JP2017105883A - 液状樹脂組成物及び該組成物を用いたダイアタッチ方法、並びに該組成物の硬化物を有する半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
<1>
(A)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂
(B)エポキシ基と反応性を有する基を1分子中に2個以上有する硬化剤
成分(A)中のエポキシ基1当量に対し、該成分(B)中の、エポキシ基と反応性を有する基が0.8〜1.25当量となる量
(C)分子量が100,000以上1,000,000未満であるアクリル樹脂
成分(A)と成分(B)との合計100質量部に対して5〜900質量部
(D)硬化促進剤
成分(A)と成分(B)との合計100質量部に対して0.05〜10質量部
(E)無機充填材
成分(A)と成分(B)との合計100質量部に対して50〜600質量部
(F)希釈剤 成分(A)〜(D)の合計100質量部に対して10〜900質量部、及び
(G)下記一般式(1)で示されるジメチルシリコーン 成分(A)と成分(B)との合計100質量部に対して0.01〜2質量部
(式(1)中、nは、0〜2,000の整数)
を含み、
前記(E)無機充填材中の10〜90質量%を平均粒径が0.05μm〜5μmである球形又は擬球形無機フィラーが占め、90〜10質量%を平均厚さtが0.005μm〜5μm、平均粒径aは0.05〜15μm、アスペクト比(平均粒径a/平均厚さt)が2〜100の鱗片状無機フィラーが占めることを特徴とする液状樹脂組成物。
下記工程(1)〜(6)を含むシリコンチップのダイアタッチ方法。
(1)<1>〜<7>のいずれか1に記載の液状樹脂組成物を、シリコンウエハー片面にスクリーン印刷によって塗布する液状樹脂組成物塗布工程
(2)工程(1)で塗布した液状樹脂組成物を60℃〜200℃で、1分間〜3時間加熱することによりBステージ化し、200μm以下の厚さで、表面の算術平均粗さが2μm以下である接着層を形成する接着層形成工程
(3)前記接着層を介してシリコンウエハーをダイシングテープに貼り付ける貼付工程
(4)工程(3)で作成した接着層付シリコンウエハーを複数の個片に切断して半導体チップにするチップ化工程
(5)工程(4)で得られた接着層付半導体チップを、ダイシングテープから剥がし、該半導体チップの接着層を介して、リードフレーム上に搭載する搭載工程
(6)前記リードフレーム上の液状樹脂組成物を硬化する硬化工程
本発明に用いるエポキシ樹脂としては、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するものであればとくに制限はなく公知のものを使用することができる。具体的には、例えばノボラック型、ビスフェノール型、ビフェニル型、フェノールアラルキル型、ジシクロペンタジエン型、ナフタレン型、またはアミノ基含有型のエポキシ樹脂、後述するシリコーン変性エポキシ樹脂、及びこれらの混合物を使用することができる。これらのなかでも、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、及びノボラック型のエポキシ樹脂が好ましく、さらに液状又は固体状のシリコーン変性エポキシ樹脂を併用するのが好ましい。
上記式(5)において、R2は置換、或いは非置換の、炭素数1〜10の1価炭化水素基、ヒドロキシ基、炭素数1〜10のアルコキシ基、或いは炭素数2〜10のアルケニルオキシ基である。1価炭化水素基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、デシル基等のアルキル基、ビニル基、アリル基、プロペニル基、ブテニル基等のアルケニル基、フェニル基、トリル基等のアリール基、ベンジル基、フェニルエチル基等のアラルキル基や、これらの炭化水素基の水素原子の一部または全部をハロゲン原子等で置換したハロゲン置換1価炭化水素基が挙げられる。アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ヘキシルオキシ基等が挙げられる。アルケニルオキシ基の例としては、ビニルオキシ基、プロペノキシ基、イソプロペノキシ基等が挙げられる。
[測定条件]
展開溶媒:THF
流量:200mL/min
検出器:示差屈折率検出器(RI)
カラム:TSKGEL SUPERHZ 2000,3000,4000 各1(TOSOH社製)
GPC装置:HLC−8220GPC
カラム温度:40℃
試料注入量:5μL(濃度0.2重量%のTHF溶液)
硬化剤は、エポキシ基と反応性を有する官能基を1分子中に2個以上含む化合物であれば特に制限はない。例えばフェノール樹脂、酸無水物、及びアミン類が挙げられる。それらの中でも、フェノール樹脂が好ましい。フェノール樹脂としては、アラルキル型、ノボラック型、ビスフェノール型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、ナフタレン型、シクロペンタジエン型、及びフェノールアラルキル型等が挙げられ、これらを単独、或いは2種類以上を混合して用いることもできる。なかでもアラルキル型、ノボラック型、及びビスフェノール型が好ましく、シリコーン変性フェノール樹脂を併用することが好ましい。
アクリル樹脂は、そのガラス転移温度が低いという性質を利用して、Bステージ状態でのシリコンチップ及び被着体への接着力を向上させることを目的として添加するものである。アクリル樹脂の例としては、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、及びアクリロニトリル等の重合体と他の単量体との共重合体が挙げられる。本発明ではエポキシ基、カルボキシル基、水酸基、及びアミド基等の官能基を有するアクリル酸エステル共重合体が好ましい。これらの官能基を有することにより(A)成分及び(B)成分と架橋反応が進行し、熱硬化後の強靭性や被着体への接着性が向上する。
[測定条件]
展開溶媒:THF
流量:200mL/min
検出器:示差屈折率検出器(RI)
カラム:TSKGEL SUPERHZ 2000,3000,4000 各1(TOSOH社製)
GPC装置:HLC−8220GPC
カラム温度:40℃
試料注入量:5μL(濃度0.2重量%のTHF溶液)
(D)硬化促進剤は、(A)エポキシ樹脂と(B)硬化剤との反応を促進するものであれば特に制限されない。具体的には、例えば、有機リン化合物、イミダゾール類、及び3級アミン類等の塩基性有機化合物を使用することができる。有機リン化合物としては、トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ(p−トルイル)ホスフィン、トリ(p−メトキシフェニル)ホスフィン、トリ(p−エトキシフェニル)ホスフィン等の有機ホスフィン類、トリフェニルホスフィン・トリフェニルボレート誘導体及びテトラフェニルホスフィン・テトラフェニルボレート誘導体等が挙げられる。イミダゾール類としては、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール及び2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等が挙げられる。3級アミン類としては、トリエチルアミン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメチルアミン、及び1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7等が挙げられる。
無機充填材は、熱膨張係数の低減や樹脂強度の向上などの目的で添加される。無機充填材の形状は、球状又は擬球形、及び鱗片状である。
希釈剤は、樹脂組成物の粘度を調整する目的で添加するものである。成分(F)は1種単独或いは2種以上を組み合わせても使用することができる。希釈剤の種類は常温で液状であれば特に限定されるものではない。好ましくは、成分(A)、成分(B)、及び成分(C)の混合物を溶解し、成分(D)及び成分(E)と溶解せず、沸点が150℃以上の溶剤がよい。具体的には、例えば、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン、ジアセトンアルコール等のケトン、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、ブチルセルソルブ、メチルカルビトール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール等のグリコールエーテル、メチルセルソルブアセテート、エチルセルソルブアセテート、カルビトールアセテート等のグリコールエステル等が挙げられる。
ジメチルシリコーンは、表面張力が低いため、スクリーン印刷後のメッシュ跡を速やかにレベリングさせる効果と、印刷後のボイドを消泡する効果とがある。該ジメチルシリコーンの配合量は、(A)エポキシ樹脂と(B)硬化剤との合計100質量部に対して0.01〜2質量部、好ましくは0.1〜1質量部がよい。ジメチルシリコーン配合量が2質量部より多いと、成分(A)と成分(B)との相溶性が悪いため互いが分離してしまう可能性がある。ジメチルシリコーン配合量が0.01質量部より少ないと、十分なレベリング効果と消泡効果とが得られない虞がある。
