KR102329646B1 - 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치 - Google Patents

다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 하나의 챔버에 설치된 다수개의 샤워헤드에 전력 및 가스를 공급하는 기판처리장치로서, 내부공간이 형성된 챔버부와, 기판을 히팅하는 히터부와, 기판의 상부면에 가스를 도포하는 샤워헤드부와, 이 샤워헤드부에 전력을 공급하는 전력공급부와 샤워헤드부에 가스를 공급하는 가스공급부와,전력과 가스를 함께 공급하거나 전력과 가스를 개별적으로 분리해서 공급하는 공급라인부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서 본 발명은 하나의 챔버에 설치된 다수개의 샤워헤드에 전력과 가스를 함께 공급하거나 전력과 가스를 개별적으로 분리해서 공급하는 공급라인부를 구비함으로써, 플라즈마의 균일성을 향상시키고 가스의 균일성도 향상시켜 전력과 가스의 공급을 개선하고 하드웨어를 단순하게 구성하여 생산성 향상에 기여하고 안정적인 플라즈마 증착 공정을 구현할 수 있는 효과를 제공한다.

Description

다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS FOR COMPRISING ELECTRIC POWER AND GAS SUPPLYING STRUCTURE OF MULTIPLE SHOWER HEAD}
본 발명은 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 하나의 챔버에 설치된 다수개의 샤워헤드에 전력 및 가스를 공급하는 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치에 관한 것이다.
기판 상에 박막을 퇴적하는데 사용되는 일반적인 공정은 복잡한 디바이스 토포그래피(topography) 상에 비교적 균일한 막을 퇴적할 수 있는 화학적 기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)이다. 통상적인 CVD 공정에서는, 기판이 두 가지 이상의 휘발성 전구체에 노출되는데, 이들 전구체는 기판 표면 상에서 반응 및/또는 분해되어 원하는 박막을 생성한다.
이전의 퇴적 기술에 비해 CVD의 개선에도 불구하고, CVD는 몇가지 단점이 있다. 예를 들어, CVD가 플럭스 의존성이기 때문에, 균일한 두께의 원하는 박막을 생성하려면 기판 온도, 압력, 및 가스 유량 등의 퇴적 조건이 정확하고 일관되게 유지되어야 한다. 또한, CVD는 퇴적된 박막에 원하지 않는 반응 생성물을 혼입시키는 경향이 있어, 박막의 순도를 떨어뜨린다.
이들 프로세스 동작들 중 일부는 예를 들어, 웨이퍼의 선택된 표면들 또는 층들 위에 재료들을 증착하는 것을 수반한다. 일 이러한 반응기는 PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) 반응기이다.
예를 들어, PECVD 반응기는 절연 막들, 예컨대, 실리콘 옥사이드 (SiO), 실리콘 나이트라이드 (SiN), 실리콘 카바이드 (SiC), 실리콘 옥시카바이드 (SiOC), 및 다른 것들을 증착하도록 사용될 수도 있다. 이러한 재료 막들은 알루미늄 (Al) 합금을 포함할 수도 있다.
증착될 막의 타입에 따라, RF (radio frequency) 전력이 증착을 인에이블하는 (enable) 플라즈마를 생성하도록 공급되는 동안 특정한 반응 가스들이 PECVD 반응기로 이동된다.
예를 들어, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)은, 증착 프로세스들이, 유사한 열 프로세스들에서 달성 가능한 것보다 더 높은 온도들 및 더 높은 증착 레이트들(rates)에서 수행되는 것을 허용한다.
따라서, PECVD는, 초고밀도 또는 극-초고밀도 집적 회로(VLSI 또는 ULSI) 디바이스 제조에 대해서와 같이, 엄격한 열 버짓들(thermal budgets)을 갖는 집적 회로 제조에 대해서 유리하다.
또한,변형된 CVD를 대표하는 원자층 퇴적(ALD, Atomic Layer Deposition)은 고도로 균일한 동형의 막 퇴적을 달성함에 있어서 잠재적으로 우수한 방법으로서 대두되는 박막 퇴적의 최신 기술이다. ALD는, 각각의 퇴적 단계에서 단일의 원자 단층(monolayer)을 순차적으로 퇴적함으로써 박막을 구성하기 위해 종래의 CVD 공정을 별도의 퇴적단계로 분할하는 공정이다.
ALD의 기술은, 화학흡착(chemisorption)에 의한 반응성 전구체 분자의 포화 단층의 형성 원리에 기반한다. 통상의 ALD 공정은, 공정 챔버에 주입된 반응성 가스 전구체에 의한 단일 웨이퍼 반응기를 사용하여 ALD 박막이 퇴적될 수 있다.
그러나, 단일 웨이퍼 반응기의 주요 단점은 쓰루풋이 상대적으로 낮기 때문에 상업적 가치가 현저하게 감소한다는 것이다. 다른 단점은 각각의 개별 가스 전구체가 도입되기 전에 공정 챔버를 퍼지해야 한다는 것이다.
특히, 최근 반도체 기판처리 공정에서 생산성 향상을 위해서 한 챔버 내에서 다수의 기판을 처리할 수 있게 장치가 있으나 이를 구현하기 위해 장치가 복잡하고 RF 전달 방식 및 공정 가스 전달 방식에 따른 기판의 균일도 유지에 어려움이 있다는 문제가 있었고, 또한 이를 실행함에 있어 다수개의 RF 생성기를 사용하여 장치가 복잡하고 제조 원가 상승의 요인으로 발생하는 문제점도 있었다.
