- 제1항에 있어서, 상기 첨가액 중의 분산제의 함유량이 산화세륨 슬러리 중의 산화세륨 입자 100 중량부당 0.001 내지 2000 중량부인 것인 CMP 연마제.
- 제8항에 있어서, 상기 분산제의 중량 평균 분자량이 10,000 내지 40,000인 것인 CMP 연마제용 첨가액.
- 제4항에 있어서, 상기 산화세륨 슬러리의 pH가 6 내지 10인 것인 CMP 연마제.
- 제4항에 있어서, 산화규소막 연마 속도와 질화규소막 연마 속도의 비가 50 이상인 것인 CMP 연마제.
- 피연마막이 형성된 기판을 연마 정반의 연마포에 눌러 가압하고, 제4항에 기재된 CMP 연마제를 피연마막과 연마포 사이에 공급하면서 기판과 연마 정반을 움직여 피연마막을 연마하는 것을 포함하는 기판의 연마 방법.
- 제24항에 있어서, 적어도 산화규소막 또는 질화규소막이 형성된 기판을 연마하는 기판의 연마 방법.
- 피연마막이 형성된 기판을 연마 정반의 연마포에 눌러 가압하고, 제5항에 기재된 CMP 연마제를 피연마막과 연마포 사이에 공급하면서 기판과 연마 정반을 움직여 피연마막을 연마하는 것을 포함하는 기판의 연마 방법.
- 제26항에 있어서, 적어도 산화규소막 또는 질화규소막이 형성된 기판을 연마하는 기판의 연마 방법.
- 피연마막이 형성된 기판을 연마 정반의 연마포에 눌러 가압하고, 제6항에 기재된 CMP 연마제를 피연마막과 연마포 사이에 공급하면서 기판과 연마 정반을 움직여 피연마막을 연마하는 것을 포함하는 기판의 연마 방법.
- 제28항에 있어서, 적어도 산화규소막 또는 질화규소막이 형성된 기판을 연마하는 기판의 연마 방법.
- 피연마막이 형성된 기판을 연마 정반의 연마포에 눌러 가압하고, 제15항 내지 제20항, 제22항 및 제23항 중 어느 한 항에 기재된 CMP 연마제를 피연마막과 연마포 사이에 공급하면서 기판과 연마 정반을 움직여 피연마막을 연마하는 것을 포함하는 기판의 연마 방법.
- 제30항에 있어서, 적어도 산화규소막 또는 질화규소막이 형성된 기판을 연마하는 기판의 연마 방법.
- 제13항에 있어서, 연마 정반 상에서 산화세륨 슬러리와 첨가액을 각각 동시에 공급함으로써 CMP 연마제를 피연마막과 연마 패드 사이에 공급하는 것인 연마 방법.
- 제32항에 있어서, 상기 산화세륨 슬러리 중의 산화세륨 입자 100 중량부에 대하여 상기 첨가액 중의 분산제의 함유량이 0.001 내지 2000 중량부가 되는 양으로 산화세륨 슬러리와 첨가액을 연마 정반 상에서 공급하는 것인 연마 방법.
- 제24항에 있어서, 연마 정반 상에서 산화세륨 슬러리와 첨가액을 각각 동시에 공급함으로써 CMP 연마제를 피연마막과 연마 패드 사이에 공급하는 것인 연마 방법.
- 제34항에 있어서, 상기 산화세륨 슬러리 중의 산화세륨 입자 100 중량부에 대하여 상기 첨가액 중의 분산제의 함유량이 0.001 내지 2000 중량부가 되는 양으로 산화세륨 슬러리와 첨가액을 연마 정반 상에서 공급하는 것인 연마 방법.
- 제26항에 있어서, 연마 정반 상에서 산화세륨 슬러리와 첨가액을 각각 동시에 공급함으로써 CMP 연마제를 피연마막과 연마 패드 사이에 공급하는 것인 연마 방법.
- 제36항에 있어서, 상기 산화세륨 슬러리 중의 산화세륨 입자 100 중량부에대하여 상기 첨가액 중의 분산제의 함유량이 0.001 내지 2000 중량부가 되는 양으로 산화세륨 슬러리와 첨가액을 연마 정반 상에서 공급하는 것인 연마 방법.
- 제28항에 있어서, 연마 정반 상에서 산화세륨 슬러리와 첨가액을 각각 동시에 공급함으로써 CMP 연마제를 피연마막과 연마 패드 사이에 공급하는 것인 연마 방법.
- 제38항에 있어서, 상기 산화세륨 슬러리 중의 산화세륨 입자 100 중량부에 대하여 상기 첨가액 중의 분산제의 함유량이 0.001 내지 2000 중량부가 되는 양으로 산화세륨 슬러리와 첨가액을 연마 정반 상에서 공급하는 것인 연마 방법.
- 제30항에 있어서, 연마 정반 상에서 산화세륨 슬러리와 첨가액을 각각 동시에 공급함으로써 CMP 연마제를 피연마막과 연마 패드 사이에 공급하는 것인 연마 방법.
- 제40항에 있어서, 상기 산화세륨 슬러리 중의 산화세륨 입자 100 중량부에 대하여 상기 첨가액 중의 분산제의 함유량이 0.001 내지 2000 중량부가 되는 양으로 산화세륨 슬러리와 첨가액을 연마 정반 상에서 공급하는 것인 연마 방법.
- 분산제와 물을 포함하는 CMP 연마제용 첨가액으로서, 상기 분산제가 폴리아크릴산암모늄염 또는 폴리아크릴산아민염이고, 중량 평균 분자량이 1,000 내지 100,000이며, 상기 첨가액이 1 내지 10 중량%의 분산제를 함유하는 것인 CMP 연마제용 첨가액.
- 제42항에 있어서, 상기 분산제의 중량 평균 분자량이 10,000 내지 40,000인 것인 CMP 연마제용 첨가액.
- 분산제와 물을 포함하는 CMP 연마제용 첨가액으로서, 상기 분산제가 고분자 분산제이고, 아크릴산암모늄염을 공중합 성분으로 하는 중합체, 폴리아크릴산암모늄염 또는 폴리아크릴산아민염이고, 중량 평균 분자량이 1,000 내지 100,000이고, 상기 첨가액이 1 내지 10 중량%의 분산제를 함유하며, pH가 4 내지 8인 것인 CMP 연마제용 첨가액.
- 제44항에 있어서, 상기 분산제가 폴리아크릴산암모늄염 또는 폴리아크릴산아민염인 것인 CMP 연마제용 첨가액.
- 분산제와 물을 포함하는 CMP 연마제용 첨가액으로서, 상기 분산제가 폴리아크릴산암모늄염 또는 폴리아크릴산아민염이고, 분자량 분포(중량 평균 분자량/수 평균 분자량)가 1.005 내지 1.300이고, 상기 첨가액이 1 내지 10 중량%의 분산제를 함유하며, pH가 4 내지 8인 것인 CMP 연마제용 첨가액.
- 분산제와 물을 포함하는 CMP 연마제용 첨가액으로서, 상기 분산제가 폴리아크릴산암모늄염 또는 폴리아크릴산아민염이고, 염을 구성하지 않은 유리 암모니아 또는 아민의 비율이 10 몰% 이하이고, 상기 첨가액의 분산제의 함유량이 1 내지 10 중량%이며, pH가 4 내지 8인 것인 CMP 연마제용 첨가액.
- 분산제와 물을 포함하는 CMP 연마제용 첨가액으로서, 상기 분산제가 폴리아크릴산암모늄염 또는 폴리아크릴산아민염이고, 상기 첨가액이 1 내지 10 중량%의 분산제를 함유하고, pH가 4 내지 8이며, 점도가 1.20 내지 2.50 mPaㆍs인 것인 CMP 연마제용 첨가액.
- 분산제와 물을 포함하는 CMP 연마제용 첨가액으로서, 상기 분산제가 고분자 분산제이고, 아크릴산암모늄염을 공중합 성분으로 하는 중합체, 폴리아크릴산암모늄염 또는 폴리아크릴산아민염이고, 중량 평균 분자량이 1,000 내지 40,000이고, 상기 첨가액이 1 내지 10 중량%의 분산제를 함유하며, pH가 4 내지 8인 것인 CMP 연마제용 첨가액.