本発明の液状樹脂組成物は、上述した成分(A)〜(G)を公知の方法、例えば、ミキサー、ロール等を用いて混合することによって製造できる。シランカップリング剤で表面処理した(E)無機充填材を使用する場合には、(A)エポキシ樹脂とシランカップリング剤で表面処理した無機充填材とを予め減圧・混練処理をすることが好ましい。
本発明の液状樹脂組成物は、5〜200μmのいずれか一点の厚さにおいて60℃〜200℃、好ましくは80℃〜150℃で、1分間〜3時間、好ましくは10分間〜1時間加熱することによりBステージ化することが可能な組成物であることが好ましい。また、Bステージ状態で本発明の液状樹脂組成物の算術平均粗さは、好ましくは2μm以下(0〜2μm)、より好ましくは1μm以下(0〜1μm)がよい。なお算術平均粗さは、JIS B0601:2013に準じて測定することができる。算術平均粗さがこの範囲内にあることで、ダイシングテープへの接着性と、リードフレームに半導体チップを張り付けた際の接着剤層の膜厚とが安定するため好ましい。
チクソトロピー指数(T.I.)=(ずり速度0.2sec−1における粘度[Pa・s])/(ずり速度2.0sec−1における粘度[Pa・s])
本発明の液状樹脂組成物は、下記(1)〜(6)を含む工程により使用することができる。
(1)液状樹脂組成物塗布工程
シリコンウエハー上に液状樹脂組成物をスクリーン印刷によって塗布する。シリコンウエハーの塗布面は、個片化して半導体チップになった際にリードフレームに接着する側の面である。
(2)接着層形成工程
工程(1)で塗布した液状樹脂組成物を60℃〜200℃で1分間〜3時間加熱してBステージ化することにより接着層を形成する。この接着層は、200μm以下の厚さで、表面の算術平均粗さが2μm以下である。
(3)貼付工程
接着層を介してシリコンウエハーをダイシングテープに貼り付ける。ダイシングテープの貼付方法は公知の方法に従って行えばよく、またダイシングテープも公知のものを使用できる。
(4)チップ化工程
工程(3)で作成した接着層付シリコンウエハーを複数の個片に切断して半導体チップにする。切断方法は、例えば、ダイヤモンドブレードでシリコンウエハーを切削するダイシング方法、或いはレーザーダイシング方法等により、シリコンウエハー及び接着層を互いが密着したままで複数の個片に切断する方法を用いてもよい。切断方法は用途に応じて適宜選択できる。
(5)搭載工程
個片化された接着層付半導体チップをダイシングテープから剥がし、該個片の接着層を介してリードフレーム上に搭載する。半導体チップの搭載方法は、ダイボンダーを使用する方法を用いてもよい。また、半導体チップを搭載する条件は特に限定されるものではなく、用途に応じて適宜選択できる。半導体チップの搭載条件としては、例えば、半導体チップ搭載直前のプレヒートの温度、時間や、半導体チップ搭載時の半導体チップ及びリードフレームの温度、時間、圧力が挙げられる。プレヒートは、接着層とシリコンウエハーとの密着性を向上するために行うものであり、50℃〜150℃、2秒〜10分で行うことが好ましい。半導体チップ搭載条件は、半導体チップの温度が25℃〜250℃、基板及び他のチップの温度が25℃〜200℃で、0.1秒〜10秒、0.01MPa〜10MPaで行うことが好ましい。
(6)硬化工程
リードフレーム上の液状樹脂組成物を硬化する。液状樹脂組成物の硬化方法は、例えば、開閉式や連続式のオーブンを使用して、液状樹脂組成物を硬化してもよい。硬化条件は、100℃〜200℃、好ましくは120〜180℃で、1〜8時間、好ましくは1.5〜3時間がよい。なお、導電性樹脂組成物の硬化は半導体装置の樹脂封止工程において同時に行ってもよい。
シリコーン変性エポキシ樹脂の合成
攪拌羽根、滴下漏斗、温度計、エステルアダプターと還流管を取り付けたフラスコに、下記式(10)で示されるエポキシ樹脂(重量平均分子量(ポリスチレン換算)2,500)149gとトルエン298gを入れ、130℃、2時間で共沸脱水を行った後、100℃に冷却し、触媒(信越化学製CAT−PL−50T)1gを滴下した後、直ちに下記式(11)で示されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン68g(0.023mol)とトルエン136gの混合物を30分間かけて滴下し、100℃で6時間熟成した。得られた反応混合物よりトルエンを減圧除去し、下記式(12)で示されるシリコーン変性エポキシ樹脂を得た。該化合物の重量平均分子量(ポリスチレン換算)は20,000、オルガノポリシロキサン含有量31.2重量%であった。
