DE2901401A1 - Poliermittelzusammensetzung zum polieren von silicium und germanium - Google Patents
Poliermittelzusammensetzung zum polieren von silicium und germaniumInfo
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 75
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 20
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 title claims description 19
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 42
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 29
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 26
- 239000000017 hydrogel Substances 0.000 claims description 17
- 239000000375 suspending agent Substances 0.000 claims description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 11
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 10
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N Acrylic acid Chemical group OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 7
- 229940096529 carboxypolymethylene Drugs 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 claims description 5
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910002029 synthetic silica gel Inorganic materials 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- JVTIXNMXDLQEJE-UHFFFAOYSA-N 2-decanoyloxypropyl decanoate 2-octanoyloxypropyl octanoate Chemical compound C(CCCCCCC)(=O)OCC(C)OC(CCCCCCC)=O.C(=O)(CCCCCCCCC)OCC(C)OC(=O)CCCCCCCCC JVTIXNMXDLQEJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 150000004676 glycans Chemical class 0.000 description 2
- 159000000011 group IA salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 2
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 239000008247 solid mixture Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000589636 Xanthomonas campestris Species 0.000 description 1
- 238000012644 addition polymerization Methods 0.000 description 1
- 239000004964 aerogel Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021486 amorphous silicon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 238000000855 fermentation Methods 0.000 description 1
- 230000004151 fermentation Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000005700 microbiome Species 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000643 oven drying Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 229910000162 sodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
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Description
290UQ1
Beschreibung
Vorliegende Erfindung betrifft eine Poliermittelzusammensetzung,
die in Form einer wäßrigen Aufschlämmung zum Polieren der Oberfläche
von Silicium und Germanium, die als Kristallplättchen in Halbleitern verwendet werden, geeignet ist.
Siliciumkristallplättchen und in gewissem Umfang auch Germaniumkristallplättchen
werden vielfach als Trägerkristalle in Halbleiterbauteilen für Transistoren und anderen elektronischen
Vorrichtungen verwendet. Sehr dünne Plättchen mit Dicken von nur 0,13 bis 0,76 mm werden aus Blöcken von Silicium- oder
Germaniumkristallen geschnitten und poliert, um so eine möglichst ebene Oberfläche herzustellen, da jegliche Oberflächenunebenheiten
die elektrische Leitfähigkeit der Plättchen beeinflussen.
Man bringt die Aufschlämmung eines Poliermittels in Wasser auf
die Oberfläche auf und bewirkt das Polieren mit Hilfe eines Polierkissens. Ein bevorzugtes Poliermittel ist Siliciumdioxid,
weil es eine Oberfläche ergibt, die praktisch frei von Mängeln ist. Gemäß US-PS 3 170 273 (Walsh et al.) werden Siliciumdioxidsole
mit Si02-Konzentrationen von 2 bis 50 Gew.% und Siliciumdioxidgele
mit Si02-Konzentrationen von 2 bis 100 Gew.% zum Polieren von Silicium- und Germaniumkristallen und anderen
Halbleitermaterialien verwendet. Die Primärteilchengröße dieser
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Sole und Gele kann im Bereich zwischen 5 und 200,um liegen.
Aus US-PS 3 328 141 (Lachapelle) ist bekannt, daß die Geschwindigkeit
des Polierens von kristallinem Silicium gesteigert werden kann, wenn eine alkalische Verbindung mit dem Poliermittel
in Gegenwart von Wasser kombiniert wird, wobei der pH-Wert mindestens auf 10 und vorzugsweise auf 10,5 bis 12,5 eingestellt
wird. Es werden Siliciumdioxid als ein geeignetes Poliermittel und Oxide, Hydroxide und stark alkalische Salze von Alkali- und
Erdalkalimetallen als alkalische Komponenten angegeben. Die Metallionen in der alkalischen Komponente können jedoch nachteilig
auf den elektronischen Gütegrad des Siliciums und Germaniums sein. Zusätzlich zu den Metallhydroxiden und stark alkalischen
Salzen beschreibt die US-PS 3 715 482 (Tredinnick et al.) die Verwendung von Ammoniumhydroxid. Die Menge an Ammoniumhydroxid,
die erforderlich ist, um einen pH-Wert größer als 10 für große Poliergeschwindigkeiten einzustellen, führt jedoch
zu einer unannehmbar starken Ammoniakgeruchsbelästigung, wenn nicht eine spezielle Lüftungsvorrichtung vorgesehen wird.
Mehr als eine Woche nach der Herstellung solcher bekannten Poliermittelauf
schlämmungen beginnt sich bereits das Siliciumdioxid abzusetzen, und die Poliermittelzusammensetzung entwikkelt
eine größere Tendenz zum Kratzen als eine frisch hergestellte Aufschlämmung, wahrscheinlich aufgrund einer Agglomeration
des Siliciumdioxids. In der US-PS 3 715 482 werden
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alkalische wäßrige Siliciumdioxid-Poliermittelzusammensetzungen
mit einer verringerten Tendenz zum Zerkratzen von Silicium- und Germaniumoberflächen nach Lagerung beschrieben. Zur Verhinderung
des Absetzens von Siliciumdioxid wird ein wasserlösliches Cellulosederivat eingesetzt. Es wird jedoch eingeräumt, daß
sogar kleine Mengen des Cellulosederivats bereits die Aufschlämmung
übermäßig viskos machen und die Poliergeschwindigkeit verlangsamen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Bereitstellung einer Poliermittelzusainmensetzung zum Polieren von Silicium- und Germaniumkristalloberflächen,
die nicht die oben genannten Nachteile aufweist und insbesondere auch längere Zeite gelagert
werden kann, ohne daß sich das Siliciumdioxid-Poliermittel aus der Aufschlämmung absetzt und ohne daß sich seine vorzüglichen
Poliereigenschaften verschlechtern.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch eine Poliermittelzusammensetzung
zum Polieren der Oberfläche von Silicium und/oder Germanium in Form einer wäßrigen Aufschlämmung oder eines Produktes,
das, mit Wasser verdünnt, eine wäßrige Aufschlämmung ergibt, wobei Grundlage der Zusammensetzung ein Poliermittel
aus teilchenförmigem, synthetischem, amorphem Siliciumdioxid
mit einer durchschnittlichen Teilchengröße der Sekundärteilchen von weniger als etwa 30 ,um und ein Suspendiermittel für das
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Siliciumdioxid ist. Diese Poliermittelzusammensetzung ist dadurch gekennzeichnet, daß sie als Suspendiermittel ein wasserlösliches
Carboxypolymethylenharz oder Xanthum-Gummi enthält.
Die erfindungsgemäße Zusammensetzung kann zusammen mit einer
alkalischen Verbindung leicht in Wasser dispergiert werden, um Aufschlämmungen verschiedener Konzentrationen und von verschiedenen
pH-Werten zu erhalten. Sogar bei hohen Feststoffbeladungen sind die Aufschlämmungen gut pumpbar, und das Poliermittel
bleibt nach einer Lagerung von 3 Monaten und länger einwandfrei suspendiert. Die Aufschlämmungen ermöglichen große
Poliergeschwindigkeiten und führen zu trübungsfreien, hoch
glatten Silicium- und Germaniumoberflächen. Als alkalische
Verbindung wird vorzugsweise eine organische Aminbase verwendet, die ein schnelleres Polieren ermöglicht und Oberflächen schafft,
die frei von Metallverunreinigungen sind.
Die erfindungsgemäße Zusammensetzung kann eingesetzt werden zum Polieren jeglicher Silicium- oder Germaniumoberflächen, sie ist
aber insbesondere zum Polieren von Silicium- und Germaniumkristallen und kristallinen Silicium- und Germaniumplättchen geeignet.
In den erfindungsgemäßen Poliermittelzusammensetzungen werden synthetische, amorphe Kieselerden verwendet einschließlich
beispielsweise Si02-Hydrogelen, Si02-Aerogelen, Si02-Xerogelen
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und ausgefälltem SiO2. Eine Vielzahl synthetischer, amorpher
Kieselerden sind im Handel erhältlich, und Verfahren zu ihrer Herstellung sind wohlbekannt. Das feinteilige Siliciumdioxid
hat vorzugsweise einen durchschnittlichen Teilchendurchmesser von weniger als 30,um und insbesondere von etwa 1 bis 15,um.
Diese angegebenen Teilchengrößen beziehen sich auf die Aggregate, d.h. es handelt sich um Sekundärteilchengrößen.
Vorzugsweise wird als synthetisches, amorphes Siliciumdioxid ein Siliciumdioxid-Hydrogel eingesetzt, weil dieses ein rasches
Polieren ermöglicht und eine ausgezeichnete Oberfläche liefert. SiOp-Hydrogel kann durch Zusatz einer Mineralsäure,
z.B. Schwefelsäure, hergestellt werden, wobei die Säure unter Rühren zu einer Natriumsilikatlösung zugefügt wird, bis ein
pH-Wert von weniger als 5, in der Regel von 1 bis 3, erreicht wird und ein Siliciumdioxid-Sol entsteht. Die Alkalisilikat-
lösung hat üblicherweise eine Si02~Konzentration von 6 bis
20 Gew.%. Man läßt das Sol zur Bildung des Hydrosols stehen und wäscht es elektrolytfrei. Das gewaschene Hydrogel kann
anschließend bis auf die gewünschte Teilchengröße gemahlen und dann getrocknet werden, z.B. durch Ofentrocknung, Mahlen
mit einer Strahlmühle (Jet-Mühle), Sprühtrocknen, Schwebetrocknen oder durch eine andere bekannte Methode. Die SiO2-Konzentration,
Temperatur und der pH-Wert, bei dem die Reaktion stattfindet, die Dauer des Waschens sowie die Geschwindigkeit
des Trocknens beeinflussen die Geleigenschaften, wie
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z.B. Dichte, wirksame Oberfläche und Porenvolumen.
Im allgemeinen enthalten die erfindungsgemäßen SiO^-Hydrogel-Poliermittel
wenigstens etwa 50 Gew.% Wasser, vorzugsweise etwa 55 bis 75 Gew.% Wasser, gemessen durch Gewichtsverlust bei
der Verbrennung. Infolge seiner porösen Struktur absorbiert das Hydrogel abgescheuertes Silicium und Germanium und legt
so durch das Polieren neue Oberflächen frei. Die vorliegende Erfindung ermöglicht durch das erfindungsgemäße Poliermittel
ein Verfahren zum Polieren von Silicium- und Germaniumoberflächen,
bei dem die Oberflächen mit einer wäßrigen Aufschlämmung eines SiO„-Hydrogels poliert werden, wobei das Hydrogel mit
einem erfindungsgemäßen Suspendiermittel kombiniert ist. Die
vorliegende Erfindung betrifft außerdem die Verwendung von erfindungsgemäß zusammengesetzten Poliermitteln zum Polieren
der Oberfläche von besonders als Halbleiterkristallplättchen vorliegendem Silicium oder Germanium, wobei eine erfindungsgemäße
Poliermittelaufschlämmung auf die zu behandelnde Oberfläche
aufgebracht und diese Oberfläche damit eingerieben wird, um sie zu polieren.
Die Poliermittelzusammensetzungen gemäß dieser Erfindung enthalten
als suspendierendes Mittel ein wasserlösliches Harz oder Gummi. Darunter versteht man ein hydrophiles Material,
das in Wasser gelöst oder dispergiert werden kann, wodurch
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viskose oder schleimige Lösungen oder Dispersionen entstehen. Die erfindungsgemäßen Poliermittelzusammensetzungen können in
Form verhältnismäßig hochviskoser Aufschlämmungen vorliegen
mit relativ kleinen Konzentrationen an Suspendiermittel. Dadurch wird der Unterschied des spezifischen Gewichts zwischen
der festen und der flüssigen Phase der Aufschlämmung sowie
die relative Strömung zwischen diesen Phasen vermindert.
Wegen ihrer Fähigkeit, der Poliermittelsuspension einen bedeutsamen
Fließwert zu verleihen, worunter der Anfangsströmungswiderstand unter der angewandten Seherspannung verstanden
wird, erhält man mit Hilfe der erfindungsgemäß eingesetzten Suspendiermittel stabile Poliermittelaufschlämmungen, die gut
zu handhaben sind und bereits unter schwachem Druck, wie beispielsweise beim Pumpen oder Polieren, leicht fließen, wobei
der Fließwert überschritten wird. Die Stabilität der Aufschlämmung bei der Lagerung zusammen mit dem Vermeiden jeglicher
Neigung der Aufschlämmung, nach der Lagerung beim Gebrauch
die Oberflächen zu zerkratzen, sowie die Pumpbarkeit der Aufschlämmung und die Poliergeschwindigkeit können durch
Wahl des Suspendiermittels variiert werden. Die erfindungsgemäß eingesetzten Carboxypolymethylenharze verringern die
Poliergeschwindigkeiten weniger als die Xanthum-Gumme, die wiederum die beste Suspension ergeben.
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Trockene Pulver von Carboxypolymethylenharzen können durch
Additionspolymerisation von Acrylsäure oder deren Derivaten in organischen Lösungsmitteln hergestellt werden. Das Polymere
fällt aus, wird abfiltriert und zu einem Pulver getrocknet.
Zu den geeigneten Carboxypolymethylenharzen gehören die synthetischen,
wasserlöslichen, nicht linearen Harze, die unter den Handelsmarken Carbopol 910 und Carbopol 9 41 im Handel
erhältlich sind. Carbopol 910 hat ein Molekulargewicht von etwa 500 000 und Carbopol 941 ein solches von etwa 1 000 000.
Xanthum-Gumme sind natürliche hochmolekulare Polysaccharide. Sie können in einem Reinkultur-Fermentationsprozeß durch die
Mikroorganismen Xanthomonas campestris erzeugt werden. Ein
geeigneter Xanthum-Gummi wird von der Firma Kelco Company
unter den Handelsmarken Kelzan und Kelzan M vertrieben. Diese Polymeren sind Komplexe, natürliche Polysaccharid-Gumme mit
Molekulargewichten größer als 1 000 000. Das Molekulargewicht der Polymeren liegt wahrscheinlich in der Größenordnung von
2 000 000, es wurde aber auch schon berichtet, daß sie in der Größenordnung von 13 000 000 bis 50 000 000 liegen.
Vorzugsweise enthält die erfindungsgemäße Poliermittelzusammensetzung
außer dem Siliciumdioxid-Hydrogel auch ein Silicium-
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dioxid-Aerogel, mit dem die Lagerstabilität der Aufschlämmungen
weiter verbessert werden kann, insbesondere bei erhöhten Temperaturen, beispielsweise bei etwa 38°C. Ein geeignetes
SiC>2-Aerogel ist unter dem eingetragenen Markenzeichen "Syloid" ,
beispielsweise "Syloid 266", auf dem Markt erhältlich. In der Regel hat das Aerogel eine mittlere Sekundärteilchengröße von
kleiner als 4 ,um, beispielsweise von etwa 1 bis 3 ,um, und es
kann beispielsweise in Mengen von etwa 5 bis 10 Gewichtsteilen pro Gewichtsteil des Suspendiermittels und/oder von etwa 0,02
bis 0,05 Gewichtsteilen pro Gewichtsteil des Si02-Hydrogel-Poliermittels
eingesetzt werden.
Die Poliermittelzusammensetzungen können als feste Mischungen des Si02-Poliermittels und des Suspendiermittels durch Vermischen
oder Vermählen hergestellt werden. Die Zusammensetzungen können auch als wäßrige Aufschlämmungen hergestellt werden,
die in der Regel etwa 2 bis etwa 70 %, vorzugsweise etwa 3 bis 30 % des Si02-Poliermittels enthalten, bezogen auf das
Gesamtgewicht der Aufschlämmung. Der Verbraucher der Zusammensetzung
kann einer festen Zusammensetzung Wasser zusetzen oder eine konzentrierte wäßrige Aufschlämmung verdünnen, um
eine Poliermittelaufschlämmung der gewünschten Konzentration und Konsistenz zu erhalten.
Die Konzentration des Suspendiermittels der wäßrigen, vorzugsweise
alkalischen Poliermittelaufschlämmung hängt von den An-
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forderungen ab, die der Verbraucher an die Lagerstabilität
sowie an die Pump- und Poliergeschwindigkeit der Aufschlämmung stellt. In der Regel liegt diese Konzentration zwischen
etwa 0,1 und 2 %, bezogen auf das Gesamtgewicht der Poliermittelaufschlämmung.
Der Anteil an Suspendiermittel kann ziemlich klein sein, beispielsweise
bei 0,3 Gew.%, bezogen auf die Menge des Poliermittels, vorzugsweise von etwa 0,5 bis 30 Gew.%, bezogen auf
die Gesamtmenge des Poliermittels, liegen.
Die erfindungsgemäße Poliermittelmenge enthält vorzugsweise
eine alkalische Verbindung, damit der pH-Wert auf mindestens etwa 10 eingestellt werden kann. Wenn man das Polieren bei
einem alkalischen pH-Wert durchführt, erhält man eine bessere Qualität der Oberflächenebene und eine höhere Poliergeschwindigkeit.
Deshalb werden pH-Werte von etwa 10 bis 12 besonders
bevorzugt, wenn man eine ausgezeichnete, makellose Oberflächenbeschaffenheit
erreichen will. Abhängig von der Alkalinität der Aufschlämmung erhält man praktisch brauchbare Poliergeschwindigkeiten,
wenn die eingesetzten Mengen im Bereich zwischen etwa 0,05 und 50 Gew.%, bezogen auf das Gesamtgewicht
der Aufschlämmung, liegen. Der pH-Wert der Aufschlämmung kann
während der Lagerung über mehrere Wochen leicht abnehmen, jedoch kann dann vor dem Gebrauch eine weitere Menge der alkalischen
Verbindung zugefügt werden.
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Als alkalische Verbindung kann jede Verbindung eingesetzt werden, die in Wasser genügend alkalisch ist, um den gewünschten
pH-Wert zu erreichen, und die mit den eingesetzten Suspendiermitteln verträglich ist. Brauchbare wasserlösliche, alkalische
Verbindungen sind z.B. Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Ammoniumhydroxid, Natriumcarbonat, Natriumphosphat u.dgl. Aus Gründen,
die oben erläutert wurden, wird eine wasserlösliche, organische Aminbase bevorzugt, beispielsweise Triethylamin, Triethanolamin,
Monoethanolamin, Diisopropanolamin, Ethylendiamin u.dgl. Im allgemeinen kann jede wasserlösliche, aliphatische
Aminbase mit 1 bis 6 C-Atomen eingesetzt werden. Ethylendiamin wird besonders bevorzugt, da es eine hohe Poliergeschwindigkeit
ermöglicht und das Siliciumdioxid-Poliermittel in der Aufschlämmung dispergiert.
Das Polieren kann in der Weise ausgeführt werden, daß man eine wäßrige Aufschlämmung der erfindungsgemäßen Poliermittelzusammensetzung
auf die Oberfläche des Siliciums oder Germaniums aufbringt und dann mit einem Polierkissen poliert. Topfförmige
Vibrationsförderer oder andere im Handel erhältliche Polieroder Überdeckungsvorrichtungen können eingesetzt werden. Falls
gewünscht, kann die Oberfläche zuerst mit einem groben Schleifmittel abgeschliffen und dann das Polieren mit der erfindungsgemäßen
Poliermittelaufschlämmung vollendet werden. Druck und
Geschwindigkeit der Polierscheiben und die Polierdauer werden
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vom Verbraucher bestimmt, um den Grad der Oberflächenbeschaf- '
fenheit zu erreichen, der gewünscht wird.
Die Erfindung wird anhand des folgenden Beispiels weiter erläutert.
Gewaschenes Siliciumdioxid-Hydrogel mit einem Gehalt an flüchtigen
Bestandteilen von 65 bis 70 Gew.% vor der Verbrennung wurde in einer Strahlmühle (Mikropul ACM-10 mill) auf eine
mittlere Sekundärteilchengröße von 6,5,um gemahlen. Der Gesamtgehalt
des gemahlenen Hydrogels an flüchtigen Stoffen be-
trug 58 Gew.%, gemessen durch Gewichtsverlust bei der Verbrennung .
Wasser 37,9 Ethylendiamin 5,6
SiO_-Hydrogel 53,6
Si02-Aerogel (Syloid 266) 2,6
Carboxypolymethylen-Gummi, Molekulargewicht
etwa 500 000 (Carbopol 941) 0,3
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Nach einer Lagerungszeit von 7 Wochen wurde die konzentrierte
Aufschlämmung mit Wasser verdünnt und eine Poliermittelaufschlämmung
mit einem Gehalt an Siliciumdioxid-Hydrogel von 10 Gew.% und einem pH-Wert von 10,8 hergestellt.
Die Polierwirküng der Aufschlämmung auf Silicium-Kristallplättchen
vom P-Typ mit einem spezifischen Widerstand von 7 bis 10 Si. .cm wurde mit einem Poliergerät ("Speedfam Mode
32 G") bestimmt, das eine Scheibe mit einem Durchmesser von 81,28 cm und vier Laufspindeln mit 8 Kristallplättchen pro
Spindel aufwies. Die Beschickungsgeschwindigkeit der auf die Polierscheibe fallenden Aufschlämmung betrug 250 cm /Min.
2 und der auf die Kristallplättchen ausgeübte DruckO,27 kg/cm
Die Temperatur der Scheibe lag während des Polierens im Bereich zwischen etwa 32 und 38 C.
Die mittlere Abnahmegeschwindigkeit des Plättchenkörpers betrug
nach mehreren Versuchen 1,7/Um/Min., wobei die Plättchen
durch das Polieren nicht zerkratzt wurden.
sy :bü
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Claims (9)
1. Poliermittelzusammensetzung zum Polieren der Oberfläche
von Silicium und/oder Germanium in Form einer wäßrigen Aufschlämmung oder eines Produktes, das, mit Wasser verdünnt,
eine wäßrige Aufschlämmung ergibt, wobei Grundlage der Zusammensetzung ein Poliermittel aus teilchenförmigem,
synthetischem, amorphem Siliciumdioxid mit einer durchschnittlichen Teilchengröße der Sekundärteilchen
von weniger als etwa 30 ,um und ein Suspendiermittel für das Siliciumdioxid ist„ dadurch gekennzeichnet, daß
sie als Suspendiermittel ein wasserlösliches Carboxypolymethylenharz
oder Xanthum-Gummi enthält.
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2. Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie etwa 0,5 bis 30 Gew.% des Suspendiermittel, bezogen
auf das Gewicht des eingesetzten Siliciumdioxid-Poliermittels, enthält.
3. Zusammensetzung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß das Siliciumdioxid-Poliermittel wenigstens zum Teil aus einem Siliciumdioxid-Hydrogel besteht, das
mindestens etwa 50 Gew.% Wasser enthält.
4. Zusammensetzung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Siliciumdioxid-Hydrogel etwa 55 bis 75 Gew.% Wasser
enthält.
5. Zusammensetzung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet,
daß sie ein Siliciumdioxid-Aerogel mit einer
durchschnittlichen Sekundärteilchengröße von unter 4 ,um
in einem Anteil von etwa 5 bis 10 Gewichtsteilen pro Gewichtsteil des Suspendiermittels enthält.
6. Zusammensetzung nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet,
daß sie ein Siliciumdioxid-Aerogel mit einer durchschnittlichen Teilchengröße von etwa 1 bis 3 ,um in
einem Anteil von etwa 0,02 bis 0,05 Gewichtsteilen pro Gewichtsteil Siliciumdioxid-Hydrogel enthält.
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7. Zusammensetzung nach einem der vorhergehenden Ansprüche in Form einer Poliermittelaufschlämmung, dadurch gekennzeichnet,
daß sie etwa 3 bis 30 Gew.% des Siliciumdioxid-Poliermittels und etwa 10,1 bis 2 Gew.% des Suspendiermittels,
bezogen auf das Gesamtgewicht der Aufschlämmung, enthält.
8. Zusammensetzung nach Anspruch 7 in Form einer Poliermittelaufschlämmung,
dadurch gekennzeichnet, daß sie ein wasserlösliches, organisches Amin enthält und einen pH-Wert
von etwa 10 oder größer aufweist.
9. Verwendung einer Poliermittelzusammensetzung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8 in Form einer wäßrigen Poliermittelaufschlämmung
zum Polieren der Oberfläche von insbesondere als Halbleiterkristallplättchen vorliegendem
Silicium oder Germanium.
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US05/869,402 US4260396A (en) | 1978-01-16 | 1978-01-16 | Compositions for polishing silicon and germanium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE2901401A1 true DE2901401A1 (de) | 1979-07-19 |
Family
ID=25353488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19792901401 Withdrawn DE2901401A1 (de) | 1978-01-16 | 1979-01-15 | Poliermittelzusammensetzung zum polieren von silicium und germanium |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4260396A (de) |
| JP (1) | JPS54128890A (de) |
| BE (1) | BE873482A (de) |
| DE (1) | DE2901401A1 (de) |
| DK (1) | DK15979A (de) |
| FR (1) | FR2414387A1 (de) |
| GB (1) | GB2013234B (de) |
| IT (1) | IT1110025B (de) |
| NL (1) | NL7900298A (de) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0371147A1 (de) * | 1988-06-03 | 1990-06-06 | Monsanto Japan Limited | Schleifmittelzusammensetzung für siliciumwafer |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4474824A (en) | 1978-05-24 | 1984-10-02 | W. R. Grace & Co. | Methods of preparing hydrous silica gels |
| US5037484A (en) * | 1981-04-20 | 1991-08-06 | Alcon Laboratories, Inc. | Cleaning agent for optical surfaces |
| US4670060A (en) * | 1981-04-20 | 1987-06-02 | Alcon Laboratories, Inc. | Cleaning agent for optical surfaces |
| US4493783A (en) * | 1981-04-20 | 1985-01-15 | Alcon Laboratories, Inc. | Cleaning agent for optical surfaces |
| US4792414A (en) * | 1981-04-20 | 1988-12-20 | Alcon Laboratories, Inc. | Cleaning agent for optical surfaces |
| JPS5935429A (ja) * | 1982-08-12 | 1984-02-27 | インタ−ナシヨナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−シヨン | 半導体ウエハの製造方法 |
| DE3236180A1 (de) * | 1982-09-30 | 1984-04-05 | Akzo Gmbh, 5600 Wuppertal | Mit tensid beladene kieselsaeure, verfahren zu deren herstellung und deren verwendung |
| JPS61136909A (ja) * | 1984-12-04 | 1986-06-24 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 無水ケイ酸の水分散液組成物 |
| US4752628A (en) * | 1987-05-15 | 1988-06-21 | Nalco Chemical Company | Concentrated lapping slurries |
| EP0322721B1 (de) * | 1987-12-29 | 1993-10-06 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Feine Polierzusammensetzung für Plaketten |
| US4867757A (en) * | 1988-09-09 | 1989-09-19 | Nalco Chemical Company | Lapping slurry compositions with improved lap rate |
| US5234493A (en) * | 1988-11-08 | 1993-08-10 | Rhone-Poulenc Chimie | Stable, pumpable aqueous suspensions of precipitated silica particulates |
| FR2638756B1 (fr) * | 1988-11-08 | 1992-04-24 | Rhone Poulenc Chimie | Suspension aqueuse stable de silice de precipitation |
| US5352277A (en) * | 1988-12-12 | 1994-10-04 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Final polishing composition |
| JP2714411B2 (ja) * | 1988-12-12 | 1998-02-16 | イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー | ウェハーのファイン研摩用組成物 |
| JPH0445231U (de) * | 1990-08-20 | 1992-04-16 | ||
| CA2126137A1 (en) * | 1993-06-23 | 1994-12-24 | Robert Anthony Labrash | Low misting sprayable dispersion of colloidal silica with xanthan gum |
| US5709593A (en) * | 1995-10-27 | 1998-01-20 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for distribution of slurry in a chemical mechanical polishing system |
| KR970042941A (ko) * | 1995-12-29 | 1997-07-26 | 베일리 웨인 피 | 기계적 화학적 폴리싱 공정을 위한 폴리싱 합성물 |
| US5645736A (en) * | 1995-12-29 | 1997-07-08 | Symbios Logic Inc. | Method for polishing a wafer |
| ATE214418T1 (de) * | 1997-04-17 | 2002-03-15 | Merck Patent Gmbh | Pufferlösungen für suspensionen, verwendbar zum chemisch-mechanischen polieren |
| JPH10309660A (ja) | 1997-05-07 | 1998-11-24 | Tokuyama Corp | 仕上げ研磨剤 |
| TW419518B (en) * | 1998-02-20 | 2001-01-21 | Ind Tech Res Inst | Non-Newtonian-fluid-behaviored formulation |
| JP5017574B2 (ja) * | 2001-05-25 | 2012-09-05 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド | 酸化セリウム研磨剤及び基板の製造方法 |
| US6685540B2 (en) | 2001-11-27 | 2004-02-03 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad comprising particles with a solid core and polymeric shell |
| US7405098B2 (en) * | 2005-02-28 | 2008-07-29 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Smooth surface liquid phase epitaxial germanium |
| CN115466573B (zh) * | 2022-09-05 | 2024-02-20 | 广州飞雪芯材有限公司 | 一种用于单晶硅晶圆片的抛光液及其应用 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2765223A (en) * | 1952-08-05 | 1956-10-02 | Lea Mfg Company | Buffing compositions |
| US3170273A (en) * | 1963-01-10 | 1965-02-23 | Monsanto Co | Process for polishing semiconductor materials |
| US3275460A (en) * | 1964-11-23 | 1966-09-27 | Foseco Int | Mold dressings for use in foundry practice |
| US3428464A (en) * | 1965-02-02 | 1969-02-18 | Alchem Ltd | Refractory coating compositions |
| US3462251A (en) * | 1965-10-08 | 1969-08-19 | Ford Motor Co | Aqueous based lapping composition |
| US3328141A (en) * | 1966-02-28 | 1967-06-27 | Tizon Chemical Corp | Process for polishing crystalline silicon |
| US3429080A (en) * | 1966-05-02 | 1969-02-25 | Tizon Chem Corp | Composition for polishing crystalline silicon and germanium and process |
| US3455705A (en) * | 1968-03-07 | 1969-07-15 | Du Pont | Silicious compositions for coating heat sensitive surfaces |
| US3619962A (en) * | 1969-09-25 | 1971-11-16 | Gordon C Combe | Metal cleaner |
| US3715842A (en) * | 1970-07-02 | 1973-02-13 | Tizon Chem Corp | Silica polishing compositions having a reduced tendency to scratch silicon and germanium surfaces |
| US3817727A (en) * | 1972-03-17 | 1974-06-18 | Union Carbide Corp | Abrasive polishing suspensions and method for making same |
| US3821008A (en) * | 1972-03-20 | 1974-06-28 | Gen Mills Chem Inc | Suspending agent for refractory paints |
| DE2248719A1 (de) * | 1972-10-04 | 1974-04-11 | Alexandr Serafimowits Artjomow | Poliermittel fuer oberflaechen von festen koerpern |
| GB1471278A (en) * | 1973-07-06 | 1977-04-21 | Colgate Palmolive Co | Liquid abrasive compositions |
| US4038048A (en) * | 1975-02-14 | 1977-07-26 | Thrower Jr Herbert T | Lapping composition containing a carboxy vinyl polymer |
| US4057939A (en) * | 1975-12-05 | 1977-11-15 | International Business Machines Corporation | Silicon wafer polishing |
-
1978
- 1978-01-16 US US05/869,402 patent/US4260396A/en not_active Expired - Lifetime
-
1979
- 1979-01-15 GB GB7901473A patent/GB2013234B/en not_active Expired
- 1979-01-15 IT IT19307/79A patent/IT1110025B/it active
- 1979-01-15 BE BE192901A patent/BE873482A/xx not_active IP Right Cessation
- 1979-01-15 DK DK15979A patent/DK15979A/da not_active Application Discontinuation
- 1979-01-15 NL NL7900298A patent/NL7900298A/xx not_active Application Discontinuation
- 1979-01-15 DE DE19792901401 patent/DE2901401A1/de not_active Withdrawn
- 1979-01-15 FR FR7900906A patent/FR2414387A1/fr active Pending
- 1979-01-16 JP JP233679A patent/JPS54128890A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0371147A1 (de) * | 1988-06-03 | 1990-06-06 | Monsanto Japan Limited | Schleifmittelzusammensetzung für siliciumwafer |
| EP0371147A4 (en) * | 1988-06-03 | 1990-09-19 | Mitsubishi Monsanto Chemical Company | Abrasive composition for silicon wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DK15979A (da) | 1979-07-17 |
| IT7919307A0 (it) | 1979-01-15 |
| GB2013234A (en) | 1979-08-08 |
| FR2414387A1 (fr) | 1979-08-10 |
| JPS6114655B2 (de) | 1986-04-19 |
| IT1110025B (it) | 1985-12-23 |
| US4260396A (en) | 1981-04-07 |
| JPS54128890A (en) | 1979-10-05 |
| BE873482A (fr) | 1979-05-02 |
| GB2013234B (en) | 1982-09-02 |
| NL7900298A (nl) | 1979-07-18 |
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| JPS6250511B2 (de) | ||
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| US2296066A (en) | Pigment materials and process of making the same | |
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| DE2900620C2 (de) | ||
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| DE102017009085A1 (de) | CMP-Polierzusammensetzung, die positive und negative Siliziumoxidteilchen umfasst | |
| US6074473A (en) | Low viscosity, high solids content slurry | |
| CN107365525A (zh) | 一种消光硫酸钡及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OI | Miscellaneous see part 1 | ||
| 8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |