KR20040045876A - 구리-특이적 부식 저해제를 함유하는 반도체 기판 상의무기 잔류물 세정용 수성 세정 조성물 - Google Patents

구리-특이적 부식 저해제를 함유하는 반도체 기판 상의무기 잔류물 세정용 수성 세정 조성물 Download PDF

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KR20040045876A
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세이조퍼티마마
번하드데이빗
구엔롱
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어드밴스드 테크놀러지 머티리얼즈, 인코포레이티드
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Abstract

본 발명은 플로라이드 소스(Fluoride Source) l~35중량%, 유기아민(들) 20~60중량%, 질소성 성분, 예컨대 질소-함유 카르복실산 또는 이민 0.1~40중량%, 물 20~50중량%, 및 금속 킬레이트제(들) 0~21중량%를 포함하는 반도체 웨이퍼 세정 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 레지스트 플라즈마 애슁(ashing) 단계 후에 웨이퍼로부터 잔류물, 예컨대 정교한 구리 상호연결 구조를 포함하는 반도체 웨이퍼로부터 무기 잔류물을 제거하는 데 유용하다

Description

구리-특이적 부식 저해제를 함유하는 반도체 기판 상의 무기 잔류물 세정용 수성 세정 조성물{Aqueous Cleaning Composition Containing Copper-Specific Corrosion Inhibitor for Cleaning Inorganic Residues on Semiconductor Substrate}
종래 기술은 레지스트 애슁 단계 후에 잔류물을 제거하고 웨이퍼를 세정하기 위한 각종 화학 조성물을 이용한다고 교시하고 있다. 이들 종래 기술의 화학 조성물중 일부는 아민 및/또는 테트라알킬 수산화암모늄, 물 및/또는 기타용매와, 킬레이트제를 포함하는 알칼리 조성물을 포함한다. 또 다른 조성물은 암모늄플로라이드을 함유하는 중성 용액에 대해 산성인 것을 기본으로 한다.
각종 종래 기술의 조성물은, 금속 또는 절연체 층이 불필요하게 제거되고 바람직한 금속층, 특히 구리 또는 구리 합금형상이 부식되는 등의 단점이 있다. 일부 종래 조성물들은 세정공정에서 바람직하지 않은 구리금속 부식을 방지하기 위해 부식 억제용 첨가제를 사용한다. 그러나, 종래의 부식억제 첨가제는 잔류물과 상호작용하여 잔류물이 세정액중에 용해되는 것을 억제하기 때문에, 이들 첨가제는 세정과정에 유해한 영향을 미치는 것이 일반적이다. 또한, 종래의 첨가제는 세정공정이완료된 후에도 구리표면으로부터 쉽게 린스되지 않는다. 따라서, 이러한 첨가제는 세정하려고 했던 표면에 남게 되어, 집적회로의 오염을 유발한다. 집적회로의 오염은 오염부의 전기저항을 불리하게 증가시키고 회로내에 예측불가능한 전도 정지(failure)를 유발한다.
구리 및 텅스텐 상호연결 물질과 같은 진보된 집적회로 제조를 위한 CMP 후 클리너 조성물은 물리적 세정공정을 촉진하는 슬러리 제거 및 잔류물 용해 성분들을 포함한다. 그러나, 이들 종래의 첨가제는 통상적으로 저항 및 부식 감도를 증가시켜 금속표면에 유해한 영향을 미친다.
따라서, 본 발명의 목적은 레지스트 애슁 단계 후에 효과적으로 잔류물을 제거하고, 웨이퍼 상에 남기고자 하는 정교한 구조를 공격하여 잠재적으로 분해하지 않는 화학 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 종래의 첨가제를, 반도체 기판 상에 구리구조를 보호하기 위한 개량된 부식 저해제로 대체하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 잔류물 제거공정의 완료 후에 물 또는 기타 린스 매체로 기판을 쉽게 린스할 수 있는 개량된 부식 저해제를 제공하는 것이다.
본 발명의 기타 목적 및 장점은 하기 개시 내용과 청구범위로부터 명백해질 것이다.
관련출원
본 출원은 1997년 1월 9일에 출원된 미국 가특허출원 60/034,194호 및 1997년 4월 25일에 출원된 미국 가특허출원 60/044,824호를 우선권으로 주장하는, 1997년 8월 29일에 출원된 미국특허출원 08/924,021호를 우선권으로 주장하는 2001년 3월 3월에 출원된 미국특허출원 09/818,073의 이익을 주장한다. 또한, 본 출원은 2001년 3월 3일에 출원된 종래의 미국특허출원 09/818,073 및 1997년 8월 29일에 출원된 종래의 미국특허출원 08/924,021호에 대한 우선권을 주장하며 이와 상당 부분이 중복된다. 이 출원은 종래 출원의 발명자 이름으로 되어 있기 때문에, 이 출원은 종래출원의 부분계속출원을 구성한다. 본 출원은 2001년 3월 3일에 출원된 미국특허출원 09/818,073, 1997년 8월 29일에 출원된 미국특허출원 08/924,021호, 1997년 4월 25일에 출원된 미국 가특허출원 60/044,824호 및 1997년 1월 9일에 출원된 미국 가특허출원 60/034,194호를 참고로 인용한다.
발명의 기술분야
본 발명은 일반적으로 반도체 제조에 유용한 화학 조성물, 구체적으로는 레지스트 플라즈마 애슁(ashing) 단계 후에 웨이퍼로부터 잔류물을 제거하기 위 해 이용되는 화학 조성물에 관한 것이다. 더욱 구체적으로는, 본 발명은 정교한 구리 상호연결 구조를 포함하는 반도체 웨이퍼로부터 무기 잔류물을 제거하기 위한 세정 조성물에 관한 것이다.
도 1은 부식을 방지하기 위해서 구리금속 상에 보호층을 형성하는, 본 발명의 광범위한 실시에 유용한 구리-특이적 부식 저해제의 개략도이다.
도 2는 탈이온수에 의해 구리표면으로부터 린스되는 구리-특이적 부식 저해제의 개략도이다.
도 3은 표면과 상호작용하는 본 발명의 세정성분을 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 조성물이 잔류물과 입자를 제거하는데 사용될 수 있음을 나타낸 것이다.
도 5는 침지공정으로부터 얻은 결과를 나타내는 SEM을 도시한 것이다.
도 6은 상호연결 물질에서의 물질 에칭속도를 나타낸 것이다.
바람직한 구체예들의 상세한 설명
본 발명의 조성물은 고밀도 플라즈마 에칭에 이은 산소-함유 플라즈마를 이용한 애슁으로부터 유도되는 무기 웨이퍼 잔류물을 스트립핑하는 데 적합하다. 이러한 희석된 형태의 조성물은 CMP 후에 남아있는 알루미늄 산화물 및 기타 산화물의 슬러리 입자를 제거하는 데도 적합하다.
조성물은 (i) 암모늄플로라이드 및/또는 암모늄플로라이드의 유도체(들)와 같은 플로라이드 소스, (ii) 아민 또는 아민의 혼합물, (iii) 질소-함유 카르복실산 또는 이민, (iv) 물, 및 선택적으로 바람직하게는 (v) 1종 이상의 금속 킬레이트제를 포함하는 것이 유리하다.
본 명세서에서 사용된 플로라이드 소스이란 수성 세정 조성물에 플루오린 음이온(fluorine anions)을 제공하는 화합물 또는 화합물들의 혼합물을 의미한다.
에칭 후 제거를 위한 바람직한 조성물은 하기 성분들을, 하기에 제시된 중량%(조성물의 총 중량 기준) 범위로, 포함한다:
플로라이드 소스 1~35%
유기아민(들) 20~60%
질소-함유 카르복실산 및 이민으로부터 선택된 질소성 성분 0.1~40%
물 20~50%
금속 킬레이트제(들) 0~21%
합계 100%.
CMP 후 세정을 위한 바람직한 조성물은 하기 성분들을, 하기에 제시된 중량%(조성물의 총 중량 기준) 범위로, 포함한다:
플로라이드 소스 0.1~5%
유기아민(들) 1~15%
질소-함유 카르복실산 및 이민으로부터 선택된 질소성 성분 0~10%
물 70~98%
금속 킬레이트제(들) 0~5%
합계 100%.
상기 개시된 조성물의 성분들은 당업자가 알고 있는 바와 같이 임의의 적절 한 형태 또는 종일 수 있다. 조성물의 각 구성성분에 대한 구체적이고 바람직한 조성물 성분은 하기에 개시되어 있다.
특히 바람직한 아민은 하기 성분의 하나 또는 그 이상을 포함한다:
DGA(diglycolamine);
MDEA(methyldiethanolamine);
PMDETA(pentamethyldiethylenetriamine);
TEA(triethanolamine); 및
TEDA(triethylenediamine).
매우 유리한 다른 아민은 다음과 같은 것들을 포함한다:
헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine);
3,3-이미노비스(iminobis)(N,N-디메틸프로필아민(dimethylpropylamine));
모노에탄올아민(monoethanolamine);
2-(메틸아미노)에탄올(2-(methylamino) ethanol);
4-(2-히드록시에틸)모포린(4-(2-hydroxyethyl)morpholine);
4-(3-아미노프로필)모포린(4-(3-aminopropyl)morpholine); 및
N,N-디메틸(dimethyl)-2-(2-아미노에톡시(aminoethoxy)) 에탄올.
본 발명에서 유용한 플로라이드 소스는 암모니아 가스 또는 수산화암모늄(ammonium hydroxide) 및 하이드로젠 플로라이드(hydrogen fluoride) 가스 또는 플로르화 수소산(hydrofluoric acid)의 임의의 조합을 포함한다. 특히 바람직한 플로라이드 소스는 이것으로 한정되지는 않는, 하나 또는 그 이상의 하기 성분들을 포함한다:
암모늄플로라이드(ammonium fluoride); 및
암모늄 바이플로라이드(ammonium bifluoride).
매우 유리한 다른 플로라이드 소스는 다음과 같은 것들을 포함한다:
TEAF(triethanolammonium fluoride);
DGAF(diglycolammonium fluoride);
TMAF(tetramethylammonium fluoride);
MDEAF(methyldiethanolammonium fluoride); 및
TREAT-HF(triethylamine tris (hydrogen fluoride)).
특히 바람직한 질소-함유 카르복실산 및 이민은 하기 성분의 하나 또는 그 이상을 포함한다:
IDA(iminodiacetic acid);
글리신(glycine);
NTA(nitrilotriacetic acid);
TMG(1,1,3,-tetramethylguanidine);
히드록시에틸이미노디아세트산(hydroxyethyliminodiacetic acid); 및
EDTA(ethylenediaminetetracetic acid).
본 발명의 조성물에서 유리하게 이용가능한 다른 질소-함유 카르복실산 또는 이민은 다음과 같은 것들을 포함한다:
CH3C(=NCH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
CH3C(=NCH2CH20CH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
CH3C(=NH)CH2C(O)CH3;
(CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2;
HOOCCH2N(CH3)2; 및
HOOCCH2N(CH3)CH2COOH.
특히 바람직한 금속 킬레이트제는 다음과 같은 것들을 포함한다:
아세토아세트아미드(acetoacetamide);
암모늄 카바메이트(ammonium carbamate);
APDC(ammonium pyrrolidinedithiocarbamate);
디메틸 말로네이트(dimethyl malonate);
메틸 아세토아세테이트(methyl acetoacetate);
N-메틸 아세토아세트아미드(N-methyl acetoacetamide);
2,4-펜탄디온(2,4-pentanedione);
테트라메틸암모늄 티오벤조에이트(tetramethylammonium thiobenzoate);
1,1,1,5,5,5-헥사플루오로(hexafluoro)-2,4-펜탄디온 H(hfac);
2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디온(heptanedione) H (thd);
테트라메틸암모늄 트리플루오로아세테이트 (tetramethylammonium trifluoroacetate);
TMTDS(tetramethylthiuram disulfide);
트리플루오르아세트산(trifluoracetic acid);
젖산(lactic acid);
암모늄 락테이트(ammonium lactate);
말론산(malonic acid);
포름산(formic acid);
아세트산(acetic acid);
프로피온산(propionic acid);
감마-부티로락톤(gama-butyrolactone);
메틸디에탄올암모늄 트리플루오로아세테이트 (methyldiethanolammonium trifluoroacetate); 및
트리플루오로아세트산(trifluoroacetic acid).
전술한 바와 같이, 암모늄플로라이드 또는 치환된 플로라이드 소스와 아민(1% 이하의 양으로 계면활성제로서 존재하는 아민 제외)의 조합은 암모늄플로라이드만 또는 아민만을 함유하는 조성물보다 부석성이 적은 양호한 스트립핑 성능을 제공한다. 또한, 생성된 알칼리 용액은 종래의 아민-함유 조성물보다 낮은 처리 온도(예, 21∼40℃)에서 효과적이다.
본 발명의 조성물 중에 질소-함유 카르복실산 및/또는 이민이 존재하면 정교한 구리구조를 함유하는 반도체 기판표면으로부터 잔류물을 스트립핑하는데 상당히 효과적이다.
질소-함유 카르복실산 또는 이민은 유리 구리원자에 특이적으로 부착되는 작용기를 제공한다. 도 1에 개략적으로 도시된 바와 같이, 구리-특이적 부식 저해제 C는 잔류물 제거공정 동안 구리표면과 접촉하면서 구리표면에 부착하여 보호층을 형성함으로써 구리 표면이 킬레이트제 A+및 X-에 의해 부식되는 것을 방지한다.
또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 이러한 구리-특이적 부식 저해제 C는 탈이온수 또는 다른 용액에 의해 수월하게 린스되므로, 세정조작 후에 구리표면에 오염물이 거의 남지 않는다.
조성물의 유효성을 증가시키기 위하여, 1,3-디카르보닐(dicarbonyl) 화합물을 킬레이트제로서 사용하고 금속부식을 방지하는 것은 본 발명의 바람직한 특징이다.
각종 종래 조성물에서, 아민은 계면활성제로서 조성물중 1% 미만의 양으로존재하거나, 또는 조성물 구성성분으로서 전혀 이용되지 않는다. 또한, 종래의 조성물은 산성(pH<7) 특성을 갖는다. 본 발명의 바람직한 조성물에서는, 아민은 조성물의 주성분으로서 존재하고, 스트립핑 작용에 매우 효과적이며, 염기특성(pH>7)의 조성물을 산출한다.
본 발명의 조성물은 구체적으로 예시된 것 이외의 각종 유기아민, 치환된 암모늄플로라이드 및 질소-함유 카르복실산을 포함할 수 있다. 적합한 특성을 갖는 특정 치환된 암모늄플로라이드는 화학식 R1R2R3R4NF[여기서, 각 R종은 독립적으로 수소 및 지방족기에서 선택됨]로 표시되는 화합물을 포함한다. 적절한 질소-함유 카르복실산은 화학식 COOH-CH2-NRR'[여기서, R 및 R'은 각각 독립적으로 수소, 알킬, 아릴 및 카르복실산 부위로 구성된 군에서 선택됨]로 표시되는 것들을 포함한다. 적절한 금속 킬레이트제는 화학식 X-CHR-Y로 표시되는 1,3-디카르보닐 화합물을 포함한다. 이러한 화학식으로 표시되는 화합물에서, R은 수소원자 또는 지방족 기, 예컨대 C1-C8알킬, 아릴, 알케닐 등이다. X 및 Y는 서로 동일하거나 상이할 수 있으며, 전자를 잡아당기는 성질을 갖는 다중 결합된 부위를 함유하는 작용기이며, 예컨대 CONH2, CONHR', CN, NO2,SOR', 또는 S02Z[여기서, R'은 C1-C8알킬기를 나타내고 Z는 다른 원자 또는 기, 예컨대 수소, 할로 또는 C1-C8알킬을 나타냄]이다.
본 발명의 조성물에 유용한 다른 킬레이트제는 화학식 R1R2R3R4N+-O2CCF3[여기서, 각 R기는 독립적으로 수소 및 지방족기, 예컨대 C1-C8알킬, 아릴, 알케닐 등으로부터 선택됨]의 아민 트리플루오로아세테이트(amine trifluoroacetates)를 포함한다.
본 발명의 조성물은, 본 발명의 조성물의 주어진 최종 사용용도에 바람직하거나 유용한 바에 따라, 계면활성제, 안정제, 부식 저해제, 완충제 및 공용매로서 그러한 성분들을 선택적으로 포함할 수 있다.
본 발명의 조성물은 염소- 또는 불소-함유 플라즈마로 에칭된 다음, 산소 플라즈마로 애슁 처리된 웨이퍼용으로 특히 유용하다. 이러한 형태의 가공에 의해 발생된 잔류물은 전형적으로 금속 산화물을 포함한다. 이러한 잔류물은 효과적인 소자성능에 필요한 금속 및 티탄 질화물의 부식을 유발하지 않고 완전히 용해되기 어려운 경우가 흔히 있다. 또한, CMP 후에 남아 있는 금속 산화물과 규소 산화물 슬러리 입자는 본 발명의 조성물에 의해 효과적으로 제거된다.
본 발명의 특징 및 장점은 이로 인해 제한되지 않는 하기 실시예에 의해 더욱 상세하게 제시된다.
본 발명은 일반적으로 레지스트 플라즈마 애슁 단계 후에 웨이퍼로부터 잔류물을 제거하기 위한 반도체 제조에 유용한 화학 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 일 측면은, (i) 플로라이드 소스(fluoride source), (ii) 1종 이상의 유기아민, (iii) 질소-함유 카르복실산 또는 이민, (iv) 물, 및 선택적으로 1종 이상의 금속 킬레이트제를 포함하는 세정 조성물과 웨이퍼를 접촉시키는 것을 포함하는, 웨이퍼 상에서 레지스트 플라즈마 애슁 단계 후에 웨이퍼로부터 잔류물을 제거하는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 다른 측면은 (i) 플로라이드 소스, (ii) 1종 이상의 유기아민, (iii) 질소-함유 카르복실산 또는 이민, (iv) 물, 및 선택적으로 1종 이상의 금속 킬레이트제를 포함하는 웨이퍼 세정 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 또 다른 측면은 하기 성분들을, 하기에 제시된 중량%(조성물의 총 중량을 기준으로 함) 범위로 포함하는, 반도체 제작의 플라즈마 애슁 후에 사용하기 위한 반도체 웨이퍼 세정 조성물에 관한 것이다:
플로라이드 소스
[예, 암모늄플로라이드 및/또는 이의 유도체(들)] 1~35%
유기아민(들) 20~60%
질소-함유 카르복실산 및 이민으로부터 선택된 질소성 성분 0.1~40%
물 20~50%
금속 킬레이트제(들) 0~21%
합계 100%.
또 다른 일측면에서, 본 발명은 상기에서 개략적으로 개시된 웨이퍼 세정 조성물의 희석된 버전인, CMP(chemical mechanical polishing)후 세정에 유용한 조성물에 관한 것이다. 상기 희석된 조성물은 (i) 플로라이드 소스, (ii) 1종 이상의 유기아민(organic amine), (iii) 70% 내지 98%의 물, 및 선택적으로 1종 이상의 금속 킬레이트제와 선택적으로 질소-함유 카르복실산 또는 이민을 포함한다.
본 발명의 이러한 조성물은 플라즈마 애슁 및/또는 CMP 단계 후에 무기 잔류물을 효과적으로 제거한다.
또한, 이러한 조성물은 플라즈마 애슁 후에 금속 할라이드 및 금속 산화물 잔류물을 효과적으로 제거하고, CMP 후에 남아 있는 알루미늄 산화물 및 기타 산화물의 슬러리 입자를 효과적으로 제거한다.
본 발명의 조성물은 암모늄플로라이드 또는 아민 중 하나를 함유하는 조성물보다 부식성이 적은 양호한 스트립핑 성능을 제공한다. 본 발명의 조성물은 또한 종래의 아민 함유 조성물보다 낮은 공정온도에서 양호한 스트립핑 성능을 제공한다.
본 발명의 조성물에는 금속부식을 방지하고 스트립핑 유효성을 증가시키기 위하여 킬레이트제를 사용하며, 이 킬레이트제는 단일성분 킬레이트제 또는 다성분 킬레이트제일 수 있다.
본 발명의 기타 특징 및 장점은 하기 개시내용과 첨부된 청구범위로부터 명백해질 것이다.
실시예 1
수소-함유 카르복실산 또는 이민을 포함하는 구리-특이적 부식 저해제를 2종류의 다른 알칼리 세정 조성물에서 시험하였으며, 각 조성물은 다음과 같은 성분및 특성을 갖는다.
성분 온도(℃) pH 구리 에칭속도 (Å/분)
조성물 1 디메틸아세토아세트아미드,아민 및 물 70 6.2 17.4
조성물 2 암모늄플로라이드, 트리에탄올아민, 펜타메트디에틸렌트리아민 및 물 40 8.6 7.5
구리 에칭속도는 표준 4-점 탐침(4-point probe) 기법으로 측정하였다. 본 발명에 따른 부식 저해제를 첨가한 경우, 하기 표 2에 제시된 바와 같이 구리 에칭속도가 상당히 지연되었으며, 세정과정에서 바람직하지 않은 부식을 효과적으로 방지하였다.
부식 저해제 온도(℃) 사용된조성물 농도(%) 용액 pH 구리 에칭속도(Å/분) 에칭 속도감소율(%)
이미노디아세트산 40 2 1.5 8.0 1∼2 -73.3∼86.7
글리신 40 2 1.5 9.2 3.6 -52.0
니트릴로트리아세트산 40 2 1.5 8.2 3.6 -52.0
1,1,3,3-테트라메틸구아니딘 40 2 1.5 8.7 3.4 -54.7
CH3C(=NCH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2 70 1 24 10.9 6.2 -64.4
CH3C(=NCH2CH20CH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2 70 1 36 10.7 0.32 -98.2
CH3C(=NH)CH2C(O)CH3 40 2 13.68 7.9 4.4 -41.3
실시예 2
오염 테스트는 이미노디아세트산 저해제를 함유하는 조성물 2에서 실시하였다. 세정하고자 하는 반도체 웨이퍼는 구리 및 규소 막을 포함하였다. 세정작업을완료한 후에, 약 15분 동안 25℃에서 탈이온수로 웨이퍼를 린스하였다. 얻어진 2차 이온 질량 분광분석 데이타(SIMS)는 다음과 같다.
Cu(원자/cm2) F(원자/cm2) C(원자/cm2) Cu x O(Å)
미세정 웨이퍼 1.6 ×1010 3.3 ×1013 7.5 ×1013 42
세정 웨이퍼 8.5 ×109 5.1 ×1013 1.5 ×1013 15
전술한 결과로부터 구리 산화물 CuxO는 세정공정에 의해 효과적으로 제거되었고, 세정 조성물 중의 유기 부식 저해제에 의해 주로 유발되는 탄소오염은 상당히 감소되었다.
본 발명에서는 구리 또는 텅스텐과 같은 금속표면으로부터 규소 산화물(silicon oxide) 또는 알루미늄 산화물 입자를 CMP 후에 세정하기 위해 조성물 중에 묽은 알칼리 플로라이드(alkaline fluoride)을 사용한다. 도 3은 본 발명의 세정성분들이 표면과 상호작용하는 방법을 도시한 것이다. 특히, 도 3은 CMP 공정 후에 무기 산화물 잔류물(34)을 용해시키는 킬레이트제(32)와 알칼리 플로라이드(30)를 도시한다.
도 4는 본 발명에서 교시하는 조성물이 구리표면(copper surface)(44)에 대한 잔류물(residues)(40) 및 입자(particles)(42)를 제거하는데 사용될 수 있음을 나타낸 것이다. 도 4에서 입자(42) 및 잔류물(40)은 금속표면(44) 뿐 아니라 유전성 표면(dielectric surface)(46)에도 부착된다. 입자(42)및 잔류물(40)이 CMP 공정 후에 남아 있을 수 있다. 본 발명의 화학용액은 구리 및 텅스텐 산화물과 옥시-할라이드(oxy-halides)를 용해시킬 뿐 아니라 잔류물과 표면 사이의 인력을 저하시킨다.
금속표면으로부터 잔류물 및 슬러리 입자를 세정하는데 효과적인 것으로 밝혀진 조성물의 pH 범위는 약 3 ∼ 약 11이다. 그러나 통상적으로 pH 값은 약 7 ~ 약 9이다. 이들 조성물은 일반적으로 플로라이드 소스, 유기아민 및 금속 킬레이트제를 포함하는 수용액이다. 개개의 성분은 일반적으로 조성물의 약 0.1∼약 5.0%로 플로라이드 소스 및/또는 이의 유도체를 구성한다. 여기서, 플로라이드는 하나 또는 그 이상의 하기 성분들을 비롯한, 본 발명의 분야에서 통상의 기술을 가진 당업자에게 공지된 다수의 플로라이드 소스중 하나일 수 있다:
암모니아 가스 또는 수산화암모늄(ammonium hydroxide) 및 하이드로젠 플로라이드(hydrogen fluoride) 가스 또는 플로르화 수소산(hydrofluoric acid)의 임의의 조합;
암모늄 플로라이드(ammonium fluoride);
암모늄 바이플로라이드(ammonium bifluoride);
TEAF(triethanolammonium fluoride);
DGAF(diglycolammonium fluoride);
MDEAF(methyldiethanolammonium fluoride);
TMAF(tetramethylammonium fluoride); 및
TREAT-HF(triethylamine tris (hydrogen fluoride)).
유기아민 또는 2가지 아민의 혼합물은 전형적으로 본 발명의 조성물의 약 1∼약 15%로 포함되며, 여기서, 유기아민은 하기 성분들을 비롯한 당업자들에게 공지된 그러한 다수의 유기아민중 하나일 수 있다:
DGA(diglycolamine);
MDEA(methyldiethanolamine);
PMDETA(pentamethyldiethylenetriamine);
TEA(triethanolamine);
TEDA(triethylenediamine);
헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine);
3,3-이미노비스(iminobis)(N,N-디메틸프로필아민(dimethylpropylamine));
모노에탄올아민(monoethanolamine);
2-(메틸아미노)에탄올(2-(methylamino) ethanol);
4-(2-히드록시에틸)모포린(4-(2-hydroxyethyl)morpholine);
4-(3-아미노프로필)모포린(4-(3-aminopropyl)morpholine); 및
N,N-디메틸(dimethyl)-2-(2-아미노에톡시(aminoethoxy)) 에탄올.
혼합물의 질소성 성분은 전형적으로 혼합물의 0 내지 약 10%로 포함된다. 여기서, 질소성 성분은 하나 또는 그 이상의 하기 성분들을 비롯한 당업자에게 알려진 다수의 질소성분 소스중 하나일 수 있다:
IDA(iminodiacetic acid);
글리신(glycine);
NTA(nitrilotriacetic acid);
히드록시에틸이미노디아세트산(hydroxyethyliminodiacetic acid);
TMG(1,1,3,-tetramethylguanidine);
EDTA(ethylenediaminetetracetic acid);
CH3C(=NCH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
CH3C(=NCH2CH20CH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
CH3C(=NH)CH2C(O)CH3;
(CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2;
HOOCCH2N(CH3)2; 및
HOOCCH2N(CH3)CH2COOH.
금속킬레이트제 또는 킬레이트제의 혼합물은 전형적으로 조성물 약 0∼약 5.0%로 포함된다. 전형적인 금속 킬레이트제는 하기 성분들을 비롯한 당업자에게 알려진 다수의 금속킬레이트제 중 하나일 수 있다:
아세토아세트아미드(acetoacetamide);
암모늄 카바메이트(ammonium carbamate);
APDC(ammonium pyrrolidinedithiocarbamate);
디메틸 말로네이트(dimethyl malonate);
메틸 아세토아세테이트(methyl acetoacetate);
N-메틸 아세토아세트아미드(N-methyl acetoacetamide);
2,4-펜탄디온(2,4-pentanedione);
1,1,1,5,5,5-헥사플루오로(hexafluoro)-2,4-펜탄디온 H(hfac);
2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디온(heptanedione) H (thd);
테트라메틸암모늄 티오벤조에이트(tetramethylammonium thiobenzoate);
테트라메틸암모늄 트리플루오로아세테이트 (tetramethylammonium trifluoroacetate);
TMTDS(tetramethylthiuram disulfide);
트리플루오르아세트산(trifluoracetic acid);
젖산(lactic acid);
암모늄 락테이트(ammonium lactate);
말론산(malonic acid);
포름산(formic acid);
아세트산(acetic acid);
프로피온산(propionic acid);
감마-부티로락톤(gama-butyrolactone);
이미노디아세트산(iminodiacetic acid);
메틸디에탄올암모늄 트리플루오로아세테이트 (methyldiethanolammonium trifluoroacetate); 및
트리플루오로아세트산(trifluoroacetic acid).
조성물의 몇가지 대표적인 예로는 다음과 같은 것들이 있다:
트리에탄올아민(Triethanolamine) 4.5%
암모늄 플로라이드(Ammonium Fluoride) 0.5%
물 95%
PMDETA 3.8-4.5%
암모늄 플로라이드 0.5%
2,4-펜탄디온(2,4-Pentanedione) 1%
물 94~94.7%
TEA 1.7%
PMDETA 1.5%
TEAHF 2%
이미노디아세트산(Iminodiacetic Acid ) 0.4%
암모늄 비플로라이드(Ammonium Bifluoride) 0.5%
물 93.9%
TEA 3.5%
PMDETA 1.5%
2,4-펜탄디온 1.35%
암모늄 플로라이드 1.2%
물 92.45%
TEA 7%
PMDETA 3%
2,4-펜탄디온 2.7%
암모늄 플로라이드 2.4%
물 84.9%
웨이퍼를 화학용액에 침지하거나, 또는 분무 또는 브러쉬 스크러빙 (scrubbing) 시스템으로 화학물질을 웨이퍼 표면에 도포할 수 있다. 도 5는 표준 침지공정(standard immersion process)으로 얻은 결과를 나타내는 SEM을 도시한 것이다. 특히, 도 5는 30℃에서 10분간 포뮬라 c(formula c)에 침지 및 알루미나 슬러리(alumina slurry) CMP 후의 텅스텐 충전물(Tungsten plugs)을 도시한 것이다. 또한 노출된 물질(exposed materials)에 대한 선택성은 에칭속도(etch rate) 데이타에 의해 예시될 수 있다. 도 6 및 표 3은 전기도금된(electroplated) 구리 필름을 비롯한 상호연결(interconnect) 물질에 대한 에칭속도를 나타낸다.
물질(Material) 21℃에서 약 30분간, 에칭속도(Å/분)
구리(Copper) ∼1
질화 탄탈(Tantalum Nitride) < 0.1
티타늄(Titanium) < 0.1
질화 티타늄(Titanium Nitride) 1.0
텅스텐(Tungsten) 0.2
TEOS 1.5
BPSG 4.5
본 발명은 구체적인 특징, 측면 및 구체예들을 참조하여 기술되었으며, 따라서 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 본 발명은 상응하는 성분을 변화시킨 각종 조성물과 최종 사용용도에 의해 구체화될 수 있다. 따라서, 본 발명은 이하 청구되는 본 발명의 취지 및 범위내에서 변화예, 변형예 및 대안적인 구체예들을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

Claims (56)

  1. 유기아민, 플로라이드 소스(source) 및 물 70% 내지 98%를 포함하는 CMP (chemical mechanical polishing) 후 세정 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 금속 킬레이트제(metal chelating agent)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 후 세정 조성물.
  3. 제2항에 있어서, 상기 조성물은 질소성 성분을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 후 세정 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 플로라이드 소스는 상기 조성물의 약 0.1% 내지 약 5.0%를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 후 세정 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 플로라이드는 하기의 성분들로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 CMP 후 세정 조성물:
    암모니아 가스 또는 수산화암모늄(ammonium hydroxide) 및 하이드로젠 플로라이드(hydrogen fluoride) 가스 또는 플로르화 수소산(hydrofluoric acid)의 임의의 조합;
    암모늄플로라이드(ammonium fluoride);
    암모늄 바이플로라이드(ammonium bifluoride);
    TEAF(triethanolammonium fluoride);
    DGAF(diglycolammonium fluoride);
    TMAF(tetramethylammonium fluoride);
    MDEAF(methyldiethanolammonium fluoride); 및
    TREAT-HF(triethylamine tris (hydrogen fluoride)).
  6. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 약 1% 내지 15%의 유기아민을 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 후 세정 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 유기아민은 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 CMP 후 세정 조성물:
    DGA(diglycolamine);
    MDEA(methyldiethanolamine);
    PMDETA(pentamethyldiethylenetriamine);
    TEA(triethanolamine);
    TEDA(triethylenediamine);
    헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine);
    3,3-이미노비스(iminobis)(N,N-디메틸프로필아민(dimethylpropylamine));
    모노에탄올아민(monoethanolamine);
    2-(메틸아미노)에탄올(2-(methylamino) ethanol);
    4-(2-히드록시에틸)모포린(4-(2-hydroxyethyl)morpholine);
    4-(3-아미노프로필)모포린(4-(3-aminopropyl)morpholine); 및
    N,N-디메틸(dimethyl)-2-(2-아미노에톡시(aminoethoxy)) 에탄올.
  8. 제2항에 있어서, 상기 조성물은 약 0 내지 약 5.0% 금속 킬레이트제를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 후 세정 조성물.
  9. 제2항에 있어서, 상기 금속 킬레이트제는 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 CMP 후 세정 조성물:
    아세토아세트아미드(acetoacetamide);
    암모늄 카바메이트(ammonium carbamate);
    APDC(ammonium pyrrolidinedithiocarbamate);
    디메틸 말로네이트(dimethyl malonate);
    메틸 아세토아세테이트(methyl acetoacetate);
    N-메틸 아세토아세트아미드(N-methyl acetoacetamide);
    2,4-펜탄디온(2,4-pentanedione);
    1,1,1,5,5,5-헥사플루오로(hexafluoro)-2,4-펜탄디온 H(hfac);
    2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디온(heptanedione) H (thd);
    테트라메틸암모늄 티오벤조에이트(tetramethylammonium thiobenzoate);
    테트라메틸암모늄 트리플루오로아세테이트 (tetramethylammonium
    trifluoroacetate);
    TMTDS(tetramethylthiuram disulfide);
    트리플루오르아세트산(trifluoracetic acid);
    젖산(lactic acid);
    암모늄 락테이트(ammonium lactate);
    말론산(malonic acid);
    포름산(formic acid);
    아세트산(acetic acid);
    프로피온산(propionic acid);
    감마-부티로락톤(gama-butyrolactone);
    메틸디에탄올암모늄 트리플루오로아세테이트 (methyldiethanolammonium
    trifluoroacetate); 및
    트리플루오로아세트산(trifluoroacetic acid).
  10. 제3항에 있어서, 상기 조성물은 약 0 내지 약 10%의 질소성 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 후 세정 조성물.
  11. 제3항에 있어서, 상기 질소성 성분은 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 CMP 후 세정 조성물:
    IDA(iminodiacetic acid);
    글리신(glycine);
    NTA(nitrilotriacetic acid);
    히드록시에틸이미노디아세트산(hydroxyethyliminodiacetic acid);
    TMG(1,1,3,-tetramethylguanidine);
    EDTA(ethylenediaminetetracetic acid);
    CH3C(=NCH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NCH2CH20CH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NH)CH2C(O)CH3;
    (CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2,
    HOOCCH2N(CH3)2; 및
    HOOCCH2N(CH3)CH2COOH.
  12. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 트리에탄올아민 4.5%, 암모늄플로라이드 0.5%, 및 물 95%를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 후 세정 조성물.
  13. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 PMDETA 3.8~4.5%, 암모늄플로라이드 0.5%, 2,4-펜탄디온 1%, 및 물 94~94.7%를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 후 세정 조성물.
  14. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 TEA 1.7%, PMDETA 1.5%, 12. TEAHF 2%, 이미노아세트산 0.4%, 암모늄 바이플로라이드 0.5%, 및 물 93.9%를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 후 세정 조성물.
  15. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 TEA 3.5%, PMDETA 1.5%, 2,4-펜탄디온 1.35%, 암모늄플로라이드 1.2%, 및 물 92.45%를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 후 세정 조성물.
  16. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 TEA 7%, PMDETA 3%, 2,4-펜탄디온 2.7%, 암모늄플로라이드 2.4%, 및 물 84.9%를 포함하는 것을 특징으로 하는 CMP 후 세정 조성물.
  17. 하기의 성분들을, 이들의 총 중량을 기준으로 하기에 제시한 중량% 범위로, 포함하는 반도체 웨이퍼 세정 조성물:
    플로라이드 소스 1~35%
    유기아민(들) 20~60%
    질소-함유 카르복실산 및 이민으로부터 선택되는 질소성 성분 0.1~40%
    물 20~50%
    금속 킬레이트제(들) 0~21%
    합계: 100%.
  18. 제17항에 있어서, 상기 플로라이드 소스는 하기의 성분들로 구성된 군에서 선택되는 하나의 플로라이드 종을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물:
    암모니아 가스 또는 수산화 암모늄(ammonium hydroxide) 및 하이드로젠 플로라이드(hydrogen fluoride) 가스 또는 플로르화 수소산(hydrofluoric acid)의 임의의 조합;
    암모늄 바이플로라이드(ammonium bifluoride);
    암모늄플로라이드(ammonium fluoride);
    TEAF(triethanolammonium fluoride);
    DGAF(diglycolammonium fluoride);
    TMAF(tetramethylammonium fluoride);
    MDEAF(methyldiethanolammonium fluoride); 및
    TREAT-HF(triethylamine tris (hydrogen fluoride)).
  19. 제17항에 있어서, 상기 유기아민(들)은 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되는 하나의 아민을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물:
    DGA(diglycolamine);
    MDEA(methyldiethanolamine);
    PMDETA(pentamethyldiethylenetriamine);
    TEA(triethanolamine);
    TEDA(triethylenediamine);
    헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine);
    3,3-이미노비스(iminobis)(N,N-디메틸프로필아민(dimethylpropylamine));
    모노에탄올아민(monoethanolamine);
    2-(메틸아미노)에탄올(2-(methylamino) ethanol);
    4-(2-히드록시에틸)모포린(4-(2-hydroxyethyl)morpholine);
    4-(3-아미노프로필)모포린(4-(3-aminopropyl)morpholine); 및
    N,N-디메틸(dimethyl)-2-(2-아미노에톡시(aminoethoxy)) 에탄올.
  20. 제17항에 있어서, 상기 질소성 성분은 하기의 성분들로 구성된 군에서 선택되는 종을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물:
    IDA(iminodiacetic acid);
    글리신(glycine);
    NTA(nitrilotriacetic acid);
    히드록시에틸이미노디아세트산(hydroxyethyliminodiacetic acid);
    TMG(1,1,3,-tetramethylguanidine);
    EDTA(ethylenediaminetetracetic acid);
    CH3C(=NCH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NCH2CH20CH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NH)CH2C(O)CH3;
    (CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2;
    HOOCCH2N(CH3)2; 및
    HOOCCH2N(CH3)CH2COOH.
  21. 제17항에 있어서, 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 금속 킬레이트제를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물:
    아세토아세트아미드(acetoacetamide);
    암모늄 카바메이트(ammonium carbamate);
    APDC(ammonium pyrrolidinedithiocarbamate);
    디메틸 말로네이트(dimethyl malonate);
    메틸 아세토아세테이트(methyl acetoacetate);
    N-메틸 아세토아세트아미드(N-methyl acetoacetamide);
    2,4-펜탄디온(2,4-pentanedione);
    1,1,1,5,5,5-헥사플루오로(hexafluoro)-2,4-펜탄디온 H(hfac);
    2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디온(heptanedione) H (thd);
    테트라메틸암모늄 티오벤조에이트(tetramethylammonium thiobenzoate);
    테트라메틸암모늄 트리플루오로아세테이트 (tetramethylammonium
    trifluoroacetate);
    TMTDS(tetramethylthiuram disulfide);
    트리플루오르아세트산(trifluoracetic acid);
    젖산(lactic acid);
    암모늄 락테이트(ammonium lactate);
    말론산(malonic acid);
    포름산(formic acid);
    아세트산(acetic acid);
    프로피온산(propionic acid);
    감마-부티로락톤(gama-butyrolactone);
    이미노디아세트산(iminodiacetic acid);
    메틸디에탄올암모늄 트리플루오로아세테이트 (methyldiethanolammonium
    trifluoroacetate); 및
    트리플루오로아세트산(trifluoroacetic acid).
  22. 제17항에 있어서, 상기 플로라이드 소스는 하기의 성분들로 구성된 군에서 선택되는 하나의 종을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물:
    암모니아 가스 또는 수산화 암모늄(ammonium hydroxide) 및 하이드로젠 플로라이드(hydrogen fluoride) 가스 또는 플로르화 수소산(hydrofluoric acid)의 임의의 조합;
    암모늄플로라이드(ammonium fluoride);
    암모늄 바이플로라이드(ammonium bifluoride);
    TEAF(triethanolammonium fluoride);
    DGAF(diglycolammonium fluoride);
    MDEAF(methyldiethanolammonium fluoride);
    TMAF(tetramethylammonium fluoride); 및
    TREAT-HF(triethylamine tris (hydrogen fluoride)).
  23. 제17항에 있어서, 상기 유기아민(들)은 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되는 하나의 아민을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물:
    DGA(diglycolamine);
    MDEA(methyldiethanolamine);
    PMDETA(pentamethyldiethylenetriamine);
    TEA(triethanolamine);
    TEDA(triethylenediamine);
    헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine);
    3,3-이미노비스(iminobis)(N,N-디메틸프로필아민(dimethylpropylamine));
    모노에탄올아민(monoethanolamine);
    2-(메틸아미노)에탄올(2-(methylamino) ethanol);
    4-(2-히드록시에틸)모포린(4-(2-hydroxyethyl)morpholine);
    4-(3-아미노프로필)모포린(4-(3-aminopropyl)morpholine); 및
    N,N-디메틸(dimethyl)-2-(2-아미노에톡시(aminoethoxy)) 에탄올.
  24. 제17항에 있어서, 상기 질소성 성분은 하기의 성분들로 구성된 군에서의 하나의 종을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물:
    IDA(iminodiacetic acid);
    글리신(glycine);
    NTA(nitrilotriacetic acid);
    히드록시에틸이미노디아세트산(hydroxyethyliminodiacetic acid);
    TMG(1,1,3,-tetramethylguanidine);
    EDTA(ethylenediaminetetracetic acid);
    CH3C(=NCH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NCH2CH20CH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NH)CH2C(O)CH3;
    (CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2;
    HOOCCH2N(CH3)2; 및
    HOOCCH2N(CH3)CH2COOH.
  25. 제17항에 있어서, 상기 플로라이드 소스는 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되는 하나의 종을 포함하고,
    암모니아 가스 또는 수산화 암모늄(ammonium hydroxide) 및 하이드로젠 플로라이드(hydrogen fluoride) 가스 또는 플로르화 수소산(hydrofluoric acid)의 임의의 조합;
    암모늄 플로라이드(ammonium fluoride);
    암모늄 바이플로라이드(ammonium bifluoride);
    TEAF(triethanolammonium fluoride);
    DGAF(diglycolammonium fluoride);
    MDEAF(methyldiethanolammonium fluoride);
    TMAF(tetramethylammonium fluoride);및
    TREAT-HF(triethylamine tris (hydrogen fluoride)),
    상기 유기아민(들)은 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되는 하나의 종을 포함하고,
    DGA(diglycolamine);
    MDEA(methyldiethanolamine);
    PMDETA(pentamethyldiethylenetriamine);
    TEA(triethanolamine);
    TEDA(triethylenediamine);
    헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine);
    3,3-이미노비스(iminobis)(N,N-디메틸프로필아민(dimethylpropylamine));
    모노에탄올아민(monoethanolamine);
    2-(메틸아미노)에탄올(2-(methylamino) ethanol);
    4-(2-히드록시에틸)모포린(4-(2-hydroxyethyl)morpholine);
    4-(3-아미노프로필)모포린(4-(3-aminopropyl)morpholine); 및
    N,N-디메틸(dimethyl)-2-(2-아미노에톡시(aminoethoxy)) 에탄올,
    상기 질소성 성분은 하기의 성분들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나의 종을 포함하고,
    IDA(iminodiacetic acid);
    글리신(glycine);
    NTA(nitrilotriacetic acid);
    히드록시에틸이미노디아세트산(hydroxyethyliminodiacetic acid);
    TMG(1,1,3,-tetramethylguanidine);
    EDTA(ethylenediaminetetracetic acid);
    CH3C(=NCH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NCH2CH20CH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NH)CH2C(O)CH3;
    (CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2;
    HOOCCH2N(CH3)2;
    HOOCCH2N(CH3)CH2COOH,
    상기 조성물은 하기의 성분들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나의 종을 포함하는 금속 킬레이트제를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물:
    아세토아세트아미드(acetoacetamide);
    암모늄 카바메이트(ammonium carbamate);
    APDC(ammonium pyrrolidinedithiocarbamate);
    디메틸 말로네이트(dimethyl malonate);
    메틸 아세토아세테이트(methyl acetoacetate);
    N-메틸 아세토아세트아미드(N-methyl acetoacetamide);
    2,4-펜탄디온(2,4-pentanedione);
    1,1,1,5,5,5-헥사플루오로(hexafluoro)-2,4-펜탄디온 H(hfac);
    2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디온(heptanedione) H (thd);
    테트라메틸암모늄 티오벤조에이트(tetramethylammonium thiobenzoate);
    테트라메틸암모늄 트리플루오로아세테이트 (tetramethylammonium
    trifluoroacetate);
    TMTDS(tetramethylthiuram disulfide);
    트리플루오르아세트산(trifluoracetic acid);
    젖산(lactic acid);
    암모늄 락테이트(ammonium lactate);
    말론산(malonic acid);
    포름산(formic acid);
    아세트산(acetic acid);
    프로피온산(propionic acid);
    감마-부티로락톤(gama-butyrolactone);
    이미노디아세트산(iminodiacetic acid);
    메틸디에탄올암모늄 트리플루오로아세테이트 (methyldiethanolammonium
    trifluoroacetate); 및
    트리플루오로아세트산(trifluoroacetic acid).
  26. 제17항에 있어서, 상기 플로라이드 소스는 화학식 R1R2R3R4NF[여기서, 각 R기는 독립적으로 수소원자 및 지방족기에서 선택됨]를 가지는 화합물을 포함하고, 상기 조성물은 하기의 화학식으로 표시되는 금속 킬레이트제를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물:
    X-CHR-Y
    여기서, R은 수소 또는 지방족 기이고, X 및 Y는 전자를 잡아당기는 (electron-withdrawing) 성질을 갖는 다중 결합된 부분을 함유하는 작용기이다.
  27. 제25항에 있어서, 각 X 및 Y는 독립적으로 CONH2, CONHR', CN, NO2, SOR', 및 S02Z[여기서, R'은 알킬이고 Z는 수소, 할로 또는 알킬임]로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  28. 제17항에 있어서, 상기 플로라이드 소스는 화학식 R1R2R3R4NF[여기서, 각 R기는 수소 또는 지방족임]를 가지는 화합물을 포함하고, 상기 조성물은 R1R2R3R4N+-O2CCF3[여기서, 각 R기는 독립적으로 수소 또는 지방족임]로 표시되는 금속 킬레이트제를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  29. 제17항에 있어서, 상기 질소성 성분은 화학식 COOH-CH2-NRR'[여기서, R 및 R'은 각각 독립적으로 수소, 알킬, 아릴 및 카르복실산으로 구성된 군에서 선택됨]를 가지는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물.
  30. 하기의 단계를 포함하는 반도체 웨이퍼의 제작방법:
    웨이퍼 표면으로부터 금속화된 층을 플라즈마 에칭하는 단계;
    웨이퍼 표면으로부터 레지스트(resist)를 플라즈마 애슁하는 단계; 및
    하기 성분들을, 이들의 총 중량을 기준으로 하기 제시한 중량% 범위로, 포함하는 세정 조성물을 웨이퍼와 접촉시켜 웨이퍼를 세정하는 단계:
    플로라이드 소스 1~35%
    유기아민(들) 20~60%
    질소-함유 카르복실산 및 이민으로부터 선택되는 질소성 성분 0.1~40%
    물 20~50%
    금속 킬레이트제(들) 0~21%
    합계 100%.
  31. 제30항에 있어서, 상기 플로라이드 소스는 하기의 성분들로 구성된 군에서 선택되는 하나의 플로라이드 종을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법:
    암모니아 가스 또는 수산화 암모늄(ammonium hydroxide) 및 하이드로젠 플로라이드(hydrogen fluoride) 가스 또는 플로르화 수소산(hydrofluoric acid)의 임의의 조합;
    암모늄플로라이드(ammonium fluoride);
    암모늄 바이플로라이드(ammonium bifluoride);
    TEAF(triethanolammonium fluoride);
    DGAF(diglycolammonium fluoride);
    MDEAF(methyldiethanolammonium fluoride);
    TMAF(tetramethylammonium fluoride); 및
    TREAT-HF(triethylamine tris (hydrogen fluoride)).
  32. 제30항에 있어서, 상기 유기아민(들)은 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되는 하나의 아민을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법:
    DGA(diglycolamine),
    MDEA(methyldiethanolamine),
    PMDETA(pentamethyldiethylenetriamine),
    TEA(triethanolamine),
    TEDA(triethylenediamine),
    헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine),
    3,3-이미노비스(iminobis)(N,N-디메틸프로필아민(dimethylpropylamine)),
    모노에탄올아민(monoethanolamine),
    2-(메틸아미노)에탄올(2-(methylamino) ethanol),
    4-(2-히드록시에틸)모포린(4-(2-hydroxyethyl)morpholine)
    4-(3-아미노프로필)모포린(4-(3-aminopropyl)morpholine), 및
    N,N-디메틸(dimethyl)-2-(2-아미노에톡시(aminoethoxy)) 에탄올.
  33. 제30항에 있어서, 상기 질소성 성분은 하기의 성분들로 구성된 군에서 선택되는 하나의 종을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법:
    IDA(iminodiacetic acid),
    글리신(glycine),
    NTA(nitrilotriacetic acid),
    히드록시에틸이미노디아세트산(hydroxyethyliminodiacetic acid),
    TMG(1,1,3,-tetramethylguanidine),
    EDTA(ethylenediaminetetracetic acid),
    CH3C(=NCH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2,
    CH3C(=NCH2CH20CH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2,
    CH3C(=NH)CH2C(O)CH3,
    (CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2,
    HOOCCH2N(CH3)2, 및
    HOOCCH2N(CH3)CH2COOH.
  34. 제30항에 있어서, 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되는 1종 이상의 금속 킬레이트제를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 조성물:
    아세토아세트아미드(acetoacetamide);
    암모늄 카바메이트(ammonium carbamate);
    APDC(ammonium pyrrolidinedithiocarbamate);
    디메틸 말로네이트(dimethyl malonate);
    메틸 아세토아세테이트(methyl acetoacetate);
    N-메틸 아세토아세트아미드(N-methyl acetoacetamide);
    2,4-펜탄디온(2,4-pentanedione);
    1,1,1,5,5,5-헥사플루오로(hexafluoro)-2,4-펜탄디온 H(hfac);
    2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디온(heptanedione) H (thd);
    테트라메틸암모늄 티오벤조에이트(tetramethylammonium thiobenzoate);
    테트라메틸암모늄 트리플루오로아세테이트 (tetramethylammonium
    trifluoroacetate);
    TMTDS(tetramethylthiuram disulfide);
    트리플루오르아세트산(trifluoracetic acid);
    젖산(lactic acid);
    암모늄 락테이트(ammonium lactate);
    말론산(malonic acid);
    포름산(formic acid);
    아세트산(acetic acid);
    프로피온산(propionic acid);
    감마-부티로락톤(gama-butyrolactone);
    이미노디아세트산(iminodiacetic acid);
    메틸디에탄올암모늄 트리플루오로아세테이트 (methyldiethanolammonium
    trifluoroacetate); 및
    트리플루오로아세트산(trifluoroacetic acid).
  35. 제30항에 있어서, 상기 플로라이드 소스는 하기의 성분들로 구성된 군에서선택되는 하나의 종을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법:
    암모니아 가스 또는 수산화 암모늄(ammonium hydroxide) 및 하이드로젠 플로라이드(hydrogen fluoride) 가스 또는 플로르화 수소산(hydrofluoric acid)의 임의의 조합;
    암모늄플로라이드(ammonium fluoride);
    암모늄 바이플로라이드(ammonium bifluoride);
    TEAF(triethanolammonium fluoride);
    DGAF(diglycolammonium fluoride);
    MDEAF(methyldiethanolammonium fluoride);
    TMAF(tetramethylammonium fluoride); 및
    TREAT-HF(triethylamine tris (hydrogen fluoride)).
  36. 제30항에 있어서, 상기 유기아민(들)은 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되는 하나의 아민을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법:
    DGA(diglycolamine);
    MDEA(methyldiethanolamine);
    PMDETA(pentamethyldiethylenetriamine);
    TEA(triethanolamine);
    TEDA(triethylenediamine);
    헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine);
    3,3-이미노비스(iminobis)(N,N-디메틸프로필아민(dimethylpropylamine));
    모노에탄올아민(monoethanolamine);
    2-(메틸아미노)에탄올(2-(methylamino) ethanol);
    4-(2-히드록시에틸)모포린(4-(2-hydroxyethyl)morpholine);
    4-(3-아미노프로필)모포린(4-(3-aminopropyl)morpholine); 및
    N,N-디메틸(dimethyl)-2-(2-아미노에톡시(aminoethoxy)) 에탄올.
  37. 제30항에 있어서, 상기 질소성 성분은 하기의 성분들로 구성된 군에서 선택되는 하나의 종을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법:
    IDA(iminodiacetic acid);
    글리신(glycine);
    NTA(nitrilotriacetic acid);
    히드록시에틸이미노디아세트산(hydroxyethyliminodiacetic acid);
    TMG(1,1,3,-tetramethylguanidine);
    EDTA(ethylenediaminetetracetic acid);
    CH3C(=NCH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NCH2CH20CH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NH)CH2C(O)CH3;
    (CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2;
    HOOCCH2N(CH3)2; 및
    HOOCCH2N(CH3)CH2COOH.
  38. 제30항에 있어서, 상기 플로라이드 소스는 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되는 하나의 종을 포함하고,
    암모니아 가스 또는 수산화 암모늄(ammonium hydroxide) 및 하이드로젠 플로라이드(hydrogen fluoride) 가스 또는 플로르화 수소산(hydrofluoric acid)의 임의의 조합;
    암모늄 플로라이드(ammonium fluoride);
    암모늄 바이플로라이드(ammonium bifluoride);
    TEAF(triethanolammonium fluoride);
    DGAF(diglycolammonium fluoride);
    MDEAF(methyldiethanolammonium fluoride);
    TMAF(tetramethylammonium fluoride); 및
    TREAT-HF(triethylamine tris (hydrogen fluoride)),
    상기 유기아민(들)은 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되는 하나의 종을 포함하고,
    DGA(diglycolamine);
    MDEA(methyldiethanolamine);
    PMDETA(pentamethyldiethylenetriamine);
    TEA(triethanolamine);
    TEDA(triethylenediamine);
    헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine);
    3,3-이미노비스(iminobis)(N,N-디메틸프로필아민(dimethylpropylamine));
    모노에탄올아민(monoethanolamine);
    2-(메틸아미노)에탄올(2-(methylamino) ethanol);
    4-(2-히드록시에틸)모포린(4-(2-hydroxyethyl)morpholine);
    4-(3-아미노프로필)모포린(4-(3-aminopropyl)morpholine); 및
    N,N-디메틸(dimethyl)-2-(2-아미노에톡시(aminoethoxy)) 에탄올,
    상기 질소성 성분은 하기의 성분들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나의 종을 포함하고,
    IDA(iminodiacetic acid);
    글리신(glycine);
    NTA(nitrilotriacetic acid);
    히드록시에틸이미노디아세트산(hydroxyethyliminodiacetic acid);
    TMG(1,1,3,-tetramethylguanidine);
    EDTA(ethylenediaminetetracetic acid);
    CH3C(=NCH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NCH2CH20CH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NH)CH2C(O)CH3;
    (CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2;
    HOOCCH2N(CH3)2; 및
    HOOCCH2N(CH3)CH2COOH,
    상기 조성물은 하기의 성분들로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나의 종을 포함하는 금속 킬레이트제를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법:
    아세토아세트아미드(acetoacetamide);
    암모늄 카바메이트(ammonium carbamate);
    APDC(ammonium pyrrolidinedithiocarbamate);
    디메틸 말로네이트(dimethyl malonate);
    메틸 아세토아세테이트(methyl acetoacetate);
    N-메틸 아세토아세트아미드(N-methyl acetoacetamide);
    2,4-펜탄디온(2,4-pentanedione);
    1,1,1,5,5,5-헥사플루오로(hexafluoro)-2,4-펜탄디온 H(hfac);
    2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디온(heptanedione) H (thd);
    테트라메틸암모늄 티오벤조에이트(tetramethylammonium thiobenzoate);
    테트라메틸암모늄 트리플루오로아세테이트 (tetramethylammonium
    trifluoroacetate);
    TMTDS(tetramethylthiuram disulfide);
    젖산(lactic acid);
    암모늄 락테이트(ammonium lactate);
    말론산(malonic acid);
    포름산(formic acid);
    아세트산(acetic acid);
    프로피온산(propionic acid);
    감마-부티로락톤(gama-butyrolactone);
    메틸디에탄올암모늄 트리플루오로아세테이트 (methyldiethanolammonium
    trifluoroacetate); 및
    트리플루오로아세트산(trifluoroacetic acid).
  39. 제30항에 있어서, 상기 플로라이드 소스는 화학식 R1R2R3R4NF[여기서, 각 R 기는 독립적으로 수소원자 및 지방족기에서 선택됨]를 가지는 화합물을 포함하고, 상기 조성물은 하기의 화학식으로 표시되는 금속 킬레이트제를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법:
    X-CHR-Y
    여기서, R은 수소 또는 지방족 기이고, X 및 Y는 전자를 잡아당기는 성질을 갖는 다중 결합된 부위를 함유하는 작용기이다.
  40. 제39항에 있어서, 각 X 및 Y는 독립적으로 CONH2, CONHR', CN, NO2, SOR', 및 S02Z[여기서, R'은 알킬이고 Z는 수소, 할로 또는 알킬임]로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  41. 제30항에 있어서, 상기 플로라이드 소스는 화학식 R1R2R3R4NF[여기서, 각 R기는 수소 또는 지방족임]를 가지는 화합물을 포함하고,
    상기 조성물은 R1R2R3R4N+-O2CCF3[여기서, 각 R기는 독립적으로 수소 또는 지방족임]로 표시되는 금속 킬레이트제를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  42. 제30항에 있어서, 상기 질소성 성분은 화학식 COOH-CH2-NRR'[여기서, R 및 R'은 각각 독립적으로 수소, 알킬, 아릴 및 카르복실산으로 구성된 군에서 선택됨]를 가지는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  43. 하기를 포함하는 단계들을 포함하는 반도체 웨이퍼의 제작방법:
    웨이퍼 표면으로부터 금속화된 층을 플라즈마 에칭하는 단계;
    웨이퍼 표면으로부터 레지스트를 플라즈마 애슁하는 단계;
    하기 성분들을, 이들의 총 중량을 기준으로 하기 제시한 중량%로, 포함하는 세정 조성물을 웨이퍼와 접촉시켜 웨이퍼를 세정하는 단계:
    플로라이드 소스; 1~35%
    1종이상의 유기아민; 20~60%
    질소-함유 카르복실산 또는 이민; 0.1~40%
    물; 20~50%
    1종 이상의 금속 킬레이트제(들) 0~21%
    합계 100%.
  44. 제43항에 있어서, 상기 플로라이드 소스는 하기의 성분들로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법:
    암모니아 가스 또는 수산화 암모늄(ammonium hydroxide) 및 하이드로젠 플로라이드(hydrogen fluoride) 가스 또는 플로르화 수소산(hydrofluoric acid)의 임의의 조합;
    암모늄플로라이드(ammonium fluoride);
    암모늄 바이플로라이드(ammonium bifluoride);
    TEAF(triethanolammonium fluoride);
    DGAF(diglycolammonium fluoride);
    MDEAF(methyldiethanolammonium fluoride);
    TMAF(tetramethylammonium fluoride); 및
    TREAT-HF(triethylamine tris (hydrogen fluoride)).
  45. 제43항에 있어서, 상기 유기아민은 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법:
    DGA(diglycolamine);
    MDEA(methyldiethanolamine);
    PMDETA(pentamethyldiethylenetriamine);
    TEA(triethanolamine);
    TEDA(triethylenediamine);
    헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine);
    3,3-이미노비스(iminobis)(N,N-디메틸프로필아민(dimethylpropylamine));
    모노에탄올아민(monoethanolamine);
    2-(메틸아미노)에탄올(2-(methylamino) ethanol);
    4-(2-히드록시에틸)모포린(4-(2-hydroxyethyl)morpholine);
    4-(3-아미노프로필)모포린(4-(3-aminopropyl)morpholine); 및
    N,N-디메틸(dimethyl)-2-(2-아미노에톡시(aminoethoxy)) 에탄올.
  46. 제43항에 있어서, 상기 질소-함유 카르복실산 또는 이민은 하기의 성분들로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법:
    IDA(iminodiacetic acid);
    글리신(glycine);
    NTA(nitrilotriacetic acid);
    히드록시에틸이미노디아세트산(hydroxyethyliminodiacetic acid);
    TMG(1,1,3,-tetramethylguanidine);
    EDTA(ethylenediaminetetracetic acid);
    CH3C(=NCH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NCH2CH20CH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NH)CH2C(O)CH3;
    (CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2;
    HOOCCH2N(CH3)2; 및
    HOOCCH2N(CH3)CH2COOH.
  47. 제43항에 있어서, 상기 금속 킬레이트제는 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법:
    아세토아세트아미드(acetoacetamide);
    암모늄 카바메이트(ammonium carbamate);
    APDC(ammonium pyrrolidinedithiocarbamate);
    디메틸 말로네이트(dimethyl malonate);
    메틸 아세토아세테이트(methyl acetoacetate);
    N-메틸 아세토아세트아미드(N-methyl acetoacetamide);
    2,4-펜탄디온(2,4-pentanedione);
    1,1,1,5,5,5-헥사플루오로(hexafluoro)-2,4-펜탄디온 H(hfac);
    2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디온(heptanedione) H (thd);
    테트라메틸암모늄 티오벤조에이트(tetramethylammonium thiobenzoate);
    테트라메틸암모늄 트리플루오로아세테이트 (tetramethylammonium
    trifluoroacetate);
    TMTDS(tetramethylthiuram disulfide);
    젖산(lactic acid);
    암모늄 락테이트(ammonium lactate);
    말론산(malonic acid);
    포름산(formic acid);
    아세트산(acetic acid);
    프로피온산(propionic acid);
    감마-부티로락톤(gama-butyrolactone);
    메틸디에탄올암모늄 트리플루오로아세테이트 (methyldiethanolammonium
    trifluoroacetate); 및
    트리플루오로아세트산(trifluoroacetic acid).
  48. 제43항에 있어서, 상기 플로라이드 소스는 하기의 성분들로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법:
    암모니아 가스 또는 수산화 암모늄(ammonium hydroxide) 및 하이드로젠 플로라이드(hydrogen fluoride) 가스 또는 플로르화 수소산(hydrofluoric acid)의 임의의 조합;
    암모늄플로라이드(ammonium fluoride);
    암모늄 바이플로라이드(ammonium bifluoride);
    TEAF(triethanolammonium fluoride);
    DGAF(diglycolammonium fluoride);
    MDEAF(methyldiethanolammonium fluoride);
    TMAF(tetramethylammonium fluoride); 및
    TREAT-HF(triethylamine tris (hydrogen fluoride)).
  49. 제43항에 있어서, 상기 유기아민은 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법:
    DGA(diglycolamine);
    MDEA(methyldiethanolamine);
    PMDETA(pentamethyldiethylenetriamine);
    TEA(triethanolamine);
    TEDA(triethylenediamine);
    헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine);
    3,3-이미노비스(iminobis)(N,N-디메틸프로필아민(dimethylpropylamine));
    모노에탄올아민(monoethanolamine);
    2-(메틸아미노)에탄올(2-(methylamino) ethanol);
    4-(2-히드록시에틸)모포린(4-(2-hydroxyethyl)morpholine);
    4-(3-아미노프로필)모포린(4-(3-aminopropyl)morpholine); 및
    N,N-디메틸(dimethyl)-2-(2-아미노에톡시(aminoethoxy)) 에탄올.
  50. 제43항에 있어서, 상기 질소-함유 카르복실산 또는 이민은 하기의 성분들로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법:
    IDA(iminodiacetic acid);
    글리신(glycine);
    NTA(nitrilotriacetic acid);
    히드록시에틸이미노디아세트산(hydroxyethyliminodiacetic acid);
    TMG(1,1,3,-tetramethylguanidine);
    EDTA(ethylenediaminetetracetic acid);
    CH3C(=NCH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NCH2CH20CH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NH)CH2C(O)CH3;
    (CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2;
    HOOCCH2N(CH3)2; 및
    HOOCCH2N(CH3)CH2COOH.
  51. 제43항에 있어서, 상기 플로라이드 소스는 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되고,
    암모니아 가스 또는 수산화 암모늄(ammonium hydroxide) 및 하이드로젠 플로라이드(hydrogen fluoride) 가스 또는 플로르화 수소산(hydrofluoric acid)의 임의의 조합;
    암모늄플로라이드(ammonium fluoride);
    암모늄 바이플로라이드(ammonium bifluoride);
    TEAF(triethanolammonium fluoride);
    DGAF(diglycolammonium fluoride);
    MDEAF(methyldiethanolammonium fluoride);
    TMAF(tetramethylammonium fluoride); 및
    TREAT-HF(triethylamine tris (hydrogen fluoride)),
    상기 유기아민은 하기 성분들로 구성된 군에서 선택되고,
    DGA(diglycolamine);
    MDEA(methyldiethanolamine);
    PMDETA(pentamethyldiethylenetriamine);
    TEA(triethanolamine);
    TEDA(triethylenediamine);
    헥사메틸렌테트라민(hexamethylenetetramine);
    3,3-이미노비스(iminobis)(N,N-디메틸프로필아민(dimethylpropylamine));
    모노에탄올아민(monoethanolamine);
    2-(메틸아미노)에탄올(2-(methylamino) ethanol);
    4-(2-히드록시에틸)모포린(4-(2-hydroxyethyl)morpholine);
    4-(3-아미노프로필)모포린(4-(3-aminopropyl)morpholine); 및
    N,N-디메틸(dimethyl)-2-(2-아미노에톡시(aminoethoxy)) 에탄올,
    상기 질소-함유 카르복실산 또는 이민은 하기의 성분들로 구성된 군에서 선택되고,
    IDA(iminodiacetic acid);
    글리신(glycine);
    NTA(nitrilotriacetic acid);
    히드록시에틸이미노디아세트산(hydroxyethyliminodiacetic acid);
    TMG(1,1,3,-tetramethylguanidine);
    EDTA(ethylenediaminetetracetic acid);
    CH3C(=NCH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NCH2CH20CH2CH20H)CH2C(O)N(CH3)2;
    CH3C(=NH)CH2C(O)CH3;
    (CH3CH2)2NC(=NH)N(CH3CH2)2;
    HOOCCH2N(CH3)2; 및
    HOOCCH2N(CH3)CH2COOH,
    상기 금속 킬레이트제는 하기의 성분들로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법:
    아세토아세트아미드(acetoacetamide);
    암모늄 카바메이트(ammonium carbamate);
    APDC(ammonium pyrrolidinedithiocarbamate);
    디메틸 말로네이트(dimethyl malonate);
    메틸 아세토아세테이트(methyl acetoacetate);
    N-메틸 아세토아세트아미드(N-methyl acetoacetamide);
    2,4-펜탄디온(2,4-pentanedione);
    1,1,1,5,5,5-헥사플루오로(hexafluoro)-2,4-펜탄디온 H(hfac);
    2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵탄디온(heptanedione) H (thd);
    테트라메틸암모늄 티오벤조에이트(tetramethylammonium thiobenzoate);
    테트라메틸암모늄 트리플루오로아세테이트 (tetramethylammonium
    trifluoroacetate);
    TMTDS(tetramethylthiuram disulfide);
    젖산(lactic acid);
    암모늄 락테이트(ammonium lactate);
    말론산(malonic acid);
    포름산(formic acid);
    아세트산(acetic acid);
    프로피온산(propionic acid);
    감마-부티로락톤(gama-butyrolactone);
    메틸디에탄올암모늄 트리플루오로아세테이트 (methyldiethanolammonium
    trifluoroacetate); 및
    트리플루오로아세트산(trifluoroacetic acid).
  52. 제43항에 있어서, 상기 플로라이드 소스는 화학식 R1R2R3R4NF[여기서, 각 R기는 수소원자 또는 지방족임]를 가지는 화합물을 포함하고, 상기 금속 킬레이트제는 하기의 화학식을 가지는 것을 특징으로 하는 방법:
    X-CHR-Y
    여기서, R은 수소 또는 지방족 기이고, X 및 Y는 전자를 잡아당기는 성질을 갖는 다중 결합된 부위를 함유하는 작용기이다.
  53. 제43항에 있어서, 상기 플로라이드 소스는 화학식 R1R2R3R4NF[여기서, 각 R기는 수소 또는 지방족임]를 가지는 화합물을 포함하고, 상기 금속 킬레이트제는 화학식 R1R2R3R4N+-O2CCF3[여기서, 각 R기는 수소 또는 지방족임]을 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  54. 제43항에 있어서, 상기 질소-함유 카르복실산은 화학식 COOH-CH2-NRR'[여기서, R 및 R'은 각각 독립적으로 수소, 알킬, 아릴 및 카르복실산으로 구성된 군에서 선택됨]를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  55. (i) 플로라이드 소스, (ii) 1종 이상의 유기아민, (iii) 질소-함유 카르복실산 또는 이민, (iv) 물, 및 선택적으로 1종 이상의 금속 킬레이트제를 포함하는 세정 조성물을 웨이퍼와 접촉시키는 것을 포함하는, 웨이퍼 상에서 레지스트 플라즈마 애슁 단계를 실시한 후에 웨이퍼로부터 잔류물을 제거하는 방법.
  56. (i) 플로라이드 소스, (ii) 1종 이상의 유기아민, (iii) 질소-함유 카르복실산 또는 이민, (iv) 물, 및 선택적으로 1종 이상의 금속 킬레이트제를 포함하는 웨이퍼 세정 조성물.
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Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2004-7005784A KR20040045876A (ko) 2001-10-23 2002-10-17 구리-특이적 부식 저해제를 함유하는 반도체 기판 상의무기 잔류물 세정용 수성 세정 조성물

Country Status (7)

Country Link
US (5) US6896826B2 (ko)
EP (1) EP1446460A4 (ko)
JP (1) JP2005507166A (ko)
KR (1) KR20040045876A (ko)
CN (2) CN101434894B (ko)
TW (1) TWI241336B (ko)
WO (1) WO2003035797A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100807024B1 (ko) * 2006-08-24 2008-02-25 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 세정 방법

Families Citing this family (90)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6755989B2 (en) * 1997-01-09 2004-06-29 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US6896826B2 (en) * 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
MY143399A (en) * 2001-07-09 2011-05-13 Avantor Performance Mat Inc Microelectronic cleaning compositons containing ammonia-free fluoride salts for selective photoresist stripping and plasma ash residue cleaning
JP3797541B2 (ja) * 2001-08-31 2006-07-19 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
US7252718B2 (en) * 2002-05-31 2007-08-07 Ekc Technology, Inc. Forming a passivating aluminum fluoride layer and removing same for use in semiconductor manufacture
JP2006526895A (ja) * 2003-05-02 2006-11-24 イーケーシー テクノロジー，インコーポレイティド 半導体処理におけるエッチング後の残留物の除去
US7799141B2 (en) * 2003-06-27 2010-09-21 Lam Research Corporation Method and system for using a two-phases substrate cleaning compound
US8316866B2 (en) * 2003-06-27 2012-11-27 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US7913703B1 (en) 2003-06-27 2011-03-29 Lam Research Corporation Method and apparatus for uniformly applying a multi-phase cleaning solution to a substrate
US20040261823A1 (en) * 2003-06-27 2004-12-30 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing a target layer from a substrate using reactive gases
US7737097B2 (en) * 2003-06-27 2010-06-15 Lam Research Corporation Method for removing contamination from a substrate and for making a cleaning solution
US8522801B2 (en) * 2003-06-27 2013-09-03 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a semiconductor substrate
US7648584B2 (en) * 2003-06-27 2010-01-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for removing contamination from substrate
KR101117939B1 (ko) * 2003-10-28 2012-02-29 사켐,인코포레이티드 세척액 및 에칭제 및 이의 사용 방법
EP1690135A4 (en) * 2003-12-02 2007-05-09 Advanced Tech Materials METHOD AND CHEMICAL FOR REMOVING PHOTOSENSITIVE RESIN, ANTI-REFLECTIVE COATING OR FILLING MATERIAL
US7205235B2 (en) * 2003-12-15 2007-04-17 Freescale Semiconductor, Inc. Method for reducing corrosion of metal surfaces during semiconductor processing
US8043441B2 (en) 2005-06-15 2011-10-25 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning a substrate using non-Newtonian fluids
US7416370B2 (en) * 2005-06-15 2008-08-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for transporting a substrate using non-Newtonian fluid
US8323420B2 (en) 2005-06-30 2012-12-04 Lam Research Corporation Method for removing material from semiconductor wafer and apparatus for performing the same
US7568490B2 (en) * 2003-12-23 2009-08-04 Lam Research Corporation Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers using compressed and/or pressurized foams, bubbles, and/or liquids
US8522799B2 (en) * 2005-12-30 2013-09-03 Lam Research Corporation Apparatus and system for cleaning a substrate
US7862662B2 (en) * 2005-12-30 2011-01-04 Lam Research Corporation Method and material for cleaning a substrate
JP4810928B2 (ja) * 2004-08-18 2011-11-09 三菱瓦斯化学株式会社 洗浄液および洗浄法。
DE102004054471B3 (de) * 2004-11-11 2006-04-27 Framatome Anp Gmbh Reinigungsverfahren zur Entfernung von Magnetit enthaltenden Ablagerungen aus einem Druckbehälter eines Kraftwerks
US7919391B2 (en) * 2004-12-24 2011-04-05 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Methods for preparing a bonding surface of a semiconductor wafer
FR2880185B1 (fr) * 2004-12-24 2007-07-20 Soitec Silicon On Insulator Procede de traitement d'une surface de plaquette
WO2006081406A1 (en) * 2005-01-27 2006-08-03 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions for processing of semiconductor substrates
JP2008546036A (ja) * 2005-06-07 2008-12-18 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 金属および誘電体相溶性の犠牲反射防止コーティング浄化および除去組成物
EP1894230A2 (en) * 2005-06-13 2008-03-05 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for selective removal of metal or metal alloy after metal silicide formation
TW200722505A (en) 2005-09-30 2007-06-16 Rohm & Haas Elect Mat Stripper
US20070099806A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Stewart Michael P Composition and method for selectively removing native oxide from silicon-containing surfaces
EP2428557A1 (en) * 2005-12-30 2012-03-14 LAM Research Corporation Cleaning solution
US7534753B2 (en) 2006-01-12 2009-05-19 Air Products And Chemicals, Inc. pH buffered aqueous cleaning composition and method for removing photoresist residue
US20070179072A1 (en) * 2006-01-30 2007-08-02 Rao Madhukar B Cleaning formulations
US20080148595A1 (en) * 2006-12-20 2008-06-26 Lam Research Corporation Method and apparatus for drying substrates using a surface tensions reducing gas
SG10201610631UA (en) * 2006-12-21 2017-02-27 Entegris Inc Liquid cleaner for the removal of post-etch residues
KR100891255B1 (ko) * 2007-01-05 2009-04-01 주식회사 하이닉스반도체 커패시터의 리닝 방지용 식각액 조성물 및 이를 이용한커패시터 제조 방법
US7897213B2 (en) * 2007-02-08 2011-03-01 Lam Research Corporation Methods for contained chemical surface treatment
KR101294019B1 (ko) * 2007-02-20 2013-08-16 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 제거 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트제거방법
US20100112728A1 (en) * 2007-03-31 2010-05-06 Advanced Technology Materials, Inc. Methods for stripping material for wafer reclamation
KR101561708B1 (ko) * 2007-05-17 2015-10-19 인티그리스, 인코포레이티드 Ｃｍｐ후 세정 제제용 신규한 항산화제
CN101412949A (zh) * 2007-10-19 2009-04-22 安集微电子（上海）有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗液
US8084406B2 (en) 2007-12-14 2011-12-27 Lam Research Corporation Apparatus for particle removal by single-phase and two-phase media
CN201219685Y (zh) * 2008-04-16 2009-04-15 韩广民 组装结构产品及庭院椅
US8252194B2 (en) * 2008-05-02 2012-08-28 Micron Technology, Inc. Methods of removing silicon oxide
US20090291873A1 (en) * 2008-05-22 2009-11-26 Air Products And Chemicals, Inc. Method and Composition for Post-CMP Cleaning of Copper Interconnects Comprising Noble Metal Barrier Layers
KR101486116B1 (ko) * 2008-10-09 2015-01-28 아반토르 퍼포먼스 머티리얼스, 인크. 산화구리 에칭 잔여물 제거 및 구리 전착 방지용 수성 산성 배합물
CN101955852A (zh) * 2009-07-13 2011-01-26 安集微电子（上海）有限公司 一种等离子刻蚀残留物清洗液
JP2011039339A (ja) * 2009-08-13 2011-02-24 Canon Inc 剥離液の再生方法
US8101561B2 (en) * 2009-11-17 2012-01-24 Wai Mun Lee Composition and method for treating semiconductor substrate surface
JP2012021151A (ja) * 2010-06-16 2012-02-02 Sanyo Chem Ind Ltd 銅配線半導体用洗浄剤
SG187551A1 (en) 2010-07-16 2013-03-28 Advanced Tech Materials Aqueous cleaner for the removal of post-etch residues
CN101901782B (zh) * 2010-07-21 2011-12-14 河北工业大学 极大规模集成电路多层布线碱性抛光后防氧化方法
JP6101421B2 (ja) 2010-08-16 2017-03-22 インテグリス・インコーポレーテッド 銅または銅合金用エッチング液
SG189292A1 (en) 2010-10-06 2013-05-31 Advanced Tech Materials Composition and process for selectively etching metal nitrides
JP5933950B2 (ja) 2011-09-30 2016-06-15 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 銅または銅合金用エッチング液
JP6329909B2 (ja) 2011-12-28 2018-05-23 インテグリス・インコーポレーテッド 窒化チタンを選択的にエッチングするための組成物および方法
WO2013123317A1 (en) 2012-02-15 2013-08-22 Advanced Technology Materials, Inc. Post-cmp removal using compositions and method of use
EP2850495A4 (en) 2012-05-18 2016-01-20 Entegris Inc COMPOSITION AND METHOD FOR REMOVING PHOTOLACK FROM A SURFACE WITH TITANNITRIDE
TWI572711B (zh) 2012-10-16 2017-03-01 盟智科技股份有限公司 半導體製程用的清洗組成物及清洗方法
US9536730B2 (en) 2012-10-23 2017-01-03 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning formulations
JP6112446B2 (ja) * 2012-10-31 2017-04-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 フォトレジスト剥離液組成物
KR102118964B1 (ko) 2012-12-05 2020-06-08 엔테그리스, 아이엔씨. Iii-v 반도체 물질을 세척하기 위한 조성물 및 이를 사용하는 방법
US20150315712A1 (en) * 2012-12-13 2015-11-05 Parker-Hannifin Corporation Cleaning composition for metal articles
CN105102584B (zh) 2013-03-04 2018-09-21 恩特格里斯公司 用于选择性蚀刻氮化钛的组合物和方法
JP6751015B2 (ja) * 2013-03-15 2020-09-02 キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション 銅の化学的機械的平坦化後のための水性清浄化組成物
SG11201509933QA (en) 2013-06-06 2016-01-28 Advanced Tech Materials Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
US10138117B2 (en) 2013-07-31 2018-11-27 Entegris, Inc. Aqueous formulations for removing metal hard mask and post-etch residue with Cu/W compatibility
US10428271B2 (en) 2013-08-30 2019-10-01 Entegris, Inc. Compositions and methods for selectively etching titanium nitride
US10340150B2 (en) 2013-12-16 2019-07-02 Entegris, Inc. Ni:NiGe:Ge selective etch formulations and method of using same
CN103789776A (zh) * 2013-12-18 2014-05-14 常熟市天河机械设备制造有限公司 无磷水基金属清洗剂
JP6776125B2 (ja) 2013-12-20 2020-10-28 インテグリス・インコーポレーテッド イオン注入レジストの除去のための非酸化性の強酸の使用
WO2015103146A1 (en) 2013-12-31 2015-07-09 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations to selectively etch silicon and germanium
TWI659098B (zh) 2014-01-29 2019-05-11 美商恩特葛瑞斯股份有限公司 化學機械研磨後配方及其使用方法
US11127587B2 (en) 2014-02-05 2021-09-21 Entegris, Inc. Non-amine post-CMP compositions and method of use
US9957469B2 (en) * 2014-07-14 2018-05-01 Versum Materials Us, Llc Copper corrosion inhibition system
WO2016028454A1 (en) 2014-08-18 2016-02-25 3M Innovative Properties Company Conductive layered structure and methods of making same
US10233413B2 (en) 2015-09-23 2019-03-19 Versum Materials Us, Llc Cleaning formulations
US10109523B2 (en) * 2016-11-29 2018-10-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of cleaning wafer after CMP
SG11202001163UA (en) * 2017-08-30 2020-03-30 Ecolab Usa Inc Molecules having one hydrophobic group and two identical hydrophilic ionic groups and compositions thereof
IL274880B2 (en) 2017-12-08 2024-04-01 Basf Se Composition and process for selectively burning a layer containing an aluminum compound in the presence of layers of materials with low K, copper and/or cobalt
US11292734B2 (en) 2018-08-29 2022-04-05 Ecolab Usa Inc. Use of multiple charged ionic compounds derived from poly amines for waste water clarification
US11084974B2 (en) 2018-08-29 2021-08-10 Championx Usa Inc. Use of multiple charged cationic compounds derived from polyamines for clay stabilization in oil and gas operations
US20200263056A1 (en) * 2019-02-19 2020-08-20 AGC Inc. Polishing composition and polishing method
US11359291B2 (en) 2019-04-16 2022-06-14 Ecolab Usa Inc. Use of multiple charged cationic compounds derived from polyamines and compositions thereof for corrosion inhibition in a water system
WO2020234395A1 (en) 2019-05-23 2020-11-26 Basf Se Composition and process for selectively etching a hard mask and/or an etch-stop layer in the presence of layers of low-k materials, copper, cobalt and/or tungsten
CN113921383B (zh) 2021-09-14 2022-06-03 浙江奥首材料科技有限公司 一种铜表面钝化组合物、其用途及包含其的光刻胶剥离液
US20230159866A1 (en) * 2021-11-23 2023-05-25 Entegris, Inc. Microelectronic device cleaning composition
JP7395795B1 (ja) 2022-03-14 2023-12-11 日本化薬株式会社 処理液およびその使用方法
CN115466965A (zh) * 2022-09-15 2022-12-13 深圳市汇利龙科技有限公司 一种金属清洗剂及其制备方法

Family Cites Families (121)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE153308C (ko)
US2722617A (en) * 1951-11-28 1955-11-01 Hartford Nat Bank & Trust Comp Magnetic circuits and devices
US3893059A (en) * 1974-03-13 1975-07-01 Veeder Industries Inc Pulse generator with asymmetrical multi-pole magnet
FR2288392A1 (fr) 1974-10-18 1976-05-14 Radiotechnique Compelec Procede de realisation de dispositifs semiconducteurs
US4165295A (en) 1976-10-04 1979-08-21 Allied Chemical Corporation Organic stripping compositions and method for using same
FR2372904A1 (fr) 1976-11-19 1978-06-30 Ibm Composition de decapage du silicium polycristallin contenant de l'hydroxyde de tetramethylammonium et procede d'application
JPS5445712A (en) * 1977-09-19 1979-04-11 Hitachi Ltd Motor
US4215005A (en) 1978-01-30 1980-07-29 Allied Chemical Corporation Organic stripping compositions and method for using same
US4271370A (en) * 1979-09-21 1981-06-02 Litton Systems, Inc. Double air gap printed circuit rotor
DD153308A1 (de) 1980-09-12 1981-12-30 Helmut G Prof Dr Rer Schneider Verfahren zur herstellung beschichteter substrate fuer dickschichtschaltkreise
US4371443A (en) * 1981-02-09 1983-02-01 Halliburton Company Method of and composition for acidizing subterranean formations
US4349411A (en) * 1981-10-05 1982-09-14 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Etch procedure for aluminum alloy
JPS6039176A (ja) * 1983-08-10 1985-02-28 Daikin Ind Ltd エッチング剤組成物
JPS6075530A (ja) * 1983-09-30 1985-04-27 Asahi Chem Ind Co Ltd 金属元素の新しい分離精製方法
US4529450A (en) * 1983-10-18 1985-07-16 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Metal oxide remover and method of using
US4644643A (en) * 1984-02-22 1987-02-24 Kangyo Denkikiki Kabushiki Kaisha Method of electrically interconnecting a laminated printed circuit by use of a compressed, solder-plated connector pin
US4785137A (en) * 1984-04-30 1988-11-15 Allied Corporation Novel nickel/indium/other metal alloy for use in the manufacture of electrical contact areas of electrical devices
US4621231A (en) * 1984-06-19 1986-11-04 Westinghouse Electric Corp. Toroidal sensor coil and method
US4613843A (en) * 1984-10-22 1986-09-23 Ford Motor Company Planar coil magnetic transducer
US4569722A (en) 1984-11-23 1986-02-11 At&T Bell Laboratories Ethylene glycol etch for processes using metal silicides
DE3537441A1 (de) 1985-10-22 1987-04-23 Hoechst Ag Loesemittel zum entfernen von photoresists
JPS63283028A (ja) 1986-09-29 1988-11-18 Hashimoto Kasei Kogyo Kk 微細加工表面処理剤
US4863563A (en) 1987-01-27 1989-09-05 Olin Corporation Etching solutions containing ammonium fluoride and a nonionic alkyl amine glycidol adduct and method of etching
US4871422A (en) 1987-01-27 1989-10-03 Olin Corporation Etching solutions containing ammonium fluoride and anionic sulfate esters of alkylphenol polyglycidol ethers and method of etching
GB8725467D0 (en) * 1987-10-30 1987-12-02 Honeywell Control Syst Making current sensor
GB8726673D0 (en) 1987-11-13 1987-12-16 Procter & Gamble Hard-surface cleaning compositions
US4964919A (en) * 1988-12-27 1990-10-23 Nalco Chemical Company Cleaning of silicon wafers with an aqueous solution of KOH and a nitrogen-containing compound
US5070317A (en) * 1989-01-17 1991-12-03 Bhagat Jayant K Miniature inductor for integrated circuits and devices
US4920326A (en) * 1989-01-26 1990-04-24 Eastman Kodak Company Method of magnetizing high energy rare earth alloy magnets
US4921572A (en) 1989-05-04 1990-05-01 Olin Corporation Etchant solutions containing hydrogen fluoride and a polyammonium fluoride salt
US5277835A (en) 1989-06-26 1994-01-11 Hashimoto Chemical Industries Co., Ltd. Surface treatment agent for fine surface treatment
US5021736A (en) * 1989-09-19 1991-06-04 Texas Instruments Incorporated Speed/position sensor calibration method with angular adjustment of a magnetoresistive element
US5094701A (en) 1990-03-30 1992-03-10 Air Products And Chemicals, Inc. Cleaning agents comprising beta-diketone and beta-ketoimine ligands and a process for using the same
US5091103A (en) 1990-05-01 1992-02-25 Alicia Dean Photoresist stripper
DE4117878C2 (de) * 1990-05-31 1996-09-26 Toshiba Kawasaki Kk Planares magnetisches Element
US5279771A (en) 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
US6492311B2 (en) * 1990-11-05 2002-12-10 Ekc Technology, Inc. Ethyenediaminetetraacetic acid or its ammonium salt semiconductor process residue removal composition and process
US5241118A (en) 1991-04-04 1993-08-31 Arco Chemical Technology, L.P. Process for the preparation of trisubstituted ureas by reductive carbonylation
US5219484A (en) * 1991-04-25 1993-06-15 Applied Electroless Concepts Inc. Solder and tin stripper compositions
US5453401A (en) * 1991-05-01 1995-09-26 Motorola, Inc. Method for reducing corrosion of a metal surface containing at least aluminum and copper
EP0572847B1 (de) * 1992-06-03 1998-08-26 Landis &amp; Gyr Technology Innovation AG Münzdetektor
US5308745A (en) 1992-11-06 1994-05-03 J. T. Baker Inc. Alkaline-containing photoresist stripping compositions producing reduced metal corrosion with cross-linked or hardened resist resins
US5320709A (en) 1993-02-24 1994-06-14 Advanced Chemical Systems International Incorporated Method for selective removal of organometallic and organosilicon residues and damaged oxides using anhydrous ammonium fluoride solution
US5525941A (en) * 1993-04-01 1996-06-11 General Electric Company Magnetic and electromagnetic circuit components having embedded magnetic material in a high density interconnect structure
US5421906A (en) * 1993-04-05 1995-06-06 Enclean Environmental Services Group, Inc. Methods for removal of contaminants from surfaces
JP2586304B2 (ja) * 1993-09-21 1997-02-26 日本電気株式会社 半導体基板の洗浄液および洗浄方法
JP2857042B2 (ja) 1993-10-19 1999-02-10 新日本製鐵株式会社 シリコン半導体およびシリコン酸化物の洗浄液
AU707778B2 (en) * 1993-12-10 1999-07-22 Armor All Products Corporation Wheel cleaning composition containing acid fluoride salts
JP2743823B2 (ja) 1994-03-25 1998-04-22 日本電気株式会社 半導体基板のウエット処理方法
JP3074634B2 (ja) * 1994-03-28 2000-08-07 三菱瓦斯化学株式会社 フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法
JPH07281466A (ja) * 1994-04-12 1995-10-27 Fuji Photo Film Co Ltd 電子写真式製版用印刷原版
US5466389A (en) 1994-04-20 1995-11-14 J. T. Baker Inc. PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates
US5498293A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
KR960005765A (ko) * 1994-07-14 1996-02-23 모리시다 요이치 반도체 장치의 배선형성에 이용하는 무전해 도금욕 및 반도체 장치의 배선성형방법
US5648693A (en) * 1994-12-02 1997-07-15 Teac Corporation Disk driving motor with low noise lead wire arrangement for frequency generator
US5512201A (en) * 1995-02-13 1996-04-30 Applied Chemical Technologies, Inc. Solder and tin stripper composition
US5662769A (en) 1995-02-21 1997-09-02 Advanced Micro Devices, Inc. Chemical solutions for removing metal-compound contaminants from wafers after CMP and the method of wafer cleaning
JP3689871B2 (ja) 1995-03-09 2005-08-31 関東化学株式会社 半導体基板用アルカリ性洗浄液
US5571447A (en) 1995-03-20 1996-11-05 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
US5669980A (en) * 1995-03-24 1997-09-23 Atotech Usa, Inc. Aluminum desmut composition and process
US5889403A (en) * 1995-03-31 1999-03-30 Canon Denshi Kabushiki Kaisha Magnetic detecting element utilizing magnetic impedance effect
JPH08286366A (ja) * 1995-04-18 1996-11-01 Fuji Photo Film Co Ltd 感光材料
US5561105A (en) 1995-05-08 1996-10-01 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Chelating reagent containing photoresist stripper composition
JPH08306651A (ja) 1995-05-09 1996-11-22 Mitsubishi Chem Corp アルカリ性洗浄組成物及びそれを用いた基板の洗浄方法
WO1997005228A1 (fr) 1995-07-27 1997-02-13 Mitsubishi Chemical Corporation Procede de traitement de la surface d'un substrat et composition de traitement de surface prevue a cet effet
JPH0962013A (ja) 1995-08-29 1997-03-07 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 半導体装置用洗浄剤及び半導体装置の製造方法
US5849355A (en) * 1996-09-18 1998-12-15 Alliedsignal Inc. Electroless copper plating
US6420329B1 (en) 1995-10-26 2002-07-16 S. C. Johnson & Son, Inc. Cleaning compositions
EP0835333B9 (en) * 1996-04-29 2003-10-22 Ki Won Lee Pickling solution used for removing scales on iron-based alloys
TW416987B (en) 1996-06-05 2001-01-01 Wako Pure Chem Ind Ltd A composition for cleaning the semiconductor substrate surface
US6323168B1 (en) * 1996-07-03 2001-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Post plasma ashing wafer cleaning formulation
US5781093A (en) * 1996-08-05 1998-07-14 International Power Devices, Inc. Planar transformer
JPH1055993A (ja) * 1996-08-09 1998-02-24 Hitachi Ltd 半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
US6030932A (en) 1996-09-06 2000-02-29 Olin Microelectronic Chemicals Cleaning composition and method for removing residues
US5780406A (en) 1996-09-06 1998-07-14 Honda; Kenji Non-corrosive cleaning composition for removing plasma etching residues
US5989353A (en) 1996-10-11 1999-11-23 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
US5709756A (en) 1996-11-05 1998-01-20 Ashland Inc. Basic stripping and cleaning composition
US5698503A (en) * 1996-11-08 1997-12-16 Ashland Inc. Stripping and cleaning composition
US6224785B1 (en) * 1997-08-29 2001-05-01 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous ammonium fluoride and amine containing compositions for cleaning inorganic residues on semiconductor substrates
US6755989B2 (en) * 1997-01-09 2004-06-29 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
US6896826B2 (en) * 1997-01-09 2005-05-24 Advanced Technology Materials, Inc. Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate
JP3600415B2 (ja) * 1997-07-15 2004-12-15 株式会社東芝 分布定数素子
TW387936B (en) * 1997-08-12 2000-04-21 Kanto Kagaku Washing solution
JPH1167632A (ja) 1997-08-18 1999-03-09 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 半導体装置用洗浄剤
EP0926689A3 (en) * 1997-12-18 1999-12-01 National University of Ireland, Cork Magnetic components and their production
US6280651B1 (en) * 1998-12-16 2001-08-28 Advanced Technology Materials, Inc. Selective silicon oxide etchant formulation including fluoride salt, chelating agent, and glycol solvent
JPH11265831A (ja) * 1998-03-18 1999-09-28 Fuji Elelctrochem Co Ltd シートトランス
DK1105778T3 (da) 1998-05-18 2009-10-19 Mallinckrodt Baker Inc Silikatholdige alkaliske sammensætninger til rensning af mikorelektroniske substrater
JP3180779B2 (ja) * 1998-10-05 2001-06-25 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US6136714A (en) 1998-12-17 2000-10-24 Siemens Aktiengesellschaft Methods for enhancing the metal removal rate during the chemical-mechanical polishing process of a semiconductor
US6248704B1 (en) 1999-05-03 2001-06-19 Ekc Technology, Inc. Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices
KR100713319B1 (ko) * 1999-05-07 2007-05-04 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 배선 방법 및 배선 장치
JP4247587B2 (ja) 1999-06-23 2009-04-02 Ｊｓｒ株式会社 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法
US6235693B1 (en) 1999-07-16 2001-05-22 Ekc Technology, Inc. Lactam compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductor devices
JP4202542B2 (ja) 1999-08-05 2008-12-24 花王株式会社 剥離剤組成物
US6344432B1 (en) 1999-08-20 2002-02-05 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
TW593674B (en) 1999-09-14 2004-06-21 Jsr Corp Cleaning agent for semiconductor parts and method for cleaning semiconductor parts
US6537381B1 (en) * 1999-09-29 2003-03-25 Lam Research Corporation Method for cleaning and treating a semiconductor wafer after chemical mechanical polishing
JP2001116814A (ja) * 1999-10-22 2001-04-27 Canon Electronics Inc 磁気インピーダンス素子
US6373404B1 (en) * 1999-10-25 2002-04-16 Chin-Wen Chou Encoding sensor switch
US6132521A (en) * 1999-12-20 2000-10-17 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Cleaning metal surfaces with alkyldione peroxides
US6531071B1 (en) 2000-01-04 2003-03-11 Micron Technology, Inc. Passivation for cleaning a material
US6429763B1 (en) * 2000-02-01 2002-08-06 Compaq Information Technologies Group, L.P. Apparatus and method for PCB winding planar magnetic devices
KR100333627B1 (ko) * 2000-04-11 2002-04-22 구자홍 다층 인쇄회로기판 및 그 제조방법
US6420953B1 (en) * 2000-05-19 2002-07-16 Pulse Engineering. Inc. Multi-layer, multi-functioning printed circuit board
JP2001345212A (ja) * 2000-05-31 2001-12-14 Tdk Corp 積層電子部品
US6834426B1 (en) * 2000-07-25 2004-12-28 International Business Machines Corporation Method of fabricating a laminate circuit structure
JP2002050607A (ja) 2000-08-03 2002-02-15 Kaijo Corp 基板処理方法
JP2002113431A (ja) * 2000-10-10 2002-04-16 Tokyo Electron Ltd 洗浄方法
US6391794B1 (en) * 2000-12-07 2002-05-21 Micron Technology, Inc. Composition and method for cleaning residual debris from semiconductor surfaces
US6566315B2 (en) 2000-12-08 2003-05-20 Advanced Technology Materials, Inc. Formulations including a 1,3-dicarbonyl compound chelating agent and copper corrosion inhibiting agents for stripping residues from semiconductor substrates containing copper structures
ATE487776T1 (de) * 2001-03-27 2010-11-15 Advanced Tech Materials Wässriges reinigungsmittel mit kupferspezifischem korrosionsschutzmittel zur abreinigung anorganischer reste von halbleitersubstraten
JP2002299300A (ja) 2001-03-30 2002-10-11 Kaijo Corp 基板処理方法
US20030022800A1 (en) 2001-06-14 2003-01-30 Peters Darryl W. Aqueous buffered fluoride-containing etch residue removers and cleaners
WO2003024174A1 (fr) * 2001-09-05 2003-03-20 Zeon Corporation Carte de circuit imprime multicouche, materiau a base de resine et procede de production associe
US6970064B2 (en) * 2001-09-05 2005-11-29 Zhang Minghao Mary Center-tap transformers in integrated circuits
KR20040017478A (ko) * 2002-08-21 2004-02-27 한국과학기술원 인쇄회로기판의 제조방법 및 다층 인쇄회로기판
JP4055609B2 (ja) * 2003-03-03 2008-03-05 株式会社デンソー 磁気センサ製造方法
TWI227502B (en) * 2003-09-02 2005-02-01 Ind Tech Res Inst Precise multi-pole magnetic components and manufacturing method thereof
EP1513168B1 (de) * 2003-09-02 2017-03-08 Albert Maurer Verfahren und Vorrichtung zum Magnetisieren eines Magnetsystems
US7078895B1 (en) * 2003-09-18 2006-07-18 Tdk Corporation Eddy-current probe

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100807024B1 (ko) * 2006-08-24 2008-02-25 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 세정 방법

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