以下に示す各成分を、表1及び表2に示す配合量でプラネタリーミキサーを用いて混合し、その混合物を3本ロールに通過させた後、25℃において再度プラネタリーミキサーで混合して、実施例1〜13及び比較例1〜15の液状樹脂組成物を製造した。但し、表2に示す実施例9〜13及び比較例8〜15は、表1の実施例1の組成比で、球状フィラーの平均粒径及び鱗状フィラーの平均厚さを変えて製造したものである。
(1)エポキシ樹脂(a1):合成例1で製造したシリコーン変性エポキシ樹脂(エポキシ当量291、軟化点70℃、室温(25℃)で固体状)
(2)エポキシ樹脂(a2):o−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(商品名:EOCN1020−55(日本化薬社製)、エポキシ当量200、軟化点57℃、室温(25℃)で固体状)
(3)エポキシ樹脂(a3):ビスフェノールA型エポキシ樹脂(商品名:RE310S(日本化薬社製)、エポキシ当量180、室温(25℃)で液状(粘度15Pa・s))
(1)硬化剤(b1):アラルキル型フェノール樹脂(商品名:MEHC−7800H(明和化成製)、フェノール当量175、軟化点85℃、室温(25℃)で固体状)
(2)硬化剤(b2):ジアリールビスフェノールA(商品名:BPA−CA(小西化学社製)、フェノール当量154、室温(25℃)で液状(粘度16Pa・s))
グリシジル基含有アクリル酸エステル共重合体(商品名:SG−80Hのメチルエチルケトン留去物(ナガセクムテックス社製)分子量350,000)
2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール(商品名:2P4MHZ−PW(四国化成製))
(E1)球状無機フィラー
(1)球状無機フィラー(E1−1):シリカ(商品名:AEROSIL 90(日本アエロジル社製)、球状、平均粒子径0.02μm)
(2)球状無機フィラー(E1−2):シリカ(商品名:SO−25R(アドマテックス社製)、球状、平均粒径0.5μm)
(3)球状無機フィラー(E1−3):シリカ(商品名:N―MSR04(龍森社製),球状、平均粒径4μm)
(4)球状無機フィラー(E1−4):アルミナ(商品名:AO−41R(アドマテックス社製)、球状、平均粒径10μm)
(E2)鱗片状無機フィラー
(5)鱗片状無機フィラー(E2−1):タルク(商品名:FH104(富士タルク工業株式会社製)、鱗片状、平均厚さ0.2μm、平均粒径4μm、アスペクト比20)
(6)鱗片状無機フィラー(E2−2):タルク(商品名:FH108(富士タルク工業株式会社製)、鱗片状、平均厚さ0.2μm、平均粒径8μm、アスペクト比40)
(7)鱗片状無機フィラー(E2−3):タルク(商品名:MG115(富士タルク工業株式会社製)、鱗片状、平均厚さ0.2μm、平均粒径14μm、アスペクト比70)
(8)鱗片状無機フィラー(E2−4):タルク(商品名:RL119(富士タルク工業株式会社製)、鱗片状、平均厚さ0.2μm、平均粒径17μm、アスペクト比85)
上記無機フィラーをシランカップリング剤であるγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン(KBM−403、信越化学工業株式会社製)で予め表面処理して使用した。
溶剤:ジエチレングリコールモノエチルエーテル、(商品名:EDGAC(ダイセル化学社製))
KF−96−100cs(信越化学工業(株)製、25℃における粘度97mPa・s)
実施例及び比較例の各液状樹脂組成物について、JIS Z8803:2011に準じ、E型粘度計(型番:HBDV−III、ブルックフィールド社製)を用いて、測定温度25℃、ずり速度0.2(sec−1)及び2.0(sec−1)で、回転開始2分後における粘度をそれぞれ測定した。下記式で示される計算式によってチクソトロピー指数を求め、表1に記載した。
チクソトロピー指数(T.I.)=(ずり速度0.2sec−1における粘度[Pa・s])/(ずり速度2.0sec−1における粘度[Pa・s])
各液状樹脂組成物について120℃/15分でBステージ化し、1mm厚の試験片を作成した。この試験片を用いてパラレルプレート型粘弾性測定装置(型番:MR−300、レオロジ社製)により、50℃から5℃/分の昇温速度で200℃まで連続的に粘度を測定し、最も低い値を最低溶融粘度とした。結果を表1に記載した。
開口部140mmφ、50μm厚、メッシュが1インチ当たり200本〜400本のスクリーンマスクにより、シリコンウエハー(6インチ径、0.2mm)の片面に、各液状樹脂組成物を用いて、印圧10psi、ウレタンスキージ速度25mm/sでスクリーン印刷を行った。シリコンウエハーの片側全面に薄く液状樹脂組成物を塗布し、塗布直後のボイド数と25℃/50%RHの環境下で30分間静置したときのボイド数とを下記の様に評価した。ボイド数は、シリコンウエハー表面上のボイドを顕微鏡により観察して個数を数えた。結果を表1に記載した。
○・・・ボイドが10個未満
△・・・ボイドが11〜50個
×・・・ボイドが51個以上
スクリーン印刷後ボイド残りの観察試験で得られた液状樹脂組成物が塗布されたシリコンウエハー上で、該液状樹脂組成物を120℃/15分間/窒素通気の条件下でBステージ化した。該Bステージ状態の液状樹脂組成物の表面の算術平均粗さをレーザー顕微鏡(型番:VK−9700、株式会社キーエンス社製)で測定した。結果を表1に記載した。
前記Bステージ化後のシリコンウエハーの液状樹脂組成物が塗布された側に、ダイシングテープ(型番:T−80MW、トーヨーアドテック社製)を貼り付け、ダイシング速度50mm/sでシリコンウエハーを2mm×2mmに個片化して、ダイシング性(チップ飛び・チップ割れ)を評価した。チップ飛びやチップ割れが発生しなかったものを○、一個以上発生したものを×とした。結果を表1に記載した。
前記Bステージ化後のシリコンウエハーの液状樹脂組成物が塗布された側に、ダイシングテープ(型番:T−80MW、トーヨーアドテック社製)を貼り付け、ダイシング速度50mm/sでシリコンウエハーを2mm×2mmに個片化して、ダイシング性(樹脂欠け)を評価した。ダイシングされたシリコンウエハー片をダイシングテープからピックアップし、そのシリコンウエハー片を電子顕微鏡観察し、樹脂欠けが認められなかったものを○、樹脂欠けが認められたものを×とした。結果を表1に記載した。
前記切断された2mm×2mmのシリコンウエハー片をダイシングテープからピックアップし、エポキシ組成物を介してCuリードフレーム、ニッケル・パラジウム・金メッキリードフレーム、およびAgメッキリードフレーム(100ミクロン厚、35mm×35mm)上にダイアタッチした。ダイアタッチ時の条件は、シリコンウエハー片及び基板(以下、デバイスと呼ぶ)の温度150℃として、圧力2MPa、時間0.5秒とした。その後、Bステージ状態の液状樹脂組成物(以下、接着層と呼ぶ)を125℃/1時間、さらに165℃/2時間で硬化した。硬化後、85℃、85RH%条件の下、デバイスを168時間放置した。その後、さらに最高温度が260℃のIRリフローオーブン中にデバイスを3回通過させた後、260℃でダイシェア強度を測定し、これを接着強度とした。接着強度が1MPa以上の場合は○、1MPa以下の場合は×とした。結果を表1に記載した。
前記Bステージ化後のシリコンウエハーの液状樹脂組成物が塗布された側に、ダイシングテープ(型番:T−80MW、トーヨーアドテック社製)を貼り付け、ダイシング速度50mm/sでシリコンウエハーを5mm×5mmに個片化した。切断されたシリコンウエハー片をダイシングテープからピックアップし、接着層を介してニッケル・パラジウム・金メッキリードフレーム、(100ミクロン厚、35mm×35mm)上にダイアタッチした。ダイアタッチ時の条件は、デバイスの温度150℃として、圧力2MPa、時間0.5秒とした。その後、接着層を125℃/1時間、さらに165℃/2時間で硬化した。硬化後のデバイスにおいて、超音波索傷装置(型番:Quantam350、SONIX社製)を用いてボイド及び剥離の有無を観察した。チップ面積の5%以上の剥離やボイドが認められたものは×、5%未満であるものは○とした。結果を表1に記載した。
ダイアタッチ性確認用に作成したデバイスにさらに、KMC−2520(信越化学工業製エポキシ封止材)で封止した。成型条件は金型温度175℃、注入時間10秒、注入圧70kPa、成型時間90秒、後硬化条件は180℃/2時間であり、成型後の試験片全体は1,000ミクロン厚、35mm×35mmである。得られた試験片を、85℃/85%RHの恒温恒湿器に168時間放置して、更に最高温度が260℃であるIRリフローオーブン中に試験片を3回通過させた後に、超音波索傷装置で、20%以上の剥離やSiチップのクラック等の不良の有無を観測し、不良が見られる試験片数/総試験片数(20個)を数えた。結果を表1に記載した。
上記耐湿・耐半田試験を行なった後に、クラック等の無かった試験片を温度サイクル試験機に投入した。ここでの試験条件は−55℃/30分+(−55℃→125℃)/5分+125℃/30分+(125℃→−55℃)/5分を1サイクルとし、500サイクル或いは1,000サイクルを施した後に、超音波索傷装置で剥離、クラック等の不良の有無を観測し、不良が見られる試験片数/総試験片数を数えた。結果を表1に記載した。
Claims (12)
