JP4384817B2 - ウエハ処理装置 - Google Patents

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  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)

Description

【0001】
(技術分野)
本発明は一般に超小型電子技術の製造分野に関する。より詳細には本発明はウエハ処理システムのレイアウトに関する。
【0002】
(背景技術)
集積回路等の半導体素子を製造する工程において、完成素子を作るためには多くの微細加工を行う必要がある。それらのステップの1つがウエハ表面上へのフォトレジスト層の形成である。フォトレジスト層を形成するステップは、一般にトラックシステムと呼ばれるウエハ処理装置内で行われる。トラックシステムにおいて、フォトレジスト層を形成するために一連のモジュールのウエハ表面上に一連の処理が施される。
【0003】
従来のトラックシステムには3つのセクションがある。第1のセクションはインターフェースセクションであり、ウエハをカセットからトラックシステムまで、逆にトラックシステムからカセットまで搬送するのに使用される。トラックの第2のセクションは処理セクションと呼ばれる。処理セクションにはレジスト塗布スピンモジュール、ベークモジュール、冷却モジュール、及びレジスト現像スピンモジュール等の多数の処理モジュールがある。別のインターフェースセクションである第3のセクションは、ウエハをトラックシステムから露光ツールへ、逆に露光ツールからトラックへ搬送するのに使用される。ウエハはこれらのセクション間で搬送される。ウエハはウエハ搬送機構によって供給され、処理され、移送され、処理モジュール間で搬送される。
【0004】
ウエハが処理モジュール中に滞在する時間をウエハ全処理時間という。全処理時間は処理方法によって定まる実処理時間に、モジュールの電気機械設計の少なくとも一部分を関数とするモジュールのオーバーヘッド時間を加えたものである。前処理時間は、実処理時間が始まる前にウエハがモジュール中で待機する時間として定義される。同様に、後処理時間は、実処理時間の終了後にウエハが移送されるまでモジュール中で待機する時間として定義される。ウエハをモジュールから取り除いて次のモジュールへ供給するまでの時間をウエハ搬送時間という。
【0005】
まず最初にウエハは1つまたはそれ以上のウエハカセットからカセット端部ステーションを経由してトラックシステムまで供給される。フォトレジスト膜層を形成する処理において、最初にウエハ表面が処理され、熱又は化学処理によって水分が除去される。次にウエハは冷却され、フォトレジスト重合体がウエハ表面上に均一に分布される塗布ユニットへ搬送される。次にフォトレジストが塗布されたウエハは加熱ユニットに送られ、フォトレジスト重合体が安定膜に変えられる。加熱ステップが完了するとウエハは冷却され、カセットに搬送されて処理ウエハとして保管されるか、又は大抵の場合ステッパインターフェースを経由して直接ステッパへ搬送される。ステッパにおいてフォトリトグラフ技術により安定膜が回路パターンに露光される。安定膜の露光後、ウエハはトラックに戻されてベークモジュール中で焼き付けられ、膜に回路パターンが固定される。次にウエハは冷却モジュール中で冷却され、スピン現像モジュールへ搬送される。スピン現像モジュールにおいて、現像溶液が膜の上に加えられ膜の一部が現像され、次に洗浄用液が加えられウエハ表面を洗浄する。その後ウエハは熱処理され、冷却モジュール中で冷却され、カセットへ戻されて保管及び/又は搬送される。本処理プロセス及びシーケンスは集積回路の種類と処理に使用される化学組成物によって変わる。結果として、最小の前処理及び/又は後処理時間を必要とする1つまたはそれ以上のサブステップが決定的プロセスとして認識される。更に、決定的プロセスは前処理及び/又は後処理時間の最小の変動を必要とする。
【0006】
トラックシステムの最大処理能力は多くの場合ロボットの過度な使用によって制約される。ロボットの過度な使用は、利用できるロボットリソースの不足が後処理時間を長くするという状態で定義できる。従来からロボットの過度な使用に対処するのに以下の1つまたはそれ以上の手法が利用されてきた。即ち、(a)ロボットの高速化、(b)ウエハ搬送装置の追加、(c)複数の専用ウエハ搬送機構を備えるロボットの使用である。ロボットを高速化するとトラックシステムのコストが高くなり、信頼性が低下し、最終的に設計の限界に達してしまう。専用の搬送アームを追加してウエハを2つの隣接する連続した処理モジュール間で搬送すると、システムレイアウトが制約を受け、トラックシステムのコストが高くなり、モジュールが隣接してなく連続していない場合には使用できない。複数の専用ウエハ搬送機構を備えるロボットを設計すると、ロボット設計が複雑になり、コストが高くなり、ウエハの搬送に別の制約を課することになる。
【0007】
従来、前処理及び/又は後処理時間の最小化、前処理及び/又は後処理時間の変動の最小化、及びロボット過度使用に対する要求は完全には満たされていない。これらの要求に同時に対応する解決方法が必要とされている。
【0008】
(発明の開示)
本発明の主たる目的は、専用の搬送アームの必要性をなくして、熱クロストークを回避することである。本発明の別の主たる目的は、前処理及び/又は後処理時間の変動を最小化することである。本発明の更に別の主たる目的は、ロボットの過度使用を低減することである。
【0009】
