KR20000071465A - 블럭 단위로 소거를 행하는 반도체 기억 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (11)
- 메모리 셀이 행렬형으로 배치된 복수의 제1 메모리 블럭;상기 제1 메모리 블럭을 선택하는 제1 디코더;상기 제1 메모리 블럭과 실질적으로 같은 구성의 적어도 하나의 제2 메모리 블럭;상기 제2 메모리 블럭을 선택하는 제2 디코더;블럭 어드레스 정보를 출력하는 블럭 어드레스 버퍼;불량 블럭 어드레스를 기억하는 불량 블럭 어드레스 기억부와;상기 불량 블럭 어드레스 기억부에 기억되어 있는 불량 블럭 어드레스와 상기 블럭 어드레스 버퍼로부터 입력된 블럭 어드레스를 비교하는 불량 블럭 어드레스 비교부;상기 불량 블럭 어드레스 비교부에서 일치가 검출되었을 때에 불량이 발생한 제1 메모리 블럭을 선택하는 상기 제1 디코더를 비선택 상태로 함과 함께, 상기 제2 디코더를 선택 상태로 하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리.
- 제1항에 있어서, 복수의 메모리 블럭의 일괄 소거 시에 상기 불량 블럭 어드레스 기억부에 기억되어 있는 불량 블럭 어드레스가 상기 블럭 어드레스 버퍼에 입력되며, 상기 제1 디코더는 상기 메모리 블럭마다 설치된 제1 래치 회로에 제1 데이터를 래치함으로써, 상기 제1 래치 회로에 제1 데이터가 래치되는 메모리 블럭 중의 메모리 셀로의 소거 전위의 인가를 금지하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 불량 블럭 어드레스 기억부는, 상기 제1 메모리 셀 어레이 및 상기 제2 메모리 셀 어레이 중의 메모리 셀과 실질적으로 같은 구조의 트랜지스터를 기억 소자로서 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 기억 소자의 소거 시에는 상기 트랜지스터의 임계치 전압을 접지 레벨 이하까지 소거하고, 기록 시는 전원 전위보다도 높은 레벨까지 기록하고, 판독 시의 제어 게이트 전위를 전원 전위로 하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 불량 블럭 어드레스 기억부는 퓨즈 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제5항에 있어서, 상기 퓨즈 소자를 퓨즈 블로우할지의 여부에 따라서 불량 블럭 어드레스를 기억하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 불량 블럭 어드레스 기억부의 판독 동작을 전원 투입 시에 행하여 내부에 래치하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 메모리 셀의 소거 시에 부유 게이트 중 전자를 웰 영역으로 방출하는 타입의 반도체 기억 장치에 있어서,메모리 셀이 행렬형으로 배치된 메모리 셀 어레이, 상기 메모리 셀 어레이 중 메모리 셀의 행을 선택하는 로우 디코더, 블럭을 선택하기 위한 블럭 디코더, 강제적으로 선택을 금지하기 위한 디세이블 래치, 및 상기 메모리 셀 어레이 중 메모리 셀의 열을 선택하기 위한 컬럼 선택 게이트를 각각 구비한 복수의 블럭 코어:상기 복수의 블럭 코어와 실질적으로 같은 구성의 적어도 하나의 리던던시용 블럭 코어;로우 어드레스 신호가 입력되며, 상기 복수의 블럭 코어 및 상기 리던던시용 블럭 코어중의 로우 디코더에 각각 내부 로우 어드레스 신호를 공급하는 로우 어드레스 버퍼;컬럼 어드레스 신호가 입력되는 컬럼 어드레스 버퍼;상기 컬럼 어드레스 버퍼로부터 출력되는 내부 컬럼 어드레스 신호를 디코드하여, 상기 복수의 블럭 코어 및 상기 리던던시용 블럭 코어 중의 컬럼 선택 게이트를 각각 선택하는 컬럼 디코더;블럭 어드레스가 입력되며, 상기 복수의 블럭 코어의 각 블럭 디코더에 블럭 선택 신호를 출력하는 블럭 어드레스 버퍼;불량이 발생한 블럭 코어의 어드레스를 기억하는 리던던시용 어드레스 기억부;상기 어드레스 기억부에 기억되어 있는 블럭 코어의 어드레스와 상기 블럭 어드레스 버퍼로부터 출력된 블럭 선택 신호를 비교하는 어드레스 비교부;펄스 신호를 출력하는 디세이블 펄스 발생부;선택된 메모리 셀로부터 판독된 데이터를 증폭하는 감지 증폭기;상기 감지 증폭기와 데이터의 교환을 행하는 입출력 버퍼;상기 블럭 코어 중의 메모리 셀 어레이에 불량이 발생했을 때에, 이 블럭 코어의 어드레스를 상기 어드레스 기억부에 기억하고, 상기 어드레스 비교부에서 일치가 검출되었을 때, 상기 어드레스 비교부로부터 디세이블 신호를 출력하고, 불량이 발생한 블럭 코어 중의 블럭 디코더를 강제적으로 비선택하고, 상기 리던던시용 블럭 코어 중의 블럭 디코더를 선택 상태로 함으로써, 불량이 발생한 블럭 코어를 리던던시용 블럭 코어로 치환하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제8항에 있어서, 복수의 블럭을 동시에 소거할 때에는 상기 어드레스 기억부로부터 불량 어드레스를 상기 블럭 어드레스 버퍼에 입력하고, 상기 불량이 발생한 블럭 코어의 상기 디세이블 래치에 블럭 선택 신호를 공급하고, 상기 디세이블 펄스 발생부로부터 출력되는 펄스 신호에 응답하여 디세이블 신호를 래치함으로써 상기 불량이 발생한 블럭 코어 중의 블럭 디코더를 강제적으로 비선택하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제8항에 있어서, 상기 복수의 블럭 코어는 각각 독립한 웰 내에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제8항에 있어서, 복수의 블럭을 동시에 소거할 때는 상기 블럭 디코더에 소거 블럭 어드레스를 순차 입력하고, 상기 디세이블 래치에 상기 디세이블 펄스 발생 회로로부터 출력되는 펄스 신호에 응답하여 선택 신호를 래치함으로써 소거 대조 블럭 코어 중의 블럭 디코더를 강제 선택하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
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