KR20010103544A - 웨이퍼 공정 장치 - Google Patents

웨이퍼 공정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20010103544A
KR20010103544A KR1020007007394A KR20007007394A KR20010103544A KR 20010103544 A KR20010103544 A KR 20010103544A KR 1020007007394 A KR1020007007394 A KR 1020007007394A KR 20007007394 A KR20007007394 A KR 20007007394A KR 20010103544 A KR20010103544 A KR 20010103544A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
feeder
processing apparatus
stacks
modules
Prior art date
Application number
KR1020007007394A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100567857B1 (ko
Inventor
박재현
Original Assignee
로버트 제이. 리차드슨
실리콘 밸리 그룹, 인크.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 로버트 제이. 리차드슨, 실리콘 밸리 그룹, 인크. filed Critical 로버트 제이. 리차드슨
Publication of KR20010103544A publication Critical patent/KR20010103544A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100567857B1 publication Critical patent/KR100567857B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00—Material or article handling
    • Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)

Abstract

웨이퍼 공정을 위한 시스템들 및 방법들이 설명된다. 웨이퍼 공정 장치는 제 1웨이퍼 이송부와, 상기 제 1웨이퍼 이송부와 연결되는 공정 스테이션과, 상기 공정 스테이션은 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들과, 상기 다수의 웨이퍼 공정 스택들 각각은 다수의 웨이퍼 공정 모듈들을 포함하고, 상기 다수의 웨이퍼 공정 모듈들과 연결되는 제 2웨이퍼 이송부를 구비하며, 상기 다수의 웨이퍼 공정 모듈들 각각은 인접하며 상기 제 2웨이퍼 이송부에 의해 억세스될 수 있고; 그리고 상기 공정 스테이션과 연결되는 제 3웨이퍼 이송부를 구비하여 이루어지며, 여기서 상기 다수의 웨이퍼 공정 스택들 각각에 대한 상기 다수의 웨이퍼 공정 모듈들 각각은 상기 제 1웨이퍼 이송부, 상기 제 2웨이퍼 이송부, 그리고 상기 제 3웨이퍼 이송부 중 적어도 두개의 근접한 웨이퍼 이송부들에 의해 억세스될 수 있다. 상기 시스템들과 방법들은 선공정 그리고/또는 후공정 시간의 최소화, 선공정 그리고/또는 후공정 시간 변화의 최소화 그리고 이용한계 초과 로봇을 줄이는 것으로 이점들을 제공한다.

Description

웨이퍼 공정 장치{APPARATUS FOR PROCESSING WAFERS}
반도체 디바이스를 생산하는 공정에서, 집적회로 같은 것이라면 완성된 디바이스를 산출하기 위해서는 많은 단계의 미세-형성이 실시되어야만 한다. 이러한 단계들 중 하나는 웨이퍼 표면 상에 포토레지스트층(photo-resist layer)을 형성하는 것이다. 상기 포토레지스트층 형성을 위한 단계는 전형적으로 트랙(track) 시스템이라 불리는 웨이퍼 공정 장치에서 실시된다. 상기 트랙 시스템에서, 일련의 공정들은 상기 포토레지스트층을 형성하기 위해서 일련의 모듈(module)들 내에서 상기 웨이퍼 표면 상에 실시된다.
일반적인 트랙 시스템은 세 부분들을 포함한다. 인터페이스 부분인 제 1부분은 웨이퍼를 상기 트랙 시스템의 카세트(cassette)들로부터 옮기거나, 반대로 상기 트랙 시스템에서 카세트로 되돌리는데 사용된다. 제 2부분은 공정 부분으로 불린다. 상기 공정 부분은 레지스트 코팅(coating) 회전 모듈들, 경화(bake) 모듈들, 냉각(chill) 모듈들 그리고 레지스트 현상(developing) 회전 모듈들과 같은 다수의 공정 모듈들을 포함한다. 또 다른 인터페이스 부분인 제 3부분은 상기 웨이퍼를 상기 트랙 시스템에서 리소그래픽(lithographic) 노출 장비로 옮기는데 이용되며, 반대로 상기 노출 장비에서 상기 트랙으로 옮기는데 이용된다. 상기 웨이퍼들은 이러한 부분들 간에 이동되어진다. 상기 웨이퍼는 웨이퍼 전달 메커니즘들에 의해서 상기 공정 모듈들로 전달되고, 그들을 통해 처리되며, 그들에서 제거되고, 그리고 그들 간에서 이동된다.
웨이퍼가 공정 모듈 내에 존재하는 시간을 웨이퍼 총 공정 시간이라 한다. 상기 총 공정시간은 상기 공정 방법에 의해 결정되는 실제 공정 시간과, 상기 모듈의 전자기계적 설계의 적어도 일부에서 작용하는 모듈 오버헤드(overhead) 시간으로 이루어진다. 선공정(pre process) 시간은 실제 공정이 시작되기 전에 웨이퍼가 모듈에서 대기하는 시간으로 정의된다. 유사하게, 후공정(post process) 시간은 실제 공정 시간 완료 후 제거되기 위하여 웨이퍼가 모듈에서 대기하는 시간으로 정의된다. 웨이퍼를 모듈에서 제거하고 다음 모듈로 전달하는 동안의 시간을 웨이퍼 전달 시간(transfer time)이라 한다.
웨이퍼들은 하나 이상의 웨이퍼 카세트들에 채워져서 상기 카세트 종단 스테이션(end station)을 통해 상기 트랙 시스템으로 공급된다. 포토레지스트 막층을 형성하는 공정에서, 상기 웨이퍼의 표면은 최초 처리되어 수분이 열 그리고/또는 화학적으로 제거된다. 그 다음, 상기 웨이퍼는 식혀지고 상기 웨이퍼 표면 상에 포토레지스트 중합체(polymer)를 평탄하게 도포하는 코팅 유닛으로 이송된다. 그 다음, 상기 포토레지스트가 코팅된 웨이퍼는 가열 유닛으로 보내져서 상기 포토레지스트 중합체는 안정한 막으로 변화된다. 상기 가열 단계가 완결되면, 상기 웨이퍼는 식혀지고 처리된 웨이퍼로써 카세트로 이송되어 저장되거나, 혹은 대부분의 경우에서, 스테퍼(stepper) 인터페이스를 통해 스테퍼로 직접 전달된다. 상기 스테퍼에서, 상기 안정한 막은 포토리소그래피 기법에 의해 회로 패턴으로 노광된다. 상기 안정한 막의 노광 후에, 상기 웨이퍼는 상기 트랙으로 돌려보내지고, 상기 막에 상기 회로 패턴을 고정하기 위해서 경화 모듈에서 경화된다. 그 다음, 상기 웨이퍼는 냉각 모듈에서 식혀지고 회전 현상 모듈로 옮겨진다. 상기 회전 현상 모듈에서, 상기 막의 부분을 현상하기 위해서 현상액(develope solution)이 상기 막에 적용된 후, 상기 웨이퍼의 표면을 깨끗이 하기 위해서 세정액(rinse solution)이 적용된다. 그런 연후에, 상기 웨이퍼는 경화 모듈에서 열처리되고 냉각 모듈에서 식혀진 다음, 저장 또는 운송을 위해 카세트로 돌려보내진다. 상기 처리 공정과 순서는 집적회로의 종류 및 상기 공정에 사용되는 화학적 화합물에 의존한다. 그 결과, 최소한의 선공정 그리고/또는 후공정 시간에 대한 기본 공정으로써 하나 이상의 하부 단계들이 있을 수 있다. 또한, 상기 기본 공정은 상기 선공정 그리고/또는 후공정 시간의 최소한의 변화에 관한 것이다.
트랙 시스템의 최대 산출량은 종종 로봇 이용한도 초과(robot over utilization)에 의해 제한된다. 로봇 이용한도 초과는 이용 가능한 로봇 자원이 부족하여 후공정 시간의 증가를 유발하는 상황으로 정의될 수 있다. 일반적으로, 하나 이상의 다음 접근들이 로봇 이용한도 초과에 대응하기위해 사용되어져 왔는데, (a) 로봇 속도의 증가, (b) 더 많은 웨이퍼 조작기(handler)들의 추가, 그리고 (c) 하나 이상의 웨이퍼 조작 전용 메커니즘을 가지는 로봇의 제공이 그것들이다. 로봇속도의 증가는 상기 트랙 시스템 비용을 증가시키고, 신뢰성을 감소시키며 점차적으로 설계 한계에 이른다. 웨이퍼를 두개의 인접하고 연속하는 공정 모듈 간에 옮기는 이송 전용 팔(arm)들은 상기 시스템 설계를 속박하고 상기 트랙 시스템의 비용을 증가시키며 모듈이 인접 및 연속적이지 않는 곳에는 사용할 수 없다. 하나 이상의 웨이퍼 조작 전용 메커니즘을 가지는 로봇의 설계는 상기 로봇 설계를 어렵게 하고, 비용을 증가시키며 웨이퍼 조작에 부가적인 제한을 가져온다.
지금까지, 상기 설명한, 전공정 그리고/또는 후공정 시간을 최소화하고, 전공정 그리고/또는 후공정 시간의 변화를 최소화하며, 로봇 이용한도 초과를 줄이는데 필요한 것들은 그 요구를 완전히 충족시키지 못한다. 이러한 모든 요구들을 동시에 대응할 수 있는 해결책이 필요하다.
본 발명은 일반적으로 미세전자(microelectronic) 형성 분야에 관한 것이다. 좀더 구체적으로, 본 발명은 웨이퍼 공정 시스템 설계(layout)들에 관한 것이다.
본 발명을 구성하는 이점들과 특징들 및 본 발명에서 제공되는 모델 시스템들의 구성요소들 및 작용의 명확한 개념은 예시적이며, 그로인해 제한되지 않는 실시예들이 도시된, 본 상세한 설명을 따르고 그 일부를 이루는 도면들을 참조 함으로써 더욱 명확해질 것이며, 여기서 유사한 참조 문자는 동일한 부분들을 가리킨다.