대한민국 공개공보 제10-2016-0004201호 (2016년01월12일) 대한민국 공개공보 제10-2018-0104765호 (2018년09월21일) 대한민국 공개공보 제10-2019-0033660호 (2019년03월29일)
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출한 것으로서, 하나의 챔버에 설치된 다수개의 샤워헤드에 전력과 가스를 함께 공급하거나 전력과 가스를 개별적으로 분리해서 공급하는 공급라인부를 구비함으로써, 플라즈마의 균일성을 향상시키고 가스의 균일성도 향상시켜 전력과 가스의 공급을 개선하고 하드웨어를 단순하게 구성하여 생산성 향상에 기여하고 안정적인 플라즈마 증착 공정을 구현할 수 있는 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 샤워헤드부의 위치를 조절하는 샤워헤드 조절부를 더 구비함으로써, 샤워헤드의 수평위치와 레벨링과 높이 등과 같이 다양한 위치를 조절하여 다수개의 샤워헤드에 RF 전력와 공정 가스를 균일하게 공급할 수 있는 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 샤워헤드 조절부로서 표준 기준용 제1 조절바와 조절용 제2 조절바와 제3 조절바를 구비함으로써, 3개의 조절바에 의해 수평위치와 레벨링과 높이 등 다양한 위치조절을 용이하게 하는 동시에 위치조절 시간을 단축시켜 작업성을 향상시킬 수 있는 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 샤워헤드 조절부로서 위치조절수단과 실링수단과 절연수단을 구비함으로써, 가스 및 RF 전력의 공급과 진공 챔버의 중앙에서 절연 성능 및 진공 성능을 향상시키고 절연성 차폐 슬리프와 실링재에 의해 차폐성능 및 실링 성능을 향상시킬 수 있는 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 전력공급부로서 제1 전력생성수단과 제2 전력생성수단과 연결수단과 제1 연결편과 제2 연결편을 구비함으로써, HFRF 전력 생성기의 반대편에 LFRF 생성기를 대응하도록 연결함으로써, 각각의 샤워헤드에 균일하게 전달되는 동시에 균일한 전력에 의해 기판처리시 처리성능을 일정하게 유지할 있는 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 가스공급부로서, 제1 가스공급수단과 제2 가스공급수단과 가스혼합수단을 구비함으로써, 가스의 공급시 균일한 가스프리믹싱을 제공하여 기판의 처리성능을 향상시키고 상부에 절연성 슬리프를 설치하여 가스와 RF 전력의 절연성능을 향상시킬 수 있는 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공급라인부로서 가스메인라인과 가스분배라인과 전력메인라인과 전력분배라인을 일체 또는 개별 분리함으로써, 다수개의 샤워헤드에 전력과 가스를 균일하게 공급하여 기판 처리효율 및 처리품질을 일정하게 유지할 수 있는 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치를 제공하는 것을 또 다른 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 하나의 챔버에 설치된 다수개의 샤워헤드에 전력 및 가스를 공급하는 기판처리장치로서, 기판이 처리되는 내부공간이 형성된 챔버부(100); 상기 챔버부(100)의 내부공간에 다수개가 각각 설치되어, 기판을 히팅하는 히터부(200); 상기 히터부(200)의 상부에 각각 설치되어, 기판의 상부면에 가스를 도포하는 샤워헤드부(300); 상기 챔버부(100)의 상부에 설치되어, 각각의 상기 샤워헤드부(300)에 전력을 공급하는 전력공급부(400); 상기 챔버부(100)의 상부에 설치되어, 각각의 상기 샤워헤드부(300)에 가스를 공급하는 가스공급부(500); 및 상기 사워헤드부(300)와 상기 전력공급부(400) 및 상기 가스공급부(500)와의 사이에 연결되어, 전력과 가스를 함께 공급하거나 전력과 가스를 개별적으로 분리해서 공급하는 공급라인부(600);를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 각각의 상기 샤워헤드부(300)의 상부에 설치되어, 상기 샤워헤드부(300)의 위치를 조절하는 샤워헤드 조절부(700);를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 샤워헤드 조절부(700)는, 상기 샤워헤드부(300)의 기준위치를 제공하는 제1 조절바; 상기 제1 조절바의 일방에 설치되어, 상기 제1 조절바를 기준해서 상기 샤워헤드부(300)의 일방의 위치를 조절하는 제2 조절바; 및 상기 제1 조절바의 타방에 설치되어, 상기 제1 조절바를 기준해서 상기 샤워헤드부(300)의 타방의 위치를 조절하는 제3 조절바;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 샤워헤드 조절부(700)는, 상기 챔버부(100)와 상기 샤워헤드부(300) 사이에 설치되어, 샤워헤드의 위치를 조절하는 위치조절수단; 상기 위치조절수단과 상기 챔버부(100) 사이에 설치되어, 상기 위치조절수단을 실링하는 실링수단; 및 상기 위치조절수단과 상기 샤워헤드부(300) 사이에 설치되어, 상기 위치조절수단을 절연시키는 절연수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 전력공급부(400)는, 상기 챔버부(100)의 상부 일방에 설치되어, 제1 RF 전력을 제공하는 제1 전력생성수단; 상기 챔버부(100)의 상부 타방에 설치되어, 제2 RF 전력을 제공하는 제2 전력생성수단; 상기 제1 전력생성수단과 상기 제2 전력생성수단을 상기 공급라인부(600)에 연결시키는 연결수단; 상기 제1 전력생성수단과 상기 연결수단 사이에 설치되어, 서로 연결시키는 제1 연결편; 및 상기 제2 전력생성수단과 상기 연결수단 사이에 설치되어, 서로 연결시키는 제2 연결편;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 가스공급부(500)는, 상기 챔버부(100)의 상부 일방에 설치되어, 프로세스 가스를 공급하는 제1 가스공급수단; 상기 챔버부(100)의 상부 타방에 설치되어, 클리닝 가스를 공급하는 제2 가스공급수단; 및 상기 제1 가스공급수단과 상기 제2 가스공급수단의 하류에 연통되어, 프로세스 가스와 클리닝 가스를 혼합하는 가스혼합수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 공급라인부(600)는, 상기 챔버부(100)의 중앙에 설치된 가스메인라인; 상기 가스메인라인의 하부에 분배하도록 연결된 가스분배라인; 상기 챔버부(100)의 중앙에 설치된 전력메인라인; 및 상기 전력메인라인의 하부에 분배하도록 연결된 전력분배라인;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 상기 가스분배라인과 상기 전력분배라인은, 전력과 가스를 함께 공급하도록 일체로 형성되어 있거나 전력과 가스를 개별적으로 분리해서 공급하도록 각각 별도로 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 하나의 챔버에 설치된 다수개의 샤워헤드에 전력과 가스를 함께 공급하거나 전력과 가스를 개별적으로 분리해서 공급하는 공급라인부를 구비함으로써, 플라즈마의 균일성을 향상시키고 가스의 균일성도 향상시켜 전력과 가스의 공급을 개선하고 하드웨어를 단순하게 구성하여 생산성 향상에 기여하고 안정적인 플라즈마 증착 공정을 구현할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 샤워헤드부의 위치를 조절하는 샤워헤드 조절부를 더 구비함으로써, 샤워헤드의 수평위치와 레벨링과 높이 등과 같이 다양한 위치를 조절하여 다수개의 샤워헤드에 RF 전력와 공정 가스를 균일하게 공급할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 샤워헤드 조절부로서 표준 기준용 제1 조절바와 조절용 제2 조절바와 제3 조절바를 구비함으로써, 3개의 조절바에 의해 수평위치와 레벨링과 높이 등 다양한 위치조절을 용이하게 하는 동시에 위치조절 시간을 단축시켜 작업성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 샤워헤드 조절부로서 위치조절수단과 실링수단과 절연수단을 구비함으로써, 가스 및 RF 전력의 공급과 진공 챔버의 중앙에서 절연 성능 및 진공 성능을 향상시키고 절연성 차폐 슬리프와 실링재에 의해 차폐성능 및 실링 성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 전력공급부로서 제1 전력생성수단과 제2 전력생성수단과 연결수단과 제1 연결편과 제2 연결편을 구비함으로써, HFRF 전력 생성기의 반대편에 LFRF 생성기를 대응하도록 연결함으로써, 각각의 샤워헤드에 균일하게 전달되는 동시에 균일한 전력에 의해 기판처리시 처리성능을 일정하게 유지할 있는 효과를 제공한다.
