KR20010104669A - 플라즈마 강화 ｃｖｄ 공정에 대한 플라즈마 에지 효과의감소 - Google Patents

플라즈마 강화 ｃｖｄ 공정에 대한 플라즈마 에지 효과의감소 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판 처림 챔버의 처리 지역내에 플라즈마를 한정하기 위한 장치에 관한 것이다. 일측면에서, 하나의 장치는 상부 장착 표면을 가지는 각도 부재, 내부 형성 벽, 외부 형성벽을 포함한다. 상기 장치는 기판의 표면에 플라즈마 에지 효과를 방지하기 위하여 처리 챔버의 가스 분배 어셈블리위에 배치되거나, 상기 가스 분배 어셈블리와 연결된다. 상기 장치는 기판의 주변 처리 지역의 체적을 감소시키는 플라즈마 쵸크 구멍을 제공하여 기판 에지 주변 재료에서 재료의 불균일한 증착을 제거한다.

Description

플라즈마 강화 ＣＶＤ 공정에 대한 플라즈마 에지 효과의 감소 {REDUCTION OF PLASMA EDGE EFFECT ON PLASMA ENHANCED CVD PROCESSES}
본 발명은 반도체 처리 장비, 특히, 처리 챔버의 처리 영역 내의 플라즈마 가스를 형성하는 장치 및 처리 챔버에 관한 것이다.
집적 회로(IC) 및 다른 전자 소자의 제조에서, 도전성, 반도전성, 및 유전성 재료로 구성된 다중층은 기판 표면 상에 증착되거나 상기 표면으로부터 제거된다. 집적 회로 소자는 수평 및 수직 도전 경로를 포함한다. 수평 도전 경로 또는 배선은 통상적으로 라인이라고 하며, 수직 도전 경로 또는 배선은 통상적으로 접촉부 또는 비어(via)라고 한다. 접촉부는 하부 기판 상의 디바이스까지 연장되지만, 비어는 하부 금속층까지 연장된다.
도전성, 반도전성, 및 유전성 재료로 구성된 박막은 다수의 증착 기술에 의해 증착, 형성, 또는 제거될 수 있다. 현재의 처리 공정에서 일반적인 증착 기술은 스퍼터링으로서 공지된 물리 기상 증착(PVD), 화학 기상 증착(CVD), 플라즈마-강화 화학 기상 증착(PECVD), 및 전기 도금 공정이다.
화학 기상 증착(CVD) 공정에서, 기판은 전구체(precursor) 가스에 노출되며, 상기 가스는 기판 표면과 반응하며 기판 상의 반응 결과물을 증착하며 기판 상에 막을 성장시킨다. 이러한 표면 반응은 적어도 2가지 방법으로 활성화될 수 있다. 열 처리에서, 기판은 충분히 고온으로 가열되어 기판에 인접한 전구체 가스가 기판 상에 층과 반응하고 증착하는데 필요한 활성화 에너지를 제공하다. PECVD 공정에서, 전구체 가스는 상기 가스를 원하는 재료를 형성하기 위해 기판 표면 상에서 반응하는 이온 및 레디컬(radical)과 같은 활성화 상태로 여기(excite)시키기에 충분히 높은 전자계가 제공된다.
PECVD는 여러 기판 상에 실리콘 카바이드(SiC)를 증착하기 위한 반도체 소자 제조에 사용된다. 실리콘 카바이드는 차단층, 에칭 정지층, 및 IC 응용에서 프리(pre)-금속 유전체(PMD) 레벨을 포함하는 다중 레벨에서, 반사 방지 코팅(ARC) 층으로서 사용될 수 있는 재료이다. SiC를 증착하기 위한 PECVD 공정은 처리 챔버 내에 실란 가스(SiH4) 및 메탄 가스(CH4)를 도입하는 단계를 포함하며, 상기 챔버 내의 가스는 반응하여 챔버 내에 위치한 기판 상에 실리콘 카바이드 막을 형성한다. 가스 분배 어셈블리는 일반적으로 가스가 챔버 내에 도입될 때 기판 표면에 가스를 균일하게 분배하기 위해 PECVD 챔버 내에서 사용된다. 균일한 가스 분배는 기판 표면 상에 SiC를 균일하게 증착하는데 중요한 단계이다.
도 1은 종래의 유전체 증착 챔버(30)의 단면도이다. 증착 챔버(30)는 페데스탈(32), 챔버벽(34), 및 가스 분배 어셈블리 또는 샤워헤드(40 : showerhead)를 포함한다. 샤워헤드(40)는 통상적으로 챔버 내에 전극으로서 작용하는 하부 평면을 제공한다. 그러나, 도 1에서 도시된 바와 같이, PECVD 공정 및 하드웨어는 일부 공정에서 증착의 균일성, 재생산성, 및 신뢰성의 문제를 설명한다. 예를 들어, 도 2는 도 1에서 도시된 통상적인 챔버를 이용하여 처리된 기판 상의 통상적인 플라즈마 전하 밀도를 도시한다. 도시된 바와 같이, 플라즈마 전하 밀도는 기판의 전제 표면에서 균일하지 않다. 또한, 플라즈마 밀도는 중심(77)에서 보다 기판의 에지에서 크다. 통상적으로, 증착의 균일성은 전극 주위의 증가된 플라즈마 밀도의 결과로서 중심에 비해 기판의 에지에서 더 두껍거나 크다.
따라서, 증착 공정 상의 플라즈마 에지 효과를 방지하기 위한 경제적인 해결책이 필요하며, 이에 의해 증착의 균일성, 재생산성, 및 신뢰성을 크게 향상시킬 필요가 있다.
도 1은 종래의 통상적인 유전체 증착 챔버의 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 통상적인 유전체 증착 챔버를 사용하여 처리된 기판 상의 플라즈마 전하 밀도 패턴을 도시한다.
도 3은 캘리포니아, 산타 클라라에 소재한 어플라이드 머티리얼스 사에서 입수 가능한, 전극 확장 부재를 가지는, CVD DXZ 챔버의 단면도.
도 4는 도 3에서 도시된 가스 전달 어셈블리의 분해 단면도.
도 5는 전극 확장 부재의 선택적 실시예를 도시한 가스 전달 시스템의 단면도.
도 6은 환형 전극 확장 장치를 사용한 기판 상의 플라즈마 전하 밀도 패턴을 도시한 도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
20 : 챔버 22 : 챔버 몸체
23 : 내부 진공 챔버 24 : 플라즈마 처리 영역
32 : 페데스탈 34 : 챔버벽
36 : 기판 38 : 상승핀
40 : 샤워헤드 42 : 가스 분배 면판
44 : 전극 확장 부재 45 : 방지판
46 : 가스 공급 드럼 47, 48 : 홀
49 : 플랜지 50 : 전원 공급기
60 : 베이스 플레이트 255 : 상부 표면
261 : 캡 263 : 하부 표면
271, 275 : 봉인
본 발명은 기판 처리 챔버의 처리 영역 내에 플라즈마 가스를 형성하는 장치에 관한 것이다. 일 측면에서, 환형 전극 장착 표면을 가지는 상부, 및 내부 환형 벽 및 외부 환형 벽으로 형성된 하부를 포함하며, 처리 챔버 내에 플라즈마를 형성하는, 장치가 제공된다. 내부 환형 벽은 초크(choke) 개구를 형성하기 위해 외부 환형 벽에 대해 수직으로 연장된다. 다른 측면에서, 환형 전극 표면을 가지는 상부, 및 내부 형성벽 및 외부 형성벽을 가지는 상부로 형성되는 하부를 포함하는 장치가 제공된다. 또 다른 측면에서, 가스 인입구 및 가스 배출구를 가지는 가스 분배 어셈블리, 및 전극 장착 표면을 가지는 상부 및 내부 환형 벽과 외부 환형 벽을 가지는 상부로 형성된 하부를 포함하며, 처리 가스를 전달하는, 장치가 제공된다.
또 다른 측면에서, 처리 챔버는 상기 챔버 내에 플라즈마를 형성하기 위해 제공된다. 처리 챔버는 처리 공동을 형성하는 챔버 몸체, 처리 공동 내에 배치되는 기판 지지 부재, 적어도 하나의 가스 인입구 및 적어도 하나의 가스 배출구를 가지는 가스 분배 어셈블리, 및 전극 장착 표면을 가지는 상부 및 내부 환형 벽과 외부 환형 벽을 가지는 상부로 구성된 하부를 포함하는 상부를 가지는 환형 부재를 포함한다.
전술한 본 발명의 특징, 장점, 및 목적이 달성되고 상세히 이해될 수 있도록 하기 위하여, 본 발명은 첨부된 도면을 참조로 설명된 실시 형태를 통해 더욱 구체적으로 설명될 것이다.
그러나, 본 발명은 다른 동일한 효과를 가지는 실시 형태에도 사용될 수 있기 때문에, 첨부된 도면은 본 발명의 통상적인 실시 형태만을 도시하고 있으며, 따라서, 본 발명은 상기 실시 형태에 제한되지 않는다.
본 발명은 기판 처리 챔버의 플라즈마 영역 내에 초크 개구를 형성하는 전극 확장 부재에 관한 것이다. 초크 개구는 보다 큰 플라즈마 밀도가 통상적으로 형성되는 기판 에지에서 플라즈마 영역의 체적을 감소시킨다. 확장 부재는 적어도 부분적으로 플라즈마 영역의 주변으로 확장되어, 기판 에지 주위의 플라즈마 체적을 감소시킨다. 또한, 전극 확장 부재는 하부 확장 부분을 제공하여, 플라즈마 측면경계를 분명하게 정의한다. 따라서, 전극 확장 부재는 형성벽의 손실을 방지하기 위해 처리 챔버의 하부 형성벽에서 떨어지게 플라즈마를 형성한다. 그 결과로, 기판의 전체 표면에 더욱 균일한 층이 증착된다.
많은 기판 처리 챔버는 상업적으로 이용될 수 있다. 설명을 명확하게 하고 간단하게 하기 위해서, 하기에서 기술된 사항은 주로 캘리포니아 산타 클라라에 소재한 어플라이드 머트리얼 사가 제조한 CVD DxZ 챔버로 알려지고, Zhao 등의 미국 특허 제 5,558,717에 기술된 처리 챔버에 관한 것이다.
도 3은 CVD DxZ 챔버의 단면도이다. CVD DxZ 챔버(20)는 플라즈마 처리 영역(24)을 갖는 내부 진공 챔버(23)를 한정하는 특히 알루미늄으로 제조된 챔버 몸체(22)를 포함한다. 챔버(20)는 원하는 물질을 화학기상증착하도록 기판(36)을 지지하는 지지표면(34)을 가진 받침대(32)를 포함한다. 수직으로 움직이는 상승핀(38)은 지지표면(34)으로 지지표면으로부터의 기판(36)의 전달을 용이하게 한다. 챔버는 공정가스를 유입시키고 가스를 챔버(20)로 유입시키는 가스 전달 어셈블리(40), 및 기판(36)에의 증착효과를 주는 공정 가스 플라즈마를 생산하고 지속시키는 RF 전원공급기(50)를 추가로 포함한다.
가스 전달 어셈블리(40)는 챔버 몸체(22)의 상부 끝단에 베이스 플레이트(60)에 위치하고, 종종 샤워헤드와 관계된 가스 분배 면판(42), 전극 확장부재(44), 방지판(45) 및 가스주입 드럼(46)을 포함한다. 가스는 가스 주입 드럼(46)내에 형성된 중앙 가스 유입구(80)를 통해서 가스 전달 어셈블리(40)에 제공된다. 도시되지는 않았지만, 공정 가스 유입구(80)는 하나이상의 업스트림 가스 소스 및/또는 가스 믹서와 같은 다른 가스 전달 구성요소와 연결된다. 공정 가스 유입구(80)는 가스 주입 드럼(46)의 하부 표면(263) 및 샤워헤드(42)의 상부 표면(255)에 의해서 한정되는 캡(261)으로 유체가 전달될 수 있다.
방지판(45)은 갭(261)내에서 가스-주입 커버 플레이트(46)위에 위치한다. 방지판(45)은 바람직하게는 알루미늄 합금으로 만들어지고, 가스 유입구(80)에서 샤워헤드(42)로 가스를 분산시키는 데 적합한 그 내부에 형성된 통로 또는 홀(47)을 포함한다.
샤워헤드(42)는 가스를 공정 영역(24)으로 주입시키는 데 적합한 다수의 홀(48) 및 가스 전달 어셈블리(40)를 지지하기 위해 격리 링(70) 상에 위치한 샤워헤드(40)의 내부 구성요소인 고리모양의 플랜지(49)를 가진다. 샤워헤드(42)는 실질적으로 디스크 형상이며, 알루미늄 합금과 같이 높은 열 전도율과 낮은 열 접촉 저항(Rc)을 가지는 물질로 제조된다. 바람직하게는 봉인(seal, 275)은 격리 링(70)으로 가스가 유출되지 않도록 고리모양의 플랜지 내에 위치한다. 격리 링(70)은 세라믹 또는 중합체 물질과 같은 비전도성 물질로 구성되며, 접지된 베이스 플래이트(60)로부터 RF 전력을 격리시킨다.
가스주입 드림(46)은 가스주입 드럼(46)의 주변에 형성된 고리형상의 플랜지(273)를 포함한다. 고리형상의 플랜지(273)는 샤워헤드(42) 주변길이에 의존하여 크기가 결정된다. 바람직하게는, 샤워헤드로 유체가 유출되지 않도록 봉인(271)은 고리형상의 플랜지(273)내에 위치한다. 가스-주입 드럼 플래이트(46)는 바람직하게는 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 만들어진다. 가스-주입 드럼(46)은 또한 원하는 온도에서 가스 전달 어셈블리(40)를 유지시키는 물 또는 다른 유체를 포함하는 여러 번 감긴 냉각/가열 채널(도시되지 않음)을 포함한다. 가스-주입 드럼(46)은 열 전달이 일어나는 샤워헤드(42) 상에 위치한다. 전력원(50)은 직류 또는 라디오 주파수(RF)의 교류형태의 전력을 샤워헤드(42)에 플라즈마를 생산하기 위해서 공급한다.
전극 확장부재(44)는 고리형상의 부재 또는 링-형상의 부재이다. 일실시예에서, 전극 확장부재(44)는 도 3에 도시된 바와 같이 샤워헤드(40)의 주변에 위치한다. 이와 달리, 전극 확장부재(40)는 도 5와 관련되어 하기에서 기술된 가스 전달 어셈블리의 하부 표면 도는 기판의 한 쪽 또는 양쪽 표면에 따라 형상이 결정된다.
동작 중에, 실리콘 카바이드(SiC) 막과 같은 막은 받침대(32) 위에 위치한 기판(36)에 증착될 수 있다. 받침대(32)는 기판(36)을 샤워헤드(42) 근처에까지 올린다. 예를 들어 트리메틸실란 및 헬륨 또는 아르곤과 같은 귀한 가스를 포함하는 공정가스는 가스가 방지판(45)의 구멍을 통해서 샤워헤드의 뒤쪽까지 흐르는 중앙 가스 유입구(80)를 통해서 챔버내로 주입된다. 공정 가스는 화살표로 표시된 바와 같이 샤워헤드(42)의 홀(45)을 통해서 공정영역(24) 및 기판(36)으로 흐른다. 기판(36)에 도착하자마자, 공정가스는 상부 표면에서 반응한다. 계속적으로, 공정가스 생산물은 기판의 끝단을 가로질러 펌핑 채널(23)로 밖으로 방사적으로 흐르고, 진공시스템(도시되지 않음)에 의해서 챔버에서 소모된다. SiC 막을 형성하는동안에, 챔버의 압력은 약 3 내지 10 torr, 보다 바람직하게는 약 6 내지 10 torr의 압력이다. 하나의 13.56MHz RF 주파수 공급기는 4.3 내지 10 watts/cm2의 전력밀도로 약 300 내지 700 와트, 보다 바람직하게는 5.7 내지 8.6 watts/cm2의 전력밀도로 약 400 내지 600 와트의 전력을 실리콘에 기초한 가스를 갖는 챔버에 플라즈마를 형성시키도록 양극 및 음극에 제공한다. RF 전력공급기는 챔버내에 유입된 반응물의 분해를 증가시키기 위해서 대체적으로 13.56MHz의 높은 RF 주파수 및 360kHz의 낮은 RF 주파수의 전력을 공급하는 혼합-주파수 RF 전력공급기일 것이다. 기판 표면의 온도는 약 200℃ 내지 400℃, 보다 바람직하게는 약 300℃ 내지 약 400℃이다.
SiC의 증착에 있어서, 여기서 기술된 증착 하드웨어는 다른 유전성 비반사 코팅(DARC) 물질, 산화물(SixOy), 탄소로 도핑된 실리콘 산화물(SixOy:C), 탄소로 도핑된 실리콘 질화물(SixNy:C) 또는 낮은 유전성 물질과 같은 증착물질과 같이 사용될 것이다.
