KR101134590B1 - 분산 안정성이 우수한 연마 슬러리의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화학적 기계적 연마용 슬러리를 제조하는 방법에 관한 것으로, 수중에 연마입자 및 음이온성 폴리머 산 분산제를 분산시킨 후, 생성된 분산액에 알칼리성 물질을 연마입자 100 중량부를 기준으로 0.1 내지 8 중량부의 양으로 첨가하는 단계를 포함하는 본 발명의 방법에 의하면 우수한 분산 안정성 및 비-프레스토니안 연마특성을 나타내어 다양한 정밀 전자 장치의 화학적 기계적 연마에 유용하게 사용될 수 있는 연마 슬러리를 제공할 수 있다.

Description

분산 안정성이 우수한 연마 슬러리의 제조방법 {PROCESS FOR PREPARING A POLISHING SLURRY HAVING HIGH DISPERSION STABILITY}
도 1은 본 발명의 한 구체예에 따른 연마 슬러리의 제조 공정을 예시한 흐름도이고,
도 2는 본 발명에 따라 제조된 연마 슬러리가 적용되는 CMP 공정 중 한 가지를 개략적으로 나타낸 것이며,
도 3은 프레스토니안 슬러리 (통상적인 연마 슬러리) 및 본 발명의 비-프레스토니안 슬러리에 대해서 얻어진 연마량-압력 관계를 나타낸 그래프이다.
본 발명은 분산 안정성이 우수하여, 정밀 화학기계적 연마에 적합한 연마 슬러리의 제조방법에 관한 것이다.
화학기계적 연마(CMP)는 반도체 제조와 같은 정밀 전자 공정에서 요구되는 고정밀 연마에 사용되어 왔다. CMP 공정은 연마 슬러리를 단독으로 또는 원하는 연마특성을 달성하기 위해 선택되는 약액과 함께 사용하여 수행될 수 있으며, 연마 입자의 크기, 형태 및 분산 안정성 등의 요소에 영향을 받는다. 특히, 연마입자의 분산 안정성은 연마입자의 응집이 CMP 공정중에 스크래치를 발생시키기 때문에 중요하다.
통상적으로, 연마 슬러리의 분산성 및 안정성을 향상시키기 위해, 암모늄 폴리메타크릴레이트, 나트륨 도데실술페이트, 및 모노알킬포스페이트 지방산의 나트륨 염과 같은 분산제가 슬러리에 첨가된다. 이러한 염은 수성 매질에서 쉽게 해리되기는 하지만, 자체의 입체 장애로 인해 연마 입자의 표면에 충분히 흡착하지 못하여, 연마입자의 응집을 유발하게 된다. 이러한 현상은 CMP 공정이 약액을 첨가하여 수행되는 경우에 더욱 그러하다.
CMP 공정에 요구되는 또 다른 특징은 일반적인 연마 슬러리에서 관찰되는 프레스토니안 거동, 즉, 연마속도가 연마 압력에 따라 선형적으로 증가하는 거동이 아닌, 비-프레스토니안(non-Prestonian) 거동이다. 비-프레스토니안 슬러리에서는, 압력의 작용에 따라 측정되는 연마량이 임계점 압력에서부터 갑자기 증가하는 기울기를 나타낸다. 이러한 비-프레스토니안 슬러리를 얻기 위해서 다양한 첨가제들이 시험되어 왔으나, 그러한 노력들은 아직까지 슬러리의 분산 안정성을 그다지 개선시키지 못했다.
따라서, 본 발명의 목적은 분산 안정성이 개선되고, 비-프레스토니안 연마 특성을 나타내는 연마 슬러리의 제조방법을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에서는,
(a) 수중에 연마입자 및 음이온성 폴리머 산 분산제를 분산시키는 단계; 및
(b) 생성된 분산액에 알칼리성 물질을 연마입자 100 중량부를 기준으로 0.1 내지 8 중량부의 양으로 첨가하는 단계를 포함하는, 연마 슬러리의 제조 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 제조 방법에 따라 제조되어, 개선된 분산 안정성 및 비-프레스토니안 연마특성을 나타내는 연마 슬러리를 제공한다.
이하 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
연마 슬러리를 제조하기 위한 본 발명의 방법은 음이온성 폴리머 산 분산제를 함유하는 수중에 분산된 연마입자를 알칼리성 물질로 처리하는 것을 특징으로 한다.
도 1은 본 발명의 한 구체예를 개략적으로 나타낸 것이다. 먼저, 연마 입자를 준비하여(S1), 수중에 현탁시킨 후(S2), 여기에 분산제로서 음이온성 폴리머 산을 첨가한다(S3). 그리고 나서, 생성된 분산액을 알칼리성 물질로 처리하고(S4), 균일한 분산을 위한 고압분산 및 여과(S5)를 거쳐 거대 입자가 제거된 연마 슬러리를 얻는다. 원하는 경우, 연마입자는 분산제와 함께 수중에 현탁될 수 있다.
상기 S1 단계에서 사용가능한 연마 입자로는 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 세리아(CeO2), 지르코니아(ZrO3), 산화주석(SnO2) 및 산화망간(MnO2) 등의 금속 산화물이 포함된다. 이중에서도, 세리아(산화세륨)가 CMP 공정에서 질화막에 비해 산화막의 연마에 높은 선택성을 가져 바람직하다. 산화세륨은 탄산세륨 또는 수산화세륨을 600 내지 1000℃ 사이에서 소성시켜 산화세륨 분말을 얻은 후 평균 입경 10 내지 100 ㎚ 범위가 되도록 밀링시킴으로써 제조될 수 있다. 상기 밀링 공정은 습식 또는 건식 밀링법으로 수행될 수 있다. 상기 연마 입자는 연마 슬러리의 총량을 기준으로 0.5 내지 20 중량％의 양으로 사용될 수 있다.
S2의 현탁 단계는 통상적인 방법, 예를 들어 교반, 습식 밀링, 초음파 처리, 고압 분산 등의 방법으로 수행될 수 있다.
그리고 나서, 본 발명에 따르면, 연마입자는 먼저 음이온성 폴리머 산 분산제로 처리된 후(S3), 알칼리성 물질로 후처리되어(S4), 향상된 분산 안정성을 갖게 된다.
상기 분산제는 수성 매질에서 pH 변화에 따라 좌우되는 연마입자의 제타전위를 고려하여 선택된 것이다. 예를 들어, 연마입자가 산화세륨인 경우, 산화세륨은 물에 분산되었을 때 통상 pH 범위가 4 내지 8이고, 표면전위값이 양의 값을 갖게 된다. 그러므로, 산화세륨 현탁액에 분산제로서 음이온성 폴리머 산이 첨가되는 경우, 음이온성 분산제는 1 내지 4의 pH에서 산화세륨과 다르게 음전하를 띠게 되어 친화적인 정전기적 힘에 의해 산화세륨 표면에 다량 흡착하게 된다.
이어서, 알칼리성 물질은 생성된 분산액에 첨가되어 슬러리의 pH를 6 내지 9의 범위로 조절하며, 이러한 슬러리의 분산 안정성이 향상된다. 향상된 분산 안정성을 갖는 슬러리는 기타 약액과 함께 사용하더라도, 스크래치의 발생을 최소화시키면서 CMP 공정을 수행할 수 있다.
최종적으로, 상기와 같이 수득된 슬러리의 고압 분산 및 여과(S5)를 통해 본 발명에 따른 연마 슬러리를 수득한다.
본 발명에서, 상기 알칼리성 물질은 연마 입자 100 중량부를 기준으로 0.1 내지 8 중량부 범위로 사용하는 것이 바람직하다. 만약 알칼리성 물질의 함량이 0.1 중량부 미만이면 슬러리의 분산 안정성이 불충분해지고, 8 중량부를 초과하면 슬러리의 분산성이 불안정해진다.
본 발명에서 사용가능한 알칼리성 물질은 암모니아, 알킬암모늄 염, 아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, 상기 아민은 트리메탄올아민, 트리에탄올아민, 디메틸벤질아민, 에톡시벤질아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 알킬암모늄 염은 트리메틸암모늄하이드록사이드, 트리에틸암모늄하이드록사이드, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 콜린 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
본 발명에서 분산제로 사용되는 음이온성 폴리머 산은 중량평균 분자량이 2,000 내지 250,000 범위, 더욱 바람직하게는 2,000 내지 100,000 범위를 갖는 것이 바람직하며, 폴리아크릴산(poly(acrylic acid)), 폴리메타아크릴산(poly(methacrylic acid)), 폴리비닐술폰산(polyvinylsulfonic acid) 및 이들의 혼 합물로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다. 음이온성 폴리머 분산제의 분자량이 2,000 미만이면 슬러리의 분산성이 불충분해지고, 분자량이 250,000 초과이면 슬러리의 점도 증가로 인해 슬러리의 장기보관 안정성이 떨어질 수 있다.
음이온성 폴리머 산은 연마 입자 100 중량부를 기준으로 0.1 내지 10 중량부의 범위로 사용할 수 있다. 음이온성 폴리머 산의 함량이 0.1 중량부 미만이면 슬러리의 분산성이 불충분해지고, 10 중량부를 초과하면 슬러리의 장기보관 안정성이 나빠지게 된다.
연마 입자의 분산 효과를 높이기 위해, 분산제 첨가 및 알칼리성 물질의 첨가 후, 교반을 10 내지 90분, 바람직하게는 30 내지 60분 동안 수행할 수 있다.
또한, 필요한 경우, 슬러리에 물을 추가하여 연마 입자의 농도를 원하는 범위로 희석할 수 있다.
아울러, 본 발명에서는 연마 슬러리에 장기보관을 위한 방부제 등 추가의 통상의 연마 슬러리용 첨가제를 첨가할 수 있으며, 방부제로는 예를 들어 5-클로로-2-메틸-4-이소티아졸린-3-온 또는 2-메틸-4-이소티아졸린-3-온을 슬러리 총량 대비 0.01 내지 0.5 중량％로 사용할 수 있다.
추가로, 본 발명은 상술한 바와 같은 본 발명의 방법에 의해 제조된 연마 슬러리를 제공하며, 이러한 연마 슬러리는 100 내지 500 ㎚ 범위의 평균입경을 나타내는 연마입자를 포함한다. 본 발명의 슬러리는 우수한 분산성 및 장기간 분산 안정성을 가져 연마입자의 응집이 잘 일어나지 않을 뿐만 아니라, 비-프레스토니안 연마특성을 갖는 것이 특징이다. 예를 들어, 본 발명의 연마 슬러리는 CMP에서 다 른 약액과 함게 사용될지라도, 연마입자의 크기가 장기간에 걸쳐 그다지 변화시키지 않는다.
또한, 본 발명의 연마 슬러리는 6 내지 9 범위의 pH를 가져 연마 스토퍼막(예를 들어, 질화막)에 비해 연마막(예를 들어, 산화막)을 연마하는데 더욱 선택적이다. 이것은 산화막이 일반적으로 pH 2 내지 4에서 등전점(IEP)를 갖는 반면에, 질화막은 pH 5 내지 6에서 등전점을 가져, 본 발명의 연마 슬러리를 적용할 경우 산화막은 상대적으로 주로 음(-) 전하를 나타내고, 질화막은 주로 양(+) 전하를 나타내기 때문이다. 따라서, 본 발명의 슬러리는 STI(shallow trench isolation) 공정, ILD(interlayer dielectric) 또는 IMD(intermetal dielectric)막의 평탄화 공정에서 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명을 실시예에 의해 상세히 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
탄산세륨을 900℃에서 소성시켜 얻어진 산화세륨을 건식 볼 밀을 이용하여 미세분쇄하였다. 분쇄된 미세 산화세륨 분말 1000 g을 탈이온수 8910 g에 가한 후, 이를 프로펠러 교반기로 30분 동안 교반하였다. 수득된 현탁액에 분산제로서 50 중량％의 폴리아크릴산(중량평균 분자량 5,000) 30 g을 가하고, 생성된 혼합물(pH 3)을 30분 동안 교반시켰다. 여기에, 알칼리성 물질로서 25 중량％의 테트라메틸암모늄하이드록사이드 60g을 가하고, 생성된 혼합물(pH 8.3)을 30분 동안 교반하였 다. 생성물을 고압충돌 분산시킨 후 CMP3 필터(Mykrolis Cor.)로 여과하여 거대 입자를 제거하였다. 여과액에 증류수를 일정량 가하여, 5 중량%의 산화세륨 슬러리를 제조하였다.
