CN105845657B - 引线框及其制造方法 - Google Patents

引线框及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105845657B
CN105845657B CN201610064353.7A CN201610064353A CN105845657B CN 105845657 B CN105845657 B CN 105845657B CN 201610064353 A CN201610064353 A CN 201610064353A CN 105845657 B CN105845657 B CN 105845657B
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead frame
metal plate
thickness
dam
etched
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201610064353.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105845657A (zh
Inventor
池田崇挥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chang Wah Technology Co Ltd
Original Assignee
Oguchi Electric Materials Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oguchi Electric Materials Co ltd filed Critical Oguchi Electric Materials Co ltd
Publication of CN105845657A publication Critical patent/CN105845657A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105845657B publication Critical patent/CN105845657B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A47—FURNITURE; DOMESTIC ARTICLES OR APPLIANCES; COFFEE MILLS; SPICE MILLS; SUCTION CLEANERS IN GENERAL
    • A47G—HOUSEHOLD OR TABLE EQUIPMENT
    • A47G23/00—Other table equipment
    • A47G23/02—Glass or bottle holders
    • A47G23/0208—Glass or bottle holders for drinking-glasses, plastic cups, or the like
    • A47G23/0216—Glass or bottle holders for drinking-glasses, plastic cups, or the like for one glass or cup
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D25/00—Details of other kinds or types of rigid or semi-rigid containers
    • B65D25/20—External fittings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D81/00—Containers, packaging elements, or packages, for contents presenting particular transport or storage problems, or adapted to be used for non-packaging purposes after removal of contents
    • B65D81/38—Containers, packaging elements, or packages, for contents presenting particular transport or storage problems, or adapted to be used for non-packaging purposes after removal of contents with thermal insulation
    • B65D81/3865—Containers, packaging elements, or packages, for contents presenting particular transport or storage problems, or adapted to be used for non-packaging purposes after removal of contents with thermal insulation drinking cups or like containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)

Abstract

本发明提供一种引线框及其制造方法，对于该引线框而言，无论作为切断对象的堤坝件的宽度如何都能够应用，能够增大设计的自由度，并有效地减少要切断的金属的体积从而使切断加工容易化，并且，能够充分抑制堤坝件的变形和翘曲。该引线框构成多列型引线框的产品单位，由包含堤坝件(1)的金属板形成，堤坝件(1)分别包含多个与端子(2)连接的第1部位(1a)和多个与第1部位(1a)相邻但不与端子(2)连接的第2部位(1b)，其中，堤坝件(1)在第1部位(1a)和第2部位(1b)分别具有从金属板的表面及背面中的至少一侧以不同的深度进行半蚀刻而成的面(4、5)，堤坝件(1)在第1部位(1a)的厚度与堤坝件(1)在第2部位(1b)的厚度不同。

Description

引线框及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种引线框及其制造方法，该引线框在多列型引线框中构成产品单位，其中，该多列型引线框通过蚀刻形成，该引线框用于包含堤坝件(日文：ダムバー)的无引脚型半导体封装件的制造，其中，所述堤坝件分别具有多个与端子连接的部位以及多个与该部位相邻但与端子不连接的部位。
背景技术
以往，提出一种无引脚型半导体封装件，该种无引脚型半导体封装件在安装面侧上，有多个和外部连接的端子暴露出来，其中该安装面侧为密封树脂的背面侧。
该种半导体封装件构成为将半导体元件搭载到引线框的焊盘上，包括布置在焊盘周围的端子和与半导体元件电连接的接合线，并将上述构件密封起来。
另外，该种半导体封装件为降低成本，使用对多个封装件集中进行树脂密封即所谓的MAP(mold array package)技术进行制造，在树脂密封后，将堤坝件作为切断线去除，由此，切断为各个引线框的单位。因此，对于切断前的引线框而言，多个构成产品单位的引线框彼此连接，并且具有相邻的各个引线框的端子部彼此借助堤坝件连结而成的图案。
但是，如上所述，堤坝件为通过切断加工去除的部位，将半导体元件搭载于引线框上，并用树脂密封后，在进行用于分离成产品单位的切断加工时，如果金属部分的体积较大，那么同时切断树脂和金属的刀片易发生阻塞，不能延长连续加工的时间，因此对于堤坝件要求通过半蚀刻而薄壁化后的构造。因此，在以往用于制造该种半导体封装件的引线框中，通常使用通过对堤坝件的整个背面进行半蚀刻从而使其薄壁化为原来厚度的40％～60％的结构。
但是，端子部以悬臂状态连接于堤坝件，如果通过半蚀刻对堤坝件进行薄壁处理，则会导致内部应力被释放从而易发生应变，由于该应变的产生，使整个框架发生波动，产生引起翘曲或变形的现象。而且，半蚀刻的面积越大，半蚀刻的深度越深，翘曲或变形的程度也越大。
然而，以往，以确保作为切断对象的堤坝件的强度和切割性为目的的引线框例如在下面的专利文献1中有所提出。
例如，如图6所示，自一面侧对专利文献1中记载的引线框进行加工，使得对于第1部位53而言，该第1部位53的宽度方向的靠近端部的部位通过半蚀刻被薄壁化加工，该第1部位53的宽度方向的中央部成为较厚的部分，并且，对于第2部位而言，该第2部位52的宽度方向的两端部通过半蚀刻被薄壁化加工，该第2部位52的宽度方向的中央部成为与第1部位53的宽度方向中央部具有相同宽度的较厚的部分，并且，第1部位53中的被薄壁化加工后的部位的端部之间的距离W1比第2部位52的宽度W2大，并且，该距离W1小于或等于第1部位53的宽度W3，其中，该第1部位53包括堤坝件50中的与各个端子部60连接的连接部51，以及与连接部51连接的端子部60中的通过切割去除的部位，该第2部位52是堤坝件50中的位于连接部51之间的部位。
另外，例如，如图7所示，在专利文献1中记载的其他例子中的引线框中，对于第1部位53，第2部位52这两者而言，宽度方向的靠近中央部的部位成为半蚀刻部，宽度方向的靠近端部的周围没有被半蚀刻而是成为比半蚀刻部厚的部分。
另外，例如，如图8所示，在专利文献1中记载的另一其他例子中的引线框中，仅第1部位53通过半蚀刻被薄壁化加工，对于第2部位52完全不进行半蚀刻，使第2部位52整体成为比半蚀刻部厚的部分。
像这样，在专利文献1中记载的引线框中，通过对堤坝件进行局部薄壁化加工，从而使其容易被切断，并且，通过形成实现了薄壁化的容易被切断的部位和与容易被切断的部位相比较厚而确保了强度的部位，从而谋求确保多列型引线框的强度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-182175号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是，对于专利文献1中记载的引线框而言，例如，如图6、图7所示，在堤坝件50实施半蚀刻的部位的宽度小于堤坝件50的宽度的结构难以应用于堤坝件50的宽度较小的引线框。另外，由于无法改变实施半蚀刻的部位的数量和半蚀刻的宽度，所以限制了设计的自由度。
另外，在如图7所示那样的结构中，将堤坝件50的宽度方向的靠近中央部的部位作为半蚀刻部，宽度方向的靠近端部的周围不进行半蚀刻而作为比半蚀刻部厚的部分，在这样的结构中，由于无法对端子的与堤坝件50连接的部分进行薄壁化处理，所以相应地，用于切断堤坝件50的刀片易发生阻塞，难以延长连续加工时间。而且，与以往通常进行的对堤坝件的整个背面进行半蚀刻的引线框相比，端子变厚，切断后从密封树脂暴露出来的金属的面积增加。
而且，即便是例如如图8所示那样，构成为在堤坝件50的整个长度方向上设置实施半蚀刻的部位和未实施半蚀刻的部位的情况下，由于比半蚀刻部厚的部分即第2部位52整体没有被半蚀刻而保留下来，因此相应地，用于切断堤坝件50的刀片易发生阻塞，难以延长连续加工时间。而且，由于实施半蚀刻的面偏向作为材料的金属板的一侧的面，所以无法充分抑制堤坝件50的变形。
本发明是鉴于上述以往的问题而制成的，其目的在于提供一种引线框及其制造方法，对于该引线框而言，无论作为切断对象的堤坝件的宽度如何都能够应用，能够增大设计的自由度，并有效地减少要切断的金属的体积从而使加工容易化，并且，能够充分抑制堤坝件的变形和翘曲。
用于解决问题的方案
为了达到上述的目的，本发明的引线框构成多列型引线框的产品单位，且该引线框由包含堤坝件的金属板形成，该堤坝件分别包含多个与端子连接的第1部位和多个与所述第1部位相邻但不与所述端子连接的第2部位，所述引线框的特征在于，所述堤坝件在所述第1部位具有从金属板的表面及背面中的至少一侧进行半蚀刻而成的面，所述堤坝件在所述第2部位具有从金属板的表面及背面中的至少一侧以与在所述第1部位进行半蚀刻的深度不同的深度进行半蚀刻而成的面，所述堤坝件在所述第1部位的厚度与所述堤坝件在所述第2部位的厚度不同。
另外，在本发明的引线框中，优选的是，所述堤坝件形成为所述第1部位的厚度小于所述第2部位的厚度。
另外，在本发明的引线框中，优选的是，所述堤坝件在所述第1部位具有仅从所述金属板的表面及背面中的一侧进行半蚀刻而成的面，所述堤坝件在所述第2部位具有仅从所述金属板的表面及背面中的一侧以与在所述第1部位进行半蚀刻的深度不同的深度进行半蚀刻而成的面。
另外，在本发明的引线框中，优选的是，所述堤坝件在所述第1部位具有仅从所述金属板的表面及背面中的一侧进行半蚀刻而成的面，所述堤坝件在所述第2部位具有仅从所述金属板的表面及背面中的另一侧以与对所述第1部位进行半蚀刻的深度不同的深度进行半蚀刻而成的面。
另外，在本发明的引线框中，优选的是，所述堤坝件在所述第1部位具有仅从所述金属板的表面及背面中的一侧进行半蚀刻而成的面，所述堤坝件在所述第2部位具有从所述金属板的表面及背面两侧进行半蚀刻而成的面。
另外，在本发明的引线框中，优选的是，所述第1部位的厚度为所述金属板板厚的大约40％～50％，所述第2部位的厚度最大为所述金属板板厚的大约70％～80％。
另外，在本发明的引线框中，优选的是，所述第2部位的所述金属板的表面及背面中的、与所述第1部位的进行半蚀刻而成的面同侧的面被半蚀刻从而形成为凹状，所述第2部位的形成为凹状的所述面的上端位置的金属厚度为所述金属板板厚的大约70％～80％。
另外，本发明的引线框的制造方法所制造的引线框构成多列型引线框的产品单位，且所述引线框由包含堤坝件的金属板形成，所述堤坝件分别包含多个与端子连接的第1部位和多个与所述第1部位相邻但不与所述端子连接的第2部位，所述引线框的制造方法的特征在于，对所述堤坝件的所述第1部位从金属板的表面及背面中的一侧实施规定深度的半蚀刻，对所述堤坝件的第2部位从所述一侧实施与对所述第1部位实施半蚀刻的深度不同的半蚀刻，由此，使所述堤坝件在所述第1部位的厚度与所述堤坝件在所述第2部位的厚度不同。
另外，本发明的引线框的制造方法所制造的引线框构成多列型引线框的产品单位，且所述引线框由包含堤坝件的金属板形成，所述堤坝件分别包含多个与端子连接的第1部位和多个与所述第1部位相邻但不与所述端子连接的第2部位，所述引线框的制造方法的特征在于，对所述堤坝件的所述第1部位从金属板的表面及背面中的一侧实施规定深度的半蚀刻，对所述堤坝件的第2部位从所述金属板的表面及背面中的另一侧实施与对所述第1部位实施半蚀刻的深度不同的半蚀刻，由此，使所述堤坝件在所述第1部位的厚度与所述堤坝件在所述第2部位的厚度不同。
另外，本发明的引线框的制造方法所制造的引线框构成多列型引线框的产品单位，且所述引线框由包含堤坝件的金属板形成，所述堤坝件分别包含多个与端子连接的第1部位和多个与所述第1部位相邻但不与所述端子连接的第2部位，所述引线框的制造方法的特征在于，对所述堤坝件的所述第1部位从金属板的表面及背面中的一侧实施规定深度的半蚀刻，对所述堤坝件的第2部位从所述金属板的表面及背面两侧实施半蚀刻，由此，使所述堤坝件在所述第1部位的厚度与所述堤坝件在所述第2部位的厚度不同。
另外，在本发明的引线框的制造方法中，优选的是，所述堤坝件形成为所述第1部位的厚度小于所述第2部位的厚度。
另外，在本发明的引线框的制造方法中，优选的是，所述堤坝件在所述第1部位的厚度为所述金属板板厚的大约40％～50％，所述堤坝件在所述第2部位的厚度最大为所述金属板板厚的大约70％～80％。
另外，在本发明的引线框的制造方法中，优选的是，对所述第2部位的所述金属板的表面及背面中的、与所述第1部位的实施半蚀刻的面同侧的面实施半蚀刻从而使其形成为凹状，并且，形成为凹状的该面的上端位置的金属厚度为所述金属板板厚的大约70％～80％。
发明的效果
根据本发明，能够得到一种引线框及其制造方法，对于该引线框而言，无论作为切断对象的堤坝件的宽度如何都能够应用，且能够使设计的自由度变大，能够有效地减少要切断的金属的体积，从而使切断加工容易化，并且，能够充分抑制堤坝件的变形、翘曲。
附图说明
图1为示意性地表示本发明的第1实施方式的引线框的主要部分结构的说明图，图1的(a)为俯视图，图1的(b)为图1的(a)的A-A剖视图，图1的(c)为图1的(a)的B-B剖视图。
图2为示例性地表示设有第1实施方式的引线框的主要部分结构的部位的说明图。
图3为表示第1实施方式中的引线框的堤坝件的形成顺序的说明图。
图4为示意性地表示本发明的第2实施方式的引线框的主要部分结构的说明图，图4的(a)为与图1的(a)的A-A剖面对应的剖视图，图4的(b)为与图1的(a)的B-B剖面对应的剖视图。
图5为示意性地表示本发明的第3实施方式的引线框的主要部分结构的说明图，图5的(a)为与图1的(a)的A-A剖面对应的剖视图，图5的(b)为与图1的(a)的B-B剖面对应的剖视图。
图6为表示以往的引线框的一例的堤坝件的结构的图，图6的(a)为表示施加半蚀刻的部位的说明图，图6的(b)为图6的(a)的A-A剖面图，图6的(c)为图6的(a)的B-B剖面图。
图7为表示以往的引线框的其他例的堤坝件的结构的图，图7的(a)为表示施加半蚀刻的部位的说明图，图7的(b)为图7的(a)的C-C剖面图，图7的(c)为图7的(a)的D-D剖面图。
图8为表示以往的引线框的另一其他例的堤坝件的结构的图，图8的(a)为表示施加半蚀刻的部位的说明图，图8的(b)为图8的(a)的E-E剖面图，图8的(c)为图8的(a)的F-F剖面图。
附图标记说明
1 堤坝件
1a 第1部位
1b 第2部位
2 端子
3 焊盘部
4、5、5a、5b 半蚀刻面
51、5a1 被半蚀刻从而形成为凹状的面的上端
52、5a2 被半蚀刻从而形成为凹状的面的底面
50 堤坝件
51 连接部
52 第2部位
53 第1部位
60 端子部
d1 对第1部位进行半蚀刻的深度
d2 在形成为凹状的面的上端位置得到的对第2部位进行半蚀刻的深度
d2’ 在形成为凹状的面的底面位置得到的对第2部位进行半蚀刻的深度
d2a 在形成为凹状的面的上端位置得到的对第2部位的、与第1部位的进行半蚀刻而成的面同侧的部位进行半蚀刻的深度
d2a’ 在形成为凹状的面的底面位置得到的对第2部位的、与第1部位的进行半蚀刻而成的面同侧的部位进行半蚀刻的深度
d2b 在被半蚀刻而成的面的底面位置得到的对第2部位的、与第1部位的进行半蚀刻而成的面不同侧的部位进行半蚀刻的深度
t1 材料板厚
具体实施方式
在说明实施方式之前，对本发明的作用效果加以说明。
本发明的引线框构成多列型引线框的产品单位，其由具有堤坝件的金属板形成，该堤坝件分别具有多个与端子连接的第1部位和多个与第1部位相邻但不与端子连接的第2部位，在该引线框中，堤坝件在第1部位具有从金属板的表面及背面中的至少一侧进行半蚀刻而成的面，堤坝件在第2部位具有从金属板的表面及背面中的至少一侧以与在第1部位进行半蚀刻的深度不同的深度进行半蚀刻而成的面，堤坝件在第1部位的厚度和堤坝件在第2部位的厚度不同。
如上所述，对堤坝件进行半蚀刻的目的在于，在向引线框搭载半导体元件并用树脂密封后，减少同时切断树脂和金属时的金属体积，谋求切断加工的容易化。
但是，若像现有技术那样只从作为材料的金属板的单侧实施半蚀刻，则作为构成引线框的材料的轧制加工过的金属板所具有的、在轧制加工时产生的应变会集中在单侧。其结果是，由半蚀刻引起的强度的下降和残留在单侧的应变，会导致翘曲和变形容易变大。
然而，本发明者通过反复摸索，构想出一种结构，该结构通过将堤坝件设为，在第1部位具有从金属板的表面及背面中的至少一侧进行半蚀刻而成的面，在第2部位具有从金属板的表面及背面中的至少一侧以与在第1部位进行半蚀刻的深度不同的深度进行半蚀刻而成的面，且堤坝件在第1部位的厚度和堤坝件在第2部位的堤坝件的厚度不同，从而使内部应力相互抵消进而使应变不易发生，其结果，不易发生由应变引起的变形，并且，能有效地减少切断对象的金属量。
像本发明的引线框这样，对于作为切断对象的堤坝件而言，在与端子连接的第1部位具有从金属板的表面及背面中的至少一侧进行半蚀刻而成的面，在与端子不连接的第2部位具有从金属板的表面及背面中的至少一侧以与在第1部位进行半蚀刻的深度不同的深度进行半蚀刻而成的面，且堤坝件在第1部位的厚度和堤坝件在第2部位的厚度不同，若如此，则与使堤坝件整体薄壁化的情况相比，通过将第2部位形成为厚于第1部位，能够在堤坝件较多地残留金属，从而抑制了翘曲，另一方面，也能够将端子的壁厚设置为与以往的引线框中通常使用的将堤坝件的金属板的整个背面薄壁化而成的结构的厚度相同。而且，在堤坝件中，虽然不与端子连接的第2部位与连接于端子的第1部位相比较厚，但是第2部位的板厚与作为引线框材料的金属板板厚相比较小，所以，与如图8所示的专利文献1中记载的堤坝件的对不与端子连接的部位不进行半蚀刻的结构相比，能够进一步减少切断加工时的金属量。结果是，减少了引线框的翘曲并确保了其强度，并且，与对堤坝件的金属板的整个背面进行薄壁化而得到的以往的通常引线框相比，能够制造出同等地保证端子部的高度位置、暴露面积、树脂密封性的半导体封装件，并且，能够获得确保切断加工性的引线框。
另外，在本发明的引线框中，作为在堤坝件的厚度方面，第1部位与第2部位相比较薄地形成的结构，例如，能够列举出在第1部位具有仅从金属板的表面及背面中的一侧进行半蚀刻而成的面，在第2部位具有仅从金属板的表面及背面中的一侧以与在第1部位进行半蚀刻的深度不同的深度进行半蚀刻而成的面的结构。
另外，在本发明的引线框中，作为在堤坝件的厚度方面，第1部位与第2部位相比较薄地形成的其他结构，优选的是，将堤坝件设为在第1部位具有仅从金属板的表面及背面中的一侧进行半蚀刻而成的面，在第2部位具有仅从金属板的表面及背面中的另一侧以与对第1部位进行半蚀刻的深度不同的深度进行半蚀刻而成的面。
若如此，则堤坝件的彼此相邻的第1部位、第2部位各自的半蚀刻面分别从金属板的不同侧形成，所以作为引线框材料的金属基板的表面背面上均同等程度地存在有半蚀刻面。因此，使用的材料会在其表面和背面这两个面上释放内部应力，由此，通过使材料的内部应力在表面和背面相互抵消，从而使得应变不易发生，其结果不易发生由应变引起的变形。
另外，在本发明的引线框中，作为在堤坝件的厚度方面，第1部位与第2部位相比较薄地形成的另一其他结构，优选的是，将堤坝件设为在第1部位具有仅从金属板的表面及背面中的一侧进行半蚀刻而成的面，在第2部位具有从金属板的表面及背面两侧进行半蚀刻而成的面。
这样地，不与端子连接的第2部位除了具有从金属板的表面及背面中的一侧以规定的深度进行半蚀刻而成的面之外，还具有从金属板的表面及背面中的另一侧以规定的深度进行半蚀刻而成的面，若如此，则能够进一步减少堤坝件的金属量，从而提高切断加工性。
另外，在本发明的引线框中，优选的是，堤坝件形成为在第1部位的厚度小于堤坝件在第2部位的厚度，例如，第1部位的厚度为金属板板厚的大约40％～50％，第2部位的厚度最大为金属板板厚的大约70％～80％。
另外，在本发明的引线框中，优选的是，在第2部位的金属板的表面和背面中的、与第1部位的进行半蚀刻而成的面同侧的部位具有进行半蚀刻而成的面的情况下，该第2部位所具有的进行半蚀刻而成的面形成为凹状，第2部位的进行半蚀刻而成的面的上端位置的金属厚度形成为金属板板厚的70％～80％。
若如此，则第2部位的形成为凹状的面的上端位置的金属具有足够的厚度从而能够保持抑制翘曲的效果，并且能够使第2部位的形成为凹状的面的上端位置以外的位置的金属厚度进一步薄壁化，从而进一步减少堤坝件的金属量，进一步提高切断加工性。
以下，关于本发明的实施方式，利用附图加以说明。
第1实施方式
图1为示意性地表示本发明第1实施方式的引线框的主要部分结构的说明图，图1的(a)为俯视图，图1的(b)为图1的(a)的A-A剖视图，图1的(c)为图1的(a)的B-B剖视图。图2为示例性地表示设有本实施方式的引线框的主要部分结构的部位的说明图。图3为表示第1实施方式的引线框的堤坝件的形成顺序的说明图。
第1实施方式的引线框为构成多列型引线框的产品单位的引线框，例如，如图2所示，第1实施方式的引线框由在划分出各个引线框的位置具有堤坝件1的金属板形成，此外，在图2中，附图标记2为端子，附图标记3为搭载半导体元件的焊盘部。
如图1的(a)，图1的(b)所示，堤坝件1分别包括多个与端子2连接的第1部位1a和多个与第1部位1a相邻但不与端子2连接的第2部位1b。
另外，堤坝件1在第1部位1a和第2部位1b分别具有仅从引线框的表面及背面中的一侧(在图1的例子中为背面侧)以不同的深度进行半蚀刻而成的面4、5。