- 제49항에 있어서, 상기 분산제가 폴리아크릴산암모늄염 또는 폴리아크릴산아민염인 것인 CMP 연마제용 첨가액.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-1998-00368355 | 1998-12-25 | ||
JP36835598 | 1998-12-25 | ||
PCT/JP1999/007209 WO2000039843A1 (fr) | 1998-12-25 | 1999-12-22 | Abrasif cmp, additif liquide pour abrasif cmp et procede de polissage de substrat |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2001-7008089A Division KR100475976B1 (ko) | 1998-12-25 | 1999-12-22 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR10-2004-7021176A Division KR20050006299A (ko) | 1998-12-25 | 1999-12-22 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050005499A true KR20050005499A (ko) | 2005-01-13 |
KR100754103B1 KR100754103B1 (ko) | 2007-08-31 |
Family
ID=18491604
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020077015887A KR100851451B1 (ko) | 1998-12-25 | 1999-12-22 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
KR1020077004271A KR100797218B1 (ko) | 1998-12-25 | 1999-12-22 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
KR10-2001-7008089A KR100475976B1 (ko) | 1998-12-25 | 1999-12-22 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
KR1020047019184A KR100754103B1 (ko) | 1998-12-25 | 1999-12-22 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
KR1020087002987A KR100822116B1 (ko) | 1998-12-25 | 1999-12-22 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
KR10-2004-7021176A KR20050006299A (ko) | 1998-12-25 | 1999-12-22 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020077015887A KR100851451B1 (ko) | 1998-12-25 | 1999-12-22 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
KR1020077004271A KR100797218B1 (ko) | 1998-12-25 | 1999-12-22 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
KR10-2001-7008089A KR100475976B1 (ko) | 1998-12-25 | 1999-12-22 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020087002987A KR100822116B1 (ko) | 1998-12-25 | 1999-12-22 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
KR10-2004-7021176A KR20050006299A (ko) | 1998-12-25 | 1999-12-22 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US6783434B1 (ko) |
EP (2) | EP1566421B1 (ko) |
JP (1) | JP3649279B2 (ko) |
KR (6) | KR100851451B1 (ko) |
TW (1) | TW492095B (ko) |
WO (1) | WO2000039843A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101134590B1 (ko) * | 2005-03-28 | 2012-04-09 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 분산 안정성이 우수한 연마 슬러리의 제조방법 |
Families Citing this family (88)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1566421B1 (en) * | 1998-12-25 | 2014-12-10 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | CMP abrasive, liquid additive for CMP abrasive and method for polishing substrate. |
JP4501694B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2010-07-14 | 日立化成工業株式会社 | Cmp研磨剤用添加液 |
JP3873557B2 (ja) * | 2000-01-07 | 2007-01-24 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
JP4779206B2 (ja) * | 2001-01-12 | 2011-09-28 | 日立化成工業株式会社 | ポリ(メタ)アクリル酸アミン塩水溶液及びその製造方法 |
US20030087178A1 (en) * | 2001-04-20 | 2003-05-08 | Adrian Lungu | Photopolymerizable element for use as a flexographic printing plate and a process for preparing the plate from the element |
KR100464429B1 (ko) | 2002-08-16 | 2005-01-03 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 폴리싱 슬러리 및 이를 사용한 화학 기계적폴리싱 방법 |
JP4002740B2 (ja) * | 2001-05-29 | 2007-11-07 | 三井金属鉱業株式会社 | セリウム系研摩材の製造方法 |
MY144587A (en) * | 2001-06-21 | 2011-10-14 | Kao Corp | Polishing composition |
US20040211337A1 (en) * | 2001-08-20 | 2004-10-28 | Lee In Yeon | Polishing slurry comprising silica-coated ceria |
KR100475457B1 (ko) * | 2001-11-15 | 2005-03-08 | 삼성전자주식회사 | 슬러리용 첨가제 조성물, 이를 포함하는 슬러리 조성물 및연마 방법 |
EP1448737B1 (en) | 2001-11-15 | 2012-01-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Slurry composition including an additive composition, and method of polishing an object using the slurry composition |
