JP2018056595A - 半導体装置及び半導体素子保護用材料 - Google Patents

Abstract

【課題】硬化物の放熱性に優れ、硬化物のボイドが少なく、硬化物の絶縁信頼性に優れており、半導体素子を良好に保護することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子の第１の表面上に配置された硬化物とを備え、前記硬化物を得るための半導体素子保護用材料は、熱硬化性化合物と、硬化剤又は硬化触媒と、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーとを含み、三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を含まないか、又は三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を５００ｐｐｍ以下で含み、前記硬化物における前記無機フィラーの含有量が６０重量％以上、９２重量％以下であり、前記硬化物の電気伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下である。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体素子保護用材料を用いた半導体装置に関する。また、本発明は、半導体素子を保護するために、上記半導体素子の表面上に塗布して用いられる半導体素子保護用材料に関する。

半導体装置の高性能化が進行している。これに伴って、半導体装置から発せられる熱を放散させる必要が高まっている。また、半導体装置では、半導体素子の電極は、例えば、電極を表面に有する他の接続対象部材における電極と電気的に接続されている。

半導体装置では、例えば、半導体素子と他の接続対象部材との間にエポキシ樹脂組成物を配置した後、該エポキシ樹脂組成物を硬化させることにより、半導体素子と他の接続対象部材とが接着及び固定されている。なお、半導体素子と他の接続対象部材との間に配置される上記エポキシ樹脂組成物の硬化物は、半導体素子の表面を保護するための材料とは異なる。

また、半導体装置では、半導体素子を封止するために、エポキシ樹脂組成物が用いられることがある。

上記のようなエポキシ樹脂組成物が、例えば、下記の特許文献１〜５に開示されている。

下記の特許文献１には、エポキシ樹脂と、フェノール系硬化剤と、トリス（２，６−ジメトキシフェニル）ホスフィン又はトリス（２，４，６−トリメトキシフェニル）ホスフィンである硬化促進剤と、アルミナとを含むエポキシ樹脂組成物が開示されている。特許文献１の実施例では、粉体であるエポキシ樹脂組成物が記載されている。上記エポキシ樹脂組成物の用途に関して、特許文献１では、ＩＣ、ＬＳＩ、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等の半導体装置の封止用、プリント回路板の製造などに好適に使用されることが記載されている。

下記の特許文献２には、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂硬化剤と、硬化促進剤と、無機充填剤とを含む封止用エポキシ樹脂組成物が開示されている。特許文献２の実施例では、粉体である封止用エポキシ樹脂組成物が記載されている。上記エポキシ樹脂組成物の用途に関して、特許文献２では、一般成形材料として使用することができることが記載され、更に半導体装置の封止材に用いられ、特に、薄型、多ピン、ロングワイヤ、狭パッドピッチ、または、有機基板もしくは有機フィルム等の実装基板上に半導体チップが配置された、半導体装置の封止材に好適に用いられることが記載されている。

下記の特許文献３には、ビスフェノールＦ型液状エポキシ樹脂と、硬化剤と、無機質充填剤とを含むエポキシ樹脂組成物が開示されている。特許文献３の実施例では、固体であるエポキシ樹脂組成物（溶融粘度が７５℃以上）が記載されている。上記エポキシ樹脂組成物の用途に関して、特許文献３には、一般成形材料として使用することもできるが、半導体装置、例えばＴＱＦＰ、ＴＳＯＰ、ＱＦＰなどの多ピン薄型パッケージ、特にマトリックスフレームを使用した半導体装置の封止材として好適に用いられることが記載されている。

下記の特許文献４には、エポキシ樹脂と、フェノール樹脂硬化剤と、高熱伝導性充填剤と、無機質充填剤とを含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物が開示されている。特許文献４の実施例では、粉体である半導体封止用エポキシ樹脂組成物が記載されている。上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物の用途に関して、特許文献４では、半導体素子等の電子部品の封止材料として使用されることが記載されている。

また、下記の特許文献５には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂と、骨格内に可撓性を有するエポキシ樹脂とを含む第１剤と、酸無水物化合物と硬化促進剤とを含む第２剤とを有する２液タイプのエポキシ樹脂組成物が開示されている。特許文献５では、２液タイプのエポキシ樹脂組成物の用途に関しては、ケース内充填材として有用であることが記載されている。

特開平５−８６１６９号公報 特開２００７−２１７４６９号公報 特開平１０−１７６１００号公報 特開２００５−２００５３３号公報 特開２０１４−４０５３８号公報

特許文献１〜４では、具体的には、粉体又は固体であるエポキシ樹脂組成物が開示されている。このような粉体又は固体であるエポキシ樹脂組成物は、塗布性が低く、所定の領域に精度よく配置することが困難である。

また、従来のエポキシ樹脂組成物の硬化物では、放熱性が低いことがある。さらに、従来のエポキシ樹脂組成物の硬化物では、ボイドが生じることがある。ボイドが生じると、硬化物の剥離が生じることがある。

また、特許文献１〜４では、エポキシ樹脂組成物の具体的な用途として、主に、封止用途が記載されている。特許文献５では、エポキシ樹脂組成物の具体的な用途として、主に、ケース内充填材用途が記載されている。一方で、半導体装置においては、半導体素子を封止しなくても、半導体素子を充分に保護することが望ましい。また、特許文献１〜５に記載のエポキシ樹脂組成物は、一般に、半導体素子を保護するために、該半導体素子の表面上に塗布して用いられていない。

また、近年、装置の薄さや意匠性の観点からＩＣドライバを減少させることが求められている。ＩＣドライバを少なくすると、半導体素子にかかる負担が増大し、更にかなりの熱を帯びやすくなる。従来の硬化物では、放熱性が低いため、放熱性の高い硬化物が求められている。

本発明の目的は、硬化物の放熱性に優れ、硬化物のボイドが少なく、硬化物の絶縁信頼性に優れており、半導体素子を良好に保護することができる半導体装置を提供することである。

また、本発明は、半導体装置において、半導体素子を保護するために、該半導体素子の表面上に塗布して、上記半導体素子の表面上に硬化物を形成するために用いられる半導体素子保護用材料を提供することを目的とする。

さらに、本発明の目的は、上記の用途において、放熱性に優れ、ボイドが少なく、絶縁信頼性に優れている硬化物を得ることができ、半導体素子を良好に保護することができる半導体素子保護用材料を提供することである。

本発明の広い局面では、半導体素子と、前記半導体素子の第１の表面上に配置された硬化物とを備え、前記硬化物が、半導体素子保護用材料の硬化物であり、前記半導体素子保護用材料が、熱硬化性化合物と、硬化剤又は硬化触媒と、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーとを含み、前記半導体素子保護用材料が、三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を含まないか、又は三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を５００ｐｐｍ以下で含み、前記硬化物における前記無機フィラーの含有量が６０重量％以上、９２重量％以下であり、前記硬化物の電気伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下である、半導体装置が提供される。

本発明の広い局面では、半導体素子を保護するために、前記半導体素子の表面上に塗布して、前記半導体素子の表面上に硬化物を形成するために用いられる半導体素子保護用材料であり、半導体素子と他の接続対象部材との間に配置されて、前記半導体素子と前記他の接続対象部材とを剥離しないように接着及び固定する硬化物を形成するものとは異なり、熱硬化性化合物と、硬化剤又は硬化触媒と、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーとを含み、三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を含まないか、又は三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を５００ｐｐｍ以下で含み、前記無機フィラーの含有量が６０重量％以上、９２重量％以下であり、１５０℃で２時間加熱して硬化物を得たときに、前記硬化物の電気伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下である、半導体素子保護用材料が提供される。

本発明の広い局面では、接続対象部材上に実装された半導体素子を保護するために、前記半導体素子の前記接続対象部材側とは反対の表面上に塗布して、前記半導体素子の前記接続対象部材側とは反対の表面上に硬化物を形成するために用いられる半導体素子保護用材料であり、熱硬化性化合物と、硬化剤又は硬化触媒と、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーとを含み、三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を含まないか、又は三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を５００ｐｐｍ以下で含み、前記無機フィラーの含有量が６０重量％以上、９２重量％以下であり、１５０℃で２時間加熱して硬化物を得たときに、前記硬化物の電気伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下である、半導体素子保護用材料が提供される。

本発明に係る半導体装置及び半導体素子保護用材料のある特定の局面では、前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物又はシリコーン化合物を含む。

本発明に係る半導体装置及び半導体素子保護用材料のある特定の局面では、前記熱硬化性化合物がシリコーン化合物を含む。

本発明に係る半導体装置及び半導体素子保護用材料のある特定の局面では、前記硬化剤がアリルフェノールノボラック化合物である。

本発明に係る半導体装置及び半導体素子保護用材料のある特定の局面では、前記熱硬化性化合物が、可撓性エポキシ化合物を含む。

本発明に係る半導体装置及び半導体素子保護用材料のある特定の局面では、前記熱硬化性化合物が、前記可撓性エポキシ化合物と、可撓性エポキシ化合物とは異なるエポキシ化合物とを含む。

本発明に係る半導体装置及び半導体素子保護用材料のある特定の局面では、前記半導体素子保護用材料に含まれる前記可撓性エポキシ化合物が、アルキレングリコール基が９以上繰り返された構造単位を有するポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルである。

本発明に係る半導体素子保護用材料のある特定の局面では、前記半導体素子保護用材料は、水を含まないか、又は水を１０００ｐｐｍ以下で含む。

本発明に係る半導体装置のある特定の局面では、前記半導体装置は、接続対象部材を備え、前記接続対象部材上に、前記半導体素子が前記第１の表面とは反対の第２の表面側から実装されている。

本発明に係る半導体装置のある特定の局面では、前記半導体装置は、第２の電極を表面に有する接続対象部材を備え、前記半導体素子が、前記第１の表面側とは反対の第２の表面側に第１の電極を有し、前記半導体素子の第１の電極が、第２の電極を表面に有する接続対象部材における前記第２の電極と電気的に接続されている。

本発明に係る半導体装置のある特定の局面では、前記硬化物の前記半導体素子側とは反対の表面上に、保護フィルムが配置されているか、又は、前記硬化物の前記半導体素子側とは反対の表面が露出している。

本発明に係る半導体素子保護用材料は、半導体素子を保護するために、前記半導体素子の表面上に硬化物を形成し、かつ前記硬化物の前記半導体素子側とは反対の表面上に保護フィルムを配置して、半導体装置を得るために用いられるか、又は、半導体素子を保護するために、前記半導体素子の表面上に硬化物を形成し、かつ前記硬化物の前記半導体素子側とは反対の表面が露出している半導体装置を得るために用いられる。

本発明に係る半導体素子装置は、半導体素子と、上記半導体素子の第１の表面上に配置された硬化物とを備え、上記硬化物が、半導体素子保護用材料の硬化物であり、上記半導体素子保護用材料が、熱硬化性化合物と、硬化剤又は硬化触媒と、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーとを含み、上記半導体素子保護用材料が、三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を含まないか、又は三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を５００ｐｐｍ以下で含み、上記硬化物における上記無機フィラーの含有量が６０重量％以上、９２重量％以下であり、上記硬化物の電気伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下であるので、硬化物の放熱性に優れ、硬化物のボイドが少なく、硬化物の絶縁信頼性に優れており、半導体素子を良好に保護することができる。

本発明に係る半導体素子保護用材料は、熱硬化性化合物と、硬化剤又は硬化触媒と、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーとを含み、三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を含まないか、又は三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を５００ｐｐｍ以下で含み、水を含まないか、又は水を１０００ｐｐｍ以下で含み、上記無機フィラーの含有量が６０重量％以上、９２重量％以下であり、１５０℃で２時間加熱して硬化物を得たときに、上記硬化物の電気伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下であるので、放熱性に優れており、ボイドが少なく、絶縁信頼性に優れている硬化物を得ることができる。従って、本発明に係る半導体素子保護用材料を、半導体素子を保護するために、上記半導体素子の表面上に塗布し、硬化させることにより、上記半導体素子を良好に保護することができる。また、本発明に係る半導体素子保護用材料を、接続対象部材上に実装された半導体素子を保護するために、上記半導体素子の上記接続対象部材側とは反対の表面上に塗布して、硬化させることにより、上記半導体素子を良好に保護することができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体素子保護用材料を用いた半導体装置を示す部分切欠正面断面図である。 図２は、本発明の第２の実施形態に係る半導体素子保護用材料を用いた半導体装置を示す部分切欠正面断面図である。

以下、本発明を詳細に説明する。

本発明に係る半導体装置は、半導体素子と、硬化物とを備える。本発明に係る半導体装置では、上記硬化物は、上記半導体素子の第１の表面上に配置されている。本発明に係る半導体装置では、上記硬化物は、半導体素子保護用材料の硬化物である。

本発明に係る半導体素子保護用材料は、ある特定の局面では、半導体素子を保護するために、上記半導体素子の表面上に塗布して、上記半導体素子の表面上に硬化物を形成するために用いられる。本発明に係る半導体素子保護用材料は、半導体素子と他の接続対象部材との間に配置されて、上記半導体素子と上記他の接続対象部材とを剥離しないように接着及び固定する硬化物を形成するもの（材料）とは異なる。

また、本発明に係る半導体素子保護用材料は、ある特定の局面では、接続対象部材上に実装された半導体素子を保護するために、上記半導体素子の上記接続対象部材側とは反対の表面上に塗布して、上記半導体素子の表面上に硬化物を形成するために用いられる。

本発明に係る半導体装置に用いられる半導体素子保護用材料、及び、本発明に係る半導体素子保護用材料は、（Ａ）熱硬化性化合物と、（Ｂ）硬化剤又は硬化触媒（（Ｂ１）硬化剤又は（Ｂ２）硬化触媒）と、（Ｃ）熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーとを含む。本発明に係る半導体装置に用いられる半導体素子保護用材料、及び、本発明に係る半導体素子保護用材料は、例えば、半導体素子の表面上に塗布されるために、２３℃で液状であることが好ましく、２３℃で固体ではないことが好ましい。なお、液状には、粘稠なペーストも含まれる。

本発明に係る半導体装置に用いられる半導体素子保護用材料、及び、本発明に係る半導体素子保護用材料は、（Ｘ）三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を含まないか、又は（Ｘ）三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を５００ｐｐｍ以下で含む。本発明に係る半導体装置に用いられる半導体素子保護用材料、及び、本発明に係る半導体素子保護用材料における低分子量の（Ｘ）シロキサン化合物の含有量は少ない。本発明に係る半導体装置の硬化物１００重量％中、（Ｃ）熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーの含有量が６０重量％以上、９２重量％以下である。本発明に係る半導体装置に用いられる半導体素子保護用材料１００重量％中、Ｃ）熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーの含有量は好ましくは６０重量％以上、好ましくは９２重量％以下である。本発明に係る半導体素子保護用材料１００重量％中、（Ｃ）熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーの含有量が６０重量％以上、９２重量％以下である。

本発明に係る半導体装置の硬化物、及び、本発明に係る半導体素子保護用材料の硬化物の電気伝導度は５０μＳ／ｃｍ以下である。

上記半導体素子保護用材料は、半導体素子の表面上に塗布することができる。例えば、半導体素子の放熱性を高めたい部位の表面上に選択的に、精度よく、上記半導体素子保護用材料を塗布することができる。

本発明に係る半導体装置は、上述した構成を備えているので、硬化物の放熱性に優れている。このため、半導体素子の表面から硬化物を経由して、熱を充分に放散させることができる。このため、半導体装置の熱劣化を効果的に抑制することができる。

また、本発明に係る半導体素子保護用材料は、上述した構成を備えているので、硬化物の放熱性に優れている。このため、半導体素子の表面上に硬化物を配置することによって、半導体素子の表面から硬化物を経由して、熱を充分に放散させることができる。このため、半導体装置の熱劣化を効果的に抑制することができる。

さらに、本発明に係る半導体装置、及び、本発明に係る半導体素子保護用材料では、硬化物にボイドを生じ難くすることができ、半導体素子の表面から硬化物を剥離し難くすることができる。

さらに、本発明に係る半導体装置では、硬化物の絶縁信頼性に優れている。従って、上記半導体素子を良好に保護することができる。

また、本発明に係る半導体素子保護用材料では、絶縁信頼性に優れている硬化物を得ることができる。従って、本発明に係る半導体素子保護用材料を、半導体素子を保護するために、上記半導体素子の表面上に塗布し、硬化させることにより、上記半導体素子を良好に保護することができる。また、本発明に係る半導体素子保護用材料を、接続対象部材上に実装された半導体素子を保護するために、上記半導体素子の上記接続対象部材側とは反対の表面上に塗布して、硬化させることにより、上記半導体素子を良好に保護することができる。

絶縁信頼性を高める観点から、（Ｘ）三量体から十量体までの環状シロキサン化合物の含有量は多くても、５００ｐｐｍである。絶縁信頼性をより一層高める観点からは、（Ｘ）三量体から十量体までの環状シロキサン化合物の含有量は好ましくは２５０ｐｐｍ以下である。（Ｘ）三量体から十量体までの環状シロキサン化合物の含有量は少ないほどよい。

三量体から十量体までの環状シロキサン化合物とは、ヘキサメチルシクロトリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、ドデカメチルシクロヘキサシロキサン、テトラデカメチルシクロヘプタシロキサン、ヘキサデカメチルシクロオクタシロキサン、オクタデカメチルシクロノナシロキサン、エイコサメチルシクロデカシロキサンを意味する。

ボイドをより一層効果的に抑える観点から、本発明に係る半導体素子保護用材料は、（Ｙ）水を含まないか、又は（Ｙ）水を１０００ｐｐｍ以下で含むことが好ましい。ボイドを更に一層抑える観点からは、（Ｙ）水の含有量は好ましくは８００ｐｐｍ以下である。（Ｙ）水の含有量は少ないほどよい。

上記水の含有量は、カールフィッシャー水分計（京都電子工業社製「ＭＫＶ−７１０Ｂ」）を用いて測定される。

絶縁信頼性を高める観点から、本発明に係る半導体装置の上記硬化物の電気伝導度は５０μＳ／ｃｍ以下である。絶縁信頼性を高める観点から、本発明に係る半導体素子保護用材料を１５０℃で２時間加熱して硬化物を得たときに、上記硬化物の電気伝導度は５０μＳ／ｃｍ以下である。絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記硬化物の電気伝導度は好ましくは３０μＳ／ｃｍ以下である。上記硬化物の電気伝導度の下限は特に限定されない。

上記電気伝導度は、以下のようにして測定される。本発明に係る半導体装置では、上記半導体装置の硬化物を用意する。本発明に係る半導体装置保護用材料では、上記半導体素子保護用材料を１５０℃で２時間で硬化させて硬化物を得る。これらの硬化物を５ｍｍ角程度に粉砕し、粉砕物２．５ｇにイオン交換水２５ｍＬを加え、ＰＣＴ（１２１℃±２℃／湿度１００％／２ａｔｍの槽）で２０Ｈｒ置く。その後、室温（２５℃）まで冷却して得た抽出液を試験液として得る。この試験液の電気伝導度を伝導度計（東亜電波工業社製の電気伝導率計「ＣＭ−３０Ｇ」、「ＣＭ−４２Ｘ」等）を用いて測定する。

塗布性をより一層高める観点からは、上記半導体素子保護用材料の２５℃及び１０ｒｐｍでの粘度は、好ましくは４０Ｐａ・ｓ以上、より好ましくは５０Ｐａ・ｓ以上であり、好ましくは１４０Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは１３０Ｐａ・ｓ以下である。

上記粘度は、Ｂ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＢ−１０型」）を用いて測定される。

硬化性をより一層高める観点からは、上記半導体素子保護用材料は、（Ｂ１）硬化剤と、（Ｄ）硬化促進剤とを含むことが好ましい。

また、半導体素子保護用材料の半導体素子の表面に対する濡れ性を高め、硬化物の柔軟性をより一層高め、更に硬化物の耐湿性をより一層高める観点からは、上記半導体素子保護用材料は、（Ｅ）カップリング剤を含むことが好ましい。

硬化物の絶縁信頼性を効果的に高める観点からは、上記半導体素子保護用材料は、（Ｆ）イオン捕捉剤を含むことが好ましい。

以下、上記半導体素子保護用材料に用いることができる各成分の詳細を説明する。

（（Ａ）熱硬化性化合物）
（Ａ）熱硬化性化合物としては、オキセタン化合物、エポキシ化合物、エピスルフィド化合物、（メタ）アクリル化合物、フェノール化合物、アミノ化合物、不飽和ポリエステル化合物、ポリウレタン化合物、シリコーン化合物及びポリイミド化合物等が挙げられる。（Ａ）熱硬化性化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

本発明の効果を効果的に発揮し、耐熱性をより一層高くし、かつクラックをより一層生じ難くする観点からは、（Ａ）熱硬化性化合物は、（Ａ１）エポキシ化合物又は（Ａ２）シリコーン化合物を含むことが好ましい。（Ａ）熱硬化性化合物は、（Ａ１）エポキシ化合物を含んでいてもよく、（Ａ２）シリコーン化合物を含んでいてもよい。高温下に晒された後の接続対象部材の反りをより一層抑える観点からは、（Ａ２）シリコーン化合物の分子量は、３００以上であることが好ましい。高温下に晒された後の接続対象部材の反りをより一層抑える観点からは、（Ａ）熱硬化性化合物が、（Ａ２）シリコーン化合物を含むこと好ましい。

上記半導体素子保護用材料１００重量％中、（Ａ）熱硬化性化合物の含有量は好ましくは１重量％以上、より好ましくは２重量％以上であり、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下、更に好ましくは１０重量％以下、特に好ましくは８重量％以下である。（Ａ）熱硬化性化合物の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、半導体素子保護用材料の塗布性、硬化物の柔軟性及び耐湿性がより一層良好になり、硬化物の半導体素子に対する接着性がより一層良好になり、保護フィルムに対する貼り付きをより一層抑えることができる。

上記半導体素子保護用材料１００重量％中、（Ａ１）エポキシ化合物と（Ａ２）シリコーン化合物との合計の含有量は、好ましくは１重量％以上、より好ましくは２重量％以上であり、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下である。（Ａ１）エポキシ化合物と（Ａ２）シリコーン化合物との合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、半導体素子保護用材料の塗布性、硬化物の柔軟性及び耐湿性がより一層良好になり、硬化物の半導体素子に対する接着性がより一層良好になり、保護フィルムに対する貼り付きをより一層抑えることができる。

（Ａ１）エポキシ化合物：
上記半導体素子保護用材料１００重量％中、（Ａ１）エポキシ化合物の含有量は、好ましくは１重量％以上、より好ましくは２重量％以上であり、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは８重量％以下である。（Ａ１）エポキシ化合物の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、半導体素子保護用材料の塗布性、硬化物の柔軟性及び耐湿性がより一層良好になり、硬化物の半導体素子に対する接着性がより一層良好になり、保護フィルムに対する貼り付きをより一層抑えることができる。

（Ａ１）エポキシ化合物としては、（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物及び（Ａ１２）可撓性エポキシ化合物とは異なるエポキシ化合物が挙げられる。本発明の効果を効果的に発揮する観点からは、（Ａ）熱硬化性化合物は、（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物と、（Ａ１２）可撓性エポキシ化合物とは異なるエポキシ化合物とを含むことが好ましい。

（Ａ１２）可撓性エポキシ化合物とは異なるエポキシ化合物は、可撓性を有さない。（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物とともに（Ａ１２）エポキシ化合物を用いることによって、半導体素子保護用材料の硬化物の耐湿性が高くなり、保護フィルムに対する貼り付き性を低下させることができる。（Ａ１２）エポキシ化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

（Ａ）熱硬化性化合物は、（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物を含むことが好ましい。（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物を用いることによって、硬化物の柔軟性を高めることができる。（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物を用いることによって、半導体素子に対する変形応力などによって、半導体素子の損傷が生じ難くなり、更に半導体素子の表面から硬化物を剥離し難くすることができる。（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物としては、ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテル、ポリブタジエンジグリシジルエーテル、サルファイド変性エポキシ樹脂、及びポリアルキレンオキサイド変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等が挙げられる。硬化物の柔軟性をより一層高める観点からは、ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルが好ましい。

硬化物の柔軟性をより一層高めて接着力を向上させる観点からは、上記ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルは、アルキレングリコール基が９以上繰り返された構造単位を有することが好ましい。アルキレン基の繰り返し数の上限は特に限定されない。アルキレン基の繰り返し数は、３０以下であってもよい。上記アルキレン基の炭素数は、好ましくは２以上であり、好ましくは５以下である。

上記ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルとしては、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル及びポリテトラメチレングリコールジグリシジルエーテル等が挙げられる。

上記半導体素子保護用材料１００重量％中、（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物の含有量は好ましくは３重量％以上、より好ましくは５重量％以上であり、好ましくは１０重量％以下、より好ましくは８重量％以下である。（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物の含有量が上記下限以上であると、硬化物の柔軟性がより一層高くなる。（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物の含有量が上記上限以下であると、半導体素子保護用材料の塗布性がより一層高くなる。

上記半導体素子保護用材料１００重量％中、（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物と（Ａ１２）エポキシ化合物との合計の含有量は好ましくは５重量％以上、より好ましくは８重量％以上であり、好ましくは１５重量％以下、より好ましくは１２重量％以下である。（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物と（Ａ１２）エポキシ化合物との合計の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、半導体素子保護用材料の塗布性、硬化物の柔軟性及び耐湿性がより一層良好になり、硬化物の半導体素子に対する接着性がより一層良好になり、保護フィルムに対する貼り付きをより一層抑えることができる。

（Ａ１２）エポキシ化合物としては、ビスフェノール骨格を有するエポキシ化合物、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ化合物、ナフタレン骨格を有するエポキシ化合物、アダマンタン骨格を有するエポキシ化合物、フルオレン骨格を有するエポキシ化合物、ビフェニル骨格を有するエポキシ化合物、バイ（グリシジルオキシフェニル）メタン骨格を有するエポキシ化合物、キサンテン骨格を有するエポキシ化合物、アントラセン骨格を有するエポキシ化合物、及びピレン骨格を有するエポキシ化合物等が挙げられる。これらの水素添加物又は変性物を用いてもよい。（Ａ１２）エポキシ化合物は、ポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルではないことが好ましい。

本発明の効果がより一層優れることから、（Ａ１２）エポキシ化合物は、ビスフェノール骨格を有するエポキシ化合物（ビスフェノール型エポキシ化合物）であることが好ましい。

上記ビスフェノール骨格を有するエポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型又はビスフェノールＳ型のビスフェノール骨格を有するエポキシモノマー等が挙げられる。

上記ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ化合物としては、ジシクロペンタジエンジオキシド、及びジシクロペンタジエン骨格を有するフェノールノボラックエポキシモノマー等が挙げられる。

上記ナフタレン骨格を有するエポキシ化合物としては、１−グリシジルナフタレン、２−グリシジルナフタレン、１，２−ジグリシジルナフタレン、１，５−ジグリシジルナフタレン、１，６−ジグリシジルナフタレン、１，７−ジグリシジルナフタレン、２，７−ジグリシジルナフタレン、トリグリシジルナフタレン、及び１，２，５，６−テトラグリシジルナフタレン等が挙げられる。

上記アダマンタン骨格を有するエポキシ化合物としては、１，３−ビス（４−グリシジルオキシフェニル）アダマンタン、及び２，２−ビス（４−グリシジルオキシフェニル）アダマンタン等が挙げられる。

上記フルオレン骨格を有するエポキシ化合物としては、９，９−ビス（４−グリシジルオキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−グリシジルオキシ−３−メチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−グリシジルオキシ−３−クロロフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−グリシジルオキシ−３−ブロモフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−グリシジルオキシ−３−フルオロフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−グリシジルオキシ−３−メトキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−グリシジルオキシ−３，５−ジメチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−グリシジルオキシ−３，５−ジクロロフェニル）フルオレン、及び９，９−ビス（４−グリシジルオキシ−３，５−ジブロモフェニル）フルオレン等が挙げられる。

上記ビフェニル骨格を有するエポキシ化合物としては、４，４’−ジグリシジルビフェニル、及び４，４’−ジグリシジル−３，３’，５，５’−テトラメチルビフェニル等が挙げられる。

上記バイ（グリシジルオキシフェニル）メタン骨格を有するエポキシ化合物としては、１，１’−バイ（２，７−グリシジルオキシナフチル）メタン、１，８’−バイ（２，７−グリシジルオキシナフチル）メタン、１，１’−バイ（３，７−グリシジルオキシナフチル）メタン、１，８’−バイ（３，７−グリシジルオキシナフチル）メタン、１，１’−バイ（３，５−グリシジルオキシナフチル）メタン、１，８’−バイ（３，５−グリシジルオキシナフチル）メタン、１，２’−バイ（２，７−グリシジルオキシナフチル）メタン、１，２’−バイ（３，７−グリシジルオキシナフチル）メタン、及び１，２’−バイ（３，５−グリシジルオキシナフチル）メタン等が挙げられる。

上記キサンテン骨格を有するエポキシ化合物としては、１，３，４，５，６，８−ヘキサメチル−２，７−ビス−オキシラニルメトキシ−９−フェニル−９Ｈ−キサンテン等が挙げられる。

（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物１００重量部に対して、（Ａ１２）エポキシ化合物の含有量は好ましくは１０重量部以上、より好ましくは２０重量部以上であり、好ましくは１００重量部以下、より好ましくは９０重量部以下である。（Ａ１２）エポキシ化合物の含有量が上記下限以上であると、半導体素子保護用材料の塗布性がより一層高くなり、硬化物の半導体素子に対する接着性がより一層高くなる。（Ａ１２）エポキシ化合物の含有量が上記上限以下であると、硬化物の柔軟性がより一層高くなる。

（Ａ２）シリコーン化合物は、例えば、珪素原子に結合したアルケニル基を有するシリコーン化合物と、珪素原子に結合した水素原子を有するシリコーン化合物とを含む。珪素原子に結合したアルケニル基を有するシリコーン化合物は、珪素原子に結合した水素原子を有さなくてもよい。

上記珪素原子に結合したアルケニル基を有するシリコーン化合物は、下記式（１Ａ）で表されるシリコーン化合物、下記式（２Ａ）で表されるシリコーン化合物、又は下記式（３Ａ）で表されるシリコーン化合物であることが好ましい。

（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）_ａ（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）_ｂ …（１Ａ）

上記式（１Ａ）中、ａ及びｂは、０．０１≦ａ≦０．２、０．８≦ｂ≦０．９９を満たし、Ｒ１〜Ｒ５の１ｍｏｌ％以上、２０ｍｏｌ％以下はアルケニル基を表し、Ｒ１〜Ｒ５の８０ｍｏｌ％以上、９９ｍｏｌ％以下はメチル基及びフェニル基を表し、アルケニル基、メチル基及びフェニル基以外のＲ１〜Ｒ５は、炭素数２〜６のアルキル基を表す。

（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）_ａ（ＳｉＯ_４／２）_ｂ …（２Ａ）

上記式（２Ａ）中、ａ及びｂは、０．７≦ａ≦０．９、０．１≦ｂ≦０．３を満たし、Ｒ１〜Ｒ３の１ｍｏｌ％以上、３３ｍｏｌ％以下はアルケニル基を表し、Ｒ１〜Ｒ３の６７ｍｏｌ％以上、９９ｍｏｌ％以下はメチル基及びフェニル基を表し、アルケニル基、メチル基及びフェニル基以外のＲ１〜Ｒ３は、炭素数２〜６のアルキル基を表す。Ｒ１〜Ｒ３の１ｍｏｌ％以上、２０ｍｏｌ％以下はアルケニル基を表していてもよく、Ｒ１〜Ｒ３の８０ｍｏｌ％以上、９９ｍｏｌ％以下はメチル基及びフェニル基を表していてもよい。

（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）_ａ（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）_ｂ（Ｒ６ＳｉＯ_３／２）_ｃ …（３Ａ）

上記式（３Ａ）中、ａ、ｂ及びｃは、０．０５≦ａ≦０．３、０≦ｂ≦０．８、０．１５≦ｃ≦０．８５を満たし、Ｒ１〜Ｒ６の２ｍｏｌ％以上、２０ｍｏｌ％以下はアルケニル基を表し、Ｒ１〜Ｒ６の８０ｍｏｌ％以上、９５ｍｏｌ％以下はメチル基及びフェニル基を表し、アルケニル基、メチル基及びフェニル基以外のＲ１〜Ｒ６は、炭素数２〜６のアルキル基を表す。

上記珪素原子に結合した水素原子を有するシリコーン化合物は、下記式（１Ｂ）で表されるシリコーン化合物であることが好ましい。

（Ｒ１Ｒ２Ｒ３ＳｉＯ_１／２）_ａ（Ｒ４Ｒ５ＳｉＯ_２／２）_ｂ …（１Ｂ）

上記式（１Ｂ）中、ａ及びｂは、０．１≦ａ≦０．６７、０．３３≦ｂ≦０．９を満たし、Ｒ１〜Ｒ５の１ｍｏｌ％以上、２５ｍｏｌ以下％は水素原子を表し、Ｒ１〜Ｒ５の７５ｍｏｌ％以上、９９ｍｏｌ％以下はメチル基及びフェニル基を表し、水素原子、メチル基及びフェニル基以外のＲ１〜Ｒ５は、炭素数２〜６のアルキル基を表す。

（Ａ２）シリコーン化合物は、上記式（１Ａ）で表されるシリコーン化合物を含むことが好ましい。（Ａ２）シリコーン化合物は、上記式（１Ａ）で表されるシリコーン化合物と、上記式（２Ａ）で表されるシリコーン化合物とを含むか、又は、上記式（１Ａ）で表されるシリコーン化合物と、上記式（３Ａ）で表されるシリコーン化合物とを含むことが好ましい。

硬化物の接着性を効果的に高め、硬化物の剥離を効果的に高める観点からは、（Ａ）熱硬化性化合物が、（Ａ１）シリコーン化合物として、上記式（２Ａ）又は（３Ａ）で表されるシリコーン化合物と、上記式（１Ｂ）で表されるシリコーン化合物とを含むこと好ましい。絶縁信頼性を高める観点からは、（Ａ）熱硬化性化合物が、（Ａ１）シリコーン化合物として、上記式（３Ａ）で表されるシリコーン化合物と、上記式（１Ｂ）で表されるシリコーン化合物とを含むこと好ましい。接続対象部材の反りをより一層抑える観点からは、（Ａ）熱硬化性化合物が、（Ａ１）シリコーン化合物として、上記式（１Ａ）で表されるシリコーン化合物と、上記式（１Ｂ）で表されるシリコーン化合物とを含むこと好ましい。

上記半導体素子保護用材料１００重量％中、（Ａ２）シリコーン化合物の含有量は、好ましくは５重量％以上、より好ましくは８重量％以上であり、好ましくは２０重量％以下、より好ましくは１５重量％以下である。（Ａ２）シリコーン化合物の含有量が上記下限以上及び上記上限以下であると、半導体素子保護用材料の塗布性、硬化物の柔軟性及び耐湿性がより一層良好になり、硬化物の半導体素子に対する接着性がより一層良好になり、保護フィルムに対する貼り付きをより一層抑えることができる。

上記珪素原子に結合した水素原子を有するシリコーン化合物１００重量部に対して、上記珪素原子に結合したアルケニル基を有するシリコーン化合物の含有量は好ましくは１０重量部以上であり、好ましくは４００重量部以下である。この含有量の関係を満足すると、半導体素子保護用材料の塗布性、硬化物の柔軟性及び耐湿性がより一層良好になり、硬化物の半導体素子に対する接着性がより一層良好になり、保護フィルムに対する貼り付きをより一層抑えることができる。

（（Ｂ）硬化剤又は硬化触媒）
（Ｂ）硬化剤又は硬化触媒として、（Ｂ１）硬化剤を用いてもよく、（Ｂ２）硬化触媒を用いてもよい。（Ａ１）エポキシ化合物を用いる場合には、（Ｂ１）硬化剤が好ましい。（Ａ２）シリコーン化合物を用いる場合には、（Ｂ２）硬化触媒が好ましい。

（Ｂ１）硬化剤は、２３℃で液状であってもよく、固形であってもよい。半導体素子保護用材料の塗布性をより一層高める観点からは、（Ｂ１）硬化剤は、２３℃で液状である硬化剤であることが好ましい。また、２３℃で液状である硬化剤の使用により、半導体素子保護用材料の半導体素子の表面に対する濡れ性が高くなる。（Ｂ１）硬化剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。（Ｂ２）硬化触媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

（Ｂ１）硬化剤としては、アミン化合物（アミン硬化剤）、イミダゾール化合物（イミダゾール硬化剤）、フェノール化合物（フェノール硬化剤）及び酸無水物（酸無水物硬化剤）等が挙げられる。（Ｂ１）硬化剤はイミダゾール化合物でなくてもよい。

硬化物中でのボイドの発生をより一層抑え、硬化物の耐熱性をより一層高める観点からは、（Ｂ１）硬化剤は、フェノール化合物であることが好ましい。

半導体素子保護用材料の塗布性をより一層高め、硬化物中でのボイドの発生をより一層抑え、硬化物の耐熱性をより一層高める観点からは、（Ｂ１）硬化剤は、アリル基を有することが好ましく、上記フェノール化合物がアリル基を有することが好ましい。

上記フェノール化合物としては、フェノールノボラック、ｏ−クレゾールノボラック、ｐ−クレゾールノボラック、ｔ−ブチルフェノールノボラック、ジシクロペンタジエンクレゾール、ポリパラビニルフェノール、ビスフェノールＡ型ノボラック、キシリレン変性ノボラック、デカリン変性ノボラック、ポリ（ジ−ｏ−ヒドロキシフェニル）メタン、ポリ（ジ−ｍ−ヒドロキシフェニル）メタン、及びポリ（ジ−ｐ−ヒドロキシフェニル）メタン等が挙げられる。

（Ｂ１）硬化剤を用いる場合に、（Ａ）熱硬化性化合物１００重量部に対して、（Ｂ１）硬化剤の含有量は、好ましくは５０重量部以上、より好ましくは７５重量部以上、更に好ましくは１００重量部以上であり、好ましくは２５０重量部以下、より好ましくは２２５重量部以下、更に好ましくは２００重量部以下である。（Ｂ１）硬化剤の含有量が上記下限以上であると、半導体素子保護用材料を良好に硬化させることができる。（Ｂ１）硬化剤の含有量が上記上限以下であると、硬化物内における硬化に寄与しなかった（Ｂ１）硬化剤の残存量が少なくなる。

（Ｂ２）硬化触媒としては、ヒドロシリル化反応用触媒及び縮合触媒などの金属触媒等が挙げられる。

上記硬化触媒としては、例えば、錫系触媒、白金系触媒、ロジウム系触媒及びパラジウム系触媒等が挙げられる。透明性を高くすることができるため、白金系触媒が好ましい。

上記ヒドロシリル化反応用触媒は、シリコーン化合物中の珪素原子に結合した水素原子と、シリコーン化合物中のアルケニル基とをヒドロシリル化反応させる触媒である。上記ヒドロシリル化反応用触媒は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記白金系触媒としては、白金粉末、塩化白金酸、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体及び白金−カルボニル錯体が挙げられる。特に、白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体が好ましい。

上記白金−アルケニルシロキサン錯体におけるアルケニルシロキサンとしては、例えば、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、及び１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等が挙げられる。上記白金−オレフィン錯体におけるオレフィンとしては、例えば、アリルエーテル及び１，６−ヘプタジエン等が挙げられる。

上記白金−アルケニルシロキサン錯体及び白金−オレフィン錯体の安定性を向上させることができるため、上記白金−アルケニルシロキサン錯体又は白金−オレフィン錯体に、アルケニルシロキサン、オルガノシロキサンオリゴマー、アリルエーテル又はオレフィンを添加することが好ましい。上記アルケニルシロキサンは、好ましくは１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンである。上記オルガノシロキサンオリゴマーは、好ましくはジメチルシロキサンオリゴマーである。上記オレフィンは、好ましくは１，６−ヘプタジエンである。

（Ｂ２）硬化触媒を用いる場合に、（Ａ）熱硬化性化合物１００重量部に対して、（Ｂ２）硬化触媒の含有量は、好ましくは０．００１重量部以上、より好ましくは０．０１重量部以上、更に好ましくは０．０５重量部以上であり、好ましくは２重量部以下、より好ましくは１重量部以下、更に好ましくは０．５重量部以下である。（Ｂ２）硬化触媒の含有量が上記下限以上であると、半導体素子保護用材料を良好に硬化させることができる。（Ｂ２）硬化触媒の含有量が上記上限以下であると、硬化物内における硬化に寄与しなかった（Ｂ２）硬化触媒の残存量が少なくなる。

（（Ｃ）熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラー）
（Ｃ）熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーを用いることによって、半導体素子保護用材料の塗布性を高く維持しつつ、かつ硬化物の柔軟性を高く維持しつつ、硬化物の放熱性を高めることができる。（Ｃ）無機フィラーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

硬化物の放熱性をより一層高める観点からは、（Ｃ）無機フィラーの熱伝導率は、好ましくは１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、より好ましくは１５Ｗ／ｍ・Ｋ以上、更に好ましくは２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である。（Ｃ）無機フィラーの熱伝導率の上限は特に限定されない。熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ程度である無機フィラーは広く知られており、また熱伝導率が２００Ｗ／ｍ・Ｋ程度である無機フィラーは容易に入手できる。

硬化物の放熱性を効果的に高める観点からは、（Ｃ）無機フィラーは、アルミナ、窒化アルミニウム又は炭化ケイ素であることが好ましい。これらの好ましい無機フィラーを用いる場合に、これらの無機フィラーは、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。（Ｃ）無機フィラーとして、上記以外の無機フィラーを適宜用いてもよい。

半導体素子保護用材料の塗布性を効果的に高く維持しつつ、かつ硬化物の柔軟性を効果的に高く維持しつつ、硬化物の放熱性を効果的に高める観点からは、（Ｃ）無機フィラーは、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、かつ球状である無機フィラーであることが好ましい。球状とは、アスペクト比（長径／短径）が１以上、２以下であることをいう。

（Ｃ）無機フィラーの平均粒子径は、好ましくは０．１μｍ以上であり、好ましくは１５０μｍ以下である。（Ｃ）無機フィラーの平均粒子径が上記下限以上であると、（Ｃ）無機フィラーを高密度で容易に充填できる。（Ｃ）無機フィラーの平均粒子径が上記上限以下であると、半導体素子保護用材料の塗布性がより一層高くなる。

上記「平均粒子径」とは、レーザー回折式粒度分布測定装置により測定した体積平均での粒度分布測定結果から求められる平均粒子径である。

上記硬化物１００重量％中、及び、上記半導体素子保護用材料１００重量％中、（Ｃ）無機フィラーの含有量は好ましくは６０重量％以上、９２重量％以下である。上記半導体素子保護用材料１００重量％中、（Ｃ）無機フィラーの含有量はより好ましくは７０重量％以上、更に好ましくは８０重量％以上、特に好ましくは８２重量％以上であり、より好ましくは９０重量％以下である。（Ｃ）無機フィラーの含有量が上記下限以上であると、硬化物の放熱性がより一層高くなる。（Ｃ）無機フィラーの含有量が上記上限以下であると、半導体素子保護用材料の塗布性がより一層高くなり、硬化物の性状がより一層良好になる。

（（Ｄ）硬化促進剤）
（Ｄ）硬化促進剤の使用によって、硬化速度を速くし、半導体素子保護用材料を効率的に硬化させることができる。（Ｄ）硬化促進剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

（Ｄ）硬化促進剤としては、イミダゾール化合物、リン化合物、アミン化合物、及び有機金属化合物等が挙げられる。なかでも、本発明の効果がより一層優れることから、イミダゾール化合物が好ましい。

上記イミダゾール化合物としては、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール及び２−フェニル−４−メチル−５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、等が挙げられる。また、公知のイミダゾール系潜在性硬化剤を用いることができる。具体例としては、ＰＮ２３、ＰＮ４０、ＰＮ−Ｈ（商品名、いずれも味の素ファインテクノ社製）が挙げられる。また、マイクロカプセル化イミダゾールとも呼ばれる、アミン化合物のエポキシアダクトの水酸基に付加反応させた硬化促進剤が挙げられ、例えばノバキュアＨＸ−３０８８、ノバキュアＨＸ−３９４１、ＨＸ−３７４２、ＨＸ−３７２２（商品名、いずれも旭化成イーマテリアルズ社製）等が挙げられる。さらに、包摂イミダゾールを用いることもできる。具体例としては、ＴＩＣ−１８８（商品名、日本曹達社製）が挙げられる。

上記リン化合物としては、トリフェニルホスフィン等が挙げられる。

上記アミン化合物としては、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジエチレンテトラミン、トリエチレンテトラミン及び４，４−ジメチルアミノピリジン等が挙げられる。

上記有機金属化合物としては、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、ビスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩ）及びトリスアセチルアセトナートコバルト（ＩＩＩ）等が挙げられる。

（Ａ）熱硬化性化合物との合計１００重量部に対して、（Ｄ）硬化促進剤の含有量は、好ましくは０．１重量部以上、より好ましくは０．５重量部以上であり、好ましくは１０重量部以下、より好ましくは８重量部以下である。（Ｄ）硬化促進剤の含有量が上記下限以上であると、半導体素子保護用材料を良好に硬化させることができる。（Ｄ）硬化促進剤の含有量が上記上限以下であると、硬化物内における硬化に寄与しなかった（Ｄ）硬化促進剤の残存量が少なくなる。

（（Ｅ）カップリング剤）
上記半導体素子保護用材料は、（Ｅ）カップリング剤を含むことが好ましい。（Ｅ）カップリング剤の使用により、半導体素子保護用材料の硬化物の耐湿性がより一層高くなる。（Ｅ）カップリング剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

上記硬化物１００重量％中、及び、上記半導体素子保護用材料１００重量％中、（Ｅ）カップリング剤の含有量は好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．２重量％以上であり、好ましくは２重量％以下、より好ましくは１重量％以下である。（Ｅ）カップリング剤の含有量が上記下限以上であると、半導体素子保護用材料の硬化物の耐湿性がより一層高くなる。（Ｅ）カップリング剤の含有量が上記上限以下であると、半導体素子保護用材料の塗布性がより一層高くなる。

上記（Ｅ）カップリング剤は、１００℃での重量減少が１０重量％以下であるシランカップリング剤、１００℃での重量減少が１０重量％以下であるチタネートカップリング剤、又は１００℃での重量減少が１０重量％以下であるアルミネートカップリング剤を含むことが好ましい。これらの好ましいカップリング剤を用いる場合に、これらのカップリング剤は、１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

１００℃における重量減少が１０重量％以下であると、硬化中に（Ｅ）カップリング剤の揮発が抑制され、半導体素子に対する濡れ性がより一層高くなり、硬化物の放熱性がより一層高くなる。

なお、１００℃における重量減少は、赤外水分計（ケツト科学研究所社製「ＦＤ−７２０」）を用い、５０℃／分の昇温速度で１００℃まで昇温し、１０分後の重量減少を測定することにより求めることができる。

（（Ｆ）イオン捕捉剤）
硬化物の絶縁信頼性を効果的に高める観点からは、上記半導体素子保護用材料は、（Ｆ）イオン捕捉剤を含むことが好ましい。（Ｆ）イオン捕捉剤は１種のみが用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。

（Ｆ）イオン捕捉剤は特に限定されない。該（Ｆ）イオン捕捉剤として、従来公知のイオン捕捉剤が使用可能である。

（Ｆ）イオン捕捉剤の具体例としては、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物が挙げられ、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等を用いることができる。ビスフェノール系還元剤としては、２，２’−メチレン−ビス−（４−メチル−６−第３ブチルフェノール）、及び４，４’−チオ−ビス−（３−メチル−６−第３ブチルフェノール）等が挙げられる。また、（Ｆ）イオン捕捉剤の具体例としては、無機陰イオン交換体、無機陽イオン交換体及び無機両イオン交換体等も挙げられ、具体的には、一般式ＢｉＯ_Ｘ（ＯＨ）_Ｙ（ＮＯ_３）_Ｚ［ここで、Ｘは０．９〜１．１、Ｙは０．６〜０．８、Ｚは０．２〜０．４の正数である］で表される酸化ビスマス系イオン捕捉剤、酸化アンチモン系イオン捕捉剤、リン酸チタン系イオン捕捉剤、リン酸ジルコニウム系イオン捕捉剤、並びに、一般式Ｍｇ_ＸＡｌ_Ｙ（ＯＨ）_{２Ｘ＋３Ｙ−２Ｚ}（ＣＯ_３）_Ｚ・ｍＨ_２Ｏ［ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚは２Ｘ＋３Ｙ−２Ｚ≧０を満たす正数、ｍは正数である］で表されるハイドロタルサイト系イオン捕捉剤等が挙げられる。これらのイオン捕捉剤の市販品としては、例えば、ＩＸＥ−１００（東亞合成社製、リン酸ジルコニウム系イオン捕捉剤）、ＩＸＥ−３００（東亞合成社製、酸化アンチモン系イオン捕捉剤）、ＩＸＥ−４００（東亞合成社製、リン酸チタン系イオン捕捉剤）、ＩＸＥ−５００（東亞合成社製、酸化ビスマス系イオン捕捉剤）、ＩＸＥ−６００（東亞合成社製、酸化アンチモン・酸化ビスマス系イオン捕捉剤）、ＤＨＴ−４Ａ（ハイドロタルサイト系イオン捕捉剤、協和化学工業社製）、及びキョーワードＫＷ−２０００（ハイドロタルサイト系イオン捕捉剤、協和化学工業社製）等が挙げられる。硬化物の電気信頼性をより一層低くする観点からは、（Ｆ）イオン捕捉剤は、無機陽イオン交換体又は無機両イオン交換体であることが好ましい。

マイグレーションをより一層抑制し、絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記陽イオン交換体は、Ｚｒ系陽イオン交換体又はＳｂ系陽イオン交換体であることが好ましく、Ｚｒ系陽イオン交換体であることがより好ましく、また上記陽イオン交換体は、ジルコニウム原子を含むことが好ましい。

マイグレーションをより一層抑制し、絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記陰イオン交換体は、Ｂｉ系陰イオン交換体、Ｍｇ−Ａｌ系陰イオン交換体又はＺｒ系陰イオン交換体であることが好ましく、Ｍｇ−Ａｌ系陰イオン交換体であることがより好ましく、また上記陰イオン交換体は、マグネシウム原子とアルミニウム原子とを含むことが好ましい。

マイグレーションをより一層抑制し、絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記陽イオン交換体の中性交換容量は、好ましくは１ｍｅｑ／ｇ以上、より好ましくは２ｍｅｑ／ｇ以上であり、好ましくは１０ｍｅｑ／ｇ以下、より好ましくは４ｍｅｑ／ｇ以下である。

マイグレーションをより一層抑制し、絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記陰イオン交換体の中性交換容量は、好ましくは０．１ｍｅｑ／ｇ以上、より好ましくは１ｍｅｑ／ｇ以上であり、好ましくは１０ｍｅｑ／ｇ以下、より好ましくは５ｍｅｑ／ｇ以下である。

マイグレーションをより一層抑制し、絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記陽イオン交換体のメディアン径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。

マイグレーションをより一層抑制し、絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記陰イオン交換体のメディアン径は、好ましくは０．１μｍ以上、より好ましくは０．５μｍ以上であり、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下である。

マイグレーションをより一層抑制し、絶縁信頼性をより一層高める観点からは、上記硬化物１００重量％中、及び、上記半導体素子保護用材料１００重量％中、（Ｆ）イオン捕捉剤の含有量は、好ましくは０．１量％以上、より好ましくは０．３重量％以上であり、好ましくは３重量％以下、より好ましくは２重量％以下である。

（他の成分）
上記半導体素子保護用材料は、必要に応じて、カルナバワックス等の天然ワックス、ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸やステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸及びその金属塩類若しくはパラフィン等の離型剤；カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤；臭素化エポキシ樹脂、三酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、フォスファゼン等の難燃剤；酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体；シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力化成分；酸化防止剤等の各種添加剤を含んでいてもよい。

上記半導体素子保護用材料は、分散剤を含むことが好ましい。分散剤の具体例としては、ポリカルボン酸塩、アルキルアンモニウム塩、アルキロールアンモニウム塩、リン酸エステル塩、アクリル系ブロック共重合物、及びポリマー塩等が挙げられる。

上記硬化物１００重量％中、及び、上記半導体素子保護用材料１００重量％中、分散剤の含有量は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．２重量％以上であり、好ましくは２重量％以下、より好ましくは１重量％以下である。

（半導体素子保護用材料の他の詳細及び半導体装置）
上記半導体素子保護用材料は、半導体素子を保護するために、上記半導体素子の表面上に塗布して用いられる。上記半導体素子保護用材料は、半導体素子と他の接続対象部材との間に配置されて、上記半導体素子と上記他の接続対象部材とを剥離しないように接着及び固定する硬化物を形成するものとは異なる。上記半導体素子保護用材料は、半導体素子の表面を被覆する被覆材料であることが好ましい。上記半導体素子保護用材料は、半導体素子の側面上に塗布されないことが好ましい。上記半導体素子保護用材料は、上記半導体素子を封止するための材料とは異なることが好ましく、上記半導体素子を封止するための封止剤ではないことが好ましい。上記半導体素子保護用材料は、アンダーフィル材ではないことが好ましい。上記半導体素子が、第２の表面側に第１の電極を有し、上記半導体素子保護用材料は、上記半導体素子の上記第２の表面側とは反対の第１の表面上に塗布されて用いられることが好ましい。上記半導体素子保護用材料は、半導体装置において、半導体素子を保護するために、上記半導体素子の表面上に硬化物を形成するために好適に用いられる。上記半導体素子保護用材料は、半導体素子を保護するために、上記半導体素子の表面上に硬化物を形成するために好適に用いられ、かつ上記硬化物の上記半導体素子側とは反対の表面上に保護フィルムを配置して、半導体装置を得るために好適に用いられる。上記半導体装置において、上記硬化物の電気伝導度は５０μＳ／ｃｍ以下であることが好ましい。

上記半導体素子保護用材料を塗布する方法としては、ディスペンサーによる塗布方法、スクリーン印刷による塗布方法、及びインクジェット装置による塗布方法等が挙げられる。上記半導体素子保護用材料は、ディスペンサー、スクリーン印刷、真空スクリーン印刷又はインクジェット装置による塗布方法により塗布されて用いられることが好ましい。塗布が容易であり、かつ硬化物中にボイドをより一層生じ難くする観点からは、上記半導体素子保護用材料は、ディスペンサーにより塗布されて用いられることが好ましい。

本発明に係る半導体装置は、半導体素子と、上記半導体素子の第１の表面上に配置された硬化物とを備える。本発明に係る半導体装置では、上記硬化物が、上述した半導体素子保護用材料を硬化させることにより形成されている。

上記半導体素子保護用材料は、半導体素子を保護するために、上記半導体素子の表面上に硬化物を形成し、かつ上記硬化物の上記半導体素子側とは反対の表面上に保護フィルムを配置して、半導体装置を得るために用いられるか、又は、半導体素子を保護するために、上記半導体素子の表面上に硬化物を形成し、かつ上記硬化物の上記半導体素子側とは反対の表面が露出している半導体装置を得るために用いられることが好ましい。本発明の効果がより一層有効に発揮されることから、上記半導体素子保護用材料は、ドライバＩＣチップの保護用材料であることが好ましい。

図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体素子保護用材料を用いた半導体装置を示す部分切欠正面断面図である。

図１に示す半導体装置１は、半導体素子２と、半導体素子２の第１の表面２ａ上に配置された硬化物３とを備える。硬化物３は、上述した半導体素子保護用材料を硬化させることにより形成されている。硬化物３は、半導体素子２の第１の表面２ａ上の一部の領域に配置されている。

半導体素子２は、第１の表面２ａ側とは反対の第２の表面２ｂ側に、第１の電極２Ａを有する。半導体装置１は、接続対象部材４をさらに備える。接続対象部材４は、表面４ａに第２の電極４Ａを有する。半導体素子２と接続対象部材４とは、他の硬化物５（接続部）を介して接着及び固定されている。半導体素子２は、接続対象部材４上に実装されている。半導体素子２の第１の電極２Ａと、接続対象部材４の第２の電極４Ａとが対向しており、導電性粒子６により電気的に接続されている。第１の電極２Ａと第２の電極４Ａとが接触することで、電気的に接続されていてもよい。硬化物３は、半導体素子２の第１の電極２Ａが配置されている側と反対の第１の表面２ａ上に配置されている。硬化物３は、半導体素子２の接続対象部材４側と反対の第１の表面２ａ上に配置されている。

硬化物３の半導体素子２側とは反対の表面上に、保護フィルム７が配置されている。それによって、硬化物３によって放熱性及び半導体素子の保護性を高めるだけでなく、保護フィルム７によっても、半導体素子の保護性をより一層高めることができる。硬化物３は、上述した組成を有して得られているため、硬化物３の保護フィルム７に対する貼り付きを抑えることができる。

上記接続対象部材としては、ガラス基板、ガラスエポキシ基板及びフレキシブルプリント基板等が挙げられる。上記フレキシブルプリント基板としては、ポリイミド基板等の樹脂基板等が挙げられる。本発明の効果がより一層有効に発揮されることから、上記接続対象部材は、基板であることが好ましく、フレキシブルプリント基板であることが好ましく、樹脂基板であることが好ましく、ポリイミド基板であることがより好ましい。

半導体素子の表面上において、半導体素子保護用材料の硬化物の厚みは、好ましくは４００μｍ以上、より好ましくは５００μｍ以上であり、好ましくは２０００μｍ以下、より好ましくは１９００μｍ以下である。半導体素子保護用材料の硬化物の厚みは、半導体素子の厚みよりも薄くてもよい。

図２は、本発明の第２の実施形態に係る半導体素子保護用材料を用いた半導体装置を示す部分切欠正面断面図である。

図２に示す半導体装置１Ｘは、半導体素子２と、半導体素子２の第１の表面２ａ上に配置された硬化物３Ｘとを備える。硬化物３Ｘは、上述した半導体素子保護用材料を硬化させることにより形成されている。硬化物３Ｘは、半導体素子２の第１の表面２ａ上の全体の領域に配置されている。硬化物３Ｘの半導体素子２側とは反対の表面上に、保護フィルムは配置されていない。硬化物３Ｘの半導体素子２側とは反対の表面は露出している。

上記半導体装置では、上記硬化物の上記半導体素子側とは反対の表面上に、保護フィルムが配置されているか、又は、上記硬化物の上記半導体素子側とは反対の表面が露出していることが好ましい。

なお、図１，２に示す構造は、半導体装置の一例にすぎず、半導体素子保護用材料の硬化物の配置構造等には適宜変形され得る。

半導体素子保護用材料の硬化物の熱伝導率は特に限定されないが、１．１Ｗ／ｍ・Ｋを超えることが好ましく、１．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることがより好ましく、１．８Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることが更に好ましい。

以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を明らかにする。なお、本発明は以下の実施例に限定されない。

以下の材料を用いた。

（Ａ１）エポキシ化合物
ＥＸ−８２１（ｎ＝４）（（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物、ナガセケムテックス社製、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、エポキシ当量：１８５）
ＥＸ−８３０（ｎ＝９）（（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物、ナガセケムテックス社製、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、エポキシ当量：２６８）
ＥＸ−９３１（ｎ＝１１）（（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物、ナガセケムテックス社製、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、エポキシ当量：４７１）
ＥＸ−８６１（ｎ＝２２）（（Ａ１１）可撓性エポキシ化合物、ナガセケムテックス社製、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、エポキシ当量：５５１）
ＰＢ３６００（ダイセル社製、ポリプダジエン変性エポキシ樹脂、エポキシ当量：２００）
ｊＥＲ８２８（（Ａ１２）エポキシ化合物、三菱化学社製、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１８８）
ｊＥＲ８３４（（Ａ１２）エポキシ化合物、三菱化学社製、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、軟化点：３０℃、エポキシ当量：２５５）

（Ａ２）シリコーン化合物
［シリコーン化合物であるポリマーＡの合成］
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン１６４．１ｇ、メチルフェニルジメトキシシラン２０．１ｇ及び１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４．７ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、水酸化カリウム２．２ｇを水３５．１ｇに溶かした溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去し、反応液に酢酸２．４ｇを加え、減圧下で加熱した。その後、酢酸カリウムをろ過により除去して、ポリマーＡを得た。

得られたポリマーＡの数平均分子量は１５０００であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマーＡは、下記の平均組成式を有していた。

（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．８５（ＰｈＭｅＳｉＯ_２／２）_０．１０（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．０５

上記式中、Ｍｅはメチル基、Ｖｉはビニル基、Ｐｈはフェニル基を示す。得られたポリマーＡのフェニル基及びメチル基の含有比率は９７．６モル％、ビニル基の含有比率は２．４モル％であった。

なお、各ポリマーの分子量は、１０ｍｇにテトラヒドロフラン１ｍＬを加え、溶解するまで攪拌し、ＧＰＣ測定により測定した。ＧＰＣ測定では、Ｗａｔｅｒｓ社製の測定装置（カラム：昭和電工社製 Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ ＬＦ−８０４（長さ３００ｍｍ）×２本、測定温度：４０℃、流速：１ｍＬ／ｍｉｎ、溶媒：テトラヒドロフラン、標準物質：ポリスチレン）を用いた。

［シリコーン化合物であるポリマーＢ〜Ｄの合成］
合成に用いる有機珪素化合物の種類及び配合量をかえたこと以外はポリマーＡの合成と同様にして、ポリマーＢ〜Ｄを得た。

ポリマーＢ：
（ＳｉＯ_４／２）_０．２０（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．４０（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）_０．４０
数平均分子量 ２０００
フェニル基及びメチル基の含有比率は８３．３モル％、ビニル基の含有比率は１６．７モル％

ポリマーＣ：
（ＭｅＳｉＯ_３／２）_０．２０（ＰｈＭｅＳｉＯ_２／２）_０．７０（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．１０
数平均分子量 ４０００
フェニル基及びメチル基の含有比率は９４．７モル％、ビニル基の含有比率は５．３モル％

ポリマーＤ：
（ＰｈＳｉＯ_３／２）_０．８０（ＶｉＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．２０
数平均分子量 １７００
フェニル基及びメチル基の含有比率は８５．７モル％、ビニル基の含有比率は１４．３モル％

［シリコーン化合物であるポリマーＥの合成］
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジフェニルジメトキシシラン８０．６ｇ、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４５ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、酢酸１００ｇと水２７ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、減圧して揮発成分を除去してポリマーを得た。得られたポリマーにヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、減圧して揮発成分を除去してポリマーＥを得た。

得られたポリマーＥの数平均分子量は８５０であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマーＥは、下記の平均組成式を有していた。

（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）_０．６７（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．３３

上記式中、Ｍｅはメチル基、Ｐｈはフェニル基を示す。得られたポリマーＥのフェニル基及びメチル基の含有比率は７４．９モル％、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は２５．１％であった。

［シリコーン化合物であるポリマーＦの合成］
ポリマーＥの合成において、イオン交換水での洗浄を１回に変更したこと以外は同様にして、ポリマーＦを得た。

［シリコーン化合物であるポリマーＧの合成］
温度計、滴下装置及び攪拌機を備えた１０００ｍＬのセパラブルフラスコに、ジメチルジメトキシシラン８０．６ｇ、及び１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン４５ｇを入れ、５０℃で攪拌した。その中に、酢酸１００ｇと水２７ｇの溶液をゆっくりと滴下し、滴下後に５０℃で６時間攪拌し、反応させて、反応液を得た。次に、得られた反応液にヘキサン１５０ｇと酢酸エチル１５０ｇとを添加し、イオン交換水３００ｇで１０回洗浄を行い、分液にて溶剤成分を除去してポリマーＧを得た。

得られたポリマーＧの数平均分子量は３５０であった。^２９Ｓｉ−ＮＭＲより化学構造を同定した結果、ポリマーＧは、下記の平均組成式を有していた。

（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）_０．５０（ＨＭｅ_２ＳｉＯ_１／２）_０．５０

上記式中、Ｍｅはメチル基を示す。得られたポリマーＧのフェニル基及びメチル基の含有比率は８０モル％、珪素原子に結合した水素原子の含有比率は２０％であった。

（Ｂ）硬化剤又は硬化触媒
フジキュアー７０００（富士化成社製、２３℃で液状、アミン化合物）
ＭＥＨ−８００５（明和化成社製、２３℃で液状、アリルフェノールノボラック化合物）
ＴＤ−２１３１（ＤＩＣ社製、２３℃で固体状、フェノールノボラック化合物）
白金の１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン錯体

（Ｄ）硬化促進剤
ＳＡ−１０２（サンアプロ社製、ＤＢＵオクチル酸塩）

（Ｃ）熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラー
ＦＡＮ−ｆ０５（古河電子社製、窒化アルミニウム、熱伝導率：１００Ｗ／ｍ・Ｋ、球状、平均粒子径：６μｍ）
ＦＡＮ−ｆ５０（古河電子社製、窒化アルミニウム、熱伝導率：１００Ｗ／ｍ・Ｋ、球状、平均粒子径：３０μｍ）
ＣＢ−Ｐ０５（昭和電工社製、酸化アルミニウム、熱伝導率：２０Ｗ／ｍ・Ｋ、球状、平均粒子径：４μｍ）
ＣＢ−Ｐ４０（昭和電工社製、酸化アルミニウム、熱伝導率：２０Ｗ／ｍ・Ｋ、球状、平均粒子径：４４μｍ）
ＳＳＣ−Ａ１５（信濃電気精錬社製、炭化ケイ素、熱伝導率：１００Ｗ／ｍ・Ｋ、球状、平均粒子径：１９μｍ）
ＳＳＣ−Ａ３０（信濃電気精錬社製、炭化ケイ素、熱伝導率：１００Ｗ／ｍ・Ｋ、球状、平均粒子径：３４μｍ）

（Ｃ’）その他の無機フィラー
ＨＳ−３０６（マイクロン社製、酸化ケイ素、熱伝導率：２Ｗ／ｍ・Ｋ、球状、平均粒子径：２．５μｍ）
ＨＳ−３０４（マイクロン社製、酸化ケイ素、熱伝導率：２Ｗ／ｍ・Ｋ、球状、平均粒子径：２５μｍ）

（Ｅ）カップリング剤
ＫＢＭ−４０３（信越化学工業社製、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、１００℃における重量減少：１０重量％を超える）
Ａ−ＬＩＮＫ５９９（ｍｏｍｅｎｔｉｖｅ社製、３−オクタノイルチオ−１−プロピルトリエトキシシラン、１００℃における重量減少：１０重量％以下）
ＴＯＧ（ＩＰＡカット）（日本曹達社製、チタニウム−ｉ−プロポキシオクチレングリコレート、１００℃における重量減少：１０重量％以下）
ＡＬ−Ｍ（味の素ファインテクノ社製、アセトアルコキシアルミニウムジイソプロピレート、１００℃における重量減少：１０重量％以下）

（他の成分）
ＢＹＫ−９０７６（ＢＹＫ社製、分散剤）

（Ｆ）イオン捕捉剤
ＩＸＥ−３００（東亞合成社製、酸化アンチモン系イオン捕捉剤）
ＩＸＥ−６００（東亞合成社製、酸化アンチモン・酸化ビスマス系イオン捕捉剤）
ＤＨＴ−４Ａ（協和化学工業社製、ハイドロタルサイト系イオン捕捉剤）

（実施例１）
ＥＸ−８２１（ｎ＝４）を６．５重量部、ｊＥＲ８２８を２．５重量部、フジキュアー７０００を５重量部、ＳＡ−１０２を０．５重量部、ＣＢ−Ｐ０５を４２．５重量部、ＣＢ−Ｐ４０を４２．５重量部、及びＢＹＫ−９０７６を０．５重量部混合し、脱泡を行い、半導体素子保護用材料を得た。

（実施例２〜２２及び比較例１，２）
配合成分の種類及び配合量を下記の表１〜４に示すように変更したこと以外は実施例１と同様にして、半導体素子保護用材料を得た。

（評価）
（１）２５℃における粘度の測定
Ｂ型粘度計（東機産業社製「ＴＶＢ−１０型」）を用いて半導体素子保護用材料の２５℃における１０ｒｐｍでの粘度（Ｐａ・ｓ）を測定した。

（２）（Ｘ）三量体から十量体までの環状シロキサン化合物の含有量
得られた半導体素子保護用材料において、ガスクロマトグラフ質量分析装置（ＧＣ−ＭＳ）（島津製作所社製「ＱＰ２０１０ＳＥ」）を用いて、（Ｘ）三量体から十量体までの環状シロキサン化合物の含有量を評価した。

（３）（Ｙ）水の含有量
得られた半導体素子保護用材料において、ＪＩＳ Ｋ７２１５に準拠して、カールフィッシャー水分計（京都電子工業社製「ＭＫＶ−７１０Ｂ」）を用いて（Ｙ）水の含有量を評価した。

（４）電気伝導度
半導体素子保護用材料を１５０℃で２時間硬化させて硬化物を得た。得られた硬化物を５ｍｍ角程度に粉砕し、粉砕物２．５ｇにイオン交換水２５ｍＬを加え、ＰＣＴ（１２１℃±２℃／湿度１００％／２ａｔｍの槽）で２０Ｈｒ置いた。その後、室温まで冷却して得た抽出液を試験液として得た。この試験液の電気伝導度を伝導度計（東亜電波工業社製の電気伝導率計「ＣＭ−４２Ｘ」）を用いて測定した。

（５）熱伝導率
得られた半導体素子保護用材料を１５０℃で２時間加熱し、硬化させ、１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚さ５０μｍの硬化物を得た。この硬化物を評価サンプルとした。

得られた評価サンプルの熱伝導率を、京都電子工業社製熱伝導率計「迅速熱伝導率計ＱＴＭ−５００」を用いて測定した。なお、熱伝導率が１．１Ｗ／ｍ・Ｋ以下である場合に、熱伝導率を「×」と判定した。

（６）塗布性
得られた半導体素子保護用材料をディスペンサー装置（武蔵エンジニアリング社製「ＳＨＯＴＭＡＳＴＥＲ−３００」）から、ポリイミドフィルムに直径５ｍｍ、高さ２ｍｍになるように直接吐出した後、半導体素子保護用材料を１５０℃で２時間加熱して硬化させた。硬化後の半導体素子保護用材料の形状から塗布性を下記の基準で判定した。

［塗布性の判定基準］
○：直径５．３ｍｍ以上、高さ１．８ｍｍ未満（流動性あり）
△：直径５ｍｍを超え、５．３ｍｍ未満、高さ１．８ｍｍを超え、２ｍｍ未満（流動性少しあり）
×：直径５ｍｍ、高さ２ｍｍのまま（流動性なし）

（７）ボイドの有無
ポリイミドフィルムにアンダーフィル剤（ナミックス社製、Ｕ８４３７−２）を幅３ｍｍ、長さ１８ｍｍになるように塗布し、幅３ｍｍ、長さ１８ｍｍ、厚み０．３ｍｍのＳｉチップを載せて、１５０℃で１時間硬化させた試験片を準備した。準備した試験片に、得られた半導体素子保護用材料をディスペンサー装置（武蔵エンジニアリング社製「ＳＨＯＴＭＡＳＴＥＲ−３００」）から、Ｓｉチップを全て覆うように、幅５ｍｍ、長さ２１ｍｍ、厚み０．９ｍｍになるように直接吐出した後、半導体素子保護用材料を１５０℃で２時間加熱して硬化させた。硬化後の半導体素子保護用材料におけるボイドの有無を顕微鏡で観察し評価した。

［ボイドの有無の判定基準］
○：ボイドなし
△：直径１００μｍ未満の目視不能なボイドがある
△△：直径１００μｍ以上、１５０μｍ未満の目視可能なボイドがある
×：直径１５０μｍ以上の目視可能なボイドがある

（８）耐湿性
得られた半導体素子保護用材料を１５０℃で２時間加熱し、硬化させ、１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚さ５０μｍの硬化物を得た。この硬化物を評価サンプルとした。

得られた評価サンプルをＤＳＭ−８１０４（日置電機社製、ディジタル超絶縁／微少電流計）、平板試料用電極 ＳＭＥ−８３１０（日置電機社製）を用いて体積抵抗率を測定した。

次に、プレッシャークッカー試験を高度加速寿命試験装置ＥＨＳ−２１１（エスペック社製）で行った。１２１℃、湿度１００％ＲＨ及び２ａｔｍの条件で２４時間放置し、次に２３℃及び湿度５０％ＲＨの環境で２４時間放置した後、体積抵抗率を測定した。プレッシャークッカー試験前後の体積抵抗率の低下率を計算し、耐湿性を下記の基準で判定した。

［耐湿性の判定基準］
○：試験前後の体積抵抗率の低下率が１０％以下
△：試験前後の体積抵抗率の低下率が１０％を超え、２０％以下
×：試験前後の体積抵抗率の低下率が２０％を超える

（９）接着力（ダイシェア強度）
ポリイミド基板上に、接着面積が３ｍｍ×３ｍｍになるように半導体素子保護用材料を塗布し、３ｍｍ角のＳｉチップを載せて、テストサンプルを得た。

得られたテストサンプルを１５０℃で２時間加熱し、半導体素子保護用材料を硬化させた。次に、ダイシェアテスター（アークテック社製「ＤＡＧＥ ４０００」）を用いて、３００μｍ／秒の速度で、２５℃でのダイシェア強度を評価した。

［ダイシェア強度の判定基準］
○：ダイシェア強度が１０Ｎ以上
△：ダイシェア強度が６Ｎ以上、１０Ｎ未満
△△：ダイシェア強度が５Ｎ以上、６Ｎ未満
×：ダイシェア強度が５Ｎ未満

（１０）タック性（保護フィルムの貼り付き性）
得られた半導体素子保護用材料を１５０℃で２時間加熱し、硬化させ、１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚さ５０μｍの硬化物を得た。この硬化物を評価サンプルとした。

得られた評価サンプルを２３℃及び湿度５０％ＲＨの雰囲気下で２４時間放置した。２４時間放置後直ちに、評価サンプルの表面の粘着性を、タックテスターＴＡ−５００（ＵＢＭ社製）を用いタックを測定した。

［タック性の判定基準］
○：応力が５０ｇｆ／ｃｍ^２未満
△：応力が５０ｇｆ／ｃｍ^２以上、１００ｇｆ／ｃｍ^２未満
×：応力が１００ｇｆ／ｃｍ^２以上

（１１）フィルム反り
得られた半導体素子保護用材料をディスペンサー装置（武蔵エンジニアリング社製「ＳＨＯＴＭＡＳＴＥＲ―３００」）から、ポリイミドフィルムに縦２０ｍｍ、横１００ｍｍ、高さ１０ｍｍになるように直接吐出した後、半導体素子保護用材料を１５０℃で２時間加熱して硬化させた。硬化後にポリイミドフィルムの反りを目視で確認し、フィルム反りを下記の基準で判定した。

［フィルム反りの判定基準］
○：ポリイミドフィルムの反りなし
△：ポリイミドフィルムの反りがわずかに発生（使用上問題なし）
×：ポリイミドフィルムの反り発生（使用上問題あり）

（１２）耐熱性
得られた半導体素子保護用材料を１５０℃で２時間加熱し、硬化させ、１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚さ５０μｍの硬化物を得た。この硬化物を評価サンプルとした。

得られた評価サンプルをＤＳＭ−８１０４（日置電機社製、ディジタル超絶縁／微少電流計）、平板試料用電極 ＳＭＥ−８３１０（日置電機社製）を用いて体積抵抗率の測定を測定した。

次に、１８０℃で１００時間放置し、次に２３℃及び湿度５０％ＲＨの環境で２４時間放置した後、体積抵抗率を測定した。耐熱試験前後の体積抵抗率の低下率を計算し、耐熱性を下記の基準で判定した。

［耐熱性の判定基準］
○○：試験前後の体積抵抗率の低下率が５％以下
○：試験前後の体積抵抗率の低下率が５％を超え、１０％以下
△：試験前後の体積抵抗率の低下率が１０％を超え、２０％以下
×：試験前後の体積抵抗率の低下率が２０％を超える

（１３）絶縁信頼性
基板（ポリイミドフィルム）上に形成された櫛歯型電極（材質：銅の上にスズめっき、パターンピッチ：５０μｍ、Ｌ／Ｓ＝２５μｍ／２５μｍ）の上に、熱硬化ソルダーレジスト（日本ポリテック社製「ＮＰＲ−３３００」）を１０μｍの膜厚で塗布して１５０℃で１時間加熱硬化させて、テストパターンを準備した。上記テストパターンに半導体素子保護用材料を塗布し、１５０℃で２時間加熱硬化させて、試験片を得た。加熱後の試験片を８５℃及び湿度８５％の槽（エスペック社製「ＳＨ６４１」）へ入れ、マイグレーションテスター（ＩＭＶ社製「ＭＩＧ−８６００Ｂ」）を用いて電極間に４０Ｖの直流電圧を印加して、電極間の抵抗を測定した。絶縁信頼性を以下の基準で判定した。○、△又は△△の判定基準の場合に、絶縁信頼性は合格と判断され、実使用に支障が無い絶縁性保持性があり、絶縁信頼性に優れている。

［絶縁信頼性の判定基準］
○：抵抗が１×１０^９Ω以上で１００時間以上持続し、絶縁性が非常に良好
△：抵抗が１×１０^８Ω以上、１×１０^９Ω未満で１００時間以上持続し、絶縁性が良好
△△：１００時間未満で抵抗が１×１０^８Ω未満に低下するが、１×１０^８Ω以上の抵抗を５０時間以上、１００時間未満持続し、絶縁性がやや良好
×：５０時間未満で抵抗が１×１０^８Ω未満に低下し、絶縁不良とみなされる

（１４）耐熱試験後のフィルム反り
上記（１１）フィルム反りの評価後に、半導体素子保護用材料の硬化物とポリイミドフィルムとの積層体を、１８０℃で１００時間放置した。放置後に、ポリイミドフィルムの反りを目視で確認し、耐熱試験後のフィルム反りを下記の基準で判定した。

［耐熱試験後のフィルム反りの判定基準］
○：耐熱試験前のフィルムの反り量に対して、耐熱試験後のフィルムの反り量が１．１倍未満
△：耐熱試験前のフィルムの反り量に対して、耐熱試験後のフィルムの反り量が１．１倍以上、１．２倍未満
×：耐熱試験前のフィルムの反り量に対して、耐熱試験後のフィルムの反り量が１．２倍以上

配合成分の詳細、組成及び結果を下記の表１〜４に示す。

（実施例２３）
半導体素子保護用材料の調製において、ＩＸＥ−３００（東亞合成社製、酸化アンチモン系イオン捕捉剤）０．５重量部を更に添加したこと以外は実施例１と同様にして、半導体素子保護用材料を得た。

（実施例２４）
半導体素子保護用材料の調製において、ＩＸＥ−６００（東亞合成社製、酸化アンチモン・酸化ビスマス系イオン捕捉剤）０．５重量部を更に添加したこと以外は実施例１と同様にして、半導体素子保護用材料を得た。

（実施例２５）
半導体素子保護用材料の調製において、ＤＨＴ−４Ａ（協和化学工業社製、ハイドロタルサイト系イオン捕捉剤）０．５重量部を更に添加したこと以外は実施例１と同様にして、半導体素子保護用材料を得た。

（実施例２６）
半導体素子保護用材料の調製において、ＩＸＥ−３００（東亞合成社製、酸化アンチモン系イオン捕捉剤）０．５重量部を更に添加したこと以外は実施例１８と同様にして、半導体素子保護用材料を得た。

（実施例２７）
半導体素子保護用材料の調製において、ＩＸＥ−６００（東亞合成社製、酸化アンチモン・酸化ビスマス系イオン捕捉剤）０．５重量部を更に添加したこと以外は実施１８と同様にして、半導体素子保護用材料を得た。

（実施例２８）
半導体素子保護用材料の調製において、ＤＨＴ−４Ａ（協和化学工業社製、ハイドロタルサイト系イオン捕捉剤）０．５重量部を更に添加したこと以外は実施例１８と同様にして、半導体素子保護用材料を得た。

（実施例２９）
半導体素子保護用材料の調製において、ＩＸＥ−６００（東亞合成社製、酸化アンチモン・酸化ビスマス系イオン捕捉剤）０．５重量部を更に添加したこと以外は実施例１９と同様にして、半導体素子保護用材料を得た。

（実施例３０）
半導体素子保護用材料の調製において、ＩＸＥ−６００（東亞合成社製、酸化アンチモン・酸化ビスマス系イオン捕捉剤）０．５重量部を更に添加したこと以外は実施例２０と同様にして、半導体素子保護用材料を得た。

（実施例３１）
半導体素子保護用材料の調製において、ＩＸＥ−６００（東亞合成社製、酸化アンチモン・酸化ビスマス系イオン捕捉剤）０．５重量部を更に添加したこと以外は実施例２１と同様にして、半導体素子保護用材料を得た。

（評価）
実施例２３〜３１について、上記（１３）絶縁信頼性の評価を実施した。

この結果、実施例２３〜３１の絶縁信頼性の結果はいずれも、「○」であった。

また、実施例１及び実施例２３〜２５の絶縁信頼性の結果は「○」であるが、１００時間後の電圧の印加時の抵抗は、実施例２３〜２５の方が実施例１よりも高く、実施例２３〜２５の方が実施例１よりも絶縁信頼性に優れていた。また、実施例２０及び実施例３０の絶縁信頼性の結果は「○」であるが、１００時間後の電圧の印加時の抵抗は、実施例３０の方が実施例２０よりも高く、実施例３０の方が実施例２０よりも絶縁信頼性に優れていた。また、実施例２１及び実施例３１の絶縁信頼性の結果は「○」であるが、１００時間後の電圧の印加時の抵抗は、実施例３１の方が実施例２１よりも高く、実施例３１の方が実施例２１よりも絶縁信頼性に優れていた。

なお、実施例２３〜３１については、実施例１〜２２及び比較例１，２で行った他の評価項目についても、良好な結果が得られた。また、（Ａ２）シリコーン化合物を用いた実施例１９〜２１の耐熱試験後のフィルム反りの結果における反り量の増加割合は、（Ａ１）エポキシ化合物を用いた実施例１〜１７の耐熱試験後のフィルム反りの結果における反り量の増加割合よりも小さかった。

１，１Ｘ…半導体装置
２…半導体素子
２ａ…第１の表面
２ｂ…第２の表面
２Ａ…第１の電極
３，３Ｘ…硬化物
４…接続対象部材
４ａ…表面
４Ａ…第２の電極
５…他の硬化物
６…導電性粒子
７…保護フィルム

Claims (20)

1. 半導体素子と、
   前記半導体素子の第１の表面上に配置された硬化物とを備え、
   前記硬化物が、半導体素子保護用材料の硬化物であり、
   前記半導体素子保護用材料が、熱硬化性化合物と、硬化剤又は硬化触媒と、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーとを含み、
   前記半導体素子保護用材料が、三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を含まないか、又は三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を５００ｐｐｍ以下で含み、
   前記硬化物における前記無機フィラーの含有量が６０重量％以上、９２重量％以下であり、
   前記硬化物の電気伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下である、半導体装置。
2. 前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物又はシリコーン化合物を含む、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記熱硬化性化合物がシリコーン化合物を含む、請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記硬化剤がアリルフェノールノボラック化合物である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
5. 前記熱硬化性化合物が、可撓性エポキシ化合物を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
6. 前記熱硬化性化合物が、前記可撓性エポキシ化合物と、可撓性エポキシ化合物とは異なるエポキシ化合物とを含む、請求項５に記載の半導体装置。
7. 前記半導体素子保護用材料に含まれる前記可撓性エポキシ化合物が、アルキレングリコール基が９以上繰り返された構造単位を有するポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルである、請求項５又は６に記載の半導体装置。
8. 接続対象部材を備え、
   前記接続対象部材上に、前記半導体素子が前記第１の表面とは反対の第２の表面側から実装されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
9. 第２の電極を表面に有する接続対象部材を備え、
   前記半導体素子が、前記第１の表面側とは反対の第２の表面側に第１の電極を有し、前記半導体素子の第１の電極が、前記第２の電極を表面に有する前記接続対象部材における前記第２の電極と電気的に接続されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
10. 前記硬化物の前記半導体素子側とは反対の表面上に、保護フィルムが配置されているか、又は、前記硬化物の前記半導体素子側とは反対の表面が露出している、請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置。
11. 半導体素子を保護するために、前記半導体素子の表面上に塗布して、前記半導体素子の表面上に硬化物を形成するために用いられる半導体素子保護用材料であり、
    半導体素子と他の接続対象部材との間に配置されて、前記半導体素子と前記他の接続対象部材とを剥離しないように接着及び固定する硬化物を形成するものとは異なり、
    熱硬化性化合物と、硬化剤又は硬化触媒と、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーとを含み、
    三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を含まないか、又は三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を５００ｐｐｍ以下で含み、
    前記無機フィラーの含有量が６０重量％以上、９２重量％以下であり、
    １５０℃で２時間加熱して硬化物を得たときに、前記硬化物の電気伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下である、半導体素子保護用材料。
12. 接続対象部材上に実装された半導体素子を保護するために、前記半導体素子の前記接続対象部材側とは反対の表面上に塗布して、前記半導体素子の前記接続対象部材側とは反対の表面上に硬化物を形成するために用いられる半導体素子保護用材料であり、
    熱硬化性化合物と、硬化剤又は硬化触媒と、熱伝導率が１０Ｗ／ｍ・Ｋ以上である無機フィラーとを含み、
    三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を含まないか、又は三量体から十量体までの環状シロキサン化合物を５００ｐｐｍ以下で含み、
    前記無機フィラーの含有量が６０重量％以上、９２重量％以下であり、
    １５０℃で２時間加熱して硬化物を得たときに、前記硬化物の電気伝導度が５０μＳ／ｃｍ以下である、半導体素子保護用材料。
13. 前記熱硬化性化合物が、エポキシ化合物又はシリコーン化合物を含む、請求項１１又は１２に記載の半導体素子保護用材料。
14. 前記熱硬化性化合物がシリコーン化合物を含む、請求項１３に記載の半導体素子保護用材料。
15. 前記硬化剤がアリルフェノールノボラック化合物である、請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の半導体素子保護用材料。
16. 前記熱硬化性化合物が、可撓性エポキシ化合物を含む、請求項１１〜１５のいずれか１項に記載の半導体素子保護用材料。
17. 前記熱硬化性化合物が、前記可撓性エポキシ化合物と、可撓性エポキシ化合物とは異なるエポキシ化合物とを含む、請求項１６に記載の半導体素子保護用材料。
18. 半導体素子保護用材料に含まれる前記可撓性エポキシ化合物が、アルキレングリコール基が９以上繰り返された構造単位を有するポリアルキレングリコールジグリシジルエーテルである、請求項１６又は１７に記載の半導体素子保護用材料。
19. 水を含まないか、又は水を１０００ｐｐｍ以下で含む、請求項１１〜１８のいずれか１項に記載の半導体素子保護用材料。
20. 半導体素子を保護するために、前記半導体素子の表面上に硬化物を形成し、かつ前記硬化物の前記半導体素子側とは反対の表面上に保護フィルムを配置して、半導体装置を得るために用いられるか、又は、半導体素子を保護するために、前記半導体素子の表面上に硬化物を形成し、かつ前記硬化物の前記半導体素子側とは反対の表面が露出している半導体装置を得るために用いられる、請求項１１〜１９のいずれか１項に記載の半導体素子保護用材料。

Images