- (A)1分子中に2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂
(B)エポキシ基と反応性を有する基を1分子中に2個以上有する硬化剤
成分(A)中のエポキシ基1当量に対し、該成分(B)中の、エポキシ基と反応性を有する基が0.8〜1.25当量となる量
(C)分子量が100,000以上1,000,000未満であるアクリル樹脂
成分(A)と成分(B)との合計100質量部に対して5〜900質量部
(D)硬化促進剤
成分(A)と成分(B)との合計100質量部に対して0.05〜10質量部
(E)無機充填材
成分(A)と成分(B)との合計100質量部に対して50〜600質量部
(F)希釈剤 成分(A)〜(D)の合計100質量部に対して10〜900質量部、及び
(G)下記一般式(1)で示されるジメチルシリコーン 成分(A)と成分(B)との合計100質量部に対して0.01〜2質量部
(式(1)中、nは、0〜2,000の整数)
を含み、
前記(E)無機充填材中の10〜90質量%を平均粒径が0.05μm〜5μmである球形又は擬球形無機フィラーが占め、90〜10質量%を平均厚さtが0.005μm〜5μm、平均粒径aは0.05〜15μm、アスペクト比(平均粒径a/平均厚さt)が2〜100の鱗片状無機フィラーが占めることを特徴とする液状樹脂組成物。 - 前記成分(A)の一部が、シリコーン変性エポキシ樹脂であり、又は/及び成分(B)の一部がシリコーン変性された硬化剤であり、これらシリコーン変性成分の配合量の合計が、成分(A)及び成分(B)の合計100質量部に対して0.1〜5質量部である請求項1記載の液状樹脂組成物。
- 前記球形又は擬球形無機フィラーが、シリカ、アルミナ、又はそれらの組み合わせたものである請求項1又は2に記載の液状樹脂組成物。
- 前記鱗片状無機フィラーが、マイカ、タルク、又はそれらの組み合わせたものである請求項1又は2に記載の液状樹脂組成物。
- (F)希釈剤が沸点150℃以上300℃以下の溶剤である請求項1〜4のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。
- チクソトロピー指数が0.8〜1.5であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項記載の液状樹脂組成物。
- Bステージ状態において、50〜200℃における最低溶融粘度が200Pa・s〜100,000Pa・sである、請求項1〜6のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物。
- 下記工程(1)〜(6)を含むシリコンチップのダイアタッチ方法。
(1)請求項1〜7のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物を、シリコンウエハー片面にスクリーン印刷によって塗布する液状樹脂組成物塗布工程
(2)工程(1)で塗布した液状樹脂組成物を60℃〜200℃で、1分間〜3時間加熱することによりBステージ化し、200μm以下の厚さで、表面の算術平均粗さが2μm以下である接着層を形成する接着層形成工程
(3)前記接着層を介してシリコンウエハーをダイシングテープに貼り付ける貼付工程
(4)工程(3)で作成した接着層付シリコンウエハーを複数の個片に切断して半導体チップにするチップ化工程
(5)工程(4)で得られた接着層付半導体チップを、ダイシングテープから剥がし、該半導体チップの接着層を介して、リードフレーム上に搭載する搭載工程(6)前記リードフレーム上の液状樹脂組成物を硬化する硬化工程 - 前記工程(1)において、スクリーン印刷用のマスクのメッシュが1インチ当たり40本以上300本未満の時、前記液状樹脂組成物の成分(E)鱗片状フィラーの平均粒径が0.05〜15μmである請求項8記載のシリコンチップのダイアタッチ方法。
- 前記工程(1)において、スクリーン印刷用のマスクのメッシュが1インチ当たり300本以上400本未満の時、前記液状樹脂組成物の成分(E)鱗片状フィラーの平均粒径が0.05〜10μmである請求項8記載のシリコンチップのダイアタッチ方法。
- 前記工程(1)において、スクリーン印刷用のマスクのメッシュが1インチ当たり400本以上500本以下の時、前記液状樹脂組成物の成分(E)鱗片状フィラーの平均粒径が0.05〜5μmである請求項8記載のシリコンチップのダイアタッチ方法。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の液状樹脂組成物の硬化物を備える半導体装置。
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