도 1은 단일 공정 스테이션을 가지는 웨이퍼 공정 장치의 간략한 평면도를 예시한다.
도 2는 도 1의 웨이퍼 공정 장치를 이용할 수 있는 스택 조립품 일 실시예의 간략한 다이어그램이다.
도 3은 도 1의 웨이퍼 공정 장치와 결합되는 웨이퍼 조작 적재(load)의 간략도를 예시한다.
도 4는 본 발명의 일 실시예를 나타내며 두개의 공정 스테이션을 가지는 웨이퍼 공정 장치의 간략한 평면도를 예시한다.
도 5는 도 4에 보인 상기 웨이퍼 공정 장치의 간략한 투시도를 예시한다.
본 발명의 가장 중요한 목적은 열적 혼선(thermal cross-talk)을 피하기 위한 이송 전용 팔들의 필요성을 제거하는 것이다. 본 발명의 다른 중요한 목적은 전공정 그리고/또는 후공정 시간을 최소화 하는 것이다. 본 발명의 다른 중요한 목적은 전공정 그리고/또는 후공정 시간의 변화를 최소화 하는 것이다. 본 발명의 다른 중요한 목적은 로봇 이용한도 초과를 줄이는 것이다.
이러한 목적들에 따라서, 제 1공정 스테이션과 제 2공정 스테이션 양쪽의 각 웨이퍼 공정 모듈 모두에 대해 (i) 개별적인 공정 스테이션 로봇과, (ii) 웨이퍼 카세트 이송 로봇 또는 스테퍼 이송 로봇중 하나에 의해 억세스 가능한 웨이퍼 공정 시스템 설계가 특별히 필요하다. 또한, 이러한 목표들에 따라서, 웨이퍼 공정스테이션 중 어떤 웨이퍼 공정 모듈이라도 적어도 두개의 인접한 웨이퍼 이송부(transporter)들(예를들어 로봇들)에 의해 억세스 가능한 웨이퍼 공정 시스템 설계가 특별히 필요하다. 또한, 이러한 목표들에 따라서, 제 1공정 스테이션과 제 2공정 스테이션 각각이 개별적으로 X축 및 Y축으로 움직이는 웨이퍼 이송부에 대해 대칭인 웨이퍼 공정 시스템 설계가 특별히 필요하다. 그래서, 이는 종래 기술에서는 동시에 만족시키지 못한, 전공정 그리고/또는 후공정 시간의 최소화, 전공정 그리고/또는 후공정 시간 변화의 최소화 그리고 로봇 이용한도 초과의 감소에 대한 상기 논의된 요구사항들을 동시에 만족시키도록 하는 가능성을 보인다.
본 발명의 제 1 측면은 웨이퍼 공정 장치에 기초한 일 실시예에서 실시되는데, 이는 제 1웨이퍼 이송부와; 상기 제 1웨이퍼 이송부와 연결되는 제 1공정 스테이션과, 상기 제 1공정 스테이션은 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들과, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들 각각은 다수의 제 1웨이퍼 공정 모듈들을 포함하고, 상기 다수의 제 1 웨이퍼 공정 스택들과 연결되는 제 2웨이퍼 이송부를 구비하며, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 모듈들 각각은 인접하며 상기 제 2웨이퍼 이송부에 의해 억세스될 수 있고; 상기 제 1웨이퍼 이송부와 연결되는 제 2공정 스테이션과, 상기 제 2공정 스테이션은 다수의 제 2웨이퍼 공정 스택들과, 상기 다수의 제 2웨이퍼 공정 스택들 각각은 다수의 제 2웨이퍼 공정 모듈들을 포함하고, 상기 다수의 웨이퍼 공정 스택들과 연결되는 제 3웨이퍼 이송부를 구비하며, 상기 다수의 제 2웨이퍼 공정 모듈들 각각은 인접하며 상기 제 3웨이퍼 이송부에 의해 억세스될 수 있고; 그리고 상기 제 1공정 스테이션 및 상기 제 2공정 스테이션 모두와 연결되는제 4웨이퍼 이송부를 구비하여 이루어지며, 여기서 상기 다수의 웨이퍼 공정 스택들 각각에 대해 상기 다수의 웨이퍼 공정 모듈들 각각은 상기 제 1웨이퍼 이송부 또는 상기 제 4웨이퍼 이송부 중 하나에 의해 역시 억세스될 수 있다. 본 발명의 제 2 측면은 웨이퍼 공정 장치에 기초한 일 실시예에서 실시되는데, 이는 제 1웨이퍼 이송부와; 상기 제 1웨이퍼 이송부와 연결되는 공정 스테이션과, 상기 공정 스테이션은 다수의 웨이퍼 공정 스택들과, 상기 다수의 웨이퍼 공정 스택들 각각은 다수의 웨이퍼 공정 모듈들을 포함하고, 상기 다수의 웨이퍼 공정 모듈들과 연결되는 제 2웨이퍼 이송부를 구비하며, 상기 다수의 웨이퍼 공정 모듈들 각각은 인접하며 상기 제 2웨이퍼 이송부에 의해 억세스될 수 있고; 그리고 상기 공정 스테이션과 연결되는 제 3웨이퍼 이송부를 구비하여 이루어지며, 여기서 상기 다수의 웨이퍼 공정 스택들 각각에 대한 상기 다수의 웨이퍼 공정 모듈들 각각은 상기 제 1웨이퍼 이송부, 상기 제 2웨이퍼 이송부, 그리고 상기 제 3웨이퍼 이송부로 이루어진 집단에서 선택된 적어도 두개의 근접한 웨이퍼 이송부들에 의해 억세스될 수 있다. 본 발명의 제 3 측면은 웨이퍼 공정 장치에 기초한 일 실시예에서 실시되는데, 이는 제 1웨이퍼 이송부와; 상기 제 1웨이퍼 이송부와 연결되는 제 1공정 스테이션과, 상기 제 1공정 스테이션은 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들과, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들 각각은 다수의 제 1웨이퍼 공정 모듈들을 포함하고, 상기 다수의 제 1 웨이퍼 공정 스택들과 연결되는 제 2웨이퍼 이송부를 구비하며, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 모듈들 각각은 인접하며 상기 제 2웨이퍼 이송부에 의해 억세스될 수 있고; 상기 제 1웨이퍼 이송부와 연결되는 제 2공정 스테이션과, 상기제 2공정 스테이션은 다수의 제 2웨이퍼 공정 스택들과, 상기 다수의 제 2웨이퍼 공정 스택들 각각은 다수의 제 2웨이퍼 공정 모듈들을 포함하고, 상기 다수의 웨이퍼 공정 스택들과 연결되는 제 3웨이퍼 이송부를 구비하며, 상기 다수의 제 2웨이퍼 공정 모듈들 각각은 인접하며 상기 제 3웨이퍼 이송부에 의해 억세스될 수 있고; 그리고 상기 제 1공정 스테이션 및 상기 제 2공정 스테이션 모두와 연결되는 제 4웨이퍼 이송부를 구비하여 이루어지며, 여기서 제 1공정 스테이션과 제 2공정 스테이션 각각은 X축 및 Y축으로 움직이는 웨이퍼 이송부에 대해 개별적으로 대칭이다.
본 발명의 이러한 그리고 다른 목적들 및 측면들은 다음의 설명 및 그에 따른 도면들을 함께 고려하면 더욱 올바르게 인식하고 이해할 수 있을 것이다. 한편, 비록 본 발명의 바람직한 실시예들 및 그들의 많은 구체적 항목들을 나타내지만, 다음의 상세한 설명은 예시하기위한 방편으로써 주어졌을 뿐 이로써 제한되지는 않는다는 것을 이해해야한다. 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위에서 많은 변화들과 변경들이 만들어질 수 있으며 본 발명은 이러한 모든 변경들을 포괄한다.
본 발명과 그의 다양한 특징들 및 이로운 세부 항목들은 다음의 도면들에서 예시되고, 다음의 바람직한 실시예들의 설명에서 기술되는 제한적이지 않은 실시예들을 참조함으로써 좀더 자세히 설명된다. 공지된 구성요소들과 공정 기법들은 본 발명을 필요없이 모호하게 하지 않도록 생략되었다.
본 발명의 환경은 반도체 칩들의 형성과, 회로 기판들과, 그리고 조립된 구성요소들을 포함한다. 본 발명은 또한 상호 연결된 불연속한 하드웨어 요소들을 가동시키기 위해, 예를들어 웨이퍼를 이동 또는 이송하거나 상기 웨이퍼 공정 모듈들의 작용에 영향을 주기 위해, 공정 궤환(feedback)을 변환하는 데이터 처리 방법들을 이용할 수 있다.
상기 웨이퍼 공정 장치는 상기 언급했던 전공정 그리고/또는 후공정 시간의최소화, 전공정 그리고/또는 후공정 시간 변화의 최소화 그리고 로봇 이용한도 초과의 감소에 관한 논점들을 해결하기 위한 것이다. 따라서, 웨이퍼 공정 장치는 공정 결과에 있어서 처리량과 일관성 모두를 시기적절하고 정기적으로 개선하는 주기적인 웨이퍼 조작 시스템을 제공할 수 있다. 상기 시스템 설계는 협동성 또는 카세트 종단 저장 스테이션들, 웨이퍼 공정 스테이션들, 그리고 스테퍼 부분(section)들과 같은 연결된 스테이션들을 제공한다. 상기 웨이퍼 공정 장치는 다수의 스택들을 가지는 하나 이상의 공정 스테이션들을 포함하며, 여기서 각 스택은 다수의 공정 모듈들로부터 형성된다. 다양한 종류의 웨이퍼 공정 모듈들, 그리고 상기 모듈들의 배열 또는 편성에 대한 구성은 상기 각 스택에 의해 제공될 수 있다. 일 실시예에서, 본 발명의 상기 장치는 육각형 패턴으로 배열된 스택들에 배치된 다양한 공정 모듈들을 대비한다. 세개의 웨이퍼 이송 유닛들(예를들어 로봇들)은 상기 모듈들을 제공하기 위해 상기 공정 스테이션과 연결된다. 여기서 사용되는 용어 연결된(coupled)은 비록 직접적일 필요는 없지만 연결된(connected)의 의미로 정의되고, 기계적일 필요는 없다. 상기 웨이퍼는 하나 이상의 웨이퍼 이송 유닛들을 이용하여 다양한 공정 모듈로 전달되고, 그곳에서 제거되며, 그리고 그들 간에서 이동된다.
본 장치는 적어도 하나의 카세트가 그 상부에 위치하며, 웨이퍼 이송 유닛을 포함하는 제 1인터페이스 부분을 포함할 수 있으며, 상기 웨이퍼 이송 유닛은 제 1인터페이스 부분과는 수평 방향으로, 바닥면(floor plane)과는 수직 방향으로 직선적으로 움직이는 로봇일 수 있다. 상기 제 1 인터페이스 스테이션의 상기 웨이퍼이송 유닛은 상기 수직 방향에 평행한 축을 따라 회전할 수도 있고, 상기 바닥에 평행한 면에서 늘어날 수 있다. 본 장치는 또한 웨이퍼 이송 유닛을 감싸도록 배치된 다양한 공정 모듈들을 포함하는 적어도 하나의 공정 스테이션을 가진다. 상기 공정 스테이션의 상기 웨이퍼 이송 유닛은 수직적으로 움직이고 상기 수직 방향에 평행한 축을 회전할 수 있는 로봇일 수 있다. 본 장치는 또한 입력/출력 포트를 가지는 제 2인터페이스 부분을 가질 수 있으며, 다른 웨이퍼 이송 유닛도 가질 수 있다. 상기 제 2인터페이스 부분의 상기 웨이퍼 이송 유닛은 상기 인터페이스 부분에 평행한 방향 및 상기 바닥면에 수직인 방향으로 직선적으로 움직이는 로봇일 수 있다. 제 3웨이퍼 이송 유닛은 또한 상기 수직 방향에 평행한 축을 따라 회전할 수도 있고, 상기 바닥에 평행한 면에서 연장될 수 있다.
일 실시예에서, 본 장치는 하나 이상의 공정 스테이션을 포함하며 이는 상기 공정 스테이션의 내부에, 또는 그에 접근할 수 있는 웨이퍼 공정 모듈들로 웨이퍼를 전달 및 제거하기위해 제공되는 회전할 수 있는 집어들고 내려놓는(pick and place) 로봇이 주변에 있다. 이러한 실시예는 위치될 수 있는 웨이퍼를 포함하는 카세트에 대한 카세트 종단 스테이션(CES)을 포함한다. 본 실시예는 또한 웨이퍼들을 CES의 적어도 한 카세트와 공정 스테이션 스택의 적어도 한 공정 모듈 사이에서 양 방향으로 이송할 수 있는 로봇을 포함한다. 본 실시예는 또한 다른 로봇과 함께 스테퍼 인터페이스 부분(SI)을 포함하며, 상기 로봇은 웨이퍼를 상기 공정 스테이션 스택의 적어도 한 웨이퍼 공정 모듈과, 상기 SI와 결합된 스테퍼 사이에서 양 방향으로 이송할 수 있다.
본 발명의 개념은 상기 트랙 시스템의 일부로써 열 챔버(chamber)를 포함한다. 바람직 하게, 상기 열 챔버는 용제(solvent)들, 습도, 그리고 웨이퍼 공정을 위한 다른 화학제들을 받아들이고, 관찰하고, 그리고 제어하기 위해 이용되는 동안 상기 열 챔버는 둘러싸여지고 환경적으로 제어된다. 상기 열 챔버는 또한 상기 용제들, 습도 그리고 웨이퍼 공정에 사용되는 화학제들의 추출을 위해 제공될 수 있다. 상기 열 챔버 내부의 압력은 상기 챔버의 기능을 용이하게 하기위해 조절될 수 있다. 이 열 챔버는 공정 모듈 중의 하나일 수 있다.
본 발명은 열적 혼선으로 부터 발생되는 문제들을 줄인다는 점에서 종래 기술에 대한 개선을 보인다. 열적 혼선은 웨이퍼와 이송 유닛의 집게(gripper) 온도가 사실당 다를 경우 발생하는 원하지 않는 웨이퍼 형성 조건이다. 여기서 사용하는 상기 혼선(cross-talk)이라는 용어는 현재 웨이퍼와는 다른 온도를 가지는 하나 이상의 웨이퍼들에 대해 로봇 집게가 기 조작되고, 이에 따른 웨이퍼와 로봇 집게 사이의 열적 오염으로 정의된다. 예를들어, 열적 혼선은 웨이퍼가 고온이고, 집게의 접촉면이 저온일 경우, 또는 그 반대 일 경우 발생할 수 있다. 이러한 사례에서, 상기 집게의 접촉면과 웨이퍼 간의 상기 열적 온도차는 열적 혼선을 생성하기에 충분하다. 특정 웨이퍼 공정의 응용에서, 그리고 특히 다양한 경화 및 냉각 모듈들이 사용되는 공정 스테이션에서, 혼선을 피하는 것은 어려운 일 일 것이다. 본 발명은 전용 팔들 보다 더 많은 기능들과 자유도를 가진 중앙 또는 주 로봇을 허용하지만 이는 웨이퍼가 낮은 온도일 때만 다룬다. 고온의 웨이퍼들은 CES로봇 또는 SI로봇에 의해 이송된다.
본 발명은 주 로봇의 이용을 최소화 함으로써 공지된 기술의 일부분에 대한 이점을 제공한다. 예들에서 상기 주 로봇 이용의 결과로써 발생하는 문제는 a) 상기 로봇은 하나이상의 웨이퍼를 동시에 이송해야 한다는것과, b) 상기 로봇은 상기 웨이퍼 조작 요구에 걸맞는 충분한 속도를 가져야 한다는 것과/또는 c) 상기 로봇은 연속적으로 또는 연속적인 대안적 방식으로 고온 또는 저온 모듈들을 적재 및 하역해야 한다는 것이다. 본 발명은 상기 웨이퍼를 다양한 모듈들 사이에서 시간에 맞추어 이송하는 동안, 웨이퍼 공정 모듈들 간 웨이퍼의 전달 및 제거를 제공한다. 본 장치는 또한 중요한 웨이퍼 공정 모듈들에서 선공정 그리고/또는 후공정 시간을 획기적으로 줄이거나 완전히 제거할 수 있다. 추가적으로, 본 장치는 저온의 웨이퍼를 고온의 물체를 이용하여 다루거나 고온의 웨이퍼를 저온의 물체를 이용하여 다룬 결과인 열적 혼선을 포함하는 웨이퍼 조작 메커니즘에 의해 발생하는 열적 혼선을 제거하거나 실질적으로 줄인다. 이러한 특징들은 본 발명의 몇가지 이점들을 나타내고, 이러한 특징들은 주 로봇의 기능을 줄이거나 최소화하는 웨이퍼 공정 장치를 제공함으로서 적어도 부분적으로 달성될 수 있다.
도 1은 웨이퍼 공정 장치(100)의 중심에 위치하는 단일 공정 장치(180)에 구성된 다수의 웨이퍼 공정 모듈들을 가지는 상기 장치(100)의 일 실시예를 예시한다. 상기 공정 스테이션(180)은 상기 주 로봇(150) 주위에 배치된 다수의 웨이퍼 공정 스택들을 제공한다. 상기 다수의 스택들은 제 1스택(105), 제 2스택(115), 제 3스택(125), 그리고 제 4스택(135)로 이루어진다. 각 스택은 다양한 기능들을 위해 다수의 웨이퍼 공정 모듈들을 포함할 수 있다. 비록 본 특정한 실시예에 있어서,주 로봇 스테이션(151)에서 육각 패턴을 가진 상기 주 로봇(150) 주위에 집합된 웨이퍼 공정 모듈들의 4개 스택들을 보이지만,(6면들 중에서 2면은 사용하지 않음), 더 많거나 적은 스택들 또한 제공될 수 있다(그리고 그들이 다른 다각형 패턴에 대해 집합될 수 있다). 상기 주 로봇(150)은 웨이퍼를 임의 스택의 임의 모듈에서 다른 임의 스택의 임의 모듈로 이송하기 위하여 모든 스택들 간을 선회할 수 있다. CES 스테이션(165)은 상기 장치의 공정 스테이션(180)에 인접하고, CES 로봇(160) 및 다수의 카세트 종단들(175)을 포함한다. 바람직하게, 상기 CES 로봇(160)은 상기 CES 스테이션(165)을 따라 횡단하기위한 직선 자유도가 제공되면서, 선회 또는 다른 방법으로 회전할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 CES 로봇(160)은 웨이퍼들을 상기 공정 스테이션(180)과 상기 CES 스테이션(165) 내 다수의 카세트 간에 이송하기 위하여 상기 제 2스택(115)의 웨이퍼 공정 모듈에 접근 할 수 있다. 스테퍼 인터페이스(145)는 상기 공정 스테이션(180)에 인접하며 SI 로봇(140)과 버퍼(155)를 포함한다. 상기 버퍼(155)는 특정 형성 단계(절차(routine))동안 버퍼링이 필요할 경우, 상기 스테퍼 인터페이스(145)로, 그리고 그로부터 이송되는 상기 웨이퍼들을 위한 버퍼 구역(zone)을 제공한다. 상기 SI 로봇(140)은 웨이퍼를 상기 공정 스테이션(180)과 상기 스테퍼 인터페이스(145) 간에 이송하기 위한 제 4스택(135)에 포함된 웨이퍼 공정 모듈에 접근 할 수 있다. 바람직하게, 상기 SI 로봇(140)은 상기 스테퍼 인터페이스에서 상기 버퍼 구역에 이르는 길을 따라 횡단하기 위한 직선 자유도가 제공되면서, 선회 또는 다른 방법으로 회전할 수 있다. 이러한 방식으로, 상기 SI 로봇(140)은 웨이퍼들을 상기 공정 스테이션(180)과 상기 스테퍼 인터페이스(145) 간에, 또는 상기 스테퍼에 직접적으로 이송하기 위하여 상기 스테퍼 인터페이스(145)의 웨이퍼 공정 모듈과 상기 제 2스택(135)에 접근 할 수 있다. 스테퍼(미도시)는 상기 스테퍼 인터페이스(145)와 연결될 수 있다.
도 2는 도 1로 대치될 수 있는 스택 조립품 일 실시예의 간략한 다이어그램을 예시한다. 도시한 바와 같이, 다수의 공정 모듈들(184(a)-184(h))은 원하는 임의의 순서로 구성되며 스택(135)에 배열될 수 있다. 임의 종류의 공정 모듈들(184)이 주어진 스택(135) 내에 원하는 것으로써, 또는 공정 명령들로써 포함될 수 있다. 도 2의 스택(135)은 몇개의 열 모듈들(184(a)-184(h))을 수용한다. 도시한 바와 같이, 이러한 모듈들 중 임의의 하나는 상기 모듈(184) 자신에 둘 또는 여러 방향의 접근을 제공한다. 스택(135)은 상기 SI 스테이션(145)과 연결된다. 적재 부분(182)은 웨이퍼를 적재 또는 하역하는 상기 모듈(184(a))에 접근하기 위해 상기 SI 로봇(140)을 허용한다. 접근 포트(port)(183)는 상기 모듈(184(a))을 적재 및 하역하는 주 로봇(150)을 허용한다.
도 3은 도 1에 보인 일 실시예에 대한 웨이퍼 순서도를 예시한다. 원 번호 1로 이름 붙여진 전송 작업에서 웨이퍼는 최초 CES 로봇에 의해 상기 CES 스테이션(165)에서 하나 이상의 증기 기본 모듈(vapor prime module)들로 이송된다. 상기 CES 로봇(160)은 원 번호 2로 이름 붙여진 전송을 통해 상기 웨이퍼를 하나 이상의 증기 기본 냉각판(chill plate)들로 이송한다. 그 다음, 상기 웨이퍼는 주 로봇(150)을 통해 원 번호 3으로 이름 붙여진 전송을 따라 하나 이상의 레지스트 코팅 모듈들로 이동된다. 그곳으로부터, 상기 웨이퍼는 원 번호 4를 통해 하나이상의 연경화(soft bake)(SB) 모듈들로 이동된다. 그 다음, 상기 SI 로봇(140)은 상기 웨이퍼를 원 번호 5로 이름 붙여진 전송을 통해 하나 이상의 연경화 냉각판들로 이동시킨다. 그 다음, 원 번호 6으로 이름 붙여진 전송에서 상기 웨이퍼는 상기 SI 로봇(140)을 통해 스테퍼 인터페이스 영역(145)을 지나 상기 스테퍼(미도시) 또는 상기 버퍼 구역으로 이동된다.
도 3은 또한 상자 번호 1로 이름 붙여진 전송을 통해 리소그래픽하게 노출된 웨이퍼가 SI 로봇(140)에 의해 상기 스테퍼 인터페이스 영역(145)에서 하나 이상의 후 노출 경화 모듈로 전송되는 것을 도시한다. 만일 상기 웨이퍼가 상기 버퍼 구역으로 전송되면, 상기 SI 로봇(140)은 웨이버(waver)를 상기 버퍼(155)에서 하나 이상의 PEB 모듈들로 이동시킨다. 그 다음, 상자 번호 2로 이름 붙여진 전송을 통해 상기 웨이퍼는 상기 SI 로봇(140)에 의해 하나 이상의 후 노출 경화 냉각판 모듈로 이송된다. 여기서, 상자 번호 3으로 이름 붙여진 전송을 통해 상기 웨이퍼는 상기 주 로봇(150)에 의해 하나 이상의 현상 모듈들로 전달된다. 상기 현상 모듈 다음에, 상기 웨이퍼는 하나 이상의 강경화(hard bake)(HB) 모듈들로 이동되고, 그 다음, 상자 번호 6으로 이름 붙여진 전송을 통해 하나 이상의 강경화 냉각판 모듈들로 이동된다.
상기 묘사한 배치에서, 주 로봇(150)의 집게들은 저온의 웨이퍼들만을 집는다는 것을 알 수 있다. 이는 열적 혼선을 제거한다. 그 다음, 상기 웨이퍼는 상자 번호 6으로 이름 붙여진 CES 로봇(160)을 이용하여 하나 이상의 카세트로 전달된다.
도 1에 도시된 상기 공정 장치(100)는 하나의 공정 스테이션으로 제한되지 않는다. 상기 공정 장치(100)는 도 1의 스테이션(180) 옆에 추가적인 공정 스테이션들을 부가함으로써 확장될 수 있다는 것은 명백하다. 그래서, 도 1의 스테이션(180)은 도 4의 공정 스테이션(280)이 된다. 하나 이상의 공정 스테이션을 가지는 이 시스템을 도 4에서 보인다.
도 4는 제 1공정 스테이션(280)과 제 2공정 스테이션(280a)를 가지는 공정 장치(200)를 예시한다. 상기 제 1공정 스테이션(280)은 제 1주 로봇(250)을 갖추고 있고, 상기 제 2공정 스테이션(280a)은 제 2주 로봇(250a)을 갖추고 있다. 상기 주 로봇 스테이션들(251, 251(a)) 각각의 상기 주 로봇들(250, 250a)은 수직적 움직임이 가능하며 선회가 가능한 집어들고 내려놓는 로봇이다. 각 공정 스테이션(280, 280a)은 제 1웨이퍼 공정 스택(205, 205a), 제 2웨이퍼 공정 스택(215, 215a), 제 3웨이퍼 공정 스택(225, 225a), 그리고 제 4웨이퍼 공정 스택(235, 235a)를 포함하고, 여기서 각 웨이퍼 공정 스택은 다수의 웨이퍼 공정 모듈들을 포함한다. 상기 각 공정 스테이션의 상기 모든 웨이퍼 공정 모듈들은 그 공정 스테이션의 주 로봇이 접근 가능하다. 다수의 카세트 종단들(275)은 CES 영역(260)에서 상기 장치(200)의 한 종단을 따라 정렬된다.
어떠한 특정 성능 지시기 또는 진단 식별기로 제한되지 않으면서, 본 발명의 바람직한 실시예는 로봇 이용의 존재를 위한 시험에 의해 한번에 하나씩 식별될 수 있다. 로봇 이용한도 초과 존재에 대한 상기 시험은 간단하고 일반적인 로봇 공전(idleness) 시험의 이용을 통한 과도한 실험없이 도출될 수 있다. 만일 주어진로봇이 공전이 아니라면, 후 공정 시간이 분석된다. 최소 전공정 그리고/또는 후공정 시간의 특징을 가지는 실시예들을 찾기위한 다른 방법들 중에서, 바람직한 후속 실시예에 대한 길잡이는 선공정 그리고/또는 후공정 시간 변화의 최소화에 기초를 둘 수 있다.
기술 분야에서 가치를 가지는 본 발명의 실질적인 적용은 반도체 웨이퍼 공정이다. 또한, 본 발명은 리소그래픽이 아닌 웨이퍼 공정 단계들(예를들어 광전지 셀들의 생산 목적으로 사용되는) 또는 그 유사한 것과의 결합에 유용하다. 본 발명은 셀수 없이 많은 용도가 있고, 그 모두를 여기에 상술하지는 않는다.
본 발명의 실시예로 나타내어지는 웨이퍼 공정 시스템 설계는 비용측면에서 효율적이고 최소한 다음의 이유들에 의해 이점들을 가진다. 본 발명은 로봇 이용한도 초과를 줄이는데 도움이된다. 본 발명은 선공정 그리고/또는 후공정 시간의 변화를 줄이는데 도움이 된다. 본 발명은 또한 주어진 공정 모듈들의 순서와 결부되는 선공정 그리고/또는 후공정 절대 시간을 줄이는데 도움이 된다.
여기 서술한 본 발명의 모든 설명된 실시예들은 과도한 실험없이 실현되고 실시될 수 있다. 비록 발명자들에 의해 고려된 본 발명을 도출하는 최상의 방법이 상기 설명되었지만, 본 발명의 실시는 그것에 의해 제한되지 않는다. 따라서, 당업계의 당업자들에 의해서 여기 설명된 구체적인 방법 외의 것으로 실시될 수 있다는 것은 명백하다.
예를 들어, 개별적인 요소들은 상기 설명된 모양으로 형성될 필요는 없고, 또한 상기 설명한 구조로 조립되지 않아도 되며, 실질적으로 어떠한 모양이라도 가질 수 있으며 실질적으로 어떠한 구조로도 조립될 수 있다. 그리고, 상기 개별적인 요소들은 상기 설명된 물질들로 형성될 필요는 없고, 실질적으로 어떠한 적절한 물질들로도 형성될 수 있다. 그리고, 여기서 설명된 상기 웨이퍼 공정 시스템은 물리적으로 분리된 모듈일 수 있고, 그리고 상기 웨이퍼 공정 시스템이 그와 연결되는 장치 내로 통합될 수 있다는 것은 명백하다. 더욱이, 상기 설명된 각 실시예의 설명된 모든 요소들 및 특징들은 모든 다른 설명된 실시예의 상기 설명된 요소들 및 특징들과, 이런 요소들 또는 특징들이 상호 배타적인 곳만 제외하고, 결합되거나 대치될 수 있다.
본 발명 특징들의 다양한 추가들, 변경들 그리고 재배열들은 발명 기본 개념의 사상 및 범위를 벗어나지 않는다면 만들어질 수 있다. 상기 첨부된 청구항들 및 그와 동등한 것들에 의해 정의되는 본 발명의 범위는 이러한 모든 부가들, 변경들 그리고 재배열들을 포괄하도록 한 것이다. 만일 제한들이 "-를 수단으로한다"라는 구절을 이용해서 주어진 청구항에서 나열되어 있지 않다면, 상기 첨부된 청구항들은 수단들-더하기-기능들의 제한을 포함하는 것으로 해석되지 않는다. 본 발명의 편리한 실시예들은 상기 첨부된 종속항들에 의해 구별된다.

Claims (47)

  1. 웨이퍼 공정 장치에 있어서,
    제 1웨이퍼 이송기와,
    상기 제 1웨이퍼 이송기와 연결된 제 1공정 스테이션과, 상기 제 1공정스테이션은,
    다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들과, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들 각각은 다수의 제 1웨이퍼 공정 모듈들을 가지며,
    상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들과 연결되는 제 2웨이퍼 이송기를 포함하고, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 모듈 각각은 인접하며 상기 제 2웨이퍼 이송기로 접근할 수 있으며,
    상기 제 1웨이퍼 이송기와 연결된 제 2공정 스테이션과, 상기 제 2공정스테이션은,
    다수의 제 2웨이퍼 공정 스택들과, 상기 다수의 제 2웨이퍼 공정 스택들 각각은 다수의 제 2웨이퍼 공정 모듈들을 가지며,
    상기 다수의 제 2웨이퍼 공정 스택들과 연결되는 제 3웨이퍼 이송기를 포함하고, 상기 다수의 제 2웨이퍼 공정 모듈 각각은 인접하며 상기 제 3웨이퍼 이송기로 접근할 수 있으며,
    상기 제 1공정 스테이션과 상기 제 2공정 스테이션 모두와 연결되는 제 4웨이퍼 이송기로 이루어져 있으며,
    여기서 상기 다수의 웨이퍼 공정 스택들 각각의 상기 다수의 웨이퍼 공정 모듈들 각각은 또한 상기 제 1웨이퍼 이송기 또는 상기 제 2웨이퍼 이송기 중 하나로 접근할 수 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들 및 상기 제 2웨이퍼 이송기는 다각형 배열을 보이도록 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들 및 상기 제 2웨이퍼 이송기는 밀집(close pack) 배열을 보이도록 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  4. 제 3항에 있어서, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들 및 상기 제 2웨이퍼 이송기는 6각형 밀집 배열을 보이도록 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기, 상기 제 2웨이퍼 이송기, 상기 제 3웨이퍼 이송기, 그리고 제 4웨이퍼 이송기 모두는 선회 가능한 집어들고 내려놓는 로봇들을 포함하고, 상기 제 2웨이퍼 이송기 및 제 3웨이퍼 이송기 모두는 측면 횡단선을 따라서 고정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기 및 제 4웨이퍼 이송기 모두는 측면으로 횡단할 수 있다는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  7. 제 1항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기와 연결되는 인터페이스 영역을 더 포함하며, 상기 인터페이스 영역은 적어도 하나의 카세트 스테이션을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 제 4웨이퍼 이송기와 연결되는 다른 인터페이스 영역을 더 포함하며, 상기 다른 인터페이스 영역은 적어도 하나의 입출력 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 입출력 포트와 연결되는 스테퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  10. 제 1항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기와 상기 제 4웨이퍼 이송기에 의해 정의되는 왕복운동 길이들은 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  11. 제 1항에 있어서, 상기 제 2웨이퍼 이송기와 상기 제 3웨이퍼 이송기에 의해 정의되는 왕복운동 길이들은 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정장치.
  12. 제 1항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기, 상기 제 2웨이퍼 이송기, 상기 제 3웨이퍼 이송기, 그리고 제 4웨이퍼 이송기는 주어진 어떠한 공정 흐름에 의해 지시되는 최소 웨이퍼 이동 수를 초과하여 요구되는 부가적인 웨이퍼 이동이 없는 배열이 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  13. 제 1항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기, 상기 제 2웨이퍼 이송기, 상기 제 3웨이퍼 이송기, 그리고 제 4웨이퍼 이송기는 웨이퍼 이송 적재 총량이 상기 제 1웨이퍼 이송기, 상기 제 2웨이퍼 이송기, 상기 제 3웨이퍼 이송기, 그리고 제 4웨이퍼 이송기 간에 실질적으로 균등하게 분배되는 배열이 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  14. 제 1항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기, 상기 제 2웨이퍼 이송기, 상기 제 3웨이퍼 이송기, 그리고 제 4웨이퍼 이송기 모두는 복수의 웨이퍼 집게들을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  15. 제 1항에 있어서, 상기 다수의 웨이퍼 공정 스택들 각각의 상기 다수의 웨이퍼 공정 모듈들 각각은 양방향에서 접근 가능한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  16. 웨이퍼 공정 장치에 있어서,
    제 1웨이퍼 이송기와,
    상기 제 1웨이퍼 이송기와 연결된 공정 스테이션과, 상기 공정 스테이션은,
    다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들과, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들 각각은 다수의 웨이퍼 공정 모듈들을 가지며,
    상기 다수의 웨이퍼 공정 모듈들과 연결되는 제 2웨이퍼 이송기를 포함하고, 상기 다수의 웨이퍼 공정 모듈 각각은 인접하며 상기 제 2웨이퍼 이송기로 접근할 수 있으며,
    상기 공정 스테이션과 연결되는 제 3웨이퍼 이송기로 이루어져 있으며,
    여기서 상기 다수의 웨이퍼 공정 스택들 중 어떠한 것 내의 상기 다수의 웨이퍼 공정 모듈들 중 임의의 것은 상기 제 1웨이퍼 이송기, 상기 제 2웨이퍼 이송기, 그리고 상기 제 3웨이퍼 이송기로 이루어진 집단에서 선택된 적어도 두개의 인접한 웨이퍼 이송기들에 의해 접근될 수 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  17. 제 16항에 있어서, 상기 제 2웨이퍼 이송기는 가열된 상태와 가열되지 않은상태로 이루어지는 집단에서 한가지 상태의 웨이퍼들만을 전달하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  18. 제 16항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기 및 상기 제 3웨이퍼 이송기 모두와 연결되는 다른 공정 스테이션을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  19. 제 16항에 있어서, 상기 웨이퍼들 간 열적 혼선의 기피는 하나 또는 그 이상의 전용 이송 팔을 요구하지 않는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  20. 제 16항에 있어서, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들 및 상기 제 2웨이퍼 이송기는 다각형 배열을 보이도록 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  21. 제 20항에 있어서, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들 및 상기 제 2웨이퍼 이송기는 밀집 배열을 보이도록 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  22. 제 21항에 있어서, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들 및 상기 제 2웨이퍼 이송기는 6각형 밀집 배열을 보이도록 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  23. 제 16항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기, 상기 제 2웨이퍼 이송기, 그리고 상기 제 3웨이퍼 이송기 모두는 선회 가능한 집어들고 내려놓는 로봇들을 포함하고, 상기 제 2웨이퍼 이송기는 측면 횡단선을 따라서 고정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  24. 제 23항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기 및 제 4웨이퍼 이송기 모두는 측면으로 횡단할 수 있다는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  25. 제 16항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기와 연결되는 인터페이스 영역을 더 포함하며, 상기 인터페이스 영역은 적어도 하나의 카세트 스테이션을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  26. 제 25항에 있어서, 상기 제 3웨이퍼 이송기와 연결되는 다른 인터페이스 영역을 더 포함하며, 상기 다른 인터페이스 영역은 적어도 하나의 입출력 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  27. 제 26항에 있어서, 상기 입출력 포트와 연결되는 스테퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  28. 제 16항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기와 상기 제 3웨이퍼 이송기에 의해 정의되는 왕복운동 길이들은 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  29. 제 16항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기, 상기 제 2웨이퍼 이송기, 그리고 상기 제 3웨이퍼 이송기는 주어진 어떠한 공정 흐름에 의해 지시되는 최소 웨이퍼 이동 수를 초과하여 요구되는 부가적인 웨이퍼 이동이 없는 배열이 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  30. 제 16항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기, 상기 제 2웨이퍼 이송기, 그리고 상기 제 3웨이퍼 이송기는 웨이퍼 이송 적재 총량이 상기 제 1웨이퍼 이송기, 상기 제 2웨이퍼 이송기, 그리고 상기 제 3웨이퍼 이송기 간에 실질적으로 균등하게 분배되는 배열이 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  31. 제 16항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기, 상기 제 2웨이퍼 이송기, 그리고 상기 제 3웨이퍼 이송기 모두는 복수의 웨이퍼 집게들을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  32. 제 16항에 있어서, 상기 다수의 웨이퍼 공정 스택들 각각의 상기 다수의 웨이퍼 공정 모듈들 각각은 양방향에서 접근 가능한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  33. 웨이퍼 공정 장치에 있어서,
    제 1웨이퍼 이송기와,
    상기 제 1웨이퍼 이송기와 연결된 제 1공정 스테이션과, 상기 제 1공정스테이션은,
    다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들과, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들 각각은 다수의 제 1웨이퍼 공정 모듈들을 가지며,
    상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들과 연결되는 제 2웨이퍼 이송기를 포함하고, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 모듈 각각은 인접하며 상기 제 2웨이퍼 이송기로 접근할 수 있으며,
    상기 제 1웨이퍼 이송기와 연결된 제 2공정 스테이션과, 상기 제 2공정스테이션은,
    다수의 제 2웨이퍼 공정 스택들과, 상기 다수의 제 2웨이퍼 공정 스택들 각각은 다수의 제 2웨이퍼 공정 모듈들을 가지며,
    상기 다수의 웨이퍼 공정 스택들과 연결되는 제 3웨이퍼 이송기를 포함하고, 상기 다수의 제 2웨이퍼 공정 모듈 각각은 인접하며 상기 제 3웨이퍼 이송기로 접근할 수 있으며,
    상기 제 1공정 스테이션과 상기 제 2공정 스테이션 모두와 연결되는 제 4웨이퍼 이송기로 이루어져 있으며,
    여기서 상기 제 1공정 스테이션과 제 2공정 스테이션 각각은 X축 및 Y축으로 움직이는 웨이퍼 이송부에 대해 개별적으로 대칭인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  34. 제 33항에 있어서, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들 및 상기 제 2웨이퍼 이송기는 다각형 배열을 보이도록 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  35. 제 34항에 있어서, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들 및 상기 제 2웨이퍼 이송기는 밀집 배열을 보이도록 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  36. 제 35항에 있어서, 상기 다수의 제 1웨이퍼 공정 스택들 및 상기 제 2웨이퍼 이송기는 6각형 밀집 배열을 보이도록 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  37. 제 33항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기, 상기 제 2웨이퍼 이송기, 상기 제 3웨이퍼 이송기, 그리고 제 4웨이퍼 이송기 모두는 선회 가능한 집어들고 내려놓는 로봇들을 포함하고, 상기 제 2웨이퍼 이송기 및 제 3웨이퍼 이송기 모두는 측면 횡단선을 따라서 고정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  38. 제 37항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기 및 제 4웨이퍼 이송기 모두는 측면으로 횡단할 수 있다는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  39. 제 33항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기와 연결되는 인터페이스 영역을 더 포함하며, 상기 인터페이스 영역은 적어도 하나의 카세트 스테이션을 포함하는것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  40. 제 39항에 있어서, 상기 제 4웨이퍼 이송기와 연결되는 다른 인터페이스 영역을 더 포함하며, 상기 다른 인터페이스 영역은 적어도 하나의 입출력 포트를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  41. 제 40항에 있어서, 상기 입출력 포트와 연결되는 스테퍼를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  42. 제 33항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기와 상기 제 4웨이퍼 이송기에 의해 정의되는 왕복운동 길이들은 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  43. 제 33항에 있어서, 상기 제 2웨이퍼 이송기와 상기 제 3웨이퍼 이송기에 의해 정의되는 왕복운동 길이들은 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  44. 제 33항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기, 상기 제 2웨이퍼 이송기, 상기 제 3웨이퍼 이송기, 그리고 제 4웨이퍼 이송기는 주어진 어떠한 공정 흐름에 의해 지시되는 최소 웨이퍼 이동 수를 초과하여 요구되는 부가적인 웨이퍼 이동이 없는배열이 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  45. 제 33항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기, 상기 제 2웨이퍼 이송기, 상기 제 3웨이퍼 이송기, 그리고 제 4웨이퍼 이송기는 웨이퍼 이송 적재 총량이 상기 제 1웨이퍼 이송기, 상기 제 2웨이퍼 이송기, 상기 제 3웨이퍼 이송기, 그리고 제 4웨이퍼 이송기 간에 실질적으로 균등하게 분배되는 배열이 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  46. 제 33항에 있어서, 상기 제 1웨이퍼 이송기, 상기 제 2웨이퍼 이송기, 상기 제 3웨이퍼 이송기, 그리고 제 4웨이퍼 이송기 모두는 복수의 웨이퍼 집게들을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
  47. 제 33항에 있어서, 상기 다수의 웨이퍼 공정 스택들 각각의 상기 다수의 웨이퍼 공정 모듈들 각각은 양방향에서 접근 가능한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 공정 장치.
KR1020007007394A 1998-12-30 1999-12-02 웨이퍼 처리 장치 KR100567857B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/223,111 US6616394B1 (en) 1998-12-30 1998-12-30 Apparatus for processing wafers
US09/223,111 1998-12-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20010103544A true KR20010103544A (ko) 2001-11-23
KR100567857B1 KR100567857B1 (ko) 2006-04-05

Family

ID=22835091

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020007007394A KR100567857B1 (ko) 1998-12-30 1999-12-02 웨이퍼 처리 장치

Country Status (9)

Country Link
US (2) US6616394B1 (ko)
EP (1) EP1142002B1 (ko)
JP (3) JP4384817B2 (ko)
KR (1) KR100567857B1 (ko)
AT (1) ATE308798T1 (ko)
AU (1) AU1933900A (ko)
DE (1) DE69928126T2 (ko)
SG (1) SG119193A1 (ko)
WO (1) WO2000041222A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090127086A (ko) * 2008-06-04 2009-12-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판처리장치, 기판처리방법, 기판 파지기구, 및 기판 파지방법

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6616394B1 (en) * 1998-12-30 2003-09-09 Silicon Valley Group Apparatus for processing wafers
DE10143722C2 (de) * 2001-08-31 2003-07-03 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Sortierung von Wafern
ATE339773T1 (de) * 2001-11-29 2006-10-15 Diamond Semiconductor Group Ll Waferhandhabungsvorrichtung und verfahren dafür
US7022436B2 (en) 2003-01-14 2006-04-04 Asml Netherlands B.V. Embedded etch stop for phase shift masks and planar phase shift masks to reduce topography induced and wave guide effects
JP2004257980A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Mire Kk 半導体素子テスト用ハンドラ
US7371022B2 (en) 2004-12-22 2008-05-13 Sokudo Co., Ltd. Developer endpoint detection in a track lithography system
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
KR100621775B1 (ko) * 2005-04-15 2006-09-15 삼성전자주식회사 기판 세정장치
US7489982B2 (en) * 2006-09-15 2009-02-10 Wafertech, Llc Method and software for conducting efficient lithography WPH / lost time analysis in semiconductor manufacturing
US7738987B2 (en) * 2006-11-28 2010-06-15 Tokyo Electron Limited Device and method for controlling substrate processing apparatus
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) * 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
US20080279672A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods of stack to array work-piece transfer for photovoltaic factory
US20080279658A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods within equipment work-piece transfer for photovoltaic factory
US20080292433A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-27 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods of array to array work-piece transfer for photovoltaic factory
US8322300B2 (en) * 2008-02-07 2012-12-04 Sunpower Corporation Edge coating apparatus with movable roller applicator for solar cell substrates
US8535968B1 (en) * 2011-01-31 2013-09-17 Miasole High speed aligning of photovoltaic cells
US9606532B2 (en) * 2014-01-29 2017-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Method and manufacturing system

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1009462A (en) * 1963-03-05 1965-11-10 Short Brothers & Harland Ltd Improvements in apparatus for classifying and otherwise handling articles
US4917556A (en) * 1986-04-28 1990-04-17 Varian Associates, Inc. Modular wafer transport and processing system
US5177514A (en) 1988-02-12 1993-01-05 Tokyo Electron Limited Apparatus for coating a photo-resist film and/or developing it after being exposed
US5202716A (en) * 1988-02-12 1993-04-13 Tokyo Electron Limited Resist process system
KR970003907B1 (ko) 1988-02-12 1997-03-22 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 기판처리 장치 및 기판처리 방법
US5061144A (en) 1988-11-30 1991-10-29 Tokyo Electron Limited Resist process apparatus
JP2849458B2 (ja) * 1990-07-03 1999-01-20 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法および製造装置
NL9200446A (nl) 1992-03-10 1993-10-01 Tempress B V Inrichting voor het behandelen van microschakeling-schijven (wafers).
US5766824A (en) 1993-07-16 1998-06-16 Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for curing photoresist
EP0634699A1 (en) 1993-07-16 1995-01-18 Semiconductor Systems, Inc. Clustered photolithography system
US5626675A (en) 1993-11-18 1997-05-06 Tokyo Electron Limited Resist processing apparatus, substrate processing apparatus and method of transferring a processed article
JPH07245285A (ja) 1994-03-03 1995-09-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH07297258A (ja) 1994-04-26 1995-11-10 Tokyo Electron Ltd 板状体の搬送装置
JP3213748B2 (ja) * 1994-08-04 2001-10-02 東京エレクトロン株式会社 処理システム
US5826129A (en) 1994-06-30 1998-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing system
JP3033009B2 (ja) 1994-09-09 2000-04-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3592771B2 (ja) * 1994-12-07 2004-11-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TW297910B (ko) 1995-02-02 1997-02-11 Tokyo Electron Co Ltd
JP3069945B2 (ja) 1995-07-28 2000-07-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5788868A (en) 1995-09-04 1998-08-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate transfer method and interface apparatus
TW317644B (ko) 1996-01-26 1997-10-11 Tokyo Electron Co Ltd
JP3571471B2 (ja) 1996-09-03 2004-09-29 東京エレクトロン株式会社 処理方法，塗布現像処理システム及び処理システム
JP3779393B2 (ja) * 1996-09-06 2006-05-24 東京エレクトロン株式会社 処理システム
TW353772B (en) 1996-09-09 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Workpiece relaying apparatus
US5928389A (en) 1996-10-21 1999-07-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool
TW466579B (en) 1996-11-01 2001-12-01 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for processing substrate
TW353777B (en) 1996-11-08 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Treatment device
JPH10144599A (ja) 1996-11-11 1998-05-29 Tokyo Electron Ltd 回転処理装置およびその洗浄方法
JP3579228B2 (ja) 1997-01-24 2004-10-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
SG71082A1 (en) 1997-01-30 2000-03-21 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for coating resist and developing the coated resist
JP4080021B2 (ja) * 1997-03-19 2008-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH10261692A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3600710B2 (ja) * 1997-05-28 2004-12-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH113851A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
US6616394B1 (en) * 1998-12-30 2003-09-09 Silicon Valley Group Apparatus for processing wafers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090127086A (ko) * 2008-06-04 2009-12-09 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 기판처리장치, 기판처리방법, 기판 파지기구, 및 기판 파지방법
US9358662B2 (en) 2008-06-04 2016-06-07 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method

Also Published As

Publication number Publication date
JP4384817B2 (ja) 2009-12-16
ATE308798T1 (de) 2005-11-15
JP2008022023A (ja) 2008-01-31
DE69928126T2 (de) 2006-07-13
DE69928126D1 (de) 2005-12-08
JP4823012B2 (ja) 2011-11-24
KR100567857B1 (ko) 2006-04-05
US6616394B1 (en) 2003-09-09
EP1142002B1 (en) 2005-11-02
US7004708B2 (en) 2006-02-28
JP2007088487A (ja) 2007-04-05
AU1933900A (en) 2000-07-24
SG119193A1 (en) 2006-02-28
US20040107014A1 (en) 2004-06-03
WO2000041222A1 (en) 2000-07-13
JP2002534802A (ja) 2002-10-15
EP1142002A1 (en) 2001-10-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4823012B2 (ja) ウエハ処理装置
EP0634699A1 (en) Clustered photolithography system
KR100960765B1 (ko) 직교 좌표형 로봇 클러스터 툴 아키텍쳐
US8702370B2 (en) Substrate transfer method for performing processes including photolithography sequence
JPH1084029A (ja) 処理システム
US20060104635A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP3571471B2 (ja) 処理方法，塗布現像処理システム及び処理システム
WO2008031031A2 (en) Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
US8046095B2 (en) Substrate processing system and substrate transfer method
JPH10150089A (ja) 処理システム
JP4463081B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2004273842A (ja) 製造対象物の製造装置および製造対象物の製造方法
KR100387418B1 (ko) 반도체 제조 공정에서 사용되는 스피너 시스템
JP3878441B2 (ja) 基板処理装置
JP3916886B2 (ja) 基板処理装置
JP3043094B2 (ja) フォトレジスト処理装置
JP2957854B2 (ja) 基板処理装置
JP2004214290A (ja) 基板処理装置
US20220137516A1 (en) Apparatus for treating substrate and method for treating substrate
TW202310113A (zh) 塗覆顯影設備
KR20230149531A (ko) 기판 처리 장치
CN116804827A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
KR19980032325A (ko) 기판처리장치
JP2003203960A (ja) 基板処理装置
JPH11176903A (ja) 処理装置構築体

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130322

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140324

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160322

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170317

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180316

Year of fee payment: 13