US20060032836A1 (en) * | 2001-11-16 | 2006-02-16 | Ferro Corporation | Methods of controlling the properties of abrasive particles for use in chemical-mechanical polishing slurries |
US7524346B2 (en) * | 2002-01-25 | 2009-04-28 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Compositions of chemical mechanical planarization slurries contacting noble-metal-featured substrates |
US7198550B2 (en) * | 2002-02-08 | 2007-04-03 | 3M Innovative Properties Company | Process for finish-abrading optical-fiber-connector end-surface |
WO2003071593A1 (fr) * | 2002-02-20 | 2003-08-28 | Ebara Corporation | Procede de polissage et fluide de polissage |
US6936543B2 (en) * | 2002-06-07 | 2005-08-30 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP method utilizing amphiphilic nonionic surfactants |
US6974777B2 (en) | 2002-06-07 | 2005-12-13 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP compositions for low-k dielectric materials |
SG155045A1 (en) * | 2002-07-22 | 2009-09-30 | Seimi Chem Kk | Semiconductor polishing compound, process for its production and polishing method |
KR100516886B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-09-23 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 |
US7300601B2 (en) * | 2002-12-10 | 2007-11-27 | Advanced Technology Materials, Inc. | Passivative chemical mechanical polishing composition for copper film planarization |
US7553345B2 (en) * | 2002-12-26 | 2009-06-30 | Kao Corporation | Polishing composition |
JPWO2004061925A1 (ja) * | 2002-12-31 | 2006-05-18 | 株式会社Sumco | 化学的機械研磨用スラリー組成物、これを利用した半導体素子の表面平坦化方法及びスラリー組成物の選択比制御方法 |
WO2004068570A1 (ja) | 2003-01-31 | 2004-08-12 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Cmp研磨剤及び研磨方法 |
JP2004265989A (ja) * | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR100539983B1 (ko) * | 2003-05-15 | 2006-01-10 | 학교법인 한양학원 | Cmp용 세리아 연마제 및 그 제조 방법 |
KR101053653B1 (ko) * | 2003-07-01 | 2011-08-02 | 주식회사 동진쎄미켐 | 산화세륨 연마제를 이용한 화학 기계적 연마 슬러리조성물 |
TWI332981B (en) * | 2003-07-17 | 2010-11-11 | Showa Denko Kk | Method for producing cerium oxide abrasives and cerium oxide abrasives obtained by the method |
JP4574140B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2010-11-04 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いる研磨方法 |
KR100682188B1 (ko) * | 2003-11-25 | 2007-02-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 세정액 조성물 및 이를 이용한 패턴 형성방법 |
US20050121969A1 (en) * | 2003-12-04 | 2005-06-09 | Ismail Emesh | Lubricant for wafer polishing using a fixed abrasive pad |
KR100596865B1 (ko) * | 2004-01-05 | 2006-07-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고평탄성 슬러리 조성물 및 이를 이용한 층간 절연막의cmp 방법 |
CN1667026B (zh) | 2004-03-12 | 2011-11-30 | K.C.科技股份有限公司 | 抛光浆料及其制备方法和基板的抛光方法 |
JP2005277130A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
KR100582771B1 (ko) * | 2004-03-29 | 2006-05-22 | 한화석유화학 주식회사 | 반도체 얕은 트렌치 소자 분리 공정용 화학적 기계적 연마슬러리 |
US20050282857A1 (en) * | 2004-04-15 | 2005-12-22 | Boehringer Ingelheim International Gmbh | Selected CGRP-antagonists, process for preparing them and their use as pharmaceutical compositions |
JP2005340328A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
WO2005123864A1 (ja) * | 2004-06-21 | 2005-12-29 | Showa Denko K.K. | 流動性研磨材ペースト及びその製造方法、用途 |
JP2006019740A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Dongjin Semichem Co Ltd | 化学的機械的研磨スラリー組成物 |
WO2006009160A1 (ja) | 2004-07-23 | 2006-01-26 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
TWI273632B (en) | 2004-07-28 | 2007-02-11 | K C Tech Co Ltd | Polishing slurry, method of producing same, and method of polishing substrate |
US20070218811A1 (en) * | 2004-09-27 | 2007-09-20 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Cmp polishing slurry and method of polishing substrate |
WO2006035779A1 (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-06 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
KR100645957B1 (ko) | 2004-10-26 | 2006-11-14 | 삼성코닝 주식회사 | Cmp용 수성 슬러리 조성물 |
JP4027929B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2007-12-26 | 花王株式会社 | 半導体基板用研磨液組成物 |
KR100614773B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2006-08-22 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 연마 방법 |
US7674716B2 (en) | 2004-12-29 | 2010-03-09 | Lg Chem. Ltd. | Adjuvant for chemical mechanical polishing slurry |
WO2006080796A1 (en) * | 2005-01-26 | 2006-08-03 | Lg Chem, Ltd. | Cerium oxide abrasive and slurry containing the same |
WO2006098141A1 (ja) * | 2005-03-16 | 2006-09-21 | Asahi Glass Company, Limited | 半導体集積回路装置用研磨剤、研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
US7476620B2 (en) * | 2005-03-25 | 2009-01-13 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Dihydroxy enol compounds used in chemical mechanical polishing compositions having metal ion oxidizers |
JP2006278522A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Seimi Chem Co Ltd | 半導体集積回路装置用研磨剤、研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
DE102005017372A1 (de) * | 2005-04-14 | 2006-10-19 | Degussa Ag | Wässrige Ceroxiddispersion |
KR100641348B1 (ko) | 2005-06-03 | 2006-11-03 | 주식회사 케이씨텍 | Cmp용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법 |
KR100725699B1 (ko) * | 2005-09-02 | 2007-06-07 | 주식회사 엘지화학 | 일액형 cmp 슬러리용 산화 세륨 분말, 그 제조방법,이를 포함하는 일액형 cmp 슬러리 조성물, 및 상기슬러리를 사용하는 얕은 트랜치 소자 분리방법 |
JP2007103514A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及び研磨方法 |
KR100697293B1 (ko) * | 2005-10-04 | 2007-03-20 | 삼성전자주식회사 | 화학기계적 연마용 연마제 및 이를 이용한 화학기계적연마방법 |
CN101291778B (zh) * | 2005-10-19 | 2012-06-20 | 日立化成工业株式会社 | 氧化铈浆料、氧化铈抛光浆料以及使用其抛光衬底的方法 |
KR100786948B1 (ko) | 2005-12-08 | 2007-12-17 | 주식회사 엘지화학 | 연마 선택비 조절제 및 이를 함유한 cmp 슬러리 |
KR100786949B1 (ko) | 2005-12-08 | 2007-12-17 | 주식회사 엘지화학 | 연마 선택도 조절 보조제 및 이를 함유한 cmp 슬러리 |
CN101374922B (zh) | 2006-01-25 | 2013-06-12 | Lg化学株式会社 | 用于抛光半导体晶片的cmp浆料及使用该浆料的方法 |
US20070264829A1 (en) * | 2006-05-12 | 2007-11-15 | Hynix Semiconductor Inc. | Slurry and method for chemical mechanical polishing |
KR100852242B1 (ko) * | 2006-08-16 | 2008-08-13 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 연마 방법및 반도체 메모리 소자의 제조 방법 |
KR20090057249A (ko) * | 2006-09-15 | 2009-06-04 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 이들을 이용한 기판의 연마방법 |
US20080271384A1 (en) * | 2006-09-22 | 2008-11-06 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Conditioning tools and techniques for chemical mechanical planarization |
JP2008117807A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-22 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及び研磨方法 |
JP2008130988A (ja) * | 2006-11-24 | 2008-06-05 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及び研磨方法 |
DE102006061891A1 (de) * | 2006-12-28 | 2008-07-03 | Basf Se | Zusammensetzung zum Polieren von Oberflächen aus Siliziumdioxid |
TW200916564A (en) * | 2007-01-31 | 2009-04-16 | Advanced Tech Materials | Stabilization of polymer-silica dispersions for chemical mechanical polishing slurry applications |
CN101652324B (zh) * | 2007-05-03 | 2012-05-30 | 株式会社Lg化学 | 用作磨料的氧化铈粉末和含有该粉末的cmp浆料 |
JP5403922B2 (ja) * | 2008-02-26 | 2014-01-29 | 富士フイルム株式会社 | 研磨液および研磨方法 |
JP5441362B2 (ja) * | 2008-05-30 | 2014-03-12 | 富士フイルム株式会社 | 研磨液及び研磨方法 |
KR101413030B1 (ko) * | 2009-03-24 | 2014-07-02 | 생-고벵 아브라시프 | 화학적 기계적 평탄화 패드 컨디셔너로 사용되는 연마 공구 |
CN102484054A (zh) * | 2009-06-02 | 2012-05-30 | 圣戈班磨料磨具有限公司 | 耐腐蚀性cmp修整工件及其制造和使用方法 |
US8765653B2 (en) * | 2009-07-07 | 2014-07-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Formulations and method for post-CMP cleaning |
US20110097977A1 (en) * | 2009-08-07 | 2011-04-28 | Abrasive Technology, Inc. | Multiple-sided cmp pad conditioning disk |
EP2474025A2 (en) | 2009-09-01 | 2012-07-11 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Chemical mechanical polishing conditioner |
JP5878020B2 (ja) | 2009-11-11 | 2016-03-08 | 株式会社クラレ | 化学的機械的研磨用スラリー並びにそれを用いる基板の研磨方法 |
FR2954760B1 (fr) | 2009-12-28 | 2013-12-27 | Saint Gobain Cristaux Et Detecteurs | Scintillateur en halogenure de terre rare cristallin a face sensible polie |
US20140154884A1 (en) | 2011-05-24 | 2014-06-05 | Kuraray Co., Ltd. | Erosion inhibitor for chemical mechanical polishing, slurry for chemical mechanical polishing, and chemical mechanical polishing method |
KR101726486B1 (ko) * | 2012-05-30 | 2017-04-26 | 주식회사 쿠라레 | 화학 기계 연마용 슬러리 및 화학 기계 연마 방법 |
DE112013004295T5 (de) | 2012-08-31 | 2015-05-13 | Fujimi Incorporated | Polierzusammensetzung und Verfahren zur Herstellung eines Substrats |
KR101405333B1 (ko) * | 2013-09-12 | 2014-06-11 | 유비머트리얼즈주식회사 | 연마 입자, 연마 슬러리 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
US9281210B2 (en) * | 2013-10-10 | 2016-03-08 | Cabot Microelectronics Corporation | Wet-process ceria compositions for polishing substrates, and methods related thereto |
AU2018225631B2 (en) | 2017-02-24 | 2020-11-05 | Illumina, Inc. | Calcium carbonate slurry |
US10377014B2 (en) * | 2017-02-28 | 2019-08-13 | Ecolab Usa Inc. | Increased wetting of colloidal silica as a polishing slurry |
US11560533B2 (en) | 2018-06-26 | 2023-01-24 | Versum Materials Us, Llc | Post chemical mechanical planarization (CMP) cleaning |
US10876020B2 (en) | 2018-11-15 | 2020-12-29 | Soulbrain Co., Ltd. | Polishing additive composition, polishing slurry composition and method for polishing insulating film of semiconductor element |
KR102488115B1 (ko) * | 2020-11-06 | 2023-01-12 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 연마 패드, 연마 패드의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법 |
CN114434318B (zh) | 2020-11-06 | 2024-06-14 | Sk恩普士有限公司 | 抛光垫及其制备方法以及使用其的半导体器件的制造方法 |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6025045B2 (ja) * | 1980-03-19 | 1985-06-15 | 製鉄化学工業株式会社 | 塩水吸収能のすぐれたアクリル酸重合体の製造方法 |
JPS619660U (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-21 | 三菱自動車工業株式会社 | Pto連結装置 |
JPS6196660A (ja) | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 鉛蓄電池 |
US4820536A (en) * | 1986-04-21 | 1989-04-11 | Oscar Mayer Foods Corporation | Method for cooking meat in a bag |
JPH02156530A (ja) * | 1988-12-08 | 1990-06-15 | Toshiba Corp | 半導体基板の鏡面研磨加工方法 |
JP3152727B2 (ja) * | 1992-03-31 | 2001-04-03 | 株式会社東芝 | ノズル型分析装置 |
US5525559A (en) * | 1993-02-13 | 1996-06-11 | Tioxide Specialties Limited | Preparation of mixed powders |
US5407526A (en) * | 1993-06-30 | 1995-04-18 | Intel Corporation | Chemical mechanical polishing slurry delivery and mixing system |
NZ284938A (en) * | 1994-04-18 | 1998-08-26 | Grace W R & Co | Multilayer films having an anhydride functionality in the outer layer and use thereof in packaging meat products |
JP3278532B2 (ja) * | 1994-07-08 | 2002-04-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US5478435A (en) * | 1994-12-16 | 1995-12-26 | National Semiconductor Corp. | Point of use slurry dispensing system |
JP3734289B2 (ja) * | 1995-01-24 | 2006-01-11 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置 |
FR2734264B1 (fr) * | 1995-05-19 | 1997-08-01 | Lafon Labor | Utilisation de derives d'alpha-aminomethyl-3,4-dichlorobenzyl-thioacetamide pour la fabrication d'un medicament inhibant la recapture de la dopamine et nouveaux composes pour cette utilisation |
KR960041316A (ko) * | 1995-05-22 | 1996-12-19 | 고사이 아키오 | 연마용 입상체, 이의 제조방법 및 이의 용도 |
US5738574A (en) * | 1995-10-27 | 1998-04-14 | Applied Materials, Inc. | Continuous processing system for chemical mechanical polishing |
JP3514908B2 (ja) * | 1995-11-13 | 2004-04-05 | 株式会社東芝 | 研磨剤 |
JP2746861B2 (ja) * | 1995-11-20 | 1998-05-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化セリウム超微粒子の製造方法 |
WO1997029510A1 (fr) * | 1996-02-07 | 1997-08-14 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Abrasif d'oxyde de cerium, microplaquette semi-conductrice, dispositif semi-conducteur, procede pour les produire et procede pour polir les substrats |
US5858813A (en) * | 1996-05-10 | 1999-01-12 | Cabot Corporation | Chemical mechanical polishing slurry for metal layers and films |
US5994990A (en) * | 1996-07-11 | 1999-11-30 | Magx Co., Ltd. | Magnet sheet for display |
US5664990A (en) * | 1996-07-29 | 1997-09-09 | Integrated Process Equipment Corp. | Slurry recycling in CMP apparatus |
US5846398A (en) * | 1996-08-23 | 1998-12-08 | Sematech, Inc. | CMP slurry measurement and control technique |
EP2164095A1 (en) * | 1996-09-30 | 2010-03-17 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Cerium oxide abrasive and method of polishing substrates |
JP3462052B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2003-11-05 | 日立化成工業株式会社 | 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法 |
JP3341601B2 (ja) * | 1996-10-18 | 2002-11-05 | 日本電気株式会社 | 研磨剤の回収再利用方法および装置 |
US5876490A (en) * | 1996-12-09 | 1999-03-02 | International Business Machines Corporatin | Polish process and slurry for planarization |
US5759917A (en) * | 1996-12-30 | 1998-06-02 | Cabot Corporation | Composition for oxide CMP |
JP3676030B2 (ja) * | 1997-04-10 | 2005-07-27 | 株式会社東芝 | 研磨パッドのドレッシング方法及び半導体装置の製造方法 |
JP3359535B2 (ja) * | 1997-04-25 | 2002-12-24 | 三井金属鉱業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4095731B2 (ja) * | 1998-11-09 | 2008-06-04 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP3983949B2 (ja) * | 1998-12-21 | 2007-09-26 | 昭和電工株式会社 | 研磨用酸化セリウムスラリー、その製造法及び研磨方法 |
EP1566421B1 (en) * | 1998-12-25 | 2014-12-10 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | CMP abrasive, liquid additive for CMP abrasive and method for polishing substrate. |
US6176763B1 (en) * | 1999-02-04 | 2001-01-23 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for uniformly planarizing a microelectronic substrate |
JP3805588B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2006-08-02 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
US6319095B1 (en) * | 2000-03-09 | 2001-11-20 | Agere Systems Guardian Corp. | Colloidal suspension of abrasive particles containing magnesium as CMP slurry |
US7887714B2 (en) * | 2000-12-25 | 2011-02-15 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Cerium oxide sol and abrasive |
US7018560B2 (en) * | 2003-08-05 | 2006-03-28 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Composition for polishing semiconductor layers |
US7300480B2 (en) * | 2003-09-25 | 2007-11-27 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | High-rate barrier polishing composition |
KR101526731B1 (ko) * | 2013-12-10 | 2015-06-05 | 동부대우전자 주식회사 | 냉장고 도어의 힌지 어셈블리 |
-
1999
- 1999-12-22 EP EP05075862.2A patent/EP1566421B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-22 US US09/856,491 patent/US6783434B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-22 KR KR1020077015887A patent/KR100851451B1/ko active IP Right Grant
- 1999-12-22 KR KR1020077004271A patent/KR100797218B1/ko active IP Right Grant
- 1999-12-22 KR KR10-2001-7008089A patent/KR100475976B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-12-22 JP JP2000591656A patent/JP3649279B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-22 KR KR1020047019184A patent/KR100754103B1/ko active IP Right Grant
- 1999-12-22 KR KR1020087002987A patent/KR100822116B1/ko active IP Right Grant
- 1999-12-22 WO PCT/JP1999/007209 patent/WO2000039843A1/ja not_active Application Discontinuation
- 1999-12-22 KR KR10-2004-7021176A patent/KR20050006299A/ko not_active Application Discontinuation
- 1999-12-22 EP EP99961311A patent/EP1148538A4/en not_active Withdrawn
- 1999-12-24 TW TW088122949A patent/TW492095B/zh not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-01-20 US US10/759,163 patent/US20040147206A1/en not_active Abandoned
- 2004-11-18 US US10/990,427 patent/US7163644B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-07-11 US US11/177,352 patent/US20050269295A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-04-20 US US11/407,196 patent/US20060186372A1/en not_active Abandoned
- 2006-04-20 US US11/407,195 patent/US20060197054A1/en not_active Abandoned
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101134590B1 (ko) * | 2005-03-28 | 2012-04-09 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 분산 안정성이 우수한 연마 슬러리의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1566421A3 (en) | 2009-10-21 |
US20060186372A1 (en) | 2006-08-24 |
TW492095B (en) | 2002-06-21 |
US6783434B1 (en) | 2004-08-31 |
KR100797218B1 (ko) | 2008-01-23 |
US20050269295A1 (en) | 2005-12-08 |
KR20070087037A (ko) | 2007-08-27 |
EP1566421B1 (en) | 2014-12-10 |
EP1148538A1 (en) | 2001-10-24 |
EP1566421A2 (en) | 2005-08-24 |
KR20010108048A (ko) | 2001-12-07 |
WO2000039843A1 (fr) | 2000-07-06 |
KR20080016979A (ko) | 2008-02-22 |
US20040147206A1 (en) | 2004-07-29 |
US20060197054A1 (en) | 2006-09-07 |
US7163644B2 (en) | 2007-01-16 |
JP3649279B2 (ja) | 2005-05-18 |
KR100475976B1 (ko) | 2005-03-15 |
KR100851451B1 (ko) | 2008-08-08 |
US20050118820A1 (en) | 2005-06-02 |
KR100754103B1 (ko) | 2007-08-31 |
KR100822116B1 (ko) | 2008-04-15 |
EP1148538A4 (en) | 2009-10-21 |
KR20050006299A (ko) | 2005-01-15 |
KR20070034640A (ko) | 2007-03-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100754103B1 (ko) | Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법 | |
KR100663781B1 (ko) | Cμρ연마제 및 연마방법 | |
JP2009182344A (ja) | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 | |
JP4972829B2 (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2001031951A (ja) | 研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP4062977B2 (ja) | 研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP4088811B2 (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP4501694B2 (ja) | Cmp研磨剤用添加液 | |
JP4604727B2 (ja) | Cmp研磨剤用添加液 | |
JPH10106990A (ja) | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 | |
JP2000192015A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP4608925B2 (ja) | Cmp研磨剤用添加液 | |
JP2004200268A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2003017447A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP4389887B2 (ja) | 研磨剤及び基板の研磨法 | |
JP2001332516A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109802A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2003347245A (ja) | 半導体絶縁膜用cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109805A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109801A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109806A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 | |
JP2000109800A (ja) | Cmp研磨剤及び基板の研磨方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A107 | Divisional application of patent | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
A201 | Request for examination | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
J501 | Disposition of invalidation of trial | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
AMND | Amendment | ||
AMND | Amendment | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Publication of correction | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120817 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130819 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140818 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150817 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161111 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170811 Year of fee payment: 11 |