도 4는 도 3에 도시된 바와 같이 가스 전달 어셈블리(40)의 파열된 단면도이다. 가스 전달 어셈블리(40)는 그 주변에 위치한 전극 확장부재(280)를 가지는 샤워헤드(42)를 포함한다. 전극 확장부재(280)는 하부 단면(284)과 통합적으로 형성된 상부 단면(282)을 포함한다. 하부단면(284)은 내부 벽(289) 및 외부 벽(287)을 포함한다. 외부벽(287)의 지름은 실질적으로 상부 단면(282)의 외부벽(286)의 지름과 같다. 내부벽(289)의 지름은 실질적으로 상부단면(282)의 내부벽(288)의 지름과 같고, 하부 단면(282)의 외부벽(287)의 방향으로 수직으로 분기한다. 내부 벽(289)은 약 30도 내지 약 70도의 각도로 분기된다. 바람직하게는 내부벽(289)은 약 45동의 각도로 분기한다.
상부 단면(282)의 내부벽(288)은 바람직하게 볼트와 같은 연결체(298, 299)에 의해서 양호한 전기적 연결을 이루도록 샤워헤드(42)의 주위와 연결된다. 상부단면(282)은 실질적으로 격리 링(70)의 하부 페이스(256)에 연결되는 평면 상부 표면(283)을 가진다. 잘 인접시키기 위해서, 상부 표면(283) 및 하부 페이스(256)는 가스 전달 어셈블리(40)의 방사축(291)에 수평되는 내부표면을 한정한다.
도 5는 전극 확장부재(380)의 다른 실시예를 도시하는 분해된 단면도이다. 전극 확장부재(380)는 바람직하게는 한정된 측면 확장력을 가진 공정 챔버와 함께 사용된다. 전극 확장 부재(380)는 상부 표면(386), 내부벽(384) 및 외부벽(382)을 포함한다. 외부벽(382)의 지름은 실질적으로 샤워헤드(42)의 지름과 같다. 내부벽(384)의 지름은 실질적으로 기판(도시되지 않음)의 지름과 같고 외부 벽(382)쪽으로 수직으로 분기한다. 내부벽(384)은 약 30도 내지 약 70도의 각도로 외부벽(382)쪽으로 분기한다. 바람직하게는, 내부벽(384)은 외부벽(382)쪽으로 약 45도의 각도로 분기한다.
전극 확장부재(380)는 샤워헤드(42)의 하부 페이스(354) 상에 위치한다. 전극 확장부재(380)의 실질적인 평면 상부 표면(386)은 양호한 전기 전달이 이루어지도록 볼트 또는 동일한 연결체(도시되지 않음)에 의해서 샤워헤드(42)의 하부 페이스(354)에 연결된다. 짝 접합부에서, 상부 장착 표면(386) 및 하부면(354)은 가스전달 어셈블리(349)의 방사상 축(391)과 평행한 인터페이스를 형성한다.
전극 확장 부재(280 및 380)는 고온 전도성 및 높게 마무리된 표면을 가지는 알루미늄 합금 같은 저온 접촉 저항(Rc)를 가지는 재료로 구성된다. 전극 확장 부재(280 및 380)는 통상적으로 샤워헤드(42)와 같은 재료로 구성된다. 선택적으로, 다른 실시예에서, 샤워헤드(42)는 여기에 기술된 바와같이 전극 확장 부재(280 및 380)의 아래쪽 확장 부분을 포함하도록 단일 조각의 알루미늄 또는 다른 적당한 재료로부터 밀링된다.
도 3, 4 및 5에 도시된 가스 전달 어셈블리(40)는 환형 부재 또는 링형 부재인 것으로 기술된다. 그러나, 본 발명은 특정 모양으로 제한되지 않는다. 환형 평행 사변형 및 다른 모양 같은 다른 구조적 구성은 고려될수있다.
본 발명은 다음 비제한 실시예에서 추가로 기술될 것이다.
실시예 1
기판은 도 3에 도시된 처리 챔버를 사용하여 처리된다. 평균 923 옴스트롱의 두께를 가지는 실리콘 카바이드 필름은 실리콘 기판상에 배치된다. 증착 균일도는 UV-145SE 박막 측정 시스템에 의해 측정된다. 증착 두께는 기판 표면을 가로질러 1.6 퍼센트의 측정 표준 편차를 가진다. 도 6에 도시된 바오같이, 기판은 도우넛 모양 구조를 나타내지 않고 증착은 기판 표면을 가로질러 균일하다.
비교 실시예
증착 처리는 도 1에 도시된 바와같이 통상적인 챔버를 사용하여 수행된다. 977 옴스트롱의 평균 두께를 가지는 실리콘 카바이드 필름은 실리콘 기판상에 증착된다. 도 2에 도시된 바와같이, 도우넛 모양 구조는 번호 77로 표현된 기판 표면을 가로질러 나타난다. 증착 균일도는 동일한 UV-145SE 박막 측정 시스템에 의해 측정된다. 증착 두께는 3.8 퍼센트의 측정 표준 편차를 가진다.
상기된 바는 본 발명의 바람직한 실시예에 관한 것이지만, 본 발명의 다른 실시예는 본 발명의 기본적인 범위에서 벗어나지 않고 변형될수있고, 그 범위는 다음 청구범위에 의해 결정된다.
본 발명은 경제적으로 증착 공정 상의 플라즈마 에지 효과를 방지하며, 이에 의해 증착의 균일성, 재생산성, 및 신뢰성을 크게 향상시킬수 있는 효과를 가진다.

Claims (37)

  1. 처리 챔버내에 플라즈마를 형성하기 위한 장치로서,
    환형 전극 장착 표면을 가지는 상부 섹션; 및
    내부 환형 벽 및 외부 환형 벽을 가지는 상부 섹션과 일체형으로 형성된 하부 섹션을 포함하는 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 내부 환형 벽은 수직에서 외부 환형 벽쪽으로 기울어진 것을 특징으로 하는 장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 장치는 알루미늄 합금 또는 그와 유사한 금속 합금을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 하부 섹션의 내부 형성 벽은 수직에서 약 30 도 내지 약 70 도 기울어진 것을 특징으로 하는 장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 내부 환형 벽은 수직에서 약 45 도의 각도로 기울어진 것을 특징으로 하는 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 샤워헤드 전극을 더 포함하고, 상기 상부 장착 표면은 샤워헤드 전극에 인접하게 배치되어 우수한 전기 전달을 제공하는 것을 특징으로 하는 장치.
  7. 기판 처리 챔버내에 처리 가스를 분배하기 위한 장치로서,
    가스 인입부 및 가스 배출부를 가지는 가스 분배 어셈블리; 및
    전극 장착 표면을 가지는 상부 섹션과, 내부 환형 벽 및 외부 환형 벽을 가지는 외부 섹션과 일체형으로 형성된 하부섹션을 포함하는 환형 부재를 포함하고, 상기 내부 환형 벽은 수직에서 외부 환형 벽쪽으로 기울어진 장치.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 내부 환형 벽은 수직에서 약 30 도 내지 약 70 도 기울어진 것을 특징으로 하는 장치.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 가스 인입부는 관통되도록 형성된 적어도 하나의 구멍을 가지는 가스 공급 드럼을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  10. 제 9 항에 있어서, 상기 가스 공급 드럼은 전력 공급기에 접속되는 것을 특징으로 하는 장치.
  11. 제 7 항에 있어서, 관통되도록 형성되고 가스 인입부상에 배치된 다수의 구멍을 가지는 블록커 플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  12. 제 7 항에 있어서, 상기 가스 배출부는 관통되도록 형성된 다수의 구멍을 가지는 면판을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 전극 장착 표면은 하나 이상의 패스너에 의해 면판에 접속되는 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 전극 장착 표면은 우수한 전기 전달을 제공하기 위하여 면판의 하부 표면에 일치하는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 환형 부재는 면판의 일체부인 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 처리 챔버내에 플라즈마를 형성하기 위한 장치로서,
    상부 장착 표면을 가지는 환형 부재, 내부 형성 벽, 및 외부 형성 벽을 포함하는 장치.