또한, 가스공급부로서, 제1 가스공급수단과 제2 가스공급수단과 가스혼합수단을 구비함으로써, 가스의 공급시 균일한 가스프리믹싱을 제공하여 기판의 처리성능을 향상시키고 상부에 절연성 슬리프를 설치하여 가스와 RF 전력의 절연성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 공급라인부로서 가스메인라인과 가스분배라인과 전력메인라인과 전력분배라인을 일체 또는 개별 분리함으로써, 다수개의 샤워헤드에 전력과 가스를 균일하게 공급하여 기판 처리효율 및 처리품질을 일정하게 유지할 수 있는 효과를 제공한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치를 나타내는 구성도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치의 가스공급부를 나타내는 구성도.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치의 전력공급부를 나타내는 상면도.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치의 샤워헤드 조절부를 나타내는 구성도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치의 샤워헤드 조절부의 조절바를 나타내는 구성도.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치의 샤워헤드 조절부의 배치상태를 나타내는 상면도.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치의 샤워헤드부의 배치상태를 나타내는 상면도.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치의 공급라인부의 다른예를 나타내는 구성도.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예를 더욱 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치를 나타내는 구성도이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치의 가스공급부를 나타내는 구성도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치의 전력공급부를 나타내는 상면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치의 샤워헤드 조절부를 나타내는 구성도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치의 샤워헤드 조절부의 조절바를 나타내는 구성도이고, 도 6은 본 발명의 일 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치의 샤워헤드 조절부의 배치상태를 나타내는 상면도이고, 도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치의 샤워헤드부의 배치상태를 나타내는 상면도이고, 도 8은 본 발명의 일 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치의 공급라인부의 다른예를 나타내는 구성도이다.
도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 본 실시예에 의한 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치는, 챔버부(100), 히터부(200), 샤워헤드부(300), 전력공급부(400), 가스공급부(500), 공급라인부(600), 샤워헤드 조절부(700)를 포함하여 이루어져, 하나의 챔버에 설치된 다수개의 샤워헤드에 전력 및 가스를 공급하는 기판처리장치이다. 이러한 기판처리장치는 배치(batch) 타입의 기판처리장치로 구성되는 것이 가능함은 물론이다.
또한, 본 발명의 기판처리장치의 프로세싱은 CVD(chemical vapor deposition), PE CVD(plasma enhanced chemical vapor deposition), ALD(atomic layer deposition), PEALD(plasma enhanced atomic layer deposition), PDL(pulsed deposition layer), MLD(molecular layer deposition) 중 적어도 하나에 사용되는 반도체 기판의 처리장치 등에 사용되는 것도 가능함은 물론이다.
챔버부(100)는, 기판이 처리하는 내부공간이 진공으로 유지되도록 진공펌프나 진공밸브 등과 같은 각종 진공설비들이 연결 형성된 챔버부재로서, 진공챔버(110), 챔버플레이트(120) 및 챔버커버(130)로 이루어져 있다.
진공챔버(110)는, 기판이 처리하는 내부공간이 진공으로 유지되도록 형성된 챔버로서, 대기압에서 진공압으로 배기되고 진공압에서 대기압으로 탈기되도록 구성되며, 외부로부터 절연되고 진공 압력으로 계속 유지하게 된다.
챔버플레이트(120)는, 진공챔버(110)의 하부에 설치되는 바닥재의 플레이트로서, 진공챔버(110)의 하부를 지지하도록 커버링하게 되고, 여기에 내부공간이 진공으로 유지되도록 진공펌프나 진공밸브 등과 같은 각종 진공설비들과 배기설비들이 연결되어 있다.
챔버커버(130)는, 진공챔버(110)의 상부에 설치되는 커버부재(챔버 LID)로서, 이러한 챔버커버(130)의 하부에는 샤워헤드부(300)와 샤워헤드 조절부(700) 등이 설치되어 있고, 상부에는 샤워헤드부(300)에 전력과 가스를 제공하는 전력공급부(400)와 가스공급부(500)와 공급라인부(600) 등이 설치되어 있다.
히터부(200)는, 챔버부(100)의 내부공간에 다수개가 각각 설치되어 각각의 기판을 지지하여 히팅하는 히터부재로서, 히팅플레이트(210)와 지지축(220)으로 이루어져 있다.
히팅플레이트(210)는, 기판을 상부에 재치하도록 기판의 하부를 지지하는 플레이트로서, 이러한 히팅플레이트(210)의 내부에는 상부에 재치된 기판을 히팅하도록 열선 등과 같은 가열수단이 매설되어 있는 기판 페데스탈(pedestal)로 이루어져 있다.
지지축(220)은, 히팅플레이트(210)의 하부에 지지하는 지지부재로서, 히팅플레이트(210)를 승강시키거나 회전시키도록 지지하여 기판의 재치위치를 다양하게 변경하여 조절하도록 히팅플레이트(210)의 하부를 지지하게 된다.
샤워헤드부(300)는, 히터부(200)의 상부에 각각 설치되어 기판의 상부면에 플라즈마에 의해 가스를 도포하는 플라즈마 샤워헤드부재로서, 도 7에 나타낸 바와 같이 서로 대칭으로 배치된 제1 내지 제4 샤워헤드(300a, 300b, 300b, 300c, 300d)의 4개의 샤워헤드로 구성되며, 샤워헤드(310), 배면플레이트(320) 및 백킹플레이트(330)로 이루어져 있다.
샤워헤드(310)는, 기판의 상부면에 소정거리 이격 설치되어 기판면에 가스를 분사하여 도포하는 도포수단으로서, 기판면에 가스를 균등하게 분사하여 균일하게 도포하도록 내부공간이 가스를 외곽으로 확산시키도록 외곽으로 확장 형성되어 있다.
배면플레이트(320)는, 샤워헤드(310)의 하부에 설치되어 기판면에 가스를 균등하게 분사하여 균일하는 분사용 플레이트로서, 이러한 배면플레이트(320)에는 기판면 전체에 균등하게 분포되도록 배치되는 복수개의 분사홀이 천공 형성되어 있다.
백킹플레이트(330)는, 샤워헤드(310)의 상부에 설치되어 샤워헤드(310)의 내부에 가스를 공급하는 커버용 플레이트로서, 이러한 백킹플레이트(330)에 공급라인부(600)가 연결되어 있고, 백킹플레이트(330)와 챔버커버(130)와의 사이에 샤워헤드 조절부(700)가 설치되어 있다.
전력공급부(400)는, 챔버부(100)의 상부에 설치되어 각각의 샤워헤드부(300)에 전력을 공급하는 전력공급부재로서, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이 제1 전력생성수단(410), 제2 전력생성수단(420), 연결수단(430), 제1 연결편(440), 제2 연결편(450) 및 RF(Radio Frequency) 매칭수단(460)으로 이루어져 있다.
제1 전력생성수단(410)은, 챔버부(100)의 상부 일방에 설치되어 챔버부(100)와 샤워헤드부(300)에 제1 RF(Radio Frequency) 전력을 제공하는 전력생성수단으로서, 박막형 태양전지 및 LCD(Liquid Crystal Display)의 제조에서 핵심인 전공정 장비(CVD, Dry Etcher) 등에 공정 플라즈마를 형성할 수 있게 공정챔버(Chamber)에 고주파 전원을 공급하는 HFRF(High Frequency Radio Frequency) 전력 생성기로 이루어져 있다.
특히, LCD 제조공장에서 일반적으로 공급되는 상업전원(주파수 : 50/60Hz)의 3상 220V, 400V, 440V 또는 480V의 교류전원을 공급받아 통상적으로 13.56MHz 혹은 그 이상의 고주파로 변환하는 변환장치(Converter)로 이루어져, 주로 RF 전원을 사용하도록 제공하게 된다.
최근 반도체 회로의 패턴이 미세화 되고 3D구조로 입체화 되면서 공정이 매우 복잡해지고 이에 따라 여러 주파수(2MHz, 3.2MHz, 13.56MHz, 27.12MHz, 60MHz)와 다양한 기능(Pulse, 주파수가변 등)을 사용하는 추세이며, 반도체 ALD, CVD 공정의 경우 멀티의 첨단 기능을 갖춘 1∼3kW급 출력의 RF 전원을 주로 사용하고 있다.
제2 전력생성수단(420)은, 챔버부(100)의 상부 타방에 설치되어 챔버부(100)와 샤워헤드부(300)에 제2 RF 전력을 제공하는 전력생성수단으로서, 박막형 태양전지 및 LCD(Liquid Crystal Display)의 제조에서 핵심인 전공정 장비(CVD, Dry Etcher) 등에 공정 플라즈마를 형성할 수 있게 공정챔버(Chamber)에 저주파 전원을 공급하는 LFRF(Low Frequency Radio Frequency) 전력 생성기로 이루어져 있다.
연결수단(430)은, 제1 전력생성수단(410)과 제2 전력생성수단(420)을 공급라인부(600)에 연결시키는 연결수단으로서, 제1 연결링(431), 제2 연결링(432), 제1 결합편(433) 및 제2 결합편(434)으로 이루어져 있다.
제1 연결링(431)은, 공급라인부(600)의 외곽 둘레의 일방에 접촉하여 연결되는 연결수단으로서, 반달형이나 반원형으로 형성되어 공급라인부(600)의 외곽 둘레의 일방에 밀착하여 통전시키게 된다.
제2 연결링(432)은, 공급라인부(600)의 외곽 둘레의 타방에 접촉하여 연결되는 연결수단으로서, 반원형으로 형성되어 공급라인부(600)의 외곽 둘레의 타방에 밀착하여 통전시키게 된다.
제1 결합편(433)은, 제1 연결링(431)과 제2 연결링(432)의 양단이 서로 접촉되어 결합되는 결합부위의 일방에 결합되는 결합수단으로서, 볼트 및 너트 등과 같은 체결고정수단으로 이루어져 나사 결합에 의해 고정지지하게 된다.
제2 결합편(434)은, 제1 연결링(431)과 제2 연결링(432)의 양단이 서로 접촉되어 결합되는 결합부위의 타방에 결합되는 결합수단으로서, 볼트 및 너트 등과 같은 체결고정수단으로 이루어져 나사 결합에 의해 고정지지하게 된다.
제1 연결편(440)은, 제1 전력생성수단(410)과 연결수단(430) 사이에 설치되어 서로 연결시키는 연결수단으로서, 제1 전력생성수단(410)과 연결수단(430) 사이에 통전이 가능하도록 금속재의 연결편으로 이루어지게 된다.
제2 연결편(450)은, 제2 전력생성수단(420)과 연결수단(430) 사이에 설치되어 서로 연결시키는 연결수단으로서, 제2 전력생성수단(420)과 연결수단(430) 사이에 통전이 가능하도록 금속재의 연결편으로 이루어지게 된다.
RF 매칭수단(460)은, 제1 전력생성수단(410)과 제2 전력생성수단(420)의 사이에 연결 설치되어 RF 신호의 위상차를 조정하는 조정수단으로서, 다수개의 RF 전력 생성기의 RF 신호 인가수단에서 인가되는 RF 신호의 위상차를 조정하여 일치시키게 된다.
가스공급부(500)는, 챔버부(100)의 상부에 설치되어 각각의 샤워헤드부(300)에 가스를 공급하는 가스공급부재로서, 제1 가스공급수단(510), 제2 가스공급수단(520), 가스혼합수단(530) 및 상부 절연수단(540)으로 이루어져 있다.
제1 가스공급수단(510)은, 챔버부(100)의 상부 일방에 설치되어 프로세스 가스를 공급하는 가스공급수단으로서, 프로세스 가스의 저장탱크에 연결되어 공급로를 형성하는 제1 가스배관(511)과, 이 제1 가스배관(511)의 관로 상에 설치되어 프로세스 가스의 공급량을 제어하는 제1 가스밸브(512)로 이루어져 있다.
제2 가스공급수단(520)은, 챔버부(100)의 상부 타방에 설치되어 클리닝 가스를 공급하는 가스공급수단으로서, 클리닝 가스의 저장탱크에 연결되어 공급로를 형성하는 제2 가스배관(521)과, 이 제2 가스배관(521)의 관로 상에 설치되어 클리닝 가스의 공급량을 제어하는 제2 가스밸브(522)로 이루어져 있다.
가스혼합수단(530)은, 제1 가스공급수단(510)과 제2 가스공급수단(520)의 하류에 연통되어 프로세스 가스와 클리닝 가스를 혼합하는 가스혼합수단으로서, 챔버부(100)와 샤워헤드부(300)에 공정가스를 투입하기 전에 프로세스 가스와 클리닝 가스를 소정의 비율로 혼합하도록 내부에 믹싱공간이 형성된 프리믹서 챔버로 이루어져 있다.
상부 절연수단(540)은, 가스혼합수단(530)의 하부에 설치되되 공급라인부(600)의 상부에 설치되는 절연수단으로서, 상부 절연슬리브(541), 제1 상부 고정편(542), 제2 상부 고정편(543), 제1 상부 실링편(544) 및 제2 상부 실링편(545)으로 이루어져 있다.
상부 절연슬리브(541)는, 공급라인부(600)의 상부에 설치되는 세라믹재의 절연부재로, 전력공급부(400)와 가스공급부(500) 사이 설치되어 이들 사이를 절연시키게 된다.
제1 상부 고정편(542)은, 상부 절연슬리브(541)의 하부에 설치되는 볼트 등과 같은 체결 고정부재로서, 상부 절연슬리브(541)와 전력공급부(400) 사이에 설치되어 이들을 서로 접촉하여 절연상태로 고정지지하도록 결합되어 있다.
제2 상부 고정편(543)은, 상부 절연슬리브(541)의 상부에 설치되는 볼트 등과 같은 체결 고정부재로서, 상부 절연슬리브(541)와 가스공급부(500) 사이에 설치되어 이들을 서로 접촉하여 절연상태로 고정지지하도록 결합되어 있다.
제1 상부 실링편(544)은, 상부 절연슬리브(541)의 하부에 설치되는 O링 등과 같은 실링부재로서, 상부 절연슬리브(541)와 전력공급부(400) 사이에 설치되어 이들을 서로 접촉하여 진공 기밀상태로 유지하게 된다.
제2 상부 실링편(545)은, 상부 절연슬리브(541)의 상부에 설치되는 O링 등과 같은 실링부재로서, 상부 절연슬리브(541)와 가스공급부(500) 사이에 설치되어 이들을 서로 접촉하여 진공 기밀상태로 유지하게 된다.
공급라인부(600)는, 사워헤드부(300)와 전력공급부(400) 및 가스공급부(500)와의 사이에 연결되어 전력과 가스를 함께 공급하거나 전력과 가스를 개별적으로 분리해서 공급하는 공급라인부재로서, 가스메인라인(610), 가스분배라인(620), 전력메인라인(630), 전력분배라인(640) 및 하부절연수단(650)으로 이루어져 있다.
가스메인라인(610)은, 챔버부(100)의 중앙에 설치된 가스라인으로서, 챔버부(100)의 상부에 설치되어 있는 전력공급부(400) 및 가스공급부(500)를 챔버부(100)와 샤워헤드부(300)에 연통시키게 된다.
가스분배라인(620)은, 가스메인라인(610)의 하부에 분배하도록 복수개가 분기하도록 연결된 가스라인으로서, 가스메인라인(610)의 하부에서 다수개의 샤워헤드부(300)에 각각 분기된 가스분배관(621)과 이 가스분배관(621)을 고정결합시키는 가스배관 고정편(622)으로 이루어져 있다.
또한, 이러한 가스분배라인(620)은, 샤워헤드부(300)의 제1 내지 제4 샤워헤드(300a, 300b, 300b, 300c, 300d)에 각각 분기해서 연결되는 제1 내지 제4 가스분배라인(620a, 620b, 620b, 620c, 620d)로 이루어져 있다.
전력메인라인(630)은, 챔버부(100)의 중앙에 설치된 전력라인으로서, 챔버부(100)의 상부에 설치되어 있는 전력공급부(400) 및 가스공급부(500)를 챔버부(100)와 샤워헤드부(300)에 연통시키게 된다.
전력분배라인(640)은, 전력메인라인의 하부에 분배하도록 연결된 전력라인으로서, 전력분배관(641), 전력배관 연결편(642), 전력배관 고정편(643), 전력배관 결합편(644)으로 이루어져 있다.
전력분배관(641)은, 전력메인라인(630)의 하부에서 다수개의 샤워헤드부(300)에 각각 분기된 분배관으로서, 샤워헤드부(300)의 제1 내지 제4 샤워헤드(300a, 300b, 300b, 300c, 300d)에 각각 분기해서 연결되어 있다.
전력배관 연결편(642)은, 전력분배라인(640)과 전력메인라인(630) 사이에 설치된 연결부재로서, 전력메인라인(630)의 하부 둘레에 다수개의 전력분배관(641)을 각각 결합하여 연결시키게 된다.
전력배관 고정편(643)은, 전력배관 연결편(642)의 둘레에 설치되어 전력배관 연결편(642)을 전력메인라인(630)의 하부에 고정시키는 고정부재로서, 볼트 등과 같은 체결고정수단으로 이루어져 나사 결합에 의해 고정지지하게 된다.
전력배관 결합편(644)은, 전력분배라인(640)과 샤워헤드부(300) 사이에 설치된 연결부재로서, 전력분배라인(640)의 하부에 샤워헤드부(300)을 각각 결합하여 연결시키게 된다.
이러한 가스분배라인(620)과 전력분배라인(640)은, 도 1 및 도 8에 나타낸 바와 같이, 전력과 가스를 함께 공급하도록 일체로 형성되어 있거나 전력과 가스를 개별적으로 분리해서 공급하도록 각각 별도로 형성되어 있는 것도 가능함은 물론이다.
하부절연수단(650)은, 챔버부(100)의 상부와 공급라인부(600)의 하부 사이에 설치되는 절연수단으로서, 하부 절연슬리브(651), 하부 실링플레이트(652), 제1 하부 고정편(653), 제2 하부 고정편(654), 제1 하부 실링편(655) 및 제2 하부 실링편(656)으로 이루어져 있다.
하부 절연슬리브(651)는, 챔버부(100)의 챔버커버(130)와 공급라인부(600)의 하부 사이에 설치되는 세라믹재의 절연부재로, 챔버부(100)와 공급라인부(600) 사이 설치되어 이들 사이를 절연시키게 된다.
하부 실링플레이트(652)는, 하부 절연슬리브(651)의 상부에 설치되는 실링부재로서, 하부 절연슬리브(651)의 상부를 외부로부터 실링하도록 실리콘이나 고무 등과 같은 실링부재로 이루어져 있다.
제1 하부 고정편(653)은, 하부 절연슬리브(651)의 둘레에 설치되어 하부 절연슬리브(651)을 챔버커버(130)의 상부에 고정시키는 고정부재로서, 볼트 등과 같은 체결고정수단으로 이루어져 나사 결합에 의해 고정지지하게 된다.
제2 하부 고정편(654)은, 하부 실링플레이트(652)의 둘레에 설치되어 하부 실링플레이트(652)을 하부 절연슬리브(651)의 상부에 고정시키는 고정부재로서, 볼트 등과 같은 체결고정수단으로 이루어져 나사 결합에 의해 고정지지하게 된다.
제1 하부 실링편(655)은, 하부 절연슬리브(651)와 챔버커버(130) 사이에 설치되는 오링 등과 같은 실링부재로서, 하부 절연슬리브(651)와 챔버커버(130) 사이에 설치되어 이들을 서로 접촉하여 진공 기밀상태로 유지하게 된다.
제2 하부 실링편(656)은, 하부 절연슬리브(651)와 하부 실링플레이트(652) 사이에 설치되는 오링 등과 같은 실링부재로서, 하부 절연슬리브(651)와 하부 실링플레이트(652) 사이에 설치되어 이들을 서로 접촉하여 진공 기밀상태로 유지하게 된다.
샤워헤드 조절부(700)는, 각각의 샤워헤드부(300)의 상부에 설치되어 샤워헤드부(300)의 수평이나 높이 등과 같이 다양한 위치를 조절하는 샤워헤드 조절부재로서, 도 4 내지 도 6에 나타낸 바와 같이 제1 조절바(710), 제2 조절바(720), 제3 조절바(730)의 3개의 조절바와, 이들에 각각 설치되는 위치조절수단(740), 실링수단(750) 및 절연수단(760)으로 이루어져 있다.
제1 조절바(710)는, 샤워헤드부(300)의 기준위치를 제공하는 조절바로서, 제1 조절편(711), 제1 조절실링편(712), 제1 하부지지편(713) 및 제1 상부지지편(714)으로 이루어져 있다.
제1 조절편(711)은, 챔버부(100)의 챔버커버(130)와 샤워헤드부(300) 사이에 상하 길이방향으로 설치되는 바아 형상의 길이조절부재로서, 챔버커버(130)와 샤워헤드부(300) 사이의 길이를 일정하게 유지하는 기준 길이의 표준 조절바를 형성하게 된다.
제1 조절실링편(712)은, 제1 조절편(711)의 하부에 설치되는 실리콘이나 고무재 등의 실링부재로서, 제1 조절편(711)과 샤워헤드부(300) 사이를 실링하여 이들 사이의 기밀을 유지하게 된다.
제1 하부지지편(713)은, 제1 조절편(711)의 하부에 설치되는 지지부재로서, 제1 조절편(711)와 샤워헤드부(300) 사이의 결합을 고정지지하여 제1 조절편(711)의 설치위치를 일정하게 유지하도록 고정 결합시키게 된다.
제1 상부지지편(714)은, 제1 조절편(711)의 하부에 설치되는 지지부재로서, 제1 조절편(711)와 챔버커버(130) 사이의 결합을 고정지지하여 제1 조절편(711)의 설치위치를 일정하게 유지하도록 고정 결합시키게 된다.
제2 조절바(720)는, 제1 조절바(710)의 일방에 설치되어 제1 조절바(710)를 기준해서 샤워헤드부(300)의 일방의 위치를 조절하는 조절바로서, 제2 조절편(721)과 제2 조절실링편(722)으로 이루어져 있다.
제2 조절편(721)은, 챔버부(100)의 챔버커버(130)와 샤워헤드부(300) 사이에 상하 길이방향으로 설치되는 바아 형상의 길이조절부재로서, 상단부위에 대략 5∼50㎜ 구간에 나선이 형성되며, 챔버커버(130)와 샤워헤드부(300) 사이의 길이를 제1 조절바(711)의 표준길이를 기준해서 일방을 다양한 길이로 조절하는 조절바를 형성하게 된다.
제2 조절실링편(722)은, 제2 조절편(721)의 하부에 설치되는 실리콘이나 고무재 등의 실링부재로서, 제2 조절편(721)과 샤워헤드부(300) 사이를 실링하여 이들 사이의 기밀을 유지하게 된다.
제3 조절바(730)는, 제1 조절바(710)의 타방에 설치되어 제1 조절바(710)를 기준해서 샤워헤드부(300)의 타방의 위치를 조절하는 조절바로서, 제3 조절편(731)과 제3 조절실링편(732)으로 이루어져 있다.
제3 조절편(731)은, 챔버부(100)의 챔버커버(130)와 샤워헤드부(300) 사이에 상하 길이방향으로 설치되는 바아 형상의 길이조절부재로서, 상단부위에 대략 5∼50㎜ 구간에 나선이 형성되며, 챔버커버(130)와 샤워헤드부(300) 사이의 길이를 제1 조절바(711)의 표준길이를 기준해서 타방을 다양한 길이로 조절하는 조절바를 형성하게 된다.
제3 조절실링편(732)은, 제3 조절편(731)의 하부에 설치되는 실리콘이나 고무재 등의 실링부재로서, 제3 조절편(731)과 샤워헤드부(300) 사이를 실링하여 이들 사이의 기밀을 유지하게 된다.
위치조절수단(740)은, 챔버부(100)와 샤워헤드부(300) 사이에 설치되어 나사결합에 의해 샤워헤드의 위치를 조절하는 위치조절수단으로서, 조절플레이트(741), 조절홈(742), 고정편(743)으로 이루어져 있다.
조절플레이트(741)는, 조절바의 상부에 설치되어 조절바의 상부를 커버링하는 플레이트로서, 조절플레이트(741)의 중앙에는 회전나선홀이 형성되어 조절바를 나선 회전가능하게 지지하는 동시에 조절바의 높이를 소정위치로 조절하게 된다.
조절홈(742)은, 조절바의 상단에 함몰 형성된 홈부재로서, 여기에 위치조절용 설비나 공구를 부착하여 조절바를 회전시킴으로서 조절바를 승강이동시겨 조절바의 하단에 설치된 샤워헤드부(300)의 설치위치를 조절하거나 레벨링을 가능하게 한다.
고정편(743)은, 조절플레이트(741)의 외곽둘레에 설치된 고정홀에 결합되는 고정부재로서, 볼트 등과 같은 체결고정부재로 이루어져 조절플레이트(741)를 챔버커버(130)의 상부에 고정 결합시키게 된다.
실링수단(750)은, 위치조절수단(740)과 챔버부(100) 사이에 설치되어 위치조절수단(740)을 실링하는 실링수단으로서, 제1 실링플레이트(751), 제2 실링플레이트(752), 제1 실링결합편(753), 제1 실링편(754), 제2 실링결합편(755) 및 제2 실링편(756)으로 이루어져 있다.
제1 실링플레이트(751)는, 위치조절수단(740)의 하부와 챔버커버(130)의 상부 사이에 설치되어 실링부재를 고정 지지하는 플레이트로서, 챔버커버(130)의 상부와 조절바 사이에 설치되는 1차 실링부재를 1차적으로 고정 지지하게 된다.
제2 실링플레이트(752)은, 위치조절수단(740)의 외곽부위와 챔버커버(130)의 상부 사이에 설치되어 실링부재를 고정 지지하는 플레이트로서, 챔버커버(130)의 상부와 조절바의 외곽둘레 사이에 설치되는 2차 실링부재를 2차적으로 고정 지지하게 된다.
제1 실링결합편(753)은, 제1 실링플레이트(751)의 외곽둘레에 설치된 고정홀에 결합되는 고정부재로서, 볼트 등과 같은 체결고정부재로 이루어져 제1 실링플레이트(751)를 챔버커버(130)의 상부에 고정 결합시키게 된다.
제1 실링편(754)은, 제1 실링플레이트(751)의 외곽둘레 하부에 설치된 실링홈에 결합되는 O링 등과 같은 실링부재로서, 제1 실링플레이트(751)와 챔버커버(130) 사이를 실링하여 진공상태의 기밀을 유지하게 된다.
제2 실링결합편(755)은, 제2 실링플레이트(752)의 외곽둘레에 설치된 고정홀에 결합되는 고정부재로서, 볼트 등과 같은 체결고정부재로 이루어져 제2 실링플레이트(752)를 챔버커버(130)의 상부에 고정 결합시키게 된다.
제2 실링편(756)은, 제2 실링플레이트(752)의 외곽둘레 하부에 설치된 실링홈에 결합되는 O링 등과 같은 실링부재로서, 제2 실링플레이트(752)와 챔버커버(130) 사이를 실링하여 진공상태의 기밀을 유지하게 된다.
절연수단(760)은, 위치조절수단(740)과 샤워헤드부(300) 사이에 설치되어 위치조절수단(740)을 절연시키는 절연수단으로서, 샤워헤드 절연슬리브(761), 슬리브 풀림방지수단(762), 슬리브 볼트부위(763)로 이루어져 있다.
샤워헤드 절연슬리브(761)는, 조절바와 샤워헤드부(300) 사이에 설치되어 위치조절수단(740)과 조절바를 절연시키는 세라믹재의 절연슬리브로서, 하단에 샤워헤드부(300)에 나합되어 있고 상단에 조절바가 나합되어 있다.
슬리브 풀림방지수단(762)은, 샤워헤드 절연슬리브(761)의 측면 일방에 형성된 고정홀에 설치되는 풀림방지수단으로서, 볼트 등과 같은 체결고정부재로 이루어져 샤워헤드 절연슬리브(761)를 조절바의 하부에 고정 결합시키게 된다.
슬리브 볼트부위(763)는, 샤워헤드 절연슬리브(761)의 하부에 돌출 형성되며 외부에 나선이 체결부위로서, 샤워헤드부(300)의 상부에 형성된 고정홀에 체결 고정되어 샤워헤드 절연슬리브(761)를 샤워헤드부(300)의 상부에 고정 결합시키게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 하나의 챔버에 설치된 다수개의 샤워헤드에 전력과 가스를 함께 공급하거나 전력과 가스를 개별적으로 분리해서 공급하는 공급라인부를 구비함으로써, 플라즈마의 균일성을 향상시키고 가스의 균일성도 향상시켜 전력과 가스의 공급을 개선하고 하드웨어를 단순하게 구성하여 생산성 향상에 기여하고 안정적인 플라즈마 증착 공정을 구현할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 샤워헤드부의 위치를 조절하는 샤워헤드 조절부를 더 구비함으로써, 샤워헤드의 수평위치와 레벨링과 높이 등과 같이 다양한 위치를 조절하여 다수개의 샤워헤드에 RF 전력와 공정 가스를 균일하게 공급할 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 샤워헤드 조절부로서 표준 기준용 제1 조절바와 조절용 제2 조절바와 제3 조절바를 구비함으로써, 3개의 조절바에 의해 수평위치와 레벨링과 높이 등 다양한 위치조절을 용이하게 하는 동시에 위치조절 시간을 단축시켜 작업성을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 샤워헤드 조절부로서 위치조절수단과 실링수단과 절연수단을 구비함으로써, 가스 및 RF 전력의 공급과 진공 챔버의 중앙에서 절연 성능 및 진공 성능을 향상시키고 절연성 차폐 슬리프와 실링재에 의해 차폐성능 및 실링 성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 전력공급부로서 제1 전력생성수단과 제2 전력생성수단과 연결수단과 제1 연결편과 제2 연결편을 구비함으로써, HFRF 전력 생성기의 반대편에 LFRF 생성기를 대응하도록 연결함으로써, 각각의 샤워헤드에 균일하게 전달되는 동시에 균일한 전력에 의해 기판처리시 처리성능을 일정하게 유지할 있는 효과를 제공한다.
또한, 가스공급부로서, 제1 가스공급수단과 제2 가스공급수단과 가스혼합수단을 구비함으로써, 가스의 공급시 균일한 가스프리믹싱을 제공하여 기판의 처리성능을 향상시키고 상부에 절연성 슬리프를 설치하여 가스와 RF 전력의 절연성능을 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
또한, 공급라인부로서 가스메인라인과 가스분배라인과 전력메인라인과 전력분배라인을 일체 또는 개별 분리함으로써, 다수개의 샤워헤드에 전력과 가스를 균일하게 공급하여 기판 처리효율 및 처리품질을 일정하게 유지할 수 있는 효과를 제공한다.
이상 설명한 본 발명은 그 기술적 사상 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러 가지 형태로 실시될 수 있다. 따라서 상기 실시예는 모든 점에서 단순한 예시에 지나지 않으며 한정적으로 해석되어서는 안 된다.
100: 챔버부 200: 히터부
300: 샤워헤드부 400: 전력공급부
500: 가스공급부 600: 공급라인부
700: 샤워헤드 조절부

Claims (8)

  1. 하나의 챔버에 설치된 다수개의 샤워헤드에 전력 및 가스를 공급하는 기판처리장치로서,
    기판이 처리되는 내부공간이 형성된 챔버부(100);
    상기 챔버부(100)의 내부공간에 다수개가 각각 설치되어, 기판을 히팅하는 히터부(200);
    상기 히터부(200)의 상부에 각각 설치되어, 기판의 상부면에 가스를 도포하는 샤워헤드부(300);
    상기 챔버부(100)의 상부에 설치되어, 각각의 상기 샤워헤드부(300)에 전력을 공급하는 전력공급부(400);
    상기 챔버부(100)의 상부에 설치되어, 각각의 상기 샤워헤드부(300)에 가스를 공급하는 가스공급부(500); 및
    상기 사워헤드부(300)와 상기 전력공급부(400) 및 상기 가스공급부(500)와의 사이에 연결되어, 전력과 가스를 함께 공급하거나 전력과 가스를 개별적으로 분리해서 공급하는 공급라인부(600);를 포함하고,
    상기 전력공급부(400)는,
    상기 챔버부(100)의 상부 일방에 설치되어, 제1 RF 전력을 제공하는 제1 전력생성수단;
    상기 챔버부(100)의 상부 타방에 설치되어, 제2 RF 전력을 제공하는 제2 전력생성수단;
    상기 제1 전력생성수단과 상기 제2 전력생성수단을 상기 공급라인부(600)에 연결시키는 연결수단;
    상기 제1 전력생성수단과 상기 연결수단 사이에 설치되어, 서로 연결시키는 제1 연결편; 및
    상기 제2 전력생성수단과 상기 연결수단 사이에 설치되어, 서로 연결시키는 제2 연결편;을 포함하는 것을 특징으로 하는 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    각각의 상기 샤워헤드부(300)의 상부에 설치되어, 상기 샤워헤드부(300)의 위치를 조절하는 샤워헤드 조절부(700);를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 샤워헤드 조절부(700)는,
    상기 샤워헤드부(300)의 기준위치를 제공하는 제1 조절바;
    상기 제1 조절바의 일방에 설치되어, 상기 제1 조절바를 기준해서 상기 샤워헤드부(300)의 일방의 위치를 조절하는 제2 조절바; 및
    상기 제1 조절바의 타방에 설치되어, 상기 제1 조절바를 기준해서 상기 샤워헤드부(300)의 타방의 위치를 조절하는 제3 조절바;를 포함하는 것을 특징으로 하는 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 샤워헤드 조절부(700)는,
    상기 챔버부(100)와 상기 샤워헤드부(300) 사이에 설치되어, 샤워헤드의 위치를 조절하는 위치조절수단;
    상기 위치조절수단과 상기 챔버부(100) 사이에 설치되어, 상기 위치조절수단을 실링하는 실링수단; 및
    상기 위치조절수단과 상기 샤워헤드부(300) 사이에 설치되어, 상기 위치조절수단을 절연시키는 절연수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치.
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스공급부(500)는,
    상기 챔버부(100)의 상부 일방에 설치되어, 프로세스 가스를 공급하는 제1 가스공급수단;
    상기 챔버부(100)의 상부 타방에 설치되어, 클리닝 가스를 공급하는 제2 가스공급수단; 및
    상기 제1 가스공급수단과 상기 제2 가스공급수단의 하류에 연통되어, 프로세스 가스와 클리닝 가스를 혼합하는 가스혼합수단;을 포함하는 것을 특징으로 하는 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 공급라인부(600)는,
    상기 챔버부(100)의 중앙에 설치된 가스메인라인;
    상기 가스메인라인의 하부에 분배하도록 연결된 가스분배라인;
    상기 챔버부(100)의 중앙에 설치된 전력메인라인; 및
    상기 전력메인라인의 하부에 분배하도록 연결된 전력분배라인;을 포함하는 것을 특징으로 하는 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 가스분배라인과 상기 전력분배라인은, 전력과 가스를 함께 공급하도록 일체로 형성되어 있거나 전력과 가스를 개별적으로 분리해서 공급하도록 각각 별도로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 다수 샤워헤드의 전력 및 가스 공급구조를 구비한 기판처리장치.
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