JP6384232B2 - 半導体装置及びその制御方法 - Google Patents
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Description
本発明の一実施形態における半導体装置は、ゲート絶縁膜破壊型の不揮発性メモリセルを複数有し、1ビットのデータを2以上の不揮発性メモリセルにより記憶するワンタイムプログラマブル(OTP:One Time Programmable)メモリを含む。本実施形態における半導体装置は例えば、OTPメモリに加えて、そのOTPメモリに記憶されたデータに基づいて、所望の処理を実行する処理回路を含む集積回路である。以下では、2つのゲート絶縁膜破壊型の不揮発性メモリセルにより1ビットのデータを記憶するOTPメモリを例に説明する。
12 アドレスレジスタ
13 ロウデコーダ
14 カラムデコーダ
15 ワードドライバ
16 書込・ベリファイ・読出回路
WLA、WLB ワード線
BL ビット線
21 選択トランジスタ
22 メモリセルトランジスタ
Claims (4)
- ゲート絶縁膜を破壊することでデータの書き込みが行われる、複数の不揮発性メモリセルと、
前記不揮発性メモリセルを選択するための複数のワード線を駆動する駆動回路と、
前記不揮発性メモリセルに対してデータを入出力するための複数のビット線が接続される書込・読出回路とを有し、
前記複数の不揮発性メモリセルは、第1の不揮発性メモリセルと、前記第1の不揮発性メモリセルと同じ前記ビット線に接続されるとともに前記第1の不揮発性メモリセルとは異なる前記ワード線に接続される第2の不揮発性メモリセルとにより1ビットのデータを記憶し、
前記不揮発性メモリセルに対するデータの書き込み及び読み出しは、前記駆動回路により前記第1の不揮発性メモリセル及び前記第2の不揮発性メモリセルを同時に選択して行い、前記不揮発性メモリセルに対するベリファイは、前記駆動回路により前記第1の不揮発性メモリセル及び前記第2の不揮発性メモリセルを1つの不揮発性メモリセル毎に個別に選択して行うことを特徴とする半導体装置。 - 前記不揮発性メモリセルは、前記ワード線がそれぞれのゲートに接続された選択トランジスタ及びメモリセルトランジスタを有し、前記メモリセルトランジスタの前記ゲート絶縁膜に電圧を印加して前記ゲート絶縁膜を破壊することでデータの書き込みが行われることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- それぞれがワード線及びビット線に接続され、ゲート絶縁膜を破壊することでデータの書き込みが行われる、複数の不揮発性メモリセルを有し、前記複数の不揮発性メモリセルは、第1の不揮発性メモリセルと、前記第1の不揮発性メモリセルと同じ前記ビット線に接続されるとともに前記第1の不揮発性メモリセルとは異なる前記ワード線に接続される第2の不揮発性メモリセルとにより1ビットのデータを記憶する半導体装置の制御方法であって、
前記第1の不揮発性メモリセル及び前記第2の不揮発性メモリセルを同時に選択して前記不揮発性メモリセルに対するデータの書き込みを行い、
前記データの書き込みを行った後、前記第1の不揮発性メモリセル及び前記第2の不揮発性メモリセルを1つの不揮発性メモリセル毎に個別に選択して前記不揮発性メモリセルに対するベリファイを行い、
前記第1の不揮発性メモリセル及び前記第2の不揮発性メモリセルを同時に選択して前記不揮発性メモリセルに対するデータの読み出しを行うことを特徴とする半導体装置の制御方法。 - 前記不揮発性メモリセルに対するベリファイの結果、データが正しく書き込まれていない前記不揮発性メモリセルがある場合には、前記不揮発性メモリセルに対するデータの書き込みを再び行うことを特徴とする請求項3記載の半導体装置の制御方法。
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