JP2013030637A - 液状樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
チップマウント後の濡れ拡がり性、ブリード性に優れ、かつ良好な熱伝導性を示す樹脂組成物およびそれを半導体用ダイアタッチ材または放熱部材用接着剤として使用した際に信頼性、熱伝導性に優れた半導体装置を提供すること。
【解決手段】
(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物、(B)非導電性の熱伝導性フィラーを含有し、前記(B)の平均粒径が2〜15um、前記(B)の含有量が32.5〜47.5vol%、さらにその時の液状樹脂組成物のブルックフィールド粘度計による0.5rpmと5.0rpmのチキソ比が1以上4以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。
【選択図】図1
Description
[1] 基材と半導体素子とを接着する液状樹脂組成物であって、
(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物
(B)非導電性の熱伝導性フィラーを含有し、
前記(B)の平均粒径が2〜15um、
前記(B)の含有量が32.5〜47.5vol%、
さらにその時の液状樹脂組成物のブルックフィールド粘度計による0.5rpmと5.0rpmのチキソ比が1以上4以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。
以下、本発明について詳細に説明する。
1.2cm))で0.5rpmと5.0rpmの回転数にて測定した際に得られるそれぞれの粘度の値η0.5rpm、η5.0rpmからη0.5rpm/η5.0rpmとして求めることができる。
図1の半導体装置10おいて、本発明の液状樹脂組成物は接着層1として用いられる。本実施の形態において、ダイパット2は、特に限定されないが、リードフレーム、他の半導体素子、回路基板を含む実装基板、半導体ウエハ等の各種基材を用いることができる。この中でも、接着層1の放熱機能を発揮することが可能となるため、リードフレーム、ヒートシンクまたはBGA基板が好ましい。
また、半導体素子3は、パッド7及びボンディングワイヤ6を介して、リード4に電気的に接続している。また、半導体素子3は、その周囲が封止材層5により封止されている。
(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物として1,4−ジメタノールシクロヘキサン/1,6−ヘキサンジオール(=1/3(重量比))と炭酸ジメチルから合成した分子量約900のポリカーボネートジオールにメタクリル酸メチルを反応することにより得られるポリカーボネートジメタクリレート(宇部興産(株)製、UM−90(1/3)DM、以下(A)成分1)、1,4−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート(日本化成化学(株)製、CHDMMA、以下(A)成分2)、テトラヒドロフルフリルメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステルTHF、(A)成分3)、(B)非導電性の熱伝導性フィラーとして平均粒径3μmのアルミナ粒子(新日鉄マテリアルズ(株)マイクロン社製、AX3−15R)、チキソ性付与剤として一次粒子平均径12nmのシリル化シリカ(日本アエロジル(株)製、AEROSIL R805、以下チキソ性付与剤)、低応力剤としてポリブタジエンと無水マレイン酸との反応により得られる無水マレイン酸変性ポリブタジエン(Satomer社製、Ricobond1731、数平均分子量5400、酸無水物当量583、以下低応力剤)、添加剤としてメタクリル基を有するシランカップリング剤(信越化学工業(株)製、KBM−503P、以下カップリング剤1)、脂環式エポキシ基を有するシランカップリング剤(信越化学工業(株)製、KBM−303、以下カップリング剤2)、重合開始剤として1,1−ジ(tert−ブチルパーオキシ)シクロヘキサン(日本油脂(株)製、パーヘキサCS、以下重合開始剤)を表1のように配合し、3本ロールを用いて混練し脱泡することで液状樹脂組成物を得た後、以下の評価方法にて評価を行った結果を表1に示す。なお配合割合は重量%である。
表1に示す割合で配合し実施例1と同様に液状樹脂組成物を得た後、評価を行った。
なお実施例4では非導電性の熱伝導性フィラー(B)として平均粒径10μmのアルミナ粒子((株)アドマテックス製、AO−509)を用いた。
表1に示す割合で配合し実施例1と同様に液状樹脂組成物を得た後、評価を行った。
なお比較例3では非導電性の熱伝導性フィラー(B)として平均粒径0.7μmのアルミナ粒子((株)アドマテックス製、AO−502)、比較例4では非導電性の熱伝導性フィラー(B)として平均粒径20μmのアルミナ粒子((株)アドマテックス製、AO−520)、比較例5では非導電性の非熱伝導性フィラーとして平均粒径0.6μmのシリカ粒子((株)アドマテックス製、SO−E2/24C)を用いた。
・粘度:ブルックフィールド粘度計(HADV−3Ultra、スピンドルCP−51(
角度1.565°、半径1.2cm))を用い、25℃、0.5rpm、5.0rpmでの値を液状樹脂組成物作製直後に測定した。粘度の単位はPa・Sである。チキソ比は0.5rpm、5.0rpmにおけるそれぞれの粘度の値η0.5rpm、η5.0rpmからη0.5rpm/η5.0rpmとして求めることができ、チキソ比が1以上4以下の場合を合格とした。
・濡れ拡がり性:表1に示す液状樹脂組成物を用い、厚み0.3mmのBT基板(シアネートモノマーおよびそのオリゴマーとビスマレイミドからなるBTレジン使用基板)にガラスチップ(7x7mm、厚み0.2mm)を7割程度のチップ濡れになるように低加重でマウントし、その後常温で10分放置した後、デジタル顕微鏡によりチップ濡れ残りの程度を測定した。液状樹脂組成物のチップ濡れ残り面積が5%未満の場合を合格とした。濡れ残り面積の単位は%である。
2 ダイパッド
3 半導体素子
4 リード
5 封止材層
6 ボンディングワイヤ
7 パッド
10 半導体装置
Claims (6)
- 基材と半導体素子とを接着する液状樹脂組成物であって、
(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物
(B)非導電性の熱伝導性フィラーを含有し、
前記(B)の平均粒径が2〜15um、
前記(B)の含有量が32.5〜47.5vol%、
さらにその時の液状樹脂組成物のブルックフィールド粘度計による0.5rpmと5.0rpmのチキソ比が1以上4以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。 - 前記(A)のラジカル重合可能な官能基が不飽和炭素−炭素結合である請求項1に記載の液状樹脂組成物。
- 前記(A)のラジカル重合可能な官能基が、(メタ)アクリロイル基である請求項1または請求項2に記載の液状樹脂組成物。
- 前記(B)が、アルミナ、マグネシア、窒化ホウ素、窒化アルミニウムより選ばれる少なくとも1種である請求項1〜3のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。
- さらに、前記液状樹脂組成物が少なくとも1つ以上の低応力剤を含有する請求項1〜4のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物をダイアタッチ材料または放熱部材接着用材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014084273A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 綜研化学株式会社 | ペースト組成物、ならびに焼成体およびその製造方法 |
JP6039080B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2016-12-07 | 積水化学工業株式会社 | 狭額縁設計表示素子用接着剤 |
WO2017030126A1 (ja) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | 積水化学工業株式会社 | 半導体装置及び半導体素子保護用材料 |
WO2019106835A1 (ja) * | 2017-12-01 | 2019-06-06 | 日立化成株式会社 | 樹脂組成物及び積層体の製造方法 |
CN112955506A (zh) * | 2018-11-09 | 2021-06-11 | 积水保力马科技株式会社 | 导热性组合物、导热性构件、导热性构件的制造方法、散热结构、发热复合构件、散热复合构件 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004018715A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置。 |
JP2004168870A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、これを用いた接着フィルムおよび半導体装置 |
JP2009177003A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Kyocera Chemical Corp | 接着剤組成物、並びに、半導体装置およびその製造方法 |
JP2010047696A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、および樹脂組成物を用いて作製した半導体装置 |
JP2011514671A (ja) * | 2008-02-25 | 2011-05-06 | ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン | 自己フィレット化・ダイ取付けペースト |
JP2011142164A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
2011
- 2011-07-29 JP JP2011166122A patent/JP5790253B2/ja active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004018715A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置。 |
JP2004168870A (ja) * | 2002-11-19 | 2004-06-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着剤組成物、これを用いた接着フィルムおよび半導体装置 |
JP2009177003A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-08-06 | Kyocera Chemical Corp | 接着剤組成物、並びに、半導体装置およびその製造方法 |
JP2011514671A (ja) * | 2008-02-25 | 2011-05-06 | ヘンケル・アクチェンゲゼルシャフト・ウント・コムパニー・コマンディットゲゼルシャフト・アウフ・アクチェン | 自己フィレット化・ダイ取付けペースト |
JP2010047696A (ja) * | 2008-08-22 | 2010-03-04 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 樹脂組成物、および樹脂組成物を用いて作製した半導体装置 |
JP2011142164A (ja) * | 2010-01-06 | 2011-07-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014084273A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 綜研化学株式会社 | ペースト組成物、ならびに焼成体およびその製造方法 |
JP6039080B2 (ja) * | 2014-05-30 | 2016-12-07 | 積水化学工業株式会社 | 狭額縁設計表示素子用接着剤 |
KR102097004B1 (ko) | 2015-08-17 | 2020-04-03 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료 |
KR20200037437A (ko) * | 2015-08-17 | 2020-04-08 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료 |
KR20180013842A (ko) * | 2015-08-17 | 2018-02-07 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료 |
CN107735859A (zh) * | 2015-08-17 | 2018-02-23 | 积水化学工业株式会社 | 半导体装置以及半导体元件保护用材料 |
KR101864096B1 (ko) | 2015-08-17 | 2018-06-01 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료 |
KR20180061405A (ko) * | 2015-08-17 | 2018-06-07 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료 |
TWI630230B (zh) * | 2015-08-17 | 2018-07-21 | 日商積水化學工業股份有限公司 | 半導體裝置及半導體元件保護用材料 |
KR102460328B1 (ko) | 2015-08-17 | 2022-10-28 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료 |
WO2017030126A1 (ja) * | 2015-08-17 | 2017-02-23 | 積水化学工業株式会社 | 半導体装置及び半導体素子保護用材料 |
JPWO2017030126A1 (ja) * | 2015-08-17 | 2017-08-17 | 積水化学工業株式会社 | 半導体装置及び半導体素子保護用材料 |
CN107735859B (zh) * | 2015-08-17 | 2020-08-14 | 积水化学工业株式会社 | 半导体装置以及半导体元件保护用材料 |
CN111900137A (zh) * | 2015-08-17 | 2020-11-06 | 积水化学工业株式会社 | 半导体装置以及半导体元件保护用材料 |
KR102224210B1 (ko) | 2015-08-17 | 2021-03-08 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료 |
KR20210027521A (ko) * | 2015-08-17 | 2021-03-10 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료 |
KR20210107160A (ko) * | 2015-08-17 | 2021-08-31 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료 |
KR102294307B1 (ko) | 2015-08-17 | 2021-08-26 | 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 반도체 소자 보호용 재료 |
WO2019106835A1 (ja) * | 2017-12-01 | 2019-06-06 | 日立化成株式会社 | 樹脂組成物及び積層体の製造方法 |
CN112955506A (zh) * | 2018-11-09 | 2021-06-11 | 积水保力马科技株式会社 | 导热性组合物、导热性构件、导热性构件的制造方法、散热结构、发热复合构件、散热复合构件 |
CN112955506B (zh) * | 2018-11-09 | 2024-01-12 | 积水保力马科技株式会社 | 导热性组合物、导热性构件、导热性构件的制造方法、散热结构、发热复合构件、散热复合构件 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP5790253B2 (ja) | 2015-10-07 |
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