JP5909911B2 - 液状樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents
液状樹脂組成物および半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5909911B2 JP5909911B2 JP2011166129A JP2011166129A JP5909911B2 JP 5909911 B2 JP5909911 B2 JP 5909911B2 JP 2011166129 A JP2011166129 A JP 2011166129A JP 2011166129 A JP2011166129 A JP 2011166129A JP 5909911 B2 JP5909911 B2 JP 5909911B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- meth
- resin composition
- liquid resin
- group
- acrylate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
Landscapes
- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
[1] 基材と半導体素子とを接着する液状樹脂組成物であって、
(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物
(B)非導電性の熱伝導性フィラー
(C)チキソ性付与剤を含有し、
前記(B)の比表面積が5〜9m2/g、
前記(B)の含有量が35〜50vol%、
さらに(C)の含有量が1wt%以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。
以下、本発明について詳細に説明する。
図1の半導体装置10おいて、本発明の液状樹脂組成物は接着層1として用いられる。本実施の形態において、ダイパット2は、特に限定されないが、リードフレーム、他の半導体素子、回路基板を含む実装基板、半導体ウエハ等の各種基材を用いることができる。この中でも、接着層1の放熱機能を発揮することが可能となるため、リードフレーム、ヒートシンクまたはBGA基板が好ましい。
また、半導体素子3は、パッド7及びボンディングワイヤ6を介して、リード4に電気的に接続している。また、半導体素子3は、その周囲が封止材層5により封止されている。
(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物としてプロポキシ化ビスフェノールAジアクリレート(新中村化学(株)製、NKエステルA−BPP−3、以下(A)成分1)、1,6−ヘキサンジオールジメタクリレート(共栄社化学(株)製、ライトエステル1、6HX、以下(A)成分2)、1,4−シクロヘキサンジメタノールモノアクリレート(日本化成化学(株)製、CHDMMA、以下(A)成分3)、(B)非導電性の熱伝導性フィラーとして比表面積7.5m2/gのアルミナ粒子((株)アドマテックス製、AO−502)、(C)チキソ性付与剤として一次粒子平均径12nmのシリル化シリカ(日本アエロジル(株)製、AEROSIL R805、以下(C)成分)、低応力剤としてポリブタジエンと無水マレイン酸との反応により得られる無水マレイン酸変性ポリブタジエン(Satomer社製、Ricobond1731、数平均分子量5400、酸無水物当量583、以下低応力剤)、(メタ)アクリル(共)重合体としてグリシジル基を有するアクリル共重合体(東亞合成(株)製、ARUFON(アルフォン)UG−4035、重量平均分子量11000、エポキシ当量556、以下(D)成分)、添加剤としてメタクリル基を有するシランカップリング剤(信越化学工業(株)製、KBM−503P、以下カップリング剤1)、グリシジル基を有するシランカップリング剤(信越化学工業(株)製、KBM−403E、以下カップリング剤2)、重合開始剤としてジクミルパーオキサイド(日本油脂(株)製、パークミルD、以下重合開始剤)を表1のように配合し、3本ロールを用いて混練し脱泡することで液状樹脂組成物を得た後、以下の評価方法にて評価を行った結果を表1に示す。なお配合割合は重量%である。
表1に示す割合で配合し実施例1と同様に液状樹脂組成物を得た後、評価を行った。
なお実施例4では(B)非導電性の熱伝導性フィラーとして比表面積6m2/gのアルミナ粒子((株)アドマテックス製、AO−802)を用いた。
表1に示す割合で配合し実施例1と同様に液状樹脂組成物を得た後、評価を行った。
なお比較例4では非導電性の熱伝導性フィラーとして比表面積1.5m2/gのアルミナ粒子((株)アドマテックス製、AO−509)、比較例5では非導電性の熱伝導性フィラーとして比表面積0.6m2/gのアルミナ粒子(新日鉄マテリアルズ(株)マイクロン社製、AX3−15R)を用いた。
・粘度:E型粘度計(3°コーン)を用い25℃、2.5rpmでの値を樹脂組成物作製直後に測定した。粘度の値が20±10Pa・Sのものを合格とした。粘度の単位はPa・Sである。
・タレ性:打点試験機(武蔵エンジニアリング(株)製、SHOTMASTER−300)にて21Gシングルノズル(内径0.57mm)を用いて塗布中に一旦停止した後、そのままの状態で1時間放置し、ニードルの先からペーストがたれるかどうか目視で確認した。
2 ダイパッド
3 半導体素子
4 リード
5 封止材層
6 ボンディングワイヤ
7 パッド
10 半導体装置
Claims (7)
- 基材と半導体素子とを接着する液状樹脂組成物であって、
(A)ラジカル重合可能な官能基を有する化合物
(B)非導電性の熱伝導性フィラー
(D)(メタ)アクリル重合体または共重合体
を含有し、
前記(B)の比表面積が5〜9m2/g、
前記(B)の含有量が35〜50vol%、
前記(B)の体積固有抵抗が1×1012Ω・cm以上、
さらに(C)チキソ性付与剤を含有しない、または前記(C)の含有量が1wt%以下であることを特徴とする液状樹脂組成物。 - 前記(A)のラジカル重合可能な官能基が不飽和炭素−炭素結合である請求項1に記載の液状樹脂組成物。
- 前記(A)のラジカル重合可能な官能基が、(メタ)アクリロイル基である請求項1または請求項2に記載の液状樹脂組成物。
- 前記(B)が、アルミナ、マグネシア、窒化ホウ素、窒化アルミニウムより選ばれる少なくとも1種である請求項1〜3のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。
- さらに、前記液状樹脂組成物が少なくとも1つ以上の低応力剤を含有する請求項1〜4のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。
- 前記(メタ)アクリル重合体または共重合体がビニル基、(メタ)アリル基、(メタ)アクリロイル基、マレイミド基、エポキシ基、カルボキシ基、および水酸基からなる群から選ばれる少なくとも1つの官能基を含有するものである請求項1〜5のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物が、ダイアタッチ材料または放熱部材接着用材料接着層として用いられていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011166129A JP5909911B2 (ja) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | 液状樹脂組成物および半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011166129A JP5909911B2 (ja) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | 液状樹脂組成物および半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013028733A JP2013028733A (ja) | 2013-02-07 |
JP5909911B2 true JP5909911B2 (ja) | 2016-04-27 |
Family
ID=47786069
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011166129A Active JP5909911B2 (ja) | 2011-07-29 | 2011-07-29 | 液状樹脂組成物および半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5909911B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101947402B1 (ko) * | 2015-03-31 | 2019-02-13 | 세키스이가세이힝코교가부시키가이샤 | 중합체 입자, 중합체 입자의 제조 방법 및 그 용도 |
WO2017018459A1 (ja) * | 2015-07-29 | 2017-02-02 | 日立化成株式会社 | 接着剤組成物、硬化物、半導体装置及びその製造方法 |
KR102608218B1 (ko) * | 2015-11-04 | 2023-11-30 | 가부시끼가이샤 레조낙 | 접착제 조성물 및 구조체 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3411748B2 (ja) * | 1996-05-09 | 2003-06-03 | 日立化成工業株式会社 | 接着剤付き金属箔、接着シート及び多層配線板 |
JP4995403B2 (ja) * | 2002-05-02 | 2012-08-08 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | アクリル系熱伝導性組成物形成用組成物、熱伝導性シート並びにその製造方法 |
JP2004018715A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置。 |
JP2009202567A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-09-10 | Techno Polymer Co Ltd | 樹脂製部材及び金属製部材からなる複合体の製造方法並びにled実装用基板及びled用リフレクター |
JP5555990B2 (ja) * | 2008-08-22 | 2014-07-23 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物、および樹脂組成物を用いて作製した半導体装置 |
JP5396914B2 (ja) * | 2009-02-27 | 2014-01-22 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物、および樹脂組成物を用いて作製した半導体装置 |
JP2011037986A (ja) * | 2009-08-11 | 2011-02-24 | Taiyo Holdings Co Ltd | 光硬化性ペースト及びその硬化物 |
US20120231266A1 (en) * | 2009-11-30 | 2012-09-13 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Adhesive sheet and electronic component |
-
2011
- 2011-07-29 JP JP2011166129A patent/JP5909911B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013028733A (ja) | 2013-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4967655B2 (ja) | 樹脂組成物及び該樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
TWI608062B (zh) | 樹脂組成物、使用它之半導體裝置及半導體裝置之製造方法 | |
JP2007262243A (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
TWI540590B (zh) | 半導體裝置 | |
JP5790253B2 (ja) | 液状樹脂組成物および半導体装置 | |
JP5055764B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
TWI585176B (zh) | 電子裝置用組成物 | |
JP2011037981A (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP5909911B2 (ja) | 液状樹脂組成物および半導体装置 | |
JP5444738B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4857574B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
TWI534232B (zh) | 液狀樹脂組成物及半導體裝置 | |
JP2011032364A (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP5604828B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP5573028B2 (ja) | 液状樹脂組成物及び液状樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP2010084008A (ja) | 樹脂組成物および半導体装置 | |
JP4457937B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP2007262244A (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP2012253088A (ja) | 半導体装置 | |
JP4972853B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP2007234842A (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP2005330480A (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP2006137871A (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP4929710B2 (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 | |
JP2007091956A (ja) | 樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140521 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141202 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150616 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150717 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150901 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151009 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160301 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160314 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5909911 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |