CN107735859A - 半导体装置以及半导体元件保护用材料 - Google Patents

半导体装置以及半导体元件保护用材料 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种固化物的散热性优异，固化物的空隙少，固化物的绝缘可靠性优异，能够良好地保护半导体元件的半导体装置。本发明所述的半导体装置具备半导体元件和在所述半导体元件的第一表面上配置的固化物，用于得到所述固化物的半导体元件保护用材料包含热固性化合物、固化剂或固化催化剂、以及导热系数为10W/m·K以上的无机填充剂，不包含三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，或包含500ppm以下的三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，所述固化物中的所述无机填充剂的含量为60重量％以上且92重量％以下，所述固化物的电导率为50μS/cm以下。

Description

半导体装置以及半导体元件保护用材料
技术领域
本发明涉及一种使用半导体元件保护用材料的半导体装置。另外，本发明涉及一种为了保护半导体元件而涂布在上述半导体元件的表面上来使用的半导体元件保护用材料。
背景技术
正在进行半导体装置的高性能化。与此相伴，对从半导体装置发出的热进行散逸的需求正在提高。另外，在半导体装置中，半导体元件的电极例如与在表面具有电极的其他连接对象部件中的电极进行电连接。
在半导体装置中，例如，在半导体元件与其他连接对象部件之间配置环氧树脂组合物后，通过使该环氧树脂组合物固化，从而使半导体元件与其他连接对象部件接合以及固定。另外，配置在半导体元件与其他连接对象部件之间的上述环氧树脂组合物的固化物与用于保护半导体元件的表面的物质不同。
另外，在导体装置中，为了密封半导体元件，有时会使用环氧树脂组合物。
如上所述的环氧树脂组合物在例如下述专利文献1～5中有所公开。
在下述专利文献1中，公开了包含环氧树脂、酚类固化剂、三(2,6-二甲氧基苯基)膦或者三(2,4,6-三甲氧基苯基)膦固化促进剂、以及氧化铝的环氧树脂组合物。在专利文献1的实施例中，记载了粉末环氧树脂组合物。关于上述环氧树脂组合物的用途，在专利文献1中，记载了适合用于IC、LSI、晶体管、晶闸管、二极管等半导体装置的密封用途、印刷电路板的制造等。
在下述专利文献2中，公开了包含环氧树脂、酚醛树脂固化剂、固化促进剂、无机填充剂的密封用环氧树脂组合物。在专利文献2的实施例中，记载了粉末状密封用环氧树脂组合物。关于上述环氧树脂组合物的用途，在专利文献2中，记载了能够作为一般成型材料使用，进一步记载了用于半导体装置的密封材料，特别是适合用于在薄型、多针、长线、窄焊盘间距、或者有机基板或有机膜等安装基板上配置了半导体芯片的半导体装置的密封材料。
在下述专利文献3中，公开了包含双酚F型液态环氧树脂、固化剂、以及无机填充剂的环氧树脂组合物。在专利文献3的实施例中，记载了作为固体的环氧树脂组合物(熔融粘度为75℃以上)。关于上述环氧树脂组合物的用途，在专利文献3中，记载了能够作为一般成型材料使用，适合作为半导体装置，例如TQFP、TSOP、QFP等多针薄型封装使用，特别是作为采用了矩阵框架的半导体装置的密封材料使用。
在下述专利文献4中，公开了包含环氧树脂、酚醛树脂固化剂、高热传导性填充剂、以及无机填充剂的半导体密封用环氧树脂组合物。在专利文献4的实施例中记载了粉末半导体密封用环氧树脂组合物。关于上述半导体密封用环氧树脂组合物的用途，在专利文献4中，记载了用作半导体元件等电子部件的密封材料。
另外，在下述专利文献5中公开了具有包含双酚A型环氧树脂、骨架内具有挠性的环氧树脂的第一剂、以及包含酸酐化合物和固化促进剂的第二剂的双组份型的环氧树脂组合物。在专利文献5中，关于双组份型的环氧树脂组合物的用途，记载了作为壳内填充材料是有用的。
现有技术文献
专利文献1：日本特开平5-86169号公报；
专利文献2：日本特开2007-217469号公报；
专利文献3：日本特开平10-176100号公报；
专利文献4：日本特开2005-200533号公报；
专利文献5：日本特开2014-40538号公报。
发明内容
发明所要解决的问题
在专利文献1～4中，具体而言，公开了粉末或固体形态的环氧树脂组合物。这种作为粉末或固体的环氧树脂组合物，涂布性低，难以以良好的精度配置于规定的区域。
另外，以往的环氧树脂组合物的固化物有时散热性低。此外，以往的环氧树脂组合物的固化物有时会产生空隙。如果产生空隙，则有时会发生固化物的剥离。
另外，在专利文献1～4中，作为环氧树脂组合物的具体的用途，主要记载了密封用途。在专利文献5中，作为环氧树脂组合物的具体用途，主要记载了壳内填充材料用途。另一方面，在半导体装置中，即使不密封半导体元件，也期望充分地保护半导体元件。另外，就专利文献1～5中记载的环氧树脂组合物而言，通常，为了保护半导体元件，不会将其涂布在该半导体元件的表面上来使用。
另外，近年来，从装置的厚度、外观设计性的观点出发，要求减少IC驱动。如果减少IC驱动，则半导体元件负载的负担增大，进一步容易带有相当程度的热。对于以往的固化物而言，由于散热性低，要求散热性高的固化物。
本发明的目的在于，提供一种固化物的散热性优异、固化物的空隙少、固化物的绝缘可靠性优异、能够良好地保护半导体元件的半导体装置。
另外，本发明的目的在于，提供一种半导体元件保护用材料，该半导体元件保护用材料在半导体装置中，为了保护半导体元件，而用于在该半导体元件的表面上涂布，在上述半导体元件的表面上形成固化物。
此外，本发明的目的在于，提供一种半导体元件保护用材料，该半导体元件保护用材料在上述用途中，能够得到散热性优异、空隙少、绝缘可靠性优异的固化物，能够良好地保护半导体元件。
解决问题的技术方案
在本发明的宽广方面中，提供一种半导体装置，其具备半导体元件和配置在所述半导体元件第一表面上的固化物，所述固化物是半导体元件保护用材料的固化物，所述半导体元件保护用材料包含热固性化合物、以及导热系数为10W/m·K以上的无机填充剂，并且包含固化剂或固化催化剂，所述半导体元件保护用材料不包含三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，或包含500ppm以下的三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，所述固化物中的所述无机填充剂的含量为60重量％以上且92重量％以下，所述固化物的电导率为50μS/cm以下。
在本发明的宽广方面中，提供一种半导体元件保护用材料，其用于涂布在所述半导体元件的表面上，在所述半导体元件的表面上形成固化物，用以保护半导体元件，所述半导体元件保护用材料配置于半导体元件与其他连接对象部件之间，并且与形成用于接合及固定所述半导体元件和所述其他连接对象部件以使其不发生剥离的固化物的物质不同，所述半导体元件保护用材料含有热固性化合物、以及导热系数为10W/m·K以上的无机填充剂，并且含有固化剂或固化催化剂，所述半导体元件保护用材料不包含三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，或包含500ppm以下的三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，所述无机填充剂的含量为60重量％以上且92重量％以下，在150℃条件下加热2小时得到固化物时，所述固化物的电导率为50μS/cm以下。
在本发明的宽广方面中，提供一种半导体元件保护用材料，其为了保护安装在连接对象部件上的半导体元件，而用于涂布在所述半导体元件的与所述连接对象部件侧相反的表面上，在所述半导体元件的与所述连接对象部件侧相反的表面上形成固化物，所述半导体元件保护用材料包含热固性化合物、以及导热系数为10W/m·K以上的无机填充剂，并且包含固化剂或固化催化剂，所述半导体元件保护用材料不包含三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，或包含500ppm以下的三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，所述无机填充剂的含量为60重量％以上且92重量％以下，在150℃条件下加热2小时得到固化物时，所述固化物的电导率为50μS/cm以下。
在本发明所述的半导体装置以及半导体元件保护用材料的某一特定方面中，所述热固性化合物包含环氧化合物或聚硅氧烷化合物。
在本发明所述的半导体装置以及半导体元件保护用材料的某一特定方面中，所述热固性化合物包含聚硅氧烷化合物。
在本发明所述的半导体装置以及半导体元件保护用材料的某一特定方面中，所述固化剂是烯丙基线型酚醛树脂化合物。
在本发明所述的半导体装置以及半导体元件保护用材料的某一特定方面中，所述热固性化合物包含挠性环氧化合物。
在本发明所述的半导体装置以及半导体元件保护用材料的某一特定方面中，所述热固性化合物包含所述挠性环氧化合物和与挠性环氧化合物不同的环氧化合物。
在本发明所述的半导体装置以及半导体元件保护用材料的某一特定方面中，所述半导体元件保护用材料中包含的所述挠性环氧化合物是聚亚烷基二醇二缩水甘油醚，所述聚亚烷基二醇二缩水甘油醚具有9个以上亚烷基二醇基重复而成的结构单元。
在本发明所述的半导体元件保护用材料的某一特定方面中，所述半导体元件保护用材料不含有水，或含有1000ppm以下的水。
在本发明所述的半导体装置的某一特定方面中，其具备连接对象部件，
在所述连接对象部件上，在与所述第一表面相反的第二表面侧安装所述半导体元件。
在本发明所述的半导体装置的某一特定方面中，其具备在表面上具有第二电极的连接对象部件，所述半导体元件在与所述第一表面侧相反的第二表面侧具有第一电极，所述半导体元件的第一电极与所述在表面上具有第二电极的所述连接对象部件中的所述第二电极实现了电连接。
在本发明所述的半导体装置的某一特定方面中，在所述固化物的与所述半导体元件侧相反的表面上配置有保护膜，或者所述固化物的与所述半导体元件侧相反的表面露出。
本发明所述的半导体元件保护用材料，为了保护半导体元件，其用于在所述半导体元件的表面上形成固化物，并且在所述固化物的与所述半导体元件侧相反的表面上配置保护膜，得到半导体装置，或者，
为了保护半导体元件，其用于在所述半导体元件的表面上形成固化物，并且所述固化物的与所述半导体元件侧相反的表面露出，从而得到半导体装置。
发明效果
本发明所述的半导体元件装置具备：半导体元件、以及配置在所述半导体元件的第一表面上的固化物，所述固化物是半导体元件保护用材料的固化物，所述半导体元件保护用材料包含热固性化合物、以及导热系数为10W/m·K以上的无机填充剂，并且包含固化剂或固化催化剂，所述半导体元件保护用材料不包含三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，或包含500ppm以下的三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，所述固化物中的所述无机填充剂的含量为60重量％以上且92重量％以下，所述固化物的电导率为50μS/cm以下，因此，固化物的散热性优异，固化物的空隙少，固化物的绝缘可靠性优异，能够良好地保护半导体元件。
本发明所述的半导体元件保护用材料包含热固性化合物以及导热系数为10W/m·k以上的无机填充剂并包含固化剂或固化催化剂，不包含三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，或包含500ppm以下的三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，不包含水，或包含1000ppm以下的水，上述无机填充剂的含量为60重量％以上且92重量％以下，在150℃条件下加热2小时得到固化物时，上述固化物的电导率为50μS/cm以下，因此，能够得到散热性优异、空隙少、绝缘可靠性优异的固化物。因此，为了保护半导体元件，通过将本发明所述的半导体元件保护用材料涂布在上述半导体元件的表面上，使其固化，从而能够良好地保护上述半导体元件。另外，为了保护安装在连接对象部件上的半导体元件，通过将本发明所述的半导体元件保护用材料涂布在上述半导体元件的与上述连接对象部件侧相反的表面上，使其固化，从而能够良好地保护上述半导体元件。
附图说明
图1是表示使用根据本发明的第一实施方式的半导体元件保护用材料的半导体装置的部分切口正面截面图。
图2是表示使用根据本发明的第二实施方式的半导体元件保护用材料的半导体装置的部分切口正面截面图。
具体实施方式
以下，详细地说明本发明。
本发明所述的半导体装置具备：半导体元件和固化物。在本发明所述的半导体装置中，上述固化物配置在上述半导体元件的第一表面上。在本发明所述的半导体装置中，上述固化物是半导体元件保护用材料的固化物。
本发明所述的半导体元件保护用材料，在某一特定方面中，为了保护半导体元件，用于涂布在上述半导体元件的表面上，在上述半导体元件的表面上形成固化物。本发明所述的半导体元件保护用材料配置于半导体元件与其他连接对象部件之间，与形成用于接合以及固定上述半导体元件与上述其他连接对象部件以使其不剥离的固化物的物质(材料)不同。
另外，本发明所述的半导体元件保护用材料，在某一特定方面中，为了保护在连接对象部件上安装的半导体元件，用于涂布在上述半导体元件的与上述连接对象部件侧相反的表面上，在上述半导体元件的表面上形成固化物。
在本发明所述的半导体装置中使用的半导体元件保护用材料以及本发明所述的半导体元件保护用材料包含(A)热固性化合物、(B)固化剂或固化催化剂((B1)固化剂或(B2)固化催化剂)、以及(C)导热系数为10W/m·k以上的无机填充剂。本发明所述的半导体装置中使用的半导体元件保护用材料以及本发明所述的半导体元件保护用材料为了涂布在半导体元件的表面上，例如优选在23℃下为液态，优选在23℃下不是固体。另外，液态也包括粘稠的糊剂。
在本发明所述的半导体装置中使用的半导体元件保护用材料、以及本发明所述的半导体元件保护用材料不包含(X)三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，或者包含500ppm以下的(X)三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物。在本发明所述的半导体装置中使用的半导体元件保护用材料、以及本发明所述的半导体元件保护用材料中的低分子量的(X)硅氧烷化合物的含量少。本发明所述的半导体装置的固化物100重量％中，(C)导热系数为10W/m·k以上的无机填充剂的含量为60重量％以上且92重量％以下。在本发明所述的半导体装置中使用的半导体元件保护用材料100重量％中，(C)导热系数为10W/m·k以上的无机填充剂的含量优选为60重量％以上，且优选为92重量％以下。本发明所述的半导体元件保护用材料100重量％中，(C)导热系数为10W/m·k以上的无机填充剂的含量为60重量％以上且92重量％以下。
本发明所述的半导体装置的固化物以及本发明所述的半导体元件保护用材料的固化物的电导率为50μS/cm以下。
上述半导体元件保护用材料可以涂布在半导体元件的表面上。例如，能够在希望提高半导体元件的散热性的部位的表面上选择性而高精度地涂布上述半导体元件保护用材料。
本发明所述的半导体装置由于具备上述构成，因此，固化物的散热性优异。因此，能够使热从半导体元件的表面经过固化物充分地散发。因此，能够有效地抑制半导体装置的热劣化。
另外，本发明所述的半导体元件保护用材料由于具备上述构成，因此，固化物的散热性优异。因此，通过在半导体元件的表面上配置固化物，能够使热从半导体元件的表面经过固化物充分地散发。因此，能够有效地抑制半导体装置的热劣化。
此外，在本发明所述的半导体装置以及本发明所述的半导体元件保护用材料中，能够使固化物不易产生空隙，固化物不易从半导体元件的表面剥离。
此外，在本发明所述的半导体装置中，固化物的绝缘可靠性优异。因此，能够良好地保护上述半导体元件。
另外，在本发明所述的半导体元件保护用材料中，能够得到绝缘可靠性优异的固化物。因此，为了保护半导体，将本发明所述的半导体元件保护用材料涂布在上述半导体元件的表面上，使其固化，从而能够良好地保护上述半导体元件。另外，为了保护安装在连接对象部件上的半导体元件，将本发明所述的半导体元件保护用材料涂布在上述半导体元件的与上述连接对象部件侧相反的表面上，使其固化，从而能够良好地保护上述半导体元件。
从提高绝缘可靠性的观点出发，即使(X)三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物的含量最多为500ppm。从更进一步提高绝缘可靠性的观点出发，(X)三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物的含量优选为250ppm以下。(X)三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物的含量越少越好。
三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物是指六甲基环三硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、十甲基环五硅氧烷、十二甲基环六硅氧烷、十四甲基环七硅氧烷、十六甲基环八硅氧烷、十八甲基环九硅氧烷、二十甲基环十硅氧烷。
从更进一步有效地抑制空隙的观点出发，本发明所述的半导体元件保护用材料优选不包含(Y)水或者含有1000ppm以下的(Y)水。从更进一步抑制空隙的观点出发，(Y)水的含量优选为800ppm以下。(Y)水的含量越少越好。
上述水的含量使用卡尔费休水分计(京都电子工业株式会社制造的“MKV-710B”)测定。
从提高绝缘可靠性的观点出，本发明所述的半导体装置的上述固化物的电导率为50μS/cm以下。从提高绝缘可靠性的观点出发，在150℃条件下对本发明所述的半导体元件保护用材料加热2小时得到固化物时，上述固化物的电导率为50μS/cm以下。从更进一步提高绝缘可靠性的观点出发，上述固化物的电导率优选为30μS/cm以下。对于上述固化物的电导率的下限，没有特别的限定。
上述电导率如下所述地进行测定。在本发明所述的半导体装置中，准备上述半导体装置的固化物。在本发明所述的半导体装置保护用材料中，在150℃条件下用2小时使上述半导体元件保护用材料固化，得到固化物。将这些固化物粉碎成5mm见方左右，在粉碎物2.5g中添加离子交换水25mL，在PCT(121℃±2℃/湿度100％/2atm的槽)中放置20Hr。然后，得到冷却至室温(25℃)而得到的萃取液作为试验液。使用电导率计(东亚电波工业株式会社制造的电导率计“CM-30G”、“CM-42X”等)测定该试验液的电导率。
从更进一步提高涂布性的观点出发，上述半导体元件保护用材料在25℃以及10rpm条件下的粘度优选为40Pa·s以上，更优选为50Pa·s以上，且优选为140Pa·s以下，更优选为130Pa·s以下。
上述粘度使用B型粘度计(东机产业株式会社制造的“TVB-10型”)测定。
从更进一步提高固化性的观点出发，上述半导体元件保护用材料优选包含(B1)固化剂和(D)固化促进剂。
另外，从提高对半导体元件保护用材料对半导体元件表面的润湿性、更进一步提高固化物的柔软性、此外更进一步提固化物的耐湿性的观点出发，上述半导体元件保护用材料优选包括(E)偶联剂。
从有效地提高固化物的绝缘可靠性的观点出发，上述半导体元件保护用材料优选包含(F)离子捕捉剂。
以下，对可以用于上述半导体元件保护用材料的各成分的详细信息进行说明。
((A)热固性化合物)
(A)作为热固性化合物，可举出氧杂环丁烷化合物、环氧化合物、环硫化合物、(甲基)丙烯氧化合物、酚化合物、胺化合物、不饱和聚酯化合物、聚氨酯化合物、聚硅氧烷化合物以及聚酰亚胺化合物等。(A)热固性化合物可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
从有效地发挥本发明的效果、更进一步提高耐热性、并且进一步不易产生裂缝的观点出发，(A)热固性化合物优选包含(A1)环氧化合物或(A2)聚硅氧烷化合物。(A)热固性化合物可以包含(A1)环氧化合物，也可以包含(A2)聚硅氧烷化合物。从更进一步地抑制曝露于高温条件之后连接对象部件的翘曲的观点出发，(A2)聚硅氧烷化合物的分子量优选为300以上。从更进一步抑制曝露于高温条件之后连接对象部件的翘曲的观点出发，(A)热固性化合物优选包含(A2)聚硅氧烷化合物。
上述半导体元件保护用材料100重量％中，(A)热固性化合物的含量优选为1重量％以上，更优选为2重量％以上，且优选为20重量％以下，更优选为15重量％以下，进一步优选为10重量％以下，特别优选为8重量％以下。如果(A)热固性化合物的含量为上述下限以上且上述上限以下，则能够使半导体元件保护用材料的涂布性、固化物的柔软性以及耐湿性更进一步地变得良好，固化物对半导体元件的接合性更进一步地变得良好，更进一步地抑制对保护膜的贴附。
在上述半导体元件保护用材料100重量％中，(A1)环氧化合物与(A2)聚硅氧烷化合物的总含量优选为1重量％以上，更优选为2重量％以上，且优选为20重量％以下，更优选为15重量％以下。如果(A1)环氧化合物与(A2)聚硅氧烷化合物的总含量为上述下限以上且上述上限以下，则能够使半导体元件保护用材料的涂布性、固化物的柔软性以及耐湿性更进一步地变得良好，固化物对半导体元件的接合性更进一步地变得良好，更进一步地抑制对保护膜的贴附。
(A1)环氧化合物：
上述半导体元件保护用材料100重量％中，(A1)环氧化合物的含量优选为1重量％以上，更优选为2重量％以上，且优选为10重量％以下，更优选为8重量％以下。如果(A1)环氧化合物的含量为上述下限以上且上述上限以下，则能够使半导体元件保护用材料的涂布性、固化物的柔软性以及耐湿性更进一步地变得良好，固化物对半导体元件的接合性更进一步地变得良好，更进一步地抑制对保护膜的贴附。
作为(A1)环氧化合物，可举出(A11)挠性环氧化合物以及(A12)与挠性环氧化合物不同的环氧化合物。从有效地发挥本发明的效果的观点出发，优选(A)热固性化合物包含(A11)挠性环氧化合物和(A12)与挠性环氧化合物不同的环氧化合物。
(A12)与挠性环氧化合物不同的环氧化合物不具有挠性。通过使用(A11)挠性环氧化合物和(A12)环氧化合物，能够使半导体元件保护用材料的固化物的耐湿性提高，能够降低对保护膜的贴附性。(A12)环氧化合物可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
(A)热固性化合物优选包含(A11)挠性环氧化合物。通过使用(A11)挠性环氧化合物，能够提高固化物的柔软性。通过使用(A11)挠性环氧化合物，可以使得半导体元件不易因为施加在半导体元件上的变形应力等而产生损伤，而且，固化物不易从半导体元件的表面剥离。(A11)挠性环氧化合物可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
作为(A11)挠性环氧化合物，可举出聚亚烷基二醇二缩水甘油醚、聚丁二烯二缩水甘油醚、硫化物改性环氧树脂、以及聚氧化烯烃改性双酚A型环氧树脂等。从更进一步提高固化物的柔软性的观点出发，优选聚亚烷基二醇二缩水甘油醚。
从更进一步提高固化物的柔软性、提高接合力的观点出发，上述聚亚烷基二醇二缩水甘油醚优选具有9个以上的亚烷基二醇基重复而成的结构单元。对于亚烷基的重复数量的上限，没有特别的限定。亚烷基的重复数量可以是30以下。上述亚烷基的碳原子数优选为2以上，且优选为5以下。
作为上述聚亚烷基二醇二缩水甘油醚，可举出聚亚烷基二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚以及聚丁二醇二缩水甘油醚等。
上述半导体元件保护用材料100重量％中，(A11)挠性环氧化合物的含量优选为3重量％以上，更优选为5重量％以上，且优选为10重量％以下，更优选为8重量％以下。如果(A11)挠性环氧化合物的含量为上述下限以上，则固化物的柔软性更进一步地提高。如果(A11)挠性环氧化合物的含量为上述上限以下，则半导体元件保护用材料的涂布性更进一步地提高。
上述半导体元件保护用材料100重量％中，(A11)挠性环氧化合物与(A12)环氧化合物的合计含量优选为5重量％以上，更优选为8重量％以上，且优选为15重量％以下，更优选为12重量％以下。如果(A11)挠性环氧化合物与(A12)环氧化合物的合计含量为上述下限以上且上述上限以下，则半导体元件保护用材料的涂布性、固化物的柔软性以及耐湿性能够更进一步地变得良好，固化物对半导体元件的接合性更进一步地变得良好，更进一步地抑制对保护膜的贴附。
作为(A12)环氧化合物，可举出具有双酚骨架的环氧化合物、具有二环戊二烯骨架的环氧化合物、具有萘骨架的环氧化合物、具有金刚烷骨架的环氧化合物、具有芴骨架的环氧化合物、具有联苯骨架的环氧化合物、具有双(缩水甘油基苯基)甲烷骨架的环氧化合物、具有氧杂蒽骨架的环氧化合物、具有蒽骨架的环氧化合物、以及具有芘骨架的环氧化合物等。这些化合物的加氢物或改性物。优选(A12)环氧化合物不是聚亚烷基二醇二缩水甘油醚。
出于使本发明的效果更进一步地优异，(A12)环氧化合物优选为具有双酚骨架的环氧化合物(双酚型环氧化合物)。
作为上述具有双酚骨架的环氧化合物，例如，可举出双酚A型、双酚F型或双酚S型的具有双酚骨架的环氧单体等。
作为上述具有二环戊二烯骨架的环氧化合物，可举出二环戊二烯二氧化物、以及具有二环戊二烯骨架的苯酚线型酚醛树脂环氧单体等。
作为上述具有萘骨架的环氧化合物，可举出1-缩水甘油基萘、2-缩水甘油基萘、1,2-二缩水甘油基萘、1,5-二缩水甘油基萘、1,6-二缩水甘油基萘、1,7-二缩水甘油基萘、2,7-二缩水甘油基萘、三缩水甘油基萘、以及1,2,5,6-四缩水甘油基萘等。
作为上述具有金刚烷骨架的环氧化合物，可举出1,3-双(4-缩水甘油基苯基)金刚烷、以及2,2-双(4-缩水甘油基苯基)金刚烷等。
作为上述具有芴骨架的环氧化合物，可举出9,9-双(4-缩水甘油基苯基)芴、9,9-双(4-缩水甘油基氧基-3-甲基苯基)芴、9,9-双(4-缩水甘油基氧基-3-氯苯基)芴、9,9-双(4-缩水甘油基氧基-3-溴苯基)芴、9,9-双(4-缩水甘油基氧基-3-氟苯基)芴、9,9-双(4-缩水甘油基氧基-3-甲氧基苯基)芴、9,9-双(4-缩水甘油基氧基-3,5-二甲基苯基)芴、9,9-双(4-缩水甘油基氧基-3,5-二氯苯基)芴、以及9,9-双(4-缩水甘油基氧基-3,5-二溴苯基)芴等。
作为上述具有联苯骨架的环氧化合物，可举出4，4’-二缩水甘油基联苯、以及4,4’-二缩水甘油基-3,3’,5,5’-四甲基联苯等。
作为上述具有双(缩水甘油基苯基)甲烷骨架的环氧化合物，可举出1,1’-双(2,7-缩水甘油基氧基萘基)甲烷、1,8’-双(2,7-缩水甘油基氧基萘基)甲烷、1,1’-双(3,7-缩水甘油基氧基萘基)甲烷、1,8’-双(3,7-缩水甘油基氧基萘基)甲烷、1,1’-双(3,5-缩水甘油基氧基萘基)甲烷、1,8’-双(3,5-缩水甘油基氧基萘基)甲烷、1,2’-双(2,7-缩水甘油基氧基萘基)甲烷、1,2’-双(3,7-缩水甘油基氧基萘基)甲烷、以及1,2’-双(3,5-缩水甘油基氧基萘基)甲烷等。
作为上述具有氧杂蒽骨架的环氧化合物，可举出1,3,4,5,6,8-六甲基-2,7-双-环氧乙基甲氧基-9-苯基-9H-氧杂蒽等。
相对于(A11)挠性环氧化合物100重量份，(A12)环氧化合物的含量优选为10重量份以上，更优选为20重量份以上，且优选为100重量份以下，更优选为90重量份以下。如果(A12)环氧化合物的含量为上述下限以上，则半导体元件保护用材料的涂布性更进一步地提高，固化物对半导体元件的接合性更进一步地提高。如果(A12)环氧化合物的含量为上述上限以下，则固化物的柔软性更进一步地提高。
(A2)聚硅氧烷化合物例如包含：具有与硅原子键合的烯基的聚硅氧烷化合物和具有与硅原子键合的氢原子的聚硅氧烷化合物。具有与硅原子键合的烯基的聚硅氧烷化合物也可以不具有与硅原子键合的氢原子。
上述具有与硅原子键合的烯基的聚硅氧烷化合物优选为由下述式(1A)表示的聚硅氧烷化合物、由下述式(2A)表示的聚硅氧烷化合物、或由下述式(3A)表示的聚硅氧烷化合物。
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(1A)
上述式(1A)中，a以及b满足0.01≤a≤0.2且0.8≤b≤0.99，R1～R5的1mol％以上且20mol％以下表示烯基，R1～R5的80mol％以上且99mol％以下表示甲基以及苯基，除烯基、甲基以及苯基以外的R1～R5表示碳原子数为2～6的烷基。
(R1R2R3SiO1/2)a(SiO4/2)b(2A)
上述式(2A)中，a以及b满足0.7≤a≤0.9且0.1≤b≤0.3，R1～R3的1mol％以上且33mol％以下表示烯基，R1～R3的67mol％以上且99mol％以下表示甲基以及苯基，除烯基、甲基以及苯基以外的R1～R3表示碳原子数为2～6的烷基。R1～R3的1mol％以上且20mol％以下可以表示烯基，R1～R3的80mol％以上且99mol％以下可以表示甲基以及苯基。
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c(3A)
上述式(3A)中，a、b以及c满足0.05≤a≤0.3、0≤b≤0.8、且0.15≤c≤0.85，R1～R6的2mol％以上且20mol％以下表示烯基，R1～R6的80mol％以上且95mol％以下表示甲基以及苯基，除烯基、甲基以及苯基以外的R1～R6表示碳原子数为2～6的烷基。
上述具有与硅原子键合的氢原子的聚硅氧烷化合物优选为由下述式(1B)表示的聚硅氧烷化合物。
(R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(1B)
上述式(1B)中，a以及b满足0.1≤a≤0.67且0.33≤b≤0.9，R1～R5的1mol％以上且25mol以下％表示氢原子，R1～R5的75mol％以上且99mol％以下表示甲基以及苯基，除氢原子、甲基以及苯基以外的R1～R5表示碳原子数为2～6的烷基。
(A2)聚硅氧烷化合物优选包含由上述式(1A)表示的聚硅氧烷化合物。(A2)聚硅氧烷化合物优选包含由上述式(1A)表示的聚硅氧烷化合物和由上述式(2A)表示的聚硅氧烷化合物，或者包含由上述式(1A)表示的聚硅氧烷化合物和由上述式(3A)表示的聚硅氧烷化合物。
从有效地提高固化物的接合性、有效地改善固化物的剥离的观点出发，(A)热固性化合物优选包含由上述式(2A)或(3A)表示的聚硅氧烷化合物和由上述式(1B)表示的聚硅氧烷化合物作为(A1)聚硅氧烷化合物。从提高绝缘可靠性的观点出发，(A)热固性化合物优选包含由上述式(3A)表示的聚硅氧烷化合物和由上述式(1B)表示的聚硅氧烷化合物作为(A1)聚硅氧烷化合物。从更进一步地抑制连接对象部件的翘曲的观点出发，(A)热固性化合物优选包含由上述式(1A)表示的聚硅氧烷化合物和由上述式(1B)表示的聚硅氧烷化合物作为(A1)聚硅氧烷化合物。
上述半导体元件保护用材料100重量％中，(A2)聚硅氧烷化合物的含量优选为5重量％以上，更优选为8重量％以上，且优选为20重量％以下，更优选为15重量％以下。如果(A2)聚硅氧烷化合物的含量为上述下限以上且上述上限以下，则能够使半导体元件保护用材料的涂布性、固化物的柔软性以及耐湿性更进一步地变得良好，固化物对半导体元件的接合性更进一步地变得良好，更进一步地抑制对保护膜的贴附。
相对于上述具有与硅原子键合的氢原子的聚硅氧烷化合物100重量份，上述具有与硅原子键合的烯基的聚硅氧烷化合物的含量优选为10重量份以上，且优选为400重量份以下。如果满足该含量的关系，则能够使半导体元件保护用材料的涂布性、固化物的柔软性以及耐湿性更进一步地变得良好，固化物对半导体元件的接合性更进一步地变得良好，更进一步地抑制对保护膜的贴附。
((B)固化剂或固化催化剂)
作为(B)固化剂或固化催化剂，可以使用(B1)固化剂，也可以使用(B2)固化催化剂。在使用(A1)环氧化合物的情况下，优选(B1)固化剂。在使用(A2)聚硅氧烷化合物的情况下，优选(B2)固化催化剂。
(B1)固化剂在23℃条件下可以为液态，也可以为固体形态。从更进一步地提高半导体元件保护用材料的涂布性的观点出发，(B1)固化剂优选为在23℃下为液态的固化剂。而且，通过使用在23℃下为液态的固化剂，能够使半导体元件保护用材料对半导体元件表面的润湿性提高。(B1)固化剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。(B2)固化催化剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
作为(B1)固化剂，可举出胺化合物(胺固化剂)、咪唑化合物(咪唑固化剂)、酚化合物(酚固化剂)以及酸酐(酸酐固化剂)等。(B1)固化剂也可以不是咪唑化合物。
从更进一步地抑制固化物中的空隙的产生、更进一步地提高固化物的耐热性的观点出发，(B1)固化剂优选为酚化合物。
从更进一步地提高半导体元件保护用材料的涂布性、更进一步地抑制固化物中的空隙的产生、更进一步地提高固化物的耐热性的观点出发，(B1)固化剂优选具有烯丙基，上述酚化合物优选具有烯丙基。
作为上述酚化合物，可举出苯酚线型酚醛树脂、邻甲酚线型酚醛树脂、对甲酚线型酚醛树脂、叔丁基苯酚线型酚醛树脂、二环戊二烯甲酚、聚对乙烯基苯酚、双酚A型线型酚醛树脂、苯二甲基改性线型酚醛树脂、癸烷改性线型酚醛树脂、聚(二邻羟基苯基)甲烷、聚(二间羟基苯基)甲烷、以及聚(二对羟基苯基)甲烷等。
在使用(B1)固化剂的情况下，相对于(A)热固性化合物100重量份，(B1)固化剂的含量优选为50重量份以上，更优选为75重量份以上，进一步优选为100重量份以上，且优选为250重量份以下，更优选为225重量份以下，进一步优选为200重量份以下。如果(B1)固化剂的含量为上述下限以上，则能够使半导体元件保护用材料良好地固化。如果(B1)固化剂的含量为上述上限以下，则固化物中未参与固化的(B1)固化剂的残存量变少。
作为(B2)固化催化剂，可举出氢化甲硅烷化反应用催化剂以及缩合催化剂等金属催化剂等。
作为上述固化催化剂，例如，可举出锡类催化剂、铂类催化剂、铑类催化剂以及钯类催化剂等。由于能够提高透明性，因此铂类催化剂是优选的。
上述氢化甲硅烷化反应用催化剂是使聚硅氧烷化合物中的与硅原子键合的氢原子和聚硅氧烷化合物中的烯基进行氢化甲硅烷化反应的催化剂。上述氢化硅烷化反应用催化剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
作为上述铂类催化剂，铂粉末、氯铂酸、铂-烯基硅氧烷络合物、铂-烯烃络合物以及铂-羰基络合物。特别优选铂-烯基硅氧烷络合物或铂-烯烃络合物。
作为上述铂-烯基硅氧烷络合物中的烯基硅氧烷，例如，可举出1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷、以及1,3,5,7-四甲基-1,3,5,7-四乙烯基环四硅氧烷等。作为上述铂-烯烃络合物中的烯烃，例如，可举出烯丙基醚以及1,6-庚二烯等。
由于能够提高上述铂-烯基硅氧烷络合物以及铂-烯烃络合物的稳定性，优选在上述铂-烯基硅氧烷络合物或铂-烯烃络合物中添加烯基硅氧烷、有机硅氧烷低聚物、烯丙基醚或烯烃。上述烯基硅氧烷优选为1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷。上述有机硅氧烷低聚物优选为二甲基硅氧烷低聚物。上述烯烃优选为1,6-庚二烯。
在使用(B2)固化催化剂的情况下，相对于(A)热固性化合物100重量份，(B2)固化催化剂的含量优选为0.001重量份以上，更优选为0.01重量份以上，进一步优选为0.05重量份以上，且优选为2重量份以下，更优选为1重量份以下，进一步优选为0.5重量份以下。如果(B2)固化催化剂的含量为上述下限以上，则能够使半导体元件保护用材料良好地固化。如果(B2)固化催化剂的含量为上述上限以下，则固化物内没有参与固化的(B2)固化催化剂的残存量变少。
((C)导热系数为10W/m·k以上的无机填充剂)
通过使用(C)导热系数为10W/m·k以上的无机填充剂，能够将半导体元件保护用材料的涂布性维持得较高，并且将固化物的柔软性维持得较高，提高固化物的散热性。(C)无机填充剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
从更进一步地提高固化物的散热性的观点出发，(C)无机填充剂的导热系数优选为10W/m·k以上，更优选为15W/m·k以上，进一步优选为20W/m·k以上。对于(C)无机填充剂的导热系数的上限，没有特别的限定。导热系数为300W/m·k左右的无机填充剂是众所周知的，另外，导热系数为200W/m·k左右的无机填充剂能够容易地获得。
从有效地提高固化物的散热性的观点出发，(C)无机填充剂优选为氧化铝、氮化铝或碳化硅。在使用这些优选的无机填充剂的情况下，这些无机填充剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。作为(C)无机填充剂，也可以合适地使用除上述以外的无机填充剂。
从有效地将半导体元件保护用材料的涂布性维持得较高、并且将固化物的柔软性有效地维持得较高、同时有效地提高固化物的散热性的观点出发，(C)无机填充剂优选为导热系数为10W/m·k以上且为球状的无机填充剂。球状是指纵横比(长径/短径)为1以上且2以下。
(C)无机填充剂的平均粒径优选为0.1μm以上，且优选为150μm以下。如果(C)无机填充剂的平均粒径为上述下限以上，则能够容易地以高密度填充(C)无机填充剂。如果(C)无机填充剂的平均粒径为上述上限以下，则半导体元件保护用材料的涂布性更进一步地提高。
上述“平均粒径”是指，根据通过激光衍射式粒度分布测定装置测定的以体积平均计的粒度分布测定结果求出平均粒径。
上述固化物100重量％中，以及上述半导体元件保护用材料100重量％中，(C)无机填充剂的含量优选为60重量％以上且92重量％以下。上述半导体元件保护用材料100重量％中，(C)无机填充剂的含量更优选为70重量％以上，进一步优选为80重量％以上，特别优选为82重量％以上，且更优选为90重量％以下。如果(C)无机填充剂的含量为上述下限以上，则固化物的散热性更进一步地提高。如果(C)无机填充剂的含量为上述上限以下，则半导体元件保护用材料的涂布性更进一步地提高，固化物的性状更进一步地变得良好。
((D)固化促进剂)
通过使用(D)固化促进剂，能够加快固化速度，使半导体元件保护用材料高效地固化。(D)固化促进剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
作为(D)固化促进剂，可举出咪唑化合物、磷化合物、胺化合物、以及有机金属化合物等。其中，出于使本发明的效果更进一步地优异，优选咪唑化合物。
作为上述咪唑化合物，可举出2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、1,2-二甲基咪唑、1-氰基乙基-2-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑、1-氰基乙基-2-苯基咪唑、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑偏苯三酸酯、1-氰基乙基-2-苯基咪唑偏苯三酸酯、2,4-二胺-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二胺-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪三聚异氰酸加成物、2-苯基咪唑三聚氰酸加成物、2-甲基咪唑三聚氰酸加成物、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑以及2-苯基-4-甲基-5-二羟基甲基咪唑等。另外，可以使用公知的咪唑类潜伏性固化剂。作为具体例，可举出PN23、PN40、PN-H(商品名，都为Ajinomoto Fine-Techno公司制造)。另外，还可举出被称为微胶囊化咪唑的、与胺化合物的环氧加成物的羟基进行加成反应而得到的固化促进剂，例如，可举出NOVACURE HX-3088、NOVACURE HX-3941、HX-3742、HX-3722(商品名，都为旭化成E-materials公司制造)等。此外，可以使用包合咪唑。作为具体例，可举出TIC-188(商品名，日本曹达株式会社制造)。
作为上述磷化合物，可举出三苯基膦等。
作为上述胺化合物，可举出2,4,6-三(二甲基氨基甲基)苯酚、二乙胺、三乙胺、二亚乙基四胺、三亚乙基四胺以及4,4-二甲基氨基吡啶等。
作为上述有机金属化合物，可举出环烷酸锌、环烷酸钴、辛酸锡、辛酸钴、双乙酰丙酮合钴(II)以及三乙酰丙酮合钴(III)等。
相对于与(A)热固性化合物的总量100重量份，(D)固化促进剂的含量优选为0.1重量份以上，更优选为0.5重量份以上，且优选为10重量份以下，更优选为8重量份以下。如果(D)固化促进剂的含量为上述下限以上，则能够使半导体元件保护用材料良好地固化。如果(D)固化促进剂的含量为上述上限以下，则固化物内没有参与固化的(D)固化促进剂的残存量变少。
((E)偶联剂)
上述半导体元件保护用材料优选包含(E)偶联剂。通过使用(E)偶联剂，半导体元件保护用材料的固化物的耐湿性更进一步地提高。(E)偶联剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
上述固化物100重量％中，以及上述半导体元件保护用材料100重量％中，(E)偶联剂的含量优选为0.1重量％以上，更优选为0.2重量％以上，且优选为2重量％以下，更优选为1重量％以下。如果(E)偶联剂的含量为上述下限以上，则半导体元件保护用材料的固化物的耐湿性更进一步地提高。如果(E)偶联剂的含量为上述上限以下，则半导体元件保护用材料的涂布性更进一步地提高。
上述(E)偶联剂优选包含在100℃下的重量减少为10重量％以下的硅烷偶联剂、在100℃下的重量减少为10重量％以下的钛酸盐偶联剂、或在100℃下的重量减少为10重量％以下的铝酸盐偶联剂。在使用这些优选的偶联剂的情况下，这些偶联剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
如果在100℃条件下的重量减少为10重量％以下，则固化中(E)偶联剂的挥发得到抑制，对半导体元件的润湿性更进一步地提高，固化物的散热性更进一步地提高。
另外，在100℃下的重量减少能够通过使用红外水分计(Kett科学研究所株式会社制造的“FD-720”)，以50℃/分钟的升温速度升温至100℃，测定10分钟后的重量减少而求出。
((F)离子捕捉剂)
从有效地提高固化物的绝缘可靠性的观点出发，上述半导体元件保护用材料优选包含(F)离子捕捉剂。(F)离子捕捉剂可以仅使用一种，也可以组合使用两种以上。
对于(F)离子捕捉剂，没有特别的限定。作为该(F)离子捕捉剂，可以使用以往公知的离子捕捉剂。
作为(F)离子捕捉剂的具体例，可举出已知的作为用于防止铜离子化而溶出的铜害防止剂化合物，例如，可以使用三嗪硫醇化合物、双酚类还原剂等。作为双酚类还原剂，可举出2,2’-亚甲基-双-(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、以及4,4’-硫代-双(3-甲基-6-叔丁基苯酚)等。另外，作为(F)离子捕捉剂的具体例，可举出无机阴离子交换体、无机阳离子交换体以及无机两性离子交换体等，具体而言，由通式BiOX(OH)Y(NO3)Z[其中，X为0.9～1.1，Y为0.6～0.8，Z为0.2～0.4的正数]表示的氧化铋类离子捕捉剂、氧化锑类离子捕捉剂、磷酸钛类离子捕捉剂、磷酸锆类离子捕捉剂、以及由通式MgXAlY(OH)2X+3Y-2Z(CO3)Z·mH2O[其中，X、Y、Z是满足2X+3Y-2Z≥0的正数，m是正数]表示的水滑石类离子捕捉剂等。作为这些离子捕捉剂的市售品，例如，可举出IXE-100(东亚合成株式会社制造，磷酸锆类离子捕捉剂)、IXE-300(东亚合成株式会社制造，氧化锑类离子捕捉剂)、IXE-400(东亚合成株式会社制造，磷酸钛类离子捕捉剂)、IXE-500(东亚合成株式会社制造，氧化铋类离子捕捉剂)、IXE-600(东亚合成株式会社制造，氧化锑/氧化铋类离子捕捉剂)、DHT-4A(水滑石类离子捕捉剂，协和化学工业株式会社制造)、以及Kyowaad kW-2000(水滑石类离子捕捉剂，协和化学工业株式会社制造)等。从更进一步地降低固化物的电可靠性的观点出发，(F)离子捕捉剂优选为无机阳离子交换体或无机两性离子交换体。
从更进一步地抑制迁移、更进一步地提高绝缘可靠性的观点出发，上述阳离子交换体优选为Zr类阳离子交换体或Sb类阳离子交换体，更优选为Zr类阳离子交换体，另外，上述阳离子交换体优选包含锆原子。
从更进一步地抑制迁移、更进一步地提高绝缘可靠性的观点出发，上述阴离子交换体优选为Bi类阴离子交换体、Mg-Al类阴离子交换体或Zr类阴离子交换体，更优选为Mg-Al类阴离子交换体，另外，上述阴离子交换体优选包含镁原子和铝原子。
从更进一步地抑制迁移、更进一步地提高绝缘可靠性的观点出发，上述阳离子交换剂的中性交换容量优选为1meq/g以上，更优选为2meq/g以上，且优选为10meq/g以下，更优选为4meq/g以下。
从更进一步地抑制迁移、更进一步地提高绝缘可靠性的观点出发，上述阴离子交换剂的中性交换容量优选为0.1meq/g以上，更优选为1meq/g以上，优选为10meq/g以下，更优选为5meq/g以下。
从更进一步地抑制迁移、更进一步地提高绝缘可靠性的观点出发，上述阳离子交换剂的中值粒径优选为0.1μm以上，更优选为0.5μm以上，且优选为10μm以下，更优选为3μm以下。
从更进一步地抑制迁移、更进一步地提高绝缘可靠性的观点出发，上述阴离子交换剂的中值粒径优选为0.1μm以上，更优选为0.5μm以上，且优选为10μm以下，更优选为3μm以下。
从更进一步地抑制迁移、更进一步地提高绝缘可靠性的观点出发，上述固化物100重量％中，以及上述半导体元件保护用材料100重量％中，(F)离子捕捉剂的含量优选为0.1量％以上，更优选为0.3重量％以上，优选为3重量％以下，更优选为2重量％以下。
(其他成分)
根据需要，上述半导体元件保护用材料可以包含：巴西棕榈蜡等天然蜡、聚乙烯蜡等合成蜡、硬脂酸或硬脂酸锌等高级脂肪酸及其金属盐类、或石蜡等脱模剂；碳黑、铁丹等着色剂；溴化环氧树脂、三氧化锑、氢氧化铝、氢氧化镁、硼酸锌、钼酸锌、磷腈等阻燃剂；氧化铋水合物等无机离子交换体；硅油、硅橡胶等低应力化成分；抗氧化剂等各种添加剂。
上述半导体元件保护用材料优选包含分散剂。作为分散剂的具体例，可举出聚羧酸盐、烷基铵盐、烷醇铵盐、磷酸酯盐、丙烯酸类嵌段共聚物、以及聚合物盐等。
上述固化物100重量％中，以及上述半导体元件保护用材料100重量％中，分散剂的含量优选为0.1重量％以上，更优选为0.2重量％以上，且优选为2重量％以下，更优选为1重量％以下。
(半导体元件保护用材料的其他详细信息以及半导体装置)
上述半导体元件保护用材料是为了半导体元件而涂布在上述半导体元件的表面上来使用的。上述半导体元件保护用材料配置于半导体元件与其他连接对象部件之间，并且与用于形成接合以及固定上述半导体元件和上述其他连接对象部件并使其不剥离的固化物的物质不同。上述半导体元件保护用材料优选为包覆半导体元件的表面的包覆材料。上述半导体元件保护用材料优选不涂布在半导体元件的侧面上。上述半导体元件保护用材料优选与用于密封上述半导体元件的材料不同，优选不是用于密封上述半导体元件的密封剂。上述半导体元件保护用材料优选不是底部填充(Underfill)材料。上述半导体元件优选在第二表面侧具有第一电极，上述半导体元件保护用材料优选涂布使用在上述半导体元件的与上述第二表面侧相反的第一表面上。在半导体装置中，为了保护半导体元件，上述半导体元件保护用材料合适地用于在上述半导体元件的表面上形成固化物。为了保护半导体元件，上述半导体元件保护用材料合适地用于在上述半导体元件的表面上形成固化物，并且合适地用于在上述固化物的与上述半导体元件侧相反的表面上配置保护膜，得到半导体装置。在上述半导体装置中，上述固化物的电导率优选为50μS/cm以下。
作为涂布上述半导体元件保护用材料的方法，可举出采用分配器的涂布方法、采用丝网印刷的涂布方法、以及采用喷墨装置的涂布方法等。上述半导体元件保护用材料优选通过采用分配器、丝网印刷、真空丝网印刷或喷墨装置的涂布方法涂布使用。从涂布容易、且固化物更进一步不易产生空隙的观点出发，上述半导体元件保护用材料优选通过分配器涂布使用。
本发明所述的半导体装置具备半导体元件和配置在上述半导体元件的第一表面上的固化物。在本发明所述的半导体装置中，上述固化物通过使上述半导体元件保护用材料固化而形成。
对于上述半导体元件保护用材料而言，优选用于在上述半导体元件的表面上形成固化物以保护半导体元件，并且在上述固化物的与上述半导体元件侧相反的表面上配置保护膜，从而得到半导体装置，或者，优选用于在上述半导体元件的表面上形成固化物以保护半导体元件，且上述固化物的与上述半导体元件侧相反的表面外露，得到半导体装置。出于更进一步有效地发挥本发明的效果，上述半导体元件保护用材料优选为驱动IC芯片的保护用材料。
图1是表示使用本发明的第一实施方式所述的半导体元件保护用材料的半导体装置的部分切口正面截面图。
图1所示的半导体装置1具备半导体元件2和配置在半导体元件2的第一表面2a上的固化物3。固化物3通过使上述半导体元件保护用材料固化而形成。固化物3配置于半导体元件2的第一表面2a上的一部分的区域。
半导体元件2在与第一表面2a侧相反的第二表面2b侧具有第一电极2A。半导体装置1进一步具备连接对象部件4。连接对象部件4在表面4a具有第二电极4A。半导体元件2和连接对象部件4通过其他固化物5(连接部)接合以及固定。半导体元件2安装在连接对象部件4上。半导体元件2的第一电极2A与连接对象部件4的第二电极4A相对，通过导电性粒子6实现了电连接。也可以通过使第一电极2A与第二电极4A接触，从而进行电连接。固化物3配置在半导体元件2的与配置有第一电极2A的一侧相反的第一表面2a上。固化物3配置在半导体元件2的与连接对象部件4侧相反的第一表面2a上。
在固化物3的与半导体元件2侧相反的表面上配置有保护膜7。由此，不仅能够通过固化物3提高散热性以及半导体元件的保护性，还能够通过保护膜7更进一步地提高半导体元件的保护性。由于固化物3具有上述组成而得到，因此，能够抑制固化物3对保护膜7的贴附。
作为上述连接对象部件，可举出玻璃基板、玻璃环氧基板以及挠性印刷基板等。作为上述挠性印刷基板，可举出聚酰亚胺基板等树脂基板等。出于能够更进一步有效地发挥本发明的效果，上述连接对象部件优选为基板，优选为挠性印刷基板，优选为树脂基板，更优选为聚酰亚胺基板。
在半导体元件的表面上，半导体元件保护用材料的固化物的厚度优选为400μm以上，更优选为500μm以上，且优选为2000μm以下，更优选为1900μm以下。半导体元件保护用材料的固化物的厚度可以比半导体元件的厚度薄。
图2是表示使用本发明的第二实施方式所述的半导体元件保护用材料的半导体装置的部分切口正面截面图。
图2所示的半导体装置1X具备半导体元件2和配置在半导体元件2的第一表面2a上的固化物3X。固化物3X通过使上述半导体元件保护用材料固化而形成。固化物3X配置于半导体元件2的第一表面2a上的整个区域。不在固化物3X的与半导体元件2侧相反的表面上配置保护膜。固化物3X的与半导体元件2侧相反的表面外露。
在上述半导体装置中，优选在上述固化物的与上述半导体元件侧相反的表面上配置有保护膜，或者优选上述固化物的与上述半导体元件侧相反的表面外露。
需要说明的是，图1、2所示的结构只不过是半导体装置的一个实例，可以对半导体元件保护用材料的固化物的配置结构等适当地变形。
对于半导体元件保护用材料的固化物的导热系数没有特别的限定，优选为大于1.1W/m·k，更优选为1.5W/m·k以上，进一步优选为1.8W/m·k以上。
以下，通过举出本发明的具体实施例以及比较例，明确本发明。需要说明的是，本发明不限定于以下的实施例。
使用了以下的材料。
(A1)环氧化合物
EX-821(n＝4)((A11)挠性环氧化合物，Nagase ChemteX公司制造，聚乙二醇二缩水甘油醚，环氧当量：185)
EX-830(n＝9)((A11)挠性环氧化合物，Nagase ChemteX公司制造，聚乙二醇二缩水甘油醚，环氧当量：268)
EX-931(n＝11)((A11)挠性环氧化合物，Nagase ChemteX公司制造，聚丙二醇二缩水甘油醚，环氧当量：471)
EX-861(n＝22)((A11)挠性环氧化合物，Nagase ChemteX公司制造，聚乙二醇二缩水甘油醚，环氧当量：551)
PB3600(大赛璐株式会社制造，聚丁二烯改性环氧树脂，环氧当量：200)
jER828((A12)环氧化合物，三菱化学株式会社制造，双酚A型环氧树脂，环氧当量：188)
jER834((A12)环氧化合物，三菱化学株式会社制造，双酚A型环氧树脂，软化点：30℃，环氧当量：255)
(A2)聚硅氧烷化合物
[聚硅氧烷化合物即聚合物A的合成]
在具备温度计、滴加装置以及搅拌机的1000mL的可分离式烧瓶中加入二甲基二甲氧基硅烷164.1g、甲基苯基二甲氧基硅烷20.1g以及1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷4.7g，在50℃条件下搅拌。向其中缓慢地滴加将氢氧化钾2.2g溶解于水35.1g而得到的溶液，滴加之后在50℃条件下搅拌6小时，使其反应，得到反应液。接下来，减压除去挥发成分，在反应液中添加醋酸2.4g，在减压条件下加热。然后，通过过滤除去醋酸钾，得到聚合物A。
得到的聚合物A的数均分子量为15000。通过29Si-NMR鉴定化学结构的结果是，聚合物A具有下述平均组成式。
(Me2SiO2/2)0.85(PhMeSiO2/2)0.10(ViMe2SiO1/2)0.05
上述式中，Me表示甲基，Vi表示乙烯基，Ph表示苯基。得到的聚合物A的苯基以及甲基的含有比率为97.6摩尔％，乙烯基的含有比率为2.4摩尔％。
另外，各聚合物的分子量如下测定：在10mg聚合物中添加四氢呋喃1mL，搅拌至溶解，通过GPC进行测定。在GPC测定中，使用Waters公司制造的测定装置(柱：昭和电工株式会社制造的Shodex GPC LF-804(长度300mm)×两根，测定温度：40℃，流速：1mL/min，溶剂：四氢呋喃，标准物质：聚苯乙烯)。
[聚硅氧烷化合物即聚合物B～D的合成]
除了改变合成中使用的有机硅化合物的种类以及配合量以外，与聚合物A的合成同样地进行操作，得到聚合物B～D。
聚合物B：
(SiO4/2)0.20(ViMe2SiO1/2)0.40(Me3SiO1/2)0.40
数均分子量2000
苯基以及甲基的含有比率为83.3摩尔％，乙烯基的含有比率为16.7摩尔％
聚合物C：
(MeSiO3/2)0.20(PhMeSiO2/2)0.70(ViMe2SiO1/2)0.10
数均分子量 4000
苯基以及甲基的含有比率为94.7摩尔％，乙烯基的含有比率为5.3摩尔％
聚合物D：
(PhSiO3/2)0.80(ViMe2SiO1/2)0.20
数均分子量 1700
苯基以及甲基的含有比率为85.7摩尔％，乙烯基的含有比率为14.3摩尔％
[聚硅氧烷化合物聚合物E的合成]
在具备了温度计、滴加装置以及搅拌机的1000mL的可分离式烧瓶中加入二苯基二甲氧基硅烷80.6g以及1,1,3,3-四甲基二硅氧烷45g，在50℃条件下进行搅拌。向其中缓慢地滴加醋酸100g和水27g的溶液，滴加后在50℃条件下搅拌6小时，使其反应，得到反应液。接下来，减压除去挥发成分，得到聚合物。在得到的聚合物中添加己烷150g和醋酸乙酯150g，用离子交换水300g进行洗净10次，减压除去挥发成分，得到聚合物E。
得到的聚合物E的数均分子量为850。通过29Si-NMR鉴定化学结构的结果是，聚合物E具有下述平均组成式。
(Ph2SiO2/2)0.67(HMe2SiO1/2)0.33
上述式中，Me表示甲基，Ph表示苯基。得到的聚合物E的苯基以及甲基的含有比率为74.9摩尔％，与硅原子键合的氢原子的含有比率为25.1％。
[聚硅氧烷化合物即聚合物F的合成]
除了将在聚合物E的合成中用离子交换水的洗净改变成1次以外，同样地进行操作，得到聚合物F。
[聚硅氧烷化合物即聚合物G的合成]
在具备温度计、滴加装置以及搅拌机的1000mL的可分离式烧瓶中加入二甲基二甲氧基硅烷80.6g以及1,1,3,3-四甲基二硅氧烷45g，在50℃条件下进行搅拌。向其中缓慢地滴加醋酸100g和水27g的溶液，滴加后在50℃条件下搅拌6小时，使其反应，得到反应液。接下来，在得到的反应液中添加己烷150g和醋酸乙酯150g，用离子交换水300g进行洗净10次，通过分液除去溶剂成分，得到聚合物G。
得到的聚合物G的数均分子量为350。通过29Si-NMR鉴定化学结构的结果是，聚合物G具有下述平均组成式。
(Me2SiO2/2)0.50(HMe2SiO1/2)0.50
上述式中，Me表示甲基。得到的聚合物G的苯基以及甲基的含有比率为80摩尔％，与硅原子键合的氢原子的含有比率为20％。
(B)固化剂或固化催化剂
Fujicure7000(富士化成株式会社制造，在23℃下为液态，胺化合物)
MEH-8005(明和化成株式会社制造，在23℃下为液态，烯丙基线型酚醛树脂化合物)
TD-2131(DIC公司制造，在23℃下为固态，线型酚醛树脂化合物)
铂的1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氧烷络合物
(D)固化促进剂
SA-102(San-Apro公司制造，DBU辛酸盐)
(C)导热系数为10W/m·k以上的无机填充剂
FAN-f05(古河电子株式会社制造，氮化铝，导热系数：100W/m·k，球状，平均粒径：6μm)
FAN-f50(古河电子株式会社制造，氮化铝，导热系数：100W/m·k，球状，平均粒径：30μm)
CB-P05(昭和电工株式会社制造，氧化铝，导热系数：20W/m·k，球状，平均粒径：4μm)
CB-P40(昭和电工株式会社制造，氧化铝，导热系数：20W/m·k，球状，平均粒径：44μm)
SSC-A15(信浓电气精炼株式会社制造，碳化硅，导热系数：100W/m·k，球状，平均粒径：19μm)
SSC-A30(信浓电气精炼株式会社制造，碳化硅，导热系数：100W/m·k，球状，平均粒径：34μm)
(C’)其他无机填充剂
HS-306(Micron株式会社制造，氧化硅，导热系数：2W/m·k，球状，平均粒径：2.5μm)
HS-304(Micron株式会社制造，氧化硅，导热系数：2W/m·k，球状，平均粒径：25μm)
(E)偶联剂
KBM-403(信越化学工业株式会社制造，3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷，在100℃下的重量减少：大于10重量％)
A-LINK599(momentive公司制造，3-辛酰硫基-1-丙基三乙氧基硅烷，在100℃下的重量减少：10重量％以下)
TOG(IPA Cut)(日本曹达株式会社制造，异丙氧基辛基乙醇酸钛，在100℃下的重量减少：10重量％以下)
AL-M(Ajinomoto Fine-Techno株式会社制造，乙酰烷氧基二异丙醇铝，在100℃下的重量减少：10重量％以下)
(其他成分)
BYK-9076(BYK株式会社制造，分散剂)
(F)离子捕捉剂
IXE-300(东亚合成株式会社制造，氧化锑类离子捕捉剂)
IXE-600(东亚合成株式会社制造，氧化锑/氧化铋类离子捕捉剂)
DHT-4A(协和化学工业株式会社制造，水滑石类离子捕捉剂)
(实施例1)
混合6.5重量份的EX-821(n＝4)、2.5重量份的jER828、5重量份的Fujicure7000、0.5重量份的SA-102、42.5重量份的CB-P05、42.5重量份的CB-P40、以及0.5重量份的BYK-9076，进行脱泡，得到半导体元件保护用材料。
(实施例2～22以及比较例1，2)
除了将配合成分的种类以及配合量按照下述表1～4所示地进行变更以外，与实施例1同样地进行操作，得到半导体元件保护用材料。
(评价)
(1)在25℃条件下的粘度的测定
使用B型粘度计(东机产业株式会社制造的“TVB-10型”)测定半导体元件保护用材料在25℃、10rpm条件下的粘度(Pa·s)。
(2)(X)三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物的含量
使用气相色谱质量分析装置(GC-MS)(岛津制作所株式会社制造“QP2010SE”)，评价在得到的半导体元件保护用材料中的(X)三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物的含量。
(3)(Y)水的含量
按照JIS K7215，使用卡尔费休水分计(京都电子工业株式会社制造“MKV-710B”)，评价得到的半导体元件保护用材料中的(Y)水的含量。
(4)电导率
使半导体元件保护用材料在150℃条件下固化2小时，得到固化物。将得到的固化物粉碎为5mm见方左右，在粉碎物2.5g中加入离子交换水25mL，在PCT(121℃±2℃/湿度100％/2atm的槽)中放置20Hr。然后，得到冷却至室温而得到的萃取液作为试验液。使用电导率计(东亚电波工业株式会社制造的电导率计“CM-42X”)测定该试验液的电导率。
(5)导热系数
在150℃条件下对得到的半导体元件保护用材料加热2小时，使其固化，得到100mm×100mm×厚度50μm的固化物。将该固化物作为评价样品。
使用京都电子工业株式会社制造的导热系数计“迅速导热系数计QTM-500”测定得到的评价样品的导热系数。另外，在导热系数为1.1W/m·K以下的情况下，将导热系数判定为“×”。
(6)涂布性
将得到的半导体元件保护用材料从分配器装置(MUSASHI Engineering株式会社制造的“SHOTMASTER-300”)直接喷出至聚酰亚胺膜，使其成为直径5mm、高度2mm，然后，在150℃条件下对半导体元件保护用材料加热2小时，使其固化。根据固化后的半导体元件保护用材料的形状根据下述基准判定涂布性。
[涂布性的判定基准]
○：直径5.3mm以上、高度小于1.8mm(有流动性)
△：直径大于5mm且小于5.3mm、高度大于1.8mm且小于2mm(稍有流动性)
×：仍为直径5mm、高度2mm(无流动性)
(7)有无空隙
准备如下试验片：在聚酰亚胺膜上涂布底部填充剂(namics株式会社制造，U8437-2)并使其宽度为3mm、长度为18mm，载置宽度3mm、长度18mm、厚度0.3mm的Si芯片，在50℃条件下固化1小时，得到试验片。将得到的半导体元件保护用材料从分配器装置(MUSASHIEngineering株式会社制造的“SHOTMASTER-300”)喷出至准备的试验片，将Si芯片全部覆盖，并使半导体元件保护用材料的宽度为5mm、长度为21mm、厚度为0.9mm，然后在150℃条件下加热半导体元件保护用材料2小时，使其固化。用显微镜观察评价固化后的半导体元件保护用材料中有无空隙。
[有无空隙的判定基准]
○：无空隙
△：存在直径小于100μm的无法用肉眼看到的空隙
△△：存在直径100μm以上且小于150μm的能够用肉眼看到的空隙
×：存在直径为150μm以上的能够用肉眼看到的空隙
(8)耐湿性
在150℃条件下对得到的半导体元件保护用材料加热2小时，使其固化，得到100mm×100mm×厚度50μm的固化物。将该固化物作为评价样品。
使用DSM-8104(日置电机株式会社制造，数字超绝缘/微小电流表)、平板试样用电极SME-8310(日置电机株式会社制造)对得到的评价样品测定体积电阻率。
接下来，通过高度加速寿命试验装置EHS-211(爱斯佩克(ESPEC)株式会社制造)进行高压锅试验。在121℃、湿度为100％RH以及2atm的条件下放置24小时，接下来在23℃以及湿度为50％RH的环境下放置24小时后，测定体积电阻率。计算压力锅试验前后的体积电阻率的降低率，按照下述基准判定耐湿性。
[耐湿性的判定基准]
○：试验前后的体积电阻率的降低率为10％以下
△：试验前后的体积电阻率的降低率大于10％且为20％以下
×：试验前后的体积电阻率的降低率大于20％
(9)接合力(晶片抗切(Die Shear)强度)
在聚酰亚胺基板上涂布半导体元件保护用材料，并使接合面积成为3mm×3mm，载置3mm见方的Si芯片，得到测试样品。
在150℃条件下对得到的测试样品加热2小时，使半导体元件保护用材料固化。接下来，使用晶片抗切测试机(Arctech株式会社制造的“DAGE4000”)以300μm/秒的速度评价25℃条件下的晶片抗切强度。
[晶片抗切强度的判定基准]
○：晶片抗切强度为10N以上
△：晶片抗切强度为6N以上且小于10N
△△：晶片抗切强度为5N以上且小于6N
×：晶片抗切强度小于5N
(10)粘性(保护膜的贴附性)
在150℃下对得到的半导体元件保护用材料加热2小时，使其固化，得到100mm×100mm×厚度50μm的固化物。将该固化物作为评价样品。
在23℃以及湿度为50％RH的环境下将得到的评价样品放置24小时。放置24小时后立刻使用粘度测试仪TA-500(UBM株式会社制造)测定评价样品的表面的粘性。
[粘性的判定基准]
○：应力小于50gf/cm2
△：应力为50gf/cm2以上且小于100gf/cm2
×：应力为100gf/cm2以上
(11)膜翘曲
将得到的半导体元件保护用材料从分配器装置(MUSASHI Engineering株式会社制造的“SHOTMASTER-300”)直接吐出至聚酰亚胺膜上，并使其成为纵20mm、横100mm、高度10mm，然后，在150℃下对半导体元件保护用材料加热2小时，使其固化。固化后用肉眼确认聚酰亚胺膜的翘曲，根据下述基准判定膜翘曲。
[膜翘曲的判定基准]
○：聚酰亚胺膜没有翘曲
△：聚酰亚胺膜发生些许翘曲(在使用上没问题)
×：聚酰亚胺膜发生翘曲(在使用上有问题)
(12)耐热性
在150℃下对得到的半导体元件保护用材料加热2小时，使其固化，得到100mm×100mm×厚度50μm的固化物。将该固化物作为评价样品。
使用DSM-8104(日置电机株式会社制造，数字超绝缘/微小电流表)、平板试样用电极SME-8310(日置电机株式会社制造)对得到的评价样品测定体积电阻率的测定。
接下来，在180℃下放置100小时，接下来在23℃以及湿度为50％RH的环境下放置24小时放置后，测定体积电阻率。计算耐热试验前后的体积电阻率的降低率，根据下述基准判定耐热性。
[耐热性的判定基准]
○○：试验前后的体积电阻率的降低率为5％以下
○：试验前后的体积电阻率的降低率大于5％且为10％以下
△：试验前后的体积电阻率的降低率大于10％且为20％以下
×：试验前后的体积电阻率的降低率大于20％
(13)绝缘可靠性
在形成于基板(聚酰亚胺膜)上的梳齿型电极(材质：在铜上镀锡，图案间距：50μm，L/S＝25μm/25μm)上以10μm的膜厚涂布热固性阻焊剂(日本Polytec株式会社制造的“NPR-3300”)，在150℃条件下加热固化1小时，准备测试图案。在上述测试图案上涂布半导体元件保护用材料，在150℃条件下加热固化2小时，得到试验片。将加热后的试验片放入85℃以及湿度为85％的槽(爱斯佩克株式会社制造的“SH641”)，使用迁移测试仪(IMV株式会社制造的“MIG-8600B”)在电极间施加40V的直流电压，测定电极间的电阻。根据以下的基准判定绝缘可靠性。在结果为判定基准中的○、△或△△的情况下，绝缘可靠性判断为合格，具有在实际使用中不发生故障的绝缘性保持性，绝缘可靠性优异。
[绝缘可靠性的判定基准]
○：电阻持续100小时以上为1×109Ω以上，绝缘性非常良好
△：电阻持续100小时以上为1×108Ω以上且小于1×109Ω，绝缘性良好
△△：在不到100小时的时间里，电阻降低至小于1×108Ω，但是1×108Ω以上的电阻持续了50小时以上且小于100小时，绝缘性大致良好
×：在不到50小时的时间里，电阻降低至小于1×108Ω，视为绝缘不良(14)耐热试验后的膜翘曲
上述(11)膜翘曲的评价后，将半导体元件保护用材料的固化物与聚酰亚胺膜的层叠体在180℃下放置100小时。放置后，用肉眼确认聚酰亚胺膜的翘曲，根据下述基准判定耐热试验后的膜翘曲。
[耐热试验后的膜翘曲的判定基准]
○：相对于耐热试验前的膜的翘曲量，耐热试验后的膜的翘曲量小于1.1倍
△：相对于耐热试验前的膜的翘曲量，耐热试验后的膜的翘曲量为1.1倍以上且小于1.2倍
×：相对于耐热试验前的膜的翘曲量，耐热试验后的膜的翘曲量为1.2倍以上
将配合成分的详细信息、组成以及结果表示于下述表1～4。
(实施例23)
除了在半导体元件保护用材料的制备中进一步添加IXE-300(东亚合成株式会社制造，氧化锑类离子捕捉剂)0.5重量份以外，与实施例1同样地进行操作，得到半导体元件保护用材料。
(实施例24)
除了在半导体元件保护用材料的制备中进一步添加IXE-600(东亚合成株式会社制造，氧化锑/氧化铋类离子捕捉剂)0.5重量份以外，与实施例1同样地进行操作，得到半导体元件保护用材料。
(实施例25)
除了在半导体元件保护用材料的制备中进一步添加DHT-4A(协和化学工业株式会社制造，水滑石类离子捕捉剂)0.5重量份以外，与实施例1同样地进行操作，得到半导体元件保护用材料。
(实施例26)
除了在半导体元件保护用材料的制备中进一步添加IXE-300(东亚合成株式会社制造，氧化锑类离子捕捉剂)0.5重量份以外，与实施例18同样地进行操作，得到半导体元件保护用材料。
(实施例27)
除了在半导体元件保护用材料的制备中进一步添加IXE-600(东亚合成株式会社制造，氧化锑/氧化铋系离子捕捉剂)0.5重量份以外，与实施例18同样地进行操作，得到半导体元件保护用材料。
(实施例28)
除了在半导体元件保护用材料的制备中进一步添加DHT-4A(协和化学工业株式会社制造，水滑石类离子捕捉剂)0.5重量份以外，与实施例18同样地进行操作，得到半导体元件保护用材料。
(实施例29)
除了在半导体元件保护用材料的制备中进一步添加IXE-600(东亚合成株式会社制造，氧化锑/氧化铋类离子捕捉剂)0.5重量份以外，与实施例19同样地进行操作，得到半导体元件保护用材料。
(实施例30)
除了在半导体元件保护用材料的制备中进一步添加IXE-600(东亚合成株式会社制造，氧化锑/氧化铋类离子捕捉剂)0.5重量份以外，与实施例20同样地进行操作，得到半导体元件保护用材料。
(实施例31)
除了在半导体元件保护用材料的制备中进一步添加IXE-600(东亚合成株式会社制造，氧化锑/氧化铋类离子捕捉剂)0.5重量份以外，与实施例21同样地进行操作，得到半导体元件保护用材料。
(评价)
对实施例23～31实施上述(13)绝缘可靠性的评价。
其结果是，实施例23～31的绝缘可靠性的结果都为“○”。
另外，实施例1以及实施例23～25的绝缘可靠性的结果为“○”，但是就100小时后施加电压时的电阻而言，实施例23～25比实施例1高，实施例23～25比实施例1的绝缘可靠性优异。另外，实施例20以及实施例30的绝缘可靠性的结果为“○”，但是，就100小时后施加电压时的电阻而言，实施例30比实施例20高，实施例30比实施例20的绝缘可靠性优异。另外，实施例21以及实施例31的绝缘可靠性的结果为“○”，但是，就100小时后施加电压时的电阻而言，实施例31比实施例21高，实施例31比实施例21的绝缘可靠性优异。
另外，对于实施例23～31，对实施例1～22以及比较例1、2进行的其他评价项目也得到良好的结果。另外，使用(A2)聚硅氧烷化合物的实施例19～21在耐热试验后的膜翘曲的结果中，翘曲量的增加比例比使用(A1)环氧化合物的实施例1～17在耐热试验后的膜翘曲的结果中翘曲量的增加比例小。
附图标记说明
1、1X 半导体装置；
2 半导体元件；
2a 第一表面；
2b 第二表面；
2A 第一电极；
3、3X 固化物；
4 连接对象部件；
4a 表面；
4A 第二电极；
5 其他固化物；
6 导电性粒子；
7 保护膜。

Claims (20)

1.一种半导体装置，其具有：半导体元件、以及配置在所述半导体元件的第一表面上的固化物，
所述固化物是半导体元件保护用材料的固化物，
所述半导体元件保护用材料包含热固性化合物、以及导热系数为10W/m·K以上的无机填充剂，并且包含固化剂或固化催化剂，
所述半导体元件保护用材料不包含三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，或包含500ppm以下的三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，
所述固化物中的所述无机填充剂的含量为60重量％以上且92重量％以下，
所述固化物的电导率为50μS/cm以下。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，所述热固性化合物包含环氧化合物或聚硅氧烷化合物。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其中，所述热固性化合物包含聚硅氧烷化合物。
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其中，所述固化剂为烯丙基线型酚醛树脂化合物。
5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其中，所述热固性化合物包含挠性环氧化合物。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中，所述热固性化合物包含所述挠性环氧化合物、以及与挠性环氧化合物不同的环氧化合物。
7.如权利要求5或6所述的半导体装置，其中，所述半导体元件保护用材料中包含的所述挠性环氧化合物是聚亚烷基二醇二缩水甘油醚，所述聚亚烷基二醇二缩水甘油醚具有9个以上亚烷基二醇基重复而成的结构单元。
8.如权利要求1～7中任一项所述的半导体装置，其具备连接对象部件，
在所述连接对象部件上，在与所述第一表面相反的第二表面侧安装所述半导体元件。
9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体装置，其具备在表面上具有第二电极的连接对象部件，
所述半导体元件在与所述第一表面侧相反的第二表面侧具有第一电极，所述半导体元件的第一电极与所述在表面上具有第二电极的所述连接对象部件中的所述第二电极实现了电连接。
10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体装置，其中，在所述固化物的与所述半导体元件侧相反的表面上配置有保护膜，或者所述固化物的与所述半导体元件侧相反的表面露出。
11.一种半导体元件保护用材料，其用于涂布在所述半导体元件的表面上，在所述半导体元件的表面上形成固化物，用以保护半导体元件，
所述半导体元件保护用材料配置于半导体元件与其他连接对象部件之间，并且与形成用于接合及固定所述半导体元件和所述其他连接对象部件以使其不发生剥离的固化物的物质不同，
所述半导体元件保护用材料含有热固性化合物、以及导热系数为10W/m·K以上的无机填充剂，并且含有固化剂或固化催化剂，
所述半导体元件保护用材料不包含三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，或包含500ppm以下的三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，
所述无机填充剂的含量为60重量％以上且92重量％以下，
在150℃条件下加热2小时得到固化物时，所述固化物的电导率为50μS/cm以下。
12.一种半导体元件保护用材料，其为了保护安装在连接对象部件上的半导体元件，而用于涂布在所述半导体元件的与所述连接对象部件侧相反的表面上，在所述半导体元件的与所述连接对象部件侧相反的表面上形成固化物，
所述半导体元件保护用材料包含热固性化合物、以及导热系数为10W/m·K以上的无机填充剂，并且包含固化剂或固化催化剂，
所述半导体元件保护用材料不包含三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，或包含500ppm以下的三聚物至十聚物的环状硅氧烷化合物，
所述无机填充剂的含量为60重量％以上且92重量％以下，
在150℃条件下加热2小时得到固化物时，所述固化物的电导率为50μS/cm以下。
13.如权利要求11或12所述的半导体元件保护用材料，其中，所述热固性化合物包含环氧化合物或聚硅氧烷化合物。
14.如权利要求13所述的半导体元件保护用材料，其中，所述热固性化合物包含聚硅氧烷化合物。
15.如权利要求11～14中任一项所述的半导体元件保护用材料，其中，所述固化剂为烯丙基线型酚醛树脂化合物。
16.如权利要求11～15中任一项所述的半导体元件保护用材料，其中，所述热固性化合物包含挠性环氧化合物。
17.如权利要求16所述的半导体元件保护用材料，其中，所述热固性化合物包含所述挠性环氧化合物、以及与挠性环氧化合物不同的环氧化合物。
18.如权利要求16或17所述的半导体元件保护用材料，其中，半导体元件保护用材料中包含的所述挠性环氧化合物是聚亚烷基二醇二缩水甘油醚，所述聚亚烷基二醇二缩水甘油醚具有9个以上亚烷基二醇基重复而成的结构单元。
19.如权利要求11～18中任一项所述的半导体元件保护用材料，其不包含水，或包含1000ppm以下的水。
20.如权利要求11～19中任一项所述的半导体元件保护用材料，其中，
为了保护半导体元件，其用于在所述半导体元件的表面上形成固化物，并且在所述固化物的与所述半导体元件侧相反的表面上配置保护膜，得到半导体装置，或者，
为了保护半导体元件，其用于在所述半导体元件的表面上形成固化物，并且所述固化物的与所述半导体元件侧相反的表面露出，从而得到半导体装置。
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