KR20040046660A - 펌핑전압 발생장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전압변화에 따른 효율적인 펌핑전압(Vpp)을 발생시키는 펌핑전압 발생장치로서, 복수개의 펌핑전압 레벨을 감지하여, 각각의 레벨별 감지결과에 따른 복수개의 인에이블신호를 출력하는 디텍터와, 디텍터로부터 출력된 인에이블신호에 의해 펌펑전압의 발진 주기를 결정하는 신호를 출력하는 주기결정부와, 주기결정부로부터 출력된 발진주기 결정신호를 이용하여 펌핑전압을 만드는 펌핑주기를 결정하는 신호를 출력하는 오실레이터와, 펌핑주기를 결정하는 신호에 의해 펌핑을 제어하는 신호를 출력하는 제어구동부와, 제어구동부로부터 출력된 펌핑제어신호 의해 전압을 펌핑하는 펌핑부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

펌핑전압 발생장치{VPP generator}
본 발명은 펌핑전압 발생장치에 관한 것으로서, 두 개의 디텍션 레벨을 가지고 펌핑전압(Vpp)의 소모량을 알아내어 적절한 펌핑을 하도록 함으로써 전력소모를줄이는 펌핑전압 발생장치에 관한 것이다.
일반적으로 DRAM에서는 워드라인에서의 엔모스 트랜지스터의 문턱전압이 떨어지는 것을 방지하기 위해 메모리 셀 어레이의 전압보다 높은 고전압(VPP)을 사용한다. 특히, 저전압 DRAM은 속도 및 특성을 고려하여 고전압을 필요로 하는 경우가 많아져 높은 고전압(VPP)을 만들기 위한 회로의 설계가 필요하게 되었다.
도 1은 종래의 펌핑전압 발생장치의 구성도로서, 종래의 펌핑전압 발생장치는 디텍터(detector)(1), 오실레이터(oscillator)(2), 제어구동부(3), 펌핑부(4)로 구성되며, 펌핑부(4)를 통해 출력되는 펌핑전압(Vpp)이 다시 디텍터(1)의 입력이 되는 피드백 구조를 가진다.
디텍터(1)는 펌핑부(4)를 통해 출력되는 펌핑전압(Vpp)의 전위를 감지하여, 그 감지결과에 따라 펌핑발진 인에이블신호(Vpp_en)를 출력한다.
디텍터(1)를 더욱 상세히 설명하기 위해 도 2를 참조하면, 디텍터(1)는 저항(R1, R2, R3, R4) 및 차동증폭기(5)를 구비하여, 펌핑전압(Vpp)이 펌핑전압(Vpp) 타겟레벨(Target level)인지 감지한다. 저항(R1, R2, R3, R4)은 펌핑전압(Vpp)과 접지전압(Vss) 사이에 직렬로 연결되어 전압을 분배하여 출력한다.
차동증폭기(5)는 피모스 트랜지스터(P1, P2), 엔모스 트랜지스터(N1, N2, N3) 및 인버터(I1)를 구비하며, 피모스 트랜지스터(P1, P2)가 커런트미러를 구성하고, 엔모스 트랜지스터(N1, N2)에 의해 상술한 저항(R1, R2, R3, R4)에 의해 분배되어 출력된 신호와 (vrc)의 비교값을 증폭하여 출력한다. 이렇게 출력된 신호는 인버터(I1)를 통해 반전되어 출력된다.
오실레이터(2)는 디텍터(1)의 출력단에 연결되어 디텍터(1)로부터 출력된 펌핑발진 인에이블신호(Vpp_en)의 활성화여부에 따라 펌핑제어를 위한 펄스신호를 주기적으로 출력한다.
오실레이터(2)는 도 3에서 도시한 바와 같이 낸드 게이트(ND1), 인버터(12 내지 I5)를 직렬로 연결하고, 맨 마지막에 연결된 인버터(I5)의 출력이 낸드게이트(ND1)의 입력이 되는 피드백 구조를 가진다.
제어구동부(3)는 오실레이터(2)의 출력단자와 연결되고, 오실레이터(2)로부터 출력된 발진 주기에 따라 구동제어신호를 출력하고, 펌핑부(4)는 제어구동부(3)의 출력단자에 연결되어 제어구동부(3)로부터 출력된 제어신호의 활성화여부에 따라 차지 펌핑을 하여 펌핑전압(Vpp)을 출력한다.
이러한 종래의 펌핑전압 발생장치는 펌핑전압의 소모량이 많고 적음에 상관없이 일정한 발진주기를 가지고 차지펌핑(charge pumping)을 하여 펌핑전압을 만들었다.
도 4에서 도시한 바와같이, 펌핑전압(Vpp)은 펌핑전압(Vpp) 타겟레벨(target level)을 기준으로 싸인곡선을 그리고 있다. t1 지점은 디텍터(1)가 타겟레벨을 감지한 시점이고, t1에서 t2까지의 시간은 레벨을 감지하고 나서 반응타임(response time)이며, t2 지점은 디텍터(1)가 타겟레벨 보다 펌핑전압(Vpp)가 떨어졌음을 감지하고 차지 펌핑(pumping)을 시작하는 시점이다.
t2 지점부터 펌핑을 시작하여, t3 지점에서 펌핑이 완료되고, t3에서 t4까지의 시간에는 펌핑전압(Vpp) 소모 또는 손실에 의해 펌핑전압(Vpp)이 드랍(drop)되고, VPP 타겟레벨(target level)을 감지하여 펌핑을 다시 준비한다.
이와같이, 종래의 펌핑주기는 일정하며, 펌핑주기의 폭은 펌핑전압(Vpp)을 가장 많이 소모하는 경우에 대비하여 결정된다. 그러나, 펌핑전압(Vpp)은 액티브, 리프레시 등 각각의 다양한 동작 때마다 그 소모량이 다르므로 그에 따른 펌핑주기도 다르게 적용되어야 효과적이다.
따라서, 종래에는 이러한 사항을 무시하고 무조건 가장 큰 펌핑전압(Vpp) 소모량에 맞추어 펌핑주기를 결정하여, 대부분의 동작에서는 펌핑전압(Vpp) 소모가 최대치에 미치지 못하는 경우가 많아, 기존의 펌핑주기에 따라 펌핑을 하게되면, 대부분의 동작에서 필요치 않은 과도한 펌핑동작으로 인해 불필요한 전력소모가 발생한다. 또한, 과도한 펌핑동작으로 인해 펌핑전압(Vpp)의 변화폭이 커져서 노이즈가 발생된다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 두 개의 감지레벨을 두어 수시로 변하는 펌핑전압(Vpp)의 소모량을 용이하게 파악함으로써, 펌핑전압(Vpp) 소모량에 맞는 적정 펌핑전압(Vpp)을 생성하여 전력소모를 줄이고 노이즈를 방지하는 데 있다.
도 1은 종래의 펌핑전압 발생장치의 구성도.
도 2는 도 1의 디텍터(1)의 구체적인 내부 회로도.
도 3은 도 1의 오실레이터(2)의 구체적인 내부 회로도.
도 4는 종래의 펌핑전압 발생장치의 동작 그래프.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 펌핑전압 발생장치의 구성도.
도 6은 도 5의 디텍터(10)의 내부 회로도.
도 7은 도 5의 주기결정부(11)의 내부 회로도.
도 8a는 도 5의 오실레이터(12)의 내부 회로도.
도 8b는 도 8a의 인버터의 구체적인 내부 회로도.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 펌핑전압 발생장치의 동작 그래프 및 타이밍도.
상기 과제를 달성하기 위한 본 발명은 복수개의 펌핑전압 레벨을 감지하여, 각각의 레벨별 감지결과에 따른 복수개의 인에이블신호를 출력하는 디텍터와, 디텍터로부터 출력된 인에이블신호에 의해 펌펑전압의 발진 주기를 결정하는 신호를 출력하는 주기결정부와, 주기결정부로부터 출력된 발진주기 결정신호를 이용하여 펌핑전압을 만드는 펌핑주기를 결정하는 신호를 출력하는 오실레이터와, 펌핑주기를 결정하는 신호에 의해 펌핑을 제어하는 신호를 출력하는 제어구동부와, 제어구동부로부터 출력된 펌핑제어신호 의해 전압을 펌핑하는 펌핑부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 목적 및 기타의 목적과 본 발명의 특징 및 이점은 첨부도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통해 보다 분명해 질 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 펌핑전압 발생장치의 구성도로서, 펌핑전압 발생장치는 디텍터(10), 주기결정부(11), 오실레이터(12), 제어구동부(13), 펌핑부(14)를 구비하며, 펌핑부(14)를 통해 출력되는 펌핑전압(Vpp)이 다시 디텍터(10)의 입력이 되는 피드백 구조를 가진다.
디텍터(10)는 펌핑부(14)를 통해 출력되는 펌핑전압(Vpp)의 전위를 레벨별로 감지하여, 각 레벨에 따른 디텍션 인에이블신호(det1_en, det2_en)를 출력한다. 즉, 두 개의 디텍션 레벨을 가지고 있어, 펌핑전압(Vpp)의 전위가 프리디텍션레벨(det1) 상태인지, 펌핑전압 타겟레벨(det2) 상태인지 여부를 감지하여, 프리디텍션레벨(det1) 인 경우에는 프리디텍션레벨 인에이블신호(det1-en)를 출력하고, 펌핑전압 타겟레벨(det2)인 경우에는 펌핑전압 타겟레벨 인에이블신호(det2_en)를 출력한다.
디텍터(10)를 상세히 설명하기 위해 도 6을 참조하면, 전원전압(Vdd)과 접지전압(Vss) 사이에 직렬로 연결된 4개의 저항(R5, R6, R7, R8)을 중심으로 종래의 디텍터(1)의 차동증폭부(15, 16)를 이중으로 구비하여, 각각의 차동증폭부(15, 16)로부터 각각의 디텍션 인에이블신호(det1_en, det2_en)를 출력한다.
차동증폭부(15)는 피모스 트랜지스터(P3, P4)를 구비하는 커런트 미러와 입력되는 전압을 비교 증폭하는 엔모스 트랜지스(N4, N5), 인에이블 신호에 의해 구동되는 엔모스 트랜지스터(N6)를 구비하여, 프리디텍션레벨 인에이블신호(det1_en)를 출력한다.
또한, 피모스 트랜지스터(P5, P6)를 구비하는 커런트 미러, 입력되는 각각의 두 전압을 비교 증폭하는 엔모스 트랜지스(N7, N8), 인에이블 신호에 의해 구동되는 엔모스 트랜지스터(N9)를 구비하여 펌핑전압 타겟 레벨 인에이블신호(det2_en)를 출력한다.
저항(R5, R6, R7, R8)에 의해 전압이 분배되어 출력되고, 저항(R5) 및 저항(R6)의 공통점에서 출력되는 전압에 의해 차동증폭부(15)의 엔모스 트랜지스터(N5)가 동작하고, 저항(R6) 및 저항(R7)의 공통점으로 분배되어 출력되는 전압에 의해 차동증폭부(16)의 엔모스 트랜지스터(N7)가 구동된다.
주기결정부(11)는 디텍터(10)의 출력단자에 연결되어, 디텍터(10)로부터 두 개의 디텍션 인에이블신호(det1_en, det2_en)를 수신하여, 펌핑전압(Vpp) 소모량에 따른 발진주기를 결정하는 신호를 출력한다.
주기결정부(11)를 구체적으로 설명하기 위해 도 7을 참조하면,주기결정부(11)는 펄스생성부(70)와 발진주기 발생부(71)로 구분된다.
펄스생성부(70)는 복수개의 인버터(I8 내지 I15) 및 낸드게이트(ND2)를 구비하여, 디텍션(10)으로부터 수신한 프리디텍션레벨 인에이블신호(det1_en)를 이용하여 일정 폭을 갖는 펄스(A)를 출력한다.
발진주기 발생부(71)는 복수개의 인버터(I16 내지 I23), 복수개의 엔모스 트랜지스터(N10 내지 N13) 및 낸드게이트(ND3)을 구비하여, 상술한 펄스(A) 폭 동안의 프리디텍션레벨(det1)과 펌핑전압 타겟레벨(det2)의 펌핑전압(Vpp) 전위를 감지하여 발진주기결정신호(osc_sel)를 출력한다.
즉, 상술한 펄스(A) 구간동안의 프리디텍션레벨 인에이블신호(det1_en) 및 펌핑전압 타겟레벨 인에이블신호(det2_en)가 하이상태인지 로우상태인지를 이용하여 펌핑전압(Vpp)의 소모 정도를 판별하여, 펌핑전압(Vpp)의 소모정도에 따라 발진주기를 결정하는 신호(osc_sel)를 출력한다.
여기서, 프리디텍션레벨 인에이블신호(det1_en)가 인에이블된 후, 기준시간 이전에 그 다음 레벨인 펌핑전압 타겟레벨 인에이블신호(det2_en)가 활성되면, 펌핑전압(Vpp)이 빠르게 소모된 것으로 판별되어, 로우(low)상태의 발진주기결정신호(osc_sel)가 출력된다.
한편, 프리디텍션레벨 인에이블신호(det1_en)가 인에이블된 후, 기준시간 이후에 그 다음 레벨인 펌핑전압 타겟레벨 인에이블신호(det2_en)가 활성되면, 펌핑전압(Vpp)이 느리게 소모된 것으로 판별되어, 하이(high)상태의 발진주기결정신호(osc_sel)가 출력된다.
즉, 프리디텍션레벨(det1)을 감지하고, 펌핑전압 타겟레벨(det2)를 감지하기까지 걸린시간이 짧을수록 펌핑전압(Vpp)이 빠르게 많이 소모되는 것이고, 프리디텍션레벨(det1)을 감지하고, 펌핑전압 타겟레벨(det2)를 감지하기까지 걸린 시간이 길수록 펌핑전압(Vpp)이 천천히 조금씩 소모되는 것이다.
즉, 프리디텍션레벨(det1)과 펌핑전압 타겟레벨(det2) 사이의 기울기가 가파르면 펌핑전압이 빠르게 소모되는 것으로 판단하여, 빠른 차지펌핑을 위한 빠른 발진주기를 만드는 하이상태의 주기결정신호(osc_sel)를 출력한다. 반면, 프리디텍션레벨과 펌핑전압 타겟 레벨 사이의 기울기가 완만하면, 펌핑전압이 느리게 소모되는 것으로 판단하여, 느린 차지펌핑을 위한 느린 발진주기를 만드는 로우상태의 주기결정신호(osc_sel)를 출력한다. 이와같이, 주기결정부(11)는 두 개의 디텍션 레벨 사이의 시간을 체크하여 발진주기를 결정하는 신호(osc_sel)를 출력한다.
오실레이터(12)는 주기결정부(11)의 출력단에 연결되며, 주기결정부(11)로부터 출력되는 발진주기결정신호(osc_sel)가 로우상태이면 펌핑전압(Vpp) 소모가 크므로 고주파 오실레이터를 인에이블시키고, 발진주기결정신호(osc_sel)가 하이상태이면 펌핑전압(Vpp) 소모가 적으므로 저주파 오실레이터를 인에이블시킨다.
오실레이터(12)를 더욱 상세히 설명하고자 도 8a 및 도 8b를 참조하면, 도 8a는 오실레이터(12)의 구체적인 내부회로도이고, 도 8b는 도 8a에 도시한 인버터(I5 내지 I8)의 구체적인 내부회로도이다.
도 8a에 도시한 바와 같이, 오실레이터(12)는 낸드게이트(ND4)와 복수개의 인버터(I24 내지 I27)를 직렬로 연결하여 구성한다. 낸드게이트(ND4)는 디텍터(10)로부터 출력되는 펌핑전압 타겟레벨 인에이블신호(det2_en)와 인버터(I27)로부터 출력되는 신호를 두 입력으로 하여 논리연산을 수행하여 그 논리연산 결과를 인버터(I5)로 출력한다.
낸드게이트(ND4)의 출력단자에 연결되어 직렬로 나란히 연결된 인버터(I24 내지 I27)는 주기결정부(11)로부터 출력된 발진주기결정신호(osc_sel)를 입력으로 한다. 각각의 인버터(I24 내지 I27)를 구체적으로 설명하기 위해 도 8b를 참조하면, 인버터(I24 내지 I27)는 낸드게이트(ND5, ND6), 인버터(I28 내지 I32), 노아게이트(NOR1, NOR2), 트랜지스터(P7, P8, N14)를 구비하여, 앞선 인버터의 출력과 발진주기결정신호(osc_sel)에 따라 발진주기 출력이 결정된다.
여기서, 피모스 트랜지스터(P7, P8)는 발진주기결정신호(osc_sel)에 의해 제어되어 동작하며, 발진주기결정신호(osc_sel)에 따라 발진주기가 변경된다.
피모스 트랜지스터(P7, P8)는 항상 켜져 있다가 펌핑전압 소모량이 적어져서 발진주기결정신호(osc_sel)가 하이상태이면 한쪽 트랜지스터가 턴오프되어 발진주기가 커지게 되므로 펌핑전압 소모가 적은 경우 천천히 펌핑할 수 있게 된다.
또한, 프리디텍션레벨 인에이블신호(det1_en)가 로우상태로 입력되면 발진주기결정신호(osc_sel)는 무조건 하이상태가 되어 한쪽의 피모스 트랜지스터를 턴오프시켜 사용하지 않는 피모스 트랜지스터로 전류가 흐르는 것을 방지한다.
제어구동부(13)는 오실레이터(12)의 출력단자와 연결되고, 오실레이터(12)로부터 출력된 발진 주기에 따라 구동제어신호를 출력하고, 펌핑부(14)는 제어구동부(13)의 출력단자에 연결되어 제어구동부(13)로부터 출력된 제어신호의활성화여부에 따라 차지 펌핑을 하여 펌핑전압(Vpp)을 출력한다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 펌핑전압 발생장치의 동작 그래프 및 타이밍도로서, 펌핑전압(VPP)곡선이 프리디텍션레벨(Pre-detection level)인 det1 지점과 펌핑전압(Vpp) 타겟레벨(Target level)인 det2를 기분으로 싸인곡선을 그린다.
이렇게 감지레벨을 두 개로 구분하여, 프리디텍션레벨(det1)과 펌핑전압타겟레벨(det2)을 두어, 프리디텍션레벨(det1)을 감지하고 펌핑전압타겟레벨(det2)를 감지하기까지 걸리는 시간(t_det)을 체크한다.
즉, 도 9의 타이밍도에서 도시한 바와 같이, 프리디텍션레벨(det1)을 감지하여 프리디텍션레벨 인에이블신호(det1_en)를 활성화시키고, 펌핑전압타겟레벨(det2)을 감지하여 펌핑전압타겟레벨 인에이블신호(det2_en)를 활성화시킨다. 이때, 프리디텍션레벨 인에이블신호(det1_en)가 활성화되고 펌핑전압타겟레벨 인에이블신호(det2_en)가 활성화되는 시간을 체크한다.
여기서, 프리디텍션레벨(det1)에서 펌핑전압타겟레벨(det2)로 떨어지는 펌핑전압(Vpp) 곡선의 기울기가 급격하면 펌핑전압(Vpp)의 소모가 크다고 판단되어, 빠른 펌핑주기를 출력하여 빠른 차지펌핑을 하도록 한다.
한편, 프리디텍션레벨(det1)에서 펌핑전압타겟레벨(det2)로 떨어지는 펌핑전압(Vpp) 곡선의 기울기가 완만하면 펌핑전압(Vpp)의 소모가 작다고 판단되어, 느린 펌핑주기를 출력하여 느린 차지펌핑을 하도록 한다.
이와같이, 본 발명은 펌핑전압(Vpp)의 소모량을 감지하여, 그에 따른 펌핑주기를 출력함으로써, 펌핑전압(Vpp)의 소모량에 따른 적절한 펌핑을 하도록 하여 불필요한 전력소모를 줄인다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 두 개의 레벨로 나누어 펌핑전압의 전위를 감지하여, 펌핑전압 소모량에 따른 적합한 펌핑을 하도로 하여 불필요한 전력소모를 방지하고, 불필요한 펌핑을 제어하여 노이즈를 방지하는 효과가 있다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위한 것으로, 당업자라면 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상과 범위를 통해 다양한 수정, 변경, 대체 및 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정 변경 등은 이하의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.

Claims (7)

  1. 복수개의 펌핑전압 레벨을 감지하여, 각각의 레벨별 감지결과에 따른 복수개의 인에이블신호를 출력하는 디텍터;
    상기 디텍터로부터 출력된 인에이블신호에 의해 펌펑전압의 발진 주기를 결정하는 신호를 출력하는 주기결정부;
    상기 주기결정부로부터 출력된 발진주기 결정신호를 이용하여 펌핑전압을 만드는 펌핑주기를 결정하는 신호를 출력하는 오실레이터;
    상기 펌핑주기를 결정하는 신호에 의해 펌핑을 제어하는 신호를 출력하는 제어구동부; 및
    상기 제어구동부로부터 출력된 펌핑제어신호 의해 전압을 펌핑하는 펌핑부를 포함하는 펌핑전압 발생장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 디텍터는
    복수개의 저항을 직렬로 연결하여 전압을 분배하는 전압분배부; 및
    상기 전압분배부에 출력된 전압과 기준전압을 비교하고 증폭하여 상기 복수개의 인에이블신호를 출력하는 차동증폭부를 구비하는 것을 특징으로 하는 펌핑전압 발생장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 주기결정부는
    상기 복수개의 인에이블 신호 중 하나를 입력으로 하여 소정의 펄스를 생성하여 출력하는 펄스생성부; 및
    상기 소정의 펄스와 상기 복수개의 인에이블신호를 이용하여 발진주기를 결정하는 신호를 출력하는 발진주기 결정신호 출력부를 구비하는 것을 특징으로 하는 펌핑전압 발생장치.
  4. 제 3 항에 있어서, 상기 펄스생성부는
    직렬로 연결되어 상기 복수개의 인에이블 신호 중 하나의 인에이블 신호를 지연시키는 복수개의 반전수단; 및
    상기 반전수단의 출력을 입력으로 하여 논리연산을 수행하여 출력하는 논리수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 펌핑전압 발생장치.
  5. 제 3 항에 있어서, 상기 발진주기 결정신호 출력부는
    복수개의 반전수단과 트랜지스터수단을 구비하여, 상기 펄스와 제 1 인에이블신호를 이용하여 출력하는 출력하는 제 1 인에이블 입력수단;
    복수개의 반전수단과 트랜지스터수단을 구비하여, 상기 펄스와 제 2 인에이블신호를 이용하여 제 2 인에이블 입력수단; 및
    상기 제 1 인에이블 입력수단 및 제 2 입력수단으로부터 출력되는 신호와 상기 제 1 인에이블신호를 입력으로 하여 논리연산을 수행하는 논리수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 펌핑전압 발생장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 오실레이터는
    직렬로 연결된 복수개의 반전수단; 및
    상기 반전수단으로부터 출력되는 신호와 상기 인에이블 신호를 입력으로 하여 논리연산을 수행하는 논리연산수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 펌핑전압 발생장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 반전수단은
    상기 발진주기 결정신호와 반전수단의 출력을 입력으로 하여 반전시키는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 펌핑전압 발생장치.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100525099B1 (ko) * 2003-07-24 2005-11-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치용 고전압 발생기
KR100772711B1 (ko) * 2005-06-30 2007-11-02 주식회사 하이닉스반도체 내부전원 생성장치
KR100813527B1 (ko) * 2006-04-06 2008-03-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리의 내부 전압 발생 장치
KR100815183B1 (ko) * 2005-06-30 2008-03-19 주식회사 하이닉스반도체 내부전원 생성장치
US7477097B2 (en) 2005-09-29 2009-01-13 Hynix Semiconductor Inc. Internal voltage generating circuit
KR100900785B1 (ko) * 2007-05-14 2009-06-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 내부전압 발생기 및 발생방법
US7859347B2 (en) 2004-12-30 2010-12-28 Hynix Semiconductor Inc. Self refresh oscillator and oscillation signal generation method of the same

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100572323B1 (ko) * 2003-12-11 2006-04-19 삼성전자주식회사 멀티레벨 고전압 발생장치
KR100605575B1 (ko) * 2004-06-30 2006-07-31 주식회사 하이닉스반도체 테스트 모드시 전하 펌프에서의 토글링 주기를 변경할 수있는 내부 전압 발생 회로 및 방법
KR100680441B1 (ko) * 2005-06-07 2007-02-08 주식회사 하이닉스반도체 안정적인 승압 전압을 발생하는 승압 전압 발생기
US8199600B2 (en) * 2005-09-28 2012-06-12 Hynix Semiconductor Inc. Voltage generator for peripheral circuit
US20070070725A1 (en) * 2005-09-29 2007-03-29 Hynix Semiconductor Inc. Internal voltage supplying device
US7710193B2 (en) * 2005-09-29 2010-05-04 Hynix Semiconductor, Inc. High voltage generator and word line driving high voltage generator of memory device
JP4728777B2 (ja) * 2005-11-02 2011-07-20 株式会社東芝 電源回路
KR100821570B1 (ko) * 2005-11-29 2008-04-14 주식회사 하이닉스반도체 고전압 발생 장치
KR100728904B1 (ko) * 2005-12-28 2007-06-15 주식회사 하이닉스반도체 전압 발생기 및 이를 포함하는 반도체 메모리 장치
US7279959B1 (en) * 2006-05-26 2007-10-09 Freescale Semiconductor, Inc. Charge pump system with reduced ripple and method therefor
KR101243621B1 (ko) * 2006-07-07 2013-03-14 세미컨덕터 콤포넨츠 인더스트리즈 엘엘씨 일정한 전류 전하 펌프 제어기
KR100757933B1 (ko) * 2006-07-20 2007-09-11 주식회사 하이닉스반도체 반도체 집적 회로의 내부 전압 생성 장치 및 방법
KR100803363B1 (ko) * 2006-11-13 2008-02-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 전압 생성 회로
KR100842744B1 (ko) * 2006-11-20 2008-07-01 주식회사 하이닉스반도체 클럭조절회로 및 이를 이용한 전압펌핑장치
KR100915816B1 (ko) * 2007-10-04 2009-09-07 주식회사 하이닉스반도체 내부 전압 생성 회로
KR100902060B1 (ko) 2008-05-08 2009-06-15 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 펌핑 전압 생성 회로 및 방법
US7990741B2 (en) * 2008-07-16 2011-08-02 Aptina Imaging Corporation Comparator controlled charge pump for negative voltage booster
KR101003140B1 (ko) * 2009-03-20 2010-12-21 주식회사 하이닉스반도체 내부 전원 발생 장치와 그의 제어 방법
US7948302B2 (en) * 2009-09-08 2011-05-24 Freescale Semiconductor, Inc. Regulator having interleaved latches
US8067978B2 (en) * 2009-10-13 2011-11-29 Nanya Technology Corp. Dynamic current supplying pump
KR101097444B1 (ko) 2009-12-29 2011-12-23 주식회사 하이닉스반도체 내부전압 생성회로 및 내부전압 생성방법
KR20200125006A (ko) * 2019-04-25 2020-11-04 삼성전자주식회사 출력 전압의 발진을 검출하는 전력 변환기
US11336174B2 (en) 2019-10-18 2022-05-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Charge pump system with low ripple output voltage

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01124198A (ja) * 1987-11-06 1989-05-17 Fujitsu Ltd 不揮発性半導体記憶装置
JPH01183147A (ja) * 1988-01-18 1989-07-20 Oki Electric Ind Co Ltd 基板電位発生回路
JPH04255989A (ja) * 1991-02-07 1992-09-10 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置および内部電圧発生方法
WO1993009592A1 (en) * 1991-10-30 1993-05-13 Xilinx, Inc. Regulator for pumped voltage generator
KR960000837B1 (ko) * 1992-12-02 1996-01-13 삼성전자주식회사 반도체 메모리장치
KR100228766B1 (ko) * 1996-06-29 1999-11-01 김영환 내부 전위 발생장치
KR100235958B1 (ko) 1996-08-21 1999-12-15 김영환 반도체 메모리 장치의 복수 레벨 전압 발생기
KR100273208B1 (ko) 1997-04-02 2000-12-15 김영환 반도체메모리장치의고효율전하펌프회로
US6122185A (en) * 1997-07-22 2000-09-19 Seiko Instruments R&D Center Inc. Electronic apparatus
US6194954B1 (en) * 1997-12-31 2001-02-27 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Voltage controlled generator for semiconductor devices
JP2000222878A (ja) 1999-01-28 2000-08-11 Mitsubishi Electric Corp ダイナミックアクセスメモリ
KR20000061230A (ko) * 1999-03-24 2000-10-16 김영환 고전압 발생회로
JP3583703B2 (ja) * 2000-09-22 2004-11-04 株式会社東芝 半導体装置
JP2002197894A (ja) * 2000-12-25 2002-07-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
KR100390154B1 (ko) * 2000-12-30 2003-07-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리장치의 차지 펌프회로
KR100432890B1 (ko) * 2002-06-07 2004-05-22 삼성전자주식회사 안정적으로 승압 전압을 발생하는 승압 전압 발생 회로 및그 승압 전압 제어 방법
KR100705206B1 (ko) * 2002-07-09 2007-04-06 주식회사 하이닉스반도체 펌프 회로

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100525099B1 (ko) * 2003-07-24 2005-11-01 주식회사 하이닉스반도체 반도체 장치용 고전압 발생기
US7859347B2 (en) 2004-12-30 2010-12-28 Hynix Semiconductor Inc. Self refresh oscillator and oscillation signal generation method of the same
KR100772711B1 (ko) * 2005-06-30 2007-11-02 주식회사 하이닉스반도체 내부전원 생성장치
KR100815183B1 (ko) * 2005-06-30 2008-03-19 주식회사 하이닉스반도체 내부전원 생성장치
US7477097B2 (en) 2005-09-29 2009-01-13 Hynix Semiconductor Inc. Internal voltage generating circuit
KR100813527B1 (ko) * 2006-04-06 2008-03-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리의 내부 전압 발생 장치
KR100900785B1 (ko) * 2007-05-14 2009-06-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 내부전압 발생기 및 발생방법
US7772916B2 (en) 2007-05-14 2010-08-10 Hynix Semiconductor Inc. Internal voltage generator of semiconductor device and method for generating internal voltage

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