KR20160004201A - 플라즈마 프로세싱을 위한 다중-구역 페데스탈 - Google Patents

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KR20160004201A
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데일 알. 두 보이스
주안 카를로스 로차-알바레즈
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Abstract

가열식 페데스탈을 위한 장치 및 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 가열식 페데스탈은, 세라믹 물질을 포함하는 본체, 본체 내에 캡슐화된 복수의 가열 엘리먼트들, 및 복수의 가열 엘리먼트들 중 각각의 엘리먼트에 인접하는, 본체의 표면에 형성된 하나 또는 그 초과의 그루브들을 포함하고, 그루브들의 적어도 하나의 측부는 세라믹 플레이트에 의해 바운딩된다.

Description

플라즈마 프로세싱을 위한 다중-구역 페데스탈{MULTI-ZONE PEDESTAL FOR PLASMA PROCESSING}
[0001] 본원에 개시되는 실시예들은 일반적으로, 반도체 프로세싱 챔버에 관한 것이고, 그리고 더 구체적으로, 다중-구역 온도 제어를 갖는 반도체 프로세싱 챔버를 위한 가열식(heated) 지지 페데스탈(pedestal)에 관한 것이다.
[0002] 반도체 프로세싱은, 기판 상에 생성될 미세한(minute) 집적 회로들을 가능하게 하는 다수의 상이한 화학적 및 물리적 프로세스들을 수반한다. 집적 회로를 구성하는 물질들의 층들은 화학 기상 증착, 물리 기상 증착, 에피택셜 성장(epitaxial growth), 등에 의해 생성된다. 물질들의 층들 중 일부는, 포토레지스트 마스크들 및 습식(wet) 또는 건식(dry) 에칭 기술들을 사용하여 패터닝된다. 집적 회로들을 형성하는 데에 활용되는 기판은 실리콘, 갈륨 비소, 인화 인듐, 유리, 또는 다른 적절한 물질일 수 있다.
[0003] 집적 회로들의 제조에서, 다양한 물질 층들의 증착 또는 에칭을 위해 플라즈마 프로세스들이 종종 사용된다. 플라즈마 프로세싱은 열 프로세싱에 비해 많은 장점들을 제공한다. 예를 들어, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD)은, 증착 프로세스들이, 유사한 열 프로세스들에서 달성 가능한 것보다 더 낮은 온도들 및 더 높은 증착 레이트들(rates)에서 수행되는 것을 허용한다. 따라서, PECVD는, 초고밀도 또는 극-초고밀도 집적 회로(VLSI 또는 ULSI) 디바이스 제조에 대해서와 같이, 엄격한 열 버짓들(thermal budgets)을 갖는 집적 회로 제조에 대해서 유리하다.
[0004] 이러한 프로세스들에서 사용되는 프로세싱 챔버들은 전형적으로, 프로세싱 동안 기판을 지지하기 위해 챔버 내에 배치되는 기판 지지부 또는 페데스탈을 포함한다. 몇몇 프로세스들에서, 페데스탈은, 기판의 온도를 제어하고 그리고/또는 프로세스에서 사용될 수 있는 상승된 온도들을 제공하도록 이루어진 내장형(embedded) 가열기를 포함할 수 있다. 통상적으로, 페데스탈들은, 바람직한 디바이스 제조 결과들을 일반적으로 제공하는 세라믹 물질로 구성될 수 있다.
[0005] 그러나, 세라믹 페데스탈들은 수많은 난제들을 생성한다. 이러한 난제들 중 하나는, 하나 또는 그 초과의 구역들의 다중 구역 가열 및/또는 정확한 온도 제어이다. 부가적으로, 세라믹 물질들은, 알루미늄과 같은 다른 물질들과 비교할 때, 용이하게 기계 가공 가능하지 않을 수 있고(not machinable), 전기 리드들(leads) 및/또는 내장형 온도 감지 디바이스들을 위해 내부에 그루브들을 형성하는 것에 대한 제조 상의 난제를 생성한다.
[0006] 따라서, 필요한 것은, 다중 구역들에서 온도-제어되는 페데스탈이다.
[0007] 가열식 페데스탈의 장치 및 방법이 제공된다. 일 실시예에서, 가열식 페데스탈은, 세라믹 물질을 포함하는 본체 ― 하나 또는 그 초과의 그루브들이 본체의 하나 또는 그 초과의 표면들에 형성됨 ―, 그루브들의 적어도 일 측부(side)에 바운딩되는(bounding) 세라믹 플레이트, 및 본체 내에 캡슐화된(encapsulated) 복수의 가열 엘리먼트들을 포함한다.
[0008] 다른 실시예에서, 반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈이 제공된다. 페데스탈은, 세라믹 물질을 포함하는 본체 ― 하나 또는 그 초과의 그루브들이 본체의 주 표면에 형성됨 ―, 주 표면에 커플링되고 그리고 그루브들의 적어도 일 측부에 바운딩되는 세라믹 플레이트, 본체 내에 캡슐화된 복수의 가열 엘리먼트들, 본체에 커플링된, 세라믹 물질을 포함하는 중공형(hollow) 샤프트, 및 중공형 샤프트에 배치된, 내부에 형성된 복수의 채널들을 갖는 유전체 인서트(dielectric insert)를 포함한다.
[0009] 다른 실시예에서, 반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈이 제공된다. 페데스탈은, 세라믹 물질을 포함하는 본체 ― 하나 또는 그 초과의 그루브들이 본체의 주 표면에 형성됨 ―, 주 표면에 커플링되고 그리고 그루브들의 적어도 일 측부에 바운딩되는 세라믹 플레이트, 본체 내에 캡슐화된 복수의 가열 엘리먼트들, 본체에 커플링된, 세라믹 물질을 포함하는 중공형 샤프트, 및 중공형 샤프트에 배치된, 내부에 형성된 복수의 채널들을 갖는 유전체 인서트를 포함하고, 유전체 인서트 내의 채널들의 적어도 일부분은, 본체에 형성된 그루브들 중 적어도 하나의 그루브의 단부에서 종료되는(terminating) 단부를 갖는 만곡된(curved) 부분을 포함한다.
[0010] 본 개시물(disclosure)의 상기 열거된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 앞서 간략히 요약된, 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있는데, 이러한 실시예들의 일부는 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 개시물의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본원에 개시된 실시예들이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0011] 도 1은 플라즈마 시스템의 일 실시예의 부분 단면도이다.
[0012] 도 2a-2d는 도 1의 플라즈마 시스템에서 페데스탈로서 활용될 수 있는 페데스탈의 다양한 실시예들의 평면도들이다.
