JP4809355B2 - エポキシ樹脂組成物及び該組成物を含むダイボンド剤 - Google Patents
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Description
(A)エポキシ樹脂
(B)フェノール樹脂及びシリコーン変性フェノール樹脂から選ばれるエポキシ樹脂硬化剤 該(B)エポキシ樹脂硬化剤の反応性基の当量の(A)エポキシ樹脂のエポキシ基の当量に対する比が0.8〜1.25となる量、
(C)25℃において固体状の熱可塑性樹脂粒子 (A)エポキシ樹脂と(B)エポキシ樹脂硬化剤の合計100質量部に対して、3〜60質量部、及び
(D)テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレート誘導体及びメチロールイミダゾール誘導体から選ばれるエポキシ樹脂硬化促進剤 (A)エポキシ樹脂と(B)エポキシ樹脂硬化剤の合計100質量部に対して、0.1〜10質量部、
を含むことを特徴とするダイボンド剤組成物である。
好ましくは、(C)25℃において固体状の熱可塑性樹脂粒子は、メタクリル樹脂、フェノキシ樹脂、及びブタジエン樹脂等から選択され、所定の分子量及び粒子径を有する。
本発明において、(A)エポキシ樹脂としては、公知のものを使用することができる。例えば、ノボラック型、ビスフェノール型、ビフェニル型、フェノールアラルキル型、ジシクロペンタジエン型、ナフタレン型、アミノ基含有型、後述するシリコーン変性エポキシ樹脂及びこれらの混合物等が挙げられる。なかでもビスフェノールA型、ビスフェノールF型及びシリコーン変性エポキシ樹脂が好ましい。また、25℃において、液状の樹脂が好ましく、より好ましくは粘度が100Pa・s以下、より好ましくは10Pa・s以下である。
(B)エポキシ樹脂硬化剤としては、フェノール樹脂及び/又はシリコーン変性フェノール樹脂が使用される。該フェノール樹脂としては、ノボラック型、ビスフェノール型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、ナフタレン型、シクロペンタジエン型、フェノールアラルキル型等が挙げられ、これらを単独、あるいは2種類以上を混合して用いても良い。なかでもノボラック型、ビスフェノール型が好ましく、また、粘度は100℃において10Pa・s、特に1Pa・s以下であることが望ましい。
但し、R11は、フェノール樹脂の場合には水素原子であり、エポキシ樹脂である場合には下記式で表されるオキシラン基含有基であり、
R12は水素原子又はメチル基であり、Xは水素原子又は臭素原子であり、nは0以上の整数、好ましくは0乃至50、特に好ましくは1乃至20の整数である。
但し、R11、 R12、X及びnについては上で述べた通りであり、mは0以上の整数、好ましくは0乃至5の整数、特に好ましくは0或いは1である。
(R13)a(R14)bSiO(4−a−b)/2 (9)
但し、R13は水素原子、或いは、アミノ基、エポキシ基、ヒドロキシ基もしくはカルボキシ基を含有する有機基、或いはアルコキシ基であり、R14は置換、或いは非置換の1価炭化水素基、ヒドロキシ基、アルコキシ基、或いはアルケニルオキシ基であり、a、bは0.001≦a≦1、1≦b≦3、1≦a+b≦4を満足する数である。1分子中のケイ素原子数は1乃至1000であり、1分子中のケイ素原子に直結したR13は1以上である。
エポキシ基含有有機基としては、下記のものが例示され、ここで cは1、2、又は3である。
ヒドロキシ基含有有機基としては、下記のものが例示され、ここで、dは0、1、2、又は3であり、eは1、2又は3である。
カルボキシ基含有有機基としては、下記が例示され、ここで、fは1〜10の整数である。
またアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基等の炭素数1〜4のものが挙げられる。
本発明の組成物は、粒子状の(C)熱可塑性樹脂粒子を含むことを特徴とする。該熱可塑性樹脂は、25℃で固体状である。即ち、保存中及び基板上に塗布される温度において、エポキシ樹脂(A)と相溶された樹脂相を形成しない。該熱可塑性樹脂としては公知の樹脂であってよく、例えばAAS樹脂、AES樹脂、AS樹脂、ABS樹脂、MBS樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、メタクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリブタジエン樹脂、各種のフッ素樹脂、各種シリコーン樹脂、ポリアセタール、各種のポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエチレン、ポリエチレンオキサイド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリビニルアルコール、ポリビニルエーテル、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンサルファイド、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等が挙げられる。これらの中でも、メタクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ブタジエン樹脂、ポリスチレンもしくはこれらの共重合体が望ましい。或いは、粒子の内核(コア)部と外皮(シェル)部で樹脂が異なるコア・シェル構造ものであっても良い。その場合、コアはシリコーン樹脂、フッ素樹脂、又はブタジエン樹脂等からなるゴム粒子であり、シェルは線形分子鎖からなる上記各種の熱可塑性樹脂であることが望ましい。
(D)硬化促進剤としては、公知のものを使用することができる。例えば有機リン、イミダゾール、3級アミン等の塩基性有機化合物が挙げられる。有機リンの例としては、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ(p−トルイル)ホスフィン、トリ(p−メトキシフェニル)ホスフィン、トリ(p−エトキシフェニル)ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボレート誘導体、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレート等が挙げられる。イミダゾールの例としては、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられ、3級アミンの例としてはトリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、1,8−ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7等が挙げられる。これらのなかでも、テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレート誘導体、又はメチロールイミダゾール誘導体を、硬化剤としてのフェノール樹脂と組合わせて使用することが好ましい。
本発明の組成物、特にダイボンド剤用途に使用する場合には、無機質充填剤を配合することが好ましい。無機充填剤としては、公知のものを使用することができ、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、酸化チタン、シリカチタニア、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、マグネシア、マグネシウムシリケート、タルク、マイカ等を挙げることができ、これらは1種単独あるいは2種類以上組み合せて使用することができる。特に、シリカ、アルミナ、タルクを1種単独あるいは2種類以上組み合せて使用することが好ましい。
上記各成分に加え、本発明の組成物には、本発明の目的を阻害しない量で、添加剤を添加することができる。添加剤としては、シランカップリング剤、難燃剤、イオントラップ剤、ワックス、着色剤、接着助剤等が包含される。
本発明の組成物は、各成分(A)、(C)及び(D)、使用する場合には(B)及び上記任意成分を、公知の方法、例えば、ミキサー、ロール等を用い、混合して得られる。必要に応じて混合順序、時間、温度、気圧等の条件を制御することができる。
以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をさらに説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
実施例1〜11、参考例1、比較例1〜4
表1及び2に示す量の各成分を、25℃のプラネタリーミキサーを用いて混合し、25℃の3本ロールを通過させた後、25℃においてプラネタリーミキサーで混合して、各実施例、参考例、比較例の組成物を調製した。なお、表1及び2において、a〜oは下記の各成分を、数は質量部を表す。
(A)エポキシ樹脂
エポキシ樹脂a(ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量180、RE310S(商品名)、日本化薬(株)製)
シリコーン変性エポキシ樹脂m(合成例1)
シリコーン変性エポキシ樹脂o(合成例3)
(B)硬化剤
硬化剤b(フェノールノボラック、エポキシ当量110、LD92(商品名)、明和化成(株)製)、
シリコーン変性硬化剤n(合成例2)
(C)粒子状熱可塑性樹脂
粒子状熱可塑性樹脂e(処理例1)
粒子状熱可塑性樹脂f(処理例2)
粒子状熱可塑性樹脂g(処理例3)
粒子状熱可塑性樹脂h(処理例4)
粒子状熱可塑性樹脂i(処理例5)
粒子状熱可塑性樹脂j(処理例6)
粒子状熱可塑性樹脂k(処理例7)
粒子状熱可塑性樹脂l(ポリメタクリル酸メチル製、数平均分子量500,000、重量平均分子量1,500,000、平均粒径1ミクロン、最大粒径3ミクロン)
(D)硬化促進剤
硬化促進剤c(テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレート、TPP-K(商品名)、北興化学(株)製)、
硬化促進剤d(トリフェニルホスフィン、TPP、北興化学(株)製)、
無機充填剤
シリカ(球状溶融シリカ、平均粒径0.8ミクロン、最大粒径3ミクロン、SE2030(商品名)、アドマッテクス(株)製)、
カーボンブラック(デンカブラック(商品名)、電気化学工業(株)製)、
シランカップリング剤(KBM−403(商品名)、信越化学工業(株)製)。
(合成例1)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、エステルアダプターと環流管を取り付けたフラスコに、式(12)のエポキシ樹脂42.0g(0.10モル)とトルエン168.0gを入れ、130℃/2時間で共沸脱水を行った。これを100℃に冷却し、触媒(信越化学製CAT−PL−50T)0.5gを滴下し、直ちに式(15)のオルガノポリシロキサン36.3g(0.05モル)とトルエン145.2gの混合物を30分程度で滴下し、更に100℃/6時間で熟成した。これからトルエンを除去し、黄色透明液体(η=5Pa・s/25℃、エポキシ当量400、オルガノポリシロキサン含有量46.4重量%)を得た。これをシリコーン変性エポキシ樹脂mとした。
(合成例2)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、エステルアダプターと環流管を取り付けたフラスコに、式(13)のフェノール樹脂30.8g(0.10モル)とトルエン123.2gを入れ、130℃/2時間で共沸脱水を行った。これを100℃に冷却し、触媒(信越化学製CAT−PL−50T)0.5gを滴下し、直ちに式(15)のオルガノポリシロキサン36.3g(0.05モル)とトルエン145.2gの混合物を30分程度で滴下し、更に100℃/6時間で熟成した。これからトルエンを除去し、褐色透明液体(η=20Pa・s/25℃、フェノール当量340、オルガノポリシロキサン含有量54.1重量%)を得た。これをシリコーン変性硬化剤nとした。
(合成例3)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、エステルアダプターと環流管を取り付けたフラスコに、式(14)のエポキシ樹脂68.8g(0.021モル)とトルエン275.2gを入れ、130℃/2時間で共沸脱水を行った。これを100℃に冷却し、触媒(信越化学製CAT−PL−50T)0.5gを滴下し、直ちに式(16)のオルガノポリシロキサン31.2g(0.014モル)とトルエン124.8gの混合物を30分程度で滴下し、更に100℃/6時間で熟成した。これからトルエンを除去し、白色不透明固体(エポキシ当量290、オルガノポリシロキサン含有量31.2重量%)を得た。これを低シリコーン変性エポキシ樹脂oとした。
(処理例1)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、粒子状熱可塑性樹脂(ポリメタクリル酸メチル製、数平均分子量500,000、重量平均分子量1,500,000、平均粒径1ミクロン、最大粒径3ミクロン)100gと水900gを入れ、25℃で全体が均一なスラリー状になるまで十分に攪拌した。これとは別に攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに水100gを入れ、攪拌しながらシランカップリング剤(γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン)2gを10分程度で滴下し、更に25℃/2時間で熟成した。このシランカップリング剤水溶液を、粒子状熱可塑性樹脂/水のスラリーに30分程度で滴下し、更に25℃/12時間で熟成した。これから水を除去し、白色粉末を得た。これを粒子状熱可塑性樹脂eとした。
(処理例2)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、粒子状熱可塑性樹脂(ポリメタクリル酸メチル製、数平均分子量500,000、重量平均分子量1,500,000、平均粒径1ミクロン、最大粒径3ミクロン)100gと水900gを入れ、25℃で全体が均一なスラリー状になるまで十分に攪拌した。これとは別に攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに水100gを入れ、攪拌しながらシランカップリング剤(γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン)2gを10分程度で滴下し、更に25℃/2時間で熟成した。このシランカップリング剤水溶液を、粒子状熱可塑性樹脂/水のスラリーに30分程度で滴下し、更に25℃/12時間で熟成した。これから水を除去し、白色粉末を得た。これを粒子状熱可塑性樹脂fとした。
(処理例3)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、粒子状熱可塑性樹脂(ポリメタクリル酸メチル製、数平均分子量500,000、重量平均分子量1,500,000、平均粒径1ミクロン、最大粒径3ミクロン)100gと水900gを入れ、25℃で全体が均一なスラリー状になるまで十分に攪拌した。これとは別に攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに水100gを入れ、攪拌しながらシランカップリング剤(N-フェニル-γ-アミノプロピルトリメトキシシラン)2gを10分程度で滴下し、更に25℃/2時間で熟成した。このシランカップリング剤水溶液を、粒子状熱可塑性樹脂/水のスラリーに30分程度で滴下し、更に25℃/12時間で熟成した。これから水を除去し、白色粉末を得た。これを粒子状熱可塑性樹脂gとした。
(処理例4)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、粒子状熱可塑性樹脂(ポリメタクリル酸メチル製、数平均分子量50,000、重量平均分子量150,000、平均粒径1ミクロン、最大粒径3ミクロン)100gと水900gを入れ、25℃で全体が均一なスラリー状になるまで十分に攪拌した。これとは別に攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに水100gを入れ、攪拌しながらシランカップリング剤(γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン)2gを10分程度で滴下し、更に25℃/2時間で熟成した。このシランカップリング剤水溶液を、粒子状熱可塑性樹脂/水のスラリーに30分程度で滴下し、更に25℃/12時間で熟成した。これから水を除去し、白色粉末を得た。これを粒子状熱可塑性樹脂hとした。
(処理例5)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、粒子状熱可塑性樹脂(ブタジエンゴムの内核部、部分的に架橋したポリメタクリル酸メチルの外皮部からなるコア・シェル構造、平均粒径1ミクロン、最大粒径3ミクロン)100gと水900gを入れ、25℃で全体が均一なスラリー状になるまで十分に攪拌した。これとは別に攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに水100gを入れ、攪拌しながらシランカップリング剤(γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン)2gを10分程度で滴下し、更に25℃/2時間で熟成した。このシランカップリング剤水溶液を、粒子状熱可塑性樹脂/水のスラリーに30分程度で滴下し、更に25℃/12時間で熟成した。これから水を除去し、白色粉末を得た。これを粒子状熱可塑性樹脂iとした。
(処理例6)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、粒子状熱可塑性樹脂(ポリスチレン製、数平均分子量100,000、重量平均分子量300,000、平均粒径1ミクロン、最大粒径3ミクロン)100gと水900gを入れ、25℃で全体が均一なスラリー状になるまで十分に攪拌した。これとは別に攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに水100gを入れ、攪拌しながらシランカップリング剤(p-スチリルトリメトキシシラン)2gを10分程度で滴下し、更に25℃/2時間で熟成した。このシランカップリング剤水溶液を、粒子状熱可塑性樹脂/水のスラリーに30分程度で滴下し、更に25℃/12時間で熟成した。これから水を除去し、白色粉末を得た。これを粒子状熱可塑性樹脂jとした。
(処理例7)
攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに、粒子状熱可塑性樹脂(ポリメタクリル酸メチル製、数平均分子量3,000、重量平均分子量9,000、平均粒径1ミクロン、最大粒径3ミクロン)100gと水900gを入れ、25℃で全体が均一なスラリー状になるまで十分に攪拌した。これとは別に攪拌羽、滴下漏斗、温度計、環流管を取り付けたフラスコに水100gを入れ、攪拌しながらシランカップリング剤(γ-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン)2gを10分程度で滴下し、更に25℃/2時間で熟成した。このシランカップリング剤水溶液を、粒子状熱可塑性樹脂/水のスラリーに30分程度で滴下し、更に25℃/12時間で熟成した。これから水を除去し、白色粉末を得た。これを粒子状熱可塑性樹脂kとした。
試験方法
(a)DSCピーク温度
DSC(示差走査熱量計/メトラー製)を用いて、各エポキシ樹脂組成物約10mgをアルミセルに採取し、空のアルミセルを参照試料として、空気下で25℃から300℃迄、昇温速度10℃/分で測定した。
(b)Aステージ状態の保存安定性
エポキシ樹脂組成物について製造直後と、25℃で所定時間放置した後の粘度を測定した。
(c)Bステージ状態の保存安定性
エポキシ樹脂組成物10mgをT1より20℃高い温度(比較例1〜4は120℃)で10分間加熱してBステージ化させた直後及びBステージ化後25℃で表に示す所定時間放置したものについて、(a)と同様の方法でDSC測定を行い、Bステージ化直後に測定されたCステージ化のピーク面積を初期値として、所定時間放置したもののCステージ化のピーク面積の該初期値に対する割合を算出した。
(d)チップ搭載後のボイド