另外，堤坝件1在第1部位1a的厚度与堤坝件1在第2部位1b的厚度不同，第1部位1a与第2部位1b相比较薄地形成。更详细地说，第一部位1a的厚度形成为金属板板厚t1的大约40％～50％，第2部位1b的进行半蚀刻而成的面5处的部分厚度最大，形成为金属板板厚t1的大约70％～80％。另外，如图1的(c)所示，对第2部位1b的金属板表面及背面中的处于与第1部位1a的进行半蚀刻而成的面4同侧(在图1的例子中为背面侧)的面进行半蚀刻而成的面5形成为凹状。此外，第2部位1b的形成为凹状的面5的上端51的位置的金属厚度为金属板板厚t1的大约70％～80％。
此外，在图1的(b)、图1的(c)中，d1为对第1部位1a进行半蚀刻的深度，d2为在形成为凹状的面5的上端51的位置得到的对第2部位1b进行半蚀刻的深度，d2’为在形成为凹状的面5的底面52的位置得到的对第2部位1b进行半蚀刻的深度。
使用图3对堤坝件如图1那样构成的第1实施方式中的引线框上的堤坝件的形成顺序进行说明。此外，在图3中为了方便，将堤坝件的背面朝上表示。另外，图3的(a)～图3的(f)均为相当于图1的(a)的A-A剖面的剖视图，图3的(a’)～图3的(f’)均为相当于图1的(a)的B-B剖面的剖视图。
首先，在图3的(a)、图3(a’)所示的作为引线框材料的金属板(例如铜板)的两面粘贴干膜抗蚀剂等抗蚀剂层(参照图3的(b)、图3的(b’))。
另外，预先制作出具有图案A的玻璃掩膜作为形成有引线框形状的玻璃掩膜，在该具有图案A的玻璃掩膜中，以与端子连接的第1部位和不与端子连接的第2部位为对象交替地存在有透光部和遮光部，该具有图案A的玻璃掩膜用于使第1部位被半蚀刻掉金属板板厚的大约50％～60％，使第2部位被半蚀刻掉金属板板厚的大约20％～30％。在图3的例子中，具有图案A的玻璃掩膜用于同时形成堤坝件的背面上的第1部位和第2部位，并且该玻璃掩膜也用于覆盖堤坝件的整个表面。
接下来，使用具有图案A的玻璃掩膜，进行曝光、显影(参照图3的(c)、图3的(c’))，形成堤坝件的背面的第1部位和第2部位在规定的范围内被抗蚀剂层覆盖的抗蚀剂掩膜(参照图3的(d)、图3的(d’))。此外，对于堤坝件的表面侧，对整个面进行曝光、显影，从而使表面侧的整个面形成具有被抗蚀剂层覆盖的图案的抗蚀剂掩膜。
接下来，喷涂氯化铁溶液，形成堤坝件的背面的第1部位和第2部位以及引线框的整体形状。利用该抗蚀剂掩膜，使得第1部位被半蚀刻成例如其厚度为金属板板厚的大约40％～50％，第2部位被半蚀刻成其厚度为金属板板厚的大约70％～80％，引线框被半蚀刻成其不需要的部分被贯通的整体形状(参照图3的(e)、图3的(e’))。
接下来，进行清洗处理和抗蚀剂掩膜的剥离处理，得到引线框(参照图3的(f)，图3的(f’))。
根据第1实施方式的引线框，对于作为切断对象的堤坝件1，在与端子2连接的第1部位1a和不与端子2连接的第2部位1b分别具有仅从金属板的表面及背面中的一侧(此处为背面侧)以不同深度进行半蚀刻而成的面4、5，堤坝件1在第1部位1a的厚度与堤坝件1在第2部位1b的厚度不同，且第2部位1b与第1部位1a相比较厚地形成，因此，与对堤坝件整体进行薄壁化的情况相比，能够在堤坝件较多地残留金属，从而抑制翘曲，另一方面，能够将端子的壁厚设置为与以往引线框中通常使用的将堤坝件的金属板的整个背面薄壁化而成的结构的厚度相同。而且，在堤坝件1中，虽然不与端子2连接的第2部位1b与连接于端子2的第1部位1a相比较厚，但第2部位1b的板厚与作为引线框材料的金属板板厚t1相比较小，所以，与如图8所示的专利文献1中记载的堤坝件的对不与端子连接的部位(第2部位52)不进行半蚀刻的结构相比，能够进一步减少切断加工时的金属量。结果是，减少了堤坝件的翘曲并确保了其强度，并且，与对堤坝件整体进行薄壁化的以往的引线框相比，能够制造出同等地保证端子部的暴露面积、树脂密封性的半导体封装件，并且，能够获得确保切断加工性的引线框。另外，根据第1实施方式中的引线框，对第2部位1b的金属板的表面及背面中的处于与第1部位1a的进行半蚀刻而成的面4同侧的面进行半蚀刻而成的面5形成为凹状，第2部位1b的进行半蚀刻而成的面5的上端51的位置的金属厚度成为作为材料的金属板板厚t1的大约70％～80％，因此，第2部位1b的进行半蚀刻而形成凹状的面5的上端51的位置处的金属具有足够的厚度从而能够保持抑制翘曲的效果，并且通过使形成为凹状的面5的上端51的位置以外的位置(例如形成为凹状的面5的底面52的位置等)的金属厚度进一步薄壁化，从而能够进一步减少堤坝件1的金属量，进一步提高切断加工性能。
第2实施方式
图4为示意性地表示本发明的第2实施方式的引线框的主要部分结构的说明图，图4的(a)为与图1的(a)的A-A剖面对应的剖视图，图4的(b)为与图1的(a)的B-B剖面对应的剖视图。第2实施方式的引线框的堤坝件的形成顺序和第1实施方式相同，仅形成于玻璃掩膜形成的图案不同因而曝光、显影后形成的抗蚀剂掩膜不同，堤坝件的形成顺序相同，所以省略了图示及说明。
对于第2实施方式的引线框而言，堤坝件1在第1部位1a具有仅从金属板的表面及背面中的一侧(在图4的例子中的背面侧(图4的(a)中的左侧))进行半蚀刻而成的面4，在第2部位1b具有仅从金属板的表面及背面中的另一侧(在图4的例子中的表面侧(图4的(a)中的右侧))以与对第1部位1a进行半蚀刻的深度不同的深度进行半蚀刻而成的面5。
其他的结构，与第1实施方式中的引线框大致相同。
根据第2实施方式中的引线框，由于堤坝件1的彼此相邻的第1部位1a和第2部位1b各自的半蚀刻面4、5分别从金属板的不同侧形成，所以在引线框的表面背面上均同等程度地存在有半蚀刻面。因此，使用的材料会在其表面和背面这两个面上释放内部应力，由此，通过使材料的内部应力在表面和背面相互抵消，从而使得应变不易发生，其结果难以发生由应变引起的变形。
其他的作用效果，与第1实施方式中的引线框大致相同。
第3实施方式
图5为示意性地表示本发明的第3实施方式的引线框的主要部分结构的说明图，图5的(a)为与图1的(a)的A-A剖面对应的剖视图，图5的(b)为与图1的(a)的B-B剖面对应的剖视图。第3实施方式的引线框的堤坝件的形成顺序和第1实施方式相同，仅形成于玻璃掩膜形成的图案不同因而曝光、显影后形成的抗蚀剂掩膜不同，堤坝件的形成顺序相同，所以省略了图示及说明。
对于第3实施方式的引线框而言，堤坝件1在第1部位1a具有仅从金属板的表面及背面中的一侧(在图5的例子中的背面侧(图5的(a)中的左侧))进行半蚀刻而成的面4，在第2部位1b具有从金属板的表面及背面这两侧进行半蚀刻而成的面5b、5a。另外，对第2部位1b的金属板的表面及背面中的处于与第1部位1a的进行半蚀刻而成的面4同侧(在图5的例子中的背面侧(图5的(a)中的左侧))的面进行半蚀刻而成的面5a形成为凹状。此外，第2部位1b的形成为凹状的面5a的上端5a1的位置的金属厚度成为金属板板厚t1的大约70％～80％。
此外，图5中，d2a为在形成为凹状的面5a的上端5a1的位置得到的对第2部位1b的背面侧进行半蚀刻的深度，d2a’为在形成为凹状的面5a的底面5a2的位置得到的对第2部位1b的背面侧进行半蚀刻的深度，d2b为在面5b的底面位置得到的对第2部位1b的表面侧进行半蚀刻的深度。此外，在图5的例子中，将在形成为凹状的面5a的上端5a1的位置得到的对第2部位1b的背面侧进行半蚀刻的深度d2a和在面5b的底面位置得到的对第2部位1b的表面侧进行半蚀刻的深度d2b均设为金属板板厚t1的大约10％～15％，但是只要保证第2部位1b的形成为凹状的面5a的上端5a1的位置和面5b的底面位置之间的金属厚度为金属板板厚t1的大约70％～80％，那么第3实施方式的引线框的上述半蚀刻深度d2a、d2b就可以设计成任意深度。例如，也可以设计为，在形成为凹状的面5a的上端5a1的位置得到的对第2部位1b的背面侧进行半蚀刻的深度d2a为金属板板厚的0％，在面5b的底面位置得到的对第2部位1b的表面侧进行半蚀刻的深度d2b约为金属板板厚的20％～30％。
其他的结构，与第1实施方式中的引线框大致相同。
根据第3实施方式中的引线框，不与端子连接的第2部位1b除了具有从金属板的表面及背面中的一侧(此处为背面侧)以规定的深度进行半蚀刻而成的面，还具有从金属板的表面及背面中的另一侧(此处为表面侧)以规定的深度进行局部半蚀刻而成的面，所以能够进一步减少堤坝件的金属量，进一步提高切断加工性。另外，根据第3实施方式中的引线框，对第2部位1b的金属板的表面及背面中的处于与第1部位1a的进行半蚀刻而成的面4同侧的面进行半蚀刻而成的面5a形成为凹状，第2部位1b在形成为凹状的面5a的上端5a1的位置和从金属板的表面侧进行半蚀刻而成的面5b的底面位置之间的金属厚度为作为材料的金属板板厚t1的大约70％～80％，所以第2部位1b的形成为凹状的面5a的上端5a1的位置的金属具有足够的厚度从而能够保持抑制翘曲的效果，并且通过使形成为凹状的面5a的上端5a1的位置以外位置(例如，形成为凹状的面5a的底面5a2的位置等)的金属厚度进一步薄壁化，从而能够进一步减少堤坝件1的金属量，进一步提高切断加工性。
其他的作用效果，与第1实施方式中的引线框大致相同。
在实施例及比较例的引线框产生的应变所导致的变形量的比较试验。
制造在行列方向上连接多个(例如，在行列方向上分别为20个～30个。在此为25个)包含第1实施方式的结构在内的实施例1的产品单位的引线框而成的多列型引线框，以及作为比较例1的，在行列方向上连接多个如下这样的产品单位的引线框而成的多列型引线框，该产品单位的引线框的位于切断加工对象位置的堤坝件具有在作为材料的金属板的整个背面形成有半蚀刻面的部位，分别比较实施例1和比较例1中的多列型引线框的由各自的应变所引起的变形量。
实施例1中的引线框以如下方式进行制造。
作为引线框材料的金属板，使用厚度为0.2mm的铜材(三菱TAMAC材)，在两面粘贴干膜抗蚀剂(旭化成电子材料株式会社：AQ-2058)形成抗蚀剂层。
接下来，制作具有图案A的玻璃掩膜作为形成有引线框形状的玻璃掩膜，在该具有图案A的玻璃掩膜中，以与端子连接的第1部位和不与端子连接的第2部位为对象交替地存在有透光部及遮光部，该具有图案A的玻璃掩膜用于使第1部位被半蚀刻掉金属板板厚的大约50％，使第2部位被半蚀刻掉金属板板厚的大约25％。
接下来，使用制作完成的玻璃掩膜，进行曝光、显影从而形成抗蚀剂掩膜，喷涂氯化铁溶液进行蚀刻加工。
详细地说，首先使用具有图案A的玻璃掩膜，进行曝光、显影，形成了抗蚀剂掩膜。
接下来，通过喷涂氯化铁溶液来实施蚀刻加工，使得堤坝件的第1部位的厚度成为金属板板厚的大约50％，堤坝件的第2部位的厚度成为金属板板厚的大约75％。该蚀刻加工是指进行这样的处理，即：使用规定液温、规定比重的氯化铁溶液通过摆动的喷涂喷嘴以规定压力进行规定秒数的喷雾。
接下来，作为清洗处理，进行以下的处理，即：利用通过喷涂喷射进行的盐酸清洗来去除附着在蚀刻溶解面的铜结晶，之后，使用氢氧化钠水溶液进行抗蚀剂掩膜的剥离处理。
之后，利用硫酸进行酸处理，使表面干燥，完成实施例1的引线框。
完成的实施例1的引线框的堤坝件，供端子连接的第1部位的厚度约为0.1mm，不与端子连接的第2部位的厚度约为0.15mm。
比较例1中的引线框以如下方式进行制造，即：对作为材料的金属板上的与堤坝件相当的部位的整个背面进行半蚀刻，金属板的厚度为0.2mm，相对于此，实施半蚀刻后的部位的厚度为0.1mm。
另外，实施例1和比较例1的引线框的堤坝件以外的部位形成为相同形状、尺寸。
然后，比较实施例1和比较例1的多列型引线框的应变所引起的变形量。
应变所引起的变形量的确认是通过从蚀刻加工后的多列型引线框的上方照射光，并从斜侧方用肉眼观察光的反射程度来进行的。对于应变所引起的变形量较大的多列型引线框，在用肉眼观察时，能够确认在多列型引线框的面上反射的照明光的形状存在变形(不均匀反射)。
对于实施例1的引线框，在用肉眼观察时，没有确认到在多列型引线框的面上反射的照明光的形状存在变形。
相对于此，对于比较例1的引线框，在用肉眼观察时，确认到在多列型引线框的面上反射的照明光的形状局部存在较大的变形。
产业上的可利用性
本发明中的引线框是在通过蚀刻形成的多列型引线框中构成产品单位的引线框，本发明的引线框在需要无引脚型半导体封装件的制造中使用的引线框的领域中是有用的，其中，该无引脚型半导体封装件具有堤坝件，该堤坝件分别包括多个与端子连接的部位和多个与该部位相邻但不与端子连接的部位。