실시예 2
산화세륨 분말의 교반시, 탈이온수를 8902.5 g으로 사용하고, 분산제로서 40 중량％ 폴리아크릴산(중량평균 분자량 15,000) 37.5 g을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 공정을 반복하여 연마 슬러리 (pH 8.2)를 제조하였다.
실시예 3
산화세륨 분말의 교반시, 탈이온수를 8920 g으로 사용하고, 알칼리성 물질로서 30 중량％ 암모니아수 50 g을 사용하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 공정을 반복하여 연마 슬러리 (pH 8.5)를 제조하였다.
비교예 1
산화세륨 현탁액에 대해서, 알칼리성 물질 첨가를 분산제 첨가 보다 먼저 수행하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 공정을 반복하여 연마 슬러리 (pH 3)를 제조하였다.
비교예 2
산화세륨 현탁액에, 분산제를 알칼리성 물질과 먼저 혼합한 후에 첨가하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 공정을 반복하여 연마 슬러리 (pH 12)를 제조하였다.
비교예 3
산화세륨 현탁액에 대해서, 분산제 첨가 및 알칼리성 물질 첨가를 동시에 수행하는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 공정을 반복하여 연마 슬러리 (pH 8.2)를 제조하였다.
비교예 4
산화세륨 분말의 교반시 탈이온수를 8962.5 g으로 사용하고, 분산제로서 40 중량％ 폴리아크릴암모늄(중량평균 분자량 3,000) 37.5 g를 첨가하고, 알칼리성 물질은 첨가하지 않는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 공정을 반복하여 연마 슬러리 (pH 8.3)를 제조하였다.
비교예 5
알칼리성 물질로서 사용되는 25 중량％의 테트라메틸암모늄하이드록사이드의 양을 60g에서 2g으로 감소시키는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 공정을 반복하여 연마 슬러리 (pH 3.8)를 제조하였다.
비교예 6
알칼리성 물질로서 사용되는 25 중량％의 테트라메틸암모늄하이드록사이드의 양을 60g에서 400g으로 감소시키는 것을 제외하고는, 상기 실시예 1의 공정을 반복하여 연마 슬러리 (pH 12.8)를 제조하였다.
시험예 1: 연마입자에 대한 분산제의 흡착정도 측정
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 6으로부터 수득한 5 중량% 산화세륨 슬러리을 균등한 양으로 취한 후 4000rpm에서 20분 동안 원심분리하여 얻은 산화세륨 분말을 90℃에서 건조시킨 다음, 탄소 분석기를 이용하여 탄소량을 측정함으로써 산화세륨 입자에 흡착된 분산제의 함량을 평가하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
Figure 112006020664277-pat00001
상기 표 1에서 볼 수 있는 바와 같이, 실시예 1 내지 3의 슬러리는 비교예 1 내지 6의 슬러리에 비해 탄소 함량(즉, 산화세륨 입자에 흡착된 유기 분산제의 양)이 높으며, 이는 본 발명의 슬러리가 더욱 양호한 분산 안정성을 갖는 것을 나타내는 것이다.
시험예 2: 연마 특성 관찰
상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 6으로부터 수득한 산화세륨 슬러리에 대한 연마특성을 평가하기 위해, 도 2에 도시된 바와 같은 AMAT Mirra 연마기 를 사용하여 CMP 공정을 수행하였다.
상기 연마기는 패드(32)가 장착되는 CMP 정반(30)과 이를 회전시키는 제1회전축(34), 연마대상막이 형성된 웨이퍼(56)가 장착되는 CMP 헤드(50)와 이를 회전시키는 제2회전축(52)을 포함하며, 상기 웨이퍼는 클램프(54)에 의해 헤드 표면에 탈착가능하게 고정하였다. 또한, 상기 패드로는 로델(Rodel)사의 IC1000/suba Ⅳ 스택(stacked) 패드를 사용하였다. 시험용 연마막으로는, PE-CVD(plasma enhanced-chemical vapor deposition) 방식에 의해 10,000 Å 두께의 PE-TEOS 산화막이 성막된 8인치 실리콘 웨이퍼, 및 LPCVD(low pressure chemical vapor deposition) 방식에 의해 2,000 Å 두께의 실리콘 질화막이 성막된 또 다른 8인치 실리콘 웨이퍼를 준비하였다.
CMP 공정을 수행하기 위해, 도 2에 도시된 바와 같이, 산화세륨 슬러리를 증류수와 1:3의 비율로 혼합하여 공급부(40)에 준비하고, 폴리메타아크릴암모늄염(평균분자량 15,000) 2,000g 및 타타르산(tartaric acid) 200g을 증류수 7,800g에 가한 후 30분간 교반하여 얻은 약액을 공급부(42)에 준비하였다. 그리고 나서, 상기 산화세륨 슬러리와 약액을 4:3의 비율로 혼합하여, 채널(44)를 통과시켜 배출부(46)으로부터 웨이퍼(56)와 접촉하고 있는 패드(32)에 공급하고, 정반(30)과 헤드(50)를 서로 반대방향으로, 3.5 psi의 압력, 28 rpm의 CMP 헤드 회전속도 및 80rpm의 정반 회전속도의 조건하에서 90초 동안 회전시켰다.
연마 후, 엘립소미터(필립스 사)를 이용하여 연마막의 두께를 측정하여 연마량을 평가하고, KLA Tenco사 AIT-01을 사용하여 0.16㎛ 이상되는 스크래치 수를 세어서 막의 스크래치성을 평가하였다. 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
Figure 112006020664277-pat00002
상기 표 2에서 볼 수 있는 바와 같이, 선택비에 있어서는 실시예 1 내지 3의 산화세륨 슬러리와 비교예 1 내지 6의 슬러리가 유사한 수준인 반면에, 스크래치는 수는 실시예 1 내지 3의 산화세륨 슬러리를 사용했을 때 현저하게 감소하였다.
또한, 상기 실시예 1의 산화세륨 슬러리에 대해서, 압력을 변화시키면서 CMP 공정을 수행하여, 엘립소미터 및 thermawave OPTI Probe-2600 (Vintage)를 사용하여 연마량을 측정하였다. 그 결과, 도 3에 나타낸 바와 같이, 실시예 1에서 얻은 연마 슬러리는, 연마량이 연마 압력에 따라 선형적으로 증가하지 않고 임계점 이상의 압력에서 급격히 증가하는, 비-프레스토니안 거동을 나타냄을 확인하였다.
시험예 3: 약액과 혼합후의 분산안정성 평가
상기 시험예 2에서 사용된 산화세륨 슬러리의 분산안정성에 대해서 다음과 같이 평가하였으며, 그 결과를 표 3에 나타내었다.
(1) 입자 크기
상기 시험예 2에서 사용된 각각의 산화세륨 슬러리-약액 혼합물을 배출부(46)에서 채취하여, 산화세륨 입자크기를 MICROTRAC UPA 150로 측정한 후, 약액과 혼합하기 전의 입자크기와 비교하였다.
(2) 입자 침전도 관찰
상기 시험예 2에서 사용된 각각의 산화세륨 슬러리-약액 혼합물 50ml를 배출부(46)에서 채취하여, 실린더에 방치하고, 2시간 및 6시간 후에 입자의 침전 정도를 시각적으로 관찰하여 슬러리 혼합물의 혼탁도를 결정하였다 (○: 전체적으로 혼탁, 분산성 우수함; △ 상층부 투명; X 전체적으로 투명, 과도한 침전).
Figure 112006020664277-pat00003
상기 표 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 비교예 1 내지 6의 연마 슬러리는 약액과의 혼합후 연마입자가 과도하게 응집되어, 입자크기가 혼합 전에 비해 9배 이상 커진 반면, 본 발명의 실시예 1 내지 3의 슬러리는 그다지 입자 응집을 나타내지 않으면서 우수한 분산 안정성을 나타내었다.
시험예 4: 장기간 분산 안정성 평가
실시예 1, 그리고 비교예 1 및 2의 산화세륨 슬러리 각 30ml를 40ml 실린더에 두고, 10일, 60일 및 90일 저장 후에 시험예 2의 CMP 공정을 수행하여, 장기간 저장후의 연마량 변화에 대해서 평가한 후, 그 결과를 표 4에 나타내었다.
Figure 112006020664277-pat00004
상기 표 4에서, 연마량 변화의 결과에 의해 입증되는 바와 같이, 본 발명의 슬러리는 90일 동안 분산 안정성을 유지하는 반면, 비교예 1 및 2의 슬러리는 연마량이 감소하였으며, 이는 슬러리가 불안정한 것을 나타내는 것이다.
본 발명은 바람직한 태양에 대하여 기재하고 있으나, 첨부된 청구범위에 의해 정의된 본 발명의 범주내에서 본 발명과 관련된 당분야의 숙련가에 의해 다양한 변형 및 변경이 이루어질 수 있다.
본 발명에 따르면, 개선된 분산 안정성 및 비-프레스토니안 연마특성을 나타내는 연마 슬러리를 제공하며, 이러한 연마 슬러리는 다양한 정밀 전자 장치의 화학적 기계적 연마에 유용하게 사용될 수 있다.

Claims (14)

  1. (a) 수중에 연마입자 및 음이온성 폴리머 산 분산제를 분산시키는 단계; 및
    (b) 생성된 분산액에 알칼리성 물질을 연마입자 100 중량부를 기준으로 0.1 내지 8 중량부의 양으로 첨가하는 단계를 포함하는, 연마 슬러리의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    단계 (a)에서 분산된 연마 입자가 양의 값의 표면 제타전위를 갖는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    단계 (a)에서 수득된 분산액의 pH가 1 내지 4의 범위인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    연마 슬러리의 pH가 6 내지 9의 범위인 것을 특징으로 하는 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    연마 입자가 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 세리아(CeO2), 지르코니아(ZrO3), 산화 주석(SnO2), 산화망간(MnO2) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속 산화물임을 특징으로 하는 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    연마 입자가, 탄산세륨 또는 수산화세륨을 600 내지 1000℃ 범위의 온도에서 소성시켜 얻은 세리아임을 특징으로 하는 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    연마 입자가 연마 슬러리 총량을 기준으로 0.5 내지 20 중량％로 사용됨을 특징으로 하는 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    음이온성 폴리머 산이 2,000 내지 250,000 범위의 분자량을 갖는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    음이온성 폴리머 산이 폴리아크릴산(poly(acrylic acid)), 폴리메타아크릴산(poly(methacrylic acid)), 폴리비닐술폰산(polyvinylsulfuric acid) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    음이온성 폴리머 산이 연마 입자 100 중량부를 기준으로 0.1 내지 10 중량부의 범위로 사용됨을 특징으로 하는 제조방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    알칼리성 물질이 암모니아, 알킬암모늄 염, 아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    아민이 트리메탄올아민, 트리에탄올아민, 디메틸벤질아민, 에톡시벤질아민 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  13. 제 11 항에 있어서,
    알킬암모늄 염이 트리메틸암모늄하이드록사이드, 트리에틸암모늄하이드록사이드, 테트라메틸암모늄하이드록사이드, 콜린 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 제조방법.
  14. 제 1 내지 13항 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조되며, 비-프레스토니안 거동을 나타내는, 반도체 박막 연마용 연마 슬러리.
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