図2に示すような試験片を作成し、各試験片についてSAT観測を行い、ボイドを含む試験片数/総試験片数(20個)を算出した。試験片の作成方法は、以下のとおりである。
表面にソルダーレジスト(30ミクロン厚)を塗布したBT基板(200ミクロン厚、35mm×35mm)上にエポキシ樹脂組成物を塗布した(50ミクロン厚、12mm×12mm)。これをT1より20℃高い温度(比較例3〜6は120℃)で10分間加熱してBステージ化させ、窒化珪素膜を施したシリコンチップ(300ミクロン厚、12.5mm×12.5mm)を150℃/1Mpa/1秒で搭載して試験片とした。
(e)Bステージ後のボイド
図2の試験片を作成する際、Bステージ化後、チップ搭載前のものを、25℃で各表に示す所定時間放置した後に、(d)と同様の方法でチップを搭載してSAT観測を行い、ボイドを含む試験片数/総試験片数(20個)を算出した。
(f)チップ搭載後のフィレット
(d)で作成した試験片各20個についてフィレット幅の最大値を観測した。フィレットとは、樹脂が流動してチップの横から染み出してきたものである(図3)。フィレット幅が大きいと基板上のワイヤー接続端子迄の距離が長くなるため、100ミクロン以下が要求される。100ミクロンよりも大きいものを不合格とし、不合格の試験片数/総試験片数(20個)を算出した。
(g)Bステージ後のフィレット
図2の試験片を作成する際、Bステージ化後、チップ搭載前のものを、25℃で各表に示す所定時間放置した後に、(e)と同様の方法でチップを搭載し、これについて(f)と同様にフィレット幅を測定し、不合格の試験片数/総試験片数(20個)を算出した。
表5に示す質量部の各成分を、25℃のプラネタリーミキサーを用いて混合し、25℃の3本ロールを通過させた後、25℃においてプラネタリーミキサーで混合して、組成物を調製した。なお、組成物を調製する前に、エポキシ樹脂、硬化剤、及び硬化促進剤は150℃、5mmHgの恒温槽中に、6時間、及び粒子状熱可塑性樹脂は100℃、5mmHg以下の恒温槽中に、24時間、夫々置き、揮発分を除去する処理を行った。該処理をしたものを、「-」を付して表す。表5において、例えば「エポキシ樹脂a−」は上記エポキシ樹脂aを上記処理に付したものを表す。
(h)TGA
各組成物10mgをアルミセル中に採取し、空のアルミセルを参照試料として、TGA(熱重量分析計/メトラー製)を用いて、空気中で25℃から300℃迄、昇温速度10℃/分で、200℃までの質量減少(%)を測定した。
(i)150℃〜200℃の粘度
各組成物280マイクロリットルを、直径18mm、ギャップ1.12mmの平行円盤中にはさみ、レオメーター((株)ユービーエム製)を用いて、空気中で25℃から300℃迄、昇温速度10℃/分で、150℃〜200℃における粘度を測定し、平均値を求めた。
(j)樹脂封止後のボイド
図4に示すような樹脂封止された半導体装置の試験片を作成し、各試験片についてSAT観測を行い、ボイドを含む試験片数/総試験片数(20個)を数えた。試験片の作成方法は以下の通りである。
表面にソルダーレジスト(30ミクロン厚)を塗布したBT基板(200ミクロン厚、35mm×35mm)上にエポキシ樹脂組成物を塗布した(50ミクロン厚、12mm×12mm)。これをT1より20℃高い温度で10分間加熱してBステージ化させ、窒化珪素膜を施したシリコンチップ(300ミクロン厚、12.5mm×12.5mm)を150℃(チップ)/100℃(基板)/1Mpa/1秒で搭載した。これをKMC−2520(信越化学工業製エポキシ封止剤)で、金型温度175℃、注入時間10秒、注入圧70KPa、成型時間90秒、後硬化条件は180℃/2時間で封止した。成型後の試験片の大きさは1000ミクロン厚、35mm×35mmである。
(k)樹脂封止後のダイシフト
図4の試験片の各20個について軟X線透過装置を用いてダイシフト値を測定した。ここでダイシフト値はチップの4隅の直線移動距離の合計値とし、これが50ミクロンより大きいものを不合格とし、不合格の試験片数/総試験片数(20個)を数えた。
Claims (11)
- (A)エポキシ樹脂
(B)フェノール樹脂及びシリコーン変性フェノール樹脂から選ばれるエポキシ樹脂硬化剤 該(B)エポキシ樹脂硬化剤の反応性基の当量の(A)エポキシ樹脂のエポキシ基の当量に対する比が0.8〜1.25となる量、
(C)25℃において固体状の熱可塑性樹脂粒子 (A)エポキシ樹脂と(B)エポキシ樹脂硬化剤の合計100質量部に対して、3〜60質量部、及び
(D)テトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレート誘導体及びメチロールイミダゾール誘導体から選ばれるエポキシ樹脂硬化促進剤 (A)エポキシ樹脂と(B)エポキシ樹脂硬化剤の合計100質量部に対して、0.1〜10質量部、
を含むことを特徴とするダイボンド剤組成物。 - (C)熱可塑性樹脂粒子が、(A)エポキシ樹脂と(B)エポキシ樹脂硬化剤の合計100質量部に対して5〜50質量部で含有されていることを特徴とする請求項1記載のダイボンド剤組成物。
- (C)熱可塑性樹脂粒子が、メタクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ブタジエン樹脂、ポリスチレンもしくはこれらの共重合体から選択される熱可塑性樹脂の粒子であることを特徴とする請求項1又は2記載のダイボンド剤組成物。
- (C)熱可塑性樹脂粒子が、ポリスチレン換算の数平均分子量10,000〜1000,000及び重量平均分子量100,000〜10,000,000を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載のダイボンド剤組成物。
- (C)熱可塑性樹脂粒子が、0.1〜5μmのメジアン径及び10μm以下の98%累積粒径を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載のダイボンド剤組成物。
- (C)熱可塑性樹脂粒子の表面が、シランカップリング剤で処理されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載のダイボンド剤組成物。
- 無機充填剤をさらに含有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項記載のダイボンド剤組成物。
- (A)エポキシ樹脂が、シリコーン変性エポキシ樹脂を含むことを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項記載のダイボンド剤組成物。
- アルミセル中で、空のアルミセルを参照試料として、空気下で25℃から300℃まで10℃/分で昇温しながらDSC測定した際に、(A)エポキシ樹脂の硬化発熱ピークより低温側に少なくとも1つの発熱ピークを示し、該低温側発熱ピークのピーク温度(T1)が、80℃以上であり且つ(A)エポキシ樹脂の硬化発熱ピークのピーク温度(T2)よりも70℃以上低いことを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項記載のダイボンド剤組成物。
- アルミセル中で、空のアルミセルを参照試料として、空気中で25℃から300℃まで10℃/分で昇温しながらTGA測定した際に、200℃までの質量減少が1%以下であり、及び
空気中で25℃から300℃まで10℃/分で昇温しながらレオメーターで粘度測定した際に、150℃〜200℃での粘度が10〜1000Pa・sである、ことを特徴とする請求項9記載の組成物。 - 1)請求項1〜10のいずれか1項記載のダイボンド剤組成物を基板上に塗布し、
2)前記塗布されたダイボンド剤を温度T1〜(T2−20℃)の範囲の温度でBステージ化し、
3)前記Bステージのダイボンド剤組成物上に半導体素子を置き、
4)ダイボンド剤組成物を硬化させる、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP5263926B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-08-14 | 信越化学工業株式会社 | ダイボンド剤組成物及びそれを用いた半導体装置 |
JP5234910B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-07-10 | 信越化学工業株式会社 | 接着剤組成物 |
JP5209329B2 (ja) * | 2008-01-21 | 2013-06-12 | 信越化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
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KR101114360B1 (ko) * | 2008-04-25 | 2012-02-10 | 주식회사 엘지화학 | 에폭시계 조성물, 접착 필름, 다이싱 다이본딩 필름 및 반도체 장치 |
JP2010006912A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 接着剤組成物、接着フィルム及びダイシング・ダイアタッチフィルム |
JP5375638B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2013-12-25 | 三菱化学株式会社 | 三次元集積回路用の層間充填材組成物、塗布液、三次元集積回路の製造方法 |
JP5586313B2 (ja) * | 2010-04-23 | 2014-09-10 | 京セラケミカル株式会社 | 接着剤層の形成方法、及び接着剤組成物 |
DE102010043871A1 (de) * | 2010-11-12 | 2012-05-16 | Tesa Se | Klebmasse und Verfahren zur Kapselung einer elektronischen Anordnung |
JP5691881B2 (ja) * | 2011-06-27 | 2015-04-01 | 信越化学工業株式会社 | 接着剤組成物 |
JP5725559B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2015-05-27 | 信越化学工業株式会社 | 液状導電性樹脂組成物及び電子部品 |
JP2016037529A (ja) * | 2014-08-06 | 2016-03-22 | 信越化学工業株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物及びヒートシンク、スティフナー用接着剤 |
US10233325B2 (en) * | 2015-08-31 | 2019-03-19 | Zeon Corporation | Resin composition |
CN108565335B (zh) * | 2018-06-13 | 2022-03-18 | 咸阳天华电子科技有限公司 | 一种压力传感器用的不锈钢基覆康铜箔板的制备工艺 |
RU2756173C1 (ru) * | 2020-11-12 | 2021-09-28 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук | Клеевая композиция для полимерных композиционных материалов |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6199356A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JPH06306084A (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
JPH07224144A (ja) * | 1994-02-07 | 1995-08-22 | Nippon Zeon Co Ltd | エポキシ樹脂系接着性組成物の製造方法 |
JPH10237196A (ja) * | 1997-02-28 | 1998-09-08 | Nippon Oil Co Ltd | トウプリプレグ |
JPH10287792A (ja) * | 1997-04-10 | 1998-10-27 | Jsr Corp | 封止材用エポキシ樹脂組成物 |
JP2006306953A (ja) * | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Dow Corning Toray Co Ltd | 硬化性シリコーン組成物およびその硬化物 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6018145B2 (ja) * | 1980-09-22 | 1985-05-09 | 株式会社日立製作所 | 樹脂封止型半導体装置 |
JPH07273140A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Hitachi Ltd | 被覆ボンディングワイヤを用いた半導体装置 |
JP3178309B2 (ja) * | 1995-08-14 | 2001-06-18 | 株式会社アドマテックス | 導電性エポキシ樹脂組成物 |
KR100563509B1 (ko) * | 1998-09-25 | 2006-03-23 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 에폭시 수지 조성물 및 이 에폭시 수지 조성물을 사용한 적층 필름 및 반도체 장치 |
JP3876965B2 (ja) * | 2000-11-17 | 2007-02-07 | 信越化学工業株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 |
US20030129438A1 (en) | 2001-12-14 | 2003-07-10 | Becker Kevin Harris | Dual cure B-stageable adhesive for die attach |
US6919420B2 (en) * | 2002-12-05 | 2005-07-19 | International Business Machines Corporation | Acid-cleavable acetal and ketal based epoxy oligomers |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6199356A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Nitto Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
JPH06306084A (ja) * | 1993-04-27 | 1994-11-01 | Shin Etsu Chem Co Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
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