KR102443996B1 - 리드 프레임 및 그 제조 방법 - Google Patents

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이케다 타카키
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오쿠치 마테리얼스 가부시키가이샤
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Abstract

절단 대상이 되는 댐바의 폭에 관계없이 적용할 수 있고, 설계의 자유도가 크고, 절단해야 할 금속 체적을 효율 좋게 감소시켜 절단 가공을 용이화하고, 또, 댐바의 변형이나 휨을 충분히 억제할 수 있는 리드 프레임 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다. 다열형 리드 프레임에 있어서의 제품 단위를 구성하고, 단자(2)와 접속하는 제1 부위(1a)와, 제1 부위(1a)에 인접하는 단자(2)와 접속하지 않는 제2 부위(1b)를 각각 복수개 가지는 댐바(1)를 구비한 금속판에 의해 형성된 리드 프레임에 있어서, 댐바(1)는 제1 부위(1a)와 제2 부위(1b)의 각각에 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터 서로 다른 깊이로 하프 에칭된 면(4, 5)을 가지고, 댐버(1)의 두께가 제1 부위(1a)와 제2 부위(1b)에서 서로 다르다.

Description

리드 프레임 및 그 제조 방법{LEAD FRAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
본 발명은 에칭으로 형성되는 다열형 리드 프레임에 있어서 제품 단위를 구성하는 리드 프레임으로서, 단자와 접속하는 부위와, 그 부위에 인접하는 단자와 접속하지 않는 부위를 각각 복수개 가지는 댐바를 구비한 무연형 반도체 패키지의 제조에 사용되는 리드 프레임 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 봉지 수지의 이면 측인 실장면 측에 외부와 접속되는 복수의 단자가 노출한 무연현 반도체 패키지가 제안되어 있다.
이러한 종류의 반도체 패키지는 리드 프레임의 패드 상에 반도체 소자를 탑재하고, 패드의 주변에 배치된 단자와, 반도체 소자를 전기적으로 접속하는 본딩 와이어를 구비하고, 이들이 봉지된 구조로 되어 있다.
그리고, 이러한 종류의 반도체 패키지는 비용을 저렴하게 하기 위해 복수의 패키지를 함께 수지 봉지하는 이른바 MAP(mold array package) 기술을 이용하여 제조되고, 수지 봉지 후, 댐바를 절단 라인으로서 제거하는 것에 의해 각각의 리드 프레임의 단위로 절단된다. 때문에 절단 전의 리드 프레임은 복수의 제품 단위를 구성하는 리드 프레임 끼리 접속되고, 서로 인접하는 각각의 리드 프레임에 있어서의 단자부 끼리가 댐바를 통해 연결된 패턴을 가지고 있다.
그러나, 댐버는 상술한 바와 같이, 절단 가공에 의해 제거되는 부위이며, 리드 프레임에 반도체 소자를 탑재하고, 수지로 봉지한 후 제품 단위로 분리하기 위한 절단 가공을 할 때의 금속 부분의 체적이 커지면, 수지와 금속을 동시에 절단하는 브레이드가 막히기 쉽고, 연속 가공 시간이 연장되지 않기 때문에 하프 에칭에 의해 박형화된 구조가 요구된다. 따라서, 종래, 이러한 종류의 반도체 패키지의 제조에 사용되는 리드 프레임에 있어서는 댐바의 이면 전체를 하프 에칭에 의해 40~60%의 두께로 박형화한 구성이 일반적으로 사용된다.
그러나, 댐바에는 단자부가 캔틸레버 상태로 접속하고 있고, 댐바를 하프 에칭에 의해 박형화하면 내부 응력이 개방되어 왜곡이 쉽게 발생하고, 이 왜곡에 의해 프레임 전체가 기복이 발생하고, 휨이나 변형을 일으키는 현상이 발생한다. 그리고, 하프 에칭 면적이 넓으면 넓을 수록, 하프 에칭 깊이가 깊으면 깊을 수록 휨이나 변형 정도가 커진다.
그러나, 종래, 절단 대상이 되는 댐바의 강도와 다이싱성 확보를 목적으로 한 리드 프레임이 예를 들면, 다음의 특허문헌 1에 제안되어 있다.
특허문헌 1 기재의 리드 프레임은, 예를 들어, 도 6에 나타내는 바와 같이, 댐바(50) 중 각 단자부(60)와 접속되어 있는 접속부(51), 및 접속부(51)에 접속되어 있는 단자부(60) 중 다이싱으로 제거되는 부위로 이루어지는 제1 부위(53)에서는 이 제1 부위(53)에 있어서의 폭 방향의 단부 측 부위가 하프 에칭으로 박형화 가공이 이루어지고, 이 제1 부위(53)에 있어서의 폭 방향의 중앙부가 두꺼운 부분이 되고, 또 댐바(50) 중, 접속부(51) 사이에 위치하는 제2 부위(52)에서는 이 제2 부위(52)에 있어서의 폭 방향의 양단부가 하프 에칭으로 박형화 가공이 이루어지고, 이 제2 부위(52)에 있어서의 폭 방향의 중앙부가 제1 부위(53)에 있어서의 폭 방향의 중앙부와 동일한 폭을 갖는 두꺼운 부분이 되고, 제1 부위(53) 중 박형화 가공이 이루어진 부위에 있어서의 단부 사이의 거리(W1)가 제2 부위(52)의 폭(W2)보다 크고, 제1 부위(53)의 폭(W3) 이하가 되도록 일면측으로부터 박형화 가공이 이루어지고 있다.
또, 특허문헌 1 기재의 다른 예의 리드 프레임은, 예를 들어, 도 7에 나타내는 바와 같이, 제1 부위(53), 제2 부위(52)의 양방에서 폭 방향의 중앙부 측의 부위가 하프 에칭부로 되어 있고, 폭 방향의 단부 측의 주위가 하프 에칭되지 않고 하프 에칭부보다 두꺼운 부분으로 되어 있다.
또, 특허문헌 1 기재의 또 다른 예의 리드 프레임은, 예를 들어, 도 8에 나타내는 바와 같이, 제1 부위(53)만이 하프 에칭으로 박형화되고, 제2 부위(52)는 전혀 하프 에칭되지 않고, 그 전체가 하프 에칭부보다 두꺼운 부분으로 되어 있다.
이와 같이, 특허문헌 1 기재의 리드 프레임은 댐바를 부분적으로 박형화함으로써 절단을 용이화함과 함께, 박형화된 절단되기 쉬운 부위와, 절단되기 쉬운 부분에 비해 두껍게 강도를 확보한 부위를 형성하여 다열형 리드 프레임의 강도의 확보를 도모하고 있다.
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[특허문헌 1] 일본특허공개 2008-182175호 공보
그러나, 특허문헌 1 기재의 리드 프레임은, 예를 들어, 도 6 또는 도 7에 나타내는 바와 같은 댐바(50)에 하프 에칭을 실시하는 부위의 폭을 댐바(50)의 폭보가 짧게 하는 구성은 댐바(50)의 폭이 작은 리드 프레임에는 적용하는 것이 어렵다. 또, 하프 에칭을 실시하는 부위의 수량이나 하프 에칭의 폭에 변이(variation)를 갖게 할 수 없고, 설계의 자유도가 제한되어 버린다.
또, 도 7에 나타내는 바와 같은 댐버(50)의 폭 방향의 중앙 측의 부위를 하프 에칭부로 하고, 폭 방향의 단부 측의 주위가 하프 에칭되지 않고, 하프 에칭부보다 두꺼운 부분으로 하는 구성에서는 댐바(50)에 접속하는 부분의 단자를 박형화할 수 없기 때문에 그 만큼 댐바(50)를 절단하는 브레이드가 쉽게 막히고, 연속 가공 시간이 길어지기 어렵다. 게다가, 종래에 일반적으로 행해져 온 댐바의 이면 전체를 하프 에칭하는 리드 프레임에 비해 단자가 굵어지고, 절단 후의 봉지 수지로부터 노출한 금속 면적이 증가해 버린다.
더욱이, 예를 들어, 도 8에 나타내는 바와 같은 댐바(50)의 길이방향에 걸쳐 하프 에칭을 실시하는 부위와 실시하지 않는 개소를 마련하는 구성의 경우여도 하프 에칭부보다 두꺼운 부분이 되는 제2 부위(52) 전체가 하프 에칭되지 않고 남기 때문에 그 만큼 댐바(50)를 절단하는 브레이드가 쉽게 막히고, 연속 가공 시간이 길어지기 어렵다. 게다가 하프 에칭을 하는 면이 재료인 금속판의 일측면으로 기울기 때문에 댐바(50)의 변형을 충분히 억제할 수 없다.
본 발명은 상기 종래의 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 절단 대상이 되는 댐바의 폭에 관계없이 적용할 수 있고, 설계의 자유도가 크며, 절단해야 할 금속 체적을 효율적으로 감소시켜 절단 가공을 용이화하고, 또, 댐바의 변형이나 휨을 충분히 억제하는 것이 가능한 리드 프레임 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 리드 프레임은, 다열형 리드 프레임에 있어서의 제품 단위를 구성하고, 단자와 접속하는 제1 부위와, 상기 제1 부위에 인접하는 상기 단자와 접속하지 않는 제2 부위를 각각 복수개 가지는 댐바를 구비한 금속판으로 형성된 리드 프레임에 있어서, 상기 댐바는 상기 제1 부위와 상기 제2 부위의 각각에 금속판의 표면 및 이면 중의 적어도 일측으로부터 서로 다른 깊이로 하프 에칭된 면을 가지고, 상기 댐바의 두께가 상기 제1 부위와 상기 제2 부위에서 서로 다른 것을 특징으로 하고 있다.
또, 본 발명의 리드 프레임에 있어서는, 상기 댐바의 두께는 상기 제1 부위가 상기 제2 부위에 비해 얇게 형성되어 있는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 리드 프레임에 있어서는, 상기 댐바는 상기 제1 부위와 상기 제2부위의 각각에 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터만 서로 다른 깊이로 하프 에칭된 면을 가지는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 리드 프레임에 있어서는, 상기 댐바는 상기 제1 부위에 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터만 하프 에칭된 면과, 상기 제2 부위에 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 타측으로부터만 상기 제1 부위에 대한 하프 에칭과는 다른 깊이로 하프 에칭된 면을 가지는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 리드 프레임에 있어서는, 상기 댐바는 상기 제1 부위에 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터만 하프 에칭된 면과, 상기 제2 부위에 상기 금속판의 표면 및 이면의 양측으로부터 하프 에칭된 면을 가지는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 리드 프레임에 있어서는, 상기 제1 부위가 상기 금속판의 판 두께의 약 40~50%의 두께를 가지고, 상기 제2 부위가 최대로 상기 금속판의 판 두께의 약 70~80%의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 리드 프레임에 있어서는, 상기 제2 부위에 있어서의 상기 금속판의 표면 및 이면 중 상기 제1 부위에 있어서의 하프 에칭된 면과 같은 측의 면이 하프 에칭되어 오목한 형상으로 형성되고, 상기 제2 부위는 상기 오목한 형상으로 형성된 면의 상단 위치에서의 금속의 두께가 상기 금속판의 판 두께의 약 70~80%로 되어 있는 것이 바람직하다.
또, 본 발명에 따른 리드 프레임의 제조 방법은, 다열형 리드 프레임에 있어서의 제품 단위를 구성하고, 단자와 접속하는 제1 부위와, 상기 제1 부위에 인접하는 상기 단자와 접속하지 않는 제2 부위를 각각 복수개 가지는 댐바를 구비한 금속판으로 형성된 리드 프레임의 제조 방법에 있어서, 상기 댐바의 상기 제1 부위에 대해 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터 소정의 깊이의 하프 에칭을 실시하고, 상기 댐바의 제2 부위에 대해 상기 일측으로부터 상기 제1 부위와는 깊이가 서로 다른 하프 에칭을 실시함으로써 상기 댐바의 두께를 상기 제1 부위와 상기 제2 부위에서 서로 다르게 하는 것을 특징으로 하고 있다.
또, 본 발명에 따른 리드 프레임의 제조 방법은, 다열형 리드 프레임에 있어서의 제품 단위를 구성하고, 단자와 접속하는 제1 부위와, 상기 제1 부위에 인접하는 상기 단자와 접속하지 않는 제2 부위를 각각 복수개 가지는 댐바를 구비한 금속판으로 형성된 리드 프레임의 제조 방법에 있어서, 상기 댐바의 상기 제1 부위에 대해 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터 소정의 깊이의 하프 에칭을 실시하고, 상기 댐바의 제2 부위에 대해 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 타측으로부터 상기 제1 부위와는 깊이가 서로 다른 하프 에칭을 실시함으로써 상기 댐바의 두께를 상기 제1 부위와 상기 제2 부위에서 서로 다르게 하는 것을 특징으로 하고 있다.
또, 본 발명에 따른 리드 프레임의 제조 방법은, 다열형 리드 프레임에 있어서의 제품 단위를 구성하고, 단자와 접속하는 제1 부위와, 상기 제1 부위에 인접하는 상기 단자와 접속하지 않는 제2 부위를 각각 복수개 가지는 댐바를 구비한 금속판으로 형성된 리드 프레임의 제조 방법에 있어서, 상기 댐바의 상기 제1 부위에 대해 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터 소정의 깊이의 하프 에칭을 실시하고, 상기 댐바의 제2 부위에 대해 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 양측으로부터 하프 에칭을 실시함으로써 상기 댐바의 두께를 상기 제1 부위와 상기 제2 부위에서 서로 다르게 하는 것을 특징으로 하고 있다.
또, 본 발명에 따른 리드 프레임의 제조 방법에 있어서는, 상기 댐바의 두께를 상기 제1 부위의 두께가 상기 제2 부위의 두께에 비해 얇아지도록 형성하는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 리드 프레임의 제조 방법에 있어서는, 상기 댐바의 두께를, 상기 제1 부위가 상기 금속판의 판 두께의 약 40~50%의 두께를 가지고, 상기 제2 부위가 최대로 상기 금속판의 판 두께의 약 70~80%의 두께를 가지도록 형성하는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 리드 프레임의 제조 방법에 있어서는, 상기 제2 부위에 있어서의 상기 금속판의 표면 및 이면 중 상기 제1 부위에 있어서의 하프 에칭을 실시한 면과 같은 측의 면을 하프 에칭하여 오목한 형상으로 형성하고, 상기 오목한 형상으로 형성한 면의 상단 위치에서의 금속의 두께가 상기 금속판의 판 두께의 약 70~80%가 되도록 하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 절단 대상이 되는 댐바의 폭에 관계없이 적용할 수 있고, 설계의 자유도가 크며, 절단해야 할 금속 체적을 효율적으로 감소시켜 절단 가공을 용이화하고, 또, 댐바의 변형이나 휨을 충분히 억제하는 것이 가능한 리드 프레임 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 리드 프레임의 요부 구성을 개념적으로 나타내는 설명도로서, (a)는 평면도, (b)는 (a)의 A-A단면도, (c)는 (a)의 B-B단면도이다.
도 2는 제1 실시형태의 리드 프레임에 있어서의 요부 구성이 마련된 개소를 예시적으로 나타내는 설명도이다.
도 3은 제1 실시형태의 리드 프레임에 있어서의 댐바의 형성 순서를 나타내는 설명도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 리프 프레임의 요부 구성을 개념적으로 나타내는 설명도로서, (a)는 도 1(a)의 A-A 단면에 대응하는 단면도, (b)는 도 1(a)의 B-B 단면에 대응하는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 리프 프레임의 요부 구성을 개념적으로 나타내는 설명도로서, (a)는 도 1(a)의 A-A 단면에 대응하는 단면도, (b)는 도 1(a)의 B-B 단면에 대응하는 단면도이다.
도 6은 종래의 리드 프레임의 일예에 있어서의 댐바의 구성을 나타내는 도면으로서, (a)는 하프 에칭을 하는 부위를 나타내는 설명도, (b)는 (a)의 A-A 단면도, (c)는 (a)의 B-B 단면도이다.
도 7은 종래의 리드 프레임의 다른 예에 있어서의 댐바의 구성을 나타내는 도면으로서, (a)는 하프 에칭을 하는 부위를 나타내는 설명도, (b)는 (a)의 C-C 단면도, (c)는 (a)의 D-D 단면도이다.
도 8은 종래의 리드 프레임의 또 다른 예에 있어서의 댐바의 구성을 나타내는 도면으로서, (a)는 하프 에칭을 하는 부위를 나타내는 설명도, (b)는 (a)의 E-E 단면도, (c)는 (a)의 F-F 단면도이다.
실시형태의 설명에 앞서, 본 발명의 작용효과에 대해 설명한다.
본 발명의 리드 프레임은 다열형 리드 프레임에 있어서의 제품 단위를 구성하고, 단자와 접속하는 제1 부위와, 제1 부위에 인접하는 단자와 접속하지 않는 제2 부위를 각각 복수개 가지는 댐바를 구비한 금속판으로 형성된 리드 프레임에 있서서, 댐바는 제1 부위와 제2 부위의 각각에 금속판의 표면 및 이면 중의 적어도 일측으로부터 서로 다른 깊이로 하프 에칭된 면을 가지고, 댐바의 두께가 제1 부위와 제2 부위에서 서로 다르다.
상술한 바와 같이, 댐바에 하프 에칭을 실시하는 목적은 리드 프레임에 반도체 소자를 탑재하고, 수지로 봉지 한 후 수지와 금속을 동시에 절단할 때의 금속 체적을 감소시켜 절단 가공의 용이화를 도모하는 것이다.
그러나, 종래 기술과 같이, 재료인 금속판의 한쪽으로부터만 하프 에칭을 실시하면, 리드 프레임의 재료를 구성하는 압연 가공된 금속판이 가지는 압연 가공 시에 발생한 왜곡이 일측에 집중한다. 그 결과, 하프 에칭에 의해 발생하는 강도의 저하와 한쪽에 남은 왜곡에 의해 휨이나 변형이 커지기 쉽다.
그러나, 본 발명자는 시행 착오 끝에 댐바를 제1 부위와 제2 부위의 각각에 금속판의 표면 및 이면 중의 적어도 일측으로부터 서로 다른 깊이로 하프 에칭된 면을 가지고, 댐바의 두께를 제1 부위와 제2 부위에서 서로 다르게 함으로써 내부 응력을 상쇄시켜 외곡이 발생하기 어렵게 하고, 결과적으로 왜곡에 의한 변형이 발생하기 어렵게 함과 함께 절단 가공 대상이 되는 금속량을 효율적으로 저감하는 구성에 착상했다.
본 발명의 리드 프레임과 같이, 절단 대상이 되는 댐바에 대해, 단자와 접속하는 제1 부위와 단자와 접속하지 않는 제2 부위의 각각에 금속판의 표면 및 이면 중의 적어도 일측으로부터 서로 다른 깊이로 하프 에칭된 면을 가지고, 댐바의 두께가 제1 부위와 제2 부위에서 서로 다르게 하면 제2 부위를 제1 부위에 비해 두껍게 형성함으로써 댐바 전체를 박형화한 경우에 비해 댐바에 금속이 많이 남기 때문에 휨이 억제되는 한편, 단자의 두께는 종래의 리드 프레임에서 일반적으로 사용되어 온 댐바에 있어서의 금속판의 이면 전체를 박형화한 구성과 같은 두께로 할 수 있다. 게다가, 댐바에 있어서의 단자와 접속하지 않는 제2 부위는 단자가 접속하는 제1 부위에 비해 두껍지만, 리드 프레임의 재료를 구성하는 금속판의 두께에 비해 박형화되기 때문에 도 8에 나타내는 바와 같은 특허 문헌 1 기재의 댐바에 있어서의 단자와 접속하지 않는 부위를 하프 에칭하지 않는 구성에 비해 절단 가공시의 금속량을 보다 저감할 수 있다. 그 결과, 리드 프레임의 휨이 저감되어 강도가 확보되고, 댐버에 있어서의 금속판의 이면 전체를 박형화한 종래의 일반적인 리드 프레임에 비해 단자부의 높이 위치, 노출면적, 수지 밀착성을 동등하게 유지한 반도체 패키지를 제조 가능하면서 절단 가공성이 확보된 리드 프레임을 얻을 수 있다.
또, 본 발명의 리드 프레임에 있어서, 댐바의 두께에 관하여, 제1 부위가 제2 부위에 비해 얇게 형성되는 구성으로서는, 예를 들어, 댐바를 제1 부위와 제2 부위의 각각에 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터만 서로 다른 깊이로 하프 에칭된 면을 가지는 구성을 들 수 있다.
또, 본 발명의 리드 프레임에 있어서, 댐바의 두께에 관하여, 제1 부위가 제2 부위에 비해 얇게 형성되는 다른 구성으로서는, 댐바를 제1 부위에 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터만 하프 에칭된 면과, 제2 부위에 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 타측으로부터만 상기 제1 부위에 대한 하프 에칭과는 다른 깊이로 하프 에칭된 면을 가지는 것이 바람직하다.
이렇게 하면 댐바에서 서로 인접하는 제1 부위, 제2 부위의 각각의 하프 에칭면이 각각 금속판의 서로 다른 측으로부터 형성되기 때문에 리드 프레임의 재료를 구성하는 금속 기판의 표리의 각각의 면에 하프 에칭면이 동등 정도 존재하게 된다. 때문에 사용하고 있는 재료의 내부 응력의 개방이 표리 양면에서 발생하고, 이에 의해 재료의 내부 응력이 표리에서 서로 상쇄하여 왜곡이 발생하기 어려워지고, 결과적으로 왜곡에 의한 변형이 발생하기 어려워진다.
또, 본 발명의 리드 프레임에 있어서, 댐바의 두께에 관하여, 제1 부위가 제2 부위에 비해 얇게 형성되는 또 다른 구성으로서는, 댐바를 제1 부위에 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터만 하프 에칭된 면과, 제2 부위에 금속판의 표면 및 이면 중의 양측으로부터 하프 에칭된 면을 가지는 것이 바람직하다.
이와 같이, 단자와 접속하지 않는 제2 부위가 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터 소정의 깊이로 하프 에칭된 면 외에, 금속판의 표면 및 이면 중의 타측으로부터 소정의 깊이로 하프 에칭된 면을 더 가지게 하면, 댐바에 있어서의 금속량을 더 적게 할 수 있고, 절단 가공성이 보다 향상한다.
또, 본 발명의 리드 프레임에 있어서는, 댐바의 두께는 제1 부위가 제2 부위에 비해 얇게 형성되고, 예를 들어 제1 부위가 금속판의 판 두께의 약 40~50%의 두께를 가지고, 제2 부위가 최대로 금속판의 판 두께의 약 70~80%의 두께를 가지는 것이 바람직하다.
또, 본 발명의 리드 프레임에 있어서는, 제2 부위에 있어서의 금속판의 표면 및 이면 중 제1 부위에 있어서의 하프 에칭된 면과 같은 측에 하프 에칭된 면을 가지는 구성의 경우, 그 하프 에칭된 면이 오목한 형상으로 형성되고, 제2 부위는 그 하프 에칭된 면의 상단 위치에 있어서의 금속의 두께가 금속판의 판 두께의 약 70~80%로 되어 있는 것이 바람직하다.
이와 같이 하면, 제2 부위에 있어서의 오목한 형상으로 형성된 면의 상단 위치에서의 금속의 두께를 충분히 가지게 하여 휨을 억제하는 효과를 유지하면서 오목한 형상으로 형성된 면의 상단 위치 이외의 위치에서의 금속의 두께를 보다 박형화하여 댐바에 있어서의 금속량을 더 적게 할 수 있고, 절단 가공성이 더 향상한다.
이하에 도면을 이용하여 본 발명의 실시형태에 대해 설명한다.
제1 실시형태
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 리드 프레임의 요부 구성을 개념적으로 나타내는 설명도로서, (a)는 평면도, (b)는 (a)의 A-A단면도, (c)는 (a)의 B-B단면도이다. 도 2는 본 실시형태의 리드 프레임에 있어서의 요부 구성이 마련된 개소를 예시적으로 나타내는 설명도이다. 도 3은 제1 실시형태의 리드 프레임에 있어서의 댐바의 형성 순서를 나타내는 설명도이다.
제1 실시형태의 리드 프레임은, 다열형 리드 프레임에 있어서의 제품 단위를 구성하는 리드 프레임으로서, 예를 들어, 도 2에 나타내는 바와 같이, 각 리드 프레임을 구획하는 위치에 댐바(1)를 구비한 금속판으로 형성되어 있다. 도 2에서 2는 단자, 3은 반도체 소자를 탑재하는 패드부이다.
댐바(1)는 도 1(a), 도 1(b)에 나타내는 바와 같이, 단자(2)와 접속하는 제1 부위(1a)와, 제1 부위(1a)에 인접하는 단자(1)와 접속하지 않는 제2 부위(1b)를 각각 복수개 가지고 있다.
또, 댐바(1)는 제1 부위(1a)와 제2 부위(1b)의 각각에 리드 프레임의 표면 및 이면 중의 일측(도 1의 예에서는 이면 측)으로부터만 서로 다른 깊이로 하프 에칭된 면(4, 5)을 가지고 있다.
또, 댐바(1)의 두께는 제1 부위(1a)와 제2 부위(1b)에서 서로 다르고, 제1 부위(1a)가 제2 부위(1b)에 비해 얇게 형성되어 있다. 더 상세하게는, 제1 부위(1a)는 금속판의 판 두께(t1)의 약 40~50%의 두께, 제2 부위(1b)는 하프 에칭된 면(5)이 최대로 금속판의 판 두께(t1)의 약 70~80%의 두께로 형성되어 있다. 또, 도 1(c)에 나타내는 바와 같이, 제2 부위(1b)에 있어서의 금속판의 표면 및 이면 중 제1 부위(1a)에 있어서의 하프 에칭된 면(4)과 같은 측(도 1의 예에서는 이면의 측)에 하프 에칭된 면(5)은 오목한 형상으로 형성되어 있다. 더욱이, 제2 부위(1b)는 오목한 형상으로 형성된 면(5)의 상단(51) 위치에 있어서의 금속의 두께가 금속판의 판 두께(t1)의 약 70~80%로 되어 있다.
또한, 도 1(b), 도 1(c)에서, d1은 제1 부위(1a)에 대한 하프 에칭의 깊이, d2는 제2 부위(1b)에 대한 오목형상으로 형성된 면(5)의 상단(51) 위치에서의 하프 에칭 깊이, d2`는 오목 형상으로 형성된 면(5)의 바닥면(52)의 위치에서의 하프 에칭의 깊이이다.
도 3을 이용하여 댐바가 도 1과 같이 구성된 제1 실시형태의 리드 프레임에 있어서의 댐바의 형성 순서를 설명한다. 또한, 도 3에서는 편의상, 댐바의 이면을 위로 향하게 표시한다. 또, 도 3(a) 내지 도 3(f)는 각각 도 1(a)에 있어서의 A-A단명에 상당하는 단면도, 도 3(a`) 내지 도 3(f`)는 각각 도 1(a)에 있어서의 B-B단면에 상당하는 도면이다.
우선, 도 3(a), 도 3(a`)에 나타내는 리드 프레임 재료를 구성하는 금속판(예를 들어, 구리판)의 양면에 드라이 필름 레지스트 등 레지스트 층을 부착한다(도 3(b), 도 3(b`) 참조).
또, 리드 프레임의 형상이 형성된 유리 마스크로서, 단자와 접속하는 제1 부위와 단자와 접속하지 않는 제2 부위를 대상으로 광투과부 및 차광부가 교대로 존재하고, 제1 부위가 금속판의 판 두께의 약 50~60% 하프 에칭되도록 제2 부위가 금속판의 판 두께의 약 20~30% 하프 에칭되도록 하기 위한 패턴(A)의 유리 마스크를 제작해둔다. 도 3의 예에서는 패턴(A)의 유리 마스크는 댐바의 이면에 있어서의 제1 부위와 제2 부위를 동시에 형성하기 위해 사용하고, 댐바의 표면은 전면을 덮기 위해 사용된다.
그 다음, 패턴(A)의 유리 마스크를 이용하여 노광·현상을 하고(도 3(c), 도 3(c`) 참조), 댐바의 이면에 있어서의 제1 부위와 제2 부위가 소정의 범위에서 레지스트 층으로 덮혀진 레지스트 마스크를 형성한다(도 3(d), 도 3(d`) 참조). 또한, 댐바의 표면 측에 대해서는 면 전체를 노광·현상하고, 표면 측의 면 전체가 레지스트 층으로 덮혀진 패턴의 레지스트 마스크를 형성한다.
그 다음, 염화제2철용액을 스프레이하고, 댐바의 이면의 제1 부위와 제2 부위 및 리드 프레임의 전체 형상을 형성한다. 이 레지스트 마스크에 의해 제1 부위가 예를 들어, 금속판의 판 두께의 약 40~50%의 두께가 되도록 하프 에칭되고, 제2 부위가 약 70~80%의 두께가 되도록 하프 에칭되며, 리드 프레임의 전체 형상은 불필요한 부분이 관통되도록 에칭된다(도 3(e), 도 3(e`) 참조).
그 다음, 세정 처리나 레지스트 마스크의 박리 처리를 하여 리드 프레임이 얻어진다(도 3(f), 도 3(f`) 참조).
제1 실시형태의 리드 프레임에 의하면, 절단 대상이 되는 댐바(1)에 대해 단자(2)와 접속하는 제1 부위(1a)와 단자(2)와 접속하지 않는 제2 부위(1b)의 각각에 금속판의 표면 및 이면 중의 일측(여기에서는 이면 측)으로부터만 서로 다른 깊이로 하프 에칭된 면(4, 5)을 가지고, 댐버(1)의 두께가 제1 부위(1a)와 제2 부위(1b)에서 서로 다르게 하고, 제2 부위(1b)가 제1 부위 (1a)에 비해 두껍게 형성되어 있기 때문에, 댐바 전체를 박형화한 경우에 비해 댐바에 금속이 많이 남고, 휨이 억제되는 한편, 단자의 두께는 종래의 리드 프레임에서 일반적으로 사용되어 온 댐바에서의 금속판의 이면 전체를 박형화한 구성과 같은 두께로 할 수 있다. 게다가, 댐바(1)에서의 단자(2)와 접속하지 않는 제2 부위(1b)는 단자(2)가 접속하는 제1 부위(1a)에 비해 두껍지만, 리드 프레임의 재료를 구성하는 금속판의 판 두께(t1)에 비해 박형화 되기 때문에, 도 8에 나타내는 바와 같은 특허문헌 1 기재의 댐바에 있어서의 단자와 접속하고 있지 않는 부위(제2 부위(52))를 하프 에칭하지 않는 구성에 비해, 절단 가공 시에 있어서의 금속량은 보다 적게 할 수 있다. 그 결과, 리드 프레임의 휨이 저감되어 강도가 확보되고, 또, 댐버 전체를 박형화한 종래의 리드 프레임에 비해 단자부의 노출 면적, 수지 밀착성을 동등하게 유지한 반도체 패키지를 제조 가능하고, 절단 가공성을 확보한 리드 프레임이 얻어진다. 또, 제1 실시형태의 리드 프레임에 의하면, 제2 부위(1b)에 있어서의 금속판의 표면 및 이면 중의 제1 부위(1a)의 하프 에칭된 면(4)과 같은 측에 하프 에칭된 면(5)이 오목하게 형성되고, 제2 부위(1b)는 그 하프 에칭된 면(5)의 상단(51)의 위치에서의 금속의 두께가 재료를 구성하는 금속판의 판 두께(t1)의 약 70~80%가 되어 있기 때문에 제2 부위(1b)에 있어서의 하프 에칭되어 오목한 형상으로 형성된 면(5)의 상단(51)의 위치에서의 금속의 두께를 충분히 가지게 하여 휨을 억제하는 효과를 유지하면서, 오목한 형상으로 형성된 면(5)의 상단(51)의 위치 이외의 위치(예를 들어, 오목한 형상으로 형성된 면(5)의 바닥면(52)의 위치 등)에서의 금속의 두께를 보다 박형화하여 댐바(1)에 있어서의 금속량을 한층 더 적게 할 수 있고, 절단 가공성이 한층 더 향상한다.
제2 실시형태
도 4는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 리프 프레임의 요부 구성을 개념적으로 나타내는 설명도이고, (a)는 도 1(a)의 A-A 단면에 대응하는 단면도, (b)는 도 1(a)의 B-B 단면에 대응하는 단면도이다. 제2 실시형태의 리드 프레임에 있어서의 댐바의 형성 순서는 제1 실시형태와 동일하며, 유리 마스크에 형성하는 패턴이 다르고, 따라서 노광·현상 후의 레지스트 마스크가 다를 뿐 순서는 같기 때문에 도시 및 설명을 생략한다.
제2 실시형태의 리드 프레임은 댐바(1)가 제1 부위(1a)에 금속판의 표면 및 이면 중의 일측(도 4의 예에서는 이면 측(도 4(a)의 좌측)으로부터만 하프 에칭된 면(4)과, 제2 부위(1b)에 금속판의 표면 및 이면 중의 타측(도 4의 예에서는 표면 측(도 4(a)의 우측)으로부터만 제1 부위(1a)에 대한 하프 에칭과는 다른 깊이로 하프 에칭된 면(5)를 가지고 있다.
기타 구성은 제1 실시형태의 리드 프레임과 대략 동일하다.
제2 실시형태의 리드 프레임에 의하면 댐바(1)에서 서로 인접하는 제1 부위(1a), 제2 부위(1b) 각각의 하프 에칭면(4, 5)이 각각 금속판의 서로 다른 측으로부터 형성되어 있기 때문에 리드 프레임의 표리 각각의 면에 하프 에칭면이 동등 정도 존재하게 된다. 때문에 사용하고 있는 재료의 내부 응력의 개방이 표리 양면에서 일어나고, 이에 의해 재료의 내부 응력이 표리에서 서로 상쇄하여 왜곡이 발생하기 어렵고, 결과적으로 왜곡에 의한 변형이 발생하기 어렵게 된다.
기타 구성은 제1 실시형태의 리드 프레임과 대략 동일하다.
제3 실시형태
도 5는 본 발명의 제3 실시형태에 따른 리드 프레임의 요부 구성을 개념적으로 나타내는 설명도이고, (a)는 도 1(a)의 A-A 단면에 대응하는 단면도, (b)는 도 1(a)의 B-B 단면에 대응하는 단면도이다. 제3 실시형태의 리드 프레임에 있어서의 댐바의 형성 순서는 제1 실시형태와 동일하며, 유리 마스크에 형성하는 패턴이 다르고, 따라서 노광·현상 후의 레지스트 마스크가 다를 뿐 순서는 같기 때문에 도시 및 설명을 생략한다.
제3 실시형태의 리드 프레임은 댐바(1)가 제1 부위(1a)에 금속판의 표면 및 이면 중의 일측(도 5의 예에서는 이면 측(도 5(a)에 있어서의 좌측)으로부터만 하프 에칭된 면(4)과, 제2 부위(1b)에 금속판의 표면 및 이면 중의 양측으로부터 하프 에칭된 면(5b, 5a)을 가지고 있다. 또, 제2 부위(1b)에 있어서의 금속판의 표면 및 이면 중의 제1 부위(1a)에 있어서의 하프 에칭된 면(4)과 같은 측(도 5의 예에서는 이면 측(도 5(a)의 좌측)에 하프 에칭된 면(5a)은 오목한 형상으로 형성되어 있다. 더욱이, 제2 부위(1b)는 오목한 형상으로 형성된 면(5a)의 상단(5a1)의 위치에서의 금속의 두께가 금속판의 판 두께(t1)의 약 70~80%로 되어 있다.
또, 도 5에서 d2a는 제2 부위(1b)의 이면 측에 대한, 오목한 형상으로 형성된 면(5a)의 상단(5a1)의 위치에서의 하프 에칭 깊이, d2a`은 오목한 형상으로 형성된 면(5a)의 바닥면(5a2)의 위치에서의 하프 에칭 깊이, d2b는 제2 부위(1b)의 표면 측에 대한 면(5b)의 바닥면 위치에서의 하프 에칭 깊이이다. 또한, 도 5의 예에서는 제2 부위(1b)의 이면 측에 대한 오목한 형상으로 형성된 면(5a)의 상단(5a1)의 위치에서의 하프 에칭 깊이 d2a, 제2 부위(1b)의 표면 측에 대한 면(5b)의 바닥면 위치에서의 하프 에칭 깊이 d2b, 각각 금속판의 판 두께(t1)의 약 10~15%로 하였지만, 제3 실시형태에 따른 리드 프레임에 있어서의 이들 하프 에칭 깊이(d2a, d2b)는 제2 부위(1b)에 있어서의 오목한 형상으로 형성된 면(5a)의 상단(5a1)의 위치와, 면(5b)의 바닥면 위치 사이의 금속 두께가 금속판의 판 두께(t1)의 약 70~80%의 두께를 가지는 것이면, 임의의 깊이로 설계할 수 있다. 예를 들어, 제2 부위(1b)의 이면 측에 대한 오목한 형상으로 형성된 면(5a)의 상단(5a1)의 위치에서의 하프 에칭 깊이(d2a)를 0%, 면(5b)의 바닥면 위치에서의 하프 에칭 깊이(d2b)를 약 20~30%가 되도록 설계해도 좋다.
기타 구성은 제1 실시형태의 리드 프레임과 대략 동일하다.
제3 실시형태의 리드 프레임에 의하면, 단자와 접속하지 않는 제2 부위(1b)가 금속판의 표면 및 이면 중의 일측(여기에서는 이면 측)으로부터 소정의 깊이로 하프 에칭된 면 외에 금속판의 표면 및 이면 중의 타측 (여기에서는 표면 측)으로부터 소정의 깊이로 부분적으로 하프 에칭된 면을 더 가지도록 하였기 때문에 댐바에 있어서의 금속량을 한층 더 적게 할 수 있고, 절단 가공성이 더 향상된다. 또, 제3 실시형태의 리드 프레임에 의하면, 제2 부위(1b)에 있어서의 금속판의 표면 및 이면 중의 제1 부위(1a)에 있어서의 하프 에칭된 면(4)과 같은 측에 하프 에칭된 면(5a)이 오목한 형상으로 형성되고, 제2 부위(1b)는 오목한 형상으로 형성된 면(5a)의 상단(5a1) 위치와 금속판의 표면 측으로부터 하프 에칭된 면(5b)의 바닥면 위치 사이의 금속의 두께가 재료를 구성하는 금속판의 판 두께(t1)의 약 70~80%의 두께를 가지기 때문에 제2 부위(1b)에 있어서의 오목한 형상으로 형성된 면(5a)의 상단(5a1)의 위치에 있어서의 금속 두께를 충분히 가지게 하여 휨을 억제하는 효과를 유지하면서, 오목한 형상으로 형성된 면(5a)의 상단(5a1)의 위치 이외의 위치(예를 들어, 오목한 형상으로 형성된 면(5a)의 바닥면(5a2)의 위치 등)에서의 금속의 두께를 더 박형화하여 댐바(1)에 있어서의 금속량을 한층 더 적게 할 수 있고, 절단 가공성이 한층 더 향상한다.
기타 작용 효과는 제1 실시형태의 리드 프레임과 대략 동일하다.
실시예 및 비교예의 리드 프레임에 발생하는 왜곡에 의한 변형량의 비교시험
제1 실시형태의 구성을 구비한 실시예 1의 제품 단위의 리드 프레임을 행열방향으로 복수개(예를 들어, 행열방향으로 각각 20~30개. 여기에서는 25개) 접속하는 다열형 리드 프레임과, 비교예 1로서 절단 가공 대상 위치에 위치하는 댐바가 재료인 금속판의 이면 전체에 하프 에칭면을 형성한 부위를 가지는 제품 단위의 리드 프레임을 행열 방향으로 복수개(예를 들어, 행열방향으로 각각 20~30개, 여기에서는 25개) 접속하는 다열형 리드 프레임을 제조하고, 실시예 1, 비교예 1의 다열형 리드 프레임에 있어서의 왜곡에 의한 변형량을 각각 비교했다.
실시예 1의 리드 프레임은 다음과 같이 제조했다.
리드 프레임 재료의 금속판으로서는 두께가 0.2mm의 구리재(미츠비시 TAMAC재료)를 사용하여 양면에 드라이 필름 레지스트(아사히카세이이머티리얼즈 주식회사:AQ-2058)를 부착하여 레지스트 층을 형성했다.
그 다음, 리드 프레임의 형상이 형성된 유리 마스크로서, 단자와 접속하는 제1 부위와 단자와 접속하지 않는 제2 부위를 대상으로 광투과부 및 차광부가 교대로 존재하고, 제1 부위가 금속판의 판 두께의 약 50% 하프 에칭되도록, 제2 부위가 금속판의 판 두께의 약 25% 하프 에칭되도록 하기 위한 패턴(A)의 유리 마스크를 제작했다.
그 다음, 작성한 유리 마스크를 사용하여, 노광, 현상을 하여 레지스트 마스크를 형성하고, 염화제2철용액을 스프레이하여 에칭 가공을 행했다.
상세하게는, 먼저, 패턴(A)의 유리 마스크를 사용하여 노광, 현상을 하여 레지스트 마스크를 형성했다.
그 다음, 연화제2철용액을 스프레이하고, 댐바의 제1 부위가 금속판의 판 두께의 약 50%의 두께가 되도록 제2 부위가 금속판의 판 두께의 약 75%의 두께가 되도록 에칭 가공을 실시했다. 이 에칭 가공은 소정의 액온, 소정의 비중의 염화제2철 용액을 사용하여 흔드는 스프레이 노즐에 의해 소정의 압력으로 분사를 하고, 소정의 초간 처리를 행했다.
그 다음, 세정 처리로서, 에칭 용해면에 부착한 구리 결정을 스프레이 분사에 의한 염산 세정으로 제거하고, 그 후, 수산화 나트륨 수용액을 사용하여 레지스트 마스크의 박리 처리를 행했다.
그 후, 황산에 의한 산처리를 진행하고, 표면을 건조시켜, 실시예 1의 리드 프레임을 완성했다.
완성한 실시예 1의 리드 프레임의 댐바는 단자가 접속하는 제1 부위가 약 0.1mm의 두께가 되고, 단자가 접속하지 않는 제2 부위가 약 0.15mm의 두께로 되었다.
비교예 1의 리드 프레임은 재료인 금속판의 댐바에 해당하는 부위의 이면 전체에 하프 에칭을 실시하고, 금속판의 판 두께가 0.2mm에 대해 하프 에칭을 실시한 부위의 두께가 0.1mm가 되도록 하여 제조했다.
또한, 실시예 1, 비교예 1의 리드 프레임은 댐버 이외의 부위에 대해서는 동일한 형상, 치수로 형성했다.
그리고, 실시예 1, 비교예 1의 다열형 리드 프레임에 있어서의 왜곡에 의한 변형량을 비교했다.
왜곡에 의한 변형량의 확인에는 에칭 가공한 다열형 리드 프레임의 상방에서 빛을 조사하고, 비스듬한 측방에서 빛의 반사 정도를 목시로 관찰하여 실시했다. 왜곡에 의한 변형량이 큰 다열형 리드 프레임은 목시에 의한 관찰에서 다열형 리드 프레임의 면에서 반사한 조명광의 형상에 변형(불균일한 반사)가 인정되었다.
실시예 1의 리드 프레임에서는 목시에 의한 관찰에서 다열형 리드 프레임의 면에서 반사한 조명광의 형상에 큰 변형은 인정되지 않았다.
이에 대해 비교예 1의 리드 프레임에서는 목시에 의한 관찰에서 다열형 리드 프레임의 면에서 반사한 조명광의 형상에 부분적으로 큰 변형이 인정되었다.
본 발명의 리드 프레임은 에칭으로 형성되는 다열형 리드 프레임에 있어서 제품 단위를 구성하는 리드 프레임으로서, 단자와 접속하는 부위와, 그 부위에 인접하는 단자와 접속하지 않는 부위를 각각 복수개 가지는 댐바를 구비한 무연형 반도체 패키지의 제조에 사용하는 리드 프레임이 필요한 분야에 유용하다.
1 댐바
1a 제1 부위
1b 제2 부위
2 단자
3 패드부
4, 5, 5a, 5b 하프 에칭면
51, 5a1 하프 에칭되어 오목한 형상으로 형성된 면의 상단
52, 5a2 하프 에칭되어 오목한 형상으로 형성된 면의 바닥면
50 댐바
51 접속부
52 제2 부위
53 제1 부위
60 단자부
d1 제1 부위에 대한 하프 에칭 깊이
d2 제2 부위에 대한, 하프 에칭되어 오목한 형상으로 형성된 면의 상단 위치에서의 하프 에칭 깊이
d2` 제2 부위에 대한, 하프 에칭되어 오목한 형상으로 형성된 면의 바닥면 위치에서의 하프 에칭 깊이
d2a 제2 부위에 있어서의, 제1 부위에서의 하프 에칭된 면과 같은 측에 대한, 하프 에칭되어 오목한 형상으로 형성된 면의 상단 위치에서의 하프 에칭 깊이
d2a` 제2 부위에 있어서의, 제1 부위에서의 하프 에칭된 면과 같은 측에 대한, 하프 에칭되어 오목한 형상으로 형성된 면의 바닥면 위치에서의 하프 에칭 깊이
d2b 제2 부위에 있어서의, 제1 부위에 있어서의 하프 에칭된 면과 서로 다른 측에 대한, 하프 에칭된 면의 바닥면 위치에서의 하프 에칭 깊이
t1 재료 판 두께

Claims (13)

  1. 다열형 리드 프레임에 있어서의 제품 단위를 구성하고, 단자와 접속하는 제1 부위와, 상기 제1 부위에 인접하는 상기 단자와 접속하지 않는 제2 부위를 각각 복수개 가지는 댐바를 구비한 금속판으로 형성된 리드 프레임에 있어서,
    상기 댐바는 상기 제1 부위와 상기 제2 부위의 각각에 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 적어도 일측으로부터 서로 다른 깊이로 상기 제1 부위와 상기 제2 부위의 각각의 전체 영역에 걸쳐 하프 에칭된 면을 가지고,
    상기 댐바의 두께가 상기 제1 부위와 상기 제2 부위에서 서로 다른 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 댐바의 두께는 상기 제1 부위가 상기 제2 부위에 비해 얇게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 댐바는 상기 제1 부위와 상기 제2 부위의 각각에 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터만 서로 다른 깊이로 상기 제1 부위와 상기 제2 부위의 각각의 전체 영역에 걸쳐 하프 에칭된 면을 가지는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 댐바는 상기 제1 부위에 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터만 상기 제1 부위의 전체 영역에 걸쳐 하프 에칭된 면과, 상기 제2 부위에 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 타측으로부터만 상기 제1 부위에 대한 하프 에칭과는 다른 깊이로 상기 제2 부위의 전체 영역에 걸쳐 하프 에칭된 면을 가지는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 댐바는 상기 제1 부위에 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터만 상기 제1 부위의 전체 영역에 걸쳐 하프 에칭된 면과, 상기 제2 부위에 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 양측으로부터 상기 제2 부위의 전체 영역에 걸쳐 하프 에칭된 면을 가지는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  6. 제 3 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 제1 부위가 상기 금속판의 판 두께의 약 40~50%의 두께를 가지고,
    상기 제2 부위가 최대로 상기 금속판의 판 두께의 약 70~80%의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제2 부위에 있어서의 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 상기 제1 부위에 있어서의 상기 제1 부위의 전체 영역에 걸쳐 하프 에칭된 면과 같은 측의 면이 상기 제2 부위의 전체 영역에 걸쳐 하프 에칭되어 오목한 형상으로 형성되고,
    상기 제2 부위는 상기 오목한 형상으로 형성된 면의 상단 위치에서의 금속의 두께가 상기 금속판의 판 두께의 약 70~80%로 되어 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  8. 다열형 리드 프레임에 있어서의 제품 단위를 구성하고, 단자와 접속하는 제1 부위와, 상기 제1 부위에 인접하는 상기 단자와 접속하지 않는 제2 부위를 각각 복수개 가지는 댐바를 구비한 금속판으로 형성된 리드 프레임의 제조 방법에 있어서,
    상기 댐바의 상기 제1 부위에 대해 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터 소정의 깊이의 하프 에칭을 상기 제1 부위의 전체 영역에 걸쳐 실시하고,
    상기 댐바의 제2 부위에 대해 상기 일측으로부터 상기 제1 부위와는 깊이가 서로 다른 하프 에칭을 상기 제2 부위의 전체 영역에 걸쳐 실시함으로써 상기 댐바의 두께를 상기 제1 부위와 상기 제2 부위에서 서로 다르게 하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임의 제조 방법.
  9. 다열형 리드 프레임에 있어서의 제품 단위를 구성하고, 단자와 접속하는 제1 부위와, 상기 제1 부위에 인접하는 상기 단자와 접속하지 않는 제2 부위를 각각 복수개 가지는 댐바를 구비한 금속판으로 형성된 리드 프레임의 제조 방법에 있어서,
    상기 댐바의 상기 제1 부위에 대해 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터 소정의 깊이의 하프 에칭을 상기 제1 부위의 전체 영역에 걸쳐 실시하고,
    상기 댐바의 제2 부위에 대해 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 타측으로부터 상기 제1 부위와는 깊이가 서로 다른 하프 에칭을 상기 제2 부위의 전체 영역에 걸쳐 실시함으로써 상기 댐바의 두께를 상기 제1 부위와 상기 제2 부위에서 서로 다르게 하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임의 제조 방법.
  10. 다열형 리드 프레임에 있어서의 제품 단위를 구성하고, 단자와 접속하는 제1 부위와, 상기 제1 부위에 인접하는 상기 단자와 접속하지 않는 제2 부위를 각각 복수개 가지는 댐바를 구비한 금속판으로 형성된 리드 프레임의 제조 방법에 있어서,
    상기 댐바의 상기 제1 부위에 대해 금속판의 표면 및 이면 중의 일측으로부터 소정의 깊이의 하프 에칭을 상기 제1 부위의 전체 영역에 걸쳐 실시하고,
    상기 댐바의 제2 부위에 대해 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 양측으로부터 하프 에칭을 상기 제2 부위의 전체 영역에 걸쳐 실시함으로써 상기 댐바의 두께를 상기 제1 부위와 상기 제2 부위에서 서로 다르게 하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임의 제조 방법.
  11. 제 8 항 내지 제 10 항 중의 어느 한 항에 있어서,
    상기 댐바의 두께를 상기 제1 부위의 두께가 상기 제2 부위의 두께에 비해 얇아지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임의 제조 방법.
  12. 제 8 항 또는 제 10 항에 있어서,
    상기 댐바의 두께를, 상기 제1 부위가 상기 금속판의 판 두께의 약 40~50%의 두께를 가지고, 상기 제2 부위가 최대로 상기 금속판의 판 두께의 약 70~80%의 두께를 가지도록 형성하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임의 제조 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 제2 부위에 있어서의 상기 금속판의 표면 및 이면 중의 상기 제1 부위에 있어서의 하프 에칭을 상기 제1 부위의 전체 영역에 걸쳐 실시한 면과 같은 측의 면을, 하프 에칭을 상기 제2 부위의 전체 영역에 걸쳐 실시함으로써, 오목한 형상으로 형성하고, 상기 오목한 형상으로 형성된 면의 상단 위치에서의 금속의 두께가 상기 금속판의 판 두께의 약 70~80%가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임의 제조 방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106332450A (zh) * 2016-08-31 2017-01-11 王欣 一种导体镂空电路板及制作方法
JP6856497B2 (ja) * 2017-01-12 2021-04-07 株式会社三井ハイテック リードフレーム
JP6327732B1 (ja) * 2017-06-22 2018-05-23 大口マテリアル株式会社 リードフレーム及びその製造方法
WO2019026917A1 (ja) * 2017-07-31 2019-02-07 大日本印刷株式会社 リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6938326B2 (ja) * 2017-10-17 2021-09-22 大口マテリアル株式会社 リードフレーム及びその製造方法
US11031353B2 (en) * 2019-08-23 2021-06-08 Micron Technology, Inc. Warpage control in microelectronic packages, and related assemblies and methods
KR102514564B1 (ko) * 2021-06-28 2023-03-29 해성디에스 주식회사 홈이 형성된 리드를 포함하는 리드 프레임
KR102586967B1 (ko) * 2022-04-05 2023-10-11 해성디에스 주식회사 리드 프레임

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008182175A (ja) 2006-12-27 2008-08-07 Denso Corp モールドパッケージの製造方法
JP2012109459A (ja) 2010-11-18 2012-06-07 Dainippon Printing Co Ltd リードフレームおよびリードフレームの製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03296254A (ja) * 1990-02-06 1991-12-26 Dainippon Printing Co Ltd リードフレーム
JP2001320007A (ja) * 2000-05-09 2001-11-16 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂封止型半導体装置用フレーム
US6608366B1 (en) * 2002-04-15 2003-08-19 Harry J. Fogelson Lead frame with plated end leads
JP2004063803A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Ngk Spark Plug Co Ltd プリント配線基板の製造方法、プリント配線基板製造用金属板、連結プリント配線基板
US7153724B1 (en) * 2003-08-08 2006-12-26 Ns Electronics Bangkok (1993) Ltd. Method of fabricating no-lead package for semiconductor die with half-etched leadframe
JP2007281207A (ja) * 2006-04-07 2007-10-25 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP5997971B2 (ja) * 2012-08-09 2016-09-28 株式会社三井ハイテック リードフレーム
JP6143468B2 (ja) * 2013-01-11 2017-06-07 株式会社三井ハイテック リードフレーム

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008182175A (ja) 2006-12-27 2008-08-07 Denso Corp モールドパッケージの製造方法
JP2012109459A (ja) 2010-11-18 2012-06-07 Dainippon Printing Co Ltd リードフレームおよびリードフレームの製造方法

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