KR20040081012A - 자외선 조사방법 및 그것을 사용한 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 공작물 등에 자외선을 조사하는 자외선 조사장치에 관한 것으로서, 자외선 조사처리부에 있어서 링모양의 지지대에 지지된 링모양 프레임에 자외선 감응형의 점착테이프를 개재하여 유지된 반도체 웨이퍼의 하면(下面)의 위치가, 지지대의 하부(下部)에 설치된 규제부재에 의해 제한되는 것을 특징으로 한다.

Description

자외선 조사방법 및 그것을 사용한 장치{ULTRAVIOLET IRRADIATING METHOD AND AN APPARATUS USING THE SAME}
본 발명은, 반도체 웨이퍼나 전자부품 등의 공작물의 이면(裏面)에 붙여진 자외선 감응형의 점착테이프를 통하여, 공작물을 유지하고 있는 프레임 및 공작물을 향하여 자외선을 조사(照射)하는 자외선 조사장치에 관한 것이다.
종래부터 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 “웨이퍼”라 한다)나 전자부품 등의 제조공정에 있어서, 자외선 감응형의 점착테이프(이하, 단순히 “보호테이프”라한다)를 붙여서 공작물을 유지하면서 가공을 행하고 있다.
예컨대, 반도체 제조공정중에는, 웨이퍼를 칩모양으로 절단하는 다이싱공정이 있다. 상기 다이싱공정에 있어서, 웨이퍼를 유지하는 방법으로서, 링모양 프레임의 중앙에 재치(載置)한 웨이퍼를 그 이면으로부터 링모양 프레임마다 덮도록 자외선 감응형의 점착테이프를 붙여서 유지하고 있다.
즉, 웨이퍼 지지 구조체마다 고정하고, 커터에 점착테이프를 남겨서 반도체 웨이퍼를 절단했을 때의, 칩의 이지러짐이나 비산등을 방지하고 있다. 또한, 절단시의 충격력 등에 견디기 위하여 점착테이프의 점착력은 크고, 또한, 다이싱공정후의 다이본딩공정에서는 절단된 칩을 점착테이프로부터 용이하게 박리할 수 있도록, 자외선 감응형의 점착테이프를 사용하고 있다. 즉, 자외선을 조사함으로써 점착력이 저하되는 성질을 이용하고 있다.
구체적인 자외선 조사장치로는, 공작물을 커버로 덮고, 그 내부에 불활성가스를 공급하여, 자외선 램프와 웨이퍼의 사이에 개재하는 셔터를 개폐함으로써, 소정량의 자외선을 웨이퍼에 조사하고 있다(일본국 특개평6-204335호 공보참조).
그러나, 종래의 자외선 조사방법을 사용한 장치에서는, 다음과 같은 문제가 있다.
최근 고밀도설치의 요구에 따라 큰 직경의 웨이퍼(예컨대 300mm)를 사용한 박형(薄型)가공에 있어서, 그 강도가 더한층 저하하는 경향이 있다. 더욱이, 자외선조사시에 있어서 열의 발생으로 점착테이프가 연화되는 경향이 있고, 큰 직경의 웨이퍼의 자중(自重)을 전부 유지할 수 없고 느슨해져버린다. 그 결과, 다이싱된인접하는 칩끼리의 모서리부가 접촉하는 등 하여 손상시켜 버리는 문제가 있다.
또한, 칩끼리 또는 패키지끼리의 간격이, 점착테이프의 이완에 의해 좁게되면, 개별적으로 흡착콜렛등에서 픽업할 때에, 단일인 칩 등을 정확하게 인식할 수 없다고 하는 작업상태의 문제가 발생한다.
또한, 일단 열에 의해 이완해버린 점착테이프는 복원할 수가 없다. 따라서, 점착테이프에 이완이 발생한 상태에서 웨이퍼가 본딩공정에 반송되는 과정에서, 칩끼리가 접촉하여 손상하거나, 링모양 프레임과 일체인 웨이퍼로부터 각 칩을 흡착콜렛에서 흡착반송할 때, 정확하게 흡착유지할 수 없어 칩을 손상시키거나 하는 문제도 있다.
본 발명은, 이러한 사정을 고려하여 이루어진 것이며, 공작물을 유지하는 자외선 감응형의 점착테이프를 변형시키는 경우없이, 안정한 상태에서 공작물을 유지할 수 있는 자외선 조사방법 및 그것을 사용한 자외선 조사장치를 제공하는 것을 주된 목적으로 하는 것이다.
도 1은, 실시예 장치 기구부의 개략구성을 나타내는 정면도,
도 2는, 공작물의 외관사시도,
도 3은, 실시예 장치의 주요부 구성을 나타낸 도면,
도 4는, 웨이퍼가 위치규제된 상태를 나타내는 모식도,
도 5는, 규제부재의 변형예를 나타내는 도면,
도 6은, 규제부재의 변형예를 나타내는 도면,
도 7은, 공작물의 변형예를 나타내는 외관사시도이다.
본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위하여, 다음과 같은 구성을 채용한다.
공작물의 이면에 붙여진 자외선 감응형의 점착테이프를 통하여, 상기 공작물을 유지하고 있는 프레임과 공작물을 향하여, 자외선을 조사하는 자외선 조사방법에 있어서, 상기 방법은 상기 공작물의 자외선 조사시에, 상기 프레임에 유지되어 있는 공작물의 하면을 지지하여 자외선을 조사하는 과정을 포함한다.
본 발명에 의하면, 프레임에 자외선 감응형의 점착테이프를 개재하여 유지되며, 또한, 하면이 지지된 상태에서 공작물을 향하여 자외선이 조사된다. 따라서, 자외선 조사시의 열의 영향에 의한 점착테이프의 연화로, 공작물의 자중에 견뎌 끊어지지 않고 늘어나 발생하는 이완에 있어 공작물이 아래쪽으로 변위하는 것을 제한한다. 그 결과, 점착테이프의 이완에 의한 공작물의 스트레스를 억제하고, 유지하고 있는 공작물의 손상등을 방지할 수 있다.
또한, 공작물이, 예컨대, 반도체 웨이퍼를 다이싱가공한 칩이나 각종 부품이며, 이들이 소정간격을 가지고 2차원 어레이모양으로 정렬하고 있을 경우, 이들 각부품끼리의 간격을 좁히는 경우없이 항상 소정간격을 확보하여 정렬시킬 수 있다. 그 결과, 점착테이프위에서 흡착 콜렛 등으로 부품을 픽업 할 때의 위치를 정확하게 인식할 수 있는 동시에, 정확하게 픽업할 수 있는 등, 작업효율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서, 프레임이 링모양 프레임이며, 그 내경이 300mm이상인 것이 바람직하다. 300mm 이상의 대형공작물을 유지할 수 있는 경우, 공작물의 위치가 변위하지 않도록 지지하는 것이 바람직하다. 즉, 내경이 클수록 점착테이프에 의한 공작물의 유지면적 및 자중이 커지고, 자외선 조사시의 열의 영향에서 점착테이프가 이완되기 쉬워지기 때문이다.
또한, 본 발명에 있어서, 공작물이, 반도체 웨이퍼나 유리부품 또는 반도체 패키지기판인 것이 바람직하다. 반도체 웨이퍼나 유리부품 또는 반도체 패키지기판의 제조공정에 있어서, 프레임에 유지된 이들 부재에 자외선을 조사할 때에, 규제부재에서 이들 부재가 아래쪽으로 변위 하는 것을 제한 할 수 있다. 즉, 정밀부품의 가공과 같이 높은 가공 정밀도를 필요로할 경우, 자외선 감응형의 점착테이프의 변형을 없앰으로써 각 공작물의 취급, 예컨대 반송등에 있어서, 공작물에 여분의 스트레스가 발생하는 것을 방지 할 수 있다.
또한, 본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성도 채용한다.
공작물의 이면에 붙여진 자외선 감응형의 점착테이프를 통하여, 상기 공작물을 유지하고 있는 링모양 프레임과 공작물을 향하여, 자외선을 조사하는 자외선 조사장치에 있어서, 상기 장치는, 상기 공작물의 자외선 조사시에, 상기 링모양 프레임에 유지되어 있는 공작물의 아래쪽에의 변위를 규제하는 규제수단의 요소를 포함한다
본 발명에 의하면, 링모양 프레임에 자외선 감응형의 점착테이프를 개재하여 유지된 공작물을 향하여 자외선이 조사될 때에, 점착테이프의 변형에 의한 공작물의 아래쪽에의 변위가 규제부재에 의해 제한된다. 즉, 자외선 조사시의 열의 영향으로 점착테이프가 연화되고, 공작물의 자중에 의해 이완하여 공작물이 아래쪽으로 변위하는 것을 규제부재가 방지한다.
따라서, 공작물이 반도체 웨이퍼일 경우, 다이싱가공에 의해 형성된 각 칩이, 거의 수평한 상태로 유지되며, 점착테이프의 이완에 의해 인접하는 칩끼리가 접촉하는 등하여 손상하는 것을 방지 할 수 있다. 또한, 수평유지된 채 본딩공정에 반송되므로, 각 칩을 흡착콜렛으로 정확하게 흡착유지할 수 있다.
또한, 공작물이, 예컨대, 반도체 웨이퍼를 다이싱 가공한 칩이나 각종 부품이며, 이것들이 소정간격을 가지고 2차원 어레이모양으로 정렬하고 있는 경우, 이것들 각부품 끼리의 간격을 좁히는 경우없이 항상 소정간격을 확보해서 정렬시킬 수 있다. 그 결과, 점착테이프위에서 흡착콜렛 등으로 부품을 픽업할 때의 칩등의 위치를 정확하게 인식 할 수 있는 동시에, 정확하게 픽업할 수 있는등, 작업효율의 향상을 도모할 수 있다. 즉, 청구항 1에 기재한 방법을 알맞게 실현할 수 있다.
또한, 공작물의 하면으로부터 규제수단까지의 거리를 3mm이내의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 이렇게 설정하는 것에 의해, 공작물을 링모양 프레임에 거의 수평상태로 유지 할 수 있다.
또한, 규제수단은, 유리판에 의해 구성하는 것이 바람직하다. 상기 유리판으로서는, 예컨대, 소다유리나 텐팍스유리 등을 들 수 있다. 이들 유리판의 두께는, 100㎛이상인 것이 더욱 바람직하다.
이들의 부재는, 공작물이 아래쪽으로 변위하는 것을 제한하도록 지지하기 위한 강성을 가지는 동시에, 자외선을 투과시켜서 자외선 감응형의 점착테이프의 점착제를 경화시키는데도 유효하다.
또한, 규제수단은, 금속선을 격자모양으로 배치하여 구성하는 것이 바람직하다. 상기 격자모양으로 배치하는 금속선은, 그 지름이 O.5mm이하이며, 격자간격을 20mm이하로 하는 것이, 더욱 바람직하다.
또한, 규제수단은, 콜드필터에 의해 구성하는 것이 바람직하다.
이들 부재는, 공작물이 아래쪽으로 변위하는 것을 제한하도록 지지하기 위한 강성을 가지는 동시에, 자외선을 투과시켜서 자외선 감응형의 점착테이프의 점착제를 경화시키는데도 유효하다.
더욱이, 공작물이, 반도체 웨이퍼나 유리부품 또는 반도체 패키지기판인 것이 바람직하다. 즉, 정밀부품의 가공과 같이, 높은 가공정밀도를 필요로 하는 경우, 자외선 감응형의 점착테이프의 변형을 없앰으로써 각 공작물의 취급, 예컨대 반송등에 있어서, 공작물에 여분의 스트레스가 발생하는 것을 방지 할 수 있다.
[실시예]
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예 1을 설명한다.
도 1 은, 본 발명에 관한 자외선 조사장치의 실시예 1의 기구부 개략구성을 나타내는 도이고,
도 2는, 처리대상인 공작물이 프레임에 유지된 상태를 나타내는 외관사시도이다. 또한, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고 한다)는, 이면에 웨이퍼보다도 큰 자외선 감응형의 점착테이프를 붙이고, 이 점착테이프의 외주부를 링모양 프레임에 붙인 것이며, 본 실시예에서는, 웨이퍼가 링모양 프레임과 일체화한 상태로 반송된다.
본 실시예의 자외선 조사장치는, 도시하지 않는 위쪽의 다이싱장치로부터 웨이퍼 1과 일체화된 링모양 프레임(3)을 반입하는 공작물 수납부(A)와, 자외선 조사처리부(B)와, 자외선 조사처리가 끝난 웨이퍼를 도시하지 않는 아래쪽의 처리장치(예컨대, 처리가 끝난 웨이퍼 1을 링모양 프레임(3)에 유지한 채로 소요(所要)의 카세트에 수납하는 스토커장치, 혹은 다이본딩장치)를 향하여 반출하는 공작물 불출부(C)로 구성되어 있다. 또한, 공작물 수납부(A)는, 공작물 불출부(C)의 카세트에 로드/언로드하는 스토커장치와 공용가능하다.
공작물 수납부(A)에는, 라인에 따르는 수납벨트(4)와, 웨이퍼 1를 재치하여 에어실린더 5에서 승강되는 공작물 재치대 6이 설치되어 있다. 공작물 불출부(C)에는, 라인에 따르는 불출벨트(7)와, 에어실린더 8에서 승강되는 공작물 재치대 9가 설치되어 있다.
또한, 자외선 조사처리부(B)는, 도 1 및 도 3 의 요부 확대도에 나타낸 바와 같이, 링모양 프레임(3)의 프레임부분을 받아내는 링모양의 지지대(10), 지지 대(10)에 링모양 프레임(3)이 지지되어 있는 웨이퍼 1가 아래쪽으로 변위하는 것을 제한하는 규제부재(11)와, 지지대(10)를 수용한 통모양 하우징(12) 그 아래쪽에 배치되어 웨이퍼 1의 아래면을 향하여 자외선을 조사하는 자외선 램프(13), 자외선다발통(14), 셔터(15) 및 셔터구동용모터(16) 등으로부터 구성되어 있다.
지지대(10)의 최하단에는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 적외선을 차폐하는 콜드필터(17)가 설치되어 있다.
본 실시예 장치의 특징부분인 규제부재(11)는, 링모양 프레임(3)에 유지된 웨이퍼 1이 자외선 조사시에 열의 영향으로 점착테이프(2)가 연화되어 웨이퍼 1의 자중으로 연신하여 이완되지않고, 웨이퍼 1을 거의 수평유지하기 위한 것이다. 도 4에 나타낸 바와 같이, 규제부재(11)는, 웨이퍼 1이 수평유지된 상태에 있을 때, 그 표면으로부터 웨이퍼 1의 점착테이프 접착면까지의 갭 G를 3mm이내로 설정하고 있다. 3mm를 넘으면 점착테이프(2)가 열 및 웨이퍼 1의 자중에 의해 이완되고 말며, 웨이퍼 1를 거의 수평유지 할 수 없게 되기 때문이다.
또한, 규제부재(11)로서는, 자외선을 투과하는 것이면 좋고, 예컨대, 소다유리, 텐팍스유리 등을 들 수 있다. 또한, 콜드필터(17)를 규제부재(11)로서 적용할 수도 있다.
규제부재(11)에 이들 각종 유리류를 사용할 경우, 그 두께가 100㎛이상의 것이 바람직하다. 100㎛이하이면, 강성(剛性)부족에 의해, 예컨대 300mm의 웨이퍼 1등의 큰 직경이고 자중이 무거운 것의 위치를 규제하여 충분히 지지할 수 없다. 또한, 바람직한 부재로서는, 150㎛이상의 폴리에스테르 필름 또는 시트를 사용하는 것이 바람직하다.
또한, 웨이퍼 1을 유지하는 링모양 프레임(3)으로서는, 300mm의 웨이퍼 1을 가공하는 경우에 내경이 300mm이상의 것이 사용된다.
또한, 공작물 흡착기구(18)는, 링모양 프레임(3)의 부분을 흡착유지하는 복수개(예컨대, 4개)의 흡착패드(19)를 구비하고, 이들의 흡착패드(19)의 윗쪽에, 자외선 조사시에 웨이퍼 1 및 링모양 프레임(3)이 재치된 처리실(20)을 질소 가스로 치환할 때에, 처리실(20)을 폐색하기 위한 차폐판(21)이 배치되어 있다.
도 1로 되돌아가서, 본 실시예 장치는, 공작물 수납부(A)로부터 자외선 조사처리부 B에, 또한, 자외선 조사처리부 B로부터 공작물 불출부 C로 웨이퍼 1과 일체화한 링모양 프레임(3)을 흡착반송하는 트래버스기구(22)가 설치되어져 있다.
이 트래버스기구(22)는, 에어실린더 23, 24에서 승강되는 2조(組)의 공작물 흡착 기구 18, 26을 양단에 구비한 가동프레임(27)을, 에어실린더(28)에 의해, 라인방향에 배치한 가이드레일(29)에 따라 정역(正逆)이동시키도록 구성한 것이며, 한쪽의 흡착기구(18)에서 공작물 수납부(A)의 웨이퍼 1을 자외선 조사처리부 B에 공급함과 동시에, 다른 쪽의 흡착기구(26)에서 자외선 조사처리부 B의 처리가 끝난 웨이퍼 1'를 공작물 불출부 C에 보내게 되어 있다.
이상과 같이, 본 실시예에서는, 자외선조사부 B에 반송되어 온 링모양 프레임(3)과 일체화되어서 다이싱가공후의 웨이퍼 1이 지지대(10)로 받아냈을 때에, 웨이퍼 1이 아래쪽으로 변위하는 것을 규제부재(11)에 의해 소정의 높이이하로 갑자기 떨어지지 않도록 제한한다. 즉, 자외선램프(13)로부터 자외선이 조사되었을 때에, 열의 영향으로 자외선감응형의 점착테이프(2)가 연화되고, 웨이퍼 1의 자중을 이겨내지 못하고 연신하여 웨이퍼 1이 아래쪽으로 갑자기 떨어지는 것(변위)을 규제부재(11)가 방지한다.
따라서, 웨이퍼 1은, 거의 수평상태를 유지한 채, 점착테이프(2)에 의해 링모양 프레임(3)에 유지되는 결과, 다이싱후의 인접하는 칩끼리의 모퉁이부 등이 접촉하여 손상하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 자외선 조사처리부 B에서 자외선조사에 의해 점착제를 경화시킨 후에 반송할 때, 처리가 끝난 웨이퍼 1은 거의 수평상태를 유지한 채 반송되어 가므로, 예컨대, 후단(後段)의 본딩공정에 반송되었을 때, 흡착콜렛에 의해 칩을 흡착유지하여 반송할 때에 칩의 모퉁이부 등에 손상을 주는 경우없이, 정확하게 흡착유지할 수 있다.
또한, 칩끼리의 간격을 좁히는 경우없이 항상 소정간격을 확보한 정렬상태를 유지시킬 수 있으므로, 점착테이프위에서 흡착콜렛 등으로 칩(부품)을 픽업 할때의 칩등의 위치를 정확하게 인식할 수 있는 동시에, 정확하게 픽업할 수 있는 등, 작업효율의 향상을 도모할 수 있다.
본 발명은 상술한 실시예의 것에 한정하지 않고, 다음과 같이 변형 실시할 수도 있다.
(1) 상기 실시예 장치로는, 규제수단으로서 유리나 플라스틱을 사용하고 있지만, 상기 형태에 한정되지 않고, 웨이퍼 1에 자외선의 조사가 가능한 구성의 것이라면 좋다. 예컨대, 도 5에 나타내는 바와 같이, 프레임(30)에 가는 금속선(31)을 소정간격으로 병렬하여 배치한 것이나, 도 6 과 같이 가는 금속선(31)을 격자모양으로 배치한 것을 사용하여도 좋다. 또한, 도 5 및 도 6과 같이 금속선(31)을 사용하는 것은, 그 금속선끼리의 간격이 3 ∼ 20mm, 그 지름이 0.5mm이하의 것이고, 바람직하게는 지름이 O.4mm이하이다. 간격이 20mm이상 또는 지름이 0.5mm를 넘으면 자외선 조사시에 웨이퍼 1의 이면(裏面)에 그림자가 생기고말아, 자외선을 균일하게 조사할 수 없기 때문이다.
단지, 도 5 및 도 6 의 규제부재(11)를 회전, 또는, 흡착유지되고 있는 링모양 프레임(3)과 일체화한 웨이퍼 1을 회전시키면서 자외선을 조사하면 자외선조사얼룩을 해소할 수 있다.
(2) 상기 실시예에서는, 웨이퍼 1을 링모양 프레임(3)과 일체화한 경우를 예로 채용하여 설명하였지만, 도 7에 나타내는 바와 같은 반도체 패키지 기판(40)을 링모양 프레임(41)에 점착테이프(42)를 개재하여 유지한 것이어도 좋으며, 반도체 패키지 기판(40) 대신에 유리부품 등이어도 좋다.
본 발명에 의하면, 점착테이프의 이완에 의한 공작물의 스트레스를 억제하고, 유지하고 있는 공작물의 손상등을 방지 할 수 있다.
또한, 점착테이프위에서 흡착 콜렛 등으로 부품을 픽업할 때의 위치를 정확하게 인식할 수 있는 동시에, 정확하게 픽업할 수 있는 등, 작업효율의 향상을 도모할 수 있다.
또한, 높은 가공 정밀도를 필요로 할 경우, 자외선 감응형의 점착테이프의 변형을 없앰으로써 각 공작물의 취급, 예컨대 반송등에 있어서, 공작물에 여분의 스트레스가 발생하는 것을 방지 할 수 있다.
그리고 본 발명에 의하면, 링모양 프레임에 자외선 감응형의 점착테이프를 개재하여 유지된 공작물을 향하여 자외선이 조사될 때에, 점착테이프의 변형에 의한 공작물의 아래쪽에의 변위가 규제부재에 의해 제한된다. 즉, 자외선 조사시의 열의 영향으로 점착테이프가 연화되고, 공작물의 자중에 의해 이완하여 공작물이 아래쪽으로 변위하는 것을 규제부재가 방지한다.
따라서, 공작물이 반도체 웨이퍼일 경우, 다이싱가공에 의해 형성된 각 칩이, 거의 수평한 상태로 유지되며, 점착테이프의 이완에 의해 인접하는 칩끼리가 접촉하는 등 하여 손상하는 것을 방지 할 수 있다. 또한, 수평유지된 채 본딩공정에 반송되므로, 각 칩을 흡착콜렛으로 정확하게 흡착유지 할 수 있다.
또한, 공작물이, 예컨대, 반도체 웨이퍼를 다이싱가공한 칩이나 각종 부품이며, 이것들이 소정간격을 가지고 2차원 어레이모양으로 정렬하고 있는 경우, 이것들 각 부품끼리의 간격을 좁히는 경우없이 항상 소정간격을 확보해서 정렬시킬 수 있다. 그 결과, 점착테이프위에서 흡착콜렛 등으로 부품을 픽업할 때의 칩등의 위치를 정확하게 인식 할 수 있는 동시에, 정확하게 픽업할 수 있는등, 작업효율의 향상을 도모할 수 있다.

Claims (15)

  1. 공작물의 이면(裏面)에 붙여진 자외선 감응형의 점착테이프를 통하여, 상기 공작물을 유지하고 있는 프레임과 공작물을 향하여, 자외선을 조사(照射)하는 자외선 조사방법에 있어서,
    상기 방법은 공작물의 자외선 조사시에, 상기 프레임에 유지되고 있는 공작물의 하면을 지지하여 자외선을 조사하는 과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자외선 조사방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 프레임이 링모양 프레임이며, 그 내경이 300mm이상인 것을 특징으로 하는 자외선 조사방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 공작물은, 반도체 웨이퍼 또는 유리부품 또는 반도체 패키지기판인 것을 특징으로 하는 자외선 조사방법.
  4. 공작물의 이면에 붙여진 자외선 감응형의 점착테이프를 통하여, 상기 공작물을 유지하고 있는 링모양 프레임과 공작물을 향하여, 자외선을 조사하는 자외선 조사장치에 있어서,
    상기 장치는, 상기 공작물로의 자외선 조사시에, 상기 링모양 프레임에 유지되어 있는 공작물의 아래쪽으로의 변위를 규제하는 규제수단의 요소를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 자외선 조사장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 공작물의 하면으로부터 규제수단까지의 거리를 3mm이내의 범위로 설정하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 규제수단은, 유리판에 의해 구성하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사장치.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 유리판은, 소다유리나 텐팍스유리인 것을 특징으로 하는 자외선 조사장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 유리판의 두께는, 100㎛이상인 것을 특징으로 하는 자외선 조사장치.
  9. 제 4항에 있어서,
    상기 규제수단은, 자외선을 투과하는 플라스틱에 의해 구성하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 플라스틱은, 폴리에스테르 필름이나 폴리에스테르 시트인 것을 특징으로 하는 자외선 조사장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 폴리에스테르 필름이나 폴리에스테르 시트의 두께는, 150㎛이상인 것을 특징으로 하는 자외선 조사장치.
  12. 제 4항에 있어서,
    상기 규제수단은, 금속선을 격자모양으로 배치하여 구성하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 격자모양으로 배치하는 금속선은, 그 지름이 0.5mm이하이며, 격자간격을 20mm이하로 하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사장치.
  14. 제 4항에 있어서,
    상기 규제수단은, 콜드필터에 의해 구성하는 것을 특징으로 하는 자외선 조사장치.
  15. 제 4항에 있어서,
    상기 공작물은, 반도체 웨이퍼 또는 유리부품 또는 반도체 패키지기판인 것을 특징으로 하는 자외선 조사장치.
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