DE102006013728A1 - Verfahren zum Herstellen einer Polierslurry mit hoher Dispersionsstabilität - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Polierslurry mit hoher Dispersionsstabilität Download PDF

Info

Publication number
DE102006013728A1
DE102006013728A1 DE102006013728A DE102006013728A DE102006013728A1 DE 102006013728 A1 DE102006013728 A1 DE 102006013728A1 DE 102006013728 A DE102006013728 A DE 102006013728A DE 102006013728 A DE102006013728 A DE 102006013728A DE 102006013728 A1 DE102006013728 A1 DE 102006013728A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
polishing
slurry
weight
acid
particles
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102006013728A
Other languages
English (en)
Inventor
Yunju Suwon Cho
Inyeon Lee
Hoonsoo Suwon Jeon
Dukyoung Suwon Hong
Taiyoung Suwon Kim
Sangick Suwon Lee
Eunkyoung Suwon Park
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Corning Precision Materials Co Ltd
Original Assignee
Samsung Corning Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Corning Co Ltd filed Critical Samsung Corning Co Ltd
Publication of DE102006013728A1 publication Critical patent/DE102006013728A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463Aqueous liquid suspensions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14Anti-slip materials; Abrasives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09GPOLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00Polishing compositions
    • C09G1/02Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/31051Planarisation of the insulating layers
    • H01L21/31053Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein verbessertes Verfahren zum Herstellen einer Polierslurry, umfassend ein Dispergieren von Polierteilchen, und einer anionischen polymeren Säure in Wasser und dann Zufügen zu der resultierenden Dispersion eines alkalischen Materials in einer Menge von 0,1 bis 8 Gewichtsteilen, basierend auf 100 Gewichtsteilen der Polierteilchen. Die Polierslurry, die durch das erfindungsgemäße Verfahren erhalten wird, zeigt eine gute Dispersionsstabilität und eine Nicht-Preston-Polierleistung, die nützlicherweise beim chemisch-mechanischen Polieren von verschiedenen elektronischen Präzisionsvorrichtungen eingesetzt werden kann.

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Polierslurry mit einer hohen Dispersionsstabilität, die für ein chemisch-mechanisches Präzisionspolieren geeignet ist.
  • Chemisch-mechanisches Polieren (CMP) ist für ein Hochpräzisionspolieren verwendet worden, das in elektronischen Präzisionsverfahren, wie Halbleiterproduktionen, gefordert wird.
  • Das CMP-Verfahren kann durchgeführt werden unter Verwendung allein einer Polierslurry oder mit einer chemischen Lösung, die ausgewählt wird zum Erzielen der gewünschten Leistungseigenschaften, die durch Faktoren beeinflusst werden, wie der Größe, Form und Dispersionstabilität der Polierteilchen. Die Dispersionsstabilität der Polierteilchen ist insbesondere wichtig, da die Aggregation von Polierteilchen zu der Bildung von Kratzern im Verlauf des CMP führt.
  • Herkömmlicherweise, um die Dispergierbarkeit und Stabilität einer Polierslurry zu erhöhen, werden Dispersionsmittel, wie Ammoniumpolymethacrylat, Natriumdodecylsulfat und Natriumsalze von Monoalkylphosphatfettsäuren, zu der Slurry zugegeben. Obwohl solche Salze leicht in einem wässrigen Medium dissoziieren, können sie nicht auf der Oberfläche der Polierteilchen in einer zufrieden stellenden Weise aufgrund ihrer sterischen Größe adsorbieren, was zu einer Teilchenagglomeration führt. Ein solches Phänomen wird ausgeprägter, wenn das CMP-Verfahren unter Verwendung einer zugefügten chemischen Lösung durchgeführt wird.
  • Eine weitere Leistungseigenschaft, die für CMP gefordert wird, ist ein Nicht-Preston-Verhalten, nicht das Preston-Verhalten, das für herkömmliche Polierslurrys beobachtet wird; die Poliergeschwindigkeit ist linear abhängig von dem Polierdruck. In einer Nicht-Preston-Slurry nimmt die Neigung der Poliergeschwindigkeit gemessen als eine Funktion des Drucks plötzlich zu, wenn der Druck einen kritischen Punkt übersteigt. Um eine solche Nicht-Preston-Slurry zu erhalten, sind verschiedene Additive getestet worden, jedoch haben solche Anstrengungen bislang die Dispersionsstabilität der Slurry nicht signifikant verbessert.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zum Herstellen einer Polierslurry mit einer verbesserten Dispersionsstabilität bereitzustellen, die Nicht-Preston-Polierleistungseigenschaften zeigt.
  • Gemäß einer Erscheinung der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Herstellen einer Polierslurry bereitgestellt, welches die Schritte umfasst:
    • (a) Dispergieren von Polierteilchen und eines Dispersionsmittels in Form einer anionischen polymeren Säure in Wasser; und
    • (b) Zufügen zu der resultierenden Dispersion eines alkalischen Materials in einer Menge von 0,1 bis 8 Gewichtsteilen basierend auf 100 Gewichtsteilen der Polierteilchen.
  • Gemäß einer weiteren Erscheinung der vorliegenden Erfindung wird eine Polierslurry bereitgestellt, die durch das Verfahren hergestellt wird, um eine verbesserte Dispersionsstabilität und Nicht-Preston-Polierleistungseigenschaften zu zeigen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Die obigen und weiteren Aufgaben und Merkmale der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der Erfindung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen offensichtlich werden, die jeweils zeigen:
  • 1: ein schematisches Blockdiagramm, das das Verfahren zum Herstellen einer Polierslurry gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht;
  • 2: eine schematische Ansicht, die eines der CMP-Verfahren zeigt, die durch Verwendung der Polierslurry, die durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung hergestellt worden ist, durchgeführt werden; und
  • 3: einen Graph, der die Korrelationen zwischen der Poliergeschwindigkeit und dem Druck zeigt, erhalten für eine Preston-Slurry (eine herkömmliche Polierslurry) und die Nicht-Preston-Slurry der vorliegenden Erfindung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen einer Polierslurry ist gekennzeichnet durch ein Behandeln von Polierteilchen, die in Wasser dispergiert sind, das ein Dispersionsmittel in Form einer anionischen polymeren Säure enthält, mit einem alkalischen Material.
  • 1 zeigt schematisch eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Zunächst werden Polierteilchen hergestellt (S1) und in Wasser suspendiert (S2), und eine anionische polymere Säure wird als ein Dispersionsmittel zugegeben (S3). Anschließend wird die resultierende Dispersion mit einem alkalischen Material behandelt (S4), einem Hochdruckzustand zur einheitlichen Dispersion unterworfen und das resultierende Material filtriert (S5), um eine Polierslurry zu erhalten, aus der große Teilchen entfernt worden sind. Falls gewünscht, können die Polierteilchen in Wasser suspendiert werden, zusammen mit dem Dispersionsmittel.
  • Die Polierteilchen, die in S1 verwendet werden können, schließen ein Metalloxid, wie Siliciumoxid (SiO2), Aluminiumoxid (Al2O3), Ceroxid (CeO2), Zirkoniumoxid (ZrO3), Zinnoxid (SnO2) und Manganoxid (MnO2), ein. Unter diesen ist Ceroxid aufgrund seiner hohen Selektivität einer Oxidschicht zu einer Nitridschicht in einem CMP-Verfahren bevorzugt. Solches Ceroxid kann durch Kalzinieren eines Cercarbonat- oder Cerhydroxidprecursors bei einer Temperatur von 600 bis 1.000°C hergestellt werden, um Ceroxidpulver zu erzeugen, und Mahlen des Pulvers zu einer durchschnittlichen Größe von 10 bis 100 nm. Das Mahlverfahren kann durch ein nasses oder trockenes Verfahren durchgeführt werden. Die Polierteilchen können in einer Menge von 0,5 bis 20 Gew.-% basierend auf dem Gesamtgewicht der Polierslurry verwendet werden.
  • Der Suspensionsschritt S2 kann durch ein herkömmliches Verfahren durchgeführt werden, zum Beispiel Rühren, Nassmahlen, Ultraschallbehandlung, Hochdruckdispersion, etc.
  • Gemäß der Erfindung werden anschließend die Polierteilchen zunächst mit einem Dispersionsmittel in Form einer anionischen polymeren Säure behandelt (S3) und dann mit einem alkalischen Material nachbehandelt (S4), um diesen eine erhöhte Dispersionsstabilität zu verleihen.
  • Das Dispersionsmittel ist auf der Basis des Zeta-Potentials des Polierteilchens auszuwählen, das von der pH-Änderung in einem wässrigen Medium abhängt. Wenn beispielsweise die Polierteilchen aus Ceroxid hergestellt werden, zeigt das Ceroxid, wenn es in Wasser dispergiert ist, einen pH-Wert im Bereich von 4 bis 8 und ein positives Zeta-Potential auf der Oberfläche desselben. Wenn daher eine anionische polymere Säure als ein Dispersionsmittel zur Ceroxidsuspension zugegeben wird, würde eine große Menge des Dispersionsmittels auf Ceroxidteilchen in einem wässrigen Medium adsorbieren, aufgrund der durch anziehenden elektrostatischen Kraft erzeugten negativen Ladung, die von derjenigen von Ceroxid verschieden ist, bei einem pH-Wert von 1 bis 4.
  • Wenn dann das alkalische Material zur resultierenden Dispersion zugegeben wird, um den pH-Wert der Slurry auf einen Bereich von 6 bis 9 einzustellen, wird die Dispersionsstabilität der Slurry verbessert. Eine Slurry mit verbesserter Dispersionsstabilität kann für CMP mit minimaler Erzeugung von Kratzern verwendet werden, sogar wenn sie zusammen mit anderen chemischen Lösungen verwendet wird.
  • Schließlich wird die oben erhaltene Slurry Hochdruckdispersions- und Filtrationsschritten (S5) unterzogen, um die erfindungsgemäße Polierslurry zu erhalten.
  • In der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, daß das alkalische Material in einer Menge von 0,1 bis 8 Gewichtsteilen basierend auf 100 Gewichtsteilen der verwendeten Polierteilchen eingesetzt wird. Wenn die Menge des alkalischen Materials kleiner als 0,1 Gewichtsteile ist, wird die Dispersionsstabilität der Slurry unzureichend, und bei mehr als 8 Gewichtsteilen wird die Slurrydispersion instabil.
  • Das in der vorliegenden Erfindung verwendete alkalische Material kann ausgewählt werden aus der Gruppe bestehend aus Ammoniak, einem Alkylammoniumsalz, einem Amin und einer Mischung derselben. Das Amin kann ausgewählt werden aus der Gruppe bestehend aus Trimethanolamin, Triethanolamin, Dimethylbenzylamin, Ethoxybenzylamin und einer Mischung derselben. Das Alkylammoniumsalz kann ausgewählt werden aus der Gruppe bestehend aus Trimethylammoniumhydroxid, Triethylammoniumhydroxid, Tetramethylammoniumhydroxid, Cholin und einer Mischung derselben.
  • Die als ein Dispersionsmittel in der vorliegenden Erfindung verwendete anionische polymere Säure weist bevorzugt ein Molekulargewichtsgewichtsmittel von 2.000 bis 250.000, bevorzugter 2.000 bis 100.000 auf und sie kann ausgewählt werden aus der Gruppe bestehend aus Polymethacrylsäure, Polyacrylsäure, Polyvinylsulfonsäure und einer Mischung derselben. Wenn das Molekulargewicht kleiner als 2.000 ist, wird die Dispergierbarkeit der Slurry unzureichend, und bei mehr als 250.000 wird die Langzeitstabilität der Slurry nicht zufrieden stellend aufgrund der erhöhten Viskosität der Slurry.
  • Die anionische polymere Säure kann in einer Menge von 0,1 bis 10 Gewichtsteilen basierend auf 100 Gewichtsteilen der verwendeten Polierteilchen eingesetzt werden. Wenn die Menge der anionischen Säure kleiner als 0,1 Gewichtsteile ist, wird die Dispergierbarkeit der Slurry unzureichend, und bei mehr als 10 Gewichtsteilen wird die Langzeitstabilität der Slurry schlecht.
  • Um die Dispersion der Polierteilchen zu verbessern, kann ein Rühren für 10–90 Minuten, bevorzugt 30–60 Minuten durchgeführt werden, nach jedem der Schritte des Zufügens eines Dispersionsmittels und eines alkalischen Materials.
  • Falls notwendig, kann die Polierslurry, die gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellt wird, durch die Zugabe von Wasser auf eine gewünschte Konzentration verdünnt werden.
  • Ebenfalls kann das erfindungsgemäße Verfahren ferner ein Zufügen von anderen herkömmlichen Additiven zur Polierslurry umfassen. Beispielsweise kann ein Konservierungsmittel für eine Langzeitlagerung der Slurry, zum Beispiel 5-Chlor-2-methyl-4-isothiazolin-3-on und 2-Methyl-4-isothiazolin-3-on, in einer Menge von 0,01 bis 0,5 Gew.-% basierend auf dem Gesamtgewicht der Slurry zugegeben werden.
  • Ferner stellt die vorliegende Erfindung eine Polierslurry, die durch das oben erwähnte erfindungsgemäße Verfahren hergestellt wird, bereit, welche Polierteilchen mit einer durchschnittlichen Größe von 100 bis 500 nm umfasst. Diese erfindungsgemäße Slurry ist gekennzeichnet durch ihre gute Dispergierbarkeit und Langzeitdispersionsstabilität, ist gegenüber der Aggregation der Polierteilchen resistent, und ist ebenfalls durch ihre Nicht-Preston-Polierleistung gekennzeichnet. Sogar wenn beispielsweise die erfindungsgemäße Slurry zusammen mit anderen chemischen Lösungen in CMP verwendet wird, verändert sich die Größe der Polierteilchen über eine lange Zeitdauer nicht beträchtlich.
  • Ebenfalls weist die erfindungsgemäße Polierslurry einen pH-Wert im Bereich von 6 bis 9 auf, so daß sie beim Polieren einer Zielschicht (z.B. einer Oxidschicht) über einen Polierstopper (z.B. einer Nitridschicht) selektiver ist. Dies liegt an der Tatsache, daß eine Oxidschicht im allgemeinen einen isoelektrischen Punkt (IEP) bei einem pH-Wert von 2 bis 4 aufweist, während er bei einer Nitridschicht bei einem pH-Wert von 5 bis 6 liegt. Demzufolge kann die erfindungsgemäße Slurry vorteilhaft in einem CMP-Verfahren für flache Rinnenisolierung (shallow trench isolation) (STI), Zwischenschichtdielektrizitäts(ILD)- oder Intermetalldielektrizitäts(IMD)-Bildung verwendet werden.
  • Die vorliegende Erfindung wird im weiteren Detail unter Bezugnahme auf die Beispiele beschrieben. Es ist jedoch zu verstehen, daß die vorliegende Erfindung nicht durch die spezifischen Beispiele eingeschränkt wird.
  • Beispiel 1
  • Ceroxid, das durch Kalzinieren von Cercarbonat bei 900°C erhalten wurde, wurde unter Verwendung einer Trockenkugelmühle fein pulverisiert. 1.000 g des pulverisierten Ceroxids wurden in 8.910 g destilliertes Wasser gegossen und die resultierende Mischung unter Verwendung eines propellerartigen Rührer für 30 Minuten gerührt. 30 g an 50 Gew.-%iger Polyacrylsäure (Gewichtsmittel-Molekulargewicht: 5.000) als ein Dispersionsmittel wurde zu der resultierenden Suspension zugegeben, und die resultierende Mischung mit einem pH-Wert von 3 wurde für 30 Minuten gerührt. 60 g von 25 Gew.-%igem Tetramethylammoniumhydroxid als ein alkalisches Material wurde zugegeben, und die resultierende Mischung mit einem pH-Wert von 8,3 wurde für 30 Minuten gerührt. Das Resultierende wurde einer Hochdruckdispersion unterzogen und durch CMP3-Filter (Mykrolis Corp.) filtriert, um große Teilchen zu entfernen. Das Filtrat wurde mit destilliertem Wasser verdünnt, um eine 5 Gew.-%ige Ceroxidslurry zu erhalten.
  • Beispiel 2
  • Die Vorgehensweise aus Beispiel 1 wurde wiederholt, außer daß 8902,5 g destilliertes Wasser im Rührverfahren des pulverisierten Ceroxids und 37,5 g von 40 Gew.-%iger Polyacrylsäure (Gewichtsmittel-Molekulargewicht: 15.000) als ein Dispersionsmittel verwendet wurden, um eine Ceroxidslurry (pH-Wert 8,2) zu erhalten.
  • Beispiel 3
  • Die Vorgehensweise aus Beispiel 1 wurde wiederholt, außer daß 8920 g destilliertes Wasser im Rührverfahren des pulverisierten Ceroxids verwendet wurden und 50 g 30 Gew.-%iger wässriger Ammoniak als ein alkalisches Material verwendet wurde, um eine Ceroxidslurry (pH-Wert 8,5) zu erhalten.
  • Vergleichsbeispiel 1
  • Die Vorgehensweise aus Beispiel 1 wurde wiederholt, außer daß das alkalische Material zur Ceroxidsuspension vor der Zugabe des Dispersionsmittels zugegeben wurde, um eine Ceroxidslurry (pH-Wert 3) zu erhalten.
  • Vergleichsbeispiel 2
  • Die Vorgehensweise aus Beispiel 1 wurde wiederholt, außer daß eine Mischung des Dispersionsmittels und des alkalischen Materials zur Ceroxidsuspension zugegeben wurde, um eine Ceroxidslurry (pH-Wert 12) zu erhalten.
  • Vergleichsbeispiel 3
  • Die Vorgehensweise aus Beispiel 1 wurde wiederholt, außer daß das Dispersionsmittel und das alkalische Material gleichzeitig zur Ceroxidsuspension zugegeben wurden, um eine Ceroxidslurry (pH-Wert 8,2) zu erhalten.
  • Vergleichsbeispiel 4
  • Die Vorgehensweise aus Beispiel 1 wurde wiederholt, außer daß 8962,5 g destilliertes Wasser im Rührverfahren des pulverisierten Ceroxids zugegeben wurden und 37,5 g 40%iges Ammoniumpolyacrylat (Gewichtsmittel-Molekulargewicht: 3.000) als ein Dispersionsmittel zur Ceroxidsuspension ohne die Zugabe eines alkalischen Materials zugegeben wurden, um eine Ceroxidslurry (pH-Wert 8,3) zu erhalten.
  • Vergleichsbeispiel 5
  • Die Vorgehensweise aus Beispiel 1 wurde wiederholt, außer daß die Menge von 25 Gew.-%igem Tetramethylammoniumhydroxid, die als ein alkalisches Material verwendet wurde, auf 2 g, von 60 g, reduziert wurde, um eine Ceroxidslurry (pH-Wert 3,8) zu erhalten.
  • Vergleichsbeispiel 6
  • Die Vorgehensweise aus Beispiel 1 wurde wiederholt, außer daß die Menge von 25 Gew.-%igem Tetramethylammoniumhydroxid, die als ein alkalisches Material verwendet wurde, auf 400 g, von 60 g, erhöht wurde, um eine Ceroxidslurry (pH-Wert 12,8) zu erhalten.
  • Experimentelles Beispiel 1: Messung des Adsorptionsgrads des Dispersionsmittels auf Polierteilchen
  • Gleiche Mengen der 5 Gew.-%igen Ceroxidslurrys die in Beispielen 1 bis 3 und Vergleichsbeispielen 1 bis 6 erhalten wurden, wurden genommen, und jede wurde einer Zentrifugation bei 4.000 rpm für 20 Minuten unterzogen, um Ceroxidteilchen zu sammeln, die bei 90°C getrocknet und bezüglich ihres Kohlenstoffgehalts unter Verwendung eines Kohlenstoffanalysators analysiert wurden, um die Menge des auf den Teilchen adsorbierten Dispersionsmittels einzuschätzen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt. Tabelle 1
    Figure 00110001
  • Wie in Tabelle 1 gezeigt ist, weisen die Slurrys der Beispiele 1 bis 3 einen höheren Kohlenstoffgehalt auf (d.h. Menge des organischen Dispersionsmittels, das in den Ceroxidteilchen adsorbiert ist), als die Slurrys der Vergleichsbeispiele 1 bis 6, was nahe legt, daß die erfindungsgemäßen Slurrys eine bessere Dispersionsstabilität aufweisen.
  • Experimentelles Beispiel 2: Polierleistungstest
  • Die Ceroxidslurrys, die in Beispielen 1 bis 3 und Vergleichsbeispielen 1 bis 6 erhalten wurden, wurden jeweils einer CMP unter Verwendung eines AMAT-Mirra-Poliergeräts, wie es in 2 gezeigt ist, unterzogen, um ihre Polierleistungen einzuschätzen.
  • Die Poliervorrichtung war mit einer Platte (30) für CMP mit einem Polierpolster (32) auf der Oberfläche derselben ausgerüstet, das um Achse (34) gedreht wurde, und mit einem Kopf (50) für CMP mit einem Wafer (56) der daran abnehmbar unter Verwendung einer Klemme (54) angefügt war, der um Achse (52) gedreht wurde. Als das Polierpolster wurde ein IC1000/suvaIV-Stapelpolster (Rodel Inc.) verwendet. Als Testwafer wurden Siliciumwafer von 8'', beschichtet mit einem 10.000 Å dicken PE-TEOS-Oxidfilm durch plasmaverstärkte chemische Dampfabscheidung, und ein weiterer Siliciumwafer von 8'', beschichtet mit einem 2.000 Å dickem Siliciumnitridfilm durch chemische Niederdruckdampfabscheidung, verwendet.
  • Um eine CMP durchzuführen, wie es in 2 gezeigt ist, wurde jede der zu testenden Ceroxidslurrys mit destilliertem Wasser im Mischungsverhältnis von 1:3 in einem Versorgungsteil (40) vermischt, und eine chemische Lösung wurde durch Auflösen von 2.000 g Ammoniumpolymethacrylat (M.W. 15.000) und 200 g Weinsäure in 7.800 g destilliertem Wasser und Rühren der resultierenden Lösung für 30 Minuten in einem zweiten Versorgungsteil (42) hergestellt. Dann wurden die Testcerslurry und die chemische Lösung im Mischungsverhältnis von 4:3 gemischt, durch einen Kanal (44) transferiert und von einem Auslaß (46) auf das Polster (32) geliefert, das in Kontakt mit dem Wafer (56) war, während die Platte (30) und der Kopf (50) in entgegen gesetzten Richtungen voneinander für 90 Sekunden unter den Polierbedingungen von 3,5 psi beaufschlagtem Druck, Plattenrotationsgeschwindigkeit von 80 rpm und Kopfrotationsgeschwindigkeit von 28 rpm gedreht wurden.
  • Die polierten Filme wurden dann bezüglich ihrer Dicke mit einem Ellipsometer (Philips) untersucht, um die Poliergeschwindigkeit derselben und Kratzer mit einer Größe von wenigstens 0,16 μm mit einem AIT-01 Waferinspektionssystem (KLA Tenco) zu bestimmen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt.
    Figure 00130001
  • Wie in Tabelle 2 gezeigt ist, erzeugt die Verwendung der Slurrys der Beispiele 1 bis 3 viel weniger Kratzer verglichen mit den Slurrys der Vergleichsbeispiele 1 bis 6, obwohl die getesteten Slurrys ähnliche Selektivitätsgehalte aufwiesen.
  • Ebenfalls wurde die in Beispiel 1 erhaltene Ceroxidslurry einer CMP unterzogen, während der beaufschlagte Druck variiert wurde, und die Poliergeschwindigkeit wurde durch Verwendung eines Ellipsometers (Philips) und eines Thermowellen-OPTI-Prove-2600 (Vintage) bestimmt. Wie in 3 gezeigt ist, zeigte die in Beispiel 1 erhaltene Ceroxidslurry ein Nicht-Preston-Verhalten; die Poliergeschwindigkeit war nicht linear abhängig vom Polierdruck, wurde jedoch abrupt bei Drücken oberhalb eines kritischen Punkts erhöht.
  • Experimentelles Beispiel 3: Dispersionsstabilitätstest nach Mischen mit einer chemischen Lösung
  • Die im experimentellen Beispiel 2 verwendeten Ceroxidslurrys wurden jeweils bezüglich ihrer Dispersionsstabilität durch die folgenden Vorgehensweisen eingeschätzt, und die Ergebnisse sind in Tabelle 3 aufgeführt.
  • (1) Analyse der Teilchengrößenveränderung
  • Jede der im experimentellen Beispiel 2 verwendeten Mischungen aus Ceroxidslurry und chemischer Lösung wurde am Auslaß (46) beprobt und die Teilchengröße des Ceroxids mit MICROTRAC UPA 1500 bestimmt, welche verglichen wurde mit der Teilchengröße vor dem Mischen mit der chemischen Lösung.
  • (2) Beobachtung des Teilchenniederschlagsgrads
  • 50 ml jeder der experimentell in Beispiel 2 verwendeten Mischungen aus Ceroxidslurry und chemischer Lösung wurde aus dem Auslaß (46) beprobt und in einem Zylinder angeordnet. Nach 2 und 6 Stunden des Stehenlassens wurde der Grad der Ausfällung der Teilchen visuell beobachtet, um den Trübungsgrad der Slurrymischung zu bestimmen (° absolut trüb, gute Dispergierbarkeit; Δ Klarheit in der überstehenden Flüssigkeit; X absolut klar, extensive Ausfällung). Tabelle 3
    Figure 00150001
  • Wie in Tabelle 3 gezeigt ist, erzeugten nach dem Mischen mit einer chemischen Lösung die Slurrys der Vergleichsbeispiele 1 bis 6 übermäßig agglomerierte Teilchen mit Teilchengrößen, die 9 Mal größer waren als die anfängliche Größe, während die Slurrys der Beispiele 1 bis 3 eine gute Dispersionsstabilität ohne irgendein Anzeichen einer Teilchenaggregation zeigten.
  • Experimentelles Beispiel 4: Langzeitdispersionsstabilitätstest
  • 30 ml von jeder der Ceroxidslurrys der Beispiele 1 und Vergleichsbeispiele 1 und 2 wurden in einem 40 ml Zylinder angeordnet, und nach 10-, 60- und 90-tägiger Lagerung einer CMP-Verfahrensweise von experimentellem Beispiel 2 unterzogen, um die Poliergeschwindigkeits veränderung nach einer solchen Langzeitlagerung zu bestimmen. Die Ergebnisse sind in Tabelle 4 gezeigt. Tabelle 4
    Figure 00160001
  • Wie in Tabelle 4 gezeigt ist, bewahrte die erfindungsgemäße Slurry ihre Dispersionsstabilität für 90 Tage, wie durch das Ergebnis der Poliergeschwindigkeitsänderung bezeugt wird, während die Slurrys der Vergleichsbeispiele 1 und 2 die verminderten Poliergeschwindigkeiten zeigten, was nahe legt, daß sie weniger stabil sind.
  • Während die Erfindung in Bezug auf die spezifischen Ausführungsformen beschrieben worden ist, sollte erkannt werden, daß verschiedene Modifikationen und Änderungen von Fachleuten auf dem Gebiet der Erfindung durchgeführt werden können, die ebenfalls in den Umfang der Erfindung fallen, wie er durch die beigefügten Ansprüche definiert wird.

Claims (14)

  1. Verfahren zum Herstellen einer Polierslurry, welches die Schritte umfasst: (a) Dispergieren von Polierteilchen und eines Dispersionsmittels in Form einer anionischen polymeren Säure in Wasser; und (b) Zufügen zu der resultierenden Dispersion eines alkalischen Materials in einer Menge von 0,1 bis 8 Gew.-% basierend auf 100 Gewichtsteilen der Polierteilchen.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Polierteilchen, die in Schritt (a) dispergiert werden, ein positives Zeta-Potential auf der Oberfläche derselben aufweisen.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Dispersion, die in Schritt (a) erhalten wird, einen pH-Wert im Bereich von 1 bis 4 aufweist.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Polierslurry einen pH-Wert im Bereich von 6 bis 9 aufweist.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Polierteilchen aus einem Metalloxid bestehen, das ausgewählt wird aus der Gruppe bestehend aus Siliciumoxid (SiO2), Aluminiumoxid (Al2O3), Ceroxid (CeO2), Zirkoniumoxid (ZrO3), Zinnoxid (SnO2) und Manganoxid (MnO2).
  6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Polierteilchen Ceroxid sind, die erhalten werden durch Kalzinieren von Cercarbonat oder Cerhydroxid bei einer Temperatur von 600 bis 1.000°C.
  7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Polierteilchen in einer Menge von 0,5 bis 20 Gew.-% basierend auf dem Gesamtgewicht der Polierslurry verwendet werden.
  8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die anionische polymere Säure ein Gewichtsmittel-Molekulargewicht von 2.000 bis 250.000 aufweist.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die anionische polymere Säure ausgewählt wird aus der Gruppe bestehend aus Polymethacrylsäure, Polyacrylsäure, Polyvinylsulfonsäure und einer Mischung derselben.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die anionische polymere Säure in einer Menge von 0,1 bis 10 Gewichtsteilen basierend auf 100 Gewichtsteilen der Polierteilchen verwendet wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das alkalische Material ausgewählt wird aus der Gruppe bestehend aus Ammoniak, einem Alkylammoniumsalz, einem Amin und einer Mischung derselben.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Amin ausgewählt wird aus der Gruppe bestehend aus Trimethanolamin, Triethanolamin, Dimethylbenzylamin, Ethoxybenzylamin und einer Mischung derselben.
  13. Verfahren nach Anspruch 11, wobei das Alkylammoniumsalz ausgewählt wird aus der Gruppe bestehend aus Trimethylammoniumhydroxid, Triethylammoniumhydroxid, Tetramethylammoniumhydroxid, Cholin und einer Mischung derselben.
  14. Slurry zum Polieren eines Halbleiterfilms mit Nicht-Preston-Polierleistungseigenschaften, hergestellt durch das Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 13.
DE102006013728A 2005-03-28 2006-03-24 Verfahren zum Herstellen einer Polierslurry mit hoher Dispersionsstabilität Ceased DE102006013728A1 (de)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2005-0025496 2005-03-28
KR20050025496 2005-03-28
KR10-2005-0076021 2005-08-19
KR20050076021 2005-08-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102006013728A1 true DE102006013728A1 (de) 2006-10-19

Family

ID=37033780

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102006013728A Ceased DE102006013728A1 (de) 2005-03-28 2006-03-24 Verfahren zum Herstellen einer Polierslurry mit hoher Dispersionsstabilität

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20060213126A1 (de)
JP (1) JP5198738B2 (de)
KR (1) KR101134590B1 (de)
CN (1) CN1840602B (de)
DE (1) DE102006013728A1 (de)
TW (1) TWI387626B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112015005813B4 (de) 2014-12-26 2024-05-23 Sumco Corporation Verfahren zum Bewerten von Schleifkörnern und Verfahren zur Herstellung eines Siliziumwafers

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007062572A1 (de) * 2007-12-22 2009-06-25 Evonik Degussa Gmbh Ceroxid und kolloidales Siliciumdioxid enthaltende Dispersion
DE102008008183A1 (de) * 2008-02-08 2009-08-13 Evonik Degussa Gmbh Ceroxidpartikel enthaltende Dispersion und deren Verwendung zum Polieren von Gläsern
DE102008008184A1 (de) * 2008-02-08 2009-08-13 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zum Polieren einer Siliciumoberfläche mittels einer ceroxidhaltigen Dispersion
JP5819036B2 (ja) * 2008-03-25 2015-11-18 三井金属鉱業株式会社 セリウム系研摩材スラリー
DE102008002321A1 (de) * 2008-06-10 2009-12-17 Evonik Degussa Gmbh Ceroxid und partikuläres Additiv enthaltende Dispersion
JP5261065B2 (ja) * 2008-08-08 2013-08-14 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
CN101671525B (zh) * 2009-09-01 2013-04-10 湖南皓志新材料股份有限公司 一种改善稀土抛光粉悬浮性的方法
JP2011218494A (ja) * 2010-04-09 2011-11-04 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 研摩スラリー及びその研摩方法
JP5957292B2 (ja) * 2012-05-18 2016-07-27 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及び基板の製造方法
KR101406763B1 (ko) * 2012-12-04 2014-06-19 주식회사 케이씨텍 슬러리 조성물 및 첨가제 조성물
JP6396888B2 (ja) * 2013-03-12 2018-09-26 国立大学法人九州大学 研磨パッド及び研磨方法
CN109807692A (zh) * 2017-11-21 2019-05-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种研磨液、制备研磨液的方法和化学机械研磨方法
US11965103B2 (en) * 2019-08-21 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Additive manufacturing of polishing pads
CN115141548B (zh) * 2021-03-15 2023-12-05 拓米(成都)应用技术研究院有限公司 一种高悬浮性氧化铈抛光液及其抛光工艺和应用

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5962343A (en) * 1996-07-30 1999-10-05 Nissan Chemical Industries, Ltd. Process for producing crystalline ceric oxide particles and abrasive
JPH10154672A (ja) * 1996-09-30 1998-06-09 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
EP0850887B1 (de) * 1996-12-26 2000-03-22 Hoya Corporation Verfahren zum Herstellen eines Glasproduktes durch Pressformen
JPH11181403A (ja) * 1997-12-18 1999-07-06 Hitachi Chem Co Ltd 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
KR100797218B1 (ko) * 1998-12-25 2008-01-23 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Cmp 연마제, cmp 연마제용 첨가액 및 기판의 연마방법
JP2000248263A (ja) * 1999-03-01 2000-09-12 Hitachi Chem Co Ltd Cmp研磨液
JP2000252245A (ja) * 1999-03-01 2000-09-14 Hitachi Chem Co Ltd Cmp研磨液
JP2001007060A (ja) * 1999-06-18 2001-01-12 Hitachi Chem Co Ltd Cmp研磨剤及び基板の研磨方法
JP2001007061A (ja) * 1999-06-18 2001-01-12 Hitachi Chem Co Ltd Cmp研磨剤及び基板の研磨方法
JP4555936B2 (ja) * 1999-07-21 2010-10-06 日立化成工業株式会社 Cmp研磨液
TW501197B (en) * 1999-08-17 2002-09-01 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing compound for chemical mechanical polishing and method for polishing substrate
JP3525824B2 (ja) * 1999-09-17 2004-05-10 日立化成工業株式会社 Cmp研磨液
JP4123685B2 (ja) * 2000-05-18 2008-07-23 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体
US6964923B1 (en) 2000-05-24 2005-11-15 International Business Machines Corporation Selective polishing with slurries containing polyelectrolytes
KR100507833B1 (ko) * 2001-08-20 2005-08-17 삼성코닝 주식회사 실리카 코팅된 세리아를 포함하는 연마용 조성물
KR100442873B1 (ko) * 2002-02-28 2004-08-02 삼성전자주식회사 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 및 이를 사용한 화학적기계적 폴리싱 방법
KR100477939B1 (ko) * 2002-04-15 2005-03-18 주식회사 엘지화학 단결정 산화세륨 분말의 제조방법
JP2003064351A (ja) * 2002-06-04 2003-03-05 Hitachi Chem Co Ltd Cmp研磨液
JP2004335897A (ja) * 2003-05-09 2004-11-25 Jsr Corp 化学機械研磨用水系分散体
KR101090913B1 (ko) * 2004-08-11 2011-12-08 주식회사 동진쎄미켐 화학 기계적 연마를 위한 산화세륨 연마입자 분산액 및 그제조방법
US7504044B2 (en) * 2004-11-05 2009-03-17 Cabot Microelectronics Corporation Polishing composition and method for high silicon nitride to silicon oxide removal rate ratios
US7291280B2 (en) * 2004-12-28 2007-11-06 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multi-step methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride
WO2006086265A2 (en) * 2005-02-07 2006-08-17 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112015005813B4 (de) 2014-12-26 2024-05-23 Sumco Corporation Verfahren zum Bewerten von Schleifkörnern und Verfahren zur Herstellung eines Siliziumwafers

Also Published As

Publication number Publication date
TW200643130A (en) 2006-12-16
CN1840602B (zh) 2011-05-04
TWI387626B (zh) 2013-03-01
CN1840602A (zh) 2006-10-04
JP5198738B2 (ja) 2013-05-15
KR101134590B1 (ko) 2012-04-09
JP2006279050A (ja) 2006-10-12
US20090229189A1 (en) 2009-09-17
KR20060103858A (ko) 2006-10-04
US20060213126A1 (en) 2006-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102006013728A1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Polierslurry mit hoher Dispersionsstabilität
DE69923666T2 (de) Aufschlämmung von ceriumoxid zum polieren, verfahren zur herstellung dieser aufschlämmung und verfahren zum polieren mit dieser aufschlämmung
DE60222312T2 (de) Kristalline Ceroxidsole und Verfahren zur deren Herstellung
DE60001958T2 (de) Verbessertes ceriumoxidpulver
DE10204471C1 (de) Wässerige Dispersion enthaltend mit Ceroxid umhülltes Siliciumdioxidpulver, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung
DE60008376T2 (de) Aufschlämmungszusammensetzung und verfahren zum chemisch-mechanischen polieren
DE60009997T2 (de) Eine eine wässrige Dispersionszusammensetzung verwendende chemisch-mechanische Poliermethode zur Verwendung in der Herstellung von Halbleitervorrichtungen
DE60215084T2 (de) Schleifmittelzusammensetzung und Polierverfahren unter Verwendung derselben
DE10252049B4 (de) Chemisch-mechanische Polier-Aufschlämmung und chemisch-mechanisches Polierverfahren unter Verwendung derselben
EP1203801B1 (de) Wässrige Dispersion, Verfahren zu deren Herstellung und Verwendung
DE60013921T2 (de) Polieraufschlämmung
DE60127206T2 (de) Wässrige Dispersion zum chemisch-mechanischen Polieren von Kupfersubstraten
EP0249229B1 (de) Superparamagnetische Feststoffteilchen
DE60226144T2 (de) Aufschlämmung von ceriumoxid und verfahren zur hestellung eines substrats
DE10164262A1 (de) Zusammensetzung für das chemisch-mechanische Polieren von Metall- und Metall/Dielektrikastrukturen
EP2268725B1 (de) Partikuläre wachskomposite und verfahren zu deren herstellung sowie deren verwendung
DE2901401A1 (de) Poliermittelzusammensetzung zum polieren von silicium und germanium
DE3542738A1 (de) Waessrige dispersion von kieselsaeureanhydrid und schleifmittel mit einem gehalt der dispersion
EP1274807A2 (de) Poliermittel und verfahren zur herstellung planarer schichten
DE102008021005A1 (de) Partikuläre Wachskomposite mit Kern/Hülle-Struktur und Verfahren zu deren Herstellung sowie deren Verwendung
DE102007062572A1 (de) Ceroxid und kolloidales Siliciumdioxid enthaltende Dispersion
EP0532114A1 (de) Verfahren zur Herstellung wässeriger keramischer Suspensionen und Verwendung dieser Suspensionen
DE102007008232A1 (de) Dispersion enthaltend Ceroxid und kolloidales Siliciumdioxid
EP1306415A2 (de) Zusammensetzung für das chemisch-mechanische Polieren von Metall- und Metall-Dielektrikastrukturen mit hoher Selektivität
DE10392703B4 (de) Metalloxidpulver für Hochpräzisionspolieren und ein Verfahren zur Herstellung desselben

Legal Events

Date Code Title Description
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: SAMSUNG CORNING PRECISION GLASS CO., LTD., GUM, KR

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD.,, KR

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: SAMSUNG CORNING PRECISION MATERIALS CO., LTD.,, KR

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG CORNING PRECISION GLASS CO., LTD., GUMI, GYEONGSANGBUK, KR

Effective date: 20110201

R012 Request for examination validly filed

Effective date: 20130305

R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final