これらの目的に基づいて、第1の処理ステーション及び第2の処理ステーションの両方における全てのウエハ処理モジュールが、(i)それぞれの処理ステーションのロボットによって、及び(ii)ウエハカセット搬送ロボット又はステッパ搬送ロボットのいずれかによってアクセス可能である、ウエハ処理システムのレイアウトには特別な必要性がある。同様に、これらの目的に基づいて、ウエハ処理ステーションにおける全てのウエハ処理モジュールが、少なくとも2つの隣接するウエハ搬送装置(例えばロボット)によってアクセス可能である、ウエハ処理システムのレイアウトには特別な必要性がある。同様に、これらの目的に基づいて、第1のプロセスステーションと第2のプロセスステーションの各々が、X、Y両軸上のウエハ搬送アクセスに対して個々に対称である、ウエハ処理システムのレイアウトには特別な必要性がある。つまり、従来技術では同時に満足させることができなかった、前処理及び/又は後処理時間の最小化、前処理及び/又は後処理時間の変動の最小化、及びロボットの過度使用を低減する前述の要求を同時に満足させることが可能となる。
【0010】
本発明の第1の態様は、ウエハ処理装置に基づく実施形態において実現され、第1のウエハ搬送装置と、各々が複数のウエハ処理モジュールを有する複数の第1のウエハ処理スタック、及び、当該複数の第1のウエハ処理スタックの全てにアクセス可能である第2のウエハ搬送装置を含む、第1の処理ステーションと、各々が複数のウエハ処理モジュールを有する複数の第2のウエハ処理スタック、及び、当該複数の第2のウエハ処理スタックの全てにアクセス可能である第3のウエハ搬送装置を含み、かつ、前記第1の処理ステーションに隣接して配置された、第2の処理ステーションと、前記第1及び第2の処理ステーションについて、前記第1のウエハ搬送装置とは反対側に配置された、第4のウエハ搬送装置と、を備え、前記複数の第1のウエハ処理スタックは、中央に多角形構造を有する第1の空室を形成するように配置され、前記第2のウエハ搬送装置が前記第1の空室に配置され、前記複数の第2のウエハ処理スタックは、中央に前記第1の空室と同一の多角形構造を有する第2の空室を形成するように配置され、前記第3のウエハ搬送装置が前記第2の空室に配置され、前記複数の第1のウエハ処理スタックのそれぞれは、前記第2のウエハ搬送装置について、前記第1の処理ステーションから前記第2の処理ステーションへの方向及び当該方向とは直交する方向を基準として対称の位置に配置され、前記複数の第2のウエハ処理スタックのそれぞれは、前記第3のウエハ搬送装置について、前記第1の処理ステーションから前記第2の処理ステーションへの方向及び当該方向とは直交する方向を基準として対称の位置に配置され、前記複数の第1のウエハ処理スタックと前記複数の第2のウエハ処理スタックの全てのウエハ処理モジュールが、前記第1のウエハ搬送装置又は前記第4のウエハ搬送装置によってアクセス可能であることを特徴としている。
【0011】
本発明の前述の及び他の目的と態様は、以下の説明及び添付図面を参照する更に良く理解できる。しかし、以下の説明は本発明の好適な実施形態とその多数の特定の細部を示しているが、例示的であり本発明を限定するものではないことを理解されたい。本発明の範囲内で本発明の精神から逸脱することなく多数の変更及び修正が可能であり、本発明はそのような変更を全て含む。
【0012】
本発明を構成する利点及び特徴点、本発明による模範となるシステムの構成要素及び作動に関する明確な概念は、本明細書の一部をなす添付図面に示される例示的であり本発明を限定するものではない実施形態を参照することで、更に容易に理解でき、ここでは同じ符号は同じ部品を表している。
【0013】
(発明を実施するための最良の形態)
本発明とその種々の特徴点及び好都合な詳細は、添付図面に示され以下の好適な実施形態の説明に示される、限定的でない実施形態を参照して更に詳細に説明される。公知の部品及び処理技術は本発明の詳細を不必要に不明瞭にすることがないよう省略されている。
【0014】
本発明の背景には半導体チップ、回路基板、及び組立部品が含まれる。本発明は、相互に接続された個々のハードウエア要素を作動できるようにプロセスフィードバックを変えるデータ処理方法も使用できる。例えば、ウエハを移動又は移送したり、又はウエハ処理モジュールの作動に影響を与えるなどである。
【0015】
本ウエハ処理装置は、前処理及び/又は後処理時間を最小化し、前処理及び/又は後処理時間の変動を最小化し、ロボットの過度の使用を低減する前述の問題点に解決するものである。従って、ウエハ処理装置は、処理結果において処理能力と一貫性の両方を改善するタイムリーで規則正しい周期的なウエハのハンドリングシステムを提供できる。本システムのレイアウトにより、カセット端部の保管ステーション、ウエハ処理ステーション、ステッパセクション等の協働する即ち連結されたステーションが得られる。本ウエハ処理装置は、1つまたはそれ以上の処理ステーション内に複数のスタックを有し、それぞれのスタックは複数の処理モジュールで構成される。種々の型式のウエハ処理モジュールが、モジュールを配置し編成するための構成と同様、それぞれのスタックによって提供される。1つの実施形態において、本発明の装置は六角形パターンに配置されたスタックにグループ分けされた、種々の処理モジュールを提供する。3つのウエハ搬送ユニット(例えばロボット)が処理ステーションに連結され、モジュールをサービスする。本明細書で使用される用語「連結された」は「接続された」と言う意味であり、必ずしも直接と言う意味ではなく又機械的にと言う意味でもない。 ウエハは1つまたはそれ以上のウエハ搬送ユニットを使用して種々の処理モジュールに供給され、種々の処理モジュールから移送され、種々の処理モジュール間で搬送される。
【0016】
本装置は、少なくとも1つのカセットセクションが配置され、インターフェースセクションに平行でフロア平面に垂直な方向に直線的に動くロボット等のウエハ搬送ユニットを含む、第1のインターフェースセクションを含むことができる。第1のインターフェースステーションのウエハ搬送ユニットは、垂直方向に平行な軸周りに回転可能であり、フロアに平行な平面内で延びることも可能である。本装置は、ウエハ搬送ユニットの周りに配置された種々のモジュールを備える、少なくとも1つの処理ステーションを含むことができる。処理ステーションのウエハ搬送ユニットは垂直方向に動き、垂直方向に対して平行な軸周りに回転可能なロボットであってもよい。本装置は、入出力ポートと更に別のウエハ搬送ユニットを備える第2のインターフェースセクションを有する。第2のインターフェースセクションのウエハ搬送ユニットは、インターフェースセクションに平行な方向へ直線的に動くと共に、フロア平面に対して垂直な方向に動くことができるロボットであってもよい。第3のウエハ搬送ユニットも垂直方向に対して平行な軸周りに回転可能であり、フロアに平行な平面内で延びることも可能である。
【0017】
1つの実施形態において、本装置は、少なくとも1つの処理ステーションを有し、その周りには処理ステーション内の又はそれにアクセス可能なウエハ処理モジュールへウエハを連続的に供給し取り除くための、旋回可能なピックアンドプレイス型ロボットが設けられている。この実施形態は、ウエハを収容するためのカセットを配置できるカセット端部ステーション(CES)を備えてもよい。更に、本実施形態は、CES中の少なくとも1つのカセットと、処理ステーションのスタック中の少なくとも1つの処理モジュールとの間でウエハを双方向に搬送するためのロボットを備えてもよい。更に、本実施形態は、処理ステーションのスタック中の少なくとも1つのウエハ処理モジュールと、SIに連結されたステッパとの間でウエハを双方向に供給するための別のロボットを有する、ステッパインターフェースセクション(SI)を備えてもよい。
【0018】
本発明の概念にはトラックシステムの一部として熱チャンバが含まれる。熱チャンバは、密閉され環境制御されると同時に、溶剤、水分、及びウエハを処理するための他の化学薬品を受容し、監視し、制御するようになっていることが好ましい。更に、熱チャンバは溶剤、水分、及びウエハを処理するための他の化学薬品を抽出する目的で設けてもよい。熱チャンバ内の圧力はチャンバの作用を促進するために調整可能である。この熱チャンバは1つの処理モジュールであり得る。
【0019】
本発明は、熱クロストークに起因する問題を減らすと言う点で従来技術を改善する。熱クロストークは、ウエハと搬送ユニットのグリッパが実質的に異なる温度にあるときに起きる、望ましくないウエハ製造条件である。本明細書で使用する用語「クロストーク」は、現在のウエハとは温度が異なる1つまたはそれ以上のウエハのロボットグリッパによる、先のハンドリングに起因するウエハとロボットグリッパとの間の熱的汚染として規定される。例えば、熱クロストークはウエハが高温でありグリッパの接触表面が低温であるか、又はその逆の場合に起きる可能性がある。この場合、温度差がグリッパの接触表面とウエハとの間に熱クロストークを生成するのに十分なことがある。特定のウエハ処理用途において、特に焼き付け及び冷却モジュールが使用される処理ステーションにおいて熱クロストークを防止することは極めて重要である。本発明は、専用アームよりも多い機能と自由度を有するが、低温のウエハを操作するだけの中央又はメインロボットを提供する。高温のウエハはCESロボット又はSIロボットによって搬送される。
【0020】
本発明は、メインロボットの使用を最小限にすることによって従来技術より有益である。(a)ロボットが同時に1つまたはそれ以上のウエハを処理しなければならない、(b)ロボットの速度がウエハ操作の要求に対して不十分である、及び/又は(c)ロボットが連続的に又は連続して交互に高温と低温のモジュールをロード、アンロードしなければならない場合に、メインロボットを使用すると問題が発生する。本発明は、ウエハ処理モジュール間の供給と取り出しを提供し、同時に種々のモジュール間のウエハをタイムリーに搬送する。本装置はまた、重要なウエハ処理モジュールの前処理及び後処理時間を著しく短縮するか又は完全に無くする。更に、本装置は、低温のウエハを高温の物体と一緒に、又は高温のウエハを低温の物体と一緒にハンドリングする結果生じる熱クロストークを含む、ウエハ操作機構に起因する熱クロストークを除去するか、実質的に低減する。これらの特徴は、本発明のいくつかの利点を示し、メインロボットの機能を減少するか最小化するウエハ処理装置を設けることによって部分的に達成可能である。
【0021】
図1は処理ステーション180に配置される複数のウエハ処理モジュールを有するウエハ処理装置100の実施形態を示し、それは装置100内の中央に配置される。処理ステーション180は、メインロボット150の周りに配置される複数のウエハ処理スタックを提供する。複数のスタックは、第1のスタック105、第2のスタック115、第3のスタック125、及び第4のスタック135を有する。各々のスタックは種々の機能のための複数のウエハ処理モジュールを備えることができる。特定の実施形態において、ウエハ処理モジュールの4つのスタックがメインロボットステーション151のメインロボット150の周りに六角形パターンで集められているが(6面のうちの2面は使用されていない)、より多くの又はより少ないスタックを設けてもよい(更に別の多角形パターンに集めてもよい)。メインロボット150は、全てのスタック間で旋回可能であり、ウエハを任意のスタックの任意のモジュールから任意の別のスタックの任意の別のモジュールまで搬送可能である。CESステーション165は、本装置の処理ステーション180に隣接し、CESロボット160を有し、同時に複数のカセット端部175を有する。CESロボット160は旋回又は回転可能であり、同時にCESステーション165に沿って直線的に自由に移動することが好ましい。このよう、CESロボット160は第2のスタック115のウエハ処理モジュールにアクセスし、ウエハを処理ステーション180とCESステーション165の複数のカセットとの間で搬送する。ステッパインターフェース145は、処理ステーション180に隣接し、SIロボット140とバッファ155とを有する。バッファ155は、特定の製造ステップ(ルーチン)の間にバッファリングが必要な場合に、ステッパインターフェース145へ搬送され、さらにステッパインターフェース145から搬送されるウエハのためのバッファ領域を提供する。SIロボット140は、第4のスタック135に含まれるウエハ処理モジュールにアクセスが可能であり、処理ステーション180とステッパインターフェース145との間でウエハを搬送する。SIロボット140は旋回可能か又は回転可能であり、同時にステッパインターフェースに沿ってバッファ領域まで直線的に自由に移動することが好ましい。このように、SIロボット140は、ステッパインターフェース145と第のスタック135のウエハ処理モジュールへアクセス可能であり、ウエハを処理ステーション180と、ステッパインターフェース145との間で、又は直接ステッパへ搬送する。ステッパ(図示せず)はステッパインターフェース145と連結されている。
【0022】
図2を参照すると、図1に置き換え可能なスタック組立体の概略図を示す。図示のように、スタック135には複数の処理モジュール184(a)−184(b)が所望の順序で配置される。処理要求に応じて任意の数の異なる型式の処理モジュール184を所定のスタック135に含むことができる。図2のスタック135は各々の熱モジュール184(a)−184(h)を集めたものである。図示のように、いずれのモジュールも、モジュール184自体に対する2方向又は多方向アクセスをもたらす。スタック135はSIステーション145へ連結される。ロード部182は、SIロボット140がモジュール184(a)にアクセスしてウエハをロード又はアンロードすることを可能にする。アクセス部183は、メインロボット150がモジュール184(a)にアクセスしてウエハをロード又はアンロードすることを可能にする。
【0023】
図3は、図1に示す実施形態によるウエハのフローチャートを示す。まず最初に、ウエハはCESロボットによってCESステーション165から、丸で囲んだ数字1で表示される搬送作業でもって1つまたはそれ以上の主気相モジュールへ搬送される。CESロボット160は、丸で囲んだ数字2で表示される搬送作業でもってウエハを1つまたはそれ以上の主気相冷却板モジュールへ搬送する。続いてウエハはメインロボット150により、丸で囲んだ数字3で表示される搬送作業でもって1つまたはそれ以上のレジスト塗布モジュールに移送される。そこから、ウエハは丸で囲んだ数字4で表示される作業でもって1つまたはそれ以上のソフトベーク(SB)モジュールへ移送される。次にSIロボット140はウエハを丸で囲んだ数字5で表示される作業でもって1つまたはそれ以上のソフトベーク冷却板モジュールに移送する。次に、ウエハは、丸で囲んだ数字6で表示される搬送作業でもってSIロボット140を使用して、ステッパインターフェースセクション140を通ってステッパ(図示せず)又はバッファ領域に移送される。
【0024】
図3は、リトグラフ露光されたウエハが、枠で囲んだ数字1で表示される搬送でもってSIロボット140によってステッパインターフェースセクション145から1つまたはそれ以上の後露光ベークモジュールに搬送されることを示す。ウエハがバッファ領域に移送されると、次いでSIロボット140がウエハをバッファ155から1つまたはそれ以上のPEBモジュールに移送する。次いでウエハはSIロボット140によって、枠で囲んだ数字2で表示される搬送でもって1つまたはそれ以上の後露光ベーク冷却板モジュールへ搬送される。そこからウエハはメインロボットを使用して、枠で囲んだ数字3で表示される搬送でもって1つまたはそれ以上の現像モジュールへ移送される。現像モジュールの後に、ウエハは1つまたはそれ以上のハードベーク(HB)モジュールに移送され、次いで枠で囲んだ数字5で表示される搬送でもって1つまたはそれ以上のハードベーク冷却板モジュールへ移送される。
【0025】
前述の構成から、メインロボット150のグリッパが低温のウエハをつまみ上げるだけであることが分かる。このことは熱クロストークを除去する。次にウエハは枠で囲んだ数字6で表示されるCESロボット160を使用して1つまたはそれ以上のカセットに搬送される。
【0026】
図1に示す本処理装置100は、1つの処理ステーションだけに限定されない。処理装置100は、図1のステーション180の次に別のステーションを追加することによって拡張し得ることを理解されたい。つまり、図1の処理ステーション180は図4の処理ステーション280となる。図4は2つ以上の処理ステーションを有するシステムを示す。
【0027】
図4は、第1の処理ステーション280と第2の処理ステーション280aとを有する処理装置200を示す。第1の処理ステーション280は第1のメインロボット250を備え、第2の処理ステーション280aは第2のメインロボット250aを備えている。メインロボット250及び250aは、それぞれメインロボットステーション251及び251aにおいて、垂直に動くことができる旋回可能なピックアンドプレイス型ロボットである。各々の処理ステーション280、280aは、第1のウエハ処理スタック205、205a、第2のウエハ処理スタック215、215a、第3のウエハ処理スタック225、225a、及び第4のウエハ処理スタック235、235aを有し、各々のウエハ処理スタックは複数のウエハ処理モジュールを備えている。各々の処理ステーションの全てのウエハ処理モジュールは、その処理ステーションのメインロボットがアクセス可能である。複数のカセット端部275がCESセクション260で装置200の一端に沿って配置されている。
【0028】
如何なる特定の性能表示や診断識別子にも制限されない限り、本発明の好適な実施形態は、ロボットが使用中であることに関する試験を行い1つずつ識別できる。ロボットの過度な使用がある場合の試験は、簡単な通常のロボットのアイドル試験を利用して必要以上の実験をすることなく行える。所定のロボットがアイドル状態でない場合、後処理時間が解析される。他の方法の中で、次の好適な実施形態に向けた最短前処理及び/又は後処理時間指標の特性有する実施形態を探し求めることは前処理及び/又は後処理変動時間の最小化に基づくはずである。
【0029】
技術分野で価値のある本発明の実際の応用例は半導体ウエハの処理である。更に、本発明は非リトグラフウエハ処理(例えば、光電池を作る目的のために使用される)等に関して有益である。実際には本発明の用途は無数にあるが、本明細書ではその全てを説明していない。
【0030】
本発明の1つの実施形態を示すウエハ処理システムのレイアウトは、コスト的に有利であり、少なくとも以下の理由から利点がある。本発明はロボットを過度に使用することを低減するのに役立つ。本発明は、前処理及び/又は後処理時間における変動を低減するのにも役立つ。本発明は、処理モジュールの所定のシーケンスに関連する絶対的な前処理及び/又は後処理時間を低減するのにも役立つ。
【0031】
本明細書に説明した本発明の全ての開示された実施形態は実現可能であり、過度の実験を伴うことなく実行できる。本明細書には、発明者が意図する本発明を実施する最良の実施形態を開示しているが、本発明の実施はそれに限定されるものではない。従って、当業者であれば、本発明を本明細書に記載した以外の方法で実施できることが理解できる。
【0032】
例えば、個々の構成要素は開示された形状に形成される必要はなく、開示された構造に組み立てる必要もなく、実質的にどのような形状であってもよく、どのような構造に組み立ててもよい。更に、個々の要素は、開示された材料で作られる必要もなく、実質的にどのような好適な材料で作ってもよい。更に、本明細書に説明したウエハ処理システムは、物理的に別々のモジュールであるが、ウエハ処理システムは、それが対応づけられる装置に集約できることも明らかである。更に、各々の開示された実施形態の全ての開示された構成要素及び特徴点は、その構成要素及び特徴点が排他的である場合を除いて、全ての他の開示された実施形態に開示された構成要素及び特徴と組合せること及び置換することができる。
【0033】
基本的発明概念の精神と範囲から逸脱することなく、本発明の特徴点の種々の追加、変更及び再構成を行い得ることは明らかである。請求範囲及びその均等物によって規定される本発明の範囲は、そのような追加、変更及び再構成を全て含むことが意図されている。
【図面の簡単な説明】
【図1】 1つの処理ステーションを備えるウエハ処理装置の概略平面図を示す。
【図2】 図1のウエハ処理装置に使用できるスタック組立体の1つの実施形態の概略図である。
【図3】 図1に示すウエハ処理装置に関連するウエハ・ハンドリング・ロードの概略図を示す。
【図4】 2つの処理ステーションを備えるウエハ処理装置の概略平面図であり、本発明の実施形態である。
【図5】 図4に示すウエハ処理装置の概略斜視図を示す。

Claims (12)

  1. 第1のウエハ搬送装置と、
    各々が複数のウエハ処理モジュールを有する複数の第1のウエハ処理スタック、及び、当該複数の第1のウエハ処理スタックの全てにアクセス可能である第2のウエハ搬送装置を含む、第1の処理ステーションと、
    各々が複数のウエハ処理モジュールを有する複数の第2のウエハ処理スタック、及び、当該複数の第2のウエハ処理スタックの全てにアクセス可能である第3のウエハ搬送装置を含み、かつ、前記第1の処理ステーションに隣接して配置された、第2の処理ステーションと、
    前記第1及び第2の処理ステーションについて、前記第1のウエハ搬送装置とは反対側に配置された、第4のウエハ搬送装置と、
    を備え、
    前記複数の第1のウエハ処理スタックは、中央に多角形構造を有する第1の空室を形成するように配置され、前記第2のウエハ搬送装置が前記第1の空室に配置され、
    前記複数の第2のウエハ処理スタックは、中央に前記第1の空室と同一の多角形構造を有する第2の空室を形成するように配置され、前記第3のウエハ搬送装置が前記第2の空室に配置され、
    前記複数の第1のウエハ処理スタックのそれぞれは、前記第2のウエハ搬送装置について、前記第1の処理ステーションから前記第2の処理ステーションへの方向及び当該方向とは直交する方向を基準として対称の位置に配置され、
    前記複数の第2のウエハ処理スタックのそれぞれは、前記第3のウエハ搬送装置について、前記第1の処理ステーションから前記第2の処理ステーションへの方向及び当該方向とは直交する方向を基準として対称の位置に配置され、
    前記複数の第1のウエハ処理スタックと前記複数の第2のウエハ処理スタックの全てのウエハ処理モジュールが、前記第1のウエハ搬送装置又は前記第4のウエハ搬送装置によってアクセス可能であることを特徴とするウエハ処理装置。
  2. 前記第1及び第2の空室のそれぞれの前記多角形構造が最密構造であることを特徴とする請求項1に記載のウエハ処理装置。
  3. 前記第1及び第2の空室のそれぞれの前記多角形構造が六角形最密構造であることを特徴とする請求項2に記載のウエハ処理装置。
  4. 前記第1のウエハ搬送装置、前記第2のウエハ搬送装置、前記第3のウエハ搬送装置、及び前記第4のウエハ搬送装置の全てが、旋回可能なピックアンドプレイス型ロボットを含み、前記第2のウエハ搬送装置及び前記第3のウエハ搬送装置の両方が、横移動しないことを特徴とする請求項1に記載のウエハ処理装置。
  5. 前記第1のウエハ搬送装置及び前記第4のウエハ搬送装置の両方が、横移動可能なことを特徴とする請求項4に記載のウエハ処理装置。
  6. 前記第1のウエハ搬送装置によってアクセス可能であるインターフェースセクションを更に備え、前記インターフェースセクションが少なくとも1つのカセットステーションを含むことを特徴とする請求項1に記載のウエハ処理装置。
  7. 前記第4のウエハ搬送装置によってアクセス可能である別のインターフェースセクションを更に備え、前記別のインターフェースセクションが少なくとも1つの入力/出力ポートを含むことを特徴とする請求項6に記載のウエハ処理装置。
  8. 前記入力/出力ポートにアクセス可能であるステッパを更に備えることを特徴とする請求項7に記載のウエハ処理装置。
  9. 前記第1のウエハ搬送装置と前記第4のウエハ搬送装置とによって規定される全てのストローク長が前記各々のウエハ処理スタックへウエハを搬送するとき及び前記各々のウエハ処理スタックからウエハを搬送するときに実質的に等しいことを特徴とする請求項1に記載のウエハ処理装置。
  10. 前記第2のウエハ搬送装置と前記第3のウエハ搬送装置とによって規定される全てのストローク長が実質的に等しいことを特徴とする請求項1に記載のウエハ処理装置。
  11. 前記第1のウエハ搬送装置、前記第2のウエハ搬送装置、前記第3のウエハ搬送装置、及び前記第4のウエハ搬送装置の全てが、複数のウエハ・グリッパを含むことを特徴とする請求項1に記載のウエハ処理装置。
  12. 前記第2及び第3のウエハ搬送装置が、加熱及び非加熱からなるグループから選択された単一状態のウエハだけを搬送することを特徴とする請求項1に記載のウエハ処理装置。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6616394B1 (en) * 1998-12-30 2003-09-09 Silicon Valley Group Apparatus for processing wafers
DE10143722C2 (de) * 2001-08-31 2003-07-03 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zur Sortierung von Wafern
DE60214763T2 (de) * 2001-11-29 2007-09-06 Diamond Semiconductor Group LLC., Gloucester Waferhandhabungsvorrichtung und verfahren dafür
US7022436B2 (en) 2003-01-14 2006-04-04 Asml Netherlands B.V. Embedded etch stop for phase shift masks and planar phase shift masks to reduce topography induced and wave guide effects
JP2004257980A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Mire Kk 半導体素子テスト用ハンドラ
US7651306B2 (en) 2004-12-22 2010-01-26 Applied Materials, Inc. Cartesian robot cluster tool architecture
US7798764B2 (en) 2005-12-22 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool
US7699021B2 (en) 2004-12-22 2010-04-20 Sokudo Co., Ltd. Cluster tool substrate throughput optimization
US7255747B2 (en) 2004-12-22 2007-08-14 Sokudo Co., Ltd. Coat/develop module with independent stations
US7819079B2 (en) 2004-12-22 2010-10-26 Applied Materials, Inc. Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes
KR100621775B1 (ko) * 2005-04-15 2006-09-15 삼성전자주식회사 기판 세정장치
US7489982B2 (en) * 2006-09-15 2009-02-10 Wafertech, Llc Method and software for conducting efficient lithography WPH / lost time analysis in semiconductor manufacturing
US7738987B2 (en) * 2006-11-28 2010-06-15 Tokyo Electron Limited Device and method for controlling substrate processing apparatus
US7694688B2 (en) 2007-01-05 2010-04-13 Applied Materials, Inc. Wet clean system design
US7950407B2 (en) * 2007-02-07 2011-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus for rapid filling of a processing volume
US20080279658A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods within equipment work-piece transfer for photovoltaic factory
US20080279672A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods of stack to array work-piece transfer for photovoltaic factory
US20080292433A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-27 Bachrach Robert Z Batch equipment robots and methods of array to array work-piece transfer for photovoltaic factory
US8322300B2 (en) * 2008-02-07 2012-12-04 Sunpower Corporation Edge coating apparatus with movable roller applicator for solar cell substrates
US8795032B2 (en) 2008-06-04 2014-08-05 Ebara Corporation Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate holding mechanism, and substrate holding method
US8535968B1 (en) * 2011-01-31 2013-09-17 Miasole High speed aligning of photovoltaic cells
US9606532B2 (en) * 2014-01-29 2017-03-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Method and manufacturing system

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1009462A (en) * 1963-03-05 1965-11-10 Short Brothers & Harland Ltd Improvements in apparatus for classifying and otherwise handling articles
US4917556A (en) * 1986-04-28 1990-04-17 Varian Associates, Inc. Modular wafer transport and processing system
US5177514A (en) 1988-02-12 1993-01-05 Tokyo Electron Limited Apparatus for coating a photo-resist film and/or developing it after being exposed
US5202716A (en) * 1988-02-12 1993-04-13 Tokyo Electron Limited Resist process system
KR970003907B1 (ko) 1988-02-12 1997-03-22 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 기판처리 장치 및 기판처리 방법
US5061144A (en) 1988-11-30 1991-10-29 Tokyo Electron Limited Resist process apparatus
JP2849458B2 (ja) * 1990-07-03 1999-01-20 キヤノン株式会社 半導体装置の製造方法および製造装置
NL9200446A (nl) 1992-03-10 1993-10-01 Tempress B V Inrichting voor het behandelen van microschakeling-schijven (wafers).
US5766824A (en) 1993-07-16 1998-06-16 Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for curing photoresist
DE634699T1 (de) 1993-07-16 1996-02-15 Semiconductor Systems Inc Gruppiertes fotolithografisches System.
US5626675A (en) 1993-11-18 1997-05-06 Tokyo Electron Limited Resist processing apparatus, substrate processing apparatus and method of transferring a processed article
JPH07245285A (ja) 1994-03-03 1995-09-19 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH07297258A (ja) 1994-04-26 1995-11-10 Tokyo Electron Ltd 板状体の搬送装置
US5826129A (en) 1994-06-30 1998-10-20 Tokyo Electron Limited Substrate processing system
JP3213748B2 (ja) * 1994-08-04 2001-10-02 東京エレクトロン株式会社 処理システム
JP3033009B2 (ja) 1994-09-09 2000-04-17 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP3592771B2 (ja) * 1994-12-07 2004-11-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TW297910B (ja) 1995-02-02 1997-02-11 Tokyo Electron Co Ltd
JP3069945B2 (ja) 1995-07-28 2000-07-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5788868A (en) 1995-09-04 1998-08-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate transfer method and interface apparatus
TW317644B (ja) 1996-01-26 1997-10-11 Tokyo Electron Co Ltd
JP3571471B2 (ja) 1996-09-03 2004-09-29 東京エレクトロン株式会社 処理方法,塗布現像処理システム及び処理システム
JP3779393B2 (ja) * 1996-09-06 2006-05-24 東京エレクトロン株式会社 処理システム
TW353772B (en) 1996-09-09 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Workpiece relaying apparatus
US5928389A (en) 1996-10-21 1999-07-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for priority based scheduling of wafer processing within a multiple chamber semiconductor wafer processing tool
SG67433A1 (en) 1996-11-01 1999-09-21 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for processing substrate
TW353777B (en) 1996-11-08 1999-03-01 Tokyo Electron Ltd Treatment device
JPH10144599A (ja) 1996-11-11 1998-05-29 Tokyo Electron Ltd 回転処理装置およびその洗浄方法
JP3579228B2 (ja) 1997-01-24 2004-10-20 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TW389949B (en) 1997-01-30 2000-05-11 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for coating and development of the photo-resist solution
JP4080021B2 (ja) * 1997-03-19 2008-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH10261692A (ja) * 1997-03-19 1998-09-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP3600710B2 (ja) * 1997-05-28 2004-12-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH113851A (ja) 1997-06-11 1999-01-06 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
US6616394B1 (en) * 1998-12-30 2003-09-09 Silicon Valley Group Apparatus for processing wafers

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