Claims (12)

1.一种引线框，该引线框构成多列型引线框的产品单位，且该引线框由包含堤坝件的金属板形成，该堤坝件分别包含多个与端子连接的第1部位和多个与所述第1部位相邻但不与所述端子连接的第2部位，所述引线框的特征在于，
所述堤坝件在所述第1部位具有从所述金属板的表面及背面中的至少一侧进行半蚀刻而成的面，所述堤坝件在所述第2部位具有从所述金属板的表面及背面中的至少一侧以与在所述第1部位进行半蚀刻的深度不同的深度进行半蚀刻而成的面，
所述堤坝件在所述第1部位的厚度与所述堤坝件在所述第2部位的厚度不同。
2.根据权利要求1所述的引线框，其特征在于，
所述堤坝件形成为所述第1部位的厚度小于所述第2部位的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的引线框，其特征在于，
所述堤坝件在所述第1部位具有仅从所述金属板的表面及背面中的一侧进行半蚀刻而成的面，所述堤坝件在所述第2部位具有仅从所述金属板的表面及背面中的一侧以与在所述第1部位进行半蚀刻的深度不同的深度进行半蚀刻而成的面。
4.根据权利要求1或2所述的引线框，其特征在于，
所述堤坝件在所述第1部位具有仅从所述金属板的表面及背面中的一侧进行半蚀刻而成的面，所述堤坝件在所述第2部位具有仅从所述金属板的表面及背面中的另一侧以与对所述第1部位进行半蚀刻的深度不同的深度进行半蚀刻而成的面。
5.根据权利要求1或2所述的引线框，其特征在于，
所述堤坝件在所述第1部位具有仅从所述金属板的表面及背面中的一侧进行半蚀刻而成的面，所述堤坝件在所述第2部位具有从所述金属板的表面及背面两侧进行半蚀刻而成的面。
6.根据权利要求2所述的引线框，其特征在于，
所述第1部位的厚度为所述金属板板厚的40％～50％，
所述第2部位的厚度最大为所述金属板板厚的70％～80％。
7.根据权利要求1所述的引线框，其特征在于，
所述第2部位的所述金属板的表面及背面中的、与所述第1部位的进行半蚀刻而成的面同侧的面被半蚀刻从而形成为凹状的凹状面，
所述第2部位的形成为所述凹状面的上端位置的金属厚度为所述金属板板厚的70％～80％。
8.一种引线框的制造方法，所述引线框构成多列型引线框的产品单位，且所述引线框由包含堤坝件的金属板形成，所述堤坝件分别包含多个与端子连接的第1部位和多个与所述第1部位相邻但不与所述端子连接的第2部位，所述引线框的制造方法的特征在于，
对所述堤坝件的所述第1部位从所述金属板的表面及背面中的一侧实施规定深度的半蚀刻，
对所述堤坝件的所述第2部位从所述一侧实施与对所述第1部位实施半蚀刻的深度不同的半蚀刻，由此，
使所述堤坝件在所述第1部位的厚度与所述堤坝件在所述第2部位的厚度不同。
9.一种引线框的制造方法，所述引线框构成多列型引线框的产品单位，且所述引线框由包含堤坝件的金属板形成，所述堤坝件分别包含多个与端子连接的第1部位和多个与所述第1部位相邻但不与所述端子连接的第2部位，所述引线框的制造方法的特征在于，
对所述堤坝件的所述第1部位从所述金属板的表面及背面中的一侧实施规定深度的半蚀刻，
对所述堤坝件的所述第2部位从所述金属板的表面及背面中的另一侧实施与对所述第1部位实施半蚀刻的深度不同的半蚀刻，由此，
使所述堤坝件在所述第1部位的厚度与所述堤坝件在所述第2部位的厚度不同。
10.一种引线框的制造方法，所述引线框构成多列型引线框的产品单位，且所述引线框由包含堤坝件的金属板形成，所述堤坝件分别包含多个与端子连接的第1部位和多个与所述第1部位相邻但不与所述端子连接的第2部位，所述引线框的制造方法的特征在于，
对所述堤坝件的所述第1部位从所述金属板的表面及背面中的一侧实施规定深度的半蚀刻，
对所述堤坝件的所述第2部位从所述金属板的表面及背面两侧实施半蚀刻，由此，
使所述堤坝件在所述第1部位的厚度与所述堤坝件在所述第2部位的厚度不同。
11.根据权利要求8～10中任一项所述的引线框的制造方法，其特征在于，
所述堤坝件形成为所述第1部位的厚度小于所述第2部位的厚度。
12.根据权利要求8～10中任一项所述的引线框的制造方法，其特征在于，
所述堤坝件在所述第1部位的厚度为所述金属板板厚的40％～50％，所述堤坝件在所述第2部位的厚度最大为所述金属板板厚的70％～80％。
CN201610064353.7A 2015-01-30 2016-01-29 引线框及其制造方法 Active CN105845657B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015017503A JP6443978B2 (ja) 2015-01-30 2015-01-30 リードフレーム及びその製造方法
JP2015-017503 2015-01-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105845657A CN105845657A (zh) 2016-08-10
CN105845657B true CN105845657B (zh) 2020-09-11

Family

ID=56570735

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610064353.7A Active CN105845657B (zh) 2015-01-30 2016-01-29 引线框及其制造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6443978B2 (zh)
KR (1) KR102443996B1 (zh)
CN (1) CN105845657B (zh)
MY (1) MY177520A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11855002B2 (en) 2019-08-23 2023-12-26 Micron Technology, Inc. Warpage control in microelectronic packages, and related assemblies and methods

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106332450A (zh) * 2016-08-31 2017-01-11 王欣 一种导体镂空电路板及制作方法
JP6856497B2 (ja) * 2017-01-12 2021-04-07 株式会社三井ハイテック リードフレーム
JP6327732B1 (ja) * 2017-06-22 2018-05-23 大口マテリアル株式会社 リードフレーム及びその製造方法
WO2019026917A1 (ja) * 2017-07-31 2019-02-07 大日本印刷株式会社 リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法
JP6938326B2 (ja) * 2017-10-17 2021-09-22 大口マテリアル株式会社 リードフレーム及びその製造方法
KR102514564B1 (ko) * 2021-06-28 2023-03-29 해성디에스 주식회사 홈이 형성된 리드를 포함하는 리드 프레임
KR102586967B1 (ko) * 2022-04-05 2023-10-11 해성디에스 주식회사 리드 프레임

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1486128A (zh) * 2002-07-29 2004-03-31 �ձ�������ҵ��ʽ���� 印刷布线板的制造方法、制造用金属板及多段印刷布线板
US7183630B1 (en) * 2002-04-15 2007-02-27 Amkor Technology, Inc. Lead frame with plated end leads
JP2008182175A (ja) * 2006-12-27 2008-08-07 Denso Corp モールドパッケージの製造方法
CN103928420A (zh) * 2013-01-11 2014-07-16 株式会社三井高科技 引线框

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03296254A (ja) * 1990-02-06 1991-12-26 Dainippon Printing Co Ltd リードフレーム
JP2001320007A (ja) * 2000-05-09 2001-11-16 Dainippon Printing Co Ltd 樹脂封止型半導体装置用フレーム
US7153724B1 (en) * 2003-08-08 2006-12-26 Ns Electronics Bangkok (1993) Ltd. Method of fabricating no-lead package for semiconductor die with half-etched leadframe
JP2007281207A (ja) * 2006-04-07 2007-10-25 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP5807800B2 (ja) * 2010-11-18 2015-11-10 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびリードフレームの製造方法
JP5997971B2 (ja) * 2012-08-09 2016-09-28 株式会社三井ハイテック リードフレーム

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7183630B1 (en) * 2002-04-15 2007-02-27 Amkor Technology, Inc. Lead frame with plated end leads
CN1486128A (zh) * 2002-07-29 2004-03-31 �ձ�������ҵ��ʽ���� 印刷布线板的制造方法、制造用金属板及多段印刷布线板
JP2008182175A (ja) * 2006-12-27 2008-08-07 Denso Corp モールドパッケージの製造方法
CN103928420A (zh) * 2013-01-11 2014-07-16 株式会社三井高科技 引线框

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11855002B2 (en) 2019-08-23 2023-12-26 Micron Technology, Inc. Warpage control in microelectronic packages, and related assemblies and methods

Also Published As

Publication number Publication date
MY177520A (en) 2020-09-17
JP2016143730A (ja) 2016-08-08
JP6443978B2 (ja) 2018-12-26
KR20160094280A (ko) 2016-08-09
KR102443996B1 (ko) 2022-09-15
CN105845657A (zh) 2016-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105845657B (zh) 引线框及其制造方法
JP6319644B2 (ja) リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法
JP5807800B2 (ja) リードフレームおよびリードフレームの製造方法
CN105190878B (zh) 半导体元件搭载用引线框及其制造方法
JP6841550B2 (ja) リードフレーム及びその製造方法
JP6638951B2 (ja) リードフレーム及びその製造方法
US10381292B2 (en) Lead frame and method of manufacturing lead frame
JP2016122811A (ja) リードフレーム及びその製造方法
JP2017168690A (ja) 多列型リードフレーム及びその製造方法
JP6537141B2 (ja) Ｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP2011060934A (ja) リードフレーム及び半導体装置の製造方法
KR101006945B1 (ko) 반도체 소자 탑재용 기판의 제조 방법
JP5529494B2 (ja) リードフレーム
CN108417553B (zh) 引线框及其制造方法
JP5991712B2 (ja) 半導体素子搭載用基板及びその製造方法
JP5565819B2 (ja) 半導体装置用基板及び半導体装置
JP6856497B2 (ja) リードフレーム
JP2017168689A (ja) Ｌｅｄパッケージ並びに多列型ｌｅｄ用リードフレーム及びその製造方法
JP2008263018A (ja) 半導体装置用基板及び半導体装置
JP6901201B2 (ja) 半導体素子搭載用基板及びその製造方法
JP5618285B2 (ja) リードレス表面実装型の半導体装置の製造に用いる半導体素子搭載用基板
JP7223347B2 (ja) リードフレームおよび半導体装置の製造方法
JP6476492B2 (ja) リードフレーム集合基板及び半導体装置集合体、並びにリードフレーム集合基板及び半導体装置の製造方法
JP5554543B2 (ja) リードフレーム及び半導体装置の中間製品
JP5098452B2 (ja) 半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
TA01 Transfer of patent application right
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20180709

Address after: Japan Kagoshima

Applicant after: Oguchi Electric Materials Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Applicant before: SH MATERIALS CO.,LTD.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20231123

Address after: The road development processing zone Kaohsiung city Taiwan China No. 24

Patentee after: CHANG WAH TECHNOLOGY Co.,Ltd.

Address before: Japan Kagoshima

Patentee before: Oguchi Electric Materials Co.,Ltd.