TW201723071A - 半導體裝置及半導體元件保護用材料 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種硬化物之散熱性優異、硬化物之孔隙較少、硬化物之絕緣可靠性優異且可良好地保護半導體元件之半導體裝置。 本發明之半導體裝置具備半導體元件、及配置於上述半導體元件之第1表面上之硬化物，用以獲得上述硬化物之半導體元件保護用材料包含熱硬化性化合物、硬化劑或硬化觸媒、及導熱率為10 W/m・K以上之無機填料，且不含三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，或包含500 ppm以下之三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，上述硬化物中之上述無機填料之含量為60重量%以上、92重量%以下，上述硬化物之導電率為50 μS/cm以下。

Description

半導體裝置及半導體元件保護用材料
本發明係關於一種使用半導體元件保護用材料之半導體裝置。又，本發明係關於一種為了保護半導體元件而塗佈於上述半導體元件之表面上使用之半導體元件保護用材料。
正在推進半導體裝置之高性能化。隨之，使自半導體裝置散發之熱釋放之需求高漲。又，於半導體裝置中，半導體元件之電極例如與表面具有電極之其他連接對象構件中之電極電性連接。 於半導體裝置中，例如於將環氧樹脂組合物配置於半導體元件與其他連接對象構件之間後，使該環氧樹脂組合物硬化，藉此將半導體元件與其他連接對象構件接著及固定。再者，配置於半導體元件與其他連接對象構件之間之上述環氧樹脂組合物之硬化物與用以保護半導體元件之表面之材料不同。 又，於半導體裝置中，為了對半導體元件進行密封，有使用環氧樹脂組合物之情況。 如上述之環氧樹脂組合物例如係揭示於下述專利文獻1～5中。 於下述專利文獻1中揭示有包含環氧樹脂、酚系硬化劑、作為三(2,6-二甲氧基苯基)膦或三(2,4,6-三甲氧基苯基)膦之硬化促進劑、及氧化鋁之環氧樹脂組合物。於專利文獻1之實施例中記載有粉體之環氧樹脂組合物。關於上述環氧樹脂組合物之用途，於專利文獻1中記載有較佳地使用於IC(Integrated Circuit，積體電路)、LSI(Large Scale Integration，大規模積體電路)、電晶體、閘流體、二極體等半導體裝置之密封用、印刷電路板之製造等。 於下述專利文獻2中揭示有包含環氧樹脂、酚系樹脂硬化劑、硬化促進劑、及無機填充劑之密封用環氧樹脂組合物。於專利文獻2之實施例中記載有粉體之密封用環氧樹脂組合物。關於上述環氧樹脂組合物之用途，於專利文獻2中記載有可用作一般成形材料，進而記載有用於半導體裝置之密封材，尤其較佳地用於薄型、多接腳、長導線、窄焊墊間距、或於有機基板或者有機膜等封裝基板上配置有半導體晶片之半導體裝置之密封材。 於下述專利文獻3中揭示有包含雙酚F型液狀環氧樹脂、硬化劑、及無機質填充劑之環氧樹脂組合物。於專利文獻3之實施例中記載有固體之環氧樹脂組合物(熔融黏度為75℃以上)。關於上述環氧樹脂組合物之用途，於專利文獻3中記載有雖亦可用作一般成形材料，但較佳地用作半導體裝置、例如使用TQFP(Thin Quad Flat Package，薄型四方扁平封裝)、TSOP(Thin Small Outline Package，薄型小尺寸封裝)、QFP(Quad Flat Package，方形扁平封裝)等多接腳薄型封裝、尤其是矩陣框架之半導體裝置之密封材。 於下述專利文獻4中揭示有包含環氧樹脂、酚系樹脂硬化劑、高導熱性填充劑、及無機質填充劑之半導體密封用環氧樹脂組合物。於專利文獻4之實施例中記載有粉體之半導體密封用環氧樹脂組合物。關於上述半導體密封用環氧樹脂組合物之用途，於專利文獻4中記載有用作半導體元件等電子零件之密封材料。 又，於下述專利文獻5中揭示有二液型之環氧樹脂組合物，其具有包含雙酚A型環氧樹脂及於骨架內具有可撓性之環氧樹脂之第1劑、與包含酸酐化合物及硬化促進劑之第2劑。於專利文獻5中，關於二液型之環氧樹脂組合物之用途，記載有用作盒體內填充材。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]日本專利特開平5-86169號公報 [專利文獻2]日本專利特開2007-217469號公報 [專利文獻3]日本專利特開平10-176100號公報 [專利文獻4]日本專利特開2005-200533號公報 [專利文獻5]日本專利特開2014-40538號公報
[發明所欲解決之問題] 於專利文獻1～4中，具體而言揭示有粉體或固體之環氧樹脂組合物。此種粉體或固體之環氧樹脂組合物係塗佈性較低，難以高精度地配置於特定之區域。 又，先前之環氧樹脂組合物之硬化物存在散熱性較低之情況。進而，先前之環氧樹脂組合物之硬化物存在產生孔隙之情況。若產生孔隙，則有產生硬化物之剝離之情況。 又，於專利文獻1～4中，作為環氧樹脂組合物之具體用途，主要記載有密封用途。於專利文獻5中，作為環氧樹脂組合物之具體用途，主要記載有盒體內填充材用途。另一方面，於半導體裝置中，較理想為即便不對半導體元件進行密封，亦充分地保護半導體元件。又，專利文獻1～5所記載之環氧樹脂組合物通常並非係為了保護半導體元件而塗佈於該半導體元件之表面上使用。 又，近年來就裝置之薄型或設計性之觀點而言，要求減少IC驅動器。若減少IC驅動器，則半導體元件所受之負擔增大，進而容易帶有相當多之熱。先前之硬化物係散熱性較低，故而謀求散熱性較高之硬化物。 本發明之目的在於提供一種硬化物之散熱性優異、硬化物之孔隙較少、硬化物之絕緣可靠性優異且可良好地保護半導體元件之半導體裝置。 又，本發明之目的在於提供一種於半導體裝置中，用於為了保護半導體元件而塗佈於該半導體元件之表面上，於上述半導體元件之表面上形成硬化物之半導體元件保護用材料。 進而，本發明之目的在於提供一種於上述用途中，可獲得散熱性優異、孔隙較少、絕緣可靠性優異之硬化物，且可良好地保護半導體元件之半導體元件保護用材料。 [解決問題之技術手段] 於本發明之廣泛之態樣中，提供一種半導體裝置，其具備半導體元件、及配置於上述半導體元件之第1表面上之硬化物，上述硬化物係半導體元件保護用材料之硬化物，上述半導體元件保護用材料包含熱硬化性化合物、硬化劑或硬化觸媒、及導熱率為10 W/m・K以上之無機填料，上述半導體元件保護用材料不含三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，或包含500 ppm以下之三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，上述硬化物中之上述無機填料之含量為60重量%以上、92重量%以下，上述硬化物之導電率為50 μS/cm以下。 於本發明之廣泛之態樣中，提供一種半導體元件保護用材料，其係用於為了保護半導體元件而塗佈於上述半導體元件之表面上，於上述半導體元件之表面上形成硬化物者，且其與配置於半導體元件與其他連接對象構件之間、形成將上述半導體元件與上述其他連接對象構件以不剝離之方式接著及固定之硬化物者不同，包含熱硬化性化合物、硬化劑或硬化觸媒、及導熱率為10 W/m・K以上之無機填料，不含三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，或包含500 ppm以下之三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，上述無機填料之含量為60重量%以上、92重量%以下，於在150℃下加熱2小時而獲得硬化物時，上述硬化物之導電率為50 μS/cm以下。 於本發明之廣泛之態樣中，提供一種半導體元件保護用材料，其係用於為了保護封裝於連接對象構件上之半導體元件而塗佈於上述半導體元件之與上述連接對象構件側相反之表面上，於上述半導體元件之與上述連接對象構件側相反之表面上形成硬化物者，且包含熱硬化性化合物、硬化劑或硬化觸媒、及導熱率為10 W/m・K以上之無機填料，不含三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，或包含500 ppm以下之三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，上述無機填料之含量為60重量%以上、92重量%以下，於在150℃下加熱2小時而獲得硬化物時，上述硬化物之導電率為50 μS/cm以下。 於本發明之半導體裝置及半導體元件保護用材料之某一特定之態樣中，上述熱硬化性化合物包含環氧化合物或聚矽氧化合物。 於本發明之半導體裝置及半導體元件保護用材料之某一特定之態樣中，上述熱硬化性化合物包含聚矽氧化合物。 於本發明之半導體裝置及半導體元件保護用材料之某一特定之態樣中，上述硬化劑為烯丙基苯酚酚醛清漆化合物。 於本發明之半導體裝置及半導體元件保護用材料之某一特定之態樣中，上述熱硬化性化合物包含可撓性環氧化合物。 於本發明之半導體裝置及半導體元件保護用材料之某一特定之態樣中，上述熱硬化性化合物包含上述可撓性環氧化合物、及與可撓性環氧化合物不同之環氧化合物。 於本發明之半導體裝置及半導體元件保護用材料之某一特定之態樣中，上述半導體元件保護用材料所含之上述可撓性環氧化合物係具有將伸烷基二醇基重複9個以上而成之結構單元之聚伸烷基二醇二縮水甘油醚。 於本發明之半導體元件保護用材料之某一特定之態樣中，上述半導體元件保護用材料不含水或包含1000 ppm以下之水。 於本發明之半導體裝置之某一特定之態樣中，上述半導體裝置具備連接對象構件，且將上述半導體元件自與上述第1表面相反之第2表面側而封裝於上述連接對象構件上。 於本發明之半導體裝置之某一特定之態樣中，上述半導體裝置具備表面具有第2電極之連接對象構件，上述半導體元件於與上述第1表面側相反之第2表面側具有第1電極，上述半導體元件之第1電極與表面具有第2電極之連接對象構件中之上述第2電極電性連接。 於本發明之半導體裝置之某一特定之態樣中，於上述硬化物之與上述半導體元件側相反之表面上配置有保護膜，或上述硬化物之與上述半導體元件側相反之表面露出。 本發明之半導體元件保護用材料係用於為了保護半導體元件而於上述半導體元件之表面上形成硬化物，且於上述硬化物之與上述半導體元件側相反之表面上配置保護膜而獲得半導體裝置，或者用於獲得為了保護半導體元件而於上述半導體元件之表面上形成硬化物、且上述硬化物之與上述半導體元件側相反之表面露出之半導體裝置。 [發明之效果] 本發明之半導體元件裝置具備半導體元件、及配置於上述半導體元件之第1表面上之硬化物，上述硬化物係半導體元件保護用材料之硬化物，上述半導體元件保護用材料包含熱硬化性化合物、硬化劑或硬化觸媒、及導熱率為10 W/m・K以上之無機填料，上述半導體元件保護用材料不含三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，或包含500 ppm以下三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，上述硬化物中之上述無機填料之含量為60重量%以上、92重量%以下，上述硬化物之導電率為50 μS/cm以下，因此硬化物之散熱性優異，硬化物之孔隙較少，硬化物之絕緣可靠性優異，可良好地保護半導體元件。 本發明之半導體元件保護用材料包含熱硬化性化合物、硬化劑或硬化觸媒、及導熱率為10 W/m・K以上之無機填料，不含三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，或包含500 ppm以下之三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，不含水或包含1000 ppm以下之水，上述無機填料之含量為60重量%以上、92重量%以下，於在150℃下加熱2小時而獲得硬化物時，上述硬化物之導電率為50 μS/cm以下，因此可獲得散熱性優異、孔隙較少、絕緣可靠性優異之硬化物。因此，為了保護半導體元件，將本發明之半導體元件保護用材料塗佈於上述半導體元件之表面上並使其硬化，藉此可良好地保護上述半導體元件。又，為了保護封裝於連接對象構件上之半導體元件，將本發明之半導體元件保護用材料塗佈於上述半導體元件之與上述連接對象構件側相反之表面上並使其硬化，藉此可良好地保護上述半導體元件。
以下，對本發明詳細地進行說明。 本發明之半導體裝置具備半導體元件及硬化物。於本發明之半導體裝置中，上述硬化物係配置於上述半導體元件之第1表面上。於本發明之半導體裝置中，上述硬化物係半導體元件保護用材料之硬化物。 本發明之半導體元件保護用材料於某一特定之態樣中，係用於為了保護半導體元件而塗佈於上述半導體元件之表面上，於上述半導體元件之表面上形成硬化物。本發明之半導體元件保護用材料與配置於半導體元件與其他連接對象構件之間、形成將上述半導體元件與上述其他連接對象構件以不剝離之方式接著及固定之硬化物者(材料)不同。 又，本發明之半導體元件保護用材料於某一特定之態樣中，係用於為了保護封裝於連接對象構件上之半導體元件而塗佈於上述半導體元件之與上述連接對象構件側相反之表面上，於上述半導體元件之表面上形成硬化物。 本發明之半導體裝置所使用之半導體元件保護用材料及本發明之半導體元件保護用材料包含(A)熱硬化性化合物、(B)硬化劑或硬化觸媒((B1)硬化劑或(B2)硬化觸媒)、及(C)導熱率為10 W/m・K以上之無機填料。本發明之半導體裝置所使用之半導體元件保護用材料及本發明之半導體元件保護用材料例如係塗佈於半導體元件之表面上，故而較佳為於23℃下為液狀，較佳為於23℃下並非固體。再者，液狀亦包含黏稠之糊劑。 本發明之半導體裝置所使用之半導體元件保護用材料及本發明之半導體元件保護用材料不含(X)三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，或包含500 ppm以下之(X)三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物。本發明之半導體裝置所使用之半導體元件保護用材料及本發明之半導體元件保護用材料中之低分子量之(X)矽氧烷化合物之含量較少。於本發明之半導體裝置之硬化物100重量%中，(C)導熱率為10 W/m・K以上之無機填料之含量為60重量%以上、92重量%以下。於本發明之半導體裝置所使用之半導體元件保護用材料100重量%中，(C)導熱率為10 W/m・K以上之無機填料之含量較佳為60重量%以上，較佳為92重量%以下。於本發明之半導體元件保護用材料100重量%中，(C)導熱率為10 W/m・K以上之無機填料之含量為60重量%以上、92重量%以下。 本發明之半導體裝置之硬化物及本發明之半導體元件保護用材料之硬化物之導電率為50 μS/cm以下。 上述半導體元件保護用材料可塗佈於半導體元件之表面上。例如可選擇性地將上述半導體元件保護用材料高精度地塗佈於半導體元件之欲提高散熱性之部位之表面上。 本發明之半導體裝置具備上述構成，故而硬化物之散熱性優異。因此，可使熱自半導體元件之表面經由硬化物充分地釋放。因此，可有效地抑制半導體裝置之熱劣化。 又，本發明之半導體元件保護用材料具備上述構成，故而硬化物之散熱性優異。因此，藉由將硬化物配置於半導體元件之表面上，可使熱自半導體元件之表面經由硬化物充分地釋放。因此，可有效地抑制半導體裝置之熱劣化。 進而，於本發明之半導體裝置及本發明之半導體元件保護用材料中，可使硬化物中不易產生孔隙，從而可使硬化物不易自半導體元件之表面剝離。 進而，於本發明之半導體裝置中，硬化物之絕緣可靠性優異。因此，可良好地保護上述半導體元件。 又，於本發明之半導體元件保護用材料中，可獲得絕緣可靠性優異之硬化物。因此，為了保護半導體元件，將本發明之半導體元件保護用材料塗佈於上述半導體元件之表面上並使其硬化，藉此可良好地保護上述半導體元件。又，為了保護封裝於連接對象構件上之半導體元件，將本發明之半導體元件保護用材料塗佈於上述半導體元件之與上述連接對象構件側相反之表面上並使其硬化，藉此可良好地保護上述半導體元件。 就提高絕緣可靠性之觀點而言，(X)三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物之含量至多為500 ppm。就進一步提高絕緣可靠性之觀點而言，(X)三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物之含量較佳為250 ppm以下。(X)三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物之含量越少越佳。 所謂三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，意指六甲基環三矽氧烷、八甲基環四矽氧烷、十甲基環五矽氧烷、十二甲基環六矽氧烷、十四甲基環七矽氧烷、十六甲基環八矽氧烷、十八甲基環九矽氧烷、二十甲基環十矽氧烷。 就進一步有效地抑制孔隙之觀點而言，本發明之半導體元件保護用材料較佳為不含(Y)水或包含1000 ppm以下之(Y)水。就更進一步抑制孔隙之觀點而言，(Y)水之含量較佳為800 ppm以下。(Y)水之含量越少越佳。 上述水之含量係使用卡氏水分計(京都電子工業公司製造之「MKV-710B」)進行測定。 就提高絕緣可靠性之觀點而言，本發明之半導體裝置之上述硬化物之導電率為50 μS/cm以下。就提高絕緣可靠性之觀點而言，於在150℃下將本發明之半導體元件保護用材料加熱2小時而獲得硬化物時，上述硬化物之導電率為50 μS/cm以下。就進一步提高絕緣可靠性之觀點而言，上述硬化物之導電率較佳為30 μS/cm以下。上述硬化物之導電率之下限並無特別限定。 上述導電率係以如下方式進行測定。對於本發明之半導體裝置而言，準備上述半導體裝置之硬化物。對於本發明之半導體裝置保護用材料而言，使上述半導體元件保護用材料於150℃下硬化2小時而獲得硬化物。將該等硬化物粉碎成5 mm見方左右，向粉碎物2.5 g中添加離子交換水25 mL，並於PCT(121℃±2℃/濕度100%/2 atm之槽)中放置20 Hr。其後，獲得冷卻至室溫(25℃)而得之萃取液作為試驗液。使用導度計(東亞電波工業公司製造之電導計「CM-30G」、「CM-42X」等)測定該試驗液之導電率。 就進一步提高塗佈性之觀點而言，上述半導體元件保護用材料之25℃及10 rpm下之黏度較佳為40 Pa・s以上，更佳為50 Pa・s以上，且較佳為140 Pa・s以下，更佳為130 Pa・s以下。 上述黏度係使用B型黏度計(東機產業公司製造之「TVB-10型」)進行測定。 就進一步提高硬化性之觀點而言，上述半導體元件保護用材料較佳為包含(B1)硬化劑及(D)硬化促進劑。 又，就提高半導體元件保護用材料對半導體元件之表面之潤濕性、進一步提高硬化物之柔軟性、進而進一步提高硬化物之耐濕性之觀點而言，上述半導體元件保護用材料較佳為包含(E)偶合劑。 就有效地提高硬化物之絕緣可靠性之觀點而言，上述半導體元件保護用材料較佳為包含(F)離子捕捉劑。 以下，對可用於上述半導體元件保護用材料之各成分之詳細內容進行說明。 ((A)熱硬化性化合物) 作為(A)熱硬化性化合物，可列舉氧雜環丁烷化合物、環氧化合物、環硫化合物、(甲基)丙烯酸系化合物、酚化合物、胺基化合物、不飽和聚酯化合物、聚胺基甲酸酯化合物、聚矽氧化合物及聚醯亞胺化合物等。(A)熱硬化性化合物可僅使用1種，亦可併用2種以上。 就有效地發揮本發明之效果、進一步提高耐熱性、且更不易產生龜裂之觀點而言，(A)熱硬化性化合物較佳為包含(A1)環氧化合物或(A2)聚矽氧化合物。(A)熱硬化性化合物可包含(A1)環氧化合物，亦可包含(A2)聚矽氧化合物。就進一步抑制暴露於高溫下後之連接對象構件之翹曲之觀點而言，(A2)聚矽氧化合物之分子量較佳為300以上。就進一步抑制暴露於高溫下後之連接對象構件之翹曲之觀點而言，(A)熱硬化性化合物較佳為包含(A2)聚矽氧化合物。 於上述半導體元件保護用材料100重量%中，(A)熱硬化性化合物之含量較佳為1重量%以上，更佳為2重量%以上，且較佳為20重量%以下，更佳為15重量%以下，進而較佳為10重量%以下，尤佳為8重量%以下。若(A)熱硬化性化合物之含量為上述下限以上及上述上限以下，則半導體元件保護用材料之塗佈性、硬化物之柔軟性及耐濕性變得更良好，硬化物對半導體元件之接著性變得更良好，可進一步抑制對保護膜之貼附。 於上述半導體元件保護用材料100重量%中，(A1)環氧化合物與(A2)聚矽氧化合物之合計含量較佳為1重量%以上，更佳為2重量%以上，且較佳為20重量%以下，更佳為15重量%以下。若(A1)環氧化合物與(A2)聚矽氧化合物之合計含量為上述下限以上及上述上限以下，則半導體元件保護用材料之塗佈性、硬化物之柔軟性及耐濕性變得更良好，硬化物對半導體元件之接著性變得更良好，可進一步抑制對保護膜之貼附。 (A1)環氧化合物： 於上述半導體元件保護用材料100重量%中，(A1)環氧化合物之含量較佳為1重量%以上，更佳為2重量%以上，且較佳為10重量%以下，更佳為8重量%以下。若(A1)環氧化合物之含量為上述下限以上及上述上限以下，則半導體元件保護用材料之塗佈性、硬化物之柔軟性及耐濕性變得更良好，硬化物對半導體元件之接著性變得更良好，可進一步抑制對保護膜之貼附。 作為(A1)環氧化合物，可列舉(A11)可撓性環氧化合物及(A12)與可撓性環氧化合物不同之環氧化合物。就有效地發揮本發明之效果之觀點而言，(A)熱硬化性化合物較佳為包含(A11)可撓性環氧化合物及(A12)與可撓性環氧化合物不同之環氧化合物。 (A12)與可撓性環氧化合物不同之環氧化合物不具有可撓性。藉由將(A12)環氧化合物與(A11)可撓性環氧化合物一併使用，半導體元件保護用材料之硬化物之耐濕性增高，可降低對保護膜之貼附性。(A12)環氧化合物可僅使用1種，亦可併用2種以上。 (A)熱硬化性化合物較佳為包含(A11)可撓性環氧化合物。藉由使用(A11)可撓性環氧化合物，可提高硬化物之柔軟性。藉由使用(A11)可撓性環氧化合物，不易因對半導體元件之變形應力等而產生半導體元件之損傷，進而可使硬化物不易自半導體元件之表面剝離。(A11)可撓性環氧化合物可僅使用1種，亦可併用2種以上。 作為(A11)可撓性環氧化合物，可列舉：聚伸烷基二醇二縮水甘油醚、聚丁二烯二縮水甘油醚、硫化物改性環氧樹脂、及聚環氧烷改性雙酚A型環氧樹脂等。就進一步提高硬化物之柔軟性之觀點而言，較佳為聚伸烷基二醇二縮水甘油醚。 就進一步提高硬化物之柔軟性而提高接著力之觀點而言，上述聚伸烷基二醇二縮水甘油醚較佳為具有將伸烷基二醇基重複9個以上而成之結構單元。伸烷基之重複數之上限並無特別限定。伸烷基之重複數亦可為30以下。上述伸烷基之碳數較佳為2以上，較佳為5以下。 作為上述聚伸烷基二醇二縮水甘油醚，可列舉聚乙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚及聚四亞甲基二醇二縮水甘油醚等。 於上述半導體元件保護用材料100重量%中，(A11)可撓性環氧化合物之含量較佳為3重量%以上，更佳為5重量%以上，且較佳為10重量%以下，更佳為8重量%以下。若(A11)可撓性環氧化合物之含量為上述下限以上，則硬化物之柔軟性進一步增高。若(A11)可撓性環氧化合物之含量為上述上限以下，則半導體元件保護用材料之塗佈性進一步增高。 於上述半導體元件保護用材料100重量%中，(A11)可撓性環氧化合物與(A12)環氧化合物之合計含量較佳為5重量%以上，更佳為8重量%以上，且較佳為15重量%以下，更佳為12重量%以下。若(A11)可撓性環氧化合物與(A12)環氧化合物之合計含量為上述下限以上及上述上限以下，則半導體元件保護用材料之塗佈性、硬化物之柔軟性及耐濕性變得更良好，硬化物對半導體元件之接著性變得更良好，可進一步抑制對保護膜之貼附。 作為(A12)環氧化合物，可列舉：具有雙酚骨架之環氧化合物、具有二環戊二烯骨架之環氧化合物、具有萘骨架之環氧化合物、具有金剛烷骨架之環氧化合物、具有茀骨架之環氧化合物、具有聯苯骨架之環氧化合物、具有雙(縮水甘油氧基苯基)甲烷骨架之環氧化合物、具有 骨架之環氧化合物、具有蒽骨架之環氧化合物、及具有芘骨架之環氧化合物等。亦可使用該等之氫化物或改性物。(A12)環氧化合物較佳為並非聚伸烷基二醇二縮水甘油醚。 就本發明之效果更優異之方面而言，(A12)環氧化合物較佳為具有雙酚骨架之環氧化合物(雙酚型環氧化合物)。 作為上述具有雙酚骨架之環氧化合物，例如可列舉具有雙酚A型、雙酚F型或雙酚S型之雙酚骨架之環氧單體等。 作為上述具有二環戊二烯骨架之環氧化合物，可列舉二氧化二環戊二烯、及具有二環戊二烯骨架之苯酚酚醛清漆環氧單體等。 作為上述具有萘骨架之環氧化合物，可列舉1-縮水甘油基萘、2-縮水甘油基萘、1,2-二縮水甘油基萘、1,5-二縮水甘油基萘、1,6-二縮水甘油基萘、1,7-二縮水甘油基萘、2,7-二縮水甘油基萘、三縮水甘油基萘、及1,2,5,6-四縮水甘油基萘等。 作為上述具有金剛烷骨架之環氧化合物，可列舉1,3-雙(4-縮水甘油氧基苯基)金剛烷、及2,2-雙(4-縮水甘油氧基苯基)金剛烷等。 作為上述具有茀骨架之環氧化合物，可列舉：9,9-雙(4-縮水甘油氧基苯基)茀、9,9-雙(4-縮水甘油氧基-3-甲基苯基)茀、9,9-雙(4-縮水甘油氧基-3-氯苯基)茀、9,9-雙(4-縮水甘油氧基-3-溴苯基)茀、9,9-雙(4-縮水甘油氧基-3-氟苯基)茀、9,9-雙(4-縮水甘油氧基-3-甲氧基苯基)茀、9,9-雙(4-縮水甘油氧基-3,5-二甲基苯基)茀、9,9-雙(4-縮水甘油氧基-3,5-二氯苯基)茀、及9,9-雙(4-縮水甘油氧基-3,5-二溴苯基)茀等。 作為上述具有聯苯骨架之環氧化合物，可列舉4,4'-二縮水甘油基聯苯、及4,4'-二縮水甘油基-3,3',5,5'-四甲基聯苯等。 作為上述具有雙(縮水甘油氧基苯基)甲烷骨架之環氧化合物，可列舉：1,1'-雙(2,7-縮水甘油氧基萘基)甲烷、1,8'-雙(2,7-縮水甘油氧基萘基)甲烷、1,1'-雙(3,7-縮水甘油氧基萘基)甲烷、1,8'-雙(3,7-縮水甘油氧基萘基)甲烷、1,1'-雙(3,5-縮水甘油氧基萘基)甲烷、1,8'-雙(3,5-縮水甘油氧基萘基)甲烷、1,2'-雙(2,7-縮水甘油氧基萘基)甲烷、1,2'-雙(3,7-縮水甘油氧基萘基)甲烷、及1,2'-雙(3,5-縮水甘油氧基萘基)甲烷等。 作為上述具有 骨架之環氧化合物，可列舉1,3,4,5,6,8-六甲基-2,7-雙-氧雜環丙基甲氧基-9-苯基-9H- 等。 相對於(A11)可撓性環氧化合物100重量份，(A12)環氧化合物之含量較佳為10重量份以上，更佳為20重量份以上，且較佳為100重量份以下，更佳為90重量份以下。若(A12)環氧化合物之含量為上述下限以上，則半導體元件保護用材料之塗佈性進一步增高，硬化物對半導體元件之接著性進一步增高。若(A12)環氧化合物之含量為上述上限以下，則硬化物之柔軟性進一步增高。 (A2)聚矽氧化合物例如包含具有鍵結於矽原子之烯基之聚矽氧化合物、及具有鍵結於矽原子之氫原子之聚矽氧化合物。具有鍵結於矽原子之烯基之聚矽氧化合物亦可不具有鍵結於矽原子之氫原子。 上述具有鍵結於矽原子之烯基之聚矽氧化合物較佳為下述式(1A)所表示之聚矽氧化合物、下述式(2A)所表示之聚矽氧化合物、或下述式(3A)所表示之聚矽氧化合物。 (R1R2R3SiO1/2 )a (R4R5SiO2/2 )b …(1A) 上述式(1A)中，a及b滿足0.01≦a≦0.2、0.8≦b≦0.99，R1～R5之1 mol%以上、20 mol%以下表示烯基，R1～R5之80 mol%以上、99 mol%以下表示甲基及苯基，烯基、甲基及苯基以外之R1～R5表示碳數2～6之烷基。 (R1R2R3SiO1/2 )a (SiO4/2 )b …(2A) 上述式(2A)中，a及b滿足0.7≦a≦0.9、0.1≦b≦0.3，R1～R3之1 mol%以上、33 mol%以下表示烯基，R1～R3之67 mol%以上、99 mol%以下表示甲基及苯基，烯基、甲基及苯基以外之R1～R3表示碳數2～6之烷基。R1～R3之1 mol%以上、20 mol%以下亦可表示烯基，R1～R3之80 mol%以上、99 mol%以下亦可表示甲基及苯基。 (R1R2R3SiO1/2 )a (R4R5SiO2/2 )b (R6SiO3/2 )c …(3A) 上述式(3A)中，a、b及c滿足0.05≦a≦0.3、0≦b≦0.8、0.15≦c≦0.85，R1～R6之2 mol%以上、20 mol%以下表示烯基，R1～R6之80 mol%以上、95 mol%以下表示甲基及苯基，烯基、甲基及苯基以外之R1～R6表示碳數2～6之烷基。 上述具有鍵結於矽原子之氫原子之聚矽氧化合物較佳為下述式(1B)所表示之聚矽氧化合物。 (R1R2R3SiO1/2 )a (R4R5SiO2/2 )b …(1B) 上述式(1B)中，a及b滿足0.1≦a≦0.67、0.33≦b≦0.9，R1～R5之1 mol%以上、25 mol%以下表示氫原子，R1～R5之75 mol%以上、99 mol%以下表示甲基及苯基，氫原子、甲基及苯基以外之R1～R5表示碳數2～6之烷基。 (A2)聚矽氧化合物較佳為包含上述式(1A)所表示之聚矽氧化合物。(A2)聚矽氧化合物較佳為包含上述式(1A)所表示之聚矽氧化合物、及上述式(2A)所表示之聚矽氧化合物，或包含上述式(1A)所表示之聚矽氧化合物、及上述式(3A)所表示之聚矽氧化合物。 就有效地提高硬化物之接著性、有效地提高硬化物之剝離之觀點而言，較佳為(A)熱硬化性化合物包含上述式(2A)或(3A)所表示之聚矽氧化合物、及上述式(1B)所表示之聚矽氧化合物作為(A1)聚矽氧化合物。就提高絕緣可靠性之觀點而言，較佳為(A)熱硬化性化合物包含上述式(3A)所表示之聚矽氧化合物、及上述式(1B)所表示之聚矽氧化合物作為(A1)聚矽氧化合物。就進一步抑制連接對象構件之翹曲之觀點而言，較佳為(A)熱硬化性化合物包含上述式(1A)所表示之聚矽氧化合物、及上述式(1B)所表示之聚矽氧化合物作為(A1)聚矽氧化合物。 於上述半導體元件保護用材料100重量%中，(A2)聚矽氧化合物之含量較佳為5重量%以上，更佳為8重量%以上，且較佳為20重量%以下，更佳為15重量%以下。若(A2)聚矽氧化合物之含量為上述下限以上及上述上限以下，則半導體元件保護用材料之塗佈性、硬化物之柔軟性及耐濕性變得更良好，硬化物對半導體元件之接著性變得更良好，可進一步抑制對保護膜之貼附。 相對於上述具有鍵結於矽原子之氫原子之聚矽氧化合物100重量份，上述具有鍵結於矽原子之烯基之聚矽氧化合物之含量較佳為10重量份以上，且較佳為400重量份以下。若滿足該含量之關係，則半導體元件保護用材料之塗佈性、硬化物之柔軟性及耐濕性變得更良好，硬化物對半導體元件之接著性變得更良好，可進一步抑制對保護膜之貼附。 ((B)硬化劑或硬化觸媒) 作為(B)硬化劑或硬化觸媒，可使用(B1)硬化劑，亦可使用(B2)硬化觸媒。於使用(A1)環氧化合物之情形時，較佳為(B1)硬化劑。於使用(A2)聚矽氧化合物之情形時，較佳為(B2)硬化觸媒。 (B1)硬化劑於23℃下可為液狀，亦可為固態。就進一步提高半導體元件保護用材料之塗佈性之觀點而言，(B1)硬化劑較佳為於23℃下為液狀之硬化劑。又，藉由使用於23℃下為液狀之硬化劑，半導體元件保護用材料對半導體元件之表面之潤濕性增高。(B1)硬化劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。(B2)硬化觸媒可僅使用1種，亦可併用2種以上。 作為(B1)硬化劑，可列舉胺化合物(胺硬化劑)、咪唑化合物(咪唑硬化劑)、酚化合物(酚硬化劑)及酸酐(酸酐硬化劑)等。(B1)硬化劑亦可不為咪唑化合物。 就進一步抑制硬化物中之孔隙之產生、進一步提高硬化物之耐熱性之觀點而言，(B1)硬化劑較佳為酚化合物。 就進一步提高半導體元件保護用材料之塗佈性、進一步抑制硬化物中之孔隙之產生、進一步提高硬化物之耐熱性之觀點而言，(B1)硬化劑較佳為具有烯丙基，較佳為上述酚化合物具有烯丙基。 作為上述酚化合物，可列舉：苯酚酚醛清漆、鄰甲酚酚醛清漆、對甲酚酚醛清漆、第三丁基苯酚酚醛清漆、二環戊二烯甲酚、聚對乙烯基苯酚、雙酚A型酚醛清漆、苯二甲基改性酚醛清漆、十氫萘改性酚醛清漆、聚(二-鄰羥基苯基)甲烷、聚(二-間羥基苯基)甲烷、及聚(二-對羥基苯基)甲烷等。 於使用(B1)硬化劑之情形時，相對於(A)熱硬化性化合物100重量份，(B1)硬化劑之含量較佳為50重量份以上，更佳為75重量份以上，進而較佳為100重量份以上，且較佳為250重量份以下，更佳為225重量份以下，進而較佳為200重量份以下。若(B1)硬化劑之含量為上述下限以上，則可使半導體元件保護用材料良好地硬化。若(B1)硬化劑之含量為上述上限以下，則硬化物內之無助於硬化之(B1)硬化劑之殘存量減少。 作為(B2)硬化觸媒，可列舉矽氫化反應用觸媒及縮合觸媒等金屬觸媒等。 作為上述硬化觸媒，例如可列舉錫系觸媒、鉑系觸媒、銠系觸媒及鈀系觸媒等。為了可提高透明性，較佳為鉑系觸媒。 上述矽氫化反應用觸媒係使聚矽氧化合物中之鍵結於矽原子之氫原子與聚矽氧化合物中之烯基進行矽氫化反應之觸媒。上述矽氫化反應用觸媒可僅使用1種，亦可併用2種以上。 作為上述鉑系觸媒，可列舉鉑粉末、氯化鉑酸、鉑-烯基矽氧烷錯合物、鉑-烯烴錯合物及鉑-羰基錯合物。尤佳為鉑-烯基矽氧烷錯合物或鉑-烯烴錯合物。 作為上述鉑-烯基矽氧烷錯合物中之烯基矽氧烷，例如可列舉1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、及1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基環四矽氧烷等。作為上述鉑-烯烴錯合物中之烯烴，例如可列舉烯丙醚及1,6-庚二烯等。 為了可提高上述鉑-烯基矽氧烷錯合物及鉑-烯烴錯合物之穩定性，較佳為於上述鉑-烯基矽氧烷錯合物或鉑-烯烴錯合物中添加烯基矽氧烷、有機矽氧烷低聚物、烯丙醚或烯烴。上述烯基矽氧烷較佳為1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷。上述有機矽氧烷低聚物較佳為二甲基矽氧烷低聚物。上述烯烴較佳為1,6-庚二烯。 於使用(B2)硬化觸媒之情形時，相對於(A)熱硬化性化合物100重量份，(B2)硬化觸媒之含量較佳為0.001重量份以上，更佳為0.01重量份以上，進而較佳為0.05重量份以上，且較佳為2重量份以下，更佳為1重量份以下，進而較佳為0.5重量份以下。若(B2)硬化觸媒之含量為上述下限以上，則可使半導體元件保護用材料良好地硬化。若(B2)硬化觸媒之含量為上述上限以下，則硬化物內之無助於硬化之(B2)硬化觸媒之殘存量減少。 ((C)導熱率為10 W/m・K以上之無機填料) 藉由使用(C)導熱率為10 W/m・K以上之無機填料，可將半導體元件保護用材料之塗佈性維持為較高，且可將硬化物之柔軟性維持為較高，並且可提高硬化物之散熱性。(C)無機填料可僅使用1種，亦可併用2種以上。 就進一步提高硬化物之散熱性之觀點而言，(C)無機填料之導熱率較佳為10 W/m・K以上，更佳為15 W/m・K以上，進而較佳為20 W/m・K以上。(C)無機填料之導熱率之上限並無特別限定。導熱率為300 W/m・K左右之無機填料係廣為人知，又，導熱率為200 W/m・K左右之無機填料可容易地獲取。 就有效地提高硬化物之散熱性之觀點而言，(C)無機填料較佳為氧化鋁、氮化鋁或碳化矽。於使用該等較佳之無機填料之情形時，該等無機填料可僅使用1種，亦可併用2種以上。作為(C)無機填料，亦可適當使用上述以外之無機填料。 就將半導體元件保護用材料之塗佈性有效地維持為較高、且將硬化物之柔軟性有效地維持為較高、並且有效地提高硬化物之散熱性之觀點而言，(C)無機填料較佳為導熱率為10 W/m・K以上且為球狀之無機填料。所謂球狀，係指縱橫比(長徑/短徑)為1以上、2以下。 (C)無機填料之平均粒徑較佳為0.1 μm以上，且較佳為150 μm以下。若(C)無機填料之平均粒徑為上述下限以上，則能以高密度容易地填充(C)無機填料。若(C)無機填料之平均粒徑為上述上限以下，則半導體元件保護用材料之塗佈性進一步增高。 所謂上述「平均粒徑」，係根據藉由雷射繞射式粒度分佈測定裝置所測得之體積平均之粒度分佈測定結果所求出之平均粒徑。 於上述硬化物100重量%中及上述半導體元件保護用材料100重量%中，(C)無機填料之含量較佳為60重量%以上、92重量%以下。於上述半導體元件保護用材料100重量%中，(C)無機填料之含量更佳為70重量%以上，進而較佳為80重量%以上，尤佳為82重量%以上，且更佳為90重量%以下。若(C)無機填料之含量為上述下限以上，則硬化物之散熱性進一步增高。若(C)無機填料之含量為上述上限以下，則半導體元件保護用材料之塗佈性進一步增高，硬化物之性狀變得更良好。 ((D)硬化促進劑) 可藉由使用(D)硬化促進劑而使硬化速度加快，使半導體元件保護用材料有效率地硬化。(D)硬化促進劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。 作為(D)硬化促進劑，可列舉咪唑化合物、磷化合物、胺化合物、及有機金屬化合物等。其中，就本發明之效果更優異之方面而言，較佳為咪唑化合物。 作為上述咪唑化合物，可列舉：2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1,2-二甲基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑鎓偏苯三酸鹽、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸鹽、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-對稱三、2,4-二胺基-6-[2'-十一烷基咪唑基-(1')]-乙基-對稱三、2,4-二胺基-6-[2'-乙基-4'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-對稱三、2,4-二胺基-6-[2'-甲基咪唑基-(1')]-乙基-對稱三異三聚氰酸加成物、2-苯基咪唑異三聚氰酸加成物、2-甲基咪唑異三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑及2-苯基-4-甲基-5-二羥基甲基咪唑等。又，可使用公知之咪唑系潛伏性硬化劑。作為具體例，可列舉PN23、PN40、PN-H(商品名，均為Ajinomoto Fine-Techno公司製造)。又，可列舉亦被稱為微膠囊化咪唑之與胺化合物之環氧加成物之羥基進行加成反應而成之硬化促進劑，例如可列舉Novacure HX-3088、Novacure HX-3941、HX-3742、HX-3722(商品名，均為旭化成E-MATERIALS公司製造)等。進而，亦可使用內包咪唑。作為具體例，可列舉TIC-188(商品名，日本曹達公司製造)。 作為上述磷化合物，可列舉三苯基膦等。 作為上述胺化合物，可列舉2,4,6-三(二甲胺甲基)苯酚、二乙胺、三乙胺、二伸乙基四胺、三伸乙基四胺及4,4-二甲胺基吡啶等。 作為上述有機金屬化合物，可列舉環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、雙乙醯丙酮鈷(II)及三乙醯丙酮鈷(III)等。 相對於與(A)熱硬化性化合物之合計100重量份，(D)硬化促進劑之含量較佳為0.1重量份以上，更佳為0.5重量份以上，且較佳為10重量份以下，更佳為8重量份以下。若(D)硬化促進劑之含量為上述下限以上，則可使半導體元件保護用材料良好地硬化。若(D)硬化促進劑之含量為上述上限以下，則硬化物內之無助於硬化之(D)硬化促進劑之殘存量減少。 ((E)偶合劑) 上述半導體元件保護用材料較佳為包含(E)偶合劑。藉由使用(E)偶合劑，半導體元件保護用材料之硬化物之耐濕性進一步增高。(E)偶合劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。 於上述硬化物100重量%中及上述半導體元件保護用材料100重量%中，(E)偶合劑之含量較佳為0.1重量%以上，更佳為0.2重量%以上，且較佳為2重量%以下，更佳為1重量%以下。若(E)偶合劑之含量為上述下限以上，則半導體元件保護用材料之硬化物之耐濕性進一步增高。若(E)偶合劑之含量為上述上限以下，則半導體元件保護用材料之塗佈性進一步增高。 上述(E)偶合劑較佳為包含100℃下之重量減少為10重量%以下之矽烷偶合劑、100℃下之重量減少為10重量%以下之鈦酸酯偶合劑、或100℃下之重量減少為10重量%以下之鋁酸酯偶合劑。於使用該等較佳之偶合劑之情形時，該等偶合劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。 若100℃下之重量減少為10重量%以下，則於硬化中(E)偶合劑之揮發得到抑制，對半導體元件之潤濕性進一步增高，硬化物之散熱性進一步增高。 再者，100℃下之重量減少可藉由使用紅外水分計(凱特科學研究所公司製造之「FD-720」)，以50℃/min之升溫速度升溫至100℃，測定10分鐘後之重量減少而求出。 ((F)離子捕捉劑) 就有效地提高硬化物之絕緣可靠性之觀點而言，上述半導體元件保護用材料較佳為包含(F)離子捕捉劑。(F)離子捕捉劑可僅使用1種，亦可併用2種以上。 (F)離子捕捉劑並無特別限定。作為該(F)離子捕捉劑，可使用先前公知之離子捕捉劑。 作為(F)離子捕捉劑之具體例，可列舉為了防止銅離子化後溶出而作為銅毒抑制劑為人所知之化合物，例如可使用三硫醇化合物、雙酚系還原劑等。作為雙酚系還原劑，可列舉2,2'-亞甲基-雙-(4-甲基-6-第三丁基苯酚)、及4,4'-硫基-雙-(3-甲基-6-第三丁基苯酚)等。又，作為(F)離子捕捉劑之具體例，亦可列舉無機陰離子交換體、無機陽離子交換體及無機兩性離子交換體等，具體而言，可列舉通式BiOX (OH)Y (NO3 )Z [此處，X為0.9～1.1、Y為0.6～0.8、Z為0.2～0.4之正數]所表示之氧化鉍系離子捕捉劑、氧化銻系離子捕捉劑、磷酸鈦系離子捕捉劑、磷酸鋯系離子捕捉劑、以及通式MgX AlY (OH)2X ＋ 3Y-2Z (CO3 )Z ・mH2 O[此處，X、Y、Z為滿足2X＋3Y－2Z≧0之正數，m為正數]所表示之鋁碳酸鎂系離子捕捉劑等。作為該等離子捕捉劑之市售品，例如可列舉：IXE-100(東亞合成公司製造，磷酸鋯系離子捕捉劑)、IXE-300(東亞合成公司製造，氧化銻系離子捕捉劑)、IXE-400(東亞合成公司製造，磷酸鈦系離子捕捉劑)、IXE-500(東亞合成公司製造，氧化鉍系離子捕捉劑)、IXE-600(東亞合成公司製造，氧化銻・氧化鉍系離子捕捉劑)、DHT-4A(鋁碳酸鎂系離子捕捉劑，協和化學工業公司製造)、及Kyoward KW-2000(鋁碳酸鎂系離子捕捉劑，協和化學工業公司製造)等。就進一步降低硬化物之電氣可靠性之觀點而言，(F)離子捕捉劑較佳為無機陽離子交換體或無機兩性離子交換體。 就進一步抑制遷移而進一步提高絕緣可靠性之觀點而言，上述陽離子交換體較佳為Zr系陽離子交換體或Sb系陽離子交換體，更佳為Zr系陽離子交換體，又，上述陽離子交換體較佳為包含鋯原子。 就進一步抑制遷移而進一步提高絕緣可靠性之觀點而言，上述陰離子交換體較佳為Bi系陰離子交換體、Mg-Al系陰離子交換體或Zr系陰離子交換體，更佳為Mg-Al系陰離子交換體，又，上述陰離子交換體較佳為包含鎂原子與鋁原子。 就進一步抑制遷移而進一步提高絕緣可靠性之觀點而言，上述陽離子交換體之中性交換容量較佳為1 meq/g以上，更佳為2 meq/g以上，且較佳為10 meq/g以下，更佳為4 meq/g以下。 就進一步抑制遷移而進一步提高絕緣可靠性之觀點而言，上述陰離子交換體之中性交換容量較佳為0.1 meq/g以上，更佳為1 meq/g以上，且較佳為10 meq/g以下，更佳為5 meq/g以下。 就進一步抑制遷移而進一步提高絕緣可靠性之觀點而言，上述陽離子交換體之中值徑較佳為0.1 μm以上，更佳為0.5 μm以上，且較佳為10 μm以下，更佳為3 μm以下。 就進一步抑制遷移而進一步提高絕緣可靠性之觀點而言，上述陰離子交換體之中值徑較佳為0.1 μm以上，更佳為0.5 μm以上，且較佳為10 μm以下，更佳為3 μm以下。 就進一步抑制遷移而進一步提高絕緣可靠性之觀點而言，於上述硬化物100重量%中及上述半導體元件保護用材料100重量%中，(F)離子捕捉劑之含量較佳為0.1量%以上，更佳為0.3重量%以上，且較佳為3重量%以下，更佳為2重量%以下。 (其他成分) 上述半導體元件保護用材料亦可視需要包含：巴西棕櫚蠟等天然蠟、聚乙烯蠟等合成蠟、硬脂酸或硬脂酸鋅等高級脂肪酸及其金屬鹽類或石蠟等脫模劑；碳黑、鐵丹等著色劑；溴化環氧樹脂、三氧化銻、氫氧化鋁、氫氧化鎂、硼酸鋅、鉬酸鋅、磷腈等阻燃劑；氧化鉍水合物等無機離子交換體；聚矽氧油、聚矽氧橡膠等低應力化成分；及抗氧化劑等各種添加劑。 上述半導體元件保護用材料較佳為包含分散劑。作為分散劑之具體例，可列舉多羧酸鹽、烷基銨鹽、羥烷基銨鹽、磷酸酯鹽、丙烯酸系嵌段共聚物、及聚合物鹽等。 於上述硬化物100重量%中及上述半導體元件保護用材料100重量%中，分散劑之含量較佳為0.1重量%以上，更佳為0.2重量%以上，且較佳為2重量%以下，更佳為1重量%以下。 (半導體元件保護用材料之其他詳細內容及半導體裝置) 上述半導體元件保護用材料係為了保護半導體元件而塗佈於上述半導體元件之表面上使用。上述半導體元件保護用材料與配置於半導體元件與其他連接對象構件之間、形成將上述半導體元件與上述其他連接對象構件以不剝離之方式接著及固定之硬化物者不同。上述半導體元件保護用材料較佳為被覆半導體元件之表面之被覆材料。上述半導體元件保護用材料較佳為不塗佈於半導體元件之側面上。上述半導體元件保護用材料較佳為與用以對上述半導體元件進行密封之材料不同，較佳為並非用以對上述半導體元件進行密封之密封劑。上述半導體元件保護用材料較佳為並非底部填充材。上述半導體元件於第2表面側具有第1電極，上述半導體元件保護用材料較佳為塗佈於上述半導體元件之與上述第2表面側相反之第1表面上而使用。上述半導體元件保護用材料於半導體裝置中，可較佳地用於為了保護半導體元件而於上述半導體元件之表面上形成硬化物。上述半導體元件保護用材料可較佳地用於為了保護半導體元件而於上述半導體元件之表面上形成硬化物，且可較佳地用於將保護膜配置於上述硬化物之與上述半導體元件側相反之表面上而獲得半導體裝置。於上述半導體裝置中，上述硬化物之導電率較佳為50 μS/cm以下。 作為塗佈上述半導體元件保護用材料之方法，可列舉利用分注器之塗佈方法、利用網版印刷之塗佈方法、及利用噴墨裝置之塗佈方法等。上述半導體元件保護用材料較佳為藉由利用分注器、網版印刷、真空網版印刷或噴墨裝置之塗佈方法進行塗佈後使用。就容易塗佈且於硬化物中更不易產生孔隙之觀點而言，上述半導體元件保護用材料較佳為藉由分注器進行塗佈後使用。 本發明之半導體裝置具備半導體元件、及配置於上述半導體元件之第1表面上之硬化物。於本發明之半導體裝置中，上述硬化物係藉由使上述半導體元件保護用材料硬化而形成。 上述半導體元件保護用材料較佳為用於為了保護半導體元件而於上述半導體元件之表面上形成硬化物，且於上述硬化物之與上述半導體元件側相反之表面上配置保護膜而獲得半導體裝置，或者用於獲得為了保護半導體元件而於上述半導體元件之表面上形成硬化物、且上述硬化物之與上述半導體元件側相反之表面露出之半導體裝置。就更有效地發揮本發明之效果之方面而言，上述半導體元件保護用材料較佳為驅動器IC晶片之保護用材料。 圖1係表示使用本發明之第1實施形態之半導體元件保護用材料之半導體裝置的局部缺口前視剖面圖。 圖1所示之半導體裝置1具備半導體元件2、及配置於半導體元件2之第1表面2a上之硬化物3。硬化物3係藉由使上述半導體元件保護用材料硬化而形成。硬化物3係配置於半導體元件2之第1表面2a上之一部分區域中。 半導體元件2於與第1表面2a側相反之第2表面2b側具有第1電極2A。半導體裝置1進而具備連接對象構件4。連接對象構件4於表面4a具有第2電極4A。半導體元件2與連接對象構件4係經由其他硬化物5(連接部)而接著及固定。半導體元件2係封裝於連接對象構件4上。半導體元件2之第1電極2A與連接對象構件4之第2電極4A對向，且係藉由導電性粒子6而電性連接。亦可藉由第1電極2A與第2電極4A接觸而電性連接。硬化物3係配置於半導體元件2之與配置有第1電極2A之側相反之第1表面2a上。硬化物3係配置於半導體元件2之與連接對象構件4側相反之第1表面2a上。 於硬化物3之與半導體元件2側相反之表面上配置有保護膜7。藉此，不僅可藉由硬化物3而提高散熱性及半導體元件之保護性，而且亦可藉由保護膜7而進一步提高半導體元件之保護性。由於硬化物3係具有上述組成而獲得，故而可抑制硬化物3對保護膜7之貼附。 作為上述連接對象構件，可列舉玻璃基板、玻璃環氧基板及軟性印刷基板等。作為上述軟性印刷基板，可列舉聚醯亞胺基板等樹脂基板等。就更有效地發揮本發明之效果之方面而言，上述連接對象構件較佳為基板，較佳為軟性印刷基板，較佳為樹脂基板，更佳為聚醯亞胺基板。 於半導體元件之表面上，半導體元件保護用材料之硬化物之厚度較佳為400 μm以上，更佳為500 μm以上，且較佳為2000 μm以下，更佳為1900 μm以下。半導體元件保護用材料之硬化物之厚度亦可薄於半導體元件之厚度。 圖2係表示使用本發明之第2實施形態之半導體元件保護用材料之半導體裝置的局部缺口前視剖面圖。 圖2所示之半導體裝置1X具備半導體元件2、及配置於半導體元件2之第1表面2a上之硬化物3X。硬化物3X係藉由使上述半導體元件保護用材料硬化而形成。硬化物3X係配置於半導體元件2之第1表面2a上之整個區域中。於硬化物3X之與半導體元件2側相反之表面上並未配置保護膜。硬化物3X之與半導體元件2側相反之表面露出。 於上述半導體裝置中，較佳為於上述硬化物之與上述半導體元件側相反之表面上配置有保護膜，或上述硬化物之與上述半導體元件側相反之表面露出。 再者，圖1、2所示之結構僅為半導體裝置之一例，半導體元件保護用材料之硬化物之配置結構等可適當變化。 半導體元件保護用材料之硬化物之導熱率並無特別限定，較佳為超過1.1 W/m・K，更佳為1.5 W/m・K以上，進而較佳為1.8 W/m・K以上。 以下，藉由列舉本發明之具體之實施例及比較例而明確本發明。再者，本發明並不限定於以下之實施例。 使用以下材料。 (A1)環氧化合物 EX-821(n＝4)((A11)可撓性環氧化合物，Nagase chemteX公司製造，聚乙二醇二縮水甘油醚，環氧當量：185) EX-830(n＝9)((A11)可撓性環氧化合物，Nagase chemteX公司製造，聚乙二醇二縮水甘油醚，環氧當量：268) EX-931(n＝11)((A11)可撓性環氧化合物，Nagase chemteX公司製造，聚丙二醇二縮水甘油醚，環氧當量：471) EX-861(n＝22)((A11)可撓性環氧化合物，Nagase chemteX公司製造，聚乙二醇二縮水甘油醚，環氧當量：551) PB3600(大賽璐公司製造，聚丁二烯改性環氧樹脂，環氧當量：200) jER828((A12)環氧化合物，三菱化學公司製造，雙酚A型環氧樹脂，環氧當量：188) jER834((A12)環氧化合物，三菱化學公司製造，雙酚A型環氧樹脂，軟化點：30℃，環氧當量：255) (A2)聚矽氧化合物 [作為聚矽氧化合物之聚合物A之合成] 向具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中，加入二甲基二甲氧基矽烷164.1 g、甲基苯基二甲氧基矽烷20.1 g及1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷4.7 g，並於50℃下進行攪拌。向其中緩慢滴加將氫氧化鉀2.2 g溶解於水35.1 g中而成之溶液，滴加後於50℃下攪拌6小時，使其反應而獲得反應液。繼而，進行減壓而將揮發成分去除，向反應液中添加乙酸2.4 g，並於減壓下進行加熱。其後，藉由過濾將乙酸鉀去除，獲得聚合物A。 所獲得之聚合物A之數量平均分子量為15000。藉由29 Si-NMR(Nuclear Magnetic Resonance，核磁共振)對化學結構進行鑑定，結果聚合物A具有下述平均組成式。 (Me2 SiO2/2 )0.85 (PhMeSiO2/2 )0.10 (ViMe2 SiO1/2 )0.05 上述式中，Me表示甲基，Vi表示乙烯基，Ph表示苯基。所獲得之聚合物A之苯基及甲基之含有比率為97.6莫耳%，乙烯基之含有比率為2.4莫耳%。 再者，各聚合物之分子量係向10 mg中添加四氫呋喃1 mL，攪拌直至溶解，並藉由GPC(Gel Permeation Chromatograph，凝膠滲透層析)測定而測定。GPC測定中，使用Waters公司製造之測定裝置(管柱：昭和電工公司製造 之Shodex GPC LF-804(長度300 mm)×2根，測定溫度：40℃，流速：1 mL/min，溶劑：四氫呋喃，標準物質：聚苯乙烯)。 [作為聚矽氧化合物之聚合物B～D之合成] 改變用於合成之有機矽化合物之種類及調配量，除此以外，以與聚合物A之合成相同之方式獲得聚合物B～D。 聚合物B： (SiO4/2 )0.20 (ViMe2 SiO1/2 )0.40 (Me3 SiO1/2 )0.40 數量平均分子量 2000 苯基及甲基之含有比率為83.3莫耳%，乙烯基之含有比率為16.7莫耳% 聚合物C： (MeSiO3/2 )0.20 (PhMeSiO2/2 )0.70 (ViMe2 SiO1/2 )0.10 數量平均分子量 4000 苯基及甲基之含有比率為94.7莫耳%，乙烯基之含有比率為5.3莫耳% 聚合物D： (PhSiO3/2 )0.80 (ViMe2 SiO1/2 )0.20 數量平均分子量 1700 苯基及甲基之含有比率為85.7莫耳%，乙烯基之含有比率為14.3莫耳% [作為聚矽氧化合物之聚合物E之合成] 向具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中，加入二苯基二甲氧基矽烷80.6 g、及1,1,3,3-四甲基二矽氧烷45 g，並於50℃下進行攪拌。向其中緩慢滴加乙酸100 g與水27 g之溶液，滴加後於50℃下攪拌6小時，使其反應而獲得反應液。繼而，進行減壓將揮發成分去除而獲得聚合物。向所獲得之聚合物中添加己烷150 g與乙酸乙酯150 g，並利用離子交換水300 g進行10次洗淨，進行減壓將揮發成分去除而獲得聚合物E。 所獲得之聚合物E之數量平均分子量為850。藉由29 Si-NMR對化學結構進行鑑定，結果聚合物E具有下述平均組成式。 (Ph2 SiO2/2 )0.67 (HMe2 SiO1/2 )0.33 上述式中，Me表示甲基，Ph表示苯基。所獲得之聚合物E之苯基及甲基之含有比率為74.9莫耳%，鍵結於矽原子之氫原子之含有比率為25.1%。 [作為聚矽氧化合物之聚合物F之合成] 於聚合物E之合成中，將利用離子交換水之洗淨變更為1次，除此以外，以相同之方式獲得聚合物F。 [作為聚矽氧化合物之聚合物G之合成] 向具備溫度計、滴液裝置及攪拌機之1000 mL之可分離式燒瓶中，加入二甲基二甲氧基矽烷80.6 g、及1,1,3,3-四甲基二矽氧烷45 g，並於50℃下進行攪拌。向其中緩慢滴加乙酸100 g與水27 g之溶液，滴加後於50℃下攪拌6小時，使其反應而獲得反應液。繼而，向所獲得之反應液中添加己烷150 g與乙酸乙酯150 g，並利用離子交換水300 g進行10次洗淨，藉由分液將溶劑成分去除而獲得聚合物G。 所獲得之聚合物G之數量平均分子量為350。藉由29 Si-NMR對化學結構進行鑑定，結果聚合物G具有下述平均組成式。 (Me2 SiO2/2 )0.50 (HMe2 SiO1/2 )0.50 上述式中，Me表示甲基。所獲得之聚合物G之苯基及甲基之含有比率為80莫耳%，鍵結於矽原子之氫原子之含有比率為20%。 (B)硬化劑或硬化觸媒 Fujicure 7000(富士化成公司製造，23℃下為液狀，胺化合物) MEH-8005(明和化成公司製造，23℃下為液狀，烯丙基苯酚酚醛清漆化合物) TD-2131(DIC公司製造，23℃下為固體狀，苯酚酚醛清漆化合物) 鉑之1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷錯合物 (D)硬化促進劑 SA-102(SAN-APRO公司製造，DBU辛酸鹽) (C)導熱率為10 W/m・K以上之無機填料 FAN-f05(古河電子公司製造，氮化鋁，導熱率：100 W/m・K，球狀，平均粒徑：6 μm) FAN-f50(古河電子公司製造，氮化鋁，導熱率：100 W/m・K，球狀，平均粒徑：30 μm) CB-P05(昭和電工公司製造，氧化鋁，導熱率：20 W/m・K，球狀，平均粒徑：4 μm) CB-P40(昭和電工公司製造，氧化鋁，導熱率：20 W/m・K，球狀，平均粒徑：44 μm) SSC-A15(信濃電氣精煉公司製造，碳化矽，導熱率：100 W/m・K，球狀，平均粒徑：19 μm) SSC-A30(信濃電氣精煉公司製造，碳化矽，導熱率：100 W/m・K，球狀，平均粒徑：34 μm) (C')其他無機填料 HS-306(Micron公司製造，氧化矽，導熱率：2 W/m・K，球狀，平均粒徑：2.5 μm) HS-304(Micron公司製造，氧化矽，導熱率：2 W/m・K，球狀，平均粒徑：25 μm) (E)偶合劑 KBM-403(信越化學工業公司製造，3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷，100℃下之重量減少：超過10重量%) A-LINK599(momentive公司製造，3-辛醯基硫基-1-丙基三乙氧基矽烷，100℃下之重量減少：10重量%以下) TOG(IPA截止)(日本曹達公司製造，異丙氧基辛二醇鈦，100℃下之重量減少：10重量%以下) AL-M(Ajinomoto Fine-Techno公司製造，乙醯烷氧基鋁二異丙酯，100℃下之重量減少：10重量%以下) (其他成分) BYK-9076(BYK公司製造，分散劑) (F)離子捕捉劑 IXE-300(東亞合成公司製造，氧化銻系離子捕捉劑) IXE-600(東亞合成公司製造，氧化銻・氧化鉍系離子捕捉劑) DHT-4A(協和化學工業公司製造，鋁碳酸鎂系離子捕捉劑) (實施例1) 將EX-821(n＝4)6.5重量份、jER828 2.5重量份、Fujicure 7000 5重量份、SA-102 0.5重量份、CB-P05 42.5重量份、CB-P40 42.5重量份、及BYK-9076 0.5重量份混合，並進行消泡而獲得半導體元件保護用材料。 (實施例2～22及比較例1,2) 如下述表1～4所示般變更調配成分之種類及調配量，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得半導體元件保護用材料。 (評價) (1)25℃下之黏度之測定 使用B型黏度計(東機產業公司製造之「TVB-10型」)測定半導體元件保護用材料之25℃下之10 rpm時之黏度(Pa・s)。 (2)(X)三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物之含量 於所獲得之半導體元件保護用材料中，使用氣相層析質譜分析裝置(GC-MS)(島津製作所公司製造之「QP2010SE」)對(X)三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物之含量進行評價。 (3)(Y)水之含量 於所獲得之半導體元件保護用材料中，依據JIS K7215使用卡氏水分計(京都電子工業公司製造之「MKV-710B」)對(Y)水之含量進行評價。 (4)導電率 使半導體元件保護用材料於150℃下硬化2小時而獲得硬化物。將所獲得之硬化物粉碎成5 mm見方左右，向粉碎物2.5 g中添加離子交換水25 mL，於PCT(121℃±2℃/濕度100%/2 atm之槽)中放置20 Hr。其後，獲得冷卻至室溫而得之萃取液作為試驗液。使用導度計(東亞電波工業公司製造之電導計「CM-42X」)測定該試驗液之導電率。 (5)導熱率 將所獲得之半導體元件保護用材料於150℃下加熱2小時而使其硬化，獲得100 mm×100 mm×厚度50 μm之硬化物。將該硬化物作為評價樣本。 使用京都電子工業公司製造之導熱率計「迅速導熱率計QTM-500」測定所獲得之評價樣本之導熱率。再者，於導熱率為1.1 W/m・K以下之情形時，將導熱率判定為「×」。 (6)塗佈性 將所獲得之半導體元件保護用材料自分注器裝置(武藏高科技公司製造之「SHOTMASTER-300」)中以成為直徑5 mm、高度2 mm之方式直接噴出至聚醯亞胺膜上後，將半導體元件保護用材料於150℃下加熱2小時而使其硬化。根據硬化後之半導體元件保護用材料之形狀按下述基準對塗佈性進行判定。 [塗佈性之判定基準] ○：直徑5.3 mm以上，高度未達1.8 mm(具有流動性) △：直徑超過5 mm且未達5.3 mm，高度超過1.8 mm且未達2 mm(略微有流動性) ×：保持直徑5 mm、高度2 mm(無流動性) (7)有無孔隙 將底部填充劑(NAMICS公司製造，U8437-2)以成為寬度3 mm、長度18 mm之方式塗佈於聚醯亞胺膜上，載置寬度3 mm、長度18 mm、厚度0.3 mm之Si晶片，並於150℃下使其硬化1小時而準備試片。將所獲得之半導體元件保護用材料自分注器裝置(武藏高科技公司製造之「SHOTMASTER-300」)中以覆蓋整個Si晶片且成為寬度5 mm、長度21 mm、厚度0.9 mm之方式直接噴出至所準備之試片上後，將半導體元件保護用材料於150℃下加熱2小時而使其硬化。利用顯微鏡觀察硬化後之半導體元件保護用材料中之孔隙之有無並進行評價。 [有無孔隙之判定基準] ○：無孔隙 △：具有直徑未達100 μm之無法目測之孔隙 △△：具有直徑100 μm以上且未達150 μm之可目測之孔隙 ×：具有直徑150 μm以上之可目測之孔隙 (8)耐濕性 將所獲得之半導體元件保護用材料於150℃下加熱2小時而使其硬化，獲得100 mm×100 mm×厚度50 μm之硬化物。將該硬化物作為評價樣本。 使用DSM-8104(日置電機公司製造，數位超絕緣/微小電流計)、平板試樣用電極SME-8310(日置電機公司製造)對所獲得之評價樣本測定體積電阻率。 繼而，利用高度加速壽命試驗裝置EHS-211(ESPEC公司製造)進行高壓鍋試驗。於121℃、濕度100%RH及2 atm之條件下放置24小時，繼而於23℃及濕度50%RH之環境下放置24小時後，測定體積電阻率。計算高壓鍋試驗前後之體積電阻率之降低率，按下述基準對耐濕性進行判定。 [耐濕性之判定基準] ○：試驗前後之體積電阻率之降低率為10%以下 △：試驗前後之體積電阻率之降低率超過10%且為20%以下 ×：試驗前後之體積電阻率之降低率超過20% (9)接著力(晶片剪切強度) 以接著面積成為3 mm×3 mm之方式將半導體元件保護用材料塗佈於聚醯亞胺基板上，並載置3 mm見方之Si晶片而獲得測試樣本。 將所獲得之測試樣本於150℃下加熱2小時而使半導體元件保護用材料硬化。繼而，使用晶片剪切強度測試機(ARCTEC公司製造之「DAGE 4000」)以300 μm/秒之速度對25℃下之晶片剪切強度進行評價。 [晶片剪切強度之判定基準] ○：晶片剪切強度為10 N以上 △：晶片剪切強度為6 N以上且未達10 N △△：晶片剪切強度為5 N以上且未達6 N ×：晶片剪切強度未達5 N (10)黏性(保護膜之貼附性) 將所獲得之半導體元件保護用材料於150℃下加熱2小時而使其硬化，獲得100 mm×100 mm×厚度50 μm之硬化物。將該硬化物作為評價樣本。 將所獲得之評價樣本於23℃及濕度50%RH之環境下放置24小時。於放置24小時後，立刻使用黏性測試機TA-500(UBM公司製造)對評價樣本之表面之黏著性測定黏性。 [黏性之判定基準] ○：應力未達50 gf/cm2 △：應力為50 gf/cm2 以上且未達100 gf/cm2 ×：應力為100 gf/cm2 以上 (11)膜翹曲 將所獲得之半導體元件保護用材料自分注器裝置(武藏高科技公司製造之「SHOTMASTER-300」)中以成為縱20 mm、寬100 mm、高度10 mm之方式直接噴出至聚醯亞胺膜上後，將半導體元件保護用材料於150℃下加熱2小時而使其硬化。硬化後目測確認聚醯亞胺膜之翹曲，按下述基準對膜翹曲進行判定。 [膜翹曲之判定基準] ○：不存在聚醯亞胺膜之翹曲 △：略微產生聚醯亞胺膜之翹曲(使用上無問題) ×：產生聚醯亞胺膜之翹曲(使用上有問題) (12)耐熱性 將所獲得之半導體元件保護用材料於150℃下加熱2小時而使其硬化，獲得100 mm×100 mm×厚度50 μm之硬化物。將該硬化物作為評價樣本。 使用DSM-8104(日置電機公司製造，數位超絕緣/微小電流計)、平板試樣用電極SME-8310(日置電機公司製造)對所獲得之評價樣本進行體積電阻率之測定。 繼而，於180℃下放置100小時，繼而於23℃及濕度50%RH之環境下放置24小時後，測定體積電阻率。計算耐熱試驗前後之體積電阻率之降低率，按下述基準對耐熱性進行判定。 [耐熱性之判定基準] ○○：試驗前後之體積電阻率之降低率為5%以下 ○：試驗前後之體積電阻率之降低率超過5%且為10%以下 △：試驗前後之體積電阻率之降低率超過10%且為20%以下 ×：試驗前後之體積電阻率之降低率超過20% (13)絕緣可靠性 將熱硬化阻焊劑(日本Poly-tech公司製造之「NPR-3300」)以10 μm之膜厚塗佈於形成於基板(聚醯亞胺膜)上之梳齒型電極(材質：於銅上鍍錫，圖案間距：50 μm，L/S＝25 μm/25 μm)之上，並於150℃下加熱1小時而使其硬化，準備測試圖案。將半導體元件保護用材料塗佈於上述測試圖案上，並於150℃下加熱2小時而使其硬化，獲得試片。將加熱後之試片放入至85℃及濕度85%之槽(ESPEC公司製造之「SH641」)中，使用遷移測試機(IMV公司製造之「MIG-8600B」)於電極間施加40 V之直流電壓，測定電極間之電阻。按以下基準對絕緣可靠性進行判定。於為○、△或△△之判定基準之情形時，判斷絕緣可靠性合格，具有不妨礙實際使用之絕緣性保持性，絕緣可靠性優異。 [絕緣可靠性之判定基準] ○：電阻持續100小時以上為1×109 Ω以上，絕緣性非常良好 △：電阻持續100小時以上為1×108 Ω以上且未達1×109 Ω，絕緣性良好 △△：電阻於未達100小時之時間內降低至未達1×108 Ω，但持續50小時以上且未達100小時之1×108 Ω以上之電阻，絕緣性略微良好 ×：電阻於未達50小時之時間內降低至未達1×108 Ω，視為絕緣不良 (14)耐熱試驗後之膜翹曲 於上述(11)膜翹曲之評價後，將半導體元件保護用材料之硬化物與聚醯亞胺膜之積層體於180℃下放置100小時。於放置後，目測確認聚醯亞胺膜之翹曲，按下述基準對耐熱試驗後之膜翹曲進行判定。 [耐熱試驗後之膜翹曲之判定基準] ○：相對於耐熱試驗前之膜之翹曲量，耐熱試驗後之膜之翹曲量未達1.1倍 △：相對於耐熱試驗前之膜之翹曲量，耐熱試驗後之膜之翹曲量為1.1倍以上且未達1.2倍 ×：相對於耐熱試驗前之膜之翹曲量，耐熱試驗後之膜之翹曲量為1.2倍以上 將調配成分之詳細內容、組成及結果示於下述表1～4。 [表1] [表2] [表3] [表4] (實施例23) 於半導體元件保護用材料之製備中，進而添加IXE-300(東亞合成公司製造，氧化銻系離子捕捉劑)0.5重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得半導體元件保護用材料。 (實施例24) 於半導體元件保護用材料之製備中，進而添加IXE-600(東亞合成公司製造，氧化銻・氧化鉍系離子捕捉劑)0.5重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得半導體元件保護用材料。 (實施例25) 於半導體元件保護用材料之製備中，進而添加DHT-4A(協和化學工業公司製造，鋁碳酸鎂系離子捕捉劑)0.5重量份，除此以外，以與實施例1相同之方式獲得半導體元件保護用材料。 (實施例26) 於半導體元件保護用材料之製備中，進而添加IXE-300(東亞合成公司製造，氧化銻系離子捕捉劑)0.5重量份，除此以外，以與實施例18相同之方式獲得半導體元件保護用材料。 (實施例27) 於半導體元件保護用材料之製備中，進而添加IXE-600(東亞合成公司製造，氧化銻・氧化鉍系離子捕捉劑)0.5重量份，除此以外，以與實施例18相同之方式獲得半導體元件保護用材料。 (實施例28) 於半導體元件保護用材料之製備中，進而添加DHT-4A(協和化學工業公司製造，鋁碳酸鎂系離子捕捉劑)0.5重量份，除此以外，以與實施例18相同之方式獲得半導體元件保護用材料。 (實施例29) 於半導體元件保護用材料之製備中，進而添加IXE-600(東亞合成公司製造，氧化銻・氧化鉍系離子捕捉劑)0.5重量份，除此以外，以與實施例19相同之方式獲得半導體元件保護用材料。 (實施例30) 於半導體元件保護用材料之製備中，進而添加IXE-600(東亞合成公司製造，氧化銻・氧化鉍系離子捕捉劑)0.5重量份，除此以外，以與實施例20相同之方式獲得半導體元件保護用材料。 (實施例31) 於半導體元件保護用材料之製備中，進而添加IXE-600(東亞合成公司製造，氧化銻・氧化鉍系離子捕捉劑)0.5重量份，除此以外，以與實施例21相同之方式獲得半導體元件保護用材料。 (評價) 關於實施例23～31，實施上述(13)絕緣可靠性之評價。 結果，實施例23～31之絕緣可靠性之結果均為「○」。 又，實施例1及實施例23～25之絕緣可靠性之結果為「○」，但關於100小時後之電壓施加時之電阻，實施例23～25高於實施例1，實施例23～25之絕緣可靠性較實施例1優異。又，實施例20及實施例30之絕緣可靠性之結果為「○」，但關於100小時後之電壓施加時之電阻，實施例30高於實施例20，實施例30之絕緣可靠性較實施例20優異。又，實施例21及實施例31之絕緣可靠性之結果為「○」，但關於100小時後之電壓施加時之電阻，實施例31高於實施例21，實施例31之絕緣可靠性較實施例21優異。 再者，關於實施例23～31，實施例1～22及比較例1、2中所進行之其他評價項目亦獲得了良好之結果。又，使用(A2)聚矽氧化合物之實施例19～21之耐熱試驗後之膜翹曲之結果中之翹曲量之增加比率小於使用(A1)環氧化合物之實施例1～17之耐熱試驗後之膜翹曲之結果中之翹曲量之增加比率。
1、1X‧‧‧半導體裝置
2‧‧‧半導體元件
2a‧‧‧第1表面
2b‧‧‧第2表面
2A‧‧‧第1電極
3、3X‧‧‧硬化物
4‧‧‧連接對象構件
4a‧‧‧表面
4A‧‧‧第2電極
5‧‧‧其他硬化物
6‧‧‧導電性粒子
7‧‧‧保護膜
圖1係表示使用本發明之第1實施形態之半導體元件保護用材料之半導體裝置的局部缺口前視剖面圖。 圖2係表示使用本發明之第2實施形態之半導體元件保護用材料之半導體裝置的局部缺口前視剖面圖。
無

Claims (20)

  1. 一種半導體裝置，其具備： 半導體元件；及 硬化物，其係配置於上述半導體元件之第1表面上；且 上述硬化物係半導體元件保護用材料之硬化物， 上述半導體元件保護用材料包含熱硬化性化合物、硬化劑或硬化觸媒、及導熱率為10 W/m・K以上之無機填料， 上述半導體元件保護用材料不含三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，或包含500 ppm以下之三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物， 上述硬化物中之上述無機填料之含量為60重量%以上、92重量%以下， 上述硬化物之導電率為50 μS/cm以下。
  2. 如請求項1之半導體裝置，其中上述熱硬化性化合物包含環氧化合物或聚矽氧化合物。
  3. 如請求項2之半導體裝置，其中上述熱硬化性化合物包含聚矽氧化合物。
  4. 如請求項1至3中任一項之半導體裝置，其中上述硬化劑為烯丙基苯酚酚醛清漆化合物。
  5. 如請求項1至3中任一項之半導體裝置，其中上述熱硬化性化合物包含可撓性環氧化合物。
  6. 如請求項5之半導體裝置，其中上述熱硬化性化合物包含上述可撓性環氧化合物、及與可撓性環氧化合物不同之環氧化合物。
  7. 如請求項5之半導體裝置，其中上述半導體元件保護用材料所包含之上述可撓性環氧化合物係具有將伸烷基二醇基重複9個以上而成之結構單元之聚伸烷基二醇二縮水甘油醚。
  8. 如請求項1至3中任一項之半導體裝置，其具備連接對象構件，且 將上述半導體元件自與上述第1表面相反之第2表面側而封裝於上述連接對象構件上。
  9. 如請求項1至3中任一項之半導體裝置，其具備表面具有第2電極之連接對象構件，且 上述半導體元件於與上述第1表面側相反之第2表面側具有第1電極，上述半導體元件之第1電極與表面具有上述第2電極之上述連接對象構件中之上述第2電極電性連接。
  10. 如請求項1至3中任一項之半導體裝置，其中於上述硬化物之與上述半導體元件側相反之表面上配置有保護膜，或上述硬化物之與上述半導體元件側相反之表面露出。
  11. 一種半導體元件保護用材料，其係用於為了保護半導體元件而塗佈於上述半導體元件之表面上，於上述半導體元件之表面上形成硬化物者，且 其與配置於半導體元件與其他連接對象構件之間、形成將上述半導體元件與上述其他連接對象構件以不剝離之方式接著及固定之硬化物者不同， 包含熱硬化性化合物、硬化劑或硬化觸媒、及導熱率為10 W/m・K以上之無機填料， 不含三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，或包含500 ppm以下之三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，且 上述無機填料之含量為60重量%以上、92重量%以下， 於在150℃下加熱2小時而獲得硬化物時，上述硬化物之導電率為50 μS/cm以下。
  12. 一種半導體元件保護用材料，其係用於為了保護封裝於連接對象構件上之半導體元件而塗佈於上述半導體元件之與上述連接對象構件側相反之表面上，於上述半導體元件之與上述連接對象構件側相反之表面上形成硬化物者，且 包含熱硬化性化合物、硬化劑或硬化觸媒、及導熱率為10 W/m・K以上之無機填料， 不含三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，或包含500 ppm以下之三聚物至十聚物之環狀矽氧烷化合物，且 上述無機填料之含量為60重量%以上、92重量%以下， 於在150℃下加熱2小時而獲得硬化物時，上述硬化物之導電率為50 μS/cm以下。
  13. 如請求項11或12之半導體元件保護用材料，其中上述熱硬化性化合物包含環氧化合物或聚矽氧化合物。
  14. 如請求項13之半導體元件保護用材料，其中上述熱硬化性化合物包含聚矽氧化合物。
  15. 如請求項11或12之半導體元件保護用材料，其中上述硬化劑為烯丙基苯酚酚醛清漆化合物。
  16. 如請求項11或12之半導體元件保護用材料，其中上述熱硬化性化合物包含可撓性環氧化合物。
  17. 如請求項16之半導體元件保護用材料，其中上述熱硬化性化合物包含上述可撓性環氧化合物、及與可撓性環氧化合物不同之環氧化合物。
  18. 如請求項16之半導體元件保護用材料，其中半導體元件保護用材料所包含之上述可撓性環氧化合物係具有將伸烷基二醇基重複9個以上而成之結構單元之聚伸烷基二醇二縮水甘油醚。
  19. 如請求項11或12之半導體元件保護用材料，其不含水或包含1000 ppm以下之水。
  20. 如請求項11或12之半導體元件保護用材料，其係用於為了保護半導體元件而於上述半導體元件之表面上形成硬化物，且於上述硬化物之與上述半導體元件側相反之表面上配置保護膜而獲得半導體裝置，或者用於獲得為了保護半導體元件而於上述半導體元件之表面上形成硬化物、且上述硬化物之與上述半導體元件側相反之表面露出之半導體裝置。
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