JP2011514671A - 自己フィレット化・ダイ取付けペースト - Google Patents

自己フィレット化・ダイ取付けペースト Download PDF

Info

Publication number
JP2011514671A
JP2011514671A JP2010547021A JP2010547021A JP2011514671A JP 2011514671 A JP2011514671 A JP 2011514671A JP 2010547021 A JP2010547021 A JP 2010547021A JP 2010547021 A JP2010547021 A JP 2010547021A JP 2011514671 A JP2011514671 A JP 2011514671A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
poly
composition
resin
filler
acrylate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010547021A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5250640B2 (ja
Inventor
ミンハイ ワン、
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Henkel AG and Co KGaA
Original Assignee
Henkel AG and Co KGaA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Henkel AG and Co KGaA filed Critical Henkel AG and Co KGaA
Publication of JP2011514671A publication Critical patent/JP2011514671A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5250640B2 publication Critical patent/JP5250640B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/04—Non-macromolecular additives inorganic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
    • C09J11/02—Non-macromolecular additives
    • C09J11/06—Non-macromolecular additives organic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01—Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013—Fillers, pigments or reinforcing additives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29363—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/2937—Zirconium [Zr] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29386—Base material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/29393—Base material with a principal constituent of the material being a solid not provided for in groups H01L2224/293 - H01L2224/29391, e.g. allotropes of carbon, fullerene, graphite, carbon-nanotubes, diamond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83909—Post-treatment of the layer connector or bonding area
    • H01L2224/83951—Forming additional members, e.g. for reinforcing, fillet sealant
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013—Fully indexed content
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01045—Rhodium [Rh]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06—Polymers
    • H01L2924/0665—Epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/156—Material
    • H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)

Abstract

自動的に流動し（自動流動性）、フィレットを形成する（自己フィレット）組成物は、１．８Ｐａから１０Ｐａ（１８ダイン／ｃｍ２から１００ダイン／ｃｍ２）の範囲内の降伏応力を有することができる。そのような組成物は、この組成物において使用される樹脂システムとは無関係に、フィラーの適当な選択によって考案することができる。

Description

マイクロ電子デバイスは、様々な型の基体によって支持された何百万の電気回路部品を含む。これら部品は半導体シリコンダイ（チップ）を含む。これらの部品および基体の間の電気的接続は、ダイ上の電気端子および対応する基体上の電気端子の間に作られる。これらの接続を作るための１つの方法は、半導体ダイを基体に接着するためにペースト状のダイ取付け接着剤を使用し、ダイ上の端子を基体上の端子に接続するために金属ワイヤーを使用する。
このダイ接着工程において、ダイは相当な圧力および／または熱を使ってダイ取付け接着剤に接触され、それによって接着剤がダイの下で広がり、完全に基体を覆う。この接着剤はさらにフィレット、すなわちダイの周辺での隆起された縁または頂上部を形成することが好ましい。
薄いダイが使用される場合およびダイが積層される場合、ダイ取付け接着剤の塗布で問題が生じる。通常のペースト状のダイ取付け材料は、これらの用途には適していない。なぜなら、ダイ取付け材料は、所望の境界で簡単にはフィレットを形成せず、半導体パッケージが混み合った重要な領域内に容易にオーバーフローし、隣接するダイおよび電気配線を汚し、またはダイの頂部にオーバーフローし、これは後続のワイヤーボンディングプロセスに影響を与える可能性があるからである。加えて、加圧せずに接着剤流動性および結合の適切なレベルを達成することは困難である。薄いダイを加圧する場合、ダイは割れたり、または傾斜したり、または歪む可能性がある。
自然に流動し、最小の加圧および／または加熱を行なって、または行なわずに接着される領域を充填し、および周辺部上に広がる接着剤を使わずに、前記領域の周辺で正確、均一にフィレットを形成する適切なレオロジーを有するダイ接着剤材料を塗布することは好ましいと考えられる。
本発明者らは、２５℃（環境温度）で自動的に流れ（自動流動性）、フィレットを形成する（自己フィレット）ことができる組成物が、１．８Ｐａから１０Ｐａ（１８ダイン／ｃｍ２から１００ダイン／ｃｍ２）の範囲の降伏応力を有することができることを見いだした。そのような組成物は、組成物で使用される樹脂系とは無関係に、適したフィラーの選択によって考案されうる。すなわち、本発明は、樹脂およびフィラーを含む組成物であって、この組成物は１．８Ｐａから１０Ｐａの範囲の降伏応力を有し、それにより２５℃で自動的に流動し、フィレットを形成することで特徴付けられる。降伏応力は、組成物が粘弾性固体から剪断−減粘性液体に変わるときの値であり、この明細書および請求の範囲の目的のために「発明の詳細な説明」で開示された手順によって測定される。
（発明の詳細な説明）
自動流動性とは、ダイ取付け接着剤が２つの基体の間に配置され、これらの基体と接触すると、この接着剤は室温でわずかな圧力の適用だけで流動し始め、２つの基体の間を覆うことができることを意味する。基体とは、半導体ダイに対する基体または２種以上のダイが積層幾何学的形状で配置された場合に生じると考えられる半導体ダイそれ自体を意味する。半導体基体および半導体ダイを組合せて使用する場合、自己フィレットとは、ダイ取付け接着剤がその自動流動性を基体上のダイの周辺で停止し、ダイの頂部上にオーバーフローすることまたはダイのごく近傍以外の基体上の領域に広がることなく、ダイの周辺まわりで固化してフィレットを形成することを意味する。フィレットは隆起した周辺部または頂上部であり、湾曲した内角を有することができる。２つ以上のダイが積層幾何学的形状に配置されている場合、基体は別のダイであり、フィレットは望ましくない可能性がある。ペーストは説明したものと同じ自己フィレット化能力があるが、上の幾何学的形状に対しては、わずかな圧力および／または降伏応力の範囲内での降伏応力の調節によってフィレットを避けることができる。
前記降伏応力値は、２５℃での応力下、樹脂およびフィラーを含む組成物から生み出されるレオロジー曲線から決定される。この手順は、レオメータＡＲ２０００ＥＸを使用して以下のとおりである：組成物を最初に粘弾性固体から液体に変わるまで剪断する；平衡状態に保ち；０．１Ｐａから２００Ｐａの剪断応力をかけ；次いでこの応力を２００Ｐａから０．１Ｐａに低下する。各ステップの持続時間は、典型的には２分から１０分の間である。実際の各ステップの持続時間は、各組成物に対して各ステップ、２分間の持続時間でこの手順を行ない、次いで１０分間の持続時間でこの手順を再度行なうことによって決定される。降伏応力の測定が２分間と１０分間で同じである場合、２分間が各ステップの持続時間として採用される。異なっていた場合、１０分間の降伏応力が正確な降伏応力値として選ばれる。実施者は自由裁量で、各ステップに対して様々な持続時間で結果が変わらなくなるまでこの手順を数回実行し、各ステップに対して一定の降伏応力値を与える最も少ない持続時間を選ぶことができる。剪断応力（０．１Ｐａから２００Ｐａ）の適用を記録している増加曲線は、ダイ取付け接着剤の塗布プロセスをシミュレートし；ダイ取付け接着剤は、典型的には注射器によって塗布され、注射器プランジャーの圧力は接着剤に剪断応力を及ぼす。剪断応力（２００Ｐａから０．１Ｐａ）の減少を記録している下降曲線は、ダイを接着剤と接触させるダイ取付けプロセスをシミュレートする。この下降曲線によって本発明者は、自動流動性および自己フィレット化が生じうる降伏応力がより正確に予測されることを見い出した。
自動流動性および自己フィレット化を推進する力は、主に接着剤ペーストとダイの間のエネルギー相互作用に由来する。これらの推進力が接着剤の降伏応力よりも小さい場合には、自動流動性および自己フィレット化は起きない。これらの推進力は、半導体パッケージの設計によって決まり、この設計はダイ厚さ、結合ラインの厚さ、接着剤ペーストの密度、ダイおよび基体の表面エネルギー、ならびに接着剤、ダイ、および基体の界面エネルギーのようなパラメータに影響を与える。最近のパッケージの設計では、典型的な推進力値は約１０Ｐａであり；すなわち、ダイ取付け接着剤の降伏応力が１０Ｐａより小さい場合には、接着剤ペーストは自動流動する。降伏応力が小さすぎて、接着剤ペーストとダイの間のエネルギー相互作用に耐えられない場合には、オーバーフローが起こり、接着剤は自己フィレットになるが、ダイの周辺では自己−フィレットではない。このことは、典型的には、降伏応力が約１．８Ｐａ未満である場合に起きる。
充填樹脂系に対しては、降伏応力は、フィラー粒子と樹脂の間の相互作用の性質によって決まりうる。従って、上のレオロジーに合い、適当な降伏応力を有する組成物を考案するためには、鍵となる成分はフィラーである。典型的には、同じフィラー充填量でより小さい粒径フィラーは、より大きな粒径フィラーよりもより高い降伏応力値を与え、より高いフィラー充填量はより高い降伏応力を与える。
自動流動性および自己フィレット化は、１．８Ｐａから１０Ｐａの範囲内で降伏応力を得るのに有効な、組成物で使用されるフィラーの量、大きさ、および形状の適当な選択によって達成される。フィラーの形状は、粒子またはフレークまたはこれらの組合せであってもよい。このフィラーは、ナノサイズから数ｍｍの範囲にあるどんな大きさであってもよい。フィラーの量は、自動流動性および自己フィレット化にするのに有効な範囲内の降伏応力を提供するために変化する。本明細書での開示に関して、正確なフィラー濃度を決定するための実験は、過度の実験ではなく、当業者の専門知識の範囲内である。
例示的な非伝導性フィラーとしては、シリカ（ヒュームドシリカおよび他の型のシリカも含めて）、シリコンカーバイド、窒化ホウ素、ダイヤモンド、アルミナ、アルミニウムヒドロキシド、バーミキュライト、雲母、珪灰石、炭酸カルシウム、チタニア、砂、ガラス、バリウム硫酸塩、ジルコニウム、カーボンブラック、有機フィラー、および例えば、テトラフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、塩化ビニリデン、塩化ビニルのようなハロゲン化エチレンポリマー、およびこれらの組合せが挙げられる。
１つの実施形態では、前記フィラーは非伝導性であり、特にシリカフィラーである。ヒュームドシリカは、球形シリカよりもはるかに高い降伏応力を示す。様々な実施形態では、球形シリカおよびヒュームドシリカの組合せが使用され、レオロジーを所望の降伏応力範囲に調節するのに有効な方法である。
例示的な電気または熱伝導性フィラーとしては、カーボンブラックおよびグラファイト；金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケル、アルミニウム、およびこれらの相互のまたは他の金属との合金、他の金属合金、および金属で覆われた粒子；金属で覆われたガラス、有機ポリマー、またはシリカ球など、および特に、金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケル、アルミニウム、およびこれらの相互の合金で覆われたものが挙げられる。
適した樹脂は、熱硬化性または熱可塑性ポリマーである。様々な実施形態では、これらのポリマーは、エポキシ、マレイミド（ビスマレイミドを含む）、アクリレートおよびメタクリレート、およびシアネートエステル、ビニルエーテル、チオール−エン、芳香族環に結合し、この芳香族環中の不飽和と共役している炭素と炭素の二重結合を含む樹脂（例えば、シンナミルおよびスチレン系出発化合物から誘導される化合物）、フマル酸エステルおよびマレイン酸エステルからなる群より選択される。様々な他の実施形態では、これらのポリマーとしては、ポリアミド、フェノキシ化合物、ベンゾキサジン、ポリベンゾキサジン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、シリコーン化オレフィン、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ（塩化ビニル）、ポリイソブチレン、ポリアクリロニトリル、ポリ（ビニルアセテート）、ポリ（２−ビニルピリジン）、シス−１，４−ポリイソプレン、３，４−ポリクロロプレン、ビニルコポリマー、ポリ（エチレンオキシド）、ポリ（エチレングリコール）、ポリホルムアルデヒド、ポリアセトアルデヒド、ポリ（β−プロピオラクトン）、ポリ（１０−デカノエート）、ポリ（エチレンテレフタレート）、ポリカプロラクタム、ポリ（１１−ウンデカノアミド）、ポリ（ｍ−フェニレン−テレフタルアミド）、ポリ（テトラメチレン−ｍ−ベンゼンスルホンアミド）、ポリエステルポリアリーレート、ポリ（フェニレンオキシド）、ポリ（フェニレンスルフィド）、ポリ（スルホン）、ポリエーテルケトン、ポリエーテルイミド、フッ素化ポリイミド、ポリイミドシロキサン、ポリ−イソインドロ−キナゾリンジオン、ポリチオエーテルイミド、ポリ−フェニル−キノキサリン、ポリキノキサロン、イミド−アリールエーテルフェニルキノキサリンコポリマー、ポリキノキサリン、ポリベンズイミダゾール、ポリベンゾキサゾール、ポリノルボルネン、ポリ（アリーレンエーテル）、ポリシラン、パリレン、ベンゾシクロブテン、ヒドロキシル−（ベンズオキサゾール）コポリマー、およびポリ（シルアリーレンシロキサン）が挙げられる。
適したエポキシ樹脂としては、ビスフェノール、ナフタレン、および脂肪族系のエポキシ樹脂が挙げられる。市販品で入手できる材料としては、大日本インキ化学工業株式会社から入手できるビスフェノール系エポキシ樹脂（Ｅｐｉｃｌｏｎ ８３０ＬＶＰ、８３０ＣＲＰ、８３５ＬＶ、８５０ＣＲＰ）；大日本インキ化学工業株式会社から入手できるナフタレン系エポキシ（Ｅｐｉｃｌｏｎ ＨＰ４０３２）；Ｃｉｂａ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓから入手できる脂肪族エポキシ樹脂（Ａｒａｌｄｉｔｅ ＣＹ１７９、１８４、１９２、１７５、１７９）、Ｄｏｗ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手できる（Ｅｐｏｘｙ １２３４、２４９、２０６）、およびダイセル化学工業株式会社から入手できる（ＥＨＰＥ−３１５０）が挙げられる。他の適したエポキシ樹脂としては、脂環式エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシノボラック樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、およびジシクロペンタジエンフェノール型エポキシ樹脂が挙げられる。
適したマレイミド樹脂としては、一般構造：
Figure 2011514671
 を有するものが挙げられ、構造中、ｎは、１から３であり、Ｘ１は、脂肪族または芳香族基である。例示的なＸ１構成要素としては、ポリ（ブタジエン）、ポリ（カーボネート）、ポリ（ウレタン）、ポリ（エーテル）、ポリ（エステル）、単純な炭化水素、および、官能基、例えば、カルボニル、カルボキシル、アミド、カルバメート、尿素、エステル、またはエーテルを含有する単純な炭化水素が挙げられる。これらの系の樹脂は、市販品が入手可能であり、例えば、大日本インキ化学工業株式会社から得ることができる。
さらに適したマレイミド樹脂としては、これらに限定されるものではないが、固体状芳香族ビスマレイミド（ＢＭＩ）樹脂、特に構造：
Figure 2011514671
 を有するものが挙げられ、構造中、Ｑは、芳香族基である。芳香族Ｑブリッジ基を有するビスマレイミド樹脂は、市販品が入手可能であり、例えば、Ｓａｒｔｏｍｅｒ（ＵＳＡ）またはＨＯＳ−Ｔｅｃｈｎｉｃ ＧｍｂＨ（Ａｕｓｔｒｉａ）から得ることができる。
他の適したマレイミド樹脂としては、
Figure 2011514671
 ［ここで、Ｃ３６は、炭素原子３６個の直鎖または分岐炭化水素鎖（環状部分が存在するかまたは存在しない）を表す］；
Figure 2011514671
Figure 2011514671
Figure 2011514671
 が挙げられる。
適したアクリレートおよびメタクリレート樹脂としては、一般構造：
Figure 2011514671
 を有するものが挙げられ、構造中、ｎは、１から６であり、Ｒ１は、−Ｈまたは−ＣＨ３であり、Ｘ２は、芳香族または脂肪族基である。例示的なＸ２構成要素としては、ポリ（ブタジエン）、ポリ（カーボネート）、ポリ（ウレタン）、ポリ（エーテル）、ポリ（エステル）、単純な炭化水素、および、官能基、例えば、カルボニル、カルボキシル、アミド、カルバメート、尿素、エステル、またはエーテルを含有する単純な炭化水素である。市販品で入手可能な材料としては、共栄社化学株式会社から入手できる、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ｎ−ラウリル（メタ）アクリレート、アルキル(メタ)−アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、ｎ−ステアリル（メタ）アクリレート、シクロへキシル(メタ)−アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、２−フェノキシエチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、ペルフルオロオクチルエチル（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジ（メタ）アクリレート、ノニルフェノールポリプロポキシレート（メタ）アクリレート、およびポリペントキシレート・テトラヒドロフルフリルアクリレート；Ｓａｒｔｏｍｅｒ Ｃｏｍｐａｎｙ，Ｉｎｃから入手できるポリブタジエンウレタンジメタクリレート（ＣＮ３０２、 ＮＴＸ６５１３）およびポリブタジエンジメタクリレート（ＣＮ３０１、ＮＴＸ６０３９、ＰＲＯ６２７０）；根上化学工業株式会社から入手できるポリカーボネートウレタンジアクリレート（ＡｒｔＲｅｓｉｎ ＵＮ９２００Ａ）；Ｒａｄｃｕｒｅ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｉｅｓ社から入手できるアクリレート化脂肪族ウレタンオリゴマー（Ｅｂｅｃｒｙｌ ２３０、２６４、２６５、２７０、２８４、４８３０、４８３３、４８３４、４８３５、４８６６、４８８１、４８８３、８４０２、８８００−２０Ｒ、８８０３、８８０４）；Ｒａｄｃｕｒｅ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｉｅｓ社から入手できるポリエステルアクリレートオリゴマー（Ｅｂｅｃｒｙｌ ６５７、７７０、８１０、８３０、１６５７、１８１０、１８３０）；およびＳａｒｔｏｍｅｒ Ｃｏｍｐａｎｙ社から入手できるエポキシアクリレート樹脂（ＣＮ１０４、１１１、１１２、１１５、１１６、１１７、１１８、１１９、１２０、１２４、１３６）が挙げられる。１つの実施形態では、アクリレート樹脂は、イソボルニルアクリレート、イソボルニルメタクリレート、ラウリルアクリレート、ラウリルメタクリレート、アクリレート官能基を有するポリ（ブタジエン）およびメタクリレート官能基を有するポリ（ブタジエン）からなる群より選択される。
市販品で入手可能なシアネートエステル材料としては；Ｈｕｎｔｓｍａｎ ＬＬＣから入手できるＡｒｏＣｙ Ｌ−１０、ＡｒｏＣｙ ＸＵ３６６、ＡｒｏＣｙ ＸＵ３７１、ＡｒｏＣｙ ＸＵ３７８、ＸＵ７１７８７．０２Ｌ、およびＸＵ７１７８７．０７Ｌ；Ｌｏｎｚａ Ｇｒｏｕｐ Ｌｉｍｉｔｅｄから入手できるＰｒｉｍａｓｅｔ ＰＴ３０、Ｐｒｉｍａｓｅｔ ＰＴ３０ Ｓ７５、Ｐｒｉｍａｓｅｔ ＰＴ６０、Ｐｒｉｍａｓｅｔ ＰＴ６０Ｓ、Ｐｒｉｍａｓｅｔ ＢＡＤＣＹ、Ｐｒｉｍａｓｅｔ ＤＡ２３０Ｓ、Ｐｒｉｍａｓｅｔ ＭｅｔｈｙｌＣｙ、およびＰｒｉｍａｓｅｔ ＬＥＣＹ；Ｏａｋｗｏｏｄ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ社から入手できる、２−アリルフェノールシアネートエステル、４−メトキシフェノールシアネートエステル、２，２−ビス（４−シアナトフェノール）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、ビスフェノールＡシアネートエステル、ジアリルビスフェノールＡシアネートエステル、４−フェニルフェノールシアネートエステル、１，１，１−トリス（４−シアナトフェニル）エタン、４−クミルフェノールシアネートエステル、１，１−ビス（４−シアナト−フェニル）エタン、２，２，３，４，４，５，５，６，６，７，７−ドデカフルオロ−オクタンジオールジシアネートエステル、および４，４’−ビスフェノールシアネートエステルが挙げられる。
適したビニルエーテル樹脂は、ビニルエーテル官能基を含有する任意のものであり、ポリ（ブタジエン）、ポリ（カーボネート）、ポリ（ウレタン）、ポリ（エーテル）、ポリ（エステル）、単純な炭化水素、および官能基、例えば、カルボニル、カルボキシル、アミド、カルバメート、尿素、エステル、またはエーテルを含有する単純な炭化水素が挙げられる。市販品で入手可能な樹脂としては、Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｐｅｃｉａｌｉｔｙ Ｐｒｏｄｕｃｔｓ（ＩＳＰ）から入手できる、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ドデシルビニルエーテル、シクロへキシルビニルエーテル、２−エチルヘキシルビニルエーテル、ジプロピレングリコールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテル、およびブタンジオールジビニルエーテル；Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社から入手できる、Ｖｅｃｔｏｍｅｒ ４０１０、４０２０、４０３０、４０４０、４０５１、４２１０、４２２０、４２３０、４０６０、５０１５が挙げられる。
熱硬化性または熱可塑性ポリマー反応体に対する硬化剤は、フリーラジカル開始剤またはイオン性開始剤（カチオン性またはアニオン性のいずれか）のいずれかであってもよく、ラジカルまたはイオン性硬化樹脂のどちらが選ばれるかによって決まる。この硬化剤は、有効な量で存在することができる。フリーラジカル硬化剤に対しては、有効な量は、典型的には有機化合物（あらゆるフィラーを含んで）の０．１から１０重量％であり、しかし、３０重量％まで高くてもよい。イオン性硬化剤または開始剤に対しては、有効な量は、典型的には有機化合物（あらゆるフィラーを含んで）の０．１から１０重量％であり、しかし、３０重量％まで高くてもよい。硬化剤の例としては、イミダゾール、第３級アミン、有機金属塩、アミン塩および変性イミダゾール化合物、無機金属塩、フェノール、酸無水物、および他のそのような化合物が挙げられる。
ある場合には、１種類を超える型の硬化、例えば、カチオン性開始およびフリーラジカル開始の両方を好ましく採用することができ、この場合、フリーラジカル硬化およびイオン性硬化樹脂が共に組成物で使用されてもよい。そのような組成物では、硬化プロセを、例えば、ＵＶ照射を使用するカチオン性開始によって開始させ、後のプロセスステップで加熱によるフリーラジカル開始によって完結させると考えられる。
ある系では、硬化剤に加えて、硬化促進剤は硬化速度を最適化するために使用されてもよい。硬化促進剤としては、これらに限定されるものではないが、金属ナフテネート、金属アセチルアセトネート（キレート）、金属オクトエート、金属アセテート、金属ハライド、金属イミダゾール錯体、金属アミン錯体、トリフェニルホスフィン、アルキル−置換イミダゾール、イミダゾリウム塩、およびオニウムボレートが挙げられる。
各実施例において、樹脂および硬化剤（ｈａｒｄｅｎｅｒ）｛Ｒｅｓｉｎ ａｎｄ Ｈａｒｄｅｎｅｒ（ＲＨ）｝を含む配合物を製造した。ここで硬化剤（ｈａｒｄｅｎｅｒ）は硬化剤（ｃｕｒｉｎｇ ａｇｅｎｔ）である。次いで配合物にフィラーを様々な充填濃度で充填した。各配合物の粘度に関しては、ブルックフィールド粘度計でＣＰ５１スピンドルを使用して１分当たり５回転（５ＲＰＭ）で、および降伏応力に関しては、ＴＡ社のレオメータＡＲ ２０００ｅｘを使用して試験した。チクソ指数を、（０．５ＲＰＭでの粘度／５ＲＰＭでの粘度）の比を測定することで決定した。本明細書の上記手順を使って降伏応力を測定した。また、各配合物の自動流動性および自己フィレット化に関しては、試験媒体としてのスライドガラス上で、１０ｍｍ×１０ｍｍ、厚さ０．１７５ｍｍのガラスダイを使用して試験した。このダイ取付けを手作業で行なった。最近の工業目的に対して、長さが０．１５ｍｍより大きいフィレットはオーバーフローであると考えられる。一部の試料では、１．８Ｐａより低い降伏応力でフィレットが生じたが、これらは長さが０．１５ｍｍより大きかった。
実施例１：アクリレート樹脂およびフィラー充填効果
本実施例では、アクリレート樹脂、硬化剤、およびシリカフィラーを含む組成物について、フィラー充填濃度およびフィラーの型による効果を試験した。使用した材料および量の識別、および試験結果を表に開示する。
Figure 2011514671
Figure 2011514671
実施例２：ビスマレイミド樹脂およびフィラーの型および比の効果
本実施例では、ビスマレイミド樹脂、硬化剤、およびシリカフィラーを含む組成物について、フィラー充填濃度およびフィラーの型による効果を試験した。使用した材料および量の識別、および試験結果を表に開示する。
Figure 2011514671
ビスマレイミド１は構造：
Figure 2011514671
 を有し、ここでＣ３６は、炭素原子３６個の直鎖または分岐炭化水素鎖（環状部分が存在するかまたは存在しない）を表す。
Figure 2011514671
実施例３：エポキシ樹脂およびフィラー充填効果
本実施例では、エポキシ樹脂、硬化剤、およびシリカフィラーを含む組成物について、フィラー充填濃度およびフィラーの型による効果を試験した。使用した材料および量の識別、および試験結果を表に開示する。
Figure 2011514671
Figure 2011514671
実施例４：銀フィラー
本実施例では、シリカと同様の降伏応力効果を有するフィラーとして銀を使用した。
Figure 2011514671
実施例５：ダイボンダによる自己フィレット化材料評価
最近使用される典型的なダイとしては、これらに限定されるものではないが、ガラス、保護層（例えば、窒化ホウ素、ポリイミド）を有するかまたは有しないシリコン；最近使用される典型的な基体としては、これらに限定されるものではないが、ガラスダイ、シリコンダイ、ＢＧＡ、Ａ４２、Ｃｕ、Ａｇ、およびＰＰＦが挙げられる。これらの材料は、当業者には公知である。本実施例では、実施例１、２、および３からの試料は、基体としてＰＢＧＡを有する厚さ０．１ｍｍで１０×１０ｍｍのシリコンダイ、および変性スノースター（ｓｎｏｗｓｔａｒ）分配パターンを用いて、市販ダイボンダ、Ｓｗｉｓｓｌｉｎｅ ９０２２（ＡｌｐｈａＳＥＭから）によって評価した。下記の表に提示するこれらの結果は、ガラスダイおよびスライドガラス基体を使用した手作業のダイ取付けで得られる結果と一致する。
Figure 2011514671

Claims (7)

  1. 樹脂およびフィラーを含む組成物であって、前記組成物が１．８Ｐａから１０Ｐａの範囲内の降伏応力を有し、それにより２５℃で自動的に流動し、フィレットを形成することを特徴とする、組成物。
  2. 前記フィラーが、シリカ、ヒュームドシリカ、シリコンカーバイド、窒化ホウ素、ダイヤモンド、アルミナ、アルミニウムヒドロキシド、バーミキュライト、雲母、珪灰石、炭酸カルシウム、チタニア、砂、ガラス、バリウム硫酸塩、ジルコニウム、カーボンブラック、有機フィラー、テトラフルオロエチレン、トリフルオロエチレン、フッ化ビニリデン、フッ化ビニル、塩化ビニリデン、塩化ビニル、およびこれらの組合せからなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
  3. 前記フィラーが、シリカおよびヒュームドシリカからなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
  4. 前記フィラーが、カーボンブラック、グラファイト；金、銀、銅、白金、パラジウム、ニッケル、アルミニウム、金属合金、金属で覆われたガラス、金属で覆われた有機ポリマー、金属で覆われたシリカ、およびこれらの組合せからなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
  5. 前記樹脂が、エポキシ、マレイミド、ビスマレイミド、アクリレート、メタクリレート、シアネートエステル、ビニルエーテル、チオール−エン、芳香族環に結合され、芳香族環の不飽和と共役されている炭素と炭素の二重結合を有する樹脂（例えば、シンナミルおよびスチレン系出発化合物から誘導された化合物）、フマル酸エステル、マレイン酸エステル、ポリアミド、フェノキシ化合物、ベンゾキサジン、ポリベンゾキサジン、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、シリコーン化オレフィン、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリ（塩化ビニル）、ポリイソブチレン、ポリアクリロニトリル、ポリ（ビニルアセテート）、ポリ（２−ビニルピリジン）、シス−１，４−ポリイソプレン、３，４−ポリクロロプレン、ビニルコポリマー、ポリ（エチレンオキシド）、ポリ（エチレングリコール）、ポリホルムアルデヒド、ポリアセトアルデヒド、ポリ（β−プロピオラクトン）、ポリ(10−デカノエート）、ポリ（エチレンテレフタレート）、ポリカプロラクタム、ポリ（１１−ウンデカノアミド）、ポリ（ｍ−フェニレン−テレフタルアミド）、ポリ（テトラメチレン−ｍ−ベンゼンスルホンアミド）、ポリエステルポリアリーレート、ポリ（フェニレンオキシド）、ポリ（フェニレンスルフィド）、ポリ（スルホン）、ポリエーテルケトン、ポリエーテルイミド、フッ素化ポリイミド、ポリイミドシロキサン、ポリ−イソインドロ−キナゾリンジオン、ポリチオエーテルイミド、ポリ−フェニル−キノキサリン、ポリキノキサロン、イミド−アリールエーテルフェニルキノキサリンコポリマー、ポリキノキサリン、ポリベンズイミダゾール、ポリベンゾキサゾール、ポリノルボルネン、ポリ（アリーレンエーテル）、ポリシラン、パリレン、ベンゾシクロブテン、ヒドロキシル−（ベンズオキサゾール）コポリマー、ポリ（シルアリーレンシロキサン）、およびこれらの組合せからなる群より選択される、請求項１に記載の組成物。
  6. 前記樹脂が、エポキシ、マレイミド、ビスマレイミド、アクリレート、メタクリレート、シアネートエステル、ビニルエーテル、チオール−エン、芳香族環に結合され、芳香族環の不飽和と共役されている炭素と炭素の二重結合を有する樹脂（例えば、シンナミルおよびスチレン系出発化合物から誘導された化合物）、フマル酸エステル、マレイン酸エステル、およびこれらの組合せからなる群より選択される、請求項５に記載の組成物。
  7. 前記樹脂が、エポキシ、マレイミド、ビスマレイミド、アクリレート、メタクリレート、およびこれらの組合せからなる群より選択される、請求項６に記載の組成物。
JP2010547021A 2008-02-25 2008-02-25 自己フィレット化・ダイ取付けペースト Expired - Fee Related JP5250640B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2008/000393 WO2009105911A1 (en) 2008-02-25 2008-02-25 Self-filleting die attach paste

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011514671A true JP2011514671A (ja) 2011-05-06
JP5250640B2 JP5250640B2 (ja) 2013-07-31

Family

ID=41015493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010547021A Expired - Fee Related JP5250640B2 (ja) 2008-02-25 2008-02-25 自己フィレット化・ダイ取付けペースト

Country Status (7)

Country Link
US (2) US20110046268A1 (ja)
EP (1) EP2250227A4 (ja)
JP (1) JP5250640B2 (ja)
KR (1) KR101510665B1 (ja)
CN (1) CN102124068A (ja)
TW (1) TWI442483B (ja)
WO (1) WO2009105911A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013030637A (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状樹脂組成物および半導体装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102124068A (zh) * 2008-02-25 2011-07-13 汉高股份两合公司 自圆倒角化芯片粘接膏
US9477148B1 (en) 2015-05-26 2016-10-25 Industrial Technology Research Institute Polymer, method for preparing the same, and a photosensitive resin composition thereof
CN105542704B (zh) * 2015-12-27 2018-02-23 上海创益中空玻璃材料有限公司 阻燃型高耐候聚硫密封胶及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001515090A (ja) * 1997-08-29 2001-09-18 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー 密着印刷性接着剤組成物および前記組成物を製造する方法
JP2002241469A (ja) * 2001-02-14 2002-08-28 Nitto Denko Corp 熱硬化性樹脂組成物および半導体装置
JP2003138100A (ja) * 2001-11-05 2003-05-14 Nippon Steel Chem Co Ltd フリップチップ実装用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
US20030119226A1 (en) * 1998-07-13 2003-06-26 International Business Machines Corporation Die attachment with reduced adhesive bleed-out

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2015905A1 (en) * 1989-05-16 1990-11-16 Louis Christopher Graziano Acrylic adhesive compositions containing crosslinking agents and impact modifiers
US5391604A (en) * 1993-07-30 1995-02-21 Diemat, Inc. Adhesive paste containing polymeric resin
ES2646296T3 (es) * 1999-08-17 2017-12-13 Dow Global Technologies Llc Composición polimérica fluida
US6750301B1 (en) * 2000-07-07 2004-06-15 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Die attach adhesives with epoxy compound or resin having allyl or vinyl groups
TW574739B (en) 2001-02-14 2004-02-01 Nitto Denko Corp Thermosetting resin composition and semiconductor device using the same
US7000457B2 (en) * 2003-04-01 2006-02-21 Cabot Corporation Methods to control and/or predict rheological properties
BRPI0412062B1 (pt) * 2003-07-07 2015-09-29 Dow Global Technologies Inc Composição adesiva de epóxi
US7160946B2 (en) * 2004-04-01 2007-01-09 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Method to improve high temperature cohesive strength with adhesive having multi-phase system
JP4809355B2 (ja) * 2005-09-02 2011-11-09 信越化学工業株式会社 エポキシ樹脂組成物及び該組成物を含むダイボンド剤
US7645637B2 (en) * 2006-10-16 2010-01-12 Henkel Corporation Methods for assembling thin semiconductor die
KR100922226B1 (ko) * 2007-12-10 2009-10-20 주식회사 엘지화학 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치
CN102124068A (zh) * 2008-02-25 2011-07-13 汉高股份两合公司 自圆倒角化芯片粘接膏

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001515090A (ja) * 1997-08-29 2001-09-18 ミネソタ マイニング アンド マニュファクチャリング カンパニー 密着印刷性接着剤組成物および前記組成物を製造する方法
US20030119226A1 (en) * 1998-07-13 2003-06-26 International Business Machines Corporation Die attachment with reduced adhesive bleed-out
JP2002241469A (ja) * 2001-02-14 2002-08-28 Nitto Denko Corp 熱硬化性樹脂組成物および半導体装置
JP2003138100A (ja) * 2001-11-05 2003-05-14 Nippon Steel Chem Co Ltd フリップチップ実装用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013030637A (ja) * 2011-07-29 2013-02-07 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状樹脂組成物および半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100122100A (ko) 2010-11-19
US20110046268A1 (en) 2011-02-24
EP2250227A4 (en) 2013-08-21
TWI442483B (zh) 2014-06-21
US20120055259A1 (en) 2012-03-08
WO2009105911A1 (en) 2009-09-03
EP2250227A1 (en) 2010-11-17
CN102124068A (zh) 2011-07-13
US8286465B2 (en) 2012-10-16
JP5250640B2 (ja) 2013-07-31
KR101510665B1 (ko) 2015-04-10
TW200937537A (en) 2009-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5345278B2 (ja) フラクシング組成物
JP5654718B2 (ja) 多相系を有する接着剤を使用する高温結合力を改善する方法
TWI429729B (zh) 用於晶圓塗層之高傳導性組合物
JP2006229199A (ja) ホットメルトアンダーフィル組成物およびそれを施す方法
EP1834969A2 (en) Curable materials containing siloxane
EP2297238B1 (en) Thixotropic conductive composition
TW200426200A (en) B-stageable die attach adhesives
JP5250640B2 (ja) 自己フィレット化・ダイ取付けペースト
US7851930B1 (en) Conductive adhesive compositions containing an alloy filler material for better dispense and thermal properties
US20100007018A1 (en) Process for coating a bumped semiconductor wafer
KR20090101336A (ko) 범프 부착 반도체 웨이퍼의 코팅 방법
CN1808692A (zh) 热熔性底部填充胶组合物及其涂覆方法
TW200920779A (en) Composition with thermally-treated silica filler for performance enhancement
JP5627893B2 (ja) 接着剤組成物の使用
JP4648881B2 (ja) アンダーフィル組成物用のフラクシング及び促進剤としてのキノリノール類
US20100311207A1 (en) Compounds Having A Diphenyl Oxide Backbone and Maleimide Functional Group
CN103258804B (zh) 自圆倒角化芯片粘接膏

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111017

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111026

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120124

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120131

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20120224

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20120302

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120326

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120904

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20121203

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20121210

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130104

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130402

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130415

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160419

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees