KR102460328B1 - 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료 - Google Patents

반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료 Download PDF

Info

Publication number
KR102460328B1
KR102460328B1 KR1020217026566A KR20217026566A KR102460328B1 KR 102460328 B1 KR102460328 B1 KR 102460328B1 KR 1020217026566 A KR1020217026566 A KR 1020217026566A KR 20217026566 A KR20217026566 A KR 20217026566A KR 102460328 B1 KR102460328 B1 KR 102460328B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor element
semiconductor device
compound
cured product
less
Prior art date
Application number
KR1020217026566A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210107160A (ko
Inventor
다까시 니시무라
히로시 마에나까
시게루 나까무라
다꾸지 아오야마
유우스께 고바야시
Original Assignee
세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 filed Critical 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Publication of KR20210107160A publication Critical patent/KR20210107160A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102460328B1 publication Critical patent/KR102460328B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295—Organic, e.g. plastic containing a filler
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D163/00—Coating compositions based on epoxy resins; Coating compositions based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D183/04—Polysiloxanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/60—Additives non-macromolecular
    • C09D7/61—Additives non-macromolecular inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D7/00—Features of coating compositions, not provided for in group C09D5/00; Processes for incorporating ingredients in coating compositions
    • C09D7/40—Additives
    • C09D7/70—Additives characterised by shape, e.g. fibres, flakes or microspheres
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3157—Partial encapsulation or coating
    • H01L23/3171—Partial encapsulation or coating the coating being directly applied to the semiconductor body, e.g. passivation layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00—Specific properties of additives
    • C08K2201/002—Physical properties
    • C08K2201/005—Additives being defined by their particle size in general
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2205/00—Polymer mixtures characterised by other features
    • C08L2205/03—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend
    • C08L2205/035—Polymer mixtures characterised by other features containing three or more polymers in a blend containing four or more polymers in a blend

Abstract

경화물의 방열성이 우수하고, 경화물의 보이드가 적으며, 경화물의 절연 신뢰성이 우수하여, 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있는 반도체 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 반도체 장치는, 반도체 소자와, 상기 반도체 소자의 제1 표면 상에 배치된 경화물을 구비하고, 상기 경화물을 얻기 위한 반도체 소자 보호용 재료는, 열경화성 화합물과, 경화제 또는 경화 촉매와, 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함하고, 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함하고, 상기 경화물에 있어서의 상기 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이고, 상기 경화물의 전기 전도도가 50μS/cm 이하이다.

Description

반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료{SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT PROTECTION MATERIAL}
본 발명은, 반도체 소자 보호용 재료를 사용한 반도체 장치에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포하여 사용되는 반도체 소자 보호용 재료에 관한 것이다.
반도체 장치의 고성능화가 진행되고 있다. 이에 따라서 반도체 장치로부터 발해지는 열을 방산시킬 필요가 높아지고 있다. 또한, 반도체 장치에서는, 반도체 소자의 전극은, 예를 들어 전극을 표면에 갖는 다른 접속 대상 부재에 있어서의 전극과 전기적으로 접속되어 있다.
반도체 장치에서는, 예를 들어 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 에폭시 수지 조성물을 배치한 후, 해당 에폭시 수지 조성물을 경화시킴으로써, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재가 접착 및 고정되어 있다. 또한, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되는 상기 에폭시 수지 조성물의 경화물은, 반도체 소자의 표면을 보호하기 위한 재료와는 상이하다.
또한, 반도체 장치에서는, 반도체 소자를 밀봉하기 위해서, 에폭시 수지 조성물이 사용되는 경우가 있다.
상기와 같은 에폭시 수지 조성물이, 예를 들어 하기 특허문헌 1 내지 5에 개시되어 있다.
하기 특허문헌 1에는, 에폭시 수지와, 페놀계 경화제와, 트리스(2,6-디메톡시페닐)포스핀 또는 트리스(2,4,6-트리메톡시페닐)포스핀인 경화 촉진제와, 알루미나를 포함하는 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 1의 실시예에서는, 분체인 에폭시 수지 조성물이 기재되어 있다. 상기 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서, 특허문헌 1에서는, IC, LSI, 트랜지스터, 사이리스터, 다이오드 등의 반도체 장치의 밀봉용, 프린트 회로판의 제조 등에 적절하게 사용되는 것이 기재되어 있다.
하기 특허문헌 2에는, 에폭시 수지와, 페놀 수지 경화제와, 경화 촉진제와, 무기 충전제를 포함하는 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 2의 실시예에서는, 분체인 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 기재되어 있다. 상기 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서, 특허문헌 2에서는, 일반 성형 재료로서 사용할 수 있음이 기재되어 있고, 또한 반도체 장치의 밀봉재에 사용되며, 특히 박형, 다핀, 롱 와이어, 좁은 패드 피치, 또는 유기 기판 또는 유기 필름 등의 실장 기판 상에 반도체 칩이 배치된, 반도체 장치의 밀봉재에 적합하게 사용되는 것이 기재되어 있다.
하기 특허문헌 3에는, 비스페놀 F형 액상 에폭시 수지와, 경화제와, 무기질 충전제를 포함하는 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 3의 실시예에서는, 고체인 에폭시 수지 조성물(용융 점도가 75℃ 이상)이 기재되어 있다. 상기 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서, 특허문헌 3에는, 일반 성형 재료로서 사용할 수도 있지만, 반도체 장치, 예를 들어 TQFP, TSOP, QFP 등의 다핀 박형 패키지, 특히 매트릭스 프레임을 사용한 반도체 장치의 밀봉재로서 적합하게 사용되는 것이 기재되어 있다.
하기 특허문헌 4에는, 에폭시 수지와, 페놀 수지 경화제와, 고열전도성 충전제와, 무기질 충전제를 포함하는 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 4의 실시예에서는, 분체인 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 기재되어 있다. 상기 반도체 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서, 특허문헌 4에서는, 반도체 소자 등의 전자 부품의 밀봉 재료로서 사용되는 것이 기재되어 있다.
또한, 하기 특허문헌 5에는, 비스페놀 A형 에폭시 수지와, 골격 내에 가요성을 갖는 에폭시 수지를 포함하는 제1제와, 산 무수물 화합물과 경화 촉진제를 포함하는 제2제를 갖는 2액 타입의 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 특허문헌 5에서는, 2액 타입의 에폭시 수지 조성물의 용도에 관해서는, 케이스 내 충전재로서 유용한 것이 기재되어 있다.
일본 특허 공개 평5-86169호 공보 일본 특허 공개 제2007-217469호 공보 일본 특허 공개 평10-176100호 공보 일본 특허 공개 제2005-200533호 공보 일본 특허 공개 제2014-40538호 공보
특허문헌 1 내지 4에서는, 구체적으로는, 분체 또는 고체인 에폭시 수지 조성물이 개시되어 있다. 이러한 분체 또는 고체인 에폭시 수지 조성물은 도포성이 낮고, 소정의 영역에 고정밀도로 배치하는 것이 곤란하다.
또한, 종래의 에폭시 수지 조성물의 경화물에서는, 방열성이 낮은 경우가 있다. 또한, 종래의 에폭시 수지 조성물의 경화물에서는, 보이드가 발생하는 경우가 있다. 보이드가 발생하면, 경화물의 박리가 발생하는 경우가 있다.
또한, 특허문헌 1 내지 4에서는, 에폭시 수지 조성물의 구체적인 용도로서, 주로 밀봉 용도가 기재되어 있다. 특허문헌 5에서는, 에폭시 수지 조성물의 구체적인 용도로서, 주로 케이스 내 충전재 용도가 기재되어 있다. 한편, 반도체 장치에 있어서는, 반도체 소자를 밀봉하지 않더라도, 반도체 소자를 충분히 보호하는 것이 바람직하다. 또한, 특허문헌 1 내지 5에 기재된 에폭시 수지 조성물은, 일반적으로, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 해당 반도체 소자의 표면 상에 도포하여 사용되지 않는다.
또한, 근년, 장치의 얇음이나 의장성의 관점에서 IC 드라이버를 감소시킬 것이 요구되고 있다. IC 드라이버를 적게 하면, 반도체 소자에 가해지는 부담이 증대되고, 또한 상당한 열을 띠기 쉬워진다. 종래의 경화물에서는, 방열성이 낮기 때문에, 방열성이 높은 경화물이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은, 경화물의 방열성이 우수하고, 경화물의 보이드가 적으며, 경화물의 절연 신뢰성이 우수하여, 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있는 반도체 장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명은, 반도체 장치에 있어서, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 해당 반도체 소자의 표면 상에 도포하여, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해 사용되는 반도체 소자 보호용 재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명의 목적은, 상기 용도에 있어서, 방열성이 우수하고, 보이드가 적고, 절연 신뢰성이 우수한 경화물을 얻을 수 있어, 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있는 반도체 소자 보호용 재료를 제공하는 것이다.
본 발명의 넓은 국면에서는, 반도체 소자와, 상기 반도체 소자의 제1 표면 상에 배치된 경화물을 구비하고, 상기 경화물이, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물이며, 상기 반도체 소자 보호용 재료가, 열경화성 화합물과, 경화제 또는 경화 촉매와, 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함하고, 상기 반도체 소자 보호용 재료가, 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함하고, 상기 경화물에 있어서의 상기 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이고, 상기 경화물의 전기 전도도가 50μS/cm 이하인, 반도체 장치가 제공된다.
본 발명의 넓은 국면에서는, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포하여, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해 사용되는 반도체 소자 보호용 재료이며, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되어, 상기 반도체 소자와 상기 다른 접속 대상 부재가 박리되지 않도록 접착 및 고정시키는 경화물을 형성하는 것과는 상이하고, 열경화성 화합물과, 경화제 또는 경화 촉매와, 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함하고, 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함하고, 상기 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이고, 150℃에서 2시간 가열하여 경화물을 얻었을 때에, 상기 경화물의 전기 전도도가 50μS/cm 이하인, 반도체 소자 보호용 재료가 제공된다.
본 발명의 넓은 국면에서는, 접속 대상 부재 상에 실장된 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 상기 접속 대상 부재측과는 반대의 표면 상에 도포하여, 상기 반도체 소자의 상기 접속 대상 부재측과는 반대의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해 사용되는 반도체 소자 보호용 재료이며, 열경화성 화합물과, 경화제 또는 경화 촉매와, 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함하고, 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함하고, 상기 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이고, 150℃에서 2시간 가열하여 경화물을 얻었을 때에, 상기 경화물의 전기 전도도가 50μS/cm 이하인, 반도체 소자 보호용 재료가 제공된다.
본 발명에 따른 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정 국면에서는, 상기 열경화성 화합물이 에폭시 화합물 또는 실리콘 화합물을 포함한다.
본 발명에 따른 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정 국면에서는, 상기 열경화성 화합물이 실리콘 화합물을 포함한다.
본 발명에 따른 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정 국면에서는, 상기 경화제가 알릴페놀노볼락 화합물이다.
본 발명에 따른 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정 국면에서는, 상기 열경화성 화합물이 가요성 에폭시 화합물을 포함한다.
본 발명에 따른 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정 국면에서는, 상기 열경화성 화합물이, 상기 가요성 에폭시 화합물과, 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물을 포함한다.
본 발명에 따른 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정 국면에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료에 포함되는 상기 가요성 에폭시 화합물이, 알킬렌글리콜기가 9 이상 반복된 구조 단위를 갖는 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르이다.
본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료의 어느 특정 국면에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료는 물을 포함하지 않거나, 또는 물을 1000ppm 이하로 포함한다.
본 발명에 따른 반도체 장치의 어느 특정 국면에서는, 상기 반도체 장치는, 접속 대상 부재를 구비하고, 상기 접속 대상 부재 상에, 상기 반도체 소자가 상기 제1 표면과는 반대의 제2 표면측으로부터 실장되어 있다.
본 발명에 따른 반도체 장치의 어느 특정 국면에서는, 상기 반도체 장치는, 제2 전극을 표면에 갖는 접속 대상 부재를 구비하고, 상기 반도체 소자가, 상기 제1 표면측과는 반대의 제2 표면측에 제1 전극을 갖고, 상기 반도체 소자의 제1 전극이, 제2 전극을 표면에 갖는 접속 대상 부재에 있어서의 상기 제2 전극과 전기적으로 접속되어 있다.
본 발명에 따른 반도체 장치의 어느 특정 국면에서는, 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 상에 보호 필름이 배치되어 있거나, 또는 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면이 노출되어 있다.
본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 상에 보호 필름을 배치하여, 반도체 장치를 얻기 위해 사용되거나, 또는 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면이 노출되어 있는 반도체 장치를 얻기 위해 사용된다.
본 발명에 따른 반도체 소자 장치는, 반도체 소자와, 상기 반도체 소자의 제1 표면 상에 배치된 경화물을 구비하고, 상기 경화물이, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물이며, 상기 반도체 소자 보호용 재료가, 열경화성 화합물과, 경화제 또는 경화 촉매와, 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함하고, 상기 반도체 소자 보호용 재료가, 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함하고, 상기 경화물에 있어서의 상기 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이고, 상기 경화물의 전기 전도도가 50μS/cm 이하이므로, 경화물의 방열성이 우수하고, 경화물의 보이드가 적으며, 경화물의 절연 신뢰성이 우수하여, 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, 열경화성 화합물과, 경화제 또는 경화 촉매와, 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함하고, 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함하고, 물을 포함하지 않거나, 또는 물을 1000ppm 이하로 포함하고, 상기 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이며, 150℃에서 2시간 가열하여 경화물을 얻었을 때에, 상기 경화물의 전기 전도도가 50μS/cm 이하이므로, 방열성이 우수하고, 보이드가 적으며, 절연 신뢰성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료를, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포하고, 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료를, 접속 대상 부재 상에 실장된 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 상기 접속 대상 부재측과는 반대의 표면 상에 도포하고, 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 반도체 소자 보호용 재료를 사용한 반도체 장치를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.
도 2는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 반도체 소자 보호용 재료를 사용한 반도체 장치를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.
이하, 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명에 따른 반도체 장치는, 반도체 소자와 경화물을 구비한다. 본 발명에 따른 반도체 장치에서는, 상기 경화물은, 상기 반도체 소자의 제1 표면 상에 배치되어 있다. 본 발명에 따른 반도체 장치에서는, 상기 경화물은, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물이다.
본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, 어느 특정 국면에서는, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포하여, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해 사용된다. 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되어, 상기 반도체 소자와 상기 다른 접속 대상 부재가 박리되지 않도록 접착 및 고정시키는 경화물을 형성하는 것(재료)과는 상이하다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, 어느 특정 국면에서는, 접속 대상 부재 상에 실장된 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 상기 접속 대상 부재측과는 반대의 표면 상에 도포하여, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해 사용된다.
본 발명에 따른 반도체 장치에 사용되는 반도체 소자 보호용 재료, 및 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, (A) 열경화성 화합물과, (B) 경화제 또는 경화 촉매((B1) 경화제 또는 (B2) 경화 촉매)와, (C) 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함한다. 본 발명에 따른 반도체 장치에 사용되는 반도체 소자 보호용 재료, 및 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, 예를 들어 반도체 소자의 표면 상에 도포되기 때문에, 23℃에서 액상인 것이 바람직하고, 23℃에서 고체가 아닌 것이 바람직하다. 또한, 액상에는, 점조(粘稠)한 페이스트도 포함된다.
본 발명에 따른 반도체 장치에 사용되는 반도체 소자 보호용 재료, 및 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, (X) 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 (X) 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함한다. 본 발명에 따른 반도체 장치에 사용되는 반도체 소자 보호용 재료, 및 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료에 있어서의 저분자량의 (X) 실록산 화합물의 함유량은 적다. 본 발명에 따른 반도체 장치의 경화물 100중량％ 중, (C) 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이다. 본 발명에 따른 반도체 장치에 사용되는 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (C) 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러의 함유량은 바람직하게는 60중량％ 이상, 바람직하게는 92중량％ 이하이다. 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (C) 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이다.
본 발명에 따른 반도체 장치의 경화물, 및 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 전기 전도도는 50μS/cm 이하이다.
상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자의 표면 상에 도포할 수 있다. 예를 들어, 반도체 소자의 방열성을 높이고자 하는 부위의 표면 상에 선택적으로, 고정밀도로, 상기 반도체 소자 보호용 재료를 도포할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 장치는, 상술한 구성을 구비하고 있으므로, 경화물의 방열성이 우수하다. 이 때문에, 반도체 소자의 표면으로부터 경화물을 경유하여, 열을 충분히 방산시킬 수 있다. 이 때문에, 반도체 장치의 열 열화를 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, 상술한 구성을 구비하고 있으므로, 경화물의 방열성이 우수하다. 이 때문에, 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 배치함으로써, 반도체 소자의 표면으로부터 경화물을 경유하여, 열을 충분히 방산시킬 수 있다. 이 때문에, 반도체 장치의 열 열화를 효과적으로 억제할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 장치, 및 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료에서는, 경화물에 보이드를 발생하기 어렵게 할 수 있고, 반도체 소자의 표면으로부터 경화물을 박리하기 어렵게 할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 장치에서는, 경화물의 절연 신뢰성이 우수하다. 따라서, 상기 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료에서는, 절연 신뢰성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료를, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포하고, 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료를, 접속 대상 부재 상에 실장된 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 상기 접속 대상 부재측과는 반대의 표면 상에 도포하고, 경화시킴으로써, 상기 반도체 소자를 양호하게 보호할 수 있다.
절연 신뢰성을 높이는 관점에서, (X) 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물의 함유량은 많아도, 500ppm이다. 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, (X) 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물의 함유량은 바람직하게는 250ppm 이하이다. (X) 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물의 함유량은 적을수록 좋다.
삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물이란, 헥사메틸시클로트리실록산, 옥타메틸시클로테트라실록산, 데카메틸시클로펜타실록산, 도데카메틸시클로헥사실록산, 테트라데카메틸시클로헵타실록산, 헥사데카메틸시클로옥타실록산, 옥타데카메틸시클로노나실록산, 에이코사메틸시클로데카실록산을 의미한다.
보이드를 한층 더 효과적으로 억제하는 관점에서, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료는, (Y) 물을 포함하지 않거나, 또는 (Y) 물을 1000ppm 이하로 포함하는 것이 바람직하다. 보이드를 한층 더욱 억제하는 관점에서는, (Y) 물의 함유량은 바람직하게는 800ppm 이하이다. (Y) 물의 함유량은 적을수록 좋다.
상기 물의 함유량은, 칼 피셔 수분계(교토 덴시 고교사제 「MKV-710B」)를 사용하여 측정된다.
절연 신뢰성을 높이는 관점에서, 본 발명에 따른 반도체 장치의 상기 경화물의 전기 전도도는 50μS/cm 이하이다. 절연 신뢰성을 높이는 관점에서, 본 발명에 따른 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하여 경화물을 얻었을 때에, 상기 경화물의 전기 전도도는 50μS/cm 이하이다. 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 경화물의 전기 전도도는 바람직하게는 30μS/cm 이하이다. 상기 경화물의 전기 전도도의 하한은 특별히 한정되지 않는다.
상기 전기 전도도는, 이하와 같이 하여 측정된다. 본 발명에 따른 반도체 장치에서는, 상기 반도체 장치의 경화물을 준비한다. 본 발명에 따른 반도체 장치 보호용 재료에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간으로 경화시켜 경화물을 얻는다. 이들 경화물을 한 변이 5mm 정도인 정사각형으로 분쇄하고, 분쇄물 2.5g에 이온 교환수 25mL를 첨가하여, PCT(121℃±2℃/습도 100％/2atm의 조)에서 20Hr 둔다. 그 후, 실온(25℃)까지 냉각시켜 얻은 추출액을 시험액으로서 얻는다. 이 시험액의 전기 전도도를 전도도계(도아 덴파 고교사제의 전기 전도율계 「CM-30G」, 「CM-42X」 등)를 사용하여 측정한다.
도포성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료의 25℃ 및 10rpm에서의 점도는, 바람직하게는 40Pa·s 이상, 보다 바람직하게는 50Pa·s 이상이며, 바람직하게는 140Pa·s 이하, 보다 바람직하게는 130Pa·s 이하이다.
상기 점도는, B형 점도계(도끼 산교사제 「TVB-10형」)를 사용하여 측정된다.
경화성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료는, (B1) 경화제와, (D) 경화 촉진제를 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 반도체 소자 보호용 재료의 반도체 소자의 표면에 대한 습윤성을 높이고, 경화물의 유연성을 한층 더 높이며, 또한 경화물의 내습성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료는, (E) 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다.
경화물의 절연 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료는, (F) 이온 포착제를 포함하는 것이 바람직하다.
이하, 상기 반도체 소자 보호용 재료에 사용할 수 있는 각 성분을 상세하게 설명한다.
((A) 열경화성 화합물)
(A) 열경화성 화합물로서는, 옥세탄 화합물, 에폭시 화합물, 에피술피드 화합물, (메트)아크릴 화합물, 페놀 화합물, 아미노 화합물, 불포화 폴리에스테르 화합물, 폴리우레탄 화합물, 실리콘 화합물 및 폴리이미드 화합물 등을 들 수 있다. (A) 열경화성 화합물은, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.
본 발명의 효과를 효과적으로 발휘하고, 내열성을 한층 더 높게 하며, 또한 크랙이 한층 더 발생하기 어렵게 하는 관점에서는, (A) 열경화성 화합물은, (A1) 에폭시 화합물 또는 (A2) 실리콘 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. (A) 열경화성 화합물은, (A1) 에폭시 화합물을 포함하고 있어도 되고, (A2) 실리콘 화합물을 포함하고 있어도 된다. 고온 하에 노출된 후의 접속 대상 부재의 휨을 한층 더 억제하는 관점에서는, (A2) 실리콘 화합물의 분자량은, 300 이상인 것이 바람직하다. 고온 하에 노출된 후의 접속 대상 부재의 휨을 한층 더 억제하는 관점에서는, (A) 열경화성 화합물이, (A2) 실리콘 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (A) 열경화성 화합물의 함유량은 바람직하게는 1중량％ 이상, 보다 바람직하게는 2중량％ 이상이며, 바람직하게는 20중량％ 이하, 보다 바람직하게는 15중량％ 이하, 더욱 바람직하게는 10중량％ 이하, 특히 바람직하게는 8중량％ 이하이다. (A) 열경화성 화합물의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성, 경화물의 유연성 및 내습성이 한층 더 양호해지고, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 양호해지며, 보호 필름에 대한 부착을 한층 더 억제할 수 있다.
상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (A1) 에폭시 화합물과 (A2) 실리콘 화합물의 합계 함유량은, 바람직하게는 1중량％ 이상, 보다 바람직하게는 2중량％ 이상이며, 바람직하게는 20중량％ 이하, 보다 바람직하게는 15중량％ 이하이다. (A1) 에폭시 화합물과 (A2) 실리콘 화합물의 합계 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성, 경화물의 유연성 및 내습성이 한층 더 양호해지고, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 양호해지며, 보호 필름에 대한 부착을 한층 더 억제할 수 있다.
(A1) 에폭시 화합물:
상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (A1) 에폭시 화합물의 함유량은, 바람직하게는 1중량％ 이상, 보다 바람직하게는 2중량％ 이상이며, 바람직하게는 10중량％ 이하, 보다 바람직하게는 8중량％ 이하이다. (A1) 에폭시 화합물의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성, 경화물의 유연성 및 내습성이 한층 더 양호해지고, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 양호해지며, 보호 필름에 대한 부착을 한층 더 억제할 수 있다.
(A1) 에폭시 화합물로서는, (A11) 가요성 에폭시 화합물 및 (A12) 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물을 들 수 있다. 본 발명의 효과를 효과적으로 발휘하는 관점에서는, (A) 열경화성 화합물은, (A11) 가요성 에폭시 화합물과, (A12) 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.
(A12) 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물은, 가요성을 갖지 않는다. (A11) 가요성 에폭시 화합물과 함께 (A12) 에폭시 화합물을 사용함으로써, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 내습성이 높아지고, 보호 필름에 대한 부착성을 저하시킬 수 있다. (A12) 에폭시 화합물은, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.
(A) 열경화성 화합물은, (A11) 가요성 에폭시 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. (A11) 가요성 에폭시 화합물을 사용함으로써, 경화물의 유연성을 높일 수 있다. (A11) 가요성 에폭시 화합물을 사용함으로써, 반도체 소자에 대한 변형 응력 등에 의해, 반도체 소자의 손상이 발생하기 어려워지고, 또한 반도체 소자의 표면으로부터 경화물을 박리하기 어렵게 할 수 있다. (A11) 가요성 에폭시 화합물은, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.
(A11) 가요성 에폭시 화합물로서는, 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리부타디엔디글리시딜에테르, 술피드 변성 에폭시 수지 및 폴리알킬렌옥시드 변성 비스페놀 A형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 경화물의 유연성을 한층 더 높이는 관점에서는, 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르가 바람직하다.
경화물의 유연성을 한층 더 높이고 접착력을 향상시키는 관점에서는, 상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르는, 알킬렌글리콜기가 9 이상 반복된 구조 단위를 갖는 것이 바람직하다. 알킬렌기의 반복수의 상한은 특별히 한정되지 않는다. 알킬렌기의 반복수는, 30 이하여도 된다. 상기 알킬렌기의 탄소수는, 바람직하게는 2 이상이며, 바람직하게는 5 이하이다.
상기 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르로서는, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르 및 폴리테트라메틸렌글리콜디글리시딜에테르 등을 들 수 있다.
상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (A11) 가요성 에폭시 화합물의 함유량은 바람직하게는 3중량％ 이상, 보다 바람직하게는 5중량％ 이상이며, 바람직하게는 10중량％ 이하, 보다 바람직하게는 8중량％ 이하이다. (A11) 가요성 에폭시 화합물의 함유량이 상기 하한 이상이면, 경화물의 유연성이 한층 더 높아진다. (A11) 가요성 에폭시 화합물의 함유량이 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성이 한층 더 높아진다.
상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (A11) 가요성 에폭시 화합물과 (A12) 에폭시 화합물의 합계 함유량은 바람직하게는 5중량％ 이상, 보다 바람직하게는 8중량％ 이상이며, 바람직하게는 15중량％ 이하, 보다 바람직하게는 12중량％ 이하이다. (A11) 가요성 에폭시 화합물과 (A12) 에폭시 화합물의 합계 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성, 경화물의 유연성 및 내습성이 한층 더 양호해지고, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 양호해지며, 보호 필름에 대한 부착을 한층 더 억제할 수 있다.
(A12) 에폭시 화합물로서는, 비스페놀 골격을 갖는 에폭시 화합물, 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 화합물, 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 화합물, 아다만탄 골격을 갖는 에폭시 화합물, 플루오렌 골격을 갖는 에폭시 화합물, 비페닐 골격을 갖는 에폭시 화합물, 바이(글리시딜옥시페닐)메탄 골격을 갖는 에폭시 화합물, 크산텐 골격을 갖는 에폭시 화합물, 안트라센 골격을 갖는 에폭시 화합물, 및 피렌 골격을 갖는 에폭시 화합물 등을 들 수 있다. 이들의 수소 첨가물 또는 변성물을 사용해도 된다. (A12) 에폭시 화합물은, 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르가 아닌 것이 바람직하다.
본 발명의 효과가 한층 더 우수한 점에서, (A12) 에폭시 화합물은, 비스페놀 골격을 갖는 에폭시 화합물(비스페놀형 에폭시 화합물)인 것이 바람직하다.
상기 비스페놀 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형 또는 비스페놀 S형의 비스페놀 골격을 갖는 에폭시 단량체 등을 들 수 있다.
상기 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 디시클로펜타디엔디옥시드, 및 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 페놀노볼락에폭시 단량체 등을 들 수 있다.
상기 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 1-글리시딜나프탈렌, 2-글리시딜나프탈렌, 1,2-디글리시딜나프탈렌, 1,5-디글리시딜나프탈렌, 1,6-디글리시딜나프탈렌, 1,7-디글리시딜나프탈렌, 2,7-디글리시딜나프탈렌, 트리글리시딜나프탈렌 및 1,2,5,6-테트라글리시딜나프탈렌 등을 들 수 있다.
상기 아다만탄 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 1,3-비스(4-글리시딜옥시페닐)아다만탄 및 2,2-비스(4-글리시딜옥시페닐)아다만탄 등을 들 수 있다.
상기 플루오렌 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 9,9-비스(4-글리시딜옥시페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-클로로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-브로모페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-플루오로페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3-메톡시페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3,5-디메틸페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3,5-디클로로페닐)플루오렌 및 9,9-비스(4-글리시딜옥시-3,5-디브로모페닐)플루오렌 등을 들 수 있다.
상기 비페닐 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 4,4'-디글리시딜비페닐 및 4,4'-디글리시딜-3,3',5,5'-테트라메틸비페닐 등을 들 수 있다.
상기 바이(글리시딜옥시페닐)메탄 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 1,1'-바이(2,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,8'-바이(2,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,1'-바이(3,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,8'-바이(3,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,1'-바이(3,5-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,8'-바이(3,5-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,2'-바이(2,7-글리시딜옥시나프틸)메탄, 1,2'-바이(3,7-글리시딜옥시나프틸)메탄 및 1,2'-바이(3,5-글리시딜옥시나프틸)메탄 등을 들 수 있다.
상기 크산텐 골격을 갖는 에폭시 화합물로서는, 1,3,4,5,6,8-헥사메틸-2,7-비스-옥시라닐메톡시-9-페닐-9H-크산텐 등을 들 수 있다.
(A11) 가요성 에폭시 화합물 100중량부에 대하여, (A12) 에폭시 화합물의 함유량은 바람직하게는 10중량부 이상, 보다 바람직하게는 20중량부 이상이며, 바람직하게는 100중량부 이하, 보다 바람직하게는 90중량부 이하이다. (A12) 에폭시 화합물의 함유량이 상기 하한 이상이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성이 한층 더 높아지고, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 높아진다. (A12) 에폭시 화합물의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화물의 유연성이 한층 더 높아진다.
(A2) 실리콘 화합물은, 예를 들어 규소 원자에 결합된 알케닐기를 갖는 실리콘 화합물과, 규소 원자에 결합된 수소 원자를 갖는 실리콘 화합물을 포함한다. 규소 원자에 결합된 알케닐기를 갖는 실리콘 화합물은, 규소 원자에 결합된 수소 원자를 갖지 않아도 된다.
상기 규소 원자에 결합된 알케닐기를 갖는 실리콘 화합물은, 하기 식(1A)으로 표시되는 실리콘 화합물, 하기 식(2A)으로 표시되는 실리콘 화합물, 또는 하기 식(3A)으로 표시되는 실리콘 화합물인 것이 바람직하다.
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b ··· (1A)
상기 식(1A) 중, a 및 b는, 0.01≤a≤0.2, 0.8≤b≤0.99를 충족시키고, R1 내지 R5의 1mol％ 이상 20mol％ 이하는 알케닐기를 나타내고, R1 내지 R5의 80mol％ 이상 99mol％ 이하는 메틸기 및 페닐기를 나타내고, 알케닐기, 메틸기 및 페닐기 이외의 R1 내지 R5는, 탄소수 2 내지 6의 알킬기를 나타낸다.
(R1R2R3SiO1/2)a(SiO4/2)b ··· (2A)
상기 식(2A) 중, a 및 b는, 0.7≤a≤0.9, 0.1≤b≤0.3을 충족시키고, R1 내지 R3의 1mol％ 이상 33mol％ 이하는 알케닐기를 나타내고, R1 내지 R3의 67mol％ 이상 99mol％ 이하는 메틸기 및 페닐기를 나타내고, 알케닐기, 메틸기 및 페닐기 이외의 R1 내지 R3은, 탄소수 2 내지 6의 알킬기를 나타낸다. R1 내지 R3의 1mol％ 이상 20mol％ 이하는 알케닐기를 나타내어도 되고, R1 내지 R3의 80mol％ 이상 99mol％ 이하는 메틸기 및 페닐기를 나타내어도 된다.
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c ··· (3A)
상기 식(3A) 중, a, b 및 c는, 0.05≤a≤0.3, 0≤b≤0.8, 0.15≤c≤0.85를 충족시키고, R1 내지 R6의 2mol％ 이상 20mol％ 이하는 알케닐기를 나타내고, R1 내지 R6의 80mol％ 이상 95mol％ 이하는 메틸기 및 페닐기를 나타내고, 알케닐기, 메틸기 및 페닐기 이외의 R1 내지 R6은, 탄소수 2 내지 6의 알킬기를 나타낸다.
상기 규소 원자에 결합된 수소 원자를 갖는 실리콘 화합물은, 하기 식(1B)으로 표시되는 실리콘 화합물인 것이 바람직하다.
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b ··· (1B)
상기 식(1B) 중, a 및 b는, 0.1≤a≤0.67, 0.33≤b≤0.9를 충족시키고, R1 내지 R5의 1mol％ 이상 25mol 이하％는 수소 원자를 나타내고, R1 내지 R5의 75mol％ 이상 99mol％ 이하는 메틸기 및 페닐기를 나타내고, 수소 원자, 메틸기 및 페닐기 이외의 R1 내지 R5는, 탄소수 2 내지 6의 알킬기를 나타낸다.
(A2) 실리콘 화합물은, 상기 식(1A)으로 표시되는 실리콘 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. (A2) 실리콘 화합물은, 상기 식(1A)으로 표시되는 실리콘 화합물과, 상기 식(2A)으로 표시되는 실리콘 화합물을 포함하거나, 또는 상기 식(1A)으로 표시되는 실리콘 화합물과, 상기 식(3A)으로 표시되는 실리콘 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.
경화물의 접착성을 효과적으로 높이고, 경화물의 박리를 효과적으로 높이는 관점에서는, (A) 열경화성 화합물이, (A1) 실리콘 화합물로서, 상기 식(2A) 또는 (3A)로 표시되는 실리콘 화합물과, 상기 식(1B)으로 표시되는 실리콘 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 절연 신뢰성을 높이는 관점에서는, (A) 열경화성 화합물이, (A1) 실리콘 화합물로서, 상기 식(3A)으로 표시되는 실리콘 화합물과, 상기 식(1B)으로 표시되는 실리콘 화합물을 포함하는 것이 바람직하다. 접속 대상 부재의 휨을 한층 더 억제하는 관점에서는, (A) 열경화성 화합물이, (A1) 실리콘 화합물로서, 상기 식(1A)으로 표시되는 실리콘 화합물과, 상기 식(1B)으로 표시되는 실리콘 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (A2) 실리콘 화합물의 함유량은, 바람직하게는 5중량％ 이상, 보다 바람직하게는 8중량％ 이상이며, 바람직하게는 20중량％ 이하, 보다 바람직하게는 15중량％ 이하이다. (A2) 실리콘 화합물의 함유량이 상기 하한 이상 및 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성, 경화물의 유연성 및 내습성이 한층 더 양호해지고, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 양호해지며, 보호 필름에 대한 부착을 한층 더 억제할 수 있다.
상기 규소 원자에 결합된 수소 원자를 갖는 실리콘 화합물 100중량부에 대하여, 상기 규소 원자에 결합된 알케닐기를 갖는 실리콘 화합물의 함유량은 바람직하게는 10중량부 이상이며, 바람직하게는 400중량부 이하이다. 이 함유량의 관계를 만족시키면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성, 경화물의 유연성 및 내습성이 한층 더 양호해지고, 경화물의 반도체 소자에 대한 접착성이 한층 더 양호해지며, 보호 필름에 대한 부착을 한층 더 억제할 수 있다.
((B) 경화제 또는 경화 촉매)
(B) 경화제 또는 경화 촉매로서, (B1) 경화제를 사용해도 되고, (B2) 경화 촉매를 사용해도 된다. (A1) 에폭시 화합물을 사용하는 경우에는, (B1) 경화제가 바람직하다. (A2) 실리콘 화합물을 사용하는 경우에는, (B2) 경화 촉매가 바람직하다.
(B1) 경화제는, 23℃에서 액상이어도 되고, 고형이어도 된다. 반도체 소자 보호용 재료의 도포성을 한층 더 높이는 관점에서는, (B1) 경화제는, 23℃에서 액상인 경화제인 것이 바람직하다. 또한, 23℃에서 액상인 경화제의 사용에 의해, 반도체 소자 보호용 재료의 반도체 소자의 표면에 대한 습윤성이 높아진다. (B1) 경화제는, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. (B2) 경화 촉매는, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.
(B1) 경화제로서는, 아민 화합물(아민 경화제), 이미다졸 화합물(이미다졸 경화제), 페놀 화합물(페놀 경화제) 및 산 무수물(산 무수물 경화제) 등을 들 수 있다. (B1) 경화제는 이미다졸 화합물이 아니어도 된다.
경화물 중에서의 보이드의 발생을 한층 더 억제하고, 경화물의 내열성을 한층 더 높이는 관점에서는, (B1) 경화제는, 페놀 화합물인 것이 바람직하다.
반도체 소자 보호용 재료의 도포성을 한층 더 높이고, 경화물 중에서의 보이드의 발생을 한층 더 억제하고, 경화물의 내열성을 한층 더 높이는 관점에서는, (B1) 경화제는, 알릴기를 갖는 것이 바람직하고, 상기 페놀 화합물이 알릴기를 갖는 것이 바람직하다.
상기 페놀 화합물로서는, 페놀노볼락, o-크레졸노볼락, p-크레졸노볼락, t-부틸페놀노볼락, 디시클로펜타디엔 크레졸, 폴리파라비닐페놀, 비스페놀 A형 노볼락, 크실릴렌 변성 노볼락, 데칼린 변성 노볼락, 폴리(디-o-히드록시페닐)메탄, 폴리(디-m-히드록시페닐)메탄 및 폴리(디-p-히드록시페닐)메탄 등을 들 수 있다.
(B1) 경화제를 사용하는 경우에, (A) 열경화성 화합물 100중량부에 대하여, (B1) 경화제의 함유량은, 바람직하게는 50중량부 이상, 보다 바람직하게는 75중량부 이상, 더욱 바람직하게는 100중량부 이상이며, 바람직하게는 250중량부 이하, 보다 바람직하게는 225중량부 이하, 더욱 바람직하게는 200중량부 이하이다. (B1) 경화제의 함유량이 상기 하한 이상이면, 반도체 소자 보호용 재료를 양호하게 경화시킬 수 있다. (B1) 경화제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화물 내에 있어서 경화에 기여하지 않은 (B1) 경화제의 잔존량이 적어진다.
(B2) 경화 촉매로서는, 히드로실릴화 반응용 촉매 및 축합 촉매 등의 금속 촉매 등을 들 수 있다.
상기 경화 촉매로서는, 예를 들어 주석계 촉매, 백금계 촉매, 로듐계 촉매 및 팔라듐계 촉매 등을 들 수 있다. 투명성을 높게 할 수 있기 때문에, 백금계 촉매가 바람직하다.
상기 히드로실릴화 반응용 촉매는, 실리콘 화합물 중의 규소 원자에 결합된 수소 원자와, 실리콘 화합물 중의 알케닐기를 히드로실릴화 반응시키는 촉매이다. 상기 히드로실릴화 반응용 촉매는, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.
상기 백금계 촉매로서는, 백금 분말, 염화백금산, 백금-알케닐 실록산 착체, 백금-올레핀 착체 및 백금-카르보닐 착체를 들 수 있다. 특히, 백금-알케닐 실록산 착체 또는 백금-올레핀 착체가 바람직하다.
상기 백금-알케닐 실록산 착체에 있어서의 알케닐 실록산으로서는, 예를 들어 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 및 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산 등을 들 수 있다. 상기 백금-올레핀 착체에 있어서의 올레핀으로서는, 예를 들어 알릴에테르 및 1,6-헵타디엔 등을 들 수 있다.
상기 백금-알케닐 실록산 착체 및 백금-올레핀 착체의 안정성을 향상시킬 수 있기 때문에, 상기 백금-알케닐 실록산 착체 또는 백금-올레핀 착체에, 알케닐 실록산, 오르가노실록산 올리고머, 알릴에테르 또는 올레핀을 첨가하는 것이 바람직하다. 상기 알케닐 실록산은, 바람직하게는 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산이다. 상기 오르가노실록산 올리고머는, 바람직하게는 디메틸실록산 올리고머이다. 상기 올레핀은, 바람직하게는 1,6-헵타디엔이다.
(B2) 경화 촉매를 사용하는 경우에, (A) 열경화성 화합물 100중량부에 대하여, (B2) 경화 촉매의 함유량은, 바람직하게는 0.001중량부 이상, 보다 바람직하게는 0.01중량부 이상, 더욱 바람직하게는 0.05중량부 이상이며, 바람직하게는 2 중량부 이하, 보다 바람직하게는 1 중량부 이하, 더욱 바람직하게는 0.5 중량부 이하이다. (B2) 경화 촉매의 함유량이 상기 하한 이상이면, 반도체 소자 보호용 재료를 양호하게 경화시킬 수 있다. (B2) 경화 촉매의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화물 내에 있어서 경화에 기여하지 않은 (B2) 경화 촉매의 잔존량이 적어진다.
((C) 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러)
(C) 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 사용함으로써, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성을 높게 유지하면서, 또한 경화물의 유연성을 높게 유지하면서, 경화물의 방열성을 높일 수 있다. (C) 무기 필러는, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.
경화물의 방열성을 한층 더 높이는 관점에서는, (C) 무기 필러의 열전도율은, 바람직하게는 10W/m·K 이상, 보다 바람직하게는 15W/m·K 이상, 더욱 바람직하게는 20W/m·K 이상이다. (C) 무기 필러의 열전도율의 상한은 특별히 한정되지 않는다. 열전도율이 300W/m·K 정도인 무기 필러는 널리 알려져 있고, 또한 열전도율이 200W/m·K 정도인 무기 필러는 용이하게 입수할 수 있다.
경화물의 방열성을 효과적으로 높이는 관점에서는, (C) 무기 필러는, 알루미나, 질화알루미늄 또는 탄화규소인 것이 바람직하다. 이들 바람직한 무기 필러를 사용하는 경우에, 이들 무기 필러는, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다. (C) 무기 필러로서, 상기 이외의 무기 필러를 적절히 사용해도 된다.
반도체 소자 보호용 재료의 도포성을 효과적으로 높게 유지하면서, 또한 경화물의 유연성을 효과적으로 높게 유지하면서, 경화물의 방열성을 효과적으로 높이는 관점에서는, (C) 무기 필러는, 열전도율이 10W/m·K 이상이고, 또한 구상인 무기 필러인 것이 바람직하다. 구상이란, 애스펙트비(긴 직경/짧은 직경)가 1 이상 2 이하인 것을 말한다.
(C) 무기 필러의 평균 입자 직경은, 바람직하게는 0.1㎛ 이상이며, 바람직하게는 150㎛ 이하이다. (C) 무기 필러의 평균 입자 직경이 상기 하한 이상이면, (C) 무기 필러를 고밀도로 용이하게 충전할 수 있다. (C) 무기 필러의 평균 입자 직경이 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성이 한층 더 높아진다.
상기 「평균 입자 직경」이란, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치에 의해 측정한 체적 평균에서의 입도 분포 측정 결과로부터 구해지는 평균 입자 직경이다.
상기 경화물 100중량％ 중, 및 상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (C) 무기 필러의 함유량은 바람직하게는 60중량％ 이상 92중량％ 이하이다. 상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (C) 무기 필러의 함유량은 보다 바람직하게는 70중량％ 이상, 더욱 바람직하게는 80중량％ 이상, 특히 바람직하게는 82중량％ 이상이며, 보다 바람직하게는 90중량％ 이하이다. (C) 무기 필러의 함유량이 상기 하한 이상이면, 경화물의 방열성이 한층 더 높아진다. (C) 무기 필러의 함유량이 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성이 한층 더 높아지고, 경화물의 성상이 한층 더 양호해진다.
((D) 경화 촉진제)
(D) 경화 촉진제의 사용에 의해, 경화 속도를 빠르게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 효율적으로 경화시킬 수 있다. (D) 경화 촉진제는 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.
(D) 경화 촉진제로서는, 이미다졸 화합물, 인 화합물, 아민 화합물 및 유기 금속 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 본 발명의 효과가 한층 더 우수한 점에서, 이미다졸 화합물이 바람직하다.
상기 이미다졸 화합물로서는, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-메틸이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸 및 2-페닐-4-메틸-5-디히드록시메틸이미다졸 등을 들 수 있다. 또한, 공지된 이미다졸계 잠재성 경화제를 사용할 수 있다. 구체예로서는, PN23, PN40, PN-H(상품명, 모두 아지노모또 파인테크노사제)를 들 수 있다. 또한, 마이크로캡슐화 이미다졸이라고도 불리는, 아민 화합물의 에폭시 어덕트의 수산기에 부가 반응시킨 경화 촉진제를 들 수 있고, 예를 들어 노바큐어 HX-3088, 노바큐어 HX-3941, HX-3742, HX-3722(상품명, 모두 아사히 가세이 이-매터리얼즈사제) 등을 들 수 있다. 또한, 포섭 이미다졸을 사용할 수도 있다. 구체예로서는, TIC-188(상품명, 닛본 소다사제)을 들 수 있다.
상기 인 화합물로서는, 트리페닐포스핀 등을 들 수 있다.
상기 아민 화합물로서는, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 디에틸아민, 트리에틸아민, 디에틸렌테트라민, 트리에틸렌테트라민 및 4,4-디메틸아미노피리딘 등을 들 수 있다.
상기 유기 금속 화합물로서는, 나프텐산아연, 나프텐산코발트, 옥틸산주석, 옥틸산코발트, 비스아세틸아세토나토코발트(II) 및 트리스아세틸아세토나토코발트(III) 등을 들 수 있다.
(A) 열경화성 화합물의 합계 100중량부에 대하여, (D) 경화 촉진제의 함유량은, 바람직하게는 0.1중량부 이상, 보다 바람직하게는 0.5중량부 이상이며, 바람직하게는 10중량부 이하, 보다 바람직하게는 8 중량부 이하이다. (D) 경화 촉진제의 함유량이 상기 하한 이상이면, 반도체 소자 보호용 재료를 양호하게 경화시킬 수 있다. (D) 경화 촉진제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 경화물 내에 있어서 경화에 기여하지 않은 (D) 경화 촉진제의 잔존량이 적어진다.
((E) 커플링제)
상기 반도체 소자 보호용 재료는, (E) 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다. (E) 커플링제의 사용에 의해, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 내습성이 한층 더 높아진다. (E) 커플링제는, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.
상기 경화물 100중량％ 중, 및 상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (E) 커플링제의 함유량은 바람직하게는 0.1중량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.2중량％ 이상이며, 바람직하게는 2중량％ 이하, 보다 바람직하게는 1중량％ 이하이다. (E) 커플링제의 함유량이 상기 하한 이상이면, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 내습성이 한층 더 높아진다. (E) 커플링제의 함유량이 상기 상한 이하이면, 반도체 소자 보호용 재료의 도포성이 한층 더 높아진다.
상기 (E) 커플링제는, 100℃에서의 중량 감소가 10중량％ 이하인 실란 커플링제, 100℃에서의 중량 감소가 10중량％ 이하인 티타네이트 커플링제, 또는 100℃에서의 중량 감소가 10중량％ 이하인 알루미네이트 커플링제를 포함하는 것이 바람직하다. 이들 바람직한 커플링제를 사용하는 경우에, 이들 커플링제는, 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.
100℃에서의 중량 감소가 10중량％ 이하이면, 경화 중에 (E) 커플링제의 휘발이 억제되어, 반도체 소자에 대한 습윤성이 한층 더 높아지고, 경화물의 방열성이 한층 더 높아진다.
또한, 100℃에서의 중량 감소는, 적외 수분계(게쯔토 가가꾸 겡뀨쇼사제 「FD-720」)를 사용하여, 50℃/분의 승온 속도로 100℃까지 승온시키고, 10분 후의 중량 감소를 측정함으로써 구할 수 있다.
((F) 이온 포착제)
경화물의 절연 신뢰성을 효과적으로 높이는 관점에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료는, (F) 이온 포착제를 포함하는 것이 바람직하다. (F) 이온 포착제는 1종만 사용되어도 되고, 2종 이상이 병용되어도 된다.
(F) 이온 포착제는 특별히 한정되지 않는다. 해당 (F) 이온 포착제로서, 종래 공지된 이온 포착제가 사용 가능하다.
(F) 이온 포착제의 구체예로서는, 구리가 이온화되어 녹기 시작하는 것을 방지하기 위해 동해(銅害) 방지제로서 알려진 화합물을 들 수 있고, 예를 들어 트리아진티올 화합물, 비스페놀계 환원제 등을 사용할 수 있다. 비스페놀계 환원제로서는, 2,2'-메틸렌-비스-(4-메틸-6-제3 부틸페놀) 및 4,4'-티오-비스-(3-메틸-6-제3 부틸페놀) 등을 들 수 있다. 또한, (F) 이온 포착제의 구체예로서는, 무기 음이온 교환체, 무기 양이온 교환체 및 무기 양쪽 이온 교환체 등도 들 수 있고, 구체적으로는, 일반식 BiOX(OH)Y(NO3)Z[여기서, X는 0.9 내지 1.1, Y는 0.6 내지 0.8, Z는 0.2 내지 0.4의 양수임]로 표시되는 산화비스무트계 이온 포착제, 산화안티몬계 이온 포착제, 인산티타늄계 이온 포착제, 인산지르코늄계 이온 포착제, 및 일반식 MgXAlY(OH)2X+3Y-2Z(CO3)Z·mH2O[여기서, X, Y, Z는 2X+3Y-2Z≥0을 만족시키는 양수, m은 양수임]로 표시되는 히드로탈사이트계 이온 포착제 등을 들 수 있다. 이들 이온 포착제의 시판품으로서는, 예를 들어 IXE-100(도아 고세이사제, 인산지르코늄계 이온 포착제), IXE-300(도아 고세이사제, 산화안티몬계 이온 포착제), IXE-400(도아 고세이사제, 인산티타늄계 이온 포착제), IXE-500(도아 고세이사제, 산화비스무트계 이온 포착제), IXE-600(도아 고세이사제, 산화안티몬·산화비스무트계 이온 포착제), DHT-4A(히드로탈사이트계 이온 포착제, 교와 가가꾸 고교사제) 및 쿄와드 KW-2000(히드로탈사이트계 이온 포착제, 교와 가가꾸 고교사제) 등을 들 수 있다. 경화물의 전기 신뢰성을 한층 더 낮추는 관점에서는, (F) 이온 포착제는, 무기 양이온 교환체 또는 무기 양쪽 이온 교환체인 것이 바람직하다.
마이그레이션을 한층 더 억제하고, 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 양이온 교환체는, Zr계 양이온 교환체 또는 Sb계 양이온 교환체인 것이 바람직하고, Zr계 양이온 교환체인 것이 보다 바람직하고, 또한 상기 양이온 교환체는, 지르코늄 원자를 포함하는 것이 바람직하다.
마이그레이션을 한층 더 억제하고, 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 음이온 교환체는, Bi계 음이온 교환체, Mg-Al계 음이온 교환체 또는 Zr계 음이온 교환체인 것이 바람직하고, Mg-Al계 음이온 교환체인 것이 보다 바람직하고, 또한 상기 음이온 교환체는, 마그네슘 원자와 알루미늄 원자를 포함하는 것이 바람직하다.
마이그레이션을 한층 더 억제하고, 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 양이온 교환체의 중성 교환 용량은, 바람직하게는 1meq/g 이상, 보다 바람직하게는 2meq/g 이상이며, 바람직하게는 10meq/g 이하, 보다 바람직하게는 4meq/g 이하이다.
마이그레이션을 한층 더 억제하고, 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 음이온 교환체의 중성 교환 용량은, 바람직하게는 0.1meq/g 이상, 보다 바람직하게는 1meq/g 이상이며, 바람직하게는 10meq/g 이하, 보다 바람직하게는 5meq/g 이하이다.
마이그레이션을 한층 더 억제하고, 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 양이온 교환체의 메디안 직경은, 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이상이며, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3㎛ 이하이다.
마이그레이션을 한층 더 억제하고, 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 음이온 교환체의 메디안 직경은, 바람직하게는 0.1㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이상이며, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3㎛ 이하이다.
마이그레이션을 한층 더 억제하고, 절연 신뢰성을 한층 더 높이는 관점에서는, 상기 경화물 100중량％ 중, 및 상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, (F) 이온 포착제의 함유량은, 바람직하게는 0.1중량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.3중량％ 이상이며, 바람직하게는 3중량％ 이하, 보다 바람직하게는 2중량％ 이하이다.
(다른 성분)
상기 반도체 소자 보호용 재료는, 필요에 따라서, 카르나우바 왁스 등의 천연 왁스, 폴리에틸렌 왁스 등의 합성 왁스, 스테아르산이나 스테아르산아연 등의 고급 지방산 및 그의 금속염류 또는 파라핀 등의 이형제; 카본 블랙, 벵갈라 등의 착색제; 브롬화에폭시 수지, 삼산화안티몬, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 붕산아연, 몰리브덴산아연, 포스파젠 등의 난연제; 산화비스무트 수화물 등의 무기 이온 교환체; 실리콘 오일, 실리콘 고무 등의 저응력화 성분; 산화 방지제 등의 각종 첨가제를 포함하고 있어도 된다.
상기 반도체 소자 보호용 재료는, 분산제를 포함하는 것이 바람직하다. 분산제의 구체예로서는, 폴리카르복실산염, 알킬암모늄염, 알킬올암모늄염, 인산에스테르염, 아크릴계 블록 공중합물 및 중합체염 등을 들 수 있다.
상기 경화물 100중량％ 중, 및 상기 반도체 소자 보호용 재료 100중량％ 중, 분산제의 함유량은, 바람직하게는 0.1중량％ 이상, 보다 바람직하게는 0.2중량％ 이상이며, 바람직하게는 2중량％ 이하, 보다 바람직하게는 1중량％ 이하이다.
(반도체 소자 보호용 재료의 기타 상세 및 반도체 장치)
상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포하여 사용된다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자와 다른 접속 대상 부재 사이에 배치되어, 상기 반도체 소자와 상기 다른 접속 대상 부재가 박리되지 않도록 접착 및 고정시키는 경화물을 형성하는 것과는 상이하다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자의 표면을 피복하는 피복 재료인 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자의 측면 상에 도포되지 않는 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 상기 반도체 소자를 밀봉하기 위한 재료와는 상이한 것이 바람직하고, 상기 반도체 소자를 밀봉하기 위한 밀봉제가 아닌 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 언더필재가 아닌 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자가, 제2 표면측에 제1 전극을 갖고, 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 상기 반도체 소자의 상기 제2 표면측과는 반대의 제1 표면 상에 도포되어 사용되는 것이 바람직하다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 장치에 있어서, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해 적합하게 사용된다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해 적합하게 사용되고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 상에 보호 필름을 배치하여, 반도체 장치를 얻기 위하여 적합하게 사용된다. 상기 반도체 장치에 있어서, 상기 경화물의 전기 전도도는 50μS/cm 이하인 것이 바람직하다.
상기 반도체 소자 보호용 재료를 도포하는 방법으로서는, 디스펜서에 의한 도포 방법, 스크린 인쇄에 의한 도포 방법, 및 잉크젯 장치에 의한 도포 방법 등을 들 수 있다. 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 디스펜서, 스크린 인쇄, 진공 스크린 인쇄 또는 잉크젯 장치에 의한 도포 방법에 의해 도포되어 사용되는 것이 바람직하다. 도포가 용이하고, 또한 경화물 중에 보이드를 한층 더 발생하기 어렵게 하는 관점에서는, 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 디스펜서에 의해 도포되어 사용되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 반도체 장치는, 반도체 소자와, 상기 반도체 소자의 제1 표면 상에 배치된 경화물을 구비한다. 본 발명에 따른 반도체 장치에서는, 상기 경화물이, 상술한 반도체 소자 보호용 재료를 경화시킴으로써 형성되어 있다.
상기 반도체 소자 보호용 재료는, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 상에 보호 필름을 배치하여, 반도체 장치를 얻기 위해 사용되거나, 또는 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면이 노출되어 있는 반도체 장치를 얻기 위해 사용되는 것이 바람직하다. 본 발명의 효과가 한층 더 유효하게 발휘되는 점에서, 상기 반도체 소자 보호용 재료는, 드라이버 IC 칩의 보호용 재료인 것이 바람직하다.
도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 따른 반도체 소자 보호용 재료를 사용한 반도체 장치를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.
도 1에 나타낸 반도체 장치(1)는, 반도체 소자(2)와, 반도체 소자(2)의 제1 표면(2a) 상에 배치된 경화물(3)을 구비한다. 경화물(3)은, 상술한 반도체 소자 보호용 재료를 경화시킴으로써 형성되어 있다. 경화물(3)은, 반도체 소자(2)의 제1 표면(2a) 상의 일부 영역에 배치되어 있다.
반도체 소자(2)는, 제1 표면(2a) 측과는 반대의 제2 표면(2b)측에, 제1 전극(2A)을 갖는다. 반도체 장치(1)는 접속 대상 부재(4)를 더 구비한다. 접속 대상 부재(4)는 표면(4a)에 제2 전극(4A)을 갖는다. 반도체 소자(2)와 접속 대상 부재(4)는, 다른 경화물(5)(접속부)을 개재하여 접착 및 고정되어 있다. 반도체 소자(2)는 접속 대상 부재(4) 상에 실장되어 있다. 반도체 소자(2)의 제1 전극(2A)과, 접속 대상 부재(4)의 제2 전극(4A)이 대향하고 있으며, 도전성 입자(6)에 의해 전기적으로 접속되어 있다. 제1 전극(2A)과 제2 전극(4A)이 접촉됨으로써, 전기적으로 접속되어 있어도 된다. 경화물(3)은, 반도체 소자(2)의 제1 전극(2A)이 배치되어 있는 측과 반대의 제1 표면(2a) 상에 배치되어 있다. 경화물(3)은, 반도체 소자(2)의 접속 대상 부재(4)측과 반대의 제1 표면(2a) 상에 배치되어 있다.
경화물(3)의 반도체 소자(2)측과는 반대의 표면 상에, 보호 필름(7)이 배치되어 있다. 그에 의해, 경화물(3)에 의해 방열성 및 반도체 소자의 보호성을 높일 뿐만 아니라, 보호 필름(7)에 의해서도, 반도체 소자의 보호성을 한층 더 높일 수 있다. 경화물(3)은, 상술한 조성을 가지고 얻어지기 때문에, 경화물(3)의 보호 필름(7)에 대한 부착을 억제할 수 있다.
상기 접속 대상 부재로서는, 유리 기판, 유리 에폭시 기판 및 플렉시블 프린트 기판 등을 들 수 있다. 상기 플렉시블 프린트 기판으로서는, 폴리이미드 기판 등의 수지 기판 등을 들 수 있다. 본 발명의 효과가 한층 더 유효하게 발휘되는 점에서, 상기 접속 대상 부재는, 기판인 것이 바람직하고, 플렉시블 프린트 기판인 것이 바람직하고, 수지 기판인 것이 바람직하고, 폴리이미드 기판인 것이 보다 바람직하다.
반도체 소자의 표면 상에 있어서, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 두께는, 바람직하게는 400㎛ 이상, 보다 바람직하게는 500㎛ 이상이며, 바람직하게는 2000㎛ 이하, 보다 바람직하게는 1900㎛ 이하이다. 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 두께는, 반도체 소자의 두께보다 얇아도 된다.
도 2는, 본 발명의 제2 실시 형태에 따른 반도체 소자 보호용 재료를 사용한 반도체 장치를 나타내는 부분 절결 정면 단면도이다.
도 2에 나타낸 반도체 장치(1X)는, 반도체 소자(2)와, 반도체 소자(2)의 제1 표면(2a) 상에 배치된 경화물(3X)을 구비한다. 경화물(3X)은, 상술한 반도체 소자 보호용 재료를 경화시킴으로써 형성되어 있다. 경화물(3X)은, 반도체 소자(2)의 제1 표면(2a) 상의 전체 영역에 배치되어 있다. 경화물(3X)의 반도체 소자(2)측과는 반대의 표면 상에, 보호 필름은 배치되어 있지 않다. 경화물(3X)의 반도체 소자(2)측과는 반대의 표면은 노출되어 있다.
상기 반도체 장치에서는, 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 상에 보호 필름이 배치되어 있거나, 또는 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면이 노출되어 있는 것이 바람직하다.
또한, 도 1, 2에 나타낸 구조는, 반도체 장치의 일례에 지나지 않고, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 배치 구조 등은 적절히 변형될 수 있다.
반도체 소자 보호용 재료의 경화물의 열전도율은 특별히 한정되지 않지만, 1.1W/m·K를 초과하는 것이 바람직하고, 1.5W/m·K 이상인 것이 보다 바람직하고, 1.8W/m·K 이상인 것이 더욱 바람직한다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예 및 비교예를 들어, 본 발명을 명백하게 한다. 또한, 본 발명은, 이하의 실시예로 한정되지 않는다.
이하의 재료를 사용하였다.
(A1) 에폭시 화합물
EX-821(n=4)((A11) 가요성 에폭시 화합물, 나가세 켐텍스사제, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 에폭시 당량: 185)
EX-830(n=9)((A11) 가요성 에폭시 화합물, 나가세 켐텍스사제, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 에폭시 당량: 268)
EX-931(n=11)((A11) 가요성 에폭시 화합물, 나가세 켐텍스사제, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 에폭시 당량: 471)
EX-861(n=22)((A11) 가요성 에폭시 화합물, 나가세 켐텍스사제, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 에폭시 당량: 551)
PB3600(다이셀사제, 폴리부타디엔 변성 에폭시 수지, 에폭시 당량: 200)
jER828((A12) 에폭시 화합물, 미쯔비시 가가꾸사제, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 에폭시 당량: 188)
jER834((A12) 에폭시 화합물, 미쯔비시 가가꾸사제, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 연화점: 30℃, 에폭시 당량: 255)
(A2) 실리콘 화합물
[실리콘 화합물인 중합체 A의 합성]
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000mL의 세퍼러블 플라스크에, 디메틸디메톡시실란 164.1g, 메틸페닐디메톡시실란 20.1g 및 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 4.7g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 안에, 수산화칼륨 2.2g을 물 35.1g에 녹인 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하여, 반응시켜, 반응액을 얻었다. 이어서, 감압하여 휘발 성분을 제거하고, 반응액에 아세트산 2.4g을 첨가하고, 감압 하에서 가열하였다. 그 후, 아세트산칼륨을 여과에 의해 제거하여, 중합체 A를 얻었다.
얻어진 중합체 A의 수 평균 분자량은 15000이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 A는, 하기 평균 조성식을 갖고 있었다.
(Me2SiO2/2)0.85(PhMeSiO2/2)0.10(ViMe2SiO1/2)0.05
상기 식 중, Me는 메틸기, Vi는 비닐기, Ph는 페닐기를 나타낸다. 얻어진 중합체 A의 페닐기 및 메틸기의 함유 비율은 97.6몰％, 비닐기의 함유 비율은 2.4몰％였다.
또한, 각 중합체의 분자량은, 10mg에 테트라히드로푸란 1mL를 첨가하여, 용해될 때까지 교반하고, GPC 측정에 의해 측정하였다. GPC 측정에서는, Waters사제의 측정 장치(칼럼: 쇼와 덴코사제 Shodex GPC LF-804(길이 300mm)×2개, 측정 온도: 40℃, 유속: 1mL/min, 용매: 테트라히드로푸란, 표준 물질: 폴리스티렌)를 사용하였다.
[실리콘 화합물인 중합체 B 내지 D의 합성]
합성에 사용되는 유기 규소 화합물의 종류 및 배합량을 바꾼 것 이외에는 중합체 A의 합성과 동일하게 하여, 중합체 B 내지 D를 얻었다.
중합체 B:
(SiO4/2)0.20(ViMe2SiO1/2)0.40(Me3SiO1/2)0.40
수 평균 분자량 2000
페닐기 및 메틸기의 함유 비율은 83.3몰％, 비닐기의 함유 비율은 16.7몰％
중합체 C:
(MeSiO3/2)0.20(PhMeSiO2/2)0.70(ViMe2SiO1/2)0.10
수 평균 분자량 4000
페닐기 및 메틸기의 함유 비율은 94.7몰％, 비닐기의 함유 비율은 5.3몰％
중합체 D:
(PhSiO3/2)0.80(ViMe2SiO1/2)0.20
수 평균 분자량 1700
페닐기 및 메틸기의 함유 비율은 85.7몰％, 비닐기의 함유 비율은 14.3몰％
[실리콘 화합물인 중합체 E의 합성]
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000mL의 세퍼러블 플라스크에, 디페닐디메톡시실란 80.6g 및 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 45g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 안에, 아세트산 100g과 물 27g의 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하여, 반응시켜, 반응액을 얻었다. 이어서, 감압하여 휘발 성분을 제거하여 중합체를 얻었다. 얻어진 중합체에 헥산 150g과 아세트산에틸 150g을 첨가하고, 이온 교환수 300g으로 10회 세정을 행하고, 감압하여 휘발 성분을 제거하여 중합체 E를 얻었다.
얻어진 중합체 E의 수 평균 분자량은 850이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 E는, 하기 평균 조성식을 갖고 있었다.
(Ph2SiO2/2)0.67(HMe2SiO1/2)0.33
상기 식 중, Me는 메틸기, Ph는 페닐기를 나타낸다. 얻어진 중합체 E의 페닐기 및 메틸기의 함유 비율은 74.9몰％, 규소 원자에 결합된 수소 원자의 함유 비율은 25.1％였다.
[실리콘 화합물인 중합체 F의 합성]
중합체 E의 합성에 있어서, 이온 교환수로의 세정을 1회로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여, 중합체 F를 얻었다.
[실리콘 화합물인 중합체 G의 합성]
온도계, 적하 장치 및 교반기를 구비한 1000mL의 세퍼러블 플라스크에, 디메틸디메톡시실란 80.6g 및 1,1,3,3-테트라메틸디실록산 45g을 넣고, 50℃에서 교반하였다. 그 안에, 아세트산 100g과 물 27g의 용액을 천천히 적하하고, 적하 후에 50℃에서 6시간 교반하여, 반응시켜, 반응액을 얻었다. 이어서, 얻어진 반응액에 헥산 150g과 아세트산에틸 150g을 첨가하고, 이온 교환수 300g으로 10회 세정을 행하고, 분액으로 용제 성분을 제거하여 중합체 G를 얻었다.
얻어진 중합체 G의 수 평균 분자량은 350이었다. 29Si-NMR로부터 화학 구조를 동정한 결과, 중합체 G는, 하기 평균 조성식을 갖고 있었다.
(Me2SiO2/2)0.50(HMe2SiO1/2)0.50
상기 식 중, Me는 메틸기를 나타낸다. 얻어진 중합체 G의 페닐기 및 메틸기의 함유 비율은 80몰％, 규소 원자에 결합된 수소 원자의 함유 비율은 20％였다.
(B) 경화제 또는 경화 촉매
후지큐어 7000(후지 가세이사제, 23℃에서 액상, 아민 화합물)
MEH-8005(메이와 가세이사제, 23℃에서 액상, 알릴페놀노볼락 화합물)
TD-2131(DIC사제, 23℃에서 고체 상태, 페놀노볼락 화합물)
백금의 1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산 착체
(D) 경화 촉진제
SA-102(산아프로사제, DBU 옥틸산염)
(C) 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러
FAN-f05(후루카와 덴시제, 질화알루미늄, 열전도율: 100W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 6㎛)
FAN-f50(후루카와 덴시제, 질화알루미늄, 열전도율: 100W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 30㎛)
CB-P05(쇼와 덴코사제, 산화알루미늄, 열전도율: 20W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 4㎛)
CB-P40(쇼와 덴코사제, 산화알루미늄, 열전도율: 20W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 44㎛)
SSC-A15(시나노 덴끼 세이렌제, 탄화규소, 열전도율: 100W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 19㎛)
SSC-A30(시나노 덴끼 세이렌제, 탄화규소, 열전도율: 100W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 34㎛)
(C') 그 밖의 무기 필러
HS-306(마이크론사제, 산화규소, 열전도율: 2W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 2.5㎛)
HS-304(마이크론사제, 산화규소, 열전도율: 2W/m·K, 구상, 평균 입자 직경: 25㎛)
(E) 커플링제
KBM-403(신에쯔 가가꾸 고교사제, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 100℃에서의 중량 감소: 10중량％를 초과함)
A-LINK599(모멘티브(momentive)사제, 3-옥타노일티오-1-프로필트리에톡시실란, 100℃에서의 중량 감소: 10중량％ 이하)
TOG(IPA 커트)(닛본 소다사제, 티타늄-i-프로폭시옥틸렌글리콜레이트, 100℃에서의 중량 감소: 10중량％ 이하)
AL-M(아지노모또 파인테크노사제, 아세트알콕시알루미늄디이소프로필레이트, 100℃에서의 중량 감소: 10중량％ 이하)
(다른 성분)
BYK-9076(BYK사제, 분산제)
(F) 이온 포착제
IXE-300(도아 고세이사제, 산화안티몬계 이온 포착제)
IXE-600(도아 고세이사제, 산화안티몬·산화비스무트계 이온 포착제)
DHT-4A(교와 가가꾸 고교사제, 히드로탈사이트계 이온 포착제)
(실시예 1)
EX-821(n=4)을 6.5중량부, jER828을 2.5중량부, 후지큐어 7000을 5중량부, SA-102를 0.5중량부, CB-P05를 42.5중량부, CB-P40을 42.5중량부, 및 BYK-9076을 0.5중량부 혼합하고, 탈포를 행하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.
(실시예 2 내지 22 및 비교예 1, 2)
배합 성분의 종류 및 배합량을 하기 표 1 내지 4에 나타낸 바와 같이 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.
(평가)
(1) 25℃에 있어서의 점도의 측정
B형 점도계(도끼 산교사제 「TVB-10형」)를 사용하여 반도체 소자 보호용 재료의 25℃에 있어서의 10rpm에서의 점도(Pa·s)를 측정하였다.
(2) (X) 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물의 함유량
얻어진 반도체 소자 보호용 재료에 있어서, 가스 크로마토그래프 질량 분석 장치(GC-MS)(시마즈 세이사쿠쇼사제 「QP2010SE」)를 사용하여, (X) 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물의 함유량을 평가하였다.
(3) (Y) 물의 함유량
얻어진 반도체 소자 보호용 재료에 있어서, JIS K7215에 준거하여, 칼 피셔 수분계(교토 덴시 고교사제 「MKV-710B」)를 사용해서 (Y) 물의 함유량을 평가하였다.
(4) 전기 전도도
반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 경화시켜 경화물을 얻었다. 얻어진 경화물을 한 변이 5mm 정도인 정사각형으로 분쇄하고, 분쇄물 2.5g에 이온 교환수 25mL를 첨가하여, PCT(121℃±2℃/습도 100％/2atm의 조)에서 20Hr 두었다. 그 후, 실온까지 냉각시켜 얻은 추출액을 시험액으로서 얻었다. 이 시험액의 전기 전도도를 전도도계(도아 덴파 고교사제의 전기 전도율계 「CM-42X」)를 사용하여 측정하였다.
(5) 열전도율
얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하여, 경화시켜, 100mm×100mm×두께 50㎛의 경화물을 얻었다. 이 경화물을 평가 샘플로 하였다.
얻어진 평가 샘플의 열전도율을, 교토 덴시 고교사제 열전도율계 「신속 열전도율계 QTM-500」을 사용하여 측정하였다. 또한, 열전도율이 1.1W/m·K 이하인 경우에, 열전도율을 「×」라고 판정하였다.
(6) 도포성
얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 디스펜서 장치(무사시 엔지니어링사제 「SHOTMASTER-300」)로부터, 폴리이미드 필름에 직경 5mm, 높이 2mm가 되도록 직접 토출한 후, 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하여 경화시켰다. 경화 후의 반도체 소자 보호용 재료의 형상으로부터 도포성을 하기 기준으로 판정하였다.
[도포성의 판정 기준]
○: 직경 5.3mm 이상, 높이 1.8mm 미만(유동성 있음)
△: 직경 5mm를 초과하고, 5.3mm 미만, 높이 1.8mm를 초과하고, 2mm 미만(유동성 조금 있음)
×: 직경 5mm, 높이 2mm 그대로(유동성 없음)
(7) 보이드의 유무
폴리이미드 필름에 언더필제(나믹스사제, U8437-2)를 폭 3mm, 길이 18mm가 되도록 도포하고, 폭 3mm, 길이 18mm, 두께 0.3mm의 Si 칩을 싣고, 150℃에서 1시간 경화시킨 시험편을 준비하였다. 준비한 시험편에, 얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 디스펜서 장치(무사시 엔지니어링사제 「SHOTMASTER-300」)로부터, Si 칩을 모두 덮도록, 폭 5mm, 길이 21mm, 두께 0.9mm가 되도록 직접 토출한 후, 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하여 경화시켰다. 경화 후의 반도체 소자 보호용 재료에 있어서의 보이드의 유무를 현미경으로 관찰하여 평가하였다.
[보이드 유무의 판정 기준]
○: 보이드 없음
△: 직경 100㎛ 미만의 눈으로 확인 불가능한 보이드가 있음
△△: 직경 100㎛ 이상 150㎛ 미만의 눈으로 확인 가능한 보이드가 있음
×: 직경 150㎛ 이상의 눈으로 확인 가능한 보이드가 있음
(8) 내습성
얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하여, 경화시켜, 100mm×100mm×두께 50㎛의 경화물을 얻었다. 이 경화물을 평가 샘플로 하였다.
얻어진 평가 샘플을 DSM-8104(히오키 덴끼사제, 디지털 초절연/미소 전류계), 평판 시료용 전극 SME-8310(히오키 덴끼사제)을 사용하여 체적 저항률을 측정하였다.
이어서, 프레셔 쿠커 시험을 고도 가속 수명 시험 장치 EHS-211(에스펙사제)에서 행하였다. 121℃, 습도 100％RH 및 2atm의 조건에서 24시간 방치하고, 다음으로 23℃ 및 습도 50％RH의 환경에서 24시간 방치한 후, 체적 저항률을 측정하였다. 프레셔 쿠커 시험 전후의 체적 저항률의 저하율을 계산하고, 내습성을 하기 기준으로 판정하였다.
[내습성의 판정 기준]
○: 시험 전후의 체적 저항률의 저하율이 10％ 이하
△: 시험 전후의 체적 저항률의 저하율이 10％를 초과하고, 20％ 이하
×: 시험 전후의 체적 저항률의 저하율이 20％를 초과한다
(9) 접착력(다이 전단 강도)
폴리이미드 기판 상에, 접착 면적이 3mm×3mm가 되도록 반도체 소자 보호용 재료를 도포하고, 한 변이 3mm인 정사각형의 Si 칩을 적재하여, 테스트 샘플을 얻었다.
얻어진 테스트 샘플을 150℃에서 2시간 가열하여, 반도체 소자 보호용 재료를 경화시켰다. 이어서, 다이 전단 시험기(아크텍사제 「DAGE4000」)를 사용하여, 300㎛/초의 속도로, 25℃에서의 다이 전단 강도를 평가하였다.
[다이 전단 강도의 판정 기준]
○: 다이 전단 강도가 10N 이상
△: 다이 전단 강도가 6N 이상 10N 미만
△△: 다이 전단 강도가 5N 이상 6N 미만
×: 다이 전단 강도가 5N 미만
(10) 점착성(보호 필름의 부착성)
얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하여, 경화시켜, 100mm×100mm×두께 50㎛의 경화물을 얻었다. 이 경화물을 평가 샘플로 하였다.
얻어진 평가 샘플을 23℃ 및 습도 50％RH의 분위기 하에서 24시간 방치하였다. 24시간 방치 후 즉시, 평가 샘플의 표면 점착성을, 점착성 시험기 TA-500(UBM사제)를 사용하여 점착성을 측정하였다.
[점착성의 판정 기준]
○: 응력이 50gf/cm2 미만
△: 응력이 50gf/cm2 이상 100gf/cm2 미만
×: 응력이 100gf/cm2 이상
(11) 필름 휨
얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 디스펜서 장치(무사시 엔지니어링사제 「SHOTMASTER-300」)로부터, 폴리이미드 필름에 세로 20mm, 가로 100mm, 높이 10mm가 되도록 직접 토출한 후, 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하여 경화시켰다. 경화 후에 폴리이미드 필름의 휨을 눈으로 확인하고, 필름 휨을 하기 기준으로 판정하였다.
[필름 휨의 판정 기준]
○: 폴리이미드 필름의 휨 없음
△: 폴리이미드 필름의 휨이 조금 발생(사용상 문제 없음)
×: 폴리이미드 필름의 휨 발생(사용상 문제 있음)
(12) 내열성
얻어진 반도체 소자 보호용 재료를 150℃에서 2시간 가열하여, 경화시켜, 100mm×100mm×두께 50㎛의 경화물을 얻었다. 이 경화물을 평가 샘플로 하였다.
얻어진 평가 샘플을 DSM-8104(히오키 덴끼사제, 디지털 초절연/미소 전류계), 평판 시료용 전극 SME-8310(히오키 덴끼사제)을 사용하여 체적 저항률의 측정을 측정하였다.
이어서, 180℃에서 100시간 방치하고, 다음으로 23℃ 및 습도 50％RH의 환경에서 24시간 방치한 후, 체적 저항률을 측정하였다. 내열 시험 전후의 체적 저항률의 저하율을 계산하고, 내열성을 하기 기준으로 판정하였다.
[내열성의 판정 기준]
○○: 시험 전후의 체적 저항률의 저하율이 5％ 이하
○: 시험 전후의 체적 저항률의 저하율이 5％를 초과하고, 10％ 이하
△: 시험 전후의 체적 저항률의 저하율이 10％를 초과하고, 20％ 이하
×: 시험 전후의 체적 저항률의 저하율이 20％를 초과한다
(13) 절연 신뢰성
기판(폴리이미드 필름) 상에 형성된 빗살형 전극(재질: 구리 상에 주석 도금, 패턴 피치: 50㎛, L/S=25㎛/25㎛) 상에, 열경화 솔더 레지스트(닛본 폴리테크사제 「NPR-3300」)를 10㎛의 막 두께로 도포하고 150℃에서 1시간 가열 경화시켜, 테스트 패턴을 준비하였다. 상기 테스트 패턴에 반도체 소자 보호용 재료를 도포하고, 150℃에서 2시간 가열 경화시켜, 시험편을 얻었다. 가열 후의 시험편을 85℃ 및 습도 85％의 조(에스펙사제 「SH641」)에 넣고, 마이그레이션 테스터(IMV사제 「MIG-8600B」)를 사용하여 전극 사이에 40V의 직류 전압을 인가하고, 전극 사이의 저항을 측정하였다. 절연 신뢰성을 이하의 기준으로 판정하였다. ○, △ 또는 △△의 판정 기준인 경우에, 절연 신뢰성은 합격이라고 판단되고, 실사용에 지장이 없는 절연성 유지성이 있으며, 절연 신뢰성이 우수하다.
[절연 신뢰성의 판정 기준]
○: 저항이 1×109Ω 이상으로 100시간 이상 지속되어, 절연성이 매우 양호
△: 저항이 1×108Ω 이상 1×109Ω 미만으로 100시간 이상 지속되어, 절연성이 양호
△△: 100시간 미만에 저항이 1×108Ω 미만으로 저하되지만, 1×108Ω 이상의 저항이 50시간 이상 100시간 미만 지속되어, 절연성이 약간 양호
×: 50시간 미만에 저항이 1×108Ω 미만으로 저하되어, 절연 불량으로 간주된다
(14) 내열 시험 후의 필름 휨
상기 (11) 필름 휨의 평가 후에, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물과 폴리이미드 필름과의 적층체를, 180℃에서 100시간 방치하였다. 방치 후에, 폴리이미드 필름의 휨을 눈으로 확인하고, 내열 시험 후의 필름 휨을 하기 기준으로 판정하였다.
[내열 시험 후의 필름 휨의 판정 기준]
○: 내열 시험 전의 필름의 휨량에 대하여, 내열 시험 후의 필름의 휨량이 1.1배 미만
△: 내열 시험 전의 필름의 휨량에 대하여 내열 시험 후의 필름의 휨량이 1.1배 이상 1.2배 미만
×: 내열 시험 전의 필름의 휨량에 대하여 내열 시험 후의 필름의 휨량이 1.2배 이상
배합 성분의 상세, 조성 및 결과를 하기 표 1 내지 4에 나타낸다.
Figure 112021096222817-pat00001
Figure 112021096222817-pat00002
Figure 112021096222817-pat00003
Figure 112021096222817-pat00004
(실시예 23)
반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, IXE-300(도아 고세이사제, 산화안티몬계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.
(실시예 24)
반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, IXE-600(도아 고세이사제, 산화안티몬·산화비스무트계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.
(실시예 25)
반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, DHT-4A(교와 가가꾸 고교사제, 히드로탈사이트계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.
(실시예 26)
반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, IXE-300(도아 고세이사제, 산화안티몬계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 18과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.
(실시예 27)
반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, IXE-600(도아 고세이사제, 산화안티몬·산화비스무트계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 18과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.
(실시예 28)
반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, DHT-4A(교와 가가꾸 고교사제, 히드로탈사이트계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 18과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.
(실시예 29)
반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, IXE-600(도아 고세이사제, 산화안티몬·산화비스무트계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 19와 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.
(실시예 30)
반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, IXE-600(도아 고세이사제, 산화안티몬·산화비스무트계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 20과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.
(실시예 31)
반도체 소자 보호용 재료의 제조에 있어서, IXE-600(도아 고세이사제, 산화안티몬·산화비스무트계 이온 포착제) 0.5중량부를 더 첨가한 것 이외에는 실시예 21과 동일하게 하여, 반도체 소자 보호용 재료를 얻었다.
(평가)
실시예 23 내지 31에 대해서, 상기 (13) 절연 신뢰성의 평가를 실시하였다.
이 결과, 실시예 23 내지 31의 절연 신뢰성의 결과는 모두, 「○」였다.
또한, 실시예 1 및 실시예 23 내지 25의 절연 신뢰성의 결과는 「○」이지만, 100시간 후의 전압 인가 시의 저항은, 실시예 23 내지 25 쪽이 실시예 1보다 높아, 실시예 23 내지 25 쪽이 실시예 1보다 절연 신뢰성이 우수하였다. 또한, 실시예 20 및 실시예 30의 절연 신뢰성의 결과는 「○」이지만, 100시간 후의 전압 인가 시의 저항은, 실시예 30 쪽이 실시예 20보다 높아, 실시예 30 쪽이 실시예 20보다 절연 신뢰성이 우수하였다. 또한, 실시예 21 및 실시예 31의 절연 신뢰성의 결과는 「○」이지만, 100시간 후의 전압 인가 시의 저항은, 실시예 31 쪽이 실시예 21보다 높아, 실시예 31 쪽이 실시예 21보다 절연 신뢰성이 우수하였다.
또한, 실시예 23 내지 31에 대해서는, 실시예 1 내지 22 및 비교예 1, 2에서 행한 다른 평가 항목에 대해서도, 양호한 결과가 얻어졌다. 또한, (A2) 실리콘 화합물을 사용한 실시예 19 내지 21의 내열 시험 후의 필름 휨의 결과에 있어서의 휨량의 증가 비율은, (A1) 에폭시 화합물을 사용한 실시예 1 내지 17의 내열 시험 후의 필름 휨의 결과에 있어서의 휨량의 증가 비율보다 작았다.
1, 1X: 반도체 장치
2: 반도체 소자
2a: 제1 표면
2b: 제2 표면
2A: 제1 전극
3, 3X: 경화물
4: 접속 대상 부재
4a: 표면
4A: 제2 전극
5: 다른 경화물
6: 도전성 입자
7: 보호 필름

Claims (20)

  1. 반도체 소자와,
    상기 반도체 소자의 제1 표면 상에 배치된 경화물을 구비하고,
    상기 경화물이, 반도체 소자 보호용 재료의 경화물이며,
    상기 반도체 소자 보호용 재료가, 열경화성 화합물과, 경화제 또는 경화 촉매와, 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함하고,
    상기 반도체 소자 보호용 재료가, 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함하고,
    상기 반도체 소자 보호용 재료의 25℃ 및 10rpm에서의 점도는 40Pa·s 이상 140Pa·s 이하이고,
    상기 경화물에 있어서의 상기 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이고,
    상기 경화물의 전기 전도도가 50μS/cm 이하인, 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이 에폭시 화합물 또는 실리콘 화합물을 포함하는, 반도체 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이 실리콘 화합물을 포함하는, 반도체 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화제가 알릴페놀노볼락 화합물인, 반도체 장치.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이 가요성 에폭시 화합물을 포함하는, 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이, 상기 가요성 에폭시 화합물과, 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물을 포함하는, 반도체 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 반도체 소자 보호용 재료에 포함되는 상기 가요성 에폭시 화합물이, 알킬렌글리콜기가 9 이상 반복된 구조 단위를 갖는 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르인, 반도체 장치.
  8. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 접속 대상 부재를 구비하고,
    상기 접속 대상 부재 상에, 상기 반도체 소자가 상기 제1 표면과는 반대의 제2 표면측으로부터 실장되어 있는, 반도체 장치.
  9. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 제2 전극을 표면에 갖는 접속 대상 부재를 구비하고,
    상기 반도체 소자가, 상기 제1 표면측과는 반대의 제2 표면측에 제1 전극을 갖고, 상기 반도체 소자의 제1 전극이, 상기 제2 전극을 표면에 갖는 상기 접속 대상 부재에 있어서의 상기 제2 전극과 전기적으로 접속되어 있는, 반도체 장치.
  10. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 상에 보호 필름이 배치되어 있거나, 또는 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면이 노출되어 있는, 반도체 장치.
  11. 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 도포하여, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하기 위해 사용되는 반도체 소자 보호용 재료이며,
    열경화성 화합물과, 경화제 또는 경화 촉매와, 열전도율이 10W/m·K 이상인 무기 필러를 포함하고,
    삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 포함하지 않거나, 또는 삼량체로부터 십량체까지의 환상 실록산 화합물을 500ppm 이하로 포함하고,
    상기 반도체 소자 보호용 재료의 25℃ 및 10rpm에서의 점도는 40Pa·s 이상 140Pa·s 이하이고,
    상기 무기 필러의 함유량이 60중량％ 이상 92중량％ 이하이고,
    150℃에서 2시간 가열하여 경화물을 얻었을 때에, 상기 경화물의 전기 전도도가 50μS/cm 이하인, 반도체 소자 보호용 재료.
  12. 제11항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이 에폭시 화합물 또는 실리콘 화합물을 포함하는, 반도체 소자 보호용 재료.
  13. 제12항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이 실리콘 화합물을 포함하는, 반도체 소자 보호용 재료.
  14. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경화제가 알릴페놀노볼락 화합물인, 반도체 소자 보호용 재료.
  15. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이 가요성 에폭시 화합물을 포함하는, 반도체 소자 보호용 재료.
  16. 제15항에 있어서, 상기 열경화성 화합물이, 상기 가요성 에폭시 화합물과, 가요성 에폭시 화합물과는 다른 에폭시 화합물을 포함하는, 반도체 소자 보호용 재료.
  17. 제15항에 있어서, 반도체 소자 보호용 재료에 포함되는 상기 가요성 에폭시 화합물이, 알킬렌글리콜기가 9 이상 반복된 구조 단위를 갖는 폴리알킬렌글리콜디글리시딜에테르인, 반도체 소자 보호용 재료.
  18. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 물을 포함하지 않거나, 또는 물을 1000ppm 이하로 포함하는, 반도체 소자 보호용 재료.
  19. 제11항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면 상에 보호 필름을 배치하여, 반도체 장치를 얻기 위해 사용되거나, 또는 반도체 소자를 보호하기 위해서, 상기 반도체 소자의 표면 상에 경화물을 형성하고, 또한 상기 경화물의 상기 반도체 소자측과는 반대의 표면이 노출되어 있는 반도체 장치를 얻기 위해 사용되는, 반도체 소자 보호용 재료.
  20. 삭제
KR1020217026566A 2015-08-17 2016-08-16 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료 KR102460328B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2015-160674 2015-08-17
JP2015160674 2015-08-17
PCT/JP2016/073934 WO2017030126A1 (ja) 2015-08-17 2016-08-16 半導体装置及び半導体素子保護用材料
KR1020217006250A KR102294307B1 (ko) 2015-08-17 2016-08-16 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217006250A Division KR102294307B1 (ko) 2015-08-17 2016-08-16 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210107160A KR20210107160A (ko) 2021-08-31
KR102460328B1 true KR102460328B1 (ko) 2022-10-28

Family

ID=58052215

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177023796A KR101864096B1 (ko) 2015-08-17 2016-08-16 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료
KR1020217026566A KR102460328B1 (ko) 2015-08-17 2016-08-16 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료
KR1020207009101A KR102224210B1 (ko) 2015-08-17 2016-08-16 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료
KR1020187014799A KR102097004B1 (ko) 2015-08-17 2016-08-16 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료
KR1020217006250A KR102294307B1 (ko) 2015-08-17 2016-08-16 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177023796A KR101864096B1 (ko) 2015-08-17 2016-08-16 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020207009101A KR102224210B1 (ko) 2015-08-17 2016-08-16 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료
KR1020187014799A KR102097004B1 (ko) 2015-08-17 2016-08-16 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료
KR1020217006250A KR102294307B1 (ko) 2015-08-17 2016-08-16 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료

Country Status (5)

Country Link
JP (3) JP6275863B2 (ko)
KR (5) KR101864096B1 (ko)
CN (2) CN107735859B (ko)
TW (1) TWI630230B (ko)
WO (1) WO2017030126A1 (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11248091B2 (en) * 2016-09-29 2022-02-15 Dow Toray Co., Ltd. Curable silicone composition, cured product thereof, and optical semiconductor device
TWI828621B (zh) * 2017-03-30 2024-01-11 日商味之素股份有限公司 糊狀樹脂組成物
US11760870B2 (en) * 2018-01-23 2023-09-19 Nagase Chemtex Corporation Resin composition for encapsulation
JP6981914B2 (ja) * 2018-04-09 2021-12-17 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物及びその硬化物
WO2019216388A1 (ja) * 2018-05-10 2019-11-14 積水化学工業株式会社 硬化性組成物、半導体素子保護用材料、及び半導体装置
CN113056519B (zh) * 2018-11-14 2024-02-23 长濑化成株式会社 固化性树脂组合物及固化性片材
JP7247003B2 (ja) * 2019-04-12 2023-03-28 本田技研工業株式会社 放熱性塗料組成物及び放熱性被膜の製造方法
CN114641551A (zh) * 2019-12-24 2022-06-17 富士胶片株式会社 内窥镜用粘接剂及其固化物、以及内窥镜及其制造方法
JP7328184B2 (ja) * 2020-08-06 2023-08-16 信越化学工業株式会社 熱伝導性２液付加硬化型シリコーン組成物及びその製造方法
WO2024005037A1 (ja) * 2022-07-01 2024-01-04 三井化学株式会社 表示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006210612A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2013030637A (ja) 2011-07-29 2013-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状樹脂組成物および半導体装置
JP2015074712A (ja) * 2013-10-08 2015-04-20 ナミックス株式会社 フィルム用樹脂組成物、絶縁フィルムおよび半導体装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2817474B2 (ja) 1991-09-25 1998-10-30 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物及び硬化物
JP3821173B2 (ja) 1996-12-19 2006-09-13 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物
JP4190080B2 (ja) * 1999-03-16 2008-12-03 日東電工株式会社 半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置
JP3847032B2 (ja) * 1999-08-26 2006-11-15 住友ベークライト株式会社 液状封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置
JP3921630B2 (ja) * 2000-04-05 2007-05-30 株式会社日立製作所 エポキシ樹脂複合材料及びそれを用いた装置
WO2005017995A1 (en) * 2003-08-08 2005-02-24 Dow Corning Corporation Process for fabricating electronic components using liquid injection molding
JP2005200533A (ja) 2004-01-15 2005-07-28 Kyocera Chemical Corp 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
JP2006232950A (ja) * 2005-02-23 2006-09-07 Matsushita Electric Works Ltd 封止用液状エポキシ樹脂組成物、半導体装置及びその製造方法
JP2007217469A (ja) 2006-02-14 2007-08-30 Kyocera Chemical Corp 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP4823161B2 (ja) * 2007-07-20 2011-11-24 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 半導体装置
KR101174971B1 (ko) * 2007-09-05 2012-08-17 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 절연 시트 및 적층 구조체
JP2009263601A (ja) * 2008-04-30 2009-11-12 Hitachi Chem Co Ltd 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP5721416B2 (ja) * 2010-12-13 2015-05-20 積水化学工業株式会社 熱伝導性接着剤
JP6134089B2 (ja) * 2011-02-22 2017-05-24 積水化学工業株式会社 絶縁材料及び積層構造体
JP2012199544A (ja) * 2011-03-09 2012-10-18 Sekisui Chem Co Ltd 異方性導電ペースト、接続構造体及び接続構造体の製造方法
JP2013001861A (ja) * 2011-06-20 2013-01-07 Kyocera Chemical Corp 半導体封止用樹脂組成物、その製造方法及び半導体装置
JP2013067673A (ja) * 2011-09-20 2013-04-18 Hitachi Chemical Co Ltd 樹脂ペースト組成物及び半導体装置
JP5913884B2 (ja) * 2011-09-27 2016-04-27 積水化学工業株式会社 絶縁材料及び積層構造体
JP5444315B2 (ja) * 2011-12-07 2014-03-19 積水化学工業株式会社 光半導体装置用ダイボンド材及びそれを用いた光半導体装置
JP2014040538A (ja) 2012-08-23 2014-03-06 Hitachi Chemical Co Ltd ２液タイプのエポキシ樹脂組成物
CN104823276A (zh) * 2013-11-21 2015-08-05 东部Hitek株式会社 覆晶薄膜型半导体封装及其制造方法
WO2016010067A1 (ja) * 2014-07-18 2016-01-21 積水化学工業株式会社 半導体素子保護用材料及び半導体装置
JP5766867B1 (ja) * 2014-11-25 2015-08-19 積水化学工業株式会社 半導体素子保護用材料及び半導体装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006210612A (ja) * 2005-01-27 2006-08-10 Rohm Co Ltd 半導体装置
JP2013030637A (ja) 2011-07-29 2013-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状樹脂組成物および半導体装置
JP2015074712A (ja) * 2013-10-08 2015-04-20 ナミックス株式会社 フィルム用樹脂組成物、絶縁フィルムおよび半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102097004B1 (ko) 2020-04-03
JP2018056595A (ja) 2018-04-05
KR20210027521A (ko) 2021-03-10
KR20200037437A (ko) 2020-04-08
KR102294307B1 (ko) 2021-08-26
JP6905129B2 (ja) 2021-07-21
WO2017030126A1 (ja) 2017-02-23
TWI630230B (zh) 2018-07-21
JP6731906B2 (ja) 2020-07-29
KR20180061405A (ko) 2018-06-07
JP2020170867A (ja) 2020-10-15
KR101864096B1 (ko) 2018-06-01
KR20180013842A (ko) 2018-02-07
CN111900137A (zh) 2020-11-06
CN107735859B (zh) 2020-08-14
JP6275863B2 (ja) 2018-02-07
JPWO2017030126A1 (ja) 2017-08-17
KR102224210B1 (ko) 2021-03-08
CN107735859A (zh) 2018-02-23
TW201723071A (zh) 2017-07-01
KR20210107160A (ko) 2021-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102460328B1 (ko) 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료
KR102313846B1 (ko) 반도체 소자 보호용 재료 및 반도체 장치
JP6093880B2 (ja) 硬化性組成物、硬化性組成物の製造方法及び半導体装置
JP6539150B2 (ja) 半導体素子保護用材料及び半導体装置
JP2017041633A (ja) 半導体装置及び半導体素子保護用材料
JP5766867B1 (ja) 半導体素子保護用材料及び半導体装置
JP2016023219A (ja) 半導体素子保護用の２液混合型の第１，第２の液及び半導体装置
JP6475593B2 (ja) 半導体素子保護用材料及び半導体装置
JP2017039801A (ja) 半導体素子保護用材料及び半導体装置
JP2017039799A (ja) 半導体素子保護用材料及び半導体装置
JP2017039800A (ja) 半導体素子保護用材料及び半導体装置
JP2017039804A (ja) 硬化体及び半導体装置
JP2019123774A (ja) 半導体素子保護用材料及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant