JPH03180049A - 半導体装置のピックアップ方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、エキスパンドテープ等に固定された半導体装
置を引き剥がす方法に関する。

〔従来の技術〕

半導体装置の製造工程においては、半導体ウェー八をエ
キスパンドテープに貼り付け、エキスパンドテープ上で
半導体ウェー八をチップ状に分割し、分割された半導体
装置を一つずつエキスパンドテープから引き剥がし、こ
れを所定のパッケージにダイボンディングしたり、所定
のトレイに収納したりすることが行われている。

ところで、エキスパンドテープは、その表面に粘着材に
より形成された粘着層を有する粘着テープである。この
粘着材には、半導体ウェー八をチップ状に分割するダイ
、シング中に、分割された半導体装置が位置ズレを起こ
さないよう強力な粘着力を持ったものが使用される。

このように、粘着力の強い粘着材を使用していると、バ
ックメタルが施された半導体装置をエキスパントテープ
から引き剥がす場合には、バックメタルが剥がれてしま
うことがある。

この様な場合に、バックメタルの剥がれを防止するため
、エキスバンドテープから半導体装置を引き剥がす前に
、エキスパンドテープに紫外線を照射し、粘着材の粘着
力を低下させることが行われている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、従来はエキスパンドテープに紫外線を照
射するとき、エキスパンドテープの裏面全面に紫外線を
照射していたので、エキスバンドテープ全体の粘着力が
該紫外線照射によって低下してしまう。また、時間の経
過と共に粘着力は僅かながら自然に低下する。このため
、エキスバンドテープ上に半導体装置を例えば半分残し
、残った半導体装置をエキスパンドテープ上に接着させ
たまま保存しようとすると、保存中に受ける外力により
半導体装置の位置ズレが容易に生じてしまうなどの不都
合があり、再保存に適していなかった。

そこで、本発明は、上述の事情に鑑み、エキスパンドテ
ープ等の粘着層上に半導体装置を部分的に残し、残った
半導体装置を強い粘着力をもってそこに接着させたまま
保存することが可能な半導体装置のピックアップ方法を
提供することを目的としている。

〔課題を解決するための手段〕

上述の目的を達成するため、本発明による半導体装置の
ピックアップ方法においては、紫外線が照射されると粘
着力が低下する粘着層の、一の半導体装置が固定されて
いる部分毎に、その部分の粘着層に対してその部分の外
周部より内側の所定範囲内に紫外線が照射されることを
特徴としている。

〔作用〕

このようになっているので、本発明による半導体装置の
ピックアップ方法においては、一の半導体装置毎に、こ
れを固定する粘着層の粘着力のみを弱めることが可能と
なる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について第１図を参照しつつ、説
明する。

第１図は複数の半導体装置が固定されているエキスパン
ドテープの裏面に紫外線を照射している状態を示してい
る。エキスパンドテープ１の表面１ａには紫外線が照射
されると粘着力が低下する粘着材により粘着層が形成さ
れており、この粘着層上に複数の半導体装置（チップ）
２が接着固定されている。このチップ２をエキスパンド
テープ１から引き剥がす場合、粘着層に対してエキスパ
ンドテープ１の裏側から紫外線照射手段３により紫外線
を照射して粘着層の粘着力を低下させることが行われる
。このとき、本発明による半導体装置のピックアップ方
法おいては、一のチップが固定されている部分毎に数秒
間ずつ紫外線を照射することとしており、紫外線が照射
され粘着力が低下した部分の粘着層に固定されているチ
ップ毎にこれをエキスパンドテープから引き剥がすこと
としている。そして、一のチップ２が固定されている部
分の粘着層に紫外線を照射する場合に、その部分の外周
部から例えば少なくとも０．１ｍｍ内側の所定範囲内に
紫外線を照射することとしている。

この紫外線の照射範囲を図示すると、例えば第２図に斜
線で示したようになる。このように、紫外線の照射範囲
をチップが固定されている部分の内側に限定するのは、
次のような理由による。

すなわち、紫外線の照射範囲が、第３図に斜線で示した
ように、チップ２の固定されている部分から外にはみだ
していると、照射範囲が近接したチップの裏側まで達し
ていなくても、粘着材の重合反応の伝搬や紫外線のにじ
み等により、紫外線が照射されていないにも拘らず近接
した他のチップを固定している粘着層の粘着力が低下し
てしまう。このため、チップ２をエキスバンドテープ１
上に残したまま保存しようとする場合に、紫外線が照射
された部分に近接して固定されているチップの位置ズレ
を生じ易いという理由からである。

このようにすることにより、紫外線の照射による粘着力
の低下は、引き剥がそうとしているチップ以外には起こ
らないようになる。

なお、紫外線照射手段３としては、上述したように限定
された範囲内のみに紫外線を照射することができる構造
のものであればよく、例えば紫外線を発する光源からレ
ンズや反射鏡あるいはライトガイド等を用いて紫外線を
所定の限定された範囲内に照射する構造のものが考えら
れる。

そして、このようにして粘着力が弱められた部分に固定
されているチップは、図示しない突き上げピンによりエ
キスパンドテープにより突き上げられた後、図示しない
コレットにより真空吸着されてエキスバンドテープから
１つずつ引き剥がされる。

比較のため、紫外線の照射範囲が第２図に示したように
チップ底面の内側の直径０．８ｍｍの範囲内に限定され
た場合と、第３図に示したように直径１．５ｍ＋＊の範
囲内とされチップ底面からはみだす場合とで、粘着層に
よるチップの接着強度が紫外線照射後にどのような値と
なるか調べた結果を下表に示す。なお、下表は１泪角の
チップをエキスパンド率１３０％で拡張したエキスパン
ドテープ上から引き剥がす場合の接着強度を示しており
、紫外線照射前の接着強度はいずれの場合も１５ｇであ
る。

この表からも明らかなように、引き剥がしの対象とされ
ているチップの接着強度は、照射範囲がチップ底面の内
側に限定されている場合には、紫外線照射により３ｇま
でしか低下しないが、これはエキスバンドテープからチ
ップを容易に引き剥がすことのできる接着強度であり、
なんら問題はない。これに対し、引き剥がし対象のチッ
プに隣接したチップの接着強度に注目すると、照射範囲
をチップ底面内に限定した場合には紫外線照射前と変わ
りなく、このままエキスパンドテープ上に残されたチッ
プを保存するのに支障はないが、照射範囲がチップ底面
からはみでている場合には接着強度は５ｇまで低下して
おり、このままエキスバンドテープ上に残されたチップ
を保存すると、容易に位置ズレが生ずると考えられ、チ
ップの再保存に適さないことが解る。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明による半導体装置のピック
アップ方法によれば、一の半導体装置毎に、これを固、
定する粘着層の粘着力のみを弱めることが可能となり、
これに隣接した半導体装置を固定する粘着層の粘着力を
低下させることがない。

それゆえ、半導体装置を必要な数だけエキスバンドテー
プから引き剥がしたところで、半導体装置のピックアッ
プを途中で中止し、残りの半導体装置を強い粘着力をも
ってエキスパンドテープ上に接着させたまま保存するこ
とが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は紫外線照射の様子を示した図、第２図及び第３
図は紫外線の照射範囲を示した図である。 １・・・エキスバンドテープ、２・・・半導体装置（チ
ップ）、３・・・紫外線照射手段。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 紫外線が照射されると粘着力が低下する粘着層を有した
   エキスパンドテープの該粘着層上に固定されている複数
   の半導体装置を１つずつ前記エキスパンドテープから引
   き剥がす半導体装置のピックアップ方法であって、 一の半導体装置が固定された部分毎に前記粘着層に対し
   て、その部分の外周部より内側の所定範囲内に紫外線を
   照射し、紫外線が照射された部分に固定されている半導
   体装置を前記エキスパンドテープから引き剥がすことを
   特徴とする半導体装置のピックアップ方法。