JP6856497B2 - リードフレーム - Google Patents

リードフレーム Download PDF

Info

Publication number
JP6856497B2
JP6856497B2 JP2017216393A JP2017216393A JP6856497B2 JP 6856497 B2 JP6856497 B2 JP 6856497B2 JP 2017216393 A JP2017216393 A JP 2017216393A JP 2017216393 A JP2017216393 A JP 2017216393A JP 6856497 B2 JP6856497 B2 JP 6856497B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lead frame
die pad
thickness
connecting bar
main body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017216393A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2018113433A (ja
Inventor
石橋 貴弘
貴弘 石橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui High Tech Inc
Original Assignee
Mitsui High Tech Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui High Tech Inc filed Critical Mitsui High Tech Inc
Priority to CN201810027005.1A priority Critical patent/CN108336054B/zh
Priority to TW107101266A priority patent/TWI706529B/zh
Publication of JP2018113433A publication Critical patent/JP2018113433A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6856497B2 publication Critical patent/JP6856497B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Description

開示の実施形態は、リードフレームに関する。
従来、一括樹脂封止(MAP:Molded Array Package)タイプのリードフレームにおいて、ダイパッドやリード、コネクティングバーなどにおける所定の領域の裏面側をあらかじめハーフエッチング加工する技術が知られている(たとえば、特許文献1参照)。
特開2016−143730号公報
しかしながら、従来のリードフレームにおいては、かかるハーフエッチング加工で深くエッチングした場合、ダイパッドとコネクティングバーとの連結部分が薄くなり強度が小さくなることから、ダイパッドをコネクティングバーに十分に支持できない恐れがある。一方で、ハーフエッチング加工で浅くエッチングした場合、コネクティングバーが厚くなり強度が大きくなることから、リードフレーム全体の反りが大きくなる恐れがある。さらに、MAPタイプの半導体装置を製造するにあたり、コネクティングバーに沿ってダイシングする際に、バリが発生するリスクが高くなる。
実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、ダイパッドをコネクティングバーに十分支持させることができるとともに、リードフレーム全体の反りを低減することができるリードフレームを提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係るリードフレームは、複数の単位リードフレームと、コネクティングバーとを備える。前記単位リードフレームは、ダイパッドと複数のリードとを有し、マトリックス状に並べられる。前記コネクティングバーは、前記単位リードフレーム同士を連結する。また、前記単位リードフレームは、前記ダイパッドを前記コネクティングバーに支持させるダイパッド支持部を有し、前記コネクティングバーは、前記ダイパッド支持部に連結されるダイパッド連結部と、前記ダイパッド連結部以外の部位である本体部とを有する。そして、前記ダイパッド支持部および前記ダイパッド連結部は、前記単位リードフレームにおける最も厚い部位より薄く、前記本体部より厚い。
実施形態の一態様によれば、ダイパッドをコネクティングバーに十分支持させることができるとともに、リードフレーム全体の反りを低減することができるリードフレームを提供することができる。