  17. 제 16 항에 있어서, 샤워헤드 전극을 더 포함하고, 상기 상부 장착 표면은 우수한 전기 전달을 제공하기 위하여 샤워헤드 전극에 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 내부 형성 벽은 수직에서 외부 형성 벽쪽으로 기울어진 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 내부 형성 벽은 수직에서 약 30 도 내지 약 70 도 기울어진 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제 17 항에 있어서, 상기 내부 형셩 벽은 수직에서 약 45 도 기울어진 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 기판 처리 챔버내에서 처리 가스를 분배하기 위한 장치에 있어서,
    가스 인입부 및 가스 배출부를 가지는 가스 분배 어셈블리; 및
    상부 장착 표면, 내부 형성 벽, 및 외부 형성 벽을 포함하는 환형 부재를 포함하고, 상기 내부 형성 벽은 수직에서 외부 형성 벽으로 기울어진 것을 특징으로 하는 장치.
  22. 제 21 항에 있어서, 상기 내부 형성 벽은 수직에서 약 30 도 내지 약 70 도 기울어진 것을 특징으로 하는 장치.
  23. 제 21 항에 있어서, 상기 가스 인입부는 관통하도록 형성된 적어도 하나의구멍을 가지는 가스 공급 드럼을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  24. 제 23 항에 있어서, 상기 가스 공급 드럼은 전력 공급기에 접속되는 것을 특징으로 하는 장치.
  25. 제 21 항에 있어서, 관통하도록 형성되고 가스 인입부상에 배치된 다수의 구멍을 가지는 블록커 플레이트를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  26. 제 21 항에 있어서, 상기 가스 배출부는 관통하도록 형성된 다수의 구멍을 가지는 면판을 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  27. 제 21 항에 있어서, 상기 환형 부재는 하나 이상의 패스너에 의해 가스 배출부에 접속되는 것을 특징으로 하는 장치.
  28. 제 26 항에 있어서, 상기 환형 부재는 면판과 일체형인 것을 특징으로 하는 장치.
  29. 제 21 항에 있어서, 상기 상부 장착 표면은 우수한 전기 전달을 제공하기 위하여 가스 배출부에 결합되는 것을 특징으로 하는 장치.
  30. 처리 챔버로서,
    처리 공동을 형성하는 챔버 몸체;
    상기 처리 공동내에 배치된 기판 지지 부재;
    적어도 하나의 가스 인입부 및 적어도 하나의 가스 배출부를 가지는 가스 분배 어셈블리; 및
    전극 장착 표면을 가지는 상부 섹션과, 내부 환형 벽 및 외부 환형 벽을 가지는 상부 섹션과 일체형으로 형성된 하부 섹션을 포함하는 환형 부재를 포함하고, 상기 내부 형성 벽은 수직에서 외부 형성 벽쪽으로 기울어진 것을 특징으로 하는 처리 챔버.
  31. 제 30 항에 있어서, 상기 하부 섹션의 내부 형성 벽은 수직에서 약 30 도 내지 약 70 도로 기울어진 것을 특징으로 하는 처리 챔버.
  32. 제 30 항에 있어서, 상기 전극 장착 표면은 우수한 전기 전달을 제공하기 위하여 가스 분배 어셈블리에 인접하게 배치되는 것을 특징으로 하는 처리 챔버.
  33. 제 30 항에 있어서, 상기 환형 부재는 하나 이상의 패스너에 의해 가스 전달 시스템에 접속되는 것을 특징으로 하는 처리 챔버.
  34. 처리 챔버로서,
    처리 공동을 형성하는 챔버 몸체;
    처리 공동내에 배치된 기판 지지 부재; 및
    상부 장착 표면, 내부 형성 벽, 및 외부 형성 벽을 포함하는 환형 부재를 가지는 가스 전달 시스템을 포함하고, 상기 내부 형성 벽은 수직에서 외부 형성벽으로 기울어진 것을 특징으로 하는 처리 챔버.
  35. 제 34 항에 있어서, 상기 내부 형성 벽은 수직에서 약 30 도 내지 약 70 도 기울어진 것을 특징으로 하는 처리 챔버.
  36. 제 34 항에 있어서, 상기 환형 부재의 상부 장착 표면은 우수한 전기 전달을 제공하기 위하여 가스 전달 시스템의 하부 표면에 일치하는 것을 특징으로 하는 처리 챔버.
  37. 제 34 항에 있어서, 상기 환형 부재는 하나 이상의 패스너에 의해 가스 전달 시스템에 접속되는 것을 특징으로 하는 처리 챔버.
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