[0013] 도 3은 도 1의 플라즈마 시스템에서 사용될 수 있는 페데스탈의 다른 실시예의 단면도이다.
[0014] 도 4a-4c는, 페데스탈의 유전체 인서트의 다양한 실시예들을 보여주는, 도 3의 단면선(4-4)을 따라 절취된 페데스탈의 평면도들이다.
[0015] 도 5는 도 1의 플라즈마 시스템에서 사용될 수 있는 페데스탈의 일 실시예의 등각 분해(isometric exploded) 단면도이다.
[0016] 도 6은 도 1의 플라즈마 시스템에서 사용될 수 있는 페데스탈의 다른 실시예의 측단면도이다.
[0017] 도 7은 도 1의 플라즈마 시스템에서 사용될 수 있는 페데스탈의 다른 실시예의 측단면도이다.
[0018] 도 8a 및 8b는 도 1의 플라즈마 시스템에서 사용될 수 있는 페데스탈의 다른 실시예의 일부분을 보여주는 측단면도이다.
[0019] 도 9a 및 9b는 도 1의 플라즈마 시스템에서 사용될 수 있는 페데스탈의 다른 실시예의 측단면도들이다.
[0020] 이해를 용이하게 하기 위하여, 가능하면, 도면들에 공통되는 동일한 요소들을 나타내는데 동일한 참조번호들이 사용되었다. 일 실시예에 개시되는 요소들이 구체적인 언급 없이 다른 실시예들에서 유리하게 사용될 수 있다는 점이 고려된다.
[0021] 본 개시물의 실시예들은, 플라즈마 챔버들과 관련하여 이하에서 예시적으로 설명되지만, 본원에서 설명되는 실시예들은 다른 챔버 유형들 및 다수의 프로세스들에서 활용될 수 있다. 일 실시예에서, 플라즈마 챔버는 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD) 시스템에서 활용된다. 본 개시물로부터의 이익을 향유하도록 이루어질 수 있는 PECVD 시스템들의 예들은, PRODUCER® SE CVD 시스템, PRODUCER® GT™ CVD 시스템, 또는 DXZ® CVD 시스템을 포함하고, 상기 시스템들 모두는 캘리포니아 산타 클라라 소재의 Applied Materials, Inc. 로부터 상업적으로 입수 가능하다. PRODUCER® SE CVD 시스템 챔버(예를 들어, 200mm 또는 300mm)는, 얇은 필름들, 예컨대, 전도성 필름들, 실리콘 산화물 필름들과 같은 산화물 필름들, 탄소-도핑된 실리콘 산화물들 및 다른 물질들을 기판들 상에 증착시키는 데에 사용될 수 있는 2개의 격리된(isolated) 프로세싱 영역들을 갖는다. 예시적인 실시예는 2개의 프로세싱 영역들을 포함하지만, 본원에 개시되는 실시예들이, 단일 프로세싱 영역 또는 둘 초과의 프로세싱 영역들을 갖는 시스템들에서 유리하게 사용될 수 있다는 점이 고려된다. 또한, 본원에서 개시되는 실시예들이, 특히 에칭 챔버들, 이온 주입 챔버들, 플라즈마 처리 챔버들, 및 레지스트 스트리핑 챔버들을 포함해서, 다른 플라즈마 챔버들에서 유리하게 활용될 수 있다는 점이 고려된다. 본원에서 개시되는 실시예들이, 다른 제조업자들로부터 입수 가능한 플라즈마 프로세싱 챔버들에서 유리하게 활용될 수 있다는 점이 추가로 고려된다.
[0022] 도 1은 플라즈마 시스템(100)의 부분 단면도이다. 플라즈마 시스템(100)은 일반적으로, 한 쌍의 프로세싱 영역들(120A 및 120B)을 정의하는, 측벽들(112), 바닥 벽(116) 및 공유되는 내부 측벽(101)을 갖는 프로세싱 챔버 본체(102)를 포함한다. 프로세싱 영역들(120A-B) 중 각각의 영역은 유사하게 구성되며, 간결성을 위해, 프로세싱 영역(120B)에 있는 컴포넌트들만 설명될 것이다.
[0023] 페데스탈(128)은, 시스템(100)의 바닥 벽(116)에 형성된 통로(122)를 통해 프로세싱 영역(120B)에 배치된다. 페데스탈(128)은, 페데스탈의 상부 표면 상에 기판(도시되지 않음)을 지지하도록 이루어진 가열기를 제공한다. 페데스탈(128)은, 기판 온도를 원하는 프로세스 온도로 가열 및 제어하기 위해, 가열 엘리먼트들, 예를 들어 저항성 가열 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 대안적으로, 페데스탈(128)은 원격 가열 엘리먼트, 예컨대, 램프 조립체에 의해서 가열될 수 있다.
[0024] 페데스탈(128)은 플랜지(flange; 133)에 의해 스템(stem; 126)에 커플링된다. 스템(126)은 페데스탈(128)을 전력 출구(power outlet) 또는 전력 박스(power box)(103)에 커플링시킨다. 전력 박스(103)는, 프로세싱 영역(120B) 내에서 페데스탈(128)의 이동 및 높이(elevation)을 제어하는 구동 시스템을 포함할 수 있다. 스템(126)은 또한, 페데스탈(128)에 전력을 제공하기 위한 전력 인터페이스들을 포함한다. 전력 박스(103)는 또한, 온도 표시기들(indicators) 및 전력을 위한 인터페이스들, 예컨대, 열전대(thermocouple) 인터페이스를 포함한다. 스템(126)은 또한, 전력 박스(103)를 스템(126)에 탈착 가능하게(detachably) 커플링시키도록 이루어진 베이스 조립체(129)를 포함한다. 원주 링(circumferential ring; 135)이 전력 박스(103) 위에 도시된다. 일 실시예에서, 원주 링(135)은, 베이스 조립체(129)와 전력 박스(103)의 상부 표면 사이에 기계적 인터페이스를 제공하도록 구성된 랜드(land) 또는 기계적 정지부(mechanical stop)로서 이루어진 숄더(shoulder)이다.
[0025] 로드(rod; 130)는 프로세싱 영역(120B)의 바닥 벽(116)에 형성된 통로(124)를 통해 배치되고, 페데스탈(128)을 통해 배치되는 기판 리프트 핀들(161)을 포지셔닝하는 데에 활용된다. 기판 리프트 핀들(161)은, 기판을 기판 이송 포트(160)를 통해 프로세싱 영역(120B) 안과 밖으로 이송하기 위해 활용되는 로봇(도시되지 않음)에 의한 기판의 교환을 용이하게 하기 위해, 기판을 페데스탈로부터 선택적으로 이격시킨다.
[0026] 챔버 리드(104)는 챔버 본체(102)의 정상 부분(top portion)에 커플링된다. 리드(104)는 리드에 커플링된 하나 또는 그 초과의 가스 분배 시스템들(108)을 수용한다. 가스 분배 시스템(108)은, 반응물 및 세정 가스들을 샤워헤드 조립체(142)를 통해 프로세싱 영역(120B) 내로 전달하는 가스 유입구 통로(140)를 포함한다. 샤워헤드 조립체(142)는, 페이스플레이트(faceplate; 146)에 대해 중간에 배치된 차단기(blocker) 플레이트(144)를 갖는 환형 베이스 플레이트(148)를 포함한다. 무선 주파수(RF) 소스(165)는 샤워헤드 조립체(142)에 커플링된다. RF 소스(165)는, 샤워헤드 조립체(142)의 페이스플레이트(146)와 가열식 페데스탈(128) 사이에서의 플라즈마의 생성을 용이하게 하기 위해, 샤워헤드 조립체(142)에 전력을 공급한다. 일 실시예에서, RF 소스(165)는 고주파 무선 주파수(HFRF) 전력 소스, 예컨대, 13.56MHz RF 생성기일 수 있다. 다른 실시예에서, RF 소스(165)는 HFRF 전력 소스 및 저주파 무선 주파수(LFRF) 전력 소스, 예컨대, 300kHz RF 생성기를 포함할 수 있다. 대안적으로, RF 소스는, 플라즈마 생성을 용이하게 하기 위해, 프로세싱 챔버 본체(102)의 다른 부분들, 예컨대, 페데스탈(128)에 커플링될 수 있다. 유전체 아이솔레이터(158)는, RF 전력을 리드(104)에 전도하는 것을 방지하기 위해, 리드(104)와 샤워헤드 조립체(142) 사이에 배치된다. 섀도우 링(106)은, 페데스탈(128)의 원하는 높이에서 기판과 맞물리는(engage), 페데스탈(128)의 주연부(periphery) 상에 배치될 수 있다.
[0027] 선택적으로, 동작 동안 환형 베이스 플레이트(148)를 냉각시키기 위해, 냉각 채널(147)이 가스 분배 시스템(108)의 환형 베이스 플레이트(148)에 형성된다. 베이스 플레이트(148)가 미리 정해진 온도에서 유지되도록, 열 전달 유체, 예컨대, 물, 에틸렌 글리콜, 가스, 등이 냉각 채널(147)을 통해 순환될 수 있다.
[0028] 챔버 라이너(liner) 조립체(127)는, 프로세싱 영역(120B) 내의 프로세싱 환경에 대한 측벽들(101, 112)의 노출을 방지하기 위해, 챔버 본체(102)의 측벽들(101, 112)에 매우 밀접하게 근접하여 프로세싱 영역(120B) 내에 배치된다. 라이너 조립체(127)는, 프로세싱 영역(120B)으로부터 가스들 및 부산물들을 배기시키도록 그리고 프로세싱 영역(120B) 내의 압력을 제어하도록 구성된 펌핑 시스템(164)에 커플링된 원주 펌핑 공동(125)을 포함한다. 복수의 배기 포트들(131)이 챔버 라이너 조립체(127) 상에 형성될 수 있다. 배기 포트들(131)은, 시스템(100) 내에서의 프로세싱을 촉진시키는 방식으로 프로세싱 영역(120B)으로부터 원주 펌핑 공동(125)으로의 가스들의 유동을 허용하도록 구성된다.
[0029] 도 2a-2d는, 도 1의 플라즈마 시스템(100)에서 페데스탈(128)로서 활용될 수 있는 페데스탈의 다양한 실시예들의 평면도들이다. 도 2a-2d에 도시된 페데스탈들 중 각각의 페데스탈은, 개별적으로 가열될 수 있는 복수의 구역들을 포함한다. 구역들 중 각각의 구역은 또한, 온도 측정지표(metrics)를 위해 개별적으로 모니터링되고, 필요에 따라, 원하는 온도 프로파일에 기초하여, 조정될 수 있다.
[0030] 도 2a는, 3개의 구역들, 예컨대, 내측 구역(205), 및 중간 구역(210) 및 외측 구역(215)을 갖는, 페데스탈(200A)의 정상부 표면을 도시한다. 일 실시예에서, 구역들(205, 210 및 215) 중 각각의 구역은 동심(concentric)이다. 예로서, 내측 구역(205)은 페데스탈의 중앙으로부터 0 내지 약 85 밀리미터(mm)의 반경을 포함할 수 있다. 다른 예로서, 중간 구역(210)은, 내측 구역(205)의 외측 둘레의 반경과 실질적으로 동일한 내부 반경으로부터, 약 123mm의 반경까지를 포함할 수 있다. 다른 예로서, 외측 구역(215)은, 중간 구역(210)의 외측 둘레의 반경과 실질적으로 동일한 내부 반경으로부터, 약 170mm와 같은 약 150mm 또는 그 초과의 반경, 예를 들어, 약 165mm의 반경까지를 포함할 수 있다.
[0031] 도 2b는, 복수의 구역들(220A-220C)이 페데스탈 주변의 섹션들에서 파이 형상으로 연장되는 페데스탈(200B)을 도시한다. 각각의 구역(220A, 220B 및 220C)은, 원하는 프로세싱 조건들에 따라서, 비슷하게 또는 상이하게 가열될 수 있다. 페데스탈(200B)은 3개의 구역들을 포함하지만, 구역들의 개수는 3개보다 더 많거나 더 적을 수 있다.
[0032] 도 2c는, 도 2b에서 도시된 페데스탈(200B)과 유사하게, 복수의 구역들(220A-220C)이 파이 형상으로 제공되는 페데스탈(200C)을 도시한다. 그러나, 페데스탈(200C)은 또한, 도 2a에서 도시된 페데스탈(200A)과 유사한 내측 구역(205)을 포함한다. 내측 구역(205)은 페데스탈(200C)의 중앙으로부터 약 50mm 또는 그 초과, 예컨대, 약 80mm 내지 약 90mm의 반경까지 연장될 수 있다.
