JP2018113433A - リードフレーム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リードフレームは、複数の単位リードフレームと、コネクティングバーとを備える。単位リードフレームは、ダイパッドと複数のリードとを有し、マトリックス状に並べられる。コネクティングバーは、単位リードフレーム同士を連結する。また、単位リードフレームは、ダイパッドをコネクティングバーに支持させるダイパッド支持部を有し、コネクティングバーは、ダイパッド支持部に連結されるダイパッド連結部と、ダイパッド連結部以外の部位である本体部とを有する。そして、ダイパッド支持部およびダイパッド連結部は、単位リードフレームにおける最も厚い部位より薄く、本体部より厚い。
【選択図】図1A
Description
以下、添付図面を参照して、本願の開示するリードフレームの実施形態について説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
つづいて、実施形態に係るリードフレーム1の製造方法について、図2を参照しながら説明する。なお、図2に示した断面は、図1Aに示すA−A線の矢視断面図(すなわち、図1B)に対応する。
つづいて、実施形態に係るリードフレーム1の各種変形例について説明する。図3Aは実施形態の変形例1に係るリードフレーム1Aの拡大平面図であり、実施形態における図1Aの下図に対応する図である。
10 枠体
11 単位リードフレーム
12 コネクティングバー
12a ダイパッド連結部
12b 本体部
12c 応力緩和部
12d、12e 補強部
13、13a〜13e ダイパッド
14 リード
15 ダイパッド支持部
16 リード延伸部
20 金属板
21a、21b レジスト層
22a、22b ガラスマスク
Claims (8)
- ダイパッドと複数のリードとを有し、マトリックス状に並べられる複数の単位リードフレームと、
前記単位リードフレーム同士を連結するコネクティングバーと、
を備え、
前記単位リードフレームは、前記ダイパッドを前記コネクティングバーに支持させるダイパッド支持部を有し、
前記コネクティングバーは、前記ダイパッド支持部に連結されるダイパッド連結部と、前記ダイパッド連結部以外の部位である本体部とを有し、
前記ダイパッド支持部および前記ダイパッド連結部は、前記単位リードフレームにおける最も厚い部位より薄く、前記本体部より厚いこと
を特徴とするリードフレーム。 - 前記単位リードフレームの最も厚い部位の厚さを100%とした場合、前記ダイパッド支持部の厚さと前記ダイパッド連結部の厚さとは、いずれも前記本体部の厚さより5%以上厚いこと
を特徴とする請求項1に記載のリードフレーム。 - 前記単位リードフレームは、前記ダイパッドを複数有すること
を特徴とする請求項1または2に記載のリードフレーム。 - 前記ダイパッド支持部および前記ダイパッド連結部は、同じ厚さであること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載のリードフレーム。 - 前記コネクティングバーは、前記本体部より薄い応力緩和部をさらに有すること
を特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のリードフレーム。 - 前記単位リードフレームの最も厚い部位の厚さを100%とした場合、前記応力緩和部の厚さは、前記本体部の厚さより5%以上薄いこと
を特徴とする請求項5に記載のリードフレーム。 - 前記コネクティングバーは、リードフレーム内で直線上に並んだ強度が低い部位に、前記ダイパッド連結部より厚い補強部をさらに有すること
を特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載のリードフレーム。 - 前記補強部は、前記単位リードフレームの最も厚い部位と同じ厚さであること
を特徴とする請求項7に記載のリードフレーム。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021205891A1 (ja) * | 2020-04-07 | 2021-10-14 | 株式会社村田製作所 | リードフレームの製造方法、リードフレームおよび電源装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002083918A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-03-22 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム及び半導体装置 |
JP2008141222A (ja) * | 2008-02-04 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレームとそれを用いた半導体装置及びその生産方法 |
JP2012109459A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-07 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 |
JP2013069720A (ja) * | 2011-09-20 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2013149885A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置製造用リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
JP2014135409A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム |
JP2016082222A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-16 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームおよびその製造方法 |
JP2016105524A (ja) * | 2016-03-10 | 2016-06-09 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6700186B2 (en) * | 2000-12-21 | 2004-03-02 | Mitsui High-Tec, Inc. | Lead frame for a semiconductor device, a semiconductor device made from the lead frame, and a method of making a semiconductor device |
JP4094611B2 (ja) * | 2005-01-27 | 2008-06-04 | 株式会社三井ハイテック | 積層リードフレームの製造方法 |
JP5214911B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2013-06-19 | 株式会社デンソー | モールドパッケージの製造方法 |
US7808084B1 (en) * | 2008-05-06 | 2010-10-05 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package with half-etched locking features |
JP5899614B2 (ja) * | 2010-11-26 | 2016-04-06 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 |
KR101209472B1 (ko) * | 2011-03-04 | 2012-12-07 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 반도체 패키지 제조용 리드프레임 및 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법 |
US8877564B2 (en) * | 2012-06-29 | 2014-11-04 | Intersil Americas LLC | Solder flow impeding feature on a lead frame |
JP6087153B2 (ja) * | 2013-01-10 | 2017-03-01 | 株式会社三井ハイテック | リードフレーム |
JP6390011B2 (ja) * | 2014-12-25 | 2018-09-19 | 大口マテリアル株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
JP6443978B2 (ja) * | 2015-01-30 | 2018-12-26 | 大口マテリアル株式会社 | リードフレーム及びその製造方法 |
-
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002083918A (ja) * | 2000-06-22 | 2002-03-22 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム及び半導体装置 |
JP2008141222A (ja) * | 2008-02-04 | 2008-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレームとそれを用いた半導体装置及びその生産方法 |
JP2012109459A (ja) * | 2010-11-18 | 2012-06-07 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 |
JP2013069720A (ja) * | 2011-09-20 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2013149885A (ja) * | 2012-01-23 | 2013-08-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 半導体装置製造用リードフレーム及び半導体装置の製造方法 |
JP2014135409A (ja) * | 2013-01-11 | 2014-07-24 | Mitsui High Tec Inc | リードフレーム |
JP2016082222A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-16 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームおよびその製造方法 |
JP2016105524A (ja) * | 2016-03-10 | 2016-06-09 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームおよびリードフレームの製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021205891A1 (ja) * | 2020-04-07 | 2021-10-14 | 株式会社村田製作所 | リードフレームの製造方法、リードフレームおよび電源装置 |
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