図1Aは、実施形態に係るリードフレームの全体図および拡大平面図である。 図1Bは、図1Aに示すA−A線の矢視断面図である。 図2は、実施形態に係るリードフレームの製造工程を示す概略断面図である。 図3Aは、実施形態の変形例1に係るリードフレームの拡大平面図である。 図3Bは、図3Aに示すB−B線の矢視断面図である。 図4Aは、実施形態の変形例2に係るリードフレームの拡大平面図である。 図4Bは、図4Aに示すC−C線の矢視断面図である。 図5Aは、実施形態の変形例3に係るリードフレームの拡大平面図である。 図5Bは、図5Aに示すE−E線の矢視断面図である。
<リードフレームの概要と詳細>
以下、添付図面を参照して、本願の開示するリードフレームの実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
まず、図1Aを参照して実施形態に係るリードフレーム1の概略を説明する。図1Aに示すリードフレーム1は、SON(Small Outline Non-leaded package)タイプの半導体装置の製造に用いられるMAPタイプのリードフレームである。
なお、実施形態ではSONタイプの半導体装置の製造に用いられるリードフレームについて示すが、その他のタイプ、たとえばQFN(Quad Flat Non-leaded package)タイプの半導体装置の製造に用いられるリードフレームに適用するようにしてもよい。
リードフレーム1は、平面視で矩形状の枠体10を有しており、かかる枠体10内に複数の単位リードフレーム11がマトリックス状に並べられている。そして、単位リードフレーム11の周囲には、両端部がそれぞれ枠体10に支持された複数のコネクティングバー12が格子状に設けられている。
単位リードフレーム11は、ダイパッド13と、複数のリード14と、ダイパッド支持部15とを有する。ダイパッド13は、たとえば、2つのダイパッド13a、13bを有し、単位リードフレーム11の中央部分に設けられている。かかるダイパッド13のおもて面側には、図示しない半導体チップが搭載可能である。
複数のリード14は、ダイパッド13とコネクティングバー12との間に並んで配置されており、それぞれの先端部14aがコネクティングバー12からダイパッド13に向かって伸びている。かかるリード14は、ダイパッド13に配置される半導体チップの電極とボンディングワイヤなどで電気的に接続されることにより、半導体装置の外部端子として機能する。
ダイパッド支持部15は、ダイパッド13とコネクティングバー12とを連結し、ダイパッド13をコネクティングバー12に支持する。ダイパッド支持部15は、たとえば、2つのダイパッド13a、13bにそれぞれ1つ以上設けられている。
また、コネクティングバー12は、ダイパッド支持部15に連結されるダイパッド連結部12aと、かかるダイパッド連結部12a以外の部位である本体部12bとを有する。ダイパッド連結部12aは、換言すると、ダイパッド支持部15に隣り合って配置され、ダイパッド支持部15を直接支持する部位である。
実施形態に係るリードフレーム1は、銅や銅合金、鉄ニッケル合金などで構成される金属板に、エッチング加工などが施されて形成される。かかるエッチング加工には、両面をエッチング加工して開口部を形成するフルエッチング加工と、裏面側をエッチング加工して厚さを薄くするハーフエッチング加工とがある。
なお、本願明細書の拡大平面図では、理解を容易にするため、ハーフエッチング加工が施されている部位には何らかのハッチングを施すこととし、同じ厚さでハーフエッチング加工されている部位には同じハッチングを施すこととする。
図1Aに示すように、実施形態では、コネクティングバー12が、すべてハーフエッチング加工されている。ダイパッド13は、周縁部がハーフエッチング加工される一方で、中央部にはエッチングが施されておらず、エッチング加工前の金属板と同じ厚さである。
リード14は、先端部14aの周縁部がハーフエッチング加工されており、それ以外はエッチングが施されていない。ダイパッド支持部15は、すべてハーフエッチング加工されている。
このように、リードフレーム1の所定の部位をハーフエッチング加工することにより、ハーフエッチング加工を施さない場合に比べて、リードフレーム1全体の強度を低減することができることから、リードフレーム1の反りを抑制することができる。また、ハーフエッチング加工で形成される凹凸により、封止樹脂との密着性が向上することから、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
ここで、実施形態では、図1Bに示すように、ダイパッド支持部15の厚さT1と、コネクティングバー12におけるダイパッド連結部12aの厚さT2とが、いずれもコネクティングバー12における本体部12bの厚さT3よりも厚くなるように構成されている。なお、図1Bでは、各部位の境界線を破線で示している。
これにより、ダイパッド13を支持するダイパッド支持部15とダイパッド連結部12aとの強度を大きくすることができる。したがって、実施形態によれば、ダイパッド13をコネクティングバー12に十分支持させることができる。
また、コネクティングバー12の大部分を占める本体部12bの厚さT3を、ハーフエッチング加工されておらずリードフレーム1の中で最も厚い部位(たとえば、ダイパッド13aの中央部)の厚さT4より十分に薄くすることができる。これにより、コネクティングバー12全体の強度を抑えることができることから、リードフレーム1全体の反りを低減することができる。
すなわち、実施形態によれば、ダイパッド13をコネクティングバー12に十分支持させることができるとともに、リードフレーム1全体の反りを低減することができる。
さらに、コネクティングバー12全体の強度を抑えることにより、MAPタイプの半導体装置を製造するにあたり、コネクティングバー12に沿ってダイシングする際に、コネクティングバー12による切断抵抗を低減させることができる。したがって、実施形態によれば、半導体装置を安定して製造することができる。
上述の実施形態において、ハーフエッチング加工されていない部位(すなわち、リードフレーム1の中で最も厚い部位)の厚さT4を100(%)とした場合、ダイパッド支持部15の厚さT1とダイパッド連結部12aの厚さT2とはいずれも40(%)〜60(%)にするとよく、本体部12bの厚さT3は30(%)〜50(%)にするとよい。
なお、上述の厚さT1または厚さT2を、厚さT4の40(%)〜60(%)よりも厚くした場合、リードフレーム1の強度が上がることから、リードフレーム1に反りが発生しやすくなる。また、厚さT1または厚さT2を、厚さT4の40(%)〜60(%)よりも薄くした場合、リードフレーム1に変形が発生する恐れがある。
同様に、上述の厚さT3を、厚さT4の30(%)〜50(%)よりも厚くした場合、リードフレーム1の強度が上がることから、リードフレーム1に反りが発生しやすくなる。また、厚さT3を、厚さT4の30(%)〜50(%)よりも薄くした場合、リードフレーム1に変形が発生する恐れがある。
なお、実施形態において、ハーフエッチング加工されていない部位の厚さT4を100(%)とした場合、ダイパッド支持部15の厚さT1およびダイパッド連結部12aの厚さT2は、本体部12bの厚さT3よりも5(%)以上厚くするとよい。これにより、ダイパッド13の十分な支持と、リードフレーム1全体の反りの低減とを良好に両立させることができる。
なお、上述の厚さT1または厚さT2と、厚さT3との差異を5(%)未満にした場合、リードフレーム1の変形を防止するための強度向上と、リードフレーム1の反りを防止するための強度低減とのメリハリがなくなることから、リードフレーム1に変形もしくは反りのどちらかが発生する恐れがある。
なお、実施形態において、ダイパッド支持部15の厚さT1と、ダイパッド連結部12aの厚さT2とを同じ厚さにするとよい。これにより、後述するリードフレーム1の製造工程において、ダイパッド支持部15とダイパッド連結部12aとを同じエッチング条件で加工することができる。したがって、エッチング条件の複雑化を抑制することができることから、リードフレーム1の生産性を向上させることができる。
さらに、実施形態では、本体部12bの厚さT3と、ダイパッド13の周縁部の厚さT5とを同じ厚さにするとよい。これにより、上述と同様に、エッチング条件の複雑化を抑制することができることから、リードフレーム1の生産性を向上させることができる。
また、図1Aに示すように、ダイパッド13bは、左側の側面で1つのリード14と、かかるリード14からダイパッド13bに向かって延び、ダイパッド13bにつながるリード延伸部16とを介して、コネクティングバー12に支持されている。
したがって、実施形態におけるコネクティングバー12では、リード延伸部16が形成されるリード14に連結される部位についても、ダイパッド連結部12aとして構成するとよい。これにより、ダイパッド13bをコネクティングバー12に十分支持させることができる。
また、実施形態では、図1Aに示したように、ダイパッド13をダイパッド13a、13bの2つに分割するなど、複雑なデザインをした異形状なリードフレーム1において特に有効である。なぜなら、かかる異形状なリードフレーム1では、異形状ではないリードフレームよりもダイパッド支持部15の数や配置に制限が生じることから、十分な支持機能を有するダイパッド支持部15が求められるからである。
<リードフレームの製造方法>
つづいて、実施形態に係るリードフレーム1の製造方法について、図2を参照しながら説明する。なお、図2に示した断面は、図1Aに示すA−A線の矢視断面図(すなわち、図1B)に対応する。
まず、図2(a)に示すリードフレーム1の材料である金属板20のおもて面および裏面に、ドライフィルムレジストなどのレジスト層21a、21bを貼り付ける(図2(b))。