[0033] 도 2d는, 복수의 외측 구역들(225A 및 225B)이 내측 구역(205)을 둘러싸는 페데스탈(200D)을 도시한다. 일 실시예에서, 복수의 외측 구역들(225A 및 225B) 중 각각의 구역은 아크(arc) 형상이다. 몇몇 실시예들에서, 복수의 외측 구역들(225A 및 225B) 중 각각의 구역은 실질적으로 반원으로 성형된다. 내측 구역(205)은 페데스탈(200D)의 중앙으로부터 약 50mm 또는 그 초과, 예컨대, 약 80mm 내지 약 90mm의 반경까지 연장될 수 있다.
[0034] 도 3은 도 1의 플라즈마 시스템(100)에서 사용될 수 있는 페데스탈(128)의 일 실시예의 단면도이다. 페데스탈(128)은, 튜브형 부재 또는 중공형 샤프트로서 구성되는 스템(126)을 포함한다. 스템(126)은 플랜지(133)에 의해 페데스탈(128)에 커플링된다.
[0035] 페데스탈(128)은, 중앙 가열기(300A) 및 300B로 도시된 하나 또는 그 초과의 외측 가열기들을 갖는 다중-구역 가열기를 포함한다. 중앙 가열기(300A) 및 외측 가열기들(300B)은, 다수의, 독립적으로 제어되는 가열 구역들을 페데스탈(128) 상에 제공하기 위해 활용될 수 있다. 예를 들어, 페데스탈(128)은, 제 1 가열 구역(305A)으로서 구성된 중앙 구역 및 305B 및 305C로 도시된 하나 또는 그 초과의 외측 구역들을 포함할 수 있는데, 이는 도 2c에서 도시된 페데스탈(200C)과 유사할 수 있다. 페데스탈(128)은 또한, 인접한 프로세싱 영역에서의 플라즈마 생성에 사용하기 위해 내부에 전극(310)을 포함할 수 있다. 전극(310)은, 페데스탈(128)의 본체를 형성하는 제 1 부분(315)에 내장되는 전도성 플레이트 또는 메쉬(mesh) 물질일 수 있다. 마찬가지로, 중앙 가열기(300A) 및 외측 가열기들(300B) 중 각각의 가열기는 페데스탈(128)의 제 1 부분(315)에 내장되는 와이어 또는 다른 전기 전도체일 수 있다.
[0036] 중앙 가열기(300A) 및 외측 가열기들(300B)뿐만 아니라, 전극(310)을 위한, 와이어들과 같은 전기 리드들도 스템(126)을 통해 제공될 수 있다. 유전체 인서트(320)는 스템(126) 내에서 전기 리드들을 분리시키는(separate) 데에 사용될 수 있다. 예를 들어, 유전체 인서트(320)는 세라믹 물질로 구성될 수 있고, 페데스탈(128)의 길이 축(A)을 따라 연장되는 채널들을 내부에 포함할 수 있다. 부가적으로, 가요성 열전대들과 같은 온도 모니터링 디바이스들(330)이, 페데스탈(128)의 다양한 구역들을 모니터링하기 위해, 유전체 인서트(320)를 통해 라우팅(routed)될 수 있다. 도 3에서, 온도 모니터링 디바이스들(330)이 채널들(325A-325C)로 도시된다. 도 3의 단면도에서 도시되지 않은 다른 채널들은, 중앙 가열기(300A) 및 외측 가열기들(300B)뿐만 아니라, 전극(310)에 대한 연결을 위한 전기 리드들도 포함할 수 있다.
[0037] 유전체 인서트(320) 내의 채널들(325A-325C)의 적어도 일부분은, 페데스탈(128)에 근접하고 페데스탈(128)에서 끝나는 채널들(325B 및 325C)의 단부에서 도시된, 방사상으로 외측으로 만곡된 가이드 부분(335)을 포함한다. 가이드 부분(335)은 온도 모니터링 디바이스들(330)이, 유전체 인서트(320)로부터, 그리고 페데스탈(128)의 제 1 부분(315)의 측부에 형성된 그루브(340) 내로 삽입되는 것을 허용한다. 그루브(340)의 적어도 일 측부는, 페데스탈(128)의 제 1 부분(315)에 커플링되는, 플레이트 형태의 제 2 부분(345)에 의해서 바운딩된다. 따라서, 채널들(325A-325C)은 베이스 조립체(129)로부터의 온도 모니터링 디바이스들(330)의 삽입을 허용(provide for)하고 그리고 스템(126)을 통하는, 페데스탈(128)의 각각의 그루브들(330) 내로의 가이드를 제공한다. 이는, 페데스탈(128) 내에서 온도 모니터링 디바이스들(330)의 측정 위치들의 조정뿐만 아니라 온도 모니터링 디바이스들(330)의 쉬운 교체를 제공한다.
[0038] 도 4a-4c는 유전체 인서트의 다양한 실시예들을 보여주는, 도 3의 단면선(4-4)을 따라 절취된 페데스탈(128)의 평면도들이다. 도 4a-4c에서 도시되는 유전체 인서트들은 도 3의 페데스탈(128)에서 사용될 수 있다.
[0039] 도 4a는, 유전체 인서트의 외측 표면으로부터 유전체 인서트 내부로 연장되는, u-형상으로 형성된 복수의 채널들(405A-405G)을 갖는 특정 유전체 인서트(400A)의 평면(단면(end))도를 도시한다. 채널들(405A-405G)은 유전체 인서트(400A)의 전체 길이에 연장된다. 유전체 인서트(400A)는 또한, 유전체 인서트를 통해서 유전체 인서트의 길이 방향으로 연장되는 중앙 채널(410)을 포함한다. 채널들(405A-405G 및 410) 중 적어도 일부는, 전력 소스(들)(도시되지 않음)와 중앙 가열기(300A), 및 외측 가열기들(300B)뿐만 아니라 전극(310) 사이의 전기 연통(electrical communication)을 제공하기 위한 전기 리드 또는 단자(terminal)를 포함한다. 예를 들어, 플라즈마 프로세스에서 사용하기 위한 3구역 가열식 페데스탈에 대해, 각각, 채널들(405E-405G)에 배치된 전기 단자들(415A-415C)이 유전체 인서트(400A)에 의해 제공될 수 있다. 전기 단자들(415A-415C)은 전력을 도 3에 도시된 중앙 가열기(300A) 및 외측 가열기들(300B)에 제공할 수 있다. 채널(405A)에는 RF 복귀 단자(return terminal)(420)가 배치될 수 있다. RF 복귀 단자(420)는, (도 3에 도시된)전극(310)으로부터 접지(ground)로의 전기 경로를 제공할 수 있거나, 또는 대안적으로, 개별 RF 튜닝 디바이스가 활용되는 경우, RF 바이어스(bias)를 전극(310)에 제공할 수 있다. 중앙 채널(410)에는 단자(425)가 배치될 수 있다. 단자(425)는 전기 단자들(415A-415C)을 위한 공동 복귀부(common return) 또는 접지일 수 있다. 단자들(415A-415C)은 교류(AC) 전력 또는 직류(DC) 전력에 대해 구성될 수 있다. 끝으로, 온도 모니터링 디바이스들(330)이 채널들(405B-405D)에 배치될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 단자(425) 및 RF 복귀 단자(420)의 포지션들은 스위칭될 수 있다. 이러한 디자인의 이점은 강화된(enhanced) RF 균일성(즉, 중앙에서의 배치에 기인한 더 균일한 RF 장)일 수 있고 그리고 열 에너지가 더 균일하게 분배될 수 있다. 도 4a에서 점선으로 도시된 부가적인 홀들(430)이, 부가적인 단자들 및/또는 온도 모니터링 디바이스들을 위해, 필요하다면, 부가될 수 있다.
[0040] 도 4b는, 도 4a에 도시된 유전체 인서트(400A)와 유사한, 복수의 채널들(405A-405G)을 갖는 유전체 인서트(400B)를 도시한다. 이러한 실시예에서, 유전체 인서트(400B)는 원주 대칭 디자인을 갖는다. RF 복귀 단자(420)는 중앙 채널(410)에 배치되고 전기 단자들(415A-415C)은 온도 모니터링 디바이스들(330)과 교번(alternate)한다. 전기 단자들(415A-415C)을 위한 공동 복귀부 또는 접지일 수 있는 단자(425)는, 채널(405E)과 같은 외부 채널에 배치된다.
[0041] 모놀리식(monolithic) 유전체 인서트(400A 또는 400B)는 단자들을 서로 전기적으로 절연시키는 데에 사용된다. 도시되지는 않았지만, 채널들(405A-405G) 중 하나 또는 그 초과의 채널들은 중앙 채널(410)과 유사한 홀일 수 있다. 채널들(즉, 슬롯들 또는 홀들)의 개수는 페데스탈(128)에서의 원하는 구역들의 개수에 따라 변할 수 있다. 단자들 중 하나 또는 그 초과의 단자들이 작은 단면을 포함하고 그리고/또는 낮은 전기 절연 요건을 가질 때, 다수의 단자들이 단일 채널에 제공될 수 있다. 도 4a 및 4b에 도시된 실시예들에서, 채널들(405A-405G)은 실질적으로 동등한 방사상 위치에 균등하게 분포된다. 그러나, 채널들(405A-405G)은 불-균일한 방식으로, 상이한 각도들로뿐만 아니라 상이한 방사상 포지션들에 분포될 수 있다.
[0042] 도 4c는 복수의 유전체 섹션들(435)을 포함하는 유전체 인서트(400C)를 도시한다. 유전체 섹션들(435) 중 각각의 섹션은, 도 4a 및 4b에 도시된 전기 단자들 및 전기 단자들(415A-415C)과 유사한 온도 모니터링 디바이스들(도시되지 않음), RF 복귀 단자(420) 및 단자(425)를 위한 홀들(440)을 포함할 수 있다. 유전체 섹션들(435) 중 각각의 섹션은 동일하거나 상이한 단면 또는 형상을 가질 수 있다. 하나 또는 그 초과의 유전체 섹션들(435)은, 인접한 유전체 섹션들(435)과 그리고/또는 스템(126)의 측벽 간의 커플링 및/또는 인덱싱을 용이하게 하기 위해, 정렬 피쳐들(features)을 포함할 수 있다. 유전체 섹션들(435) 중 하나 또는 그 초과의 유전체 섹션들(435)은, 스템(126)에 설치될 때, 서로 접촉할 수 있거나 또는 유전체 섹션들(435) 사이에 갭이 제공될 수 있다.
[0043] 도 5는 도 1의 플라즈마 시스템(100)에서 사용될 수 있는 페데스탈(128)의 일 실시예의 분해 단면도이다. 예로서, 페데스탈(128)은, 각각의 가열 엘리먼트들(505A, 505B 및 505C)에 의해서 전력 공급되는(powered) 중앙 구역(500A), 중간 구역(500B) 및 외측 구역(500C)을 갖는 3 구역 가열기를 포함한다. 일 실시예에서, 페데스탈(128)뿐만 아니라 스템(126)도 세라믹 물질로 구성된다.
[0044] 가열 엘리먼트들(505A, 505B 및 505C)을 위한 전력은 스템(126)을 통해, 세라믹 물질로 구성될 수 있는 유전체 인서트(320)를 통하여 제공된다. 유전체 인서트(320)는, 유전체 인서트(320)의 외측 원주 벽으로부터 내측으로 그리고 유전체 인서트(320)의 길이 방향에 걸쳐서 연장되는 복수의 슬롯들(510)을 포함하고, 복수의 슬롯들 내에서, 가열 엘리먼트들(505A, 505B 및 505C)을 위한 전기 단자들(515)은 서로 전기적으로 격리될 수 있다. 공동 전기 복귀 리드 또는 접지일 수 있는 단자(425)가 유전체 인서트(320)의 중앙 채널(410)에 배치된다.
[0045] 온도 모니터링 디바이스들(518A 및 518B)은 채널들(520A 및 520B)에 배치된다. 온도 모니터링 디바이스들(518A 및 518B)은, 3 구역 가열기의 외측 구역(500C) 및 중간 구역(500B)의 온도를 각각 모니터링하는 데에 활용되는 가요성 열전대들이다. 중앙 온도 모니터링 디바이스(525)는, 중앙 구역(500A)을 모니터링하기 위해, 유전체 인서트(320)를 통해 제공될 수 있다. 부가적으로, RF 복귀 단자(420)가, 페데스탈(128)의 전극(310)을 위해, 유전체 인서트(320)를 통해 제공될 수 있다.
[0046] 온도 모니터링 디바이스들(518A 및 518B)은 스템(126)의 말단 단부(distal end) 내에 삽입될 수 있고 채널들(520A 및 520B)에 의해 안내되면서 유전체 인서트(320)를 통해 라우팅될 수 있다. 채널들(520A 및 520B)은 만곡된 표면(530)을 포함하는 가이드 부분(335)을 포함한다. 만곡된 표면(530)은, 스템(126) 내로 연장된 온도 모니터링 디바이스들(518A 및 518B)을 페데스탈(128)의 제 1 부분(315)에 형성된 각각의 그루브들(535A 및 535B) 내로 재지향(redirect)시킨다. 그루브들(535A 및 535B)은 페데스탈(128)의 제 1 부분(315)의 하부 표면(540)에 형성될 수 있다. 중앙 온도 모니터링 디바이스(525)를 위해 별도의 그루브(도 5의 단면도에서는 도시되지 않음)가 제공될 수 있다.
[0047] 상술된 바와 같이, 페데스탈(128)은 세라믹 물질을 포함한다. 그루브들(535A 및 535B)은 세라믹 물질의 소결(sintering) 이전에 제 1 부분(315)에 형성될 수 있다. 그 후, 또한 세라믹 물질로 구성되는 페데스탈(128)의 제 2 부분(345)이, 제 1 부분의 하부 표면(540)에 본딩(bonded)될 수 있다. 제 1 부분(315) 및 제 2 부분(345)은, 유리-상(glass-phase) 본딩 프로세스와 같은 저온/저압 본딩 프로세스에 의해 서로 본딩될 수 있다. 소결 온도들이, 그루브들(535A 및 535B)이 변형되거나 붕괴(collapse)되는 것을 야기할 수 있기 때문에, 저온/저압 본딩 프로세스는 그루브들(535A 및 535B)의 치수들의 유지보수를 허용한다. 또한 세라믹 물질로 구성되는 스템(126)은 또한, 저온/저압 본딩 프로세스에 의해 제 2 부분(345)에 본딩될 수 있다. 일단 본딩이 완료되면, 유전체 인서트(320)가 스템(126)의 내부 직경 내로 삽입될 수 있다. 그 후, 단자들 및 온도 모니터링 디바이스들이 유전체 인서트의 채널들에 설치될 수 있다.
[0048] 그루브들(535A 및 535B) 내의 온도 모니터링 디바이스들(518A 및 518B)의 배치는, 종래의 가열기들과 비교하여, 외측 구역(500C) 및 중간 구역(500B)의 강화된 온도 측정을 제공한다. 예를 들어, 종래의 가열기들에서는, 가열기의 외측 구역들의 온도 모니터링이, 가열기에 내장된 가열 엘리먼트들의 저항의 모니터링에 기초한다. (예를 들어, 몇몇 필름 증착 프로세스들에서 활용되는, 약 300도씨 미만의)저온들에서의 온도 모니터링은, 종래의, 가열 엘리먼트들의 저항 계수들을 사용하는 것이 어렵다. 그러나, 그루브들(535A 및 535B) 및 대응하는 온도 모니터링 디바이스들(518A 및 518B)의 활용은, 가열 엘리먼트들의 저항 계수들을 사용하여 제공될 수 있는 것보다 더 정밀한 온도 측정을 제공한다. 이러한 강화된 온도 모니터링은 외측 구역(500C) 및 중간 구역(500B)에서, 특히 저온들에서 더 정확한 온도 측정지표를 제공한다. 온도 모니터링 디바이스들(518A 및 518B)에 의해 제공되는 온도 모니터링은 또한, 페데스탈(128)에 걸쳐 바람직한 온도 프로파일이 실현될 수 있도록, 고온 또는 저온에서의 더 신속한 온도 측정 반응 시간들을 가능하게 할 수 있다. 페데스탈(128)에 걸친 바람직한 온도 프로파일은, 기판 상에 증착되는 필름들에서의 균일성을 증가시키는, 바람직한 온도 프로파일을 기판 상에 제공한다.
[0049] 도 6은 도 1의 플라즈마 시스템(100)에서 사용될 수 있는 페데스탈(600)의 다른 실시예의 측단면도이다. 예로서, 페데스탈(600)은, 각각의 가열 엘리먼트들(610A, 610B 및 610C)에 의해 전력 공급되는 중앙 구역(605A), 중간 구역(605B) 및 외측 구역(605C)을 갖는 3구역 가열기를 포함한다. 이러한 실시예에서, 페데스탈(600)의 구역들은, 각각의 구역의 튜닝을 강화하기 위해, 실질적으로 열적으로 격리될 수 있다.
[0050] 일 실시예에서, 페데스탈(600)의 각각의 구역은 상이한 열 특성들을 갖는 물질들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 중앙 구역(605A)은 제 1 열 전도성 값을 갖는 세라믹 물질을 포함할 수 있는 반면, 중간 구역(605B) 및/또는 외측 구역(605C)은 제 1 열 전도성 값과 상이한 제 2 열 전도성 값을 갖는 세라믹 물질을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 제 1 및 제 2 열 전도성 값들과 상이한 제 3 열 전도성 값을 갖는 세라믹 물질이 구역들 중 하나의 구역을 위해 사용될 수 있다. 상이한 열 전도성 값들을 갖는 세라믹 물질들은, 페데스탈(600)의 구역들을 구성하기 위해, 원하는 바에 따라 사용될 수 있다. 다른 실시예에서, 갭들(622)이, 구역들 사이의 온도 구배들(gradients)을 평탄하게(smooth) 하기 위해, 인접한 가열 엘리먼트들 사이에 제공될 수 있다. 갭들(622)의 크기(즉, 가열 엘리먼트들 사이의 거리)는 구역들 사이의 원하는 열 균질화(homogenization)에 기초하여 선택될 수 있다.
[0051] 다른 실시예에서, 열 차단부들(thermal breaks; 615)이 가열 엘리먼트들 사이(610A와 610B 사이, 및 610B와 610C 사이)에서 사용될 수 있다. 열 차단부들(615)은 원주 방향으로(circumferentially) 연장되고, 하나의 구역으로부터 인접한 구역으로의 열 전도를 감소시키는 데에 활용된다. 열 차단부들(615)은, 페데스탈(600)의 본체에 형성된 하나 또는 그 초과의 공동들(620), 또는 하나 또는 그 초과의 배리어들(625)을 포함할 수 있다. 공동들(620)은 세라믹 물질 내의 단순한 공간 또는 보이드(void)일 수 있고, 배리어들(625)은 알루미늄 산화물 또는 페데스탈(600)의 나머지 부분의 물질과 상이한 다른 물질일 수 있다. 열 차단부들(615)은 가열 엘리먼트들 사이에 있는 것으로 도시되지만, 열 차단부들(615)은 페데스탈(600)의 다른 위치들에 포지셔닝될 수 있다.
[0052] 도 7은 도 1의 플라즈마 시스템(100)에서 사용될 수 있는 페데스탈(700)의 다른 실시예의 측단면도이다. 예로서, 페데스탈(700)은, 각각의 가열 엘리먼트들(710A, 710B 및 710C)에 의해 전력 공급되는 중앙 구역(705A), 중간 구역(705B) 및 외측 구역(705C)을 갖는 3구역 가열기를 포함한다. 이러한 실시예에서, 가열 엘리먼트들은, 페데스탈(700) 내에서, 적어도 부분적으로 겹칠 수 있고(overlap) 그리고/또는 상이한 높이들에 포지셔닝될 수 있다. 페데스탈(700) 내에서의 가열 엘리먼트들의 포지셔닝은, 가열 엘리먼트 크기 및/또는 형상에서의 변형들과 같은, 디자인 유연성을 더 많이 허용한다. 갭들(715)은 또한, 도 6에 도시된 갭들(622)과 유사한, 인접한 가열 엘리먼트들 간의 측방향(lateral) 이격(Y 방향) 및, 인접한 가열 엘리먼트들 간의 수직 방향 이격(Z 방향) 중 하나 또는 양쪽 모두에서 활용될 수 있다. 부가적으로, 가열 엘리먼트들의 높이들은 도 7에 도시된 구성과 상이할 수 있다. 예를 들어, 가열 엘리먼트(710A)는 가열 엘리먼트들(710B 및 710C) 중 하나 또는 양쪽 모두의 위에 포지셔닝될 수 있다. 다른 예에서, 가열 엘리먼트(710A)는 어느 한 쪽의 가열 엘리먼트(710B 또는 710C)와 동일 평면(coplanar) 상에 있을 수 있다.
[0053] 도 8a 및 8b는 도 1의 플라즈마 시스템(100)에서 사용될 수 있는 페데스탈(800)의 다른 실시예의 일부를 보여주는 측단면도이다. 페데스탈(800)은, 도 5에서 설명된 가열 엘리먼트(505C) 또는 도 3에서 설명된 외측 가열 엘리먼트들(300B)과 유사할 수 있는 가열 엘리먼트(810)를 포함한다. 페데스탈(800)은 또한, 도 5에서 설명된 그루브(535A 및/또는 535B) 또는 도 3에서 설명된 그루브(340)와 유사할 수 있는 그루브(805)를 포함한다. 본원에서 설명되는 바와 같은 페데스탈들의 실시예들은, 페데스탈들의 온도 모니터링 강화뿐만 아니라 온도 모니터링의 유연성을 제공하는 그루브들(805)을 포함한다.
[0054] 도 8a에 도시된 일 실시예에서, 온도 모니터링 디바이스(330)는 ((도 3 및 5에 도시된)스템(126)의 말단 단부로부터) 그루브(805) 내로 포지셔닝되고, 그루브(805)의 외측 벽(815)과 접촉하며 배치된다. 벽과 온도 모니터링 디바이스(330) 사이의 접촉의 장점들은, 더 신속한 반응 시간 및 반복 가능한 판독들(repeatable readings)을 포함하는데, 이는, 온도 모니터링 디바이스(330)가, 측정될 표면으로부터 공기 또는 진공 갭에 의해 이격되지 않기 때문이다. 이러한 구성은 저온 응용예들(즉, 섭씨 300도 미만)에서 특히 유용할 수 있고 그리고 또한, 온도 제어 루프에서 유익할 수 있다.
[0055] 도 8b에 도시된 다른 실시예에서, 온도 모니터링 디바이스(330)는, 그루브(805)의 벽들과 온도 모니터링 디바이스(330) 사이에 접촉이 제공되지 않도록, 그루브(805)의 벽들로부터 떨어져 이격된다. 몇몇 실시예들에서, 이격은 그루브(805)의 벽들과 온도 모니터링 디바이스(330) 사이에 열 웰(thermal well; 820)을 제공한다. 열 웰(820)은, 온도 변화들을 댐핑하는 데에 사용될 수 있는 임피던스를 도입할 수 있다. 이격이 반응 시간을 감소시킬 수 있는 반면에, 열 웰(820)은 고온 응용예들에서 유리할 수 있다. 그루브(805)의 치수들은, 온도 판독들의 정확도를 증가시키기 위해 열 웰(820)이 실질적으로 등온(isothermal)이도록, 디자인될 수 있다.
[0056] 도시된 바와 같이, (그루브들(340)(도 3) 및 그루브들(535A, 535B)(도 5)을 포함해서) 그루브들(805)에서의 온도 모니터링 디바이스들(330)의 위치들은, 페데스탈 내의 원하는 측정 위치에 기초하여 선택될 수 있다. 측정 위치는 원하는 반응 시간, 가열 엘리먼트 간섭의 회피, 또는 다른 이유들에 기초하여 선택될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 온도 모니터링 디바이스(330)의 단부는 하나 또는 그 초과의 구역들의 중앙에 있거나 그 근처에 있을 수 있다. 다른 실시예들에서, 온도 모니터링 디바이스(330)의 단부는 하나 또는 그 초과의 구역들에서 중앙에서 벗어나(off-center) 있을 수 있다. 그루브들(805) 내에서의 온도 모니터링 디바이스(330)의 정밀한 포지셔닝은, 유전체 인서트(320)의 길이가 공지된 경우, 특정 길이의 온도 모니터링 디바이스(330)를 사용하여, 복잡하지 않다(uncomplicated). 예를 들어, 유전체 인서트(320) 내의 채널의 길이가 공지되고, 그리고 페데스탈(800) 내의 가열 엘리먼트(810)의 포지션이 공지된 경우, 온도 모니터링 디바이스(330)의 단부가 그루브(805) 내에서 원하는 위치에 포지셔닝되도록, 원하는 길이의 온도 모니터링 디바이스(330)가 유전체 인서트(320) 내로 삽입될 수 있다. 다른 예에서, 그루브(805)의 벽과의 접촉이 요구되는 경우, 온도 모니터링 디바이스(330)는 그루브(805)의 길이뿐만 아니라 유전체 인서트(320) 내의 채널의 길이 또한 고려하는 길이로 만들어질 수 있다. 본원에서 설명되는 바와 같은 페데스탈들의 실시예들은 또한, 요구되는 경우, 측정 위치를 바꾸기 위해, 다양한 길이들의 온도 모니터링 디바이스들(330)이 사용될 수 있도록, 유전체 인서트(320)를 사용하여, 온도 모니터링 디바이스들(330)의 교체를 쉽게 한다.
[0057] 도 9a 및 9b는, 각각, 도 1의 플라즈마 시스템(100)에서 사용될 수 있는 페데스탈(900A 및 900B)의 다른 실시예의 측면도들이다. 페데스탈들(900A 및 900B) 중 각각의 페데스탈은, 본원에서 설명되는 바와 같은 다중-구역 가열기일 수 있는 가열기(905)를 포함한다. 페데스탈들(900A 및 900B) 중 각각의 페데스탈은, 도 3, 4, 및 5에서 설명된 바와 같은 유전체 인서트(320)를 포함할 수 있는 스템(126)에 커플링된다.
[0058] 도 9a에 도시된 실시예에서, RF 튜닝 디바이스(910)가, 유전체 인서트(320)에 배치된 단자를 통해 가열기(905)에 커플링될 수 있다. 단자는, 도 3 및 5에 도시된 전극(310)에 커플링될 수 있다. RF 튜닝 디바이스(910)는 페데스탈(900A/900B)의 "바닥 튜닝"을 용이하게 할 수 있다. RF 튜닝 디바이스(910)는, 진공 캐패시터와 같은, 튜닝 가능한 캐패시터(920)를 포함할 수 있다. 튜닝 가능한 캐패시터(920)는, 서보 모터와 같은 액츄에이터(925)에 의해 자동으로 튜닝될 수 있다. 이러한 구성에서, 플라즈마에 공급되는 RF는 튜닝 가능한 캐패시터(920)의 조정에 의해 변동될 수 있고, 이는 기판 상의 필름 증착 특성들을 강화시킬 수 있다.
[0059] 도 9b에 도시된 실시예에서, RF 디바이스(915)가, 유전체 인서트(320)에 배치된 단자를 통해 가열기(905)에 커플링될 수 있다. 단자는, 도 3 및 5에 도시된 전극(310)에 커플링될 수 있다. RF 디바이스(915)는 RF 바이어스를 용이하게 할 수 있고 그리고/또는 페데스탈(900B)에 척킹 기능을 제공할 수 있다. RF 디바이스(915)는 RF 생성기(930) 및 매칭 회로(match circuit; 935)를 포함할 수 있다. RF 디바이스(915)는, 가열기(905) 상의 기판을 바이어싱 하는 데에 사용될 수 있는 용량 결합 플라즈마를 형성하는 데에 사용될 수 있다. RF 디바이스(915)가, 도 1에서 설명되고 도시된 RF 소스(165)과 같은, 시스템의 다른 RF 소스와 결합되는 경우, 이온 밀도 및 이온 에너지 양쪽 모두가 튜닝될 수 있고, 이는 기판 상의 필름 증착을 강화시킬 수 있다. 몇몇 실시예에서, RF 생성기(930)는 RF 소스(165)의 주파수와 상이한 주파수를 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, RF 디바이스들은, 페데스탈(900B)에 정전 척킹 기능을 제공하기 위해, 전극(310)에 커플링될 수 있다.
[0060] 본원에서 설명되는 페데스탈의 실시예들은, 더 정확한 판독들뿐만 아니라 더 폭넓은 범위의 온도 측정을 제공하는 다중-구역 가열기를 제공한다. 저온 측정이 또한 강화되고, 이는 저온 필름 형성 프로세스들에 대한 가열기의 응용 가능성을 증가시킨다.
[0061] 전술한 내용은 본 개시물의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시물의 다른 그리고 추가적인 실시예들이, 본 개시물의 기본 범위에서 벗어나지 않고 안출될 수 있으며, 본 개시물의 범위는 이하의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (16)

  1. 반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈(pedestal)로서,
    세라믹 물질을 포함하는 본체 ― 하나 또는 그 초과의 그루브들이 상기 본체의 하나 또는 그 초과의 표면들에 형성됨 ―;
    상기 그루브들의 적어도 일 측부(side)에 바운딩되는(bounding) 세라믹 플레이트; 및
    상기 본체 내에 캡슐화된(encapsulated) 복수의 가열기 엘리먼트들을 포함하는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 본체에 커플링된, 세라믹 물질을 포함하는 중공형(hollow) 샤프트; 및
    상기 중공형 샤프트에 배치된, 내부에 형성된 복수의 채널들을 갖는 유전체 인서트(dielectric insert)를 더 포함하는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 유전체 인서트 내의 상기 채널들의 적어도 일부분은, 상기 본체의 표면에 형성된 그루브들 중 적어도 하나의 그루브의 단부에서 종료되는(terminating) 단부를 갖는 만곡된(curved) 부분을 포함하는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 유전체 인서트 내부에 배치된 다수의 단자들(terminals)을 더 포함하는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 단자들은 금속성 RF 메쉬에 연결되는 중앙 단자와 대칭으로 분배되는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 중앙 단자는 접지, RF 생성기, 튜닝 가능한 캐패시터, 또는 이들의 조합들에 연결되는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 가열기 엘리먼트들은 3 내지 4개의 가열 엘리먼트들을 포함하는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 가열기 엘리먼트들은 동심(concentric)인,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 가열기 엘리먼트들은 파이(pie) 형상인,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈.
  10. 제 7 항에 있어서,
    상기 가열기 엘리먼트들은, 상기 세라믹 본체 내부에서 상이한 층들에 있는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈.
  11. 제 7 항에 있어서,
    상기 가열기 엘리먼트들은 상기 본체에 형성된 열 보이드(thermal void)에 의해 분리되는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈.
  12. 반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈로서,
    세라믹 물질을 포함하는 본체 ― 하나 또는 그 초과의 그루브들이 상기 본체의 주 표면에 형성됨 ―;
    상기 주 표면에 커플링되고 그리고 상기 그루브들의 적어도 일 측부에 바운딩되는 세라믹 플레이트;
    상기 본체 내에 캡슐화된 복수의 가열기 엘리먼트들;
    상기 본체에 커플링된, 세라믹 물질을 포함하는 중공형 샤프트; 및
    상기 중공형 샤프트에 배치된, 내부에 형성된 복수의 채널들을 갖는 유전체 인서트를 포함하는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 유전체 인서트 내의 상기 채널들의 적어도 일부분은, 상기 본체에 형성된 그루브들 중 적어도 하나의 그루브의 단부에서 종료되는 단부를 갖는 만곡된 부분을 포함하는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 복수의 가열기 엘리먼트들은 3 내지 4개의 가열 엘리먼트들을 포함하는,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 가열기 엘리먼트들은 동심인,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 가열기 엘리먼트들은 파이 형상인,
    반도체 프로세싱 챔버를 위한 페데스탈.
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