つぎに、リードフレーム1の形状が形成されたガラスマスク22a、22bを用いて、露光・現像を行い(図2(c))、所定の範囲がレジスト層21a、21bで覆われたレジストマスクを形成する(図2(d))。
ここで、図2(d)に示すように、金属板20にエッチング加工を施さない領域A1については、両面にレジスト層21a、21bが形成されるようにレジストマスクを形成する。また、金属板20に深くハーフエッチング加工を施す領域A2については、おもて面のみにレジスト層21aが形成されるようにレジストマスクを形成する。
さらに、実施形態において、金属板20に浅くエッチング加工を施す領域A3については、おもて面にはレジスト層21aが一様に形成されるとともに、裏面にはレジスト層21bが所定のパターン(たとえば、ドットパターン)で形成されるように、レジストマスクを形成する。
つづいて、たとえば塩化第二鉄溶液などにより、金属板20をエッチング加工する(図2(e))。この際、図2(e)に示すように、領域A2では、裏面側にレジストマスクが形成されていないことから、深さ方向にエッチングが進行する。
一方で、領域A3では、所定のパターンを有するレジスト層21bが形成されていることから、領域A2よりも深さ方向にエッチングは進行せず、一方でレジスト層21bにおけるパターンの裏側にもエッチングが進行する。
そして、かかる裏側へのエッチングが進行すると、レジスト層21bのパターンの裏側全体がエッチングされることから、領域A3に設けられたレジスト層21bが剥離する。そして、かかる剥離以降は、領域A2と領域A3とで均等に深さ方向にエッチングが進行する(図2(f))。
しかしながら、領域A2と領域A3とでは、エッチング加工の最初の段階で深さ方向のエッチング量に差が生じていることから、図2(f)に示すように、領域A2と領域A3とでは、深さ方向のエッチング量に差が生じる。
最後に、洗浄処理やレジストマスクの剥離処理を行い、実施形態にかかるリードフレーム1が完成する(図2(g))。ここで、図2(g)に示すように、領域A1は、エッチング加工されていないダイパッド13aの中央部に対応し、領域A2は、コネクティングバー12の本体部12bやダイパッド13aの周縁部に対応し、領域A3は、ダイパッド支持部15やコネクティングバー12のダイパッド連結部12aに対応する。
すなわち、上述のように、裏面側のレジスト層21bに所定のパターンを形成することにより、深さ方向のエッチング量に差を生じさせることができることから、リードフレーム1において、ハーフエッチング加工の深さが異なる領域を形成することができる。
なお、図2には図示していないが、リードフレーム1に開口部を設けたい領域には、金属板20の両面にレジスト層21a、21bが形成されないように、レジストマスクを形成するとよい。
<変形例>
つづいて、実施形態に係るリードフレーム1の各種変形例について説明する。図3Aは実施形態の変形例1に係るリードフレーム1Aの拡大平面図であり、実施形態における図1Aの下図に対応する図である。
変形例1にかかるリードフレーム1Aでは、上述の実施形態と同様に、ダイパッド支持部15とコネクティングバー12のダイパッド連結部12aとが、コネクティングバー12の本体部12bより厚くなっている。一方で、上述の実施形態と異なり、コネクティングバー12が応力緩和部12cをさらに有する。
かかる応力緩和部12cは、コネクティングバー12において、応力を緩和することによりリードフレーム1Aの反りをさらに低減することができる部位に設けられ、たとえば、図3Aに示すように、縦横に延びるコネクティングバー12の交差部分に設けられる。
応力緩和部12cは、図3Bに示すように、コネクティングバー12における本体部12bの厚さT3よりもさらに薄い厚さT6で形成される。これにより、コネクティングバー12全体の応力をさらに緩和することができることから、リードフレーム1A全体の反りをさらに低減することができる。
変形例1において、ハーフエッチング加工されていない部位の厚さT4を100(%)とした場合、応力緩和部12cの厚さT6は20(%)〜40(%)にするとよい。
また、変形例1において、ハーフエッチング加工されていない部位の厚さT4を100(%)とした場合、応力緩和部12cの厚さT6は、本体部12bの厚さT3よりも5(%)以上薄くするとよい。これにより、リードフレーム1A全体の反りをさらに低減させることができる。
なお、図3Bに示すように、エッチング加工されていない部位の厚さT4から、3段階の厚さT2、T3、T6にハーフエッチング加工するには、最も深いエッチング加工が必要な厚さT6の部位にエッチングの条件を合わせ、厚さT2、T3の部位にはそれぞれ形状が異なるパターンのレジスト層21bを形成すればよい。
このように、形状が異なるパターンのレジスト層21bを形成してエッチングすることにより、レジスト層21bが金属板20(図2(e)参照)の裏面から剥離する時間に差を設けることができることから、それぞれの領域で異なるエッチング深さを実現することができる。
なお、変形例1にかかるリードフレーム1Aでは、縦横に延びるコネクティングバー12の交差部分に応力緩和部12cを設けているが、これ以外のコネクティングバー12の部位に応力緩和部12cを設けてもよい。
図4Aは、実施形態の変形例2に係るリードフレーム1Bの拡大平面図である。変形例2にかかるリードフレーム1Bでは、単位リードフレーム11の構成が実施形態および変形例1と異なる。変形例2の単位リードフレーム11を構成するダイパッド13は、3つのダイパッド13c、13d、13eを有し、かかる3つのダイパッド13c、13d、13eが単位リードフレーム11の中央部分に設けられている。
また、ダイパッド13とコネクティングバー12とを連結するダイパッド支持部15が、3つのダイパッド13c、13d、13eにそれぞれ1つ以上(変形例2では、ダイパッド13c、13eにそれぞれ2つ、ダイパッド13dに4つ)設けられている。
ここで、変形例2の単位リードフレーム11では、ダイパッド13c、13eと、ダイパッド13dとの間が連結されていないことから、リードフレーム1Bは、二点鎖線で示す直線D上に並んだ強度が小さい部位を有する。これにより、かかる直線Dに沿ってリードフレーム1Bが変形する恐れがある。
そこで、変形例2では、コネクティングバー12のうち、リードフレーム1B内で直線D上に並んだ強度が低い部位に、補強部12dを設けている。そして、かかる補強部12dは、図4Bに示すように、コネクティングバー12におけるダイパッド連結部12aの厚さT2よりも厚い厚さT7で形成される。
これにより、リードフレーム1B内で直線D上に並んだ部位の強度を大きくすることができる。したがって、変形例2によれば、リードフレーム1Bが変形することを抑制することができる。
また、変形例2では、補強部12dの厚さT7を、ハーフエッチング加工されておらずリードフレーム1Bの中で最も厚い部位(たとえば、ダイパッド13cの中央部)の厚さと同じ厚さにするとよい。これにより、リードフレーム1B内で直線D上に並んだ部位の強度をさらに大きくすることができることから、リードフレーム1Bが変形することをさらに抑制することができる。
なお、変形例2では、リードフレーム1B内で直線D上に並んだ強度が低い部位にのみ補強部12dを設けた例について示したが、かかる直線D上に並んだ部位に隣接する部位にも補強部12dを設けてもよい。これにより、リードフレーム1B内で直線D上に並んだ部位の強度をさらに大きくすることができることから、リードフレーム1Bが変形することをさらに抑制することができる。
また、変形例2では、横方向に並んだ強度が弱い部位を補強部12dで補強した例について示したが、縦方向に並んだ強度が弱い部位を補強部12dで補強してもよい。
図5Aは、実施形態の変形例3に係るリードフレーム1Cの拡大平面図である。変形例3にかかるリードフレーム1Cでは、ダイパッド13の構成が変形例2と同じである。すなわち、変形例3の単位リードフレーム11を構成するダイパッド13は、3つのダイパッド13c、13d、13eを有し、かかる3つのダイパッド13c、13d、13eが単位リードフレーム11の中央部分に設けられている。
また、ダイパッド13とコネクティングバー12とを連結するダイパッド支持部15が、3つのダイパッド13c、13d、13eにそれぞれ1つ以上(変形例3では、ダイパッド13c、13eにそれぞれ2つ、ダイパッド13dに4つ)設けられている。
一方で、変形例3では、コネクティングバー12およびダイパッド支持部15の構成が実施形態、変形例1および変形例2とは異なる。具体的には、コネクティングバー12が本体部12bで構成されるとともに、ダイパッド支持部15の厚さが本体部12bと同じ厚さである。すなわち、変形例3では、リードフレーム1C内でハーフエッチング加工された部位がすべて略等しい厚さである。
ここで、変形例3の単位リードフレーム11では、変形例2と同様に、ダイパッド13c、13eと、ダイパッド13dとの間が連結されていないことから、リードフレーム1Cは、二点鎖線で示す直線D上に並んだ強度が小さい部位を有する。これにより、かかる直線Dに沿ってリードフレーム1Cが変形する恐れがある。
そこで、変形例3では、コネクティングバー12のうち、リードフレーム1C内で直線D上に並んだ強度が低い部位に、補強部12dを設けている。そして、かかる補強部12dは、図5Bに示すように、コネクティングバー12における本体部12bの厚さT3よりも厚い厚さT7で形成される。
これにより、リードフレーム1C内で直線D上に並んだ部位の強度を大きくすることができる。したがって、変形例3によれば、リードフレーム1Cが変形することを抑制することができる。
また、変形例3では、リードフレーム1C内で直線D上に並んだ部位に隣接する部位にも補強部12eを設けるとよい。すなわち、補強部12dに隣接する補強部12eは、図5Bに示すように、コネクティングバー12における本体部12bの厚さT3よりも厚い厚さT8で形成されるとよい。
これにより、リードフレーム1C内で直線D上に並んだ部位の強度をさらに大きくすることができることから、リードフレーム1Cが変形することをさらに抑制することができる。
さらに、変形例3では、補強部12dの厚さT7および補強部12eの厚さT8を、ハーフエッチング加工されておらずリードフレーム1Cの中で最も厚い部位(たとえば、ダイパッド13cの中央部)の厚さと同じ厚さにするとよい。
これにより、リードフレーム1C内で直線D上に並んだ部位の強度をさらに大きくすることができることから、リードフレーム1Cが変形することをさらに抑制することができる。
なお、変形例3では、補強部12dに補強部12eを追加した例について示したが、補強部12dのみで直線D上に並んだ部位の強度を大きくしてもよい。また、変形例3では、横方向に並んだ強度が弱い部位を補強部12d、12eで補強した例について示したが、縦方向に並んだ強度が弱い部位を補強部12d、12eで補強してもよい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。たとえば、上述の実施形態では、ハーフエッチング加工された部位が2段階または3段階の厚さに形成されていたが、4段階以上の厚さに形成されてもよい。これにより、ダイパッド13の十分な支持と、リードフレーム1全体の反りの低減とをさらに良好に両立させることができる。
以上のように、実施形態に係るリードフレーム1(1A、1B)は、複数の単位リードフレーム11と、コネクティングバー12とを備える。単位リードフレーム11は、ダイパッド13と複数のリード14とを有し、マトリックス状に並べられる。コネクティングバー12は、単位リードフレーム11同士を連結する。また、単位リードフレーム11は、ダイパッド13をコネクティングバー12に支持させるダイパッド支持部15を有し、コネクティングバー12は、ダイパッド支持部15に連結されるダイパッド連結部12aと、ダイパッド連結部12a以外の部位である本体部12bとを有する。そして、ダイパッド支持部15およびダイパッド連結部12aは、単位リードフレーム11における最も厚い部位より薄く、本体部12bより厚い。これにより、ダイパッド13をコネクティングバー12に十分支持させることができるとともに、リードフレーム1(1A、1B)全体の反りを低減することができる。
また、実施形態に係るリードフレーム1(1A、1B)において、単位リードフレーム11の最も厚い部位の厚さT4を100(%)とした場合、ダイパッド支持部15の厚さT1とダイパッド連結部12aの厚さT2とは、いずれも本体部12bの厚さT3より5(%)以上厚い。これにより、ダイパッド13の十分な支持と、リードフレーム1(1A、1B)全体の反りの低減とを良好に両立させることができる。
また、実施形態に係るリードフレーム1(1A、1B)において、単位リードフレーム11は、ダイパッド13を複数有する(ダイパッド13a〜13e)。これにより、異形状なリードフレーム1(1A、1B)においても、ダイパッド13を十分に支持させることができる。
また、実施形態に係るリードフレーム1(1A、1B)において、ダイパッド支持部15およびダイパッド連結部12aは、同じ厚さである。これにより、リードフレーム1(1A、1B)の生産性を向上させることができる。
また、実施形態に係るリードフレーム1Aにおいて、コネクティングバー12は、本体部12bより薄い応力緩和部12cをさらに有する。これにより、リードフレーム1A全体の反りをさらに低減することができる。
また、実施形態に係るリードフレーム1Aにおいて、単位リードフレーム11の最も厚い部位の厚さT4を100%とした場合、応力緩和部12cの厚さT6は、本体部12bの厚さT3より5%以上薄い。これにより、リードフレーム1A全体の反りをさらに低減させることができる。
また、実施形態に係るリードフレーム1Bにおいて、コネクティングバー12は、リードフレーム1B内で直線D上に並んだ強度が低い部位に、ダイパッド連結部12aより厚い補強部12dをさらに有する。これにより、リードフレーム1Bが変形することを抑制することができる。
また、実施形態に係るリードフレーム1Bにおいて、補強部12dは、単位リードフレーム11の最も厚い部位と同じ厚さである。これにより、リードフレーム1Bが変形することをさらに抑制することができる。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
1、1A、1B、1C リードフレーム
10 枠体
11 単位リードフレーム
12 コネクティングバー
12a ダイパッド連結部
12b 本体部
12c 応力緩和部
12d、12e 補強部
13、13a〜13e ダイパッド
14 リード
15 ダイパッド支持部
16 リード延伸部
20 金属板
21a、21b レジスト層
22a、22b ガラスマスク

Claims (8)

  1. ダイパッドと複数のリードとを有し、マトリックス状に並べられる複数の単位リードフレームと、
    前記単位リードフレーム同士を連結するコネクティングバーと、
    を備え、
    前記単位リードフレームは、前記ダイパッドを前記コネクティングバーに支持させるダイパッド支持部を有し、
    前記コネクティングバーは、前記ダイパッド支持部に連結されるダイパッド連結部と、前記ダイパッド連結部以外の部位である本体部とを有し、
    前記ダイパッド支持部および前記ダイパッド連結部は、前記単位リードフレームにおける最も厚い部位より薄く、前記本体部より厚いこと
    を特徴とするリードフレーム。
  2. 前記単位リードフレームの最も厚い部位の厚さを100%とした場合、前記ダイパッド支持部の厚さと前記ダイパッド連結部の厚さとは、いずれも前記本体部の厚さより5%以上厚いこと
    を特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。
  3. 前記単位リードフレームは、前記ダイパッドを複数有すること
    を特徴とする請求項1または2に記載のリードフレーム。
  4. 前記ダイパッド支持部および前記ダイパッド連結部は、同じ厚さであること
    を特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のリードフレーム。
  5. 前記コネクティングバーは、前記本体部より薄い応力緩和部をさらに有すること
    を特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のリードフレーム。
  6. 前記単位リードフレームの最も厚い部位の厚さを100%とした場合、前記応力緩和部の厚さは、前記本体部の厚さより5%以上薄いこと
    を特徴とする請求項5に記載のリードフレーム。
  7. 前記コネクティングバーは、リードフレーム内で直線上に並んだ強度が低い部位に、前記ダイパッド連結部より厚い補強部をさらに有すること
    を特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載のリードフレーム。
  8. 前記補強部は、前記単位リードフレームの最も厚い部位と同じ厚さであること
    を特徴とする請求項7に記載のリードフレーム。
JP2017216393A 2017-01-12 2017-11-09 リードフレーム Active JP6856497B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810027005.1A CN108336054B (zh) 2017-01-12 2018-01-11 引线框
TW107101266A TWI706529B (zh) 2017-01-12 2018-01-12 引線框架

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017003087 2017-01-12
JP2017003087 2017-01-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018113433A JP2018113433A (ja) 2018-07-19
JP6856497B2 true JP6856497B2 (ja) 2021-04-07

Family

ID=62912430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017216393A Active JP6856497B2 (ja) 2017-01-12 2017-11-09 リードフレーム

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6856497B2 (ja)
CN (1) CN108336054B (ja)
TW (1) TWI706529B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021205891A1 (ja) * 2020-04-07 2021-10-14 株式会社村田製作所 リードフレームの製造方法、リードフレームおよび電源装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3547704B2 (ja) * 2000-06-22 2004-07-28 株式会社三井ハイテック リードフレーム及び半導体装置
US6700186B2 (en) * 2000-12-21 2004-03-02 Mitsui High-Tec, Inc. Lead frame for a semiconductor device, a semiconductor device made from the lead frame, and a method of making a semiconductor device
JP4094611B2 (ja) * 2005-01-27 2008-06-04 株式会社三井ハイテック 積層リードフレームの製造方法
JP5214911B2 (ja) * 2006-12-27 2013-06-19 株式会社デンソー モールドパッケージの製造方法
JP4901776B2 (ja) * 2008-02-04 2012-03-21 パナソニック株式会社 リードフレームとそれを用いた半導体装置及びその生産方法
US7808084B1 (en) * 2008-05-06 2010-10-05 Amkor Technology, Inc. Semiconductor package with half-etched locking features
JP5807800B2 (ja) * 2010-11-18 2015-11-10 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびリードフレームの製造方法
JP5899614B2 (ja) * 2010-11-26 2016-04-06 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびリードフレームの製造方法
KR101209472B1 (ko) * 2011-03-04 2012-12-07 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 제조용 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법
JP2013069720A (ja) * 2011-09-20 2013-04-18 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
JP5884506B2 (ja) * 2012-01-23 2016-03-15 大日本印刷株式会社 半導体装置製造用リードフレーム及び半導体装置の製造方法
US8877564B2 (en) * 2012-06-29 2014-11-04 Intersil Americas LLC Solder flow impeding feature on a lead frame
JP6087153B2 (ja) * 2013-01-10 2017-03-01 株式会社三井ハイテック リードフレーム
JP6143468B2 (ja) * 2013-01-11 2017-06-07 株式会社三井ハイテック リードフレーム
JP6610087B2 (ja) * 2014-10-09 2019-11-27 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびその製造方法
JP6390011B2 (ja) * 2014-12-25 2018-09-19 大口マテリアル株式会社 リードフレーム及びその製造方法
JP6443978B2 (ja) * 2015-01-30 2018-12-26 大口マテリアル株式会社 リードフレーム及びその製造方法
JP6107995B2 (ja) * 2016-03-10 2017-04-05 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびリードフレームの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN108336054B (zh) 2021-11-26
CN108336054A (zh) 2018-07-27
TWI706529B (zh) 2020-10-01
JP2018113433A (ja) 2018-07-19
TW201832336A (zh) 2018-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5807800B2 (ja) リードフレームおよびリードフレームの製造方法
JP7044142B2 (ja) リードフレームおよびその製造方法
JP6362111B2 (ja) リードフレームの製造方法
JP2015072946A (ja) リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法
JP2016143730A (ja) リードフレーム及びその製造方法
JP6856497B2 (ja) リードフレーム
JP6468600B2 (ja) Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP7174363B2 (ja) リードフレームおよび半導体装置
JP2017168690A (ja) 多列型リードフレーム及びその製造方法
JP2016105524A (ja) リードフレームおよびリードフレームの製造方法
JP6537141B2 (ja) Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法
JP6810906B2 (ja) リードフレームおよび半導体装置
JP6326647B2 (ja) 半導体素子搭載用リードフレーム及びその製造方法
JP6788825B2 (ja) リードフレームおよび半導体装置
JP2017168689A (ja) Ledパッケージ並びに多列型led用リードフレーム及びその製造方法
JP2021150462A (ja) リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP7223347B2 (ja) リードフレームおよび半導体装置の製造方法
JP6911377B2 (ja) リードフレームおよび半導体装置
JP7112663B2 (ja) リードフレームおよび半導体装置の製造方法
JP7404763B2 (ja) リードフレーム、リードフレームの製造方法及び半導体装置の製造方法
JP6398143B2 (ja) リードフレーム及びその製造方法
JP2018081961A (ja) 半導体装置用リードフレームとその製造方法および樹脂封止型半導体装置
JP6631669B2 (ja) リードフレームおよびリードフレームの製造方法
JP7365588B2 (ja) リードフレームおよび半導体装置
JP6885250B2 (ja) リードフレームおよび半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200420

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210208

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210309

